mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
제12항에 있어서,상기 프로세서는 상기 수신 디바이스와 상기 송신 디바이스 사이의 상기 추정된 회전 각도를 결정하기 위해 각각의 서브어레이의 추정된 중심을 더 결정하는, 송신 디바이스.
The sending device of claim 13, wherein the processor further determines an estimated center of each subarray to determine the estimated rotational angles between the receiving device and the sending device.
제 1 항에 있어서,그 원주를 따라 비연속적으로 치형체형성되는 상기 치형체들의 링은 연속적으로 치형체형성되는 상기 치형체들의 링의 치형체들의 수의 0.5 내지 30% 사이에 있는 치형체들의 수를 포함하는 것을 특징으로 하는, 기구(1).
and 30% of the number of teeth of said ring of teeth which is toothed continuously.
제 2 항에 있어서,상기 리세스 치형체들(28)의 링은 연속적으로 치형체형성되지만, 상기 돌기 치형체들(50)의 링은 그 원주를 따라 120°에 분포된 3개의 치형체들을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기구(1).
13 [Claim 3] 3 - The instrument (1) as claimed in claim 2, characterized in that the ring of recess teeth (28) is toothed continuously, while the ring of protuberance teeth (50) comprises 3 teeth distributed at 120 along its circumference.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 치형체들의 링들의 치형체들은 날카로운 각도들을 가진 삼각형 형태를 갖는 것을 특징으로 하는, 기구(1).
[Claim 4] 4 - The instrument as claimed in any one of claims 1 to 3, characterized in that the teeth of the rings of teeth have a triangular form with sharp angles.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 리세스(25)는 상기 돌기(5)의 대응하는 테이퍼링 섹션(40)이 상기 조립 위치에서 유극없이 끼워지는 테이퍼링 섹션(26)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기구(1).
[Claim 5] 5 - The instrument as claimed in any one of claims 1 to 4, characterized in that the recess (25) comprises a tapered section (26) into which a corresponding tapered section (40) of the protuberance (5) fits without play in the position of assembly.
제 5 항에 있어서,상기 치형체들의 링들은 상기 테이퍼링 섹션들(26, 40)의 큰 직경 상에 형성되는 것을 특징으로 하는, 기구(1).
[Claim 6] 6 - The instrument as claimed in claim 5, characterized in that the rings of teeth are formed on the large diameter of the tapered sections (26, 40).
제 6 항에 있어서,상기 치형체들의 링들은 상기 테이퍼링 섹션들의 작은 직경 상에 형성되는 것을 특징으로 하는, 기구(1).
[Claim 7] 7 - The instrument as claimed in claim 6, characterized in that the rings of teeth are formed on the small diameter of the tapered sections.
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 테이퍼링 섹션들은 원뿔형 섹션들인 것을 특징으로 하는, 기구(1).
[Claim 8] 8 - The instrument as claimed in any one of claims 5 to 7, characterized in that the tapered sections are conical sections.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 리세스 치형체들(28)의 링 및 상기 돌기 치형체들(50)의 링은 상기 중공 리세스(25)의 및 상기 돌기(5)의 길이의 절반 미만, 바람직하게는 상기 중공 리세스(25)의 및 상기 돌기(5)의 길이의 1/3 미만인 길이를 점유하는 것을 특징으로 하는, 기구(1).
[Claim 9] 9 - The instrument as claimed in any one of claims 1 to 8, characterized in that the ring of recess teeth (28) and the ring of protuberance teeth (50) occupy a length less than half the length of the hollow recess (25) and of the protuberance (5), preferably less than a third of the length of the hollow recess (25) and of the protuberance (5).
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 자기 인력 요소(7)는 제 2 자석 또는 상기 제 1 자석(6)에 의해 생성된 자기장에 의해 끌릴 수 있는 재료로 만든 부분인 것을 특징으로 하는, 기구(1).
[Claim 10] 10 - The instrument as claimed in any one of claims 1 to 9, characterized in that the magnetic attraction element (7) is a second magnet or a part made of a material capable of being attracted by the magnetic field produced by the first magnet (6).
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 리세스(25)는 상기 핸들 피팅 요소(24)에 위치되지만, 상기 돌기(5)는 상기 체결 요소(30) 상에 위치되는 것을 특징으로 하는, 기구(1).
[Claim 11] 11 - The instrument as claimed in any one of claims 1 to 10, characterized in that the recess (25) is situated in the handle fitting element (24), while the protuberance (5) is situated on the fastening element (30).
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 핸들 피팅 요소(24)는 상기 기구 몸체(2)에 부가되고 고정되는 부분인 것을 특징으로 하는, 기구(1).
[Claim 12] 12 - The instrument as claimed in any one of claims 1 to 11, characterized in that the handle fitting element (24) is a part added and fixed onto the instrument body (2).
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 핸들 피팅 요소(24)는 상기 기구 몸체(2)의 단부에 부가되고 고정되는 부분인 것을 특징으로 하는, 기구(1).
[Claim 13] 13 - The instrument as claimed in any one of claims 1 to 12, characterized in that the handle fitting element (24) is a part added and fixed onto an end of the instrument body (2).
제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 핸들 피팅 요소(24)는 상기 리세스의 나머지보다 더 벌어진 깔때기-형 입력 섹션(27)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기구(1).
[Claim 14] 14 - The instrument as claimed in any one of claims 1 to 13, characterized in that the handle fitting element (24) comprises a funnel-shaped input section (27) that is more flared than the rest of the recess.
제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 체결 요소(30)는 상기 핸들(3)의 파지 섹션(4)으로 부가된 핸들 단부 피팅인 것을 특징으로 하는, 기구(1).
14 [Claim 15] 15 - The instrument as claimed in any one of claims 1 to 14, characterized in that the fastening element (30) is a handle end fitting added onto the gripping section (4) of the handle (3).
제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 핸들 피팅 요소(24)는, 그 외부 표면 상에서, 사용자의 손가락의 단부의 맞물림을 허용하도록 순응된 환형 홈(100)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기구(1).
[Claim 16] 16 - The instrument as claimed in any one of claims 1 to 15, characterized in that the handle fitting element (24) comprises, on its outer surface, an annular groove (100) conformed to allow the engagement of the end of a finger of the user.
모발을 처리하기 위한 기구들의 세트에 있어서,제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 청구된 바와 같이 적어도 하나의 분리 가능한 핸들(3) 및 복수의 기구 몸체들(2)을 포함하는, 기구들의 세트.
[Claim 17] 17 - A set of instruments for treating hair, comprising at least one detachable handle (3) and a plurality of instrument bodies (2) as claimed in any one of claims 1 to.
스탬핑 공정의 다양한 매개변수(예: 처리 속도, 스탬핑 계면 표면(ASI)의 원하는 온도, 스탬핑 압력 등)를 조정하기 위해, 유저 인터페이스(8a)가 스탬핑 기계(1)에, 예를 들어 제어 유닛(8)에 제공될 수 있다. ]
For adjusting different parameters of the stamping process (e.g. processing speed, desired temperature of the stamping interface surface ASI, stamping pressure, etc.), a user interface 8a can be provided in the stamping machine 1, for example, in the control unit 8.
[서두에서 설명한 바와 같이, 스탬핑 플레이트(4)의 스탬핑 계면 표면(ASI)의 온도의 직접적인 온도 측정이 불가능하기 때문에, 제어 입력은 지금까지 룩업 테이블을 기반으로 했으며, 여기서 가열 플레이트(2), 특히 가열 플레이트(2)의 제1 표면(A1)의 온도와, 스탬핑 플레이트(4)의 스탬핑 계면 표면(ASI) 사이의 안정 상태종속성(steady state dependency)이 저장된다.
As described at the outset, since no direct temperature measurement of the temperature of the stamping interface surface ASI of the stamping plate 4 is possible, the control input was hitherto based on a look-up-table, in which a steady state dependency between the temperature of the heating plate 2, especially of the first surface A1 of the heating plate 2, and the stamping interface surface ASI of the stamping plate 4 is stored.
그러나 룩업 테이블 방식으로는 가공 조건(스탬핑 플레이트 설치 수, 주변 온도, 가공 속도, 분사 노즐(18)에 의해 공급되는 공기의 온도 및 체적 유량 등)이 변화되기 때문에, 고품질 표준을 충분하게 충족시킬 수가 없다.
However, due to changing processing conditions (number of stamping plates installed, ambient temperature, processing speed, temperature and volume flow of the air supplied by blowing nozzles 18, etc.) with the look-up-table method, high quality standards cannot be sufficiently met.
따라서, 본 발명에 따르면, 도 2 및 도 3을 참조하여 이하에서 설명되는 바와 같이, 보다 양호한 성능을 갖는 개선된 스탬핑 기계(1)가 제공된다.]
Therefore, according to the invention an improved stamping machine 1 with better performance is provided, as will be described in the following with reference to Fig.2 + Fig.3.
[본 발명에 따르면, 스탬핑 기계(1)는 스탬핑 계면 표면(ASI)의 온도(T, Sub[attributes={}; value=[SI]], )를 미리 정의된 원하는 온도(T, Sub[attributes={}; value=[SI_D]], )로 제어하기 위한 제어 유닛(8)을 포함하며, 상기 제어 유닛(8)은 가열 플레이트(2)의 적어도 하나의 온도 센서(13)로부터의 가열 플레이트(2)의 실제 온도(T, Sub[attributes={}; value=[H_ACT]], )를 적어도 수신하고 그리고 조작 변수(u)를 적어도 하나의 가열 장치(7)에 제공하게 구성된다.
According to the invention, the stamping machine 1 comprises a control unit 8 for controlling the temperature TSI of the stamping interface surface ASI to a predefined desired temperature TSI_D, wherein the control unit 8 is configured to receive at least an actual temperature TH_ACT of the heating plate 2 from the at least one temperature sensor 13 of the heating plate 2 and to provide a manipulated variable u to the at least one heating device 7.
스탬핑 기계(1)는 가열 플레이트(2)와 스탬핑 플레이트(4) 사이의 열 전달에 대한 적어도 하나의 물리적 기반 분석 모델(17)에 기초한 적어도 하나의 스탬핑 플레이트(4)의 스탬핑 계면 표면(ASI)의 실제 온도(, I[attributes={}; value=[T]], I[attributes={}; value=[Sub[attributes={}; value=[SI_ACT]]]], )를 추정하기 위한 상태 관찰기(14)를 추가로 포함한다.]
The stamping machine 1 further comprises a state observer 14 for estimating an actual temperature T̂SI_ ACT of the stamping interface surface ASI of the at least one stamping plate 4 based on at least one physics-based analytical model 17 of the heat transfer between the heating plate 2 and the stamping plate 4.
[상태 관찰기(14)는, 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이 별도의 구성요소(예를 들어, 하드웨어 또는 소프트웨어의 일부)의 형태로 제공되거나 또는 제어 유닛(8)에서(예를 들어, 소프트웨어로서) 구현될 수 있다.
The state observer 14 can, for example, be provided in form of a separate component (e.g. a piece of hardware or software) or can be implemented in the control unit 8 (e.g. as software), as shown in Fig.2.
제어 유닛(8)은 일반적으로 원하는 온도(T, Sub[attributes={}; value=[SI_D]], )와 추정된 실제 온도(, I[attributes={}; value=[T]], I[attributes={}; value=[Sub[attributes={}; value=[SI_ACT]]]], )와의 사이의 오차를 기반으로 하며, 상태 관찰기(14)에 의해 제공되는, 미리 정의된 원하는 온도(T, Sub[attributes={}; value=[SI_D]], ) 및 스탬핑 계면 표면(ASI)의 추정된 실제 온도(, I[attributes={}; value=[T]], I[attributes={}; value=[Sub[attributes={}; value=[SI_ACT]]]], )에 기초하여 적어도 하나의 가열 장치(7)에 대한 조작 변수(u)를 계산하기 위한 피드백 제어기(15)를 더 포함한다.
The control unit 8 further comprises a feedback controller 15 for calculating the manipulated variable u for the at least one heating device 7 based on the predefined desired temperature TSI_D and the estimated actual temperature T̂SI_ ACT of the stamping interface surface ASI, provided by the state observer 14, usually based on an error between the desired temperature TSI_D and the estimated actual temperature T̂SI_ ACT.
피드백 제어기(15)는 예를 들어, 당업계에 공지된 적절한 제어기, 예를 들어, PID 제어기 또는 PI 제어기를 포함할 수 있다.
The feedback controller 15 can, for instance, comprise a suitable controller, known in the art, e.g. a PID-controller or PI-controller.
명료함을 위해, 스탬핑 기계(1)는 도 2에 단순화된 방식으로 도시되어 있고, 그리고 가열 장치(7) 및 온도 센서(13)는 그리드의 교점으로서 도시되어 있으며, 여기서 이들은 가열 플레이트(2)의 제1 표면(A1)에 배치된다.
For the sake of clarity, the stamping machine 1 is shown in a simplified manner in Fig.2 and the heating devices 7 and the temperature sensors 13 are shown as nodes of a grid, in which they are arranged on the first surface A1 of the heating plate 2.
물론, 가열 장치(7)는 도시된 바와 같이 정확히 한 교점에서 가열 플레이트(2)를 가열할 필요는 없는 것이지만, 특정 영역에서 가열 플레이트(2)를 가열할 수는 있는 것이다.]
Of course, a heating device 7 does not necessarily need to heat the heating plate 2 exactly on a node as shown, but can rather heat the heating plate 2 on a certain area.
[바람직하게는, 제어 유닛(8)은 적어도 하나의 물리적 기반 분석 모델(17)에 기초한 스탬핑 계면 표면(ASI)의 미리 정의된 원하는 온도(T, Sub[attributes={}; value=[SI_D]], )로부터 피드포워드 제어 값을 계산하기 위한 피드포워드 제어기(16)를 더 포함한다.
Preferably the control unit 8 further comprises a feedforward controller 16 for calculating a feedforward control value from the predefined desired temperature TSI_D of the stamping interface surface ASI based on the at least one physics-based analytical model 17.
특히, 피드포워드 제어 값은 스탬핑 기계(1)에 설치된, 스탬핑 플레이트(4)의 수의 스탬핑 플레이트 영역(들) 및 설치 위치(들)를 고려하여, 스탬핑 계면 표면(ASI)의 원하는 온도 분포에 대해 계산된다.
In particular, the feedforward control values are calculated for a desired temperature distribution on the stamping interface surface ASI, taking into account the stamping plate area(s) and installation position(s) of the number of stamping plates 4, installed in the stamping machine 1.
피드포워드 제어 값은 물리적 기반 분석 모델(17)의 역해법(inverse solution)으로 계산된다.
The feedforward control values are calculated from an inverse solution of the physics-based analytical model 17.
예를 들어, 가열 에너지를 줄이기 위해, 원하는 온도 분포는 하나 이상의 스탬핑 플레이트(4)의 스탬핑 계면 표면(들)의 영역(들)에 대한 특정한 원하는 온도(T, Sub[attributes={}; value=[SI_D]], )를 포함할 수 있고, 그리고 부가적으로 하나 이상의 스탬핑 플레이트(4)의 스탬핑 계면 표면(들)(ASI)의 영역 외부 영역(들)의 원하는 온도를 포함할 수 있다.]
For example, in order to reduce heating-energy, the desired temperature distribution can comprise a specific desired temperature TSI_D for the area(s) of stamping interface surface(s) ASI of the one or more stamping plates 4 and can further comprise a desired temperature of the region(s) outside of the area(s) of stamping interface surface(s) ASI of the one or more stamping plates 4.
[피드백 제어기(15), 상태 관찰기(14) 및 피드포워드 제어기(16)가 도 2에 도시된 제어 구조에서 별도의 구성요소로 표시되어 있지만, 당업자에게는 이들이 물론 제어 유닛(8)에서 소프트웨어의 형태로로도 구현될 수 있음을 분명히 알 것이다.
Although the feedback controller 15, the state observer 14 and the feedforward controller 16 are indicated as separate components in the control structure shown in Fig.2, it is apparent for a person skilled in the art, that they could of course also be implemented in form of software in the control unit 8.
또한, 물리적 기반 분석 모델(17)은 도 2의 제어 회로의 물리적 구성요소(점선으로 표시)가 아니라, 상태 관찰기(14) 및 선택적인 피드포워드 제어기(16)의 설계에 대한 기초 역할을 하는 스탬핑 기계(1)의 열 거동(thermal behavior)에 관한 수학적 설명을 나타내는 것으로 이해되어야 한다.
Further it is to be understood that the physics-based analytical model 17 is not a physical component of the control circuit of Fig.2 (indicated with the dashed lines), but rather represents a mathematical description of the thermal behavior of the stamping machine 1 which serves as a basis for the design of the state observer 14 and the optional feedforward controller 16.
물리적 기반 분석 모델(17)은 예를 들어 상태 관찰기(14) 및 적절한 형태의 선택적 피드포워드 제어기(16)에서 구현될 수 있다.
The physics-based analytical model 17 can, for example, be implemented in both, the state observer 14 and the optional feedforward controller 16 in a suitable form.
따라서, 물리적 기반 분석 모델(17)을 나타내는 도 2에 도시된 블록은 단순히 명확한 도시를 위해 도시된 것으로 이해한다.]
Therefore, the block shown in Fig.2, which represents the physics-based analytical model 17, is merely shown for the sake of clarity.
[스탬핑 기계(1)의 물리적 기반 분석 모델(17)로 인해, 직접적인 측정이 가능하지 않더라도, 스탬핑 플레이트(4)의 스탬핑 계면 표면(ASI)의 실제 온도(, I[attributes={}; value=[T]], I[attributes={}; value=[Sub[attributes={}; value=[SI_ACT]]]], )를 비교적 정확하게 추정하는 것이 가능하기 때문에 스탬핑 계면 온도(T, Sub[attributes={}; value=[SI]], )의 피드백 제어를 구현하는 것이 가능하다.]
Due to the physics-based analytical model 17 of the stamping machine 1, it is now possible to implement a feedback control of the stamping interface temperature TSI, because it is possible to relatively precisely estimate the actual temperature T̂SI_ ACT of the stamping interface surface ASI of the stamping plate 4, although no direct measurement is available.
[스탬핑 플레이트(4)의 스탬핑 계면 표면(ASI)의 추정된 실제 온도(, I[attributes={}; value=[T]], I[attributes={}; value=[Sub[attributes={}; value=[SI_ACT]]]], )를 보정하기 위해, 관찰기 보상기(19)가 선택적으로 스탬핑 기계(1)에 제공될 수 있어서, 특히 상태 관찰기(14)에서 구현되며, 바람직하게는 PID-제어기 또는 기타 적절한 제어기의 형태로 구현될 수 있다.
In order to correct the estimated actual temperature T̂SI_ ACT of the stamping interface surface ASI of the stamping plate 4, an observer compensator 19 can optionally be provided in the stamping machine 1, in particular implemented in the state observer 14, preferably in the form of a PID-controller, or any other suitable controller.
보정은 이용 가능한 온도 측정치(T, Sub[attributes={}; value=[i_ACT]], ), 바람직하게는 적어도 하나의 온도 센서(13)로 측정된 가열 플레이트(2)의 실제 온도(T, Sub[attributes={}; value=[H_ACT]], )에 기초한다.]
The correction is based on available temperature measurements Ti_ACT, preferably the actual temperature TH_ACT of the heating plate 2, measured with the at least one temperature sensor 13.
[바람직하게는, 물리적 기반 분석 모델(17)은 도 3을 참조하여 추가로 설명되는 바와 같이 분산-매개변수 모델(DPM) 및 집중-매개변수 모델(LPM)을 포함하는 하이브리드 모델이다.
Preferably, the physics-based analytical model 17 is a hybrid model comprising a distributed-parameter model DPM and a lumped-parameter model LPM, as will be further described with reference to Fig.3.
하이브리드 모델에서, 가열 플레이트(2), (선택적) 설치 플레이트(3) 및 스탬핑 플레이트(4)는 각각 주축을 따라 다중 레이어(LAi)로 분할된다.
In the hybrid model the heating plate 2, the (optional) installation plate 3 and the stamping plate 4 are each divided into multiple layers LAi along a principal axis.
주축은 바람직하게는 예를 들어 도 1의 수직축인, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5 표면(A1-A5) 또는 계면 표면(ASI) 중 적어도 하나에 대해 수직인 것이다.
The principal axis is preferably perpendicular to at least one of the first, second, third, fourth, fifth surface A1-A5 or interface surface ASI, e.g. a vertical axis in Fig.1.
분산 매개변수 모델(DPM)의 도움으로, 다중 레이어(LAi) 각각의 온도 분포는 입력 레이어(LA, Sub[attributes={}; value=[IP]], )로의 열유속 입력(HFI)을 기반으로 계산될 수 있다.
With the aid of the distributed-parameter model DPM, a temperature distribution in each of the multiple layers LAi can be calculated based on a heat flux input HFI into an input layer LAIP.
집중 매개변수 모델(LPM)의 도움으로, 주축을 따라 있는 다중 레이어(LAi) 사이의 열유속을 계산할 수 있다.
With the aid of the lumped-parameter model LPM, a heat flux between the multiple layers LAi along the principal axis can be calculated.
도 3에 도시된 예에 따르면, 스탬핑 기계(1)는 입력 레이어(LA, Sub[attributes={}; value=[IP]], ), 2개의 중간 레이어(LAM) 및 출력 레이어(LA, Sub[attributes={}; value=[OP]], )로 분할되지만, 물론 더 많거나 더 적은 레이어로 다른 세분화를 선택하는 것이 가능하지만, 적어도 2개의 레이어는 필요하다(입력 레이어(LA, Sub[attributes={}; value=[IP]], ) 및 출력 레이어(LA, Sub[attributes={}; value=[OP]], )). 입력 레이어(LA, Sub[attributes={}; value=[IP]], )는 열유속 입력(HFI)을 제공하는, 가열 장치(7)가 배치된 가열 플레이트(2)의 제1 표면(A1)에 대응한다.
According to the example shown in Fig.3, the stamping machine 1 is divided into an input layer LAIP, two middle layers LAM, and an output layer LAOP, but it is of course possible to choose another subdivision with more or less layers, however, at least two layers are required (input layer LAIP and output layer LAOP).
출력 레이어(LA, Sub[attributes={}; value=[OP]], )는 실제 온도(, I[attributes={}; value=[T]], I[attributes={}; value=[Sub[attributes={}; value=[SI_ACT]]]], )가 추정될 스탬핑 플레이트(4)의 스탬핑 계면 표면(ASI)에 대응한다.
The output layer LAOP corresponds to the stamping interface surface ASI of the stamping plate 4 where the actual temperature T̂SI_ ACT is to be estimated.
가열 장치(들)(7)의 분할 가열 영역으로 인해, 열유속 입력(HFI)은 입력 레이어(LA, Sub[attributes={}; value=[IP]], )에 국부적으로 가해지고 그리고 스탬핑 플레이트(들)(4)의 유한한 작동 영역(들)으로 인해 교란이 출력 레이어(LA, Sub[attributes={}; value=[OP]], )에 불균일하게 분포된다.
Due to the segmental heating zones of the heating device(s) 7, the heat-flux inputs HFI are locally exerted on the input layer LAIP and due to the finite operating area(s) of the stamping plate(s) 4, the disturbances are non-uniformly distributed on the output layer LAOP.
결과적으로 매우 불균일한 온도 분포에 대한 가열 영역 간의 국부 경계 조건 및 열 결합의 영향을 설명하기 위해서, 만약 집중 매개변수 모델만이 스탬핑 기계(1)의 열 전달에 대한 수학적 설명을 위한 단일 모델로 사용된다면, 매우 많은 수의 모델 요소(예: 저항(R), 정전용량(C) 등 - 아래 참조)가 필요할 것이다.
To account for the effects of local boundary conditions and thermal couplings among the heating zones on the resulting highly non-uniform temperature distribution, a very large number of model elements (such as resistances R, capacitances C etc. - see below) would be required, if only a lumped-parameter model would be used as single model for the mathematical description for the heat transfer of the stamping machine 1.
그러나 이것은 바람직한 실시간 온도 추정/제어 측면에서 바람직하지 않은 많은 계산 시간을 초래할 것이다.
This would however lead to large computation time, which is undesired in terms of a preferred real-time temperature estimation/control.
다른 한편으로, 분산 매개변수 모델만을 사용하여 과도 3차원 온도 필드(transient three-dimensional temperature field)를 해석적으로 해결하는 것도 매우 어려울 것이며, 수치 계산 기술(예: 유한 요소 방법)도 엄청난 계산 노력이 필요하다.
On the other hand, it would also be very difficult to analytically solve the transient three-dimensional temperature field using only a distributed-parameter model, while numerical calculation techniques (such as, the finite element method) would also require huge computation efforts.
따라서 충분히 낮은 계산 노력을 달성하기 위해, 각각의 빠른 계산 시간과 동시에 충분한 계산 정확도를 제공하기 위해 본 발명에서는 집중 매개변수 모델과 분산 매개변수 모델을 조합한 하이브리드 모델 형태로 조합하여 사용한다.]
Therefore, in order to achieve sufficiently low computation efforts, fast calculation time respectively and at the same time sufficient calculation accuracy, a combination of a lumped-parameter model and a distributed-parameter model in the form of a hybrid-model is used in the present invention.
[바람직한 실시예에서, 분산 매개변수 모델(DPM)은 고유 함수 전개 모델(eigen-function expansion model)이고 그리고 집중 매개변수 모델(LPM)은 열 임피던스 회로 모델이다.
In a preferred embodiment, the distributed-parameter model DPM is an eigen-function expansion model and the lumped-parameter model LPM is a thermal impedance circuit model.
열 임피던스 회로 모델을 사용하여, 레이어 사이의 역학 관계가 모델링 되며, 여기서 각 레이어(LAi)는 회로 교점으로서 공식화되고(Kirchhoff의 노드 법칙이 충족됨) 그리고 인접 레이어(LAi) 사이의 열 역학 관계는 도 3에 도시된 바와 같이 열 저항(R) 및 열 커패시턴스(C)로 설명된다.
With the thermal impedance circuit model, the dynamic relationships among layers are modeled, where each layer LAi is formulated as a circuit node (Kirchhoff's node law is satisfied) and the thermal dynamics between adjacent layers LAi are described as thermal resistances R and thermal capacitances C, as shown in Fig.3.
하이브리드 모델은 바람직하게는 포워드 경로 및 피드백 경로를 포함하는 폐루프 모델로 모델링되며, 여기서 포워드 경로는 입력 레이어(LA, Sub[attributes={}; value=[IP]], )에 대한 지정된 열유속 입력(HFI)을 기반으로 각 레이어(LAi)의 레이어 온도 분포를 설명하고, 반면 피드백 경로는 지정된 온도 분포에 대한 전도된 열유속(레이어(LAi) 사이)를 설명한다.
Local heat-flux disturbances on the output layer LAOP that corresponds to the stamping interface surface ASI of the stamping plate 4 are also modelled as local thermal resistance R. The hybrid model is preferably modeled as a closed-loop model comprising a forward path and a feedback path, wherein the forward path describes the layer temperature distribution in each layer LAi based on the given heat-flux input HFI to the input layer LAIP, while the feedback path accounts for the conducted heat-flux (between the layers LAi) for a given temperature distribution.
분산 매개변수 모델(DPM)은 도 3에 나타낸 바와 같이 포워드 경로에서 구현되고 그리고 집중 매개변수 모델(LPM)은 피드백 경로에서 구현된다.]
The distributed-parameter model DPM is implemented in the forward path and the lumped-parameter model LPM is implemented in the feedback path, as depicted in Fig.3.
[하이브리드 모델이 공식화되면, 식별 알고리즘(identification algorithm)을 사용하여 식별 실험을 수행하여 작업 조건(예: 처리 속도, 주변 온도, 분사 노즐 사용 등)의 함수로 열유속 교란(heat-flux disturbance)을 결정할 수 있다.
When the hybrid model is formulated, identification experiments can be conducted using an identification algorithm to determine heat-flux disturbance as a function of working conditions (e.g. processing speed, ambient temperature, use of blowing nozzles, etc.).
이러한 식별 알고리즘은 예를 들어 OZISIK, M. Necati 등의, 2000. Inverse Heat Transfer: Fundamentals and Applications, ISBN 978-1560328384 인 책에서 당업계에 알려져 있다.
Such identification algorithms are known in the art, for example, from the book: OZISIK, M. Necati et al., 2000.
도 2에 따른 제어 방식으로 하이브리드 모델을 구현하면, 가열 플레이트(2)는 온도 차이로 인해 스탬핑 플레이트(4)를 향한 열유속이 생성되는 방식으로 (가열 장치(7)에 제공된 계산된 조작 변수(u)에 기초하여) 가열되며, 이는 스탬핑 계면 표면(ASI)에서 다양한 열 유속 교란(다른 작업 조건 하에서 스탬핑에 의해 유발됨)에 대응하여 스탬핑 계면 온도(T, Sub[attributes={}; value=[SI]], )를 원하는 온도(T, Sub[attributes={}; value=[SI_D]], )로 유지한다.]
With the hybrid model implemented in the control scheme according to Fig.2, the heating plate 2 is heated (based on the calculated manipulated variables u provided to the heating devices 7) in such a way, that due to a temperature difference, a heat flux towards the stamping plate 4 is created, which counteracts to the varying heat flux disturbances at the stamping interface surface ASI (caused by stamping under different working conditions) and hence to maintain the stamping interface temperature TSI at a the desired temperature TSI_D.
[예시적인 물리적 기반 분석 모델(17)을 도 4를 참조하여 다음에 제시한다.
An exemplary physics-based analytical model 17 is presented in the following with reference to Fig.4.
단순함을 기하기 위해, 물리적 기반 분석 모델(17)은 가열 플레이트(2)에 대해서만 도시했다.
For the sake of simplicity, the physics-based analytical model 17 is shown for the heating plate 2 only.
좌측에는 수학적 설명에 사용되는 좌표계가 있는 가열 플레이트(2)가 도시되며, 좌측 상단 모서리에 원점(O)이 있다.
On the left side the heating plate 2 is shown with a coordinate system, which is used for the mathematical description, having the origin O in the top left corner.
X-축 및 Y-축에 걸쳐 있는 XY-평면은 가열 플레이트(2)의 제1 표면(A1)에 해당한다.
The XY-plane spanned by the X-axis and Y-axis corresponds to the first surface A1 of the heating plate 2.
pDZ-△ ilvBNC벡터를 코리네박테리움 글루타미쿰 ATCC 13032 hom(R407H) ilvA(F383A) 균주에 전기펄스법으로 도입한 후 카나마이신(kanamycin) 25mg/L를 함유한 선별배지에서 형질전환 균주를 획득하였다.
The pDZ-AilvBNC vector was introduced into the Corynebacterium glutamicum ATCC 13032 hom(R407H) ilvA(F383A) strain by an electric pulse method, and then a transformed strain was obtained in a selection medium containing 25 mg/L of kanamycin.
2차 재조합과정(cross-over)으로 염색체상에 삽입된 DNA 단편에 의하여 ilvBNC유전자가 결손된 균주인 WT△ilvBNC를 획득하였다.
WTAilvBNC, which is the ilvBNC gene-deleted strain resulting from insertion of the DNA fragment onto the chromosome by the secondary crossover process, was obtained.