natgillin/translations-raw huggingface dataset:
CoCrAlY покрития, съдържащи от 21 до 23 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,9 до 1,1 тегловни процента итрий;
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
Терминът „алуминиеви сплави“ се отнася до сплави, имащи максимална якост на опън от 190 MPa или повече, измерени при 293 К (20oС).
The term ’aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Терминът „стомана, устойчива на корозия“, се отнася до серията 300 на AISI (Американски институт по желязото и стоманата) или стомани отговарящи на еквивалентни национални стандарти.
The term ’corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
„Огнеупорни метали и сплави“ включва следните метали и техните сплави: ниобий (колумбий), молибден, волфрам и тантал.
’Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
„Материали за сензорни отвори“, както следва: двуалуминиев триоксид, силиций, германий, цинков сулфид, цинков селенид, галиев арсенид, диаманти, галиев фосфид, сапфир и техните метални халогениди: материали за сензорни отвори с диаметър повече от 40 mm за циркониев флуорид и хафниев флуорид.
’Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
„Технологиите“ за едноетапно твърдо циментиране на твърди профили за обтичане на криле не се контролират от категория 2.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
„Полимери“, както следва: полиимид, полиестер, полисулфид, поликарбонати и полиуретани.
’Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
„Модифициран цирконий“ се отнася до добавки на оксиди на други метали (т.е. калций, магнезий, итрий, хафний, оксиди на лантаниди) към циркония, за да се стабилизират определени кристалографски фази и фазови състави.
’Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Топлинните предпазни покрития, направени от цирконий, изменен с калций и магнезий чрез смесване или сплавяване, не са обект на контрол.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
„Титанови сплави“ се отнася да авиокосмически сплави, имащи максимална якост на опън от 900 MPa или повече, измерени при 293 К (20oС).
’Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
„Стъкла с нисък коефициент на разширение“ се отнася до стъкла, които имат коефициент на топлинно разширение от 1 × 10–7 K-1или по-малко, измерено при 293 К (20oС).
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
„Диелектрични слоеве“ са покрития, състоящи се от многослойни изолиращи материали, при които свойствата за смущения на конструкцията, съставена от материали с различни индекси на рефракция, се използват за отразяване, предаване или поглъщане на различни обхвати на дължините на вълните.
’Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Диелектрични слоеве се отнася до повече от четири диелектрични пласта или „композитни“ пластове диелектрик/метал.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
„Циментиран волфрамов карбид“ не включва материали за режещи и формоващи инструменти, състоящи се от волфрамов карбид/(кобалт, никел), титанов карбид/(кобалт, никел), хромов карбид/никел-хром и хромов карбид/никел.
’Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
„Технологии“, специално проектирани за нанасяне на диамантоподобен въглерод върху което и да е от изброените по-долу, не е обект на контрол:
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
магнитни дискови устройства и глави, оборудване за производство на материали за еднократна употреба, вентили за водопроводни кранове, акустични диафрагми за високоговорители, части за двигатели на автомобили, режещи инструменти, комбинирани щанци, оборудване за автоматизация на офиси, микрофони или медицински устройства или матрици за отливане или оформяне на пластмаси, произведени от сплави със съдържание на берилий, по-малко от 5 %.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
„Силициев карбид“ не включва материалите за режещи и формоващи инструменти.
’Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
Керамични основи, така както се използват тук, не включват керамични материали, съдържащи 5 % в тегловно отношение или повече, глина или цимент, или като отделни съставки, или в съчетание.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Таблица — Методи за нанасяне на покрития — Техническа бележка
Table — Deposition techniques — Technical note
Процесите, описани в колона 1 от таблицата, се дефинират, както следва:
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (НПХСП/CVD) е метод на нанасяне на многослойни покрития или на повърхностно модифициращи покрития, при което метал, сплав, „композитен материал“, диелектрик или керамика се нанася върху нагрята основа.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Газообразните реагенти се разлагат или свързват в средата на дадена подложка, което води до нанасяне на покритие от необходимия елементарен, сплавен или композитен материал върху подложката.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Енергията за такова разлагане или процеса на химическа реакция е за сметка на загряване на подложката, отделяна от плазма с тлеещ разряд или от „лазерно“ облъчване.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
N.B.1:НПХСП включва следните процеси: отлагане без циментация с насочен газов поток, импулсно CVD(НПХСП), топлинно отлагане чрез контролирано ядрено нанасяне CNTD(ТУКК), засилени или подпомогнати от плазма процеси на CVD(НПХСП).
includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
N.B.2:Циментация означава основа, потопена в прахообразна смес.
denotes a substrate immersed in a powder mixture.
N.B.3:Газообразните реагенти, използвани в процеса без циментация, се образуват с използване на същите основни реакции и параметри, както и процеса с циментиращо вещество, освен че основата, която следва да бъде покрита, не влиза в контакт с прахообразната смес.
gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Термично нанасяне на покрития чрез физическо отлагане на пари (ФУП-ТИ) е систематизиран процес на нанасяне на покритие, който се провежда във вакуум с налягане по-малко от 0,1 Pa, при което за изпаряване на материала, от който ще се прави покритието, се използва източник на топлинна енергия.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Този процес води до кондензация или отлагане на изпарените вещества върху съответно разположени подложки.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Добавянето на газове към вакуумната камера по време на процеса на нанасяне на покритие с цел синтезиране на съставни покрития е обикновено видоизменение на процеса.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Използването на йонни или електронни лъчи или плазма за предизвикване или подпомагане на отлагането на покритието, е също така обикновено видоизменение на тази техника.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Използването на монитори за измерване и контрол на оптичните свойства и на дебелината на образуваните покрития по време на самия процес може да се използва в тези процеси.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Специфичните процеси TE-PVD(ФУП-ТИ) са, както следва:
Specific TE-PVD processes are as follows:
ФУП по електроннолъчев метод използва електронен лъч за нагряване и изпаряване на материала, който образува покритието;
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
ФУП по метода на йонно съпротивително загряване използва източници на омическо нагряване в съчетание с бомбардиращ(и) йонен(ни) поток(ци) за получаване на контролиран и еднообразен поток от изпареното вещество за покритие;
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
„Лазерното“ изпаряване използва лъчи или от импулсен „лазер“, или от такъв с непрекъсната вълна за изпаряване на материала, който образува покритието;
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Отлагането с използване на катодна дъга използва катод за еднократна употреба от материала, от който се образува покритието, и се извършва разреждане на дъгата върху повърхността чрез моментен допир до заземен тригер.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Управляваното движение на дъговите разряди ерозира катодната повърхност, водейки до образуване на силно йонизирана плазма.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Анодът може да представлява или конус, прикрепен към периферията на катода посредством изолатор, или камерата.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
За отлагане извън линията на наблюдение се прилага накланяне на субстрата.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
N.B.:Това определение на включва хаотично отлагане с използване на катодна дъга и ненаклонени основи.
definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Йонното напластяване е специална модификация на общия процес ФУП-ТИ/TE-PVD, при който източник на плазма или на йони се използва за йонизиране на материала, който трябва да бъде утаен, и при основата се използва отрицателен наклон за улесняване отделянето на веществото от плазмата.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Въвеждането на веществото реагент, изпаряването на твърди вещества в камерата и използването на монитори, осигуряващи измерване на оптичните характеристики и дебелината на покритията в хода на процесите, са обикновени модификации на тези процеси.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Твърдата циментация е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което основата се потопява в прахообразна смес (циментиращо вещество), състоящо се от:
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Металите на прах, които трябва да се утаят (обикновено алуминий, хром, силиций или съчетания от тях);
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Възбудител (обикновено халогенид); и
An activator (normally a halide salt); and
Инертен прах, най-често двуалуминиев триоксид.
An inert powder, most frequently alumina.
Субстратът и прахообразната смес се поставя в реторта, която се нагрява до температури между 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) за достатъчно дълго време, за да се утаи покритието.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Разпръскването на плазма е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което горелка (разпръскващ пистолет), която генерира и управлява плазма, приема прахообразни или във форма на тел материали за покритие, стопява и ги придвижва към основа, върху която се формира интегрално свързано покритие.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Разпръскването на плазмата е или в условия на ниско налягане, или на висока скорост.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
N.B.1:Ниско налягане означава по-ниско от околното атмосферно налягане
pressure means less than ambient atmospheric pressure.
N.B.2:Висока скорост се отнася до скорост при излизане от дюзата, надхвърляща 750 m/s, изчислена при 293°К (20°С) при налягане от 0,1 MPа.
velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Отлагане на разтвор на огнеупорна глина е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при който метален или керамичен прах с органично свързващо вещество се суспендира в течност и се полага върху основата чрез пръскане, потапяне или намазване, последващо сушене на въздух или в пещ и топлинна обработка до получаване на необходимото покритие.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Отлагане на разпрашени вещества е процес на напластяване, основаващ се на явление за предаване на инерция, при който положителните йони се ускоряват от електрическо поле към повърхността на мишена (материала за покритие).
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Кинетичната енергия на попадащите йони е достатъчна, за да доведе до избиване на атомите от повърхността и отлагането им върху подходящо разположен субстрат.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
N.B.1:Таблицата се отнася само до триодно, магнетронно или индуктивно отлагане на разпрашени вещества, което се прилага за подобряване прилепването на покритието и темпото на отлагане, както и към отлагане на разпрашени вещества, подсилено с радиочестоти (RF/РВ), използвано за постигане на изпаряване на неметални материали за покрития.
Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
N.B.2:Йонни потоци с ниска енергия (по-малко от 5 keV) могат да се използват за задействане на отлагането.
N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Имплантация на йони е процес на нанасяне на покритие за промяна на повърхността, при който елементът, който трябва да бъде сплавен, се йонизира и ускорява чрез градиент на потенциал и се имплантира в повърхностната част на основата.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Това включва процес, при който имплантацията на йони се извършва едновременно с физическо отлагане на пари с използване на електронен лъч или чрез отлагане на разпрашени вещества.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
КАТЕГОРИЯ 3
CATEGORY 3
ЕЛЕКТРОНИКА
ELECTRONICS
Бележка 1:Доколко подлежат на контрол оборудването и компонентите му, както са описани в 3A001 или 3A002, различни от описаните в 3A001.a.3. до 3A001.a.10. или 3A001.a.12., които са специално проектирани или имат същите функционални характеристики като другото оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
Note 1:The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Бележка 2:Доколко подлежат на контрол интегралните схеми, описани в 3A001.a.3. до 3A001.a.9. или 3A001.a.12., които са неизменяемо програмирани или проектирани за конкретна функция за друго оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
Note 2:The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
N.B.:Когато производителят или подаващият заявление не могат да определят доколко подлежи на контрол другото оборудване, въпросът за контрола на интегралните схеми се решава съгласно 3A001.a.3. до 3A001.a.9. и 3A001.a.12
N.B.:When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Електронни компоненти и специално проектирани компоненти за тях, както следва:
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
Универсални интегрални схеми, както следва:
General purpose integrated circuits, as follows:
Бележка 1:Доколко подлежат на контрол полупроводниковите пластинки (завършени или незавършени), при които функцията е била определена, трябва да се прецени съобразно параметрите от 3A001.a.
Note 1:The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Бележка 2:Интегралните схеми включват следните видове:
Note 2:Integrated circuits include the following types:
„Монолитни интегрални схеми“;
"Monolithic integrated circuits";
„Хибридни интегрални схеми“;
"Hybrid integrated circuits";
„Многочипови интегрални схеми“;
"Multichip integrated circuits";
„Тънкослойни интегрални схеми“, включително интегрални схеми от силиций върху сапфир;
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„Оптични интегрални схеми“.
"Optical integrated circuits".
Интегрални схеми, проектирани или обозначени като радиационно устойчиви на някое от изброените по-долу:
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Обща доза от 5 x 103 Gy (силиций) или по-голяма;
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Колебание в мощността на дозата лъчение от 5 × 106 Gy (силиций)/s или по-голямо; или
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Поток (интегриран поток) от неутрони (равно на 1 МеV) от 5 x 1013 n/cm2 или по-високо върху силиций, или равностойни на него материали;
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Бележка:3A001.а.1.c. не се прилага към метални изолиращи полупроводници (МИП/MIS).
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
„Микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“, микроконтролерни микросхеми, интегрални схеми с памет, произведени от съставни полупроводници, аналогово-цифрови преобразуватели, цифрово-аналогови преобразуватели, електрооптични или „оптични интегрални схеми“, проектирани за „обработка на сигнали“, логичеки устройства със зони за програмиране, интегрални схеми по поръчка, при което е неизвестна или функцията им, или доколко подлежи на контрол оборудването, за което интегралните схеми ще се използват, процесори, използващи бързо преобразувание на Фурие (FFT/БПФ), електрически изтриваеми и програмируеми памети само за четене (EEPROM/ЕИПП), свръхбързи памети или статични памети с произволен достъп (SRAM/СППД), отговарящи на някои от изброените по-долу:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Предназначени за работа при околна температура над 398 К (125 °С);
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Предназначени за работа при околна температура под 218 К (–55 °С); или
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
Предназначени за работа в целия температурен диапазон на околната среда от 218 К (–55 °С) до 398 К (125 °С);
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) to 398 K (125 °C);
Бележка:3A001.a.2. не се прилага по отношение на интегрални схеми за граждански автомобили или приложения при железопътни влакове.
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.