natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Които са специално проектирани и оптимизирани да работят при максимална енергия на потока (ускоряващо напрежение), по-малка от 2 keV;
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
Възможност за директен запис; или
Direct write capability; or
Енергия на потока от 65 keV или повече и насочен ток 45 mA или повече за имплантация на кислород с висока енергия в нагрята полупроводникова материална „основа“;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Оборудване за сухо ецване чрез анизотропна плазма, както следва:
Anisotropic plasma dry etching equipment as follows:
Оборудване с действие от касета към касета и с възможност за блокировка на задържането, имащо някоя от изброените по-долу характеристики:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Проектирано или оптимизирано да произведа критични разлики от 180 nm или по-малко с ±5 % при точност 3 сигма; или
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
Проектирано за генериране на по-малко от 0,04 частици/cm2 с измерим размер на частицата, по-голям от 0,1 µm в диаметър;
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 µm in diameter;
Оборудване, специално проектирано за оборудването от 3B001.e., имащо която и да е от изброените по-долу характеристики:
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Подсилено с плазма оборудване за нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (CVD), както следва:
Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Оборудване с действие от касета към касета с възможност за блокировка на задържането, проектирано съгласно спецификация на производителя или оптимизирано за употреба в производство на полупроводникови механизми с критически размери от 180 nm или по-малко;
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Оборудване, специално проектирано за оборудването, посочено в 3B001.f., и проектирано съгласно спецификация на производителя или оптимизирано за употреба в производство на полупроводникови механизми с критически размери от 180 nm или по-малко;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Системи за автоматично многокамерно зареждане за централна обработка на пластини, имащи всички изброени по-долу характеристики:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Интерфейси за въвеждане и извеждане на пластинки, към които трябва да се свържат повече от два броя полупроводниково обработващо оборудване; и
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Проектирани да образуват във вакуумна среда интегрирана система за последователна обработка на множествена пластина;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
Бележка:3B001.e. не контролира автоматичните роботизирани системи за обработка на пластини, непроектирани за работа във вакуумна среда.
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Литографско оборудване, както следва:
Lithography equipment as follows:
Оборудване за изравняващи и експониращи стъпки и повторения (директни стъпки върху пластинки) или сканиращо оборудване (скенери) за обработка на пластинки с използване на фотооптични и рентгенови методи и имащо някоя от изброените по-долу характеристики:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Дължина на вълната на светлинния източник, по-къса от 245 nm; или
A light source wavelength shorter than 245 nm; or
Способно да оформя растер (модел) с размер на „минималната различима единица“ от 180 nm или по-малка;
Capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature size’ of 180 nm or less;
Размерът на „минималната различима единица“ се пресмята по следната формула:
The ’minimum resolvable feature size’ is calculated by the following formula:
MRF= дължината на вълната на експониращия светлинен източник в nm
MRF = an exposure light source wavelength in nm
× фактора К
× K factor
цифрова апертура
numerical aperture
където факторът К = 0,45
where the K factor = 0,45
MRF е „минимален размер на разпознавателния елемент“
MRF = ’minimum resolvable feature size’
Оборудване за литографски печат, способно да печата елементи от 180 nm или по-малки;
Imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
Бележка:3B001.f.2. включва:
Note:3B001.f.2. includes:
Инструменти за микроконтактен печат
Micro contact printing tools
Инструменти за горещо щамповане
Hot embossing tools
Инструменти за литографски нанопечат
Nano-imprint lithography tools
Инструменти за литографски печат S-FIL (step and flash imprint
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
lithography). Оборудване, специално проектирано за изработване на маски или обработка на полупроводникови устройства, използващо методи за директен печат и имащо всички изброени по-долу характеристики:
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
Използва отклонен фокусиран електронен лъч, йонен лъч или „лазерен“ лъч; и
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Размер на светлинното петно, по-малък от 0,2 μm;
A spot size smaller than 0,2 µm;
Способност да създава растер (модел) с размер на елементите, по-малък от 1 μm; или
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
Точност на наслояване по-добра от ±0,20 μm (3 сигма);
An overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
Маски и сита за интегралните схеми, описани в 3A001;
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Многопластови маски с фазово отместван слой.
Multi-layer masks with a phase shift layer;
Бележка:3B001.h. не контролира многослойни маски с фазово променен (изместен) слой, проектирани за производство на запаметяващи устройства, които не се контролират от 3A001.
Note:3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
i. Шаблони за литографски печат, проектирани за интегрираните схеми, описани в 3A001.
i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Оборудване за изпитване, специално проектирано за тестване на готови или незавършени полупроводникови устройства, както следва, и специално проектирани компоненти и принадлежности за него:
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
За изпитване на S параметрите на транзисторни устройства при честоти над 31,8 GHz;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
За изпитване на микровълнови интегрални схеми, описани в 3A001.b.2.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Хетероепитаксиални материали, състоящи се от „основа“, върху която епитаксиално са напластени много слоеве от някои от изброените по-долу:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Силиций (Si);
Silicon (Si);
Германий (Ge);
Germanium (Ge);
Силициев карбид (SiC); или
Silicon carbide (SiC); or
„III/V съединения“ на галий и индий.
"III/V compounds" of gallium or indium.
Съпротивителни материали, както следва, и „основи“, покрити с контролирани материали за защитни покрития:
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Съпротивителни материали, проектирани за полупроводникова литография, специално приспособени (оптимизирани) за използване при дължини на вълната под 245 nm;
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
Всички съпротивителни покрития, проектирани за използване с електронни или йонни лъчи, с чувствителност от 0,01 μcoulomb/mm2 или по-добра;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 µcoulomb/mm2 or better;
Всички съпротивителни покрития, проектирани за използване с рентгенови лъчи, с чувствителност от 2,5 mJ/mm2 или по-добра;
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Всички съпротивителни покрития, проектирани за технологии за повърхностни изображения, в т.ч. „силилативни“ материали за защитни покрития.
All resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists;
„Силилативните“ техники се дефинират като процеси на въвеждане на окисляване на повърхността на материалите за защитно покритие с цел подобряване на качеството, както при мокро, така и при сухо проявяване.
’Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Всички съпротивителни покрития, проектирани или оптимизирани за употреба с оборудването за литографски печат, посочено в 3B001.f.2., което използва или термален процес, или процес на фотообработка.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Органично-неорганични съединения, както следва:
Organo-inorganic compounds as follows:
Органично-метални съединения на алуминий, галий или индий, с чистота (метална основа), по-висока от 99,999 %;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Органично-арсенови, органично-антимонови и органично-фосфорни съединения с чистота (основа от неорганични елементи), по-висока от 99,999 %.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Бележка:3C003 контролира само съединенията, чиито метален, частично метален или неметален елемент е пряко свързан с въглерода в органичната част на молекулата.
Note:3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Хидриди на фосфор, арсен или антимон, с чистота, по-висока от 99,999 %, дори и разтворени в инертни газове или водород.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Бележка:3C003 не контролира хидриди, съдържащи 20 % моларни или повече инертни газове или водород.
Note:3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Силициев карбид (SiC), галиев нитрид (GaN), алуминиев нитрид (AlN) или „субстрати“ на алуминиево-галиев нитрид (AlGaN), или слитъци, блокове, или други предварителни форми на тези материали, притежаващи съпротивление по-голямо от 10000 ohm-cm при 20 °C.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Субстрати“, посочени в 3C005 с поне един епитаксиален слой от силициев карбид, галиев нитрид, алуминиев нитрид или алуминиево-галиев нитрид.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Софтуер“, специално проектиран за „разработване“ или „производство“ на оборудването, описано в 3A001.b.— 3A002.g. или 3B.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
„Софтуер“, специално проектиран за „използване“ на оборудване, посочено в 3B001.a.—f. или 3B002.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
Симулативен „софтуер“ на физическа основа, специално проектиран за „разработване“ на литографиране, ецване или процеси на отлагане, за пренасяне на шаблоните от маските в специфични топографски форми в проводници, диелектрици или полупроводникови материали.
’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
„На физическа основа“ в 3D003 означава използване на изчисления за определяне на последователността на физическите причини и следствия на базата на физически свойства (температура, налягане, дифузионна константа и свойства на полупроводниковите материали).
’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Бележка:Библиотеките, конструктивните атрибути или свързаните с тях данни за проектирането на полупроводникови устройства или интегрални схеми се смятат за „технологии“.
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
„Софтуер“, специално проектиран за „разработване“ на оборудване, посочено в 3А003.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
„Софтуер“, специално проектиран или модифициран за „употреба“ на оборудване, описано в 3A101.b.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
„Технологии“ съгласно Общата бележка за технологиите за „разработване“ или „производство“ на оборудването или материалите, описани в 3A, 3B или 3C.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Бележка 1:3E001 не контролира „технологии“ за „производство“ на оборудване или компоненти, контролирани от 3A003.
Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Бележка 2:3E001 не контролира „технологии“ за „разработване“ или „производство“ на интегралните схеми, описани в 3A001.а.3. до 3A001.а.12., имащи всички изброени характеристики:
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Които използват„технологии“от 0,5 µm или повече; и
Using "technology" of 0,5 µm or more; and
Които не съдържат „многослойни структури“.
Not incorporating ’multi-layer structures’.
„Многослойни структури“ не включва устройства, съдържащи най-много три метални слоя и три полисилициеви слоя.
’Multi-layer structures’ do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
„Технологии“ в съответствие с Общата бележка по технологиите, различни от описаните в 3Е001, за „разработване“ или „производство“ на „микропроцесорна микросхема“, „микрокомпютърна микросхема“ или микросхема с микроуправляващо устройство, с аритметично логическо устройство с ширина на достъпа 32 bit или повече, и някоя от следните особености или характеристики:
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
„Векторен процесор“, проектиран да извършва повече от две изчисления едновременно върху вектори с плаваща запетая (едномерни 32-битови или по-големи матрици).
A ’vector processor unit’ designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
„Векторният процесор“ е процесорно устройство с вградени инструкции, който извършва едновременно множество изчисления върху вектори с плаваща запетая (едномерни 32-битови или по-големи матрици), притежаващи поне едно векторно аритметично логическо устройство.
A ’vector processor unit’ is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Проектирани да извършват повече от две 64-битови или по-големи изчислителни операции на цикъл; или
Designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Проектирани да извършват повече от четири 16-битови операции с умножение и събиране с фиксирана запетая (напр. цифрова обработка на аналогова информация, която е била превърната преди това в цифрова, известна също като цифрова „обработка на сигнала“).
Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Бележка:3E002.c. не контролира „технологии“ за мултимедийни разширения.
Note:3E002.c. does not control "technology" for multimedia extensions.
Бележка 1:3E002 не контролира „технологии“ за „разработване“ или „производство“ на микропроцесорни ядра, имащи всички изброени характеристики:
Note 1:3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
Които използват„технологии“от 0,130 µm или повече; и
Using "technology" at or above 0,130 µm; and
Които включват многослойни структури с пет или по-малко метални слоя.
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
Бележка 2:3Е002 включва „технология“ за цифрови сигнални процесори и цифрови матрични процесори.
Note 2:3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
Други технологии за „разработване“ или „производство“ на следното:
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
Вакуумни микроелектронни устройства;
Vacuum microelectronic devices;
Хетероструктурни полупроводникови устройства като транзистори с висока мобилност на електроните (ТВМЕ), хетеробиполярни транзистори (ХБТ), източници на кванти и свръхрешетки;
Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Бележка:3E003.b. не контролира технологии за транзистори с висока мобилност на електроните (НЕМТ/ТВМЕ), работещи при честоти, по-ниски от 31,8 GHz, и хетеросвързани биполярни транзистори (НВТ/ХБТ), работещи при честоти, по-ниски от 31,8 GHz.
Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
„Свръхпроводящи“ електронни устройства;
"Superconductive" electronic devices;
Основи от филми от диамант за електронни компоненти;
Substrates of films of diamond for electronic components.
Основи от силиций върху изолатор (СВИ/SOI) за интегрални схеми, при които изолаторът е силициев диоксид;
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Основи от силициев карбид за електронни компоненти;
Substrates of silicon carbide for electronic components;
Eлектронни вакуумни тръби, функциониращи на честоти от 31,8 GHz или повече.
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
„Технологии“, съгласно Общата бележка за технологиите, за „разработка“ на оборудването или „софтуера“, посочени в 3A001.a.1. или 2., 3A101, 3A102 или 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
„Технологии“, съгласно Общата бележка по технологиите, за „разработване“ на „софтуер“, описани в 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
„Технологии“, съгласно Общата бележа по технологиите, за „употреба“ на оборудването, описано в 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, от 3A225 до 3A233.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A233.
КАТЕГОРИЯ 4
CATEGORY 4
КОМПЮТРИ
COMPUTERS
Бележка 1:Компютрите, свързаното с тях оборудване и „софтуер“, изпълняващи телекомуникационни функции или такива на „локална мрежа“, трябва да бъдат разгледани също с оглед на характеристиките на работа от категория 5, част 1 (Телекомуникации).
Note 1:Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Бележка 2:Управляващите устройства, които пряко взаимодействат с шините или каналите на централните процесори, „основните памети“ или дисковите контролери, не се разглеждат като телекомуникационно оборудване, описано в категория 5, част 1 (Телекомуникации).
Note 2:Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
N.B.:Доколко подлежи на контрол „софтуерът“, специално проектиран за комутация на пакети, вж. 5D001.
N.B.:For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Бележка 3:Компютрите, свързаното с тях оборудване и „софтуер“, изпълняващи функции по криптиране, криптоанализ, сертифициране на защитата на много нива или сертифициране на потребителските права, или ограничаващи електромагнитната съвместимост (ЕМС), трябва също така да бъдат разгледани с оглед на характеристиките на работа от категория 5, част 2 („Информационна сигурност“).
Note 3:Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Електронни компютри и свързаното с тях оборудване, както следва, и „електронни модули“ и специално проектирани компоненти за тях:
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
N.B.:ВЖ. СЪЩО 4A101.
N.B.:SEE ALSO 4A101.
Специално проектирани, за да имат която и да е от изброените по-долу характеристики:
Specially designed to have any of the following:
Класифицирани за работа при температура на околната среда под 228 К (–45 °С) или над 358 К (85°С); или
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (–45 °C) or above 358 K (85 °C); or
Бележка:4A001.a.1. не контролира компютри, специално проектирани за граждански автомобили и приложения при железопътни влакове.
Note:4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
Радиационна устойчивост, надвишаваща някои от следните параметри:
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
Обща доза 5 × 103 Gy (силиций);
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
Колебание в мощността на дозата 5 × 106 Gy (силиций)/s; или
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
Колебание при единично събитие 1 × 10–7 грешка/бит/ден;
Single Event Upset 1 × 10-7 Error/bit/day;