mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
또한, BMS(20)는, 배터리의 안전성을 확보하기 위해 배터리 팩(1)의 전압, 전류, 온도 등을 모니터링 할 수 있으며, 이를 위해 직접적으로 값을 받거나 센서(12)를 이용하여 배터리 팩의 전류, 전압, 온도 등을 측정할 수 있다.
In addition, the battery management system (BMS) 20 may monitor the voltage, current, temperature, or the like, of the battery pack 1 in order to ensure the safety of the battery, and to this end, may directly receive the values or use a sensor 12 to measure the current, voltage, temperature, or the like, of the battery pack.
BMS(20)는 상술한 각종 파라미터를 측정한 값을 입력받는 인터페이스로서, 복수의 단자와, 이들 단자와 연결되어 입력받은 값들의 처리를 수행하는 회로 등을 포함할 수 있다.
The BMS 20 may be an interface for receiving values obtained by measuring the above-mentioned various parameters, and may include a plurality of terminals, a circuit connected to the terminals to process input values, or the like.
또한, BMS(20)는, 스위칭 소자(14), 예를 들면, 릴레이 또는 MOSFET의 ON/OFF를 제어할 수도 있으며, 배터리 모듈(10)에 연결되어 배터리 모듈(10)의 상태를 감시할 수 있다.
In addition, the BMS 20 may control ON/OFF of the switching element 14, for example, a relay or a MOSFET, and may be connected to the battery module 10 to monitor the status of the battery module 10.
상위 제어기(2)는 BMS(20)로 배터리 모듈에 대한 제어 신호를 전송할 수 있다.
The upper-level controller 2 may transmit a control signal for the battery module to the BMS 20.
이에 따라, BMS(20)는 상위 제어기로부터 인가되는 신호에 기초하여 동작이 제어될 수 있을 것이다.
Accordingly, the operation of the BMS 20 may be controlled based on the signal applied from the upper-level controller.
본 발명의 배터리 셀이 ESS(Energy Storage System) 또는 차량 등에 이용되는 배터리 팩에 포함된 구성일 수 있다.
The battery cell described in the present disclosure may be included in a battery pack used in an energy storage system (ESS), a vehicle, or the like.
다만, 이러한 용도에 한정되는 것은 아니다.
However, it is not limited to the above-mentioned uses.
이와 같은 배터리 팩(1)의 구성 및 BMS(20)의 구성은 공지된 구성이므로, 보다 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
The configuration of the battery pack 1 and the configuration of the BMS 20 are known, and thus a more detailed description will be omitted.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 배터리 릴레이 진단 장치를 포함하는 배터리 시스템의 구성을 나타내는 블록도이다.
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a battery system including a battery relay diagnostic device according to an embodiment of the present disclosure.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 배터리 시스템(200)은 복수의 배터리 팩(210), 충방전 제어부(220) 및 배터리 릴레이 진단 장치(230)를 포함할 수 있다.
Referring to FIG. 2, a battery system 200 according to an embodiment of the present disclosure may include a plurality of battery packs 210, a charge and discharge controller 220, and a battery relay diagnostic device 230.
복수의 배터리 팩(210)은 병렬로 연결되고, 각각이 충방전 제어부(220)와 접속되어 있을 수 있다.
The plurality of battery packs 210 may be connected in parallel, and each may be connected to the charge and discharge controller 220.
[전력 전자 애플리케이션에 사용되는 트랜지스터는 일반적으로 실리콘(Si) 반도체 재료로 제조된다.
Transistors used in power electronic applications are typically fabricated with silicon (Si) semiconductor materials.
전력 애플리케이션을 위한 일반적인 트랜지스터 소자는 Si CoolMOS®, Si Power MOSFET 및 Si 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor: IGBT)를 포함한다.
Common transistor devices for power applications include Si CoolMOS®, Si Power MOSFETs, and Si Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs).
이들 트랜지스터 소자는 함께 연결되어 회로 또는 회로부를 제공할 수 있다.
These transistor devices may be connected together to provide circuits or sections of circuits.
예를 들어, 2개의 트랜지스터 소자가 전기적으로 연결되어 하프 브리지 회로(half-bridge circuit)를 형성할 수 있다.
For example, two transistor devices may be electrically connected to form a half-bridge circuit.
이러한 회로는 일반적으로 트랜지스터를 스위칭하는 데 사용될 수 있는 게이트 드라이버 회로를 포함하는 제어 회로를 필요로 한다.]
Such circuits typically require control circuitry including gate driver circuitry which may be used to switch the transistors.
[하프 브리지 회로를 형성하도록 결합된 2개의 트랜지스터 소자 및 제어 회로를 갖는 소자는 파워 스테이지로 지칭될 수 있는 단일 반도체 패키지 내에 수용될 수 있다.
Two transistor devices coupled to form a half-bridge circuit and a device with control circuitry may be accommodated within a single semiconductor package which may be referred to as a power stage.
패키지 또는 모듈에서 소자들 사이를 접속하는 데에는 패키지 내 사용 가능한 공간이 제한되어 있기 때문에 몇 가지 문제가 있다.
Providing the connections between the devices in a package or module has some challenges due to the limited space available space within the package.
EP 2 463 904 A2는 패키지의 리드프레임이 전기적 상호접속을 위해 활용되는 멀티칩 파워 쿼드 플랫 노-리드(Power Quad Flat No-lead) 패키지를 개시한다.
EP 2 463 904 A2 discloses a multi-chip Power Quad Flat No-lead package in which a leadframe of the package is utilized for electrical interconnections.
그러나, 하나 이상의 반도체 소자를 포함하는 패키지에 대한 개선이 바람직하다.]
However, improvements to packages including more than one semiconductor device are desirable.
[본 발명에 따르면, 반도체 모듈은 로우측 스위치, 하이측 스위치 및 제어 칩을 포함한다.
According to the invention, a semiconductor module is provided that comprises a low side switch, a high side switch and a control chip.
로우측 스위치와 하이측 스위치는 횡방향으로 서로 인접하게 배열되고, 스위치 노드 커넥터에 의해 결합되어 하프 브리지 회로를 형성한다.
The low side switch and the high side switch are arranged laterally adjacent one another and coupled by a switch node connector to form a half bridge circuit.
스위치 노드 커넥터는, 로우측 스위치 및 하이측 스위치에 대한 배열을 가지며 단면적을 각각 갖는 둘 이상의 브랜치를 포함한다.
The switch node connector comprises two or more branches that have an arrangement with respect to the low side switch and to the high side switch and that each have a cross-sectional area.
둘 이상의 브랜치의 배열 및 단면적은 스위치 노드 커넥터 내의 전류 밀도 분포를 균일화하도록 선택된다.]
The arrangement and the cross-sectional area of the two or more branches are selected so as to homogenise the current density distribution within the switch node connector.
[브랜치의 배열은 모듈 내에서의 횡방향 형상 및 라우팅, 예를 들어 브랜치가 로우측 스위치와 하이측 스위치 사이에 직접 경로 또는 간접 경로를 갖는지 여부를 포함하고, 결과적으로, 이들의 길이 및 로우측 스위치 및 하이측 스위치의 위치와 관련한 모듈 내에서의 이들의 위치, 예컨대 로우측 스위치 및 하이측 스위치에 대한 각 브랜치의 두 단부의 위치를 포함한다.]
The arrangement of the branches includes their lateral shape and routing within the module, for example whether a branch has a direct route or an indirect route between the low side switch and the high side switch and, consequently, their length, as well as their position within the module in relation to the position of the low side switch and high side switch, e.g. the position of the two ends of each branch with respect to the low side switch and high side switch.
[이들 둘 이상의 브랜치의 사용으로, 반도체 모듈은 2개의 트랜지스터 소자 사이의 스위치 노드 접속에서 보다 균일한 전류 흐름을 갖는 파워 스테이지를 제공한다.
Due to the use of these two or more branches, the semiconductor module provides a power stage with a more homogeneous current flow in the switch node connection between the two transistor devices.
또한, 이로 인해 전력 손실 및 패키지 저항이 감소될 수 있다.
This in turn can lead to a decrease of power losses and package resistance.
전류 흐름을 균질화하고 보다 균일하게 하기 위해, 2개의 브랜치의 사용을 통해 스위치 노드 커넥터의 저 전류 밀도 영역이 추가적인 "브리지" 또는 2차 전류 경로에 의해 접속된다.
In order to homogenise current flow and make it more uniform, low current density areas of the switch node connector are connected by an additional a "bridge" or secondary current path through the use of the two branches.
2개의 경로 및 브랜치는, 전류 흐름을 밸런싱하고 전력 손실 밀도 분포를 보다 균일하게 하기 위해, 스위치 노드 커넥터 내의 개구에 의해 분리될 수 있다.
The two paths and branches may be separated by an opening in the switch node connector to balance current flow and to make power loss density distribution more homogeneous.
트랜지스터 소자의 상이한 영역들 사이의 둘 이상의 브랜치 또는 전도성 경로는 하이측 스위치가 온으로 전환되고 로우측이 오프로 전환될 때 발행할 수 있는 스위치 노드 커넥터의 비균일 DC 전류 분포를 밸런싱하고 평활화하는 것과 DC 전력 손실 밀도 분포에서 핫스팟을 제거하는 것에 도움이 된다.
The two or more branches or conductive paths between different regions of the transistor devices assist in balancing and smoothing out non-homogeneous DC current distributions in the switch node connector which may occur as the high side switch is switched on and the low side is switched off and to remove hot spots in the DC power loss density distribution.
전류 밀도 분포의 불균일성은 와전류의 발생으로 인해 스위칭 주파수의 증가에 따라 증가하는 경향이 있으므로, 반도체 모듈은 MHz 범위의 드라이버 주파수를 갖는 소자에 특히 유용할 수 있다.]
Since non-uniformities in the current density distribution tend to increase with an increase in switching frequency due to the generation of eddy currents, the semiconductor module may be useful for devices with a driver frequency in the MHz range.
[일부 실시예에서, 스위치 노드 커넥터는 로우측 스위치 상에 배열되는 제1 부분과, 하이측 스위치 상에 배열되는 제2 부분과, 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에서 연장되는 둘 이상의 브랜치를 포함한다.
In some embodiments, the switch node connector comprises a first portion that is arranged on the low side switch, a second portion that is arranged on the high side switch and the two or more branches extend between the first portion and the second portion.
둘 이상의 브랜치는 서로 이격된다.
The two or more branches are spaced apart from one another.
이 실시예에서, 제1 및 제2 브랜치는 공통의 제1 및 제2 부분 사이에서 연장되며, 이는 스위치 노드 커넥터의 반대편 말단부들을 제공하고, 제1 및 제2 부분 사이 및 로우측 스위치 및 하이측 스위치 사이에 상이한 경로를 갖는 2개의 개별 도체를 제공한다.]
In this embodiment, the first and second branches extend between the common first and second portions, which provide opposing distal portions of the switch node connector, and provide two separate conductors having different routes between the first and second portions and between the low side switch and the high side switch.
[일부 실시예에서, 제2 브랜치가 제1 브랜치의 단면적보다 더 작은 단면적을 가지며/갖거나, 제2 브랜치가 제1 브랜치의 길이보다 더 긴 길이를 갖는다.
In some embodiments, the second branch has a cross-sectional area that is smaller than a cross-sectional area of the first branch and/or the second branch has a length that is greater than a length of the first branch.
브랜치의 단면적 및 길이 중 하나는 스위치 노드 커넥터 내의 전류 밀도 분포를 균일화하도록 조정될 수 있다.]
One of both of the cross-sectional area and the length of the branches may be adjusted so as to homogenise the current density distribution within the switch node connector.
[로우측 스위치 및 하이측 스위치는 각각 트랜지스터 소자에 의해 제공될 수 있다.
The low side switch and the high side switch may each be provided by a transistor device.
일부 실시예에서, 로우측 스위치 및 하이측 스위치는 각각 수직형 트랜지스터 소자에 의해 제공된다.
In some embodiments, the low side switch and the high side switch are each provided by a vertical transistor device.
일부 실시예에서, 스위치 노드 커넥터는 로우측 스위치의 드레인 패드와 하이측 스위치의 소스 패드 사이에서 연장되고, 둘 이상의 브랜치는 로우측 스위치의 드레인 패드와 하이측 스위치의 소스 패드 사이에 위치한다.
In some embodiments, the switch node connector extends between a drain pad of the low side switch and a source pad of the high side switch and the two or more branches are positioned between the drain pad of the low side switch and the source pad of the high side switch.
따라서, 브랜치는 모듈 내에 위치하며, 로우측 스위치의 드레인 패드와 하이측 스위치의 소스 패드 사이에서 횡방향으로 연장된다.]
The branches are, therefore, positioned within the module and extend laterally between the drain pad of the low side switch and the source pad of the high side switch.
[일부 실시예에서, 스위치 노드 커넥터는, 물리적으로 서로 이격된 제1 브랜치 및 제2 브랜치를 형성하는 적어도 하나의 개구를 포함하는 전도성 층의 형태를 갖는다.]
In some embodiments, the switch node connector has the form of a conductive layer that comprises at least one aperture to form a first branch and a second branch that are physically spaced apart from one another.
[전도성 층은, 로우측 스위치, 하이측 스위치 및 제어 칩이 코어 절연층에 매립되게 하는, 임베디드 칩 기술에 기초한 반도체 모듈에 사용될 수 있다.
A conductive layer may be used for a semiconductor module based on embedded chip techniques, in which the low side switch, high side switch and control chip are embedded in a common insulating layer.
전도성 층은 증착된 층일 수도 있고, 절연층 상에서 지지되는 금속 포일 층에 의해 제공될 수도 있는데, 예컨대 코어 층은 강화된 열경화성 수지를 포함한다.]
The conductive layer may be a deposited layer or be provided by a metallic foil layer that is supported on an insulating layer, for example a core layer comprises a reinforced thermosetting resin.
[일부 실시예에서, 스위치 노드 커넥터는, 물리적으로 서로 이격된 제1 브랜치 및 제2 브랜치를 형성하는 적어도 하나의 개구를 포함하는 접촉 클립의 형태를 갖는다.
In some embodiments, the switch node connector has the form of a contact clip that comprises at least one aperture to form a first branch and a second branch that are physically spaced apart from one another.
접촉 클립은, 리드프레임 또는 재배선 기판을 포함하는 반도체 모듈에 사용될 수 있는데, 여기서 로우측 스위치, 하이측 스위치 및 제어 칩이 기판의 리드프레임 또는 재배선 구조의 일부분 상에 실장된다.]
A contact clip may be used for a semiconductor module including a leadframe or redistribution substrate in which the low side switch, high side switch and control chip are mounted on portions of the leadframe or redistribution structure of the substrate.
[일부 실시예에서, 제어 칩 위에 적어도 부분적으로 개구가 위치한다.
In some embodiments, the aperture is positioned at least in part above the control chip.
제어 칩의 전체 측면 영역이 개구 내에 위치할 수도 있고, 또는 스위치 노드 커넥터의 영역이 제어 칩 위에 위치해서 이와 중첩될 수 있다.
The entire lateral area of the control chip may be positioned within the aperture or regions of the switch node connector may be positioned above and overlap with the control chip.
이 구성은, 예를 들어 제어 칩이 본딩 와이어에 의해 재배선 층에 접속되어 본딩 와이어의 추가 높이가 개구 내에 위치하는 경우 및/또는 제어 칩이 로우측 스위치 및 하이측 스위치보다 더 두꺼운 두께를 갖는 경우에 유용할 수 있다.]
This arrangement may be useful if, for example, the control chip is connected by bond wires to a redistribution layer so that the additional height of the bond wires can be positioned within the aperture, and/or if the control chip has a greater thickness than the low side switch and the high side switch.
[일부 실시예에서, 제1 및 제2 브랜치는 제어 칩의 반대편 측면들 주위로 연장된다.]
In some embodiments, the first and second branches extend around opposing lateral sides of the control chip.
[일부 실시예에서, 로우측 스위치 및 하이측 스위치 각각은 실질적으로 직육면체 형태를 가지며 L자 형상으로 횡방향으로 서로 인접하게 배열된다.
In some embodiments, the low side switch and the high side switch each have a substantially cuboid form and are arranged laterally adjacent one another in a L-shape.
이 구성은 작은 횡방향 크기의 모듈을 제공하는 데 유용할 수 있는데, 이는 직육면체의 긴 쪽이 모듈의 두 인접하는 면을 따라 정렬될 수 있기 때문이다.
This arrangement may be useful in providing a module with a small lateral size since the long sides of the cuboids can be arranged along two adjoining sides of the module.
제어 칩은 나머지 코너에 배열될 수 있다.]
The control chip can be arranged in the remaining corner.
[일부 실시예에서, 로우측 스위치, 하이측 스위치 및 제어 칩은 실질적으로 동일 평면에 위치하도록 횡방향으로 서로 인접하게 배열된다.]
In some embodiments, the low side switch, the high side switch and the control chip are arranged laterally adjacent to one another such that they are substantially coplanar.
[일부 실시예에서, 로우측 스위치, 하이측 스위치 및 제어 칩은, 로우측 스위치, 하이측 스위치 및 제어 칩 각각의 주 표면이 실질적으로 동일 평면에 위치하도록 횡방향으로 서로 인접하게 배열된다.]
In some embodiments, the low side switch, the high side switch and the control chip are arranged laterally adjacent to one another such that a major surface of each of the low side switch, the high side switch and the control chip are substantially coplanar.
[일부 실시예에서, 둘 이상의 브랜치는 하나 이상의 전도성 접속부에 의해 접속되는 적어도 두 개의 층 내에서 연장된다.
In some embodiments, the two or more branches are formed in a single layer, or the two or more branches extend in at least two layers that are connected by one or more conductive connections.
전도성 접속부는, 예를 들면 솔더 접속 또는 전도성 비아일 수 있다. 2개의 층이 사용되는 경우, 이들 2개의 층은 제어 칩의 반대편에 또는 제어 칩의 동일 면에, 즉 제어 칩 위 또는 아래에 배열될 수 있다.]
If two layers are used, the two layers may be arranged on opposing sides of the control chip or on the same side of the control chip, i.e. above or below the control chip.
[일부 실시예에서, 제어 칩은 게이트 드라이버 회로를 포함하며, 로우측 스위치의 게이트 및 하이측 스위치의 게이트에 결합된다.]
In some embodiments, the control chip comprises gate driver circuitry and is coupled to a gate of the low side switch and a gate of the high side switch.
[일부 실시예에서, 반도체 모듈은 V, Sub[attributes={}; value=[high]], 패드, V, Sub[attributes={}; value=[low]], 패드, 스위치 노드 패드 및 하나 이상의 로직 패드를 포함하는 풋프린트를 포함하고, 스위치 노드 커넥터는 반도체 모듈의 스위치 노드 패드에 결합된다.]
In some embodiments, the semiconductor module comprises a footprint comprising a Vhigh pad, a Vlow pad, a switch node pad and one or more logic pads, wherein the switch node connector is coupled to the switch node pad of the semiconductor module.
[일부 실시예에서, 로우측 스위치 및 하이측 스위치는 스위치 노드 커넥터에 의해 반도체 모듈의 V, Sub[attributes={}; value=[low]], 패드 및 V, Sub[attributes={}; value=[high]], 패드 사이에 직렬로 연결되고, 스위치 노드 커넥터는 모듈 내에 위치한다.]
In some embodiments, the low side switch and the high side switch are coupled in series between the Vlow pad and the Vhigh pad of the semiconductor module by the switch node connector, and the switch node connector is positioned within the module.
[일부 실시예에서, 로우측 스위치 및 하이측 스위치는 각각 수직형 트랜지스터 소자에 의해 제공된다.
In some embodiments, the low side switch and the high side switch are each provided by a vertical transistor device.
위치고정튜브를 구비한 삼첨판막 역류증 시술용 기구{A device for the treatment of tricuspid regurgitation with position fixing tube }
[Technical Field]
본 발명은 일시적으로 삼첨판막 역류증을 시술하기 위한 위치고정튜브를 구비한 삼첨판막 역류증 시술용 기구에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 삼첨판막 역류증 환자에게 영구적인 방법으로 삼첨판막 역류증을 시술할 때 발생할 수 있는 우심실 부전의 발생여부를 확인하기 위해 일시적으로 삼첨판막의 빈공간(orifice)에 삽입되도록 시술하는 기구이며, 관상정맥에 삽입되는 위치고정튜브를 구비하여 삼첨판막의 빈공간을 차단하는 차단부가 삼첨판막의 판막엽과 유사한 평면으로 관통되며, 삼첨판막의 빈공간을 효율적으로 차단할 수 있게 하는 관통 각도를 지니게 하는 위치고정튜브를 구비한 삼첨판막 역류증 시술용 기구에 관한 것이다.
The present disclosure relates to a tricuspid regurgitation surgical instrument having a position-fixing tube that is for temporarily treating tricuspid regurgitation, and more particularly, to a tricuspid regurgitation surgical instrument having a position-fixing tube that is a surgical instrument temporarily inserted into an orifice of the tricuspid valve to check whether right-sided heart failure has occurred, which may occur when tricuspid regurgitation is treated using a permanent method in a patient with tricuspid regurgitation, and that has a position-fixing tube inserted into the coronary sinus so that a blocking part configured to block the orifice of the tricuspid valve penetrates a plane similar to a plane of leaflets of the tricuspid valve and has a penetration angle which allows the blocking part to efficiently block the orifice of the tricuspid valve.
삼첨판막 역류증(Tricuspid regurgitation)은 삼첨판막 폐쇄부전증이라고도 한다.
Tricuspid regurgitation is also referred to as tricuspid valve insufficiency.
삼첨판막 역류증은 삼첨판막의 병변으로 삼첨판막이 닫혀야 할 때 온전히 닫히지 않아 공간(orifice)이 발생하게 되고, 우심실 수축시 우심실에서 폐동맥으로 나가야하는 혈액 중 일부가 상기 공간(orifice)을 통해 우심방으로 역류하는 증상을 말한다.
Tricuspid regurgitation refers to a symptom in which, due to a lesion of the tricuspid valve, the tricuspid valve does not completely close when it should be closed, causing an orifice to be formed, and during contraction of the right ventricle, some of the blood that has to flow from the right ventricle to the pulmonary artery flows back into the right atrium through the orifice.
종래에 삼첨판막 역류증의 치료 방식은 환자의 가슴을 열고 심장을 절개하여 수술적으로 교정하는 방법과, 미국등록특허 US 8486136 B2, 미국등록특허 US 7854762 B2 및 미국등록 특허 US 9474605 B2에 제안된 바와 같이 삼첨판막 역류증 시술 기구를 환자의 체내에 영구적으로 삽입하여 삼첨판막 역류증을 치료하는 방법이 있다. 하지만 상기 수술법이나 영구적인 시술방법 등으로 삼첨판막 역류증 치료시, 우심실에서 폐동맥으로 이동하는 혈류의 갑작스러운 증가로 인해 우심실의 과부하가 발생되고, 우심실 부전 증상이 나타나게 되는 문제가 발생하였다.
Conventional methods of treating tricuspid regurgitation include a method in which the patient's chest is opened and an incision is made in the heart to make a surgical correction and a method in which, as proposed in U.S. Patent No. 8,486,136 B2, U.S. Patent No. 7,854,762 B2, and U.S. Patent No. 9,474,605 B2, a tricuspid regurgitation surgical instrument is permanently inserted into the patient's body to treat tricuspid regurgitation.
이에 본 발명자는 상기 문제점을 해결하기 위해 일시적으로 삼첨판막의 빈공간을 차단하여 우심실 부전 여부를 확인할 수 있는 장치를 개발하였으며, 이를 한국등록특허 제10-1965637호(폐동맥 삽입용 삼첨판막 역류증 시술용 기구)에 게재하여 특허등록 받은 바 있다.
Thus, in order to address the above problems, the inventor of the present disclosure has developed a device capable of temporarily blocking an orifice of the tricuspid valve to check whether right-sided heart failure has occurred, has published the device in a patent application publication, and has been granted a patent ( Korean Patent Registration No. 10-1965637 (Title of Invention: A device for the treatment of tricuspid regurgitation in the pulmonary artery).
상기 특허(한국등록특허 제 10-1965637호)에 게재된 폐동맥 삽입용 삼첨판막 역류증 시술용 기구는 삼첨판막의 빈 공간을 차단하는 차단부와 가이드와이어를 따라 이동 가능하도록 내부에 가이드와이어 안내용 루멘(lumen)이 형성된 삽입튜브와, 상기 차단부와 상기 삽입튜브를 삽입하는 루멘이 형성된 시스튜브를 포함한다.
The device for treatment of tricuspid regurgitation in the pulmonary artery that is published in the above patent ( Korean Patent Registration No. 10-1965637 ) includes a blocking part which is configured to block an orifice of the tricuspid valve, an insertion tube which has a guide wire guiding lumen formed therein to be movable along a guide wire, and a sheath tube which has a lumen formed to insert the blocking part and the insertion tube thereinto.
가이드와이어를 따라 하대정맥-삼첨판막-폐동맥으로 삽입튜브가 삽입되며, 삼첨판막의 빈 공간에 차단부가 관통되어 빈 공간을 일시적으로 차단하고 우심실 과부하 발생 여부를 판단한 후, 다시 체외로 제거하는 것이다.
The insertion tube is inserted into the inferior vena cava, tricuspid valve, and pulmonary artery along the guide wire, the blocking part penetrates the orifice of the tricuspid valve to temporarily block the orifice and determine whether right-sided heart failure has occurred, and then the device is removed from the body.
하지만 하대정맥(Inferior vena cave, IVC)과 삼첨판막(Tricuspid Valve, TV)사이의 거리가 환자마다 다양하여 상기 장치로 시술 시 차단부가 삼첨판막의 빈공간을 정확히 차단하지 못하는 경우가 발생되었다.
However, since a distance between the inferior vena cava (IVC) and tricuspid valve (TV) varies for each patient, in some cases, the orifice of the TV is not accurately blocked during a surgical procedure using the device.
예를 들면, 삼첨판막 역류증이 심해서 하대정맥과 삼첨판막 사이의 거리가 긴 환자의 경우 하대정맥-삼첨판막-폐동맥으로 이동하는 삽입튜브에 결합된 차단부의 삼첨판막 관통 각도가 변경되어 차단부가 삼첨판막의 빈공간을 정확히 차단할 수 없는 경우가 발생되었다.
For example, in the case of a patient with severe tricuspid regurgitation in which a distance between the IVC and TV is long, in some cases, a TV penetration angle of the blocking part coupled to the insertion tube moving to the IVC, TV, and pulmonary artery is changed, and thus the blocking part is not able to accurately block the orifice of the TV.
또한, 삽입튜브가 좌우로 회전됨에 따라 차단부가 좌우방향 일측으로 기울어져 삼첨판막의 판막엽과 유사한 평면을 형성하지 못해 빈공간을 정확히 차단하지 못하는 경우가 발생되었다.
Also, in some cases, as the insertion tube is rotated to the left or right, the blocking part is tilted toward one side in the left-right direction and is not able to form a plane similar to a plane of leaflets of the TV, thus not being able to accurately block the orifice.
따라서, 하대정맥과 삼첨판막 사이의 거리가 긴 삼첨판막 역류증 환자에게도 효율적으로 시술이 가능하며, 시술 후 회전되거나 이동되지 않아 삼첨판막의 빈공간을 차단하는 차단부의 움직임이 없는 삼첨판막 역류증 시술용 기구가 요구되는 실정이다.
Therefore, there is a need for a tricuspid regurgitation surgical instrument that allows efficient treatment also for tricuspid regurgitation patients with a long IVC-TV distance and that is not rotated or moved after being placed, thus not causing movement of a blocking part configured to block an orifice of the TV.
미국등록특허 US8486136 B2 (2013.07.16) 미국등록특허 US7854762 B2 (2010.12.21) 미국등록특허 US9474605 B2 (2016.10.25) 한국등록특허 제10-1965637호 (2019.03.29)
[Technical Problem]
본 발명의 목적은 하대정맥과 삼첨판막 사이의 거리가 먼 환자에게도 삼첨판막의 빈 공간을 정확히 차단하도록 차단부가 삼첨판막의 빈 공간에 효율적으로 관통되는 관통 각도를 형성하는 위치고정튜브를 구비한 삼첨판막 역류증 시술용 기구를 제공하는 것이다.
The present disclosure is directed to providing a tricuspid regurgitation surgical instrument having a position-fixing tube that forms a penetration angle at which a blocking part efficiently penetrates an orifice of the tricuspid valve so that the blocking part accurately blocks the orifice of the tricuspid valve even for patients in which a distance between the inferior vena cava and tricuspid valve is long.
본 발명의 다른 목적은 용이하게 삼첨판막의 판막엽의 평면과 유사한 평면상에 차단부가 위치되며, 시술 후에도 차단부가 좌우방향 일측으로 움직이는 것을 방지할 수 있어 효율적으로 삼첨판막의 빈 공간을 차단하는 위치고정튜브를 구비한 삼첨판막 역류증 시술용 기구를 제공하는 것이다.
The present disclosure is also directed to providing a tricuspid regurgitation surgical instrument having a position-fixing tube that allows a blocking part to be easily placed on a plane similar to a plane of leaflets of the tricuspid valve and, after the blocking part is placed, prevents the blocking part from moving toward one side in the left-right direction, thus efficiently blocking an orifice of the tricuspid valve.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 지닌 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The objectives of the present disclosure are not limited to those mentioned above, and other unmentioned objectives should be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the description below.