natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Фазово изкривяване на единичната странична честота (ЕСЧ/SSB), измерено в dBc/Hz, по-малко от — (114+20log10F-20log10f) за 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
В 3A001.b.10 F е отклонението от работната честота в Hz и f е работната честота в MHz.
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
Акустични вълнови устройства, както следва, и специално проектирани компоненти за тях:
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Устройства за повърхностни акустични вълни и за плъзгащи се по повърхността (в плитка дълбочина) акустични вълни, имащи някоя от изброените по-долу характеристики:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Носеща честота над 6 GHz;
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Носеща честота над 1 GHz, но под 6 GHz, и имащи която и да е от изброените по-долу характеристики:
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
„Потискане на честотата от страничния лист на диаграмата на излъчване“ над 65 dB;
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
Произведение на максималното закъснение и широчината на честотната лента (времето в μs, а широчината на честотната лента в MHz), по-голямо от 100;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in µs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Широчина на честотната лента, по-голяма от 250 MHz; или
A bandwidth greater than 250 MHz; or
Дисперсно забавяне над 10 μs; или
A dispersive delay of more than 10 µs; or
Носеща честота от 1 GHz или по-малка и имащи която и да е от изброените по-долу характеристики:
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
„Потискане на честота от страничния лист на диаграмата на излъчване“, надхвърляща 65 dB и ширина на честотната лента над 100 MHz;
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
Техническа бележка:„Потискане на честота от страничния лист на диаграмата на излъчване“ е максималната стойност на потискане, посочена в информационния лист.
Technical Note:’Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Дълбочинни (по отношение обема) устройства за акустични вълни, които позволяват непосредствена обработка на сигнали при честоти над 6 GHz;
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Устройства за акустично-оптична „обработка на сигнали“, използващи взаимодействието между акустичните вълни (в дълбочина или на повърхността) и светлинни вълни, които позволяват директна обработка на сигнали или изображения, включително спектрален анализ, корелация или свиване;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Бележка:3A001.c. не контролира устройства за акустични вълни, които се ограничават до единична честотна лента, високочестотно, нискочестотно или многочестотно (notch) филтриране или резонираща функция.
Note:3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Електронни устройства и схеми, съдържащи компоненти, произведени от „свръхпроводящи“ материали, специално проектирани за работа при температури под „критичната температура“ за поне една от „свръхпроводящите“ съставки и имащи някои от изброените по-долу характеристики:
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Превключване на тока за цифрови схеми, използвайки „свръхпроводящи“ превключващи елементи, с произведение на закъснението за превключващ елемент (в s) и разсейването на мощност за превключващ елемент (във W), по-малко от 10–14 J; или
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
Избор на честота при всякакви честоти, използващи резонансни кръгове с Q стойности над 10000;
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Високоенергийни устройства, както следва:
High energy devices as follows:
„Елементи“, както следва:
’Cells’ as follows:
„Първични елементи“ с „енергийна плътност“ над 550 Wh/kg при 20 °C;
’Primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 oC;
„Вторични елементи“ с „енергийна плътност“ над 250 Wh/kg.
’Secondary cells’ having an ’energy density’ exceeding 250 Wh/kg
За целите на 3A001.d.1., „енергийна плътност“ (Wh/kg) се изчислява чрез номиналното напрежение, умножено по номиналния капацитет в амперчаса (Ah), разделено на масата в килограми.
For the purpose of 3A001.e.1.,’energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Ако номиналният капацитет не е указан, енергийната плътност се изчислява чрез номиналното напрежение на квадрат, умножено по продължителността на разреждане в часове, разделено на натоварването (товара) при разреждане в омове и масата в килограми.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
За целите на 3A001.f.1., „елемент“ се определя като електрохимично устройство с положителни и отрицателни електроди и електролит, което е източник на електроенергия.
For the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Това е основният градивен елемент на акумулатора.
It is the basic building block of a battery.
За целите на 3A001.e.1.a., „първичен елемент“ е „елемент“, който не е разработен да се разрежда от друг източник.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
За целите на 3A001.e.1.b., „вторичен елемент“ е „елемент“, който е разработенда се разрежда от външен източник на електроенергия.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Бележка:3A001.e.1. не контролира батерии, в това число батерии от една клетка.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Високоенергийни кондензатори, както следва:
High energy storage capacitors as follows:
N.B.:ВЖ. СЪЩО 3A201.a.
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
Кондензатори с честота на презаряд, по-малка от 10 Hz (едноразрядни кондензатори), имащи всички изброени по-долу характеристики:
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Номинално напрежение, равно на или по-голямо от 5 kV;
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Енергийна плътност, равна на или по-голяма от 250 J/kg; и
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Обща енергия, равна на или по-голяма от 25 kJ;
A total energy equal to or more than 25 kJ;
Кондензатори с честота на презаряд 10 Hz или по-голяма (кондензатори, класифицирани като многоразрядни) и имащи всички изброени по-долу характеристики:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Енергийна плътност, равна на или по-голяма от 50 J/kg;
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
Обща енергия, равна на или по-голяма от 100 J; и
A total energy equal to or more than 100 J; and
Живот, измерен в цикли зареждане/разреждане, равен на или по-голям от 10000;
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
„Свръхпроводящи“ електромагнити и соленоиди, специално проектирани да се зареждат и разреждат изцяло за по-малко от 1 секунда и имащи всички изброени по-долу характеристики:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
N.B.:ВЖ. СЪЩО 3A201.b.
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
Бележка:3A001.е.3. не контролира „свръхпроводящи“ електромагнити и соленоиди, специално проектирани за медицинско оборудване за изображения с магнитен резонанс (ИМР/MRI).
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Енергия, освободена при разреждане, надминаваща 10 kJ през първата секунда;
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Вътрешен диаметър на токопроводящите намотки, по-голям от 250 mm; и
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Номинална магнитна индукция повече от 8 Т или „общата плътност на потока“ в намотката е по-голяма от 300 A/mm2;
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Соларни клетки, модули от CIC (cell-interconnect-coverglass), соларни панели и соларни матрици, които са „класифицирани като предназначени за използване в Космоса“, с минимална средна ефективност над 20 % при експлоатационна температура от 301 К (28 °C) при симулирано осветяване „AM0“ с излъчване от 1376 вата на квадратен метър (W/m2);
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/m2);
„AM0“ или „Air Mass Zero“ (маса на въздуха нула) се отнася до спектралното излъчване на слънчевата светлина във външната част на земната атмосфера, когато разстоянието между Земята и Слънцето е една астрономическа единица (AU).
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Кодиращи устройства за абсолютна ъглова позиция с ротативно въвеждане, имащи точност равна на или по-малка (по-добра) от ±1,0 дъгови секунди.
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ±1,0 second of arc;
Полупроводникови тиристорни устройства за превключване на импулсни мощности и „тиристорни модули“, използващи управление, основано на електрически, оптичен метод или метод с излъчване, и имащи някоя от следните характеристики:
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Максимална скорост на нарастване на тока (di/dt) в отпушено състояние, по-голяма от 30000 A/s, и напрежение в изключено състояние, по-голямо от 1100 V; или
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
Максимална скорост на нарастване на тока (di/dt) в отпушено състояние, по-голяма от 2000 A/s и имащи следните характеристики;
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Върхово напрежение в изключено състояние, по-голямо или равно на 3000 V; и
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Върхов ток, равен на или по-голям от 3000 А.
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Бележка 1:3A001.g. включва:
Note 1:3A001.g. includes:
Силициево управлявани токоизправители (SCRs)
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Електрически управлявани тиристори (ETTs)
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Тиристори управлявани със светлина (LTTs)
Light Triggering Thyristors (LTTs)
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Двуоперационни тиристори — Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
Солидтрони
Solidtrons
Бележка 2:3A001.g. не контролира тиристорни устройства и „тиристорни модули“, съдържащи се в оборудване, предназначено за приложения в гражданския железопътен транспорт или „граждански летателни апарати“.
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
За целите на 3A001.g. „тиристорен модул“ включва едно или повече тиристорни устройства.
For the purposes of 3A001.g., a ’thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
Твърдoтели полупроводникови прекъсвачи, диоди или „модули“, имащи всички изброени характеристики:
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ’modules’, having all of the following:
Предназначени за работа при околна температура по-голяма от 488 К (215 °С);
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
Върхово напрежение в изключено състояние, по-голямо от 300 V; и
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Непрекъснат ток, по-голям от 1 А.
Continuous current greater than 1 A.
Бележка 1:Непрекъснато върхово напрежение в изключено състояние в 3А001.h включва напрежение дрейн към сорс, напрежение колектор към емитер, повтарящо се върхово обратно напрежение и повтарящо се върхово напрежение в изключено състояние.
Note 1:Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Бележка 2:3А001.h. включва:
Note 2:3A001.h. includes:
Полеви транзистори с pn преход (JFET)
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
Вертикални полеви транзистори с pn преход (VJFET)
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
Метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (MOSFET)
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
Двойно дифузни метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (DMOSFET)
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
Биполярен транзистор с изолиран гейт (IGBT)
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Транзистори с висока мобилност на електроните (HEMT)
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Хетеродвуполюсни транзистори (BJT)
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
Тиристори и силициево управлявани токоизправители (SCR)
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Двуоперационни тиристори — Gate Turn-off Thyristors (GTO)
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
Двуоперационни тиристори — Emitter Turn-off Thyristors (ETO)
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
PiN диоди
PiN Diodes
Диоди на Шотки
Schottky Diodes
Бележка 3:3А001.h. не контролира прекъсвачи, диоди или „модули“, съдържащи се в оборудване, предназначено за приложения в гражданския автомобилен и железопътен транспорт или „граждански летателни апарати“.
Note 3:3A001.h. does not control switches, diodes, or ’modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
За целите на 3А001.h. „модули“ съдържат един или повече твърдотели полупроводникови прекъсвачи или диоди.
For the purposes of 3A001.h., ’modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Електронно оборудване с общо предназначение и аксесоари за него, както следва:
General purpose electronic equipment and accessories therefor, as follows:
Записващо оборудване, както следва и специално проектирана тестова магнитна лента за него:
Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
Аналогови инструментални записващи устройства с магнитна лента, включително тези способни да записват цифрови сигнали (напр. с използване на модули за цифров запис с висока плътност (ЦЗВП/HDDR), имащи някои от изброените по-долу характеристики:
Analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
Широчина на честотната лента над 4 MHz на електронен канал или писта;
A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
Широчина на честотната лента над 2 MHz на електронен канал или писта и наличие на над 42 писти; или
A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
Грешка на отместване във времето (основата), измерена в съответствие с приложимите документи на МГИС/IRIG или АЕП/EIA, по-малка от ±0,1 μs.
A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 µs;
Бележка:Аналоговите записващи устройства с магнитна лента, които са специално проектирани за граждански видеозаписи, не се третират като инструментални записващи устройства.
Note:Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Цифрови записващи видеоустройства с магнитна лента, имащи максимална скорост на предаване на цифровия интерфейс 360 Мbit/s;
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
Бележка:3A002.a.2. не контролира цифровите видеокасетофони, специално проектирани за телевизионни записи с използване на формат на сигнала, който може да включва компресиран формат на сигнала, стандартизиран или препоръчан от МС/ITU, МЕ/IEC, ДИФИТ/SMPTE, ЕСР/EBU, ЕИТС/ETSI или ИИЕЕ/IEEE за гражданско приложение в телевизията.
Note:3A002.a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
Цифрови записващи устройства за данни с магнитна лента, използващи методи на спирално сканиране или методи с фиксирана глава, имащи някои от изброените по-долу характеристики:
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
Максимална скорост на предаване на цифровия интерфейс над 175 Мbit/s; или
A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
Бележка:3A002.a.3. не контролира аналоговите магнитни записващи устройства, снабдени с преобразуваща електроника за ЦЗВП/HDDR и конфигурирани да записват само цифрови данни.
Note:3A002.a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
Оборудване с максимална скорост на предаване на цифровия интерфейс над 175 Мbit/s и проектирано да преобразува цифрови видеозаписващи устройства с магнитна лента в цифрови инструментални устройства за запис на данни;
Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Вълнови дигитайзери и записващи устройства за преходни процеси, имащи всички изброени по-долу характеристики:
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
Скорост на цифровизация, равна на или повече от 200 милиона шаблона за секунда и разделителна способност 10 bit или по-голяма; и
Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
„Постоянна пропускателна способност“ 2 Gbit/s или по-голяма;
A ’continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
За инструментите с паралелна шинна архитектура постоянна пропускателна способност представлява най-високата скорост на думите, умножена по броя битове в една дума.
For those instruments with a parallel bus architecture, the ’continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
„Постоянната пропускателна способност“ е най-голямата скорост на данните, която инструментът може да подаде към запаметяващото устройство без загуба на информация, като при това се поддържа скоростта на шаблоните и аналогово-цифровото преобразуване.
’Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Цифрови записващи устройства, използващи техника за записване на магнитен диск, имащи всички изброени характеристики:
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having all of the following:
Скорост на цифровизация, равна на или повече от 100 милиона шаблона за секунда и разделителна способност 8 bit или по-голяма; и
Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
„Постоянна пропускателна способност“ 1 Gbit/s или по-голяма;
A ’continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
„Електронни комплекти“ с „честотен синтезатор“, имащи „време за превключване на честотата“ от една избрана честота на друга по-малко от 1 ms.
"Frequency synthesiser""electronic assemblies" having a "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms;
Бележка:Доколко подлежат на контрол „сигнални анализатори“, генератори на сигнали, мрежови анализатори и микровълнови изпитателни приемници като единични прибори, се определя от 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. и 3A002.f. съответно.
Note:The control status of "signal analysers", signal generators, network analysers, and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Радиочестотни „сигнални анализатори“, както следва:
Radio-frequency "signal analysers" as follows:
„Сигнални анализатори“, способни да анализират честоти над 31,8 GHz, но до 37,5 GHz, и имащи 3 dB разрешаваща способност на честотната лента (RBW), която надвишава 10 MHz;
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
„Сигнални анализатори“ способни да анализират честоти над 43,5 GHz;
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
„Динамични сигнални анализатори“ с „широчинана на честотната лента в реално време“ над 500 KHz;
"Dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
Бележка:3A002.c.3. не контролира „динамични сигнални анализатори“, използващи само филтри за широчината на лентата с постоянен процент (също известни като октавни или частични октавни филтри).
Note:3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Генератори на честотно синтезирани сигнали, произвеждащи изходящи честоти, чиято точност и краткосрочна и дългосрочна стабилност е контролирана, получена или систематизирана от основната вътрешна честота, имащи някои от изброените по-долу характеристики:
Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Максимална синтезирана честота над 31,8 GHz и до 43,5 GHz и „продължителност на генерирания импулс“, по-малка от 100 ns;
A maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
Максимална синтезирана честота, превишаваща 43,5 GHz;
A maximum synthesised frequency exceeding 43,5 GHz;
„Време за превключване на честотата“ от една избрана честота на друга, определено от някоя от следните характеристики:
A "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
По-малко от 312 ps;
Less than 312 ps;