mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
De elektrostatische lens 47 wordt door een onderste einde 55 van de straalbuis 29, het binnenste onderste einde van de buitenste poolschoen 53 en een zich conisch naar positie 11 op het monster toe versmallende ringelektrode 59 gevormd.
The electrostatic lens 47is formed by a lower end 55of the beam tube 29, the internal lower end of the external pole piece 53, and a toroidal electrode 59which tapers conically towards the position 11on the sample.
De objectieflens 43, die in figuur 1 schematisch is weergegeven, kan een opbouw hebben, zoals deze in US 6,855,938 gedetailleerder is weergegeven.
The objective lens 43, which is schematically illustrated in FIG. 1, can have a construction as is illustrated in more detail in U.S. Pat. No. 6,855,938.
Het ionenstraalsysteem 7 omvat een ionenbron 63 met onttrekkingselektrode 65, een collimator 67, een diafragma 69, afbuigelektroden 71 en focusseerlenzen 73 voor de productie van de uit een behuizing 75 van het ionenstraalsysteem 7 naar buiten tredende ionenstraal 17.
The ion beam system 7includes an ion source 63having an extraction electrode 65, a collimator 67, a stop 69, deflection electrodes 71and focusing lenses 73for producing the ion beam 17which exits a housing 75of the ion beam system 7.
De lengteas 9' van de houder 16 staat onder een hoek ten opzichte van de verticaal 5', die in dit voorbeeld met de hoek ca tussen de richtingen 5 en 9 van de deelt j esstralen overeenkomt.
The longitudinal axis 9′ of the holder 16is inclined with respect to the vertical 5′ by an angle which in this example corresponds to the angle α between the directions 5and 9of the particle beams.
De richtingen 5'en 9' behoeven echter niet met de richtingen 5 en 9 van de deelt j esstralen samen te vallen en ook de door hen ingesloten hoek behoeft niet met de hoek a tussen de deelt j esstralen overeen te stemmen.
However, the directions 5′ and 9′ do not need to coincide with the directions 5and 9of the particle beams, and the angle they enclose does not have to match the angle α between the particle beams.
Het deeltjesstraalsysteem 1 omvat voorts een besturing 77, die de werking van het deeltjesstraalsysteem 1 bestuurt.
The particle beam system 1furthermore includes a controller 77, which controls the operation of the particle beam system 1.
In het bijzonder controleert de besturing 77 het aan- en uitschakelen van de elektronenstraal 19 en deionenstraal 17 en straalafbuigers 71 van de ionenstraalkolom 7 en straalafbuigers (in figuur 1 niet getoond) van de elektronenstraalkolom 3, om de deeltjesstralen ten opzichte van de hoofdassen 9, 5 van de ionenstraalkolom 7 resp. van de elektronenstraalkolom 3 af te buigen, om de stralen op selecteerbare plaatsen binnen het gemeenschappelijke werkgebied op het object 13 te richten.
The controller 77in particular controls switching the electron beam 19and the ion beam 17and beam deflectors 71of the ion beam column 7and beam deflectors (not illustrated in FIG. 1) of the electron beam column 3on and off in order to deflect the particle beams relative to the main axes 9, 5of the ion beam column 7or the electron beam column 3in order to direct the beams onto selectable sites within the shared working region on the object 13.
De besturing is programmeerbaar en kan een hierna aan de hand van de figuur 2 toegelichte werkwijze voor het structureren van het object 13 uitvoeren.
The controller is programmable and can perform a method for structuring the object 13, as explained below with reference to FIG. 2.
Het object 13 is bijvoorbeeld een halfgeleidersubstraat, waarin tijdens de vervaardiging door middel van lithografische stappen structuren werden ingebracht, welke componenten van elektronische schakelingen vormen.
The object 13is, for example, a semiconductor substrate, in which structures are provided during the production by way of lithographic steps, which structures form components of electronic circuits.
Er wordt aangenomen, dat deze structuren met behulp van een transmissieelektronenmicroscoop dienen te worden onderzocht.
It is assumed that these structures are to be examined using a transmission electron microscope.
Hiervoor is het noodzakelijk om op een gewenste plaats van het substraat een materiaalmonster te nemen, dat voor onderzoek met een transmissie-elektronenmicroscoopgeschikt is.
For this purpose it is desirable to take a material sample at a desired location of the substrate, which material sample is suitable for examination using a transmission electron microscope.
Een dergelijk monster, dat ook als TEM-lamelwordt aangeduid, wordt vervaardigd, doordat een dunne, vierkantvormige plaat met een dikte van bijvoorbeeld 100 nm of minder uit het volume van het substraat wordt gesneden en vervolgens door het wegnemen van materiaal aan de vlakke zijden van de plaat, bijvoorbeeld met een verdere deeltjesstraal, nog dunner wordt uitgevoerd.
Such a sample, which is also referred to as a TEM lamella, is prepared by way of cutting a thin, cuboid plate having a thickness of for example 100 nm or less out of the volume of the substrate and subsequently making it even thinner by removing material at the flat sides of the plate, for example using a further particle beam.
De hiervoor noodzakelijke bewerkingsstappen, die in hoofdzaak het verwijderen van materiaal van het substraat 13 omvatten, worden door middel van ionenstraaletsen uitgevoerd, doordat de door de ionenstraalkolom 7 geproduceerde ionenstraal 17 zodanig op selecteerbare plaatsen van het substraat 13 wordt gericht, dat de dunne plaat 81 uit het substraat 13 wordt gesneden.
The working steps for this purpose, which substantially include removing material of the substrate 13, are performed by way of ion beam etching, in which the ion beam 17which is produced by the ion beam column 7is directed at selectable sites of the substrate 13such that the thin plate 81is cut free from the substrate 13.
Een micromanipulator kan vervolgens worden gebruikt om de dunne plaat 81 van het substraat te verwijderen, verdere bewerkings-stappen uit te voeren en uiteindelijk op eenmonsterhouder van de transmissie-elektronenmicroscoop aante brengen.
A micromanipulator can then be used to remove the thin plate 81from the substrate, to supply it to further working steps, and finally to attach it to a sample holder of the transmission electron microscope.
Figuur 2 toont een tussenstadium tijdens het uitsnijden van de dunne plaat 81 uit het substraat 13 met de ionenstraal 17.
FIG. 2shows an intermediate stage during the cutting of the thin plate 81out of the substrate 13using the ion beam 17.
De dunne plaat 81 is in dit tussenstadium gedeeltelijk los gesneden, doordat uitgaande van een oppervlak 83 van het substraat 13 aan beide zijden van de dunne plaat 81 sleuven 85 worden geproduceerd door middel van het verwijderen van materiaal van het substraat 13 met behulp van de ionenstraal 17.
The thin plate 81is, in this intermediate stage, partially cut free, starting from a surface 83of the substrate 13on both sides of the thin plate 81, by producing trenches 85by removing material of the substrate 13using the ion beam 17.
In het in figuur 2 getoonde tussenstadium is de dunne plaat 81 aan zijn einden en op de bodem van de sleuven 85 nog met de rest van het substraat 13 verbonden.
In the intermediate stage shown in FIG. 2, the thin plate 81is still connected by its ends and the bottom of the trenches 85to the rest of the substrate 13.
Deze materiaalverbindingen kunnen later met de ionenstraal worden doorbroken, zodat de dunne plaat 81 volledig los is gesneden en met de micromanipulator kan worden vastgegrepen en van het substraat 13 kan worden verwijderd.
These material connections can be later severed using the ion beam, with the result that the thin plate 81is cut completely free and can be grasped by the micromanipulator and be removed from the substrate 13.
In het in figuur 2 getoonde tussenstadium vormen de sleuven 85 en de tussen deze sleuven staande en met zijn fronteinden en aan de bodem van de sleuven met het substraat 13 verbonden dunne plaat 81 een gewenste doelstructuur in de werkwijze voor het structureren van het object 13.
In the intermediate stage shown in FIG. 2, the trenches 85and the thin plate 81, which is located between them and is connected by its front ends and the bottom of the trenches to the substrate 13, form a desired target structure in the method for structuring the object 13.
Deze doelstructuur heeft een driedimensionale uitbreiding, doordat de uitbreiding van de dunne plaat 81 in een x-richtingbijvoorbeeld 10 pm bedraagt, de diepte van de graven 85 in een z-richting bijvoorbeeld 5 pm bedraagt en de sleuven 85aan het oppervlak 83 van het substraat 13 in een yrichting elk een breedte van bijvoorbeeld 8 pm hebben.
This target structure has a three-dimensional extent, in that the extent of the thin plate 81in an x-direction is for example 10 μm, the depth of the trenches 85in a z-direction is for example 5 μm, and each of the trenches 85at the surface 83of the substrate 13in a y-direction has a width of for example 8 μm.
De driedimensionale structuur van de doelstructuur blijkt ook, doordat normaalvectoren 87 op oppervlakken van de doelstructuur, zoals bijvoorbeeld op de wanden van de sleuven 85 en de oppervlakken van de dunne plaat 81 ten opzichte van elkaar hoeken van meer dan 5°, in het bijzonder van meer dan 10° en in het bijzonder van meer dan 15° insluiten.
The three-dimensional structure of the target structure can also be seen by the fact that normal vectors 87at surfaces of the target structure, such as at the walls of the trenches 85and the surfaces of the thin plate 81relative to one another, enclose angles of more than 5°, in particular more than 10°, and in particular more than 15°.
Het vervaardigen van de in figuur 2 getoonde doelstructuur door het verwijderen van materiaal van het substraat 13 door middel van de ionenstraal neemt een aanzienlijke tijdsduur in beslag, zoals bijvoorbeeld 30 minuten.
The production of the desired target structure shown in FIG. 2by removing material of the substrate 13by way of the ion beam takes a significant amount of time, such as for example 30 minutes.
Aangezien de dikte van de dunne plaat 81 van bijvoorbeeld 100 nm of minder zeer gering is, dient gewaarborgd te zijn, dat de ionenstraal met een overeenkomstige nauwkeurigheid op de geplande plaatsen op het substraat kan worden gericht, om niet bijvoorbeeld abusievelijk materiaal van de dunne plaat 81 te verwijderen en deze plaat daardoor onbruikbaar te maken.
Since the thickness of the thin plate 81is very small, for example 100 nm or less, it must be ensured that the ion beam can be directed onto the planned sites on the substrate with a corresponding accuracy, so as not to accidentally remove material from the thin plate 81and to thereby render it unusable, for example.
Onvermijdelijk optredende verschuivingen tijdens de werking van de ionenstraalkolom 7 en de het substraat 13 ten opzichte van de ionenstraalkolom 7 vasthoudende houder maken het moeilijk om deze verlangde precisie te handhaven.
Drifts which inevitably occur during the operation of the ion beam column 7and the holder holding the substrate 13relative to the ion beam column 7make it more difficult to maintain this precision.
Bijvoorbeeld kunnen dergelijke onvermijdelijk optredende verschuivingen de trefplaats van de ionenstraal op het object in een tijdspanne van 5 minuten met 100 nm veranderen.
For example, such drifts which inevitably occur can change the site of the incidence of the ion beam on the object by 100 nm in a time period of 5 minutes.
Op grond hiervan voorziet de werkwijze voor het structureren van het substraat 13 erin, het proces van het produceren van de gewenste doelstructuur steeds weer te onderbreken en in een oppervlakgebied 89 naast de doelstructuur markeringen met de ionenstraal 17 te produceren.
For this reason, the method for structuring the substrate 13envisions that the process for producing the desired target structure is repeatedly interrupted and markings are produced using the ion beam 17in a surface region 89next to the target structure.
Deze markeringen worden vervolgens met de elektronen-straalmicroscoop 3 onderzocht, doordat deelektronenstraalmicroscoop 3 bijvoorbeeld een elektronenmicroscopisch beeld van het oppervlakgebied 89 verwerft.
These markings are then examined using the electron beam microscope 3, for example by the electron beam microscope 3obtaining an electron-microscopic image of the surface region 89.
Uit dit elektronenmicroscopische beeld kunnen posities van de markeringen ten opzichte van elkaar worden vastgesteld, en kan vervolgens op basis van de vastgestelde posities van de markeringen het verdergaande proces van het produceren van de gewenste doelstructuur worden bestuurd.
From this electron-microscopic image, positions of the markings relative to one another can be captured, and the further process of producing the desired target structure can then be controlled on the basis of the captured positions of the markings.
Voor aanvang van het proces voor het produceren van de gewenste doelstructuur kan in het oppervlakgebied 89 een dunne metallisatielaag op het oppervlak 83 van het substraat 13 worden afgescheiden.
Before the process for producing the desired target structure begins, a thin metallization layer can be deposited in the surface region 89on the surface 83of the substrate 13.
De afscheiding van het metaal voor de metallisatielaag in het oppervlakgebied 89 kan weer door de ionenstraal 17 worden geproduceerd, doordat deze systematisch op plaatsen binnen het oppervlak-gebied 89 bij gelijktijdige toevoer van eenprocesgas wordt gericht.
The disposition of the metal for the metallization layer in the surface region 89can in turn be produced by the ion beam 17by the latter being systematically directed onto sites within the surface region 89with simultaneous supply of a suitable process gas.
Het procesgas kan bijvoorbeeld CgHigPt zijn, dat door de ionenstraal wordt geactiveerd en op de momentane plaats van het treffen van het substraat 13 door de ionenstraal tot afscheiding van het metaal platina (Pt) leidt.
The process gas can be, for example, C9H16Pt, which is excited by the ion beam and at the instantaneous site of incidence of the ion beam on the substrate 13results in the deposition of the metal platinum (Pt).
De metallisatielaag kan bijvoorbeeld een dikte van 50 nm hebben.
The thickness of this metallization layer can be, for example, 50 nm.
Na het vervaardigen van de metallisatielaag in het oppervlakgebied 89 wordt in de metallisatielaag een eerste markering 91o aangebracht, die het uiterlijk van een langgerekte, zich in de x-richting uitstrekkende lijnheeft.
Once the metallization layer in the surface region 89is finished, the metallization layer is provided with a first marking 910, which has the shape of an extended line running in the x-direction.
De markering 91o wordt met behulp van de ionenstraal geproduceerd.
The marking 910is produced using the ion beam.
Daarna wordt het proces voor het produceren van de gewenste doelstructuur op het substraat 13 begonnen.
Subsequently, the process for producing the desired target structure on the substrate 13is started.
Na een tijdsduur van bijvoorbeeld 2 minuten, welke kort is in vergelijking met de totale duur van het proces voor het produceren van de gewenste doelstructuur, wordt het proces voor het produceren van de gewenste doelstructuur onderbroken, en er wordt met de ionenstraal in het oppervlakgebied 89 een markering 91i geproduceerd, die in het in figuur 2 getoonde voorbeeld een korte, zich in de x-richting uitstrekkende lijn is, die tot de markering 91oeen afstand 11 heeft.
After a time period of for example 2 minutes, which is short as compared to the total duration of the process for producing the desired target structure, the process for producing the desired target structure is interrupted, and a marking 911 is produced in the surface region 89using the ion beam, which marking in the example shown in FIG. 2is a short line extending in the x-direction, which has a distance 11from the marking 910.
Op dit moment zijn in het oppervlakgebied 89 de twee markeringen 91o en 91i aangebracht.
At this point, the two markings 910 and 911 are provided in the surface region 89.
Met de elektronenmicroscoop 3 wordt daarna een elektronenmicroscopisch beeld van het oppervlakgebied 89 verworven, en worden de posities van de beide markeringen 91o en 91i in het beeld bepaald.
Using the electron microscope 3, an electron-microscopic image of the surface region 89is subsequently obtained, and the positions of the two markings 910 and 911 in the image are determined.
In het bijzonder kan de daadwerkelijke afstand 11 in y-richtingtussen de beide markeringen 910 en 91i worden bepaald.
In particular, the actual distance 11in the y-direction between the two markings 910 and 911 can be determined.
Deze afstand wordt in het coördinatensysteem van de elektronenstraalmicroscoop 3 bepaald.
This distance is determined in the coordinate system of the electron beam microscope 3.
De markeringen 91o en 91i werden echter door afbuigen van de ionenstraal in het coördinatensysteem van de ionenstraalkolom 7 geproduceerd.
The markings 910 and 911 were produced, however, by deflecting the ion beam in the coordinate system of the ion beam column 7.
Bij voorkeur wordt het positioneren verder op basis van kenmerken van een gezond, vergelijkbaar gewricht van de patiënt zelf of van gezonde, vergelijkbare referentiegewrichten gedaan.
The positioning is further preferably done on the basis of characteristics of a healthy, comparable joint of the patient him/herself or of healthy, comparable reference joints.
In het geval van een voor heup toepasbaar implantaat kan de gegevensverzameling ook kenmerkende waarden omvatten van de heup, zoals de grootte en positie van het centrum van de dijbeenkop en dergelijke.
In the case of an implant applicable for a hip the data set can also comprise characteristic values of the hip, such as the size and position of the centre of the femoral head and the like.
Bij voorkeur wordt het bewegingsbereik gedefinieerd op basis van eigenschappen van de patiënt, bijvoorbeeld leeftijd, het bewegingsbereik van een gezond vergelijkbaar bot of gewricht zoals de andere heup van de patiënt, indien mogelijk, en specifieke deformaties van het bot waaraan het implantaat wordt toegepast.
The range of motion is preferably defined on the basis of characteristics of the patient, for instance age, the range of motion of a healthy comparable bone or joint such as the other hip of the patient, if possible, and specific deformations of the bone on which the implant is applied.
Ook kunnen gegevens van gezonde, vergelijkbare gewrichten worden gebruikt.
Data of healthy comparable joints can also be used.
Bij voorkeur omvat de werkwijze verder het ontwerpen van bevestigingsmiddelen van het implantaat om aan de één of meer botten te worden bevestigd, omvattende één of meer van schroefgaten, schroeven (met of zonder kop), zelftappende schroeven, zelf borgende schroeven, pinnen, etc. etc., afhankelijk van beschikbare ruimte, een verwachte belasting van het implantaat en/of geschiktheid van delen van de één of meer botten.
The method preferably further comprises of designing fastening means of the implant to be fastened to the one or more bones, comprising one or more of screw holes, screws (with or without head), self-tapping screws, self-locking screws, pins and so on, subject to available space, an expected loading of the implant and/or suitability of parts of the one or more bones.
Bij voorkeur omvat de stap van het simuleren van bewegingen van het model van de één of meer botten met het aangepaste modelimplantaat verder het simuleren van een belasting van het modelimplantaat.
The step of simulating movements of the model of the one or more bones with the modified model implant preferably further comprises of simulating a loading of the model implant.
Deze stap geniet onder andere het voordeel dat zowel het implantaat als de bevestigingsmiddelen passend ontworpen kunnen worden, met onder andere voldoende sterkte.
This step has the advantage, among others, that both the implant and the fastening means can be suitably designed, with inter alia sufficient strength.
Door het volgens de werkwijze vervaardigen van het implantaat zal de oppervlakte van het deel van het implantaat dat op het bot van de patiënt zal worden bevestigd in hoofdzaak complementair zijn aan de bevestigingsplaats van het vooraf met beeldvorming bepaalde model van het bot, zodat een juiste locatie, passing en fit van het implantaat wordt verkregen.
By manufacturing the implant according to the method the surface of the part of the implant which will be fastened to the bone of the patient will be substantially complementary to the fastening location of the model of the bone predetermined with imaging, so that a correct location and fit of the implant is obtained.
Bij voorkeur omvat de werkwijze verder: - het creëren van een model van een pasplaat omvattende eenoppervlakte die in hoofdzaak gelijk is aan een botzijdige oppervlakte van het verder aangepaste modelimplantaat, waarbij het botzijdige oppervlakte van het verder aangepaste modelimplantaat grenst aan het model van de één of meer botten; - het aanbrengen van één of meer perforaties in demodelpasplaat op een vooraf bepaalde plaats van de pasplaat en een vooraf bepaalde richting, waarbij een deel van de perforaties enerzijds geschikt is voor het maken van open verbindingen door de cortex met de onderliggende mergholte ter bevordering van de ingroei van bot in het te plaatsen implantaat en een deel van de perforaties anderzijds geschikt is voor de voorbereiding van het ontvangen van bevestigingsmiddelen van het implantaat; en - het vervaardigen van de modelpasplaat zodat een pasplaatwordt verkregen.
The method preferably further comprises of:creating a model of a fitting plate comprising a surface which is substantially equal to a surface of the further modified model implant facing the bone, wherein the surface of the further modified model implant facing the bone is adjacent to the model of the one or more bones;arranging one or more perforations in the model fitting plate at a predetermined position on the fitting plate and in a predetermined direction, wherein some of the perforations are on the one hand suitable for making open connections through the cortex and to the underlying medullary cavity in order to enhance the ingrowth of bone into the implant for placing, and some of the perforations are on the other hand suitable to prepare the implant for receiving fastening means; andmanufacturing the model fitting plate so that a fitting plate is obtained.
De pasplaat heeft de vorm van de oppervlakte van het implantaat die grenst aan het bot van de patiënt waaraan het implantaat dient te worden bevestigd.
The fitting plate has the shape of the surface of the implant which is adjacent to the bone of the patient to which the implant has to be fastened.
Hierdoor kan tijdens het plaatsen van het vervaardigde implantaat de juiste locatie voor het implantaat gevonden worden, omdat deze slechts past op het deel van het bot met hetzelfde oppervlakte.
It is hereby possible to find the correct location for the implant during placing of the manufactured implant, because it fits only the part of the bone with the same surface.
Daarnaast omvat de pasplaat ondermeer perforaties op de locaties waar schroeven in het bot dienen te worden gezet, om het boren te begeleiden.
In addition, the fitting plate comprises inter alia perforations at the locations where screws have to be placed in the bone, in order to guide the drilling.
Bij voorkeur zijn deze perforaties voorzien van schroefdraad (bijv. 3.5 mm) waarin boorgeleiders kunnen worden vastgezet.
These perforations are preferably provided with screw thread (for instance 3.5 mm) in which drill guides can be fixed.