mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
その際、制御部５１は、バックローラ対１５の回転速度をミドルローラ対１６の回転速度よりも低速に設定するとともに、ミドルローラ対１６の回転速度をフロントローラ対１７の回転速度よりも低速に設定する。
At that time, the controller 51 sets the rotation speed of the back roller pair 15 lower than that of the middle roller pair 16, and the rotation speed of the middle roller pair 16 lower than that of the front roller pair 17.
これにより、バックローラ対１５とミドルローラ対１６との間では、それらのローラ対の回転速度差によって糸が引き伸ばされる。
Accordingly, the yarn material is stretched between the back roller pair 15 and the middle roller pair 16 by the difference in the rotation speed between the back roller pair 15 and the middle roller pair 16.
同様に、ミドルローラ対１６とフロントローラ対１７との間でも、それらのローラ対の回転速度差によって糸が引き伸ばされる。
Similarly, the yarn material is stretched between the middle roller pair 16 and the front roller pair 17 by a difference in the rotation speed between the front roller pair 17 and the middle roller pair 16.
貫通孔６８は、板状部材６６を厚み方向に貫通している。
The pump illustrated in FIG. 6 includes a filter 64 a, and a turbulence generator 90.
本実施形態では、貫通孔６８は、板状部材６６の表面に直交する方向に延びる穴となる。
The filter 64 ais a concentric plate member, and a junction 92 near the outer edge joins to the stator 32 of the motor 26.
貫通孔６８は、分岐部６０と供給配管６２とを繋ぎ、対象油Ｑが流れる流路となる。
Covering the entire opening on the inlet (oil extraction port) 34 aside of the filter 64 a, allows the extraction oil Q to flow into the oil extraction port 34 aafter passing through the filter 64 a.
除去対象の異物、例えば鉱石よりも小さい径である。
The filter 64 atraps the solid material and passes the extraction oil Q. As described in the above embodiment, through-holes may be formed in the filter 64 ato prevent the passage of solid material requiring removal, or fiber-shaped members such as non-woven cloth may be installed asymmetrically as a structure to trap the solid material.
ポンプ１２は、通路の分岐部６０と接続する供給流路６２を設けることで、スラスト軸受５０に対象油Ｑを供給することができる。
In the present embodiment, the junction 92 is joined to the stator 32 in a state allowing vibration of the filter 64 a.
これにより、他の潤滑油を供給する系統を設けずに、スラスト軸受５０に潤滑油を供給することができる。
In other words, the length across the junction 92 is longer than the distance across the junction 92 of stator 32, and a portion of the filter 64 adroops.
また、ポンプ１２は、スラスト軸受５０に対象油Ｑを供給する流路に、配置位置の全域を覆うフィルタ６４を設けることで、フィルタ６４を通過した対象油Ｑをスラスト軸受５０に供給することができる。
The turbulence generator 90 generates a turbulent flow in the extraction oil Q passing through the filter 64 a.
これにより、スラスト軸受５０に供給する対象油Ｑから異物を低減することができ、スラスト軸受５０の寿命を長くすることができる。
The turbulence generator 90 is installed at the end of the inlet 34 aside of the rotor 30.
フィルタ６４は、分岐部６０から通路５８に向かって流れる対象部Ｑの流れ方向に沿って配置している。
The turbulence generator 90 is installed at a plurality of positions along the rotational direction of the rotor 30 and the end shape on the inlet 34 aside of the rotor 30 is made a non-uniform shape.
ここで、ポンプ１２は、ロータ３０が回転し、かつ、分岐部６０が、径方向に傾斜していることで、分岐部６０を流れる対象油Ｑに対して径方向外側に向かう遠心力が働く。
The turbulence generator 90 generates turbulence in the flow of the extraction oil Q passing through the filter 64 aby rotating along with the rotor 30.
この遠心力により、対象油Ｑに含まれる鉱石等の異物（固形物）は、分岐部６０に沿って流れる。
By installing the filter 64 a, the pump illustrated in FIG. 6 can trap the solid material contained in the extraction oil Q flowing into the flow path 34 by the filter 64 a.
このため、分岐部６０から供給配管６２に向かう対象油Ｑは、固形物の含有量が少ない状態となる。
The solid material contained in the extraction oil Q flowing in the supply pipe 64 from the flow path 34 and supplied to the gaps G of the thrust bearing 50 can in this way be reduced, and the need for frequent maintenance of the thrust bearing 50 can be reduced.
これにより、フィルタ６４に向かう対象油Ｑは、分岐部６０から通路５８に向かう対象油Ｑと比較して、相対的に固形物の少ない状態で供給される。
The filter 64 ais fixed to the stator 32 in a state allowing vibration so that the flow of the extraction oil Q can vibrate the filter 64 a, and the volume of the solid material accumulating onto the filter 64 acan be reduced.
これにより、フィルタ６４は、目詰まり等の発生を抑制することができ、フィルタ６４の寿命を長くすることができ、メンテナンスの頻度を低減することができる。
The need for frequent maintenance of the filter 64 acan in this way be reduced.
また、分岐部６０には、フィルタ６４の表面に沿った対象油Ｑの流れが形成されるため、フィルタ６４の表面に固形物が堆積した場合でも、分岐部６０の流れで、固形物をフィルタ６４の表面から移動させることができ、目詰まりを抑制することができる。
In the pump illustrated in FIG. 6, installing the turbulence generator 90 on the rotor 30 near the filter 64 a, and rotating the turbulence generator 90 along with the rotor 30 can generate satisfactory turbulence via the flow of the extraction oil Q passing through the filter 64 a.
フィルタ６４は、上記効果を得ることができるため、ポンプ１２に向かって対象油を供給する通路と供給配管との接続部に設けることが好ましい。
The filter 64 acan in this way vibrate efficiently.
また、フィルタ６４を、表面が、通路の流れに沿う向きに配置することで、目詰まりを抑制することができる。
As also described in the above embodiment, by utilizing a turbulence generator 90 with a blade or vane shape, a more effective turbulent flow can be generated.
なお、本実施形態では、分岐部６０に供給配管６２を接続したが、供給配管６２の接続位置はこれに限定されない。
The turbulence generator 90 is not limited to a blade or vane shape, and may protrude axially or may have irregularities (cavities and protrusions).
供給配管６０は、通路５６に接続しても、通路５８に接続してもよい。
The turbulence generator 90 may also generate turbulence by utilizing a non-uniform structure in the rotational direction.
次に、図６は、スラスト軸受に対象油を供給する機構の他の例を示す断面図である。
FIG. 7 is an overall structural view illustrating another example of the thrust bearing.
図６に示すポンプは、フィルタを設ける位置を除いて他の構成は樹本的に図１から図５に示すポンプ１２と同様である。
As illustrated in FIG. 7, the thrust bearing 50 amay be formed in multiple steps along the axial direction of the center axis CL.
図６に示すポンプは、フィルタ６４ａと、乱流発生部９０と、を含む。
Therefore, the surface pressure acting on each single thrust bearing 50 ais reduced and the gap G can be enlarged.
フィルタ６４ａは、モータ２６の通路３４の入口（採油口）３４ａを覆う位置に配置される。
In structures utilizing extraction oil Q containing solid matter as lubricating oil, the bite-in of solid matter among the first surface 70 a, the second surface 70 b, and the facing parts 72 a, 74 aof the protrusion part 70 is reduced and a long life can be achieved.
フィルタ６４ａは、円形の板状部材であり、外縁の近傍の接合部９２が、モータ２６のステータ３２に接合している。
As illustrated in FIG. 8, when the thrust bearing 50 bis formed in multi-stages along the axial direction of the center axis CL, a spring part 78 may be installed between the protrusion part 70 and at least either of the retainer parts 72, 74.
フィルタ６４ａの入口（採油口）３４ａ側の開口を全て覆うことで、対象油Ｑは、フィルタ６４ａを通過した後、採油口３４ａに流入する。
The bearing pads 76 may also be installed on the protrusion part 70.
フィルタ６４ａは、固形物を捕集し、対象油Ｑを通過させる。
As illustrated in FIG. 7 and FIG. 8, when multi-stage thrust bearings are installed, the supply pipe 62 may be installed at each protrusion part 70 gap, or may be installed so that the extraction oil Q is supplied to the gap of the next protrusion part after passing the gap of one protrusion part.
フィルタ６４ａは、上記実施形態のように、除去対象の固形物が通過しない貫通孔を設けてもよいし、不織布のように繊維状の部材を不規則に配置して、固形物を捕集する構造としてもよい。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment and changes in a range not departing from the spirit and scope of the present invention may be added.
本実施形態のフィルタ６４ａは、振動可能な状態で接合部９２がステータ３２に接合する。
2 Installation surface
つまり、フィルタ６４ａは、接合部９２間の長さが、ステータ３２の接合部９２間の距離よりも長く、一部がたわんでいる。
4 Oil field
乱流発生部９０は、フィルタ６４ａを通過する供給油Ｑの流れに乱れを発生させる。
10 Oil extraction device
乱流発生部９０は、ロータ３０の入口３４ａ側の端部に配置される。
20 Wire
乱流発生部９０は、ロータ３０の回転方向に置いて、複数個所に配置され、ロータ３０の入口３４ａ側の端部の形状を不均一にする。
28 Stationary pipe
本実施形態の乱流発生部９０は、羽根形状である。
28 aInner circumferential surface
乱流発生部９０は、ロータ３０と共に回転することで、フィルタ６４ａを通過する供給油Ｑの流れに乱れを発生させる。
29 Electric cable
図６に示すポンプは、フィルタ６４ａを設けることで、通路３４に流入する対象油Ｑに含まれる固形物をフィルタ６４ａで捕集することができる。
30 aOuter circumference
これにより、通路３４から供給配管６４を流れスラスト軸受５０の隙間Ｇに供給される対象油Ｑに含まれる固形物を低減することができ、スラスト軸受５０のメンテナンスの頻度を低減することができる。
34, 56, 58 Flow path
また、フィルタ６４ａを振動可能な状態でステータ３２に固定することで、対象油Ｑの流れで、フィルタ６４ａを振動させることができ、フィルタ６４ａへの固形物の体積を抑制することができる。
40 Permanent magnet
これにより、フィルタ６４ａのメンテナンスの頻度も低減することができる。
42 Electromagnet
また、図６に示すポンプは、フィルタ６４ａの近傍のロータ３０に乱流発生部９０を設け、乱流発生部９０をロータ３０ともに回転させることで、フィルタ６４ａを通過する対象油Ｑの流れにより好適な乱れを発生させることができる。
50, 50 a, 50 bThrust bearing
これにより、フィルタ６４ａを効率よく振動させることができる。
62 aOil extraction port
また、本実施形態のように、乱流発生部９０を羽根形状とすることで、乱流をより効果的に発生させることができる。
62 bSupply port
なお、乱流発生部９０は、羽根形状に限定されず、軸方向に突出している棒でも、凹凸でもよい。
64, 64 aFilter
乱流発生部９０は、回転方向に不均一な構造とすることで、乱流を発生させる。
70 Protrusion part
図７は、スラスト軸受の他の例を示す概略構成図である。
70 aFirst surface
図７に示すように、スラスト軸受５０ａは、中心軸ＣＬの軸方向に多段に設けられてもよい。
70 bSecond surface
この構成では、スラスト軸受５０ａに対する荷重が中心軸ＣＬの軸方向に分散される。
70 cSide surface
したがって、スラスト軸受５０ａの１つ当たりに作用する面圧を低減し、隙間Ｇを大きくすることが可能となる。
72, 74 Retainer part
このため、固形物を含む対象油Ｑを潤滑油として用いる構成では、突出部７０の第１面７０ａ、第２面７０ｂと、対面部７２ａ、７４ａとの間において固形物の噛み込みが低減され、長寿命化を図ることができる。
72 a, 74 a, 74 bFacing part
図８は、スラスト軸受の他の例を示す概略構成図である。
76 Pad
図８に示すように、スラスト軸受５０ｂは、中心軸ＣＬの軸方向に多段に設けられる場合において、突出部７０と保持部７２、７４の少なくとも一方との間にバネ部７８が設けられてもよい。
78 Spring part
これにより、スラスト軸受５０ａの１つ当たりに作用する面圧の均一化を図ることができる。
90 Turbulence generator
また、軸受パッド７６は、突出部７０に設けられている。
92 Junction
図７及び図８に示すように、スラスト軸受を多段に配置した場合、供給配管６２は、突出部７０の隙間毎に設けてもよいし、１つの突出部の隙間を通過した後、次の突出部の隙間に供給されるようにしてもよい。
94 Vibrating direction
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
G Gap
２ 設置面 ４ 油田 １０ 採油装置 １２ ポンプ １４ 配管 １６ 地上設備 １８ 案内管 ２０ ワイヤ ２２ ポンプ本体 ２４ 連結部 ２６ モータ ２８ 固定筒 ２８ａ 内周面 ２９ 電気ケーブル ３０ ロータ ３０ａ 外周 ３２ ステータ ３４，５６，５８ 通路 ４０ 永久磁石 ４２ 電磁石 ５０，５０ａ，５０ｂ スラスト軸受 ６０ 分岐部 ６２ 供給配管 ６２ａ 採油口 ６２ｂ 供給口 ６４、６４ａ フィルタ ７０ 突出部 ７０ａ 第１面 ７０ｂ 第２面 ７０ｃ 側面 ７２，７４ 保持部 ７２ａ，７４ａ，７４ｂ 対面部 ７６ パッド ７８ バネ部 ９０ 乱流発生部 ９２ 接合部 ９４ 振動方向 Ｇ 隙間 Ｑ 対象油
Q Extraction oil
このほか、図４Ｃに示されるように、感光素子２０２は、第一電極３１０、第二電極３１２、および、半導体層３１４を含んでもよく、半導体層３１４は、第一電極３１０と第二電極３１２との間に設置されてもよい。
In addition, as shown in FIG. 4C, the photosensitive element 202 may include a first electrode 310, a second electrode 312, and a semiconductor layer 314, and the semiconductor layer 314 may be disposed between the first electrode 310 and the second electrode 312.
上述のように、ソース電極層３０８が、感光素子２０２に電気的に接続されてもよい。
As described above, the source electrode layer 308 may be electrically connected to the photosensitive element 202.
特に、いくつかの実施形態において、感光素子２０２の第二電極３１２が、ビアＶ1により、駆動素子３００に電気的に接続されてもよい。
Specifically, in some embodiments, the second electrode 312 of the photosensitive element 202 may be electrically connected to the driving element 300 through a via V1.
一方、いくつかの実施形態において、感光素子２０２の第一電極３１０が、ビアＶ2により、バイアスラインＢＬに電気的に接続されてもよい。
On the other hand, in some embodiments, the first electrode 310 of the photosensitive element 202 may be electrically connected to the bias line BL through a via V2.
このほか、この図に示されるビアＶ1は、基板１０２の法線方向で、感光素子２０２と重複しないが、いくつかのその他の実施形態において、ビアＶ1が、感光素子２０２と重複する場合があることを理解されたい。
In addition, it should be understood that although the via V1 shown in the figure does not overlap with the photosensitive element 202 in the normal direction of the substrate 102, the via V1 may overlap with the photosensitive element 202 in accordance with some other embodiments.
たとえば、ビアＶ1が、感光素子２０２の下に直接設置されてもよい。
For example, the via V1 may be disposed directly below the photosensitive element 202.
さらに、ビアＶ1が感光素子２０２と重複する実施形態において、第二絶縁層４０４の厚さを増加させる必要がある。
Furthermore, in the embodiment where the via V1 overlaps with the photosensitive element 202, the thickness of the second insulating layer 404 needs to be increased.
いくつかの実施形態において、半導体層３１４は、n-i-p構造、あるいは、p-i-n構造を有してもよい。
In some embodiments, the semiconductor layer 314 may have an n-i-p structure or a pi-n structure.
いくつかの実施形態において、ｐ型半導体層材料は、III族元素、たとえば、ボロン、アルミニウム、ガリウム、あるいは、その他の適切なドーピング要素をドープしたアモルファスシリコン半導体を含んでもよいが、これに限定されない。
In some embodiments, the p-type semiconductor layer material may include amorphous silicon semiconductor that is doped with group III elements, such as boron, aluminum, gallium, or other suitable doping elements, but it is not limited thereto.
いくつかの実施形態において、ｎ型半導体層材料は、Ｖ族元素、たとえば、窒素、リン、ヒ素、あるいは、その他の適切なドーピング要素、あるいは、それらの組み合わせをドープしたアモルファスシリコン半導体を含んでもよいが、これに限定されない。
In some embodiments, the n-type semiconductor layer material may include amorphous silicon semiconductor that is doped with group V elements, such as nitrogen, phosphorus, arsenic, or other suitable doping elements or combinations thereof, but it is not limited thereto.
いくつかの実施形態において、第一電極３１０、および、第二電極３１２の材料は、金属導電性材料、透明導電性材料、あるいは、それらの組み合わせを含んでもよいが、これに限定されない。
In some embodiments, the materials of the first electrode 310 and the second electrode 312 may include, but are not limited to, a metal conductive material, a transparent conductive material, or a combination thereof.
金属導電性材料は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅合金、アルミニウム合金、タングステン合金、チタン合金、金合金、プラチナ合金、ニッケル合金、あるいは、それらの組み合わせを含んでもよいが、これに限定されない。
The metal conductive materials may include, but is not limited to, copper (Cu), aluminum (Al), tungsten (W), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper alloy, aluminum alloy, tungsten alloy, titanium alloys, gold alloys, platinum alloys, nickel alloys, or a combination thereof.
透明導電性材料は 透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含んでもよい。
The transparent conductive material may include a transparent conductive oxide (TCO).
たとえば、透明導電性酸化物は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、インジウムスズ亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）、アンチモンスズ酸化物（ＡＴＯ）、アンチモン亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、あるいは、それらの組み合わせを含んでもよいが、これに限定されない。
For example, the transparent conductive oxide may include, but is not limited to, indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium tin zinc oxide (ITZO), antimony tin oxide (ATO), antimony zinc oxide (AZO) or a combination thereof.
いくつかの実施形態において、アレイ層２００は、第三絶縁層４０６、および、第四絶縁層４０８をさらに含んでもよい。
In some embodiments, the array layer 200 may further include a third insulating layer 406 and a fourth insulating layer 408.
第三絶縁層４０６が、感光素子２０２上に設置されてもよく、第四絶縁層４０８が、第三絶縁層４０６上に設置されてもよい。
The third insulating layer 406 may be disposed on the photosensitive element 202, and the fourth insulating layer 408 may be disposed on the third insulating layer 406.
いくつかの実施形態において、第三絶縁層４０６、および、第四絶縁層４０８の材料は、上記の第一絶縁層、および、第二絶縁層と同様であり、したがって、ここでは繰り返さない。
In some embodiments, the materials of the third insulating layer 406 and the fourth insulating layer 408 are similar to that of the aforementioned first insulating layer and second insulating layer, and thus will not be repeated herein.
図４Ｃに示されるように、いくつかの実施形態において、第一ブロック壁１０４Ａ、および、第一シンチレーター素子１０４Ｂが、第四絶縁層４０８上に設置されてもよい。
As shown in FIG. 4C, in some embodiments, the first blocking wall 104A and the first scintillator element 104B may be disposed on the fourth insulating layer 408.
いくつかの実施形態において、基板１０２の法線方向において、第一ブロック壁１０４Ａ、および、第一シンチレーター素子１０４Ｂは、二つの対応する感光素子２０２とそれぞれ重複する。
In some embodiments, in the normal direction of the substrate 102, the first blocking wall 104A and the first scintillator element 104B overlap with the two corresponding photosensitive elements 202, respectively.
基板１０２の法線方向において、第一ブロック壁１０４Ａ、および、第一シンチレーター素子１０４Ｂが、二つの対応する感光素子２０２の半導体層３１４とそれぞれ重複することを注意されたい。
It should be noted that, in the normal direction of the substrate 102, the first blocking wall 104A and the first scintillator element 104B overlap with the semiconductor layers 314 of the two corresponding photosensitive elements 202, respectively.
さらに本発明のいくつかの実施形態において、図１Ｂに示される基板１０２上の感光素子２０２のプロジェクション２０２Ｐを、基板１０２上の半導体層３１４のプロジェクションと見なすことができることを理解されたい。
Furthermore, it should be understood that in accordance with some embodiments of the present disclosure, the projection 202P of the photosensitive element 202 on the substrate 102 shown in FIG. 1B can be regarded as the projection of the semiconductor layer 314 on the substrate 102.
いくつかの実施形態において、基板１０２の法線方向において、第一ブロック壁１０４Ａ、および、第一シンチレーター素子１０４Ｂが、駆動素子３００と重複してもよく、あるいは、重複しなくてもよい。
In some embodiments, in the normal direction of the substrate 102, the first blocking wall 104A and the first scintillator element 104B may overlap or not overlap the driving element 300.
このほか、いくつかの実施形態において、第一ブロック壁１０４Ａの面積、あるいは、第一シンチレーター素子１０４Ｂの面積が、画素領域の面積以下であってもよいが、これに限定されない。
In addition, in some embodiments, the area of the first blocking wall 104A or the first scintillator element 104B may be equal to or smaller than the area of the pixel region, which is not limited in the present disclosure.
上述のように、異なる実施形態によれば、第一ブロック壁１０４Ａ、および、第一シンチレーター素子１０４Ｂが、異なる配置を有してもよい。
As described above, according to different embodiments, the first blocking wall 104A and the first scintillator element 104B may have different arrangements.
具体的には、本発明のその他のいくつかの実施形態による放射線感知装置の概略平面構造図である図５Ａ〜図５Ｆを参照する。
5A to 5F, which are schematic top-view structure diagrams of the radiation-sensing device in accordance with some other embodiments of the present disclosure.
図５Ａに示されるように、いくつかの実施形態において、第一ブロック壁１０４Ａ、および、第一シンチレーター素子１０４Ｂが、一列で交互に配置されてもよく、あるいは、一行で交互に配置されてもよい。
As shown in FIG. 5A, in some embodiments, the first blocking walls 104A and the first scintillator elements 104B may be alternately arranged in a row or in a column.
本実施形態において、同一の行の第一ブロック壁１０４Ａ、あるいは、第一シンチレーター素子１０４Ｂが、同一の行の画素領域に対応してもよいが、本発明は、これに限定されない。
In this embodiment, the first blocking walls 104A or the first scintillator elements 104B in the same row may correspond to the pixel regions in the same row, but the present disclosure is not limited thereto.
いくつかの実施形態において、画素領域が、一つの感光素子２０２、および、一つの駆動素子３００を含んでもよいが、本発明は、これに限定されない。
In some embodiments, the pixel region may include one photosensitive element 202 and one driving element 300, but the present disclosure is not limited thereto.
たとえば、いくつかのその他の実施形態において、画素領域は、一つの感光素子２０２、および、複数の駆動素子３００の組み合わせを含んでもよい。
For example, in some other embodiments, the pixel region may include a combination of one photosensitive element 202 and a plurality of driving elements 300.
さらに、図５Ｂに示されるように、いくつかの実施形態において、第一シンチレーター素子１０４Ｂが、第一ブロック壁１０４Ａ内に分散してもよく、第一ブロック壁１０４Ａが、第一シンチレーター素子１０４Ｂ周辺に設置されてもよい。
Furthermore, as shown in FIG. 5B, in some embodiments, the first scintillator elements 104B may be dispersed in the first blocking wall 104A, and the first blocking wall 104A may be disposed around the first scintillator elements 104B.
本実施形態において、各第一シンチレーター素子１０４Ｂが、一つの画素領域に対応してもよく、第一ブロック壁１０４Ａが、複数の画素領域、たとえば、隣接する画素領域など、に対応してもよいが、本発明は、これに限定されない。
In this embodiment, each first scintillator element 104B may correspond to one pixel region, and the first blocking wall 104A may correspond to a plurality of pixel regions, such as adjacent pixel regions, but the present disclosure is not limited thereto.
このほか、図４Ａ、図５Ａ、および、図５Ｂに示される実施形態において、第一シンチレーター素子１０４Ｂは、四辺が等しい四角形状を有しているが、本発明は、これに限定されない。
In addition, in the embodiments shown in FIG. 4A, FIG. 5A, and FIG. 5B, the first scintillator element 104B has a quadrangular shape with equal sides, but the present disclosure is not limited thereto.
異なる実施形態によれば、第一シンチレーター素子１０４Ｂが、実際の要求に応じて、適切な形状を有することを理解されたい。
It should be understood that according to different embodiments, the first scintillator element 104B may have any suitable shape according to actual needs.
たとえば、図５Ｃ〜図５Ｆに示されるように、いくつかの実施形態において、第一ブロック壁１０４Ａ、および、第一シンチレーター素子１０４Ｂは、等しくない四辺を備えた四角形状を有してもよい。
5C to 5F, in some embodiments, the first blocking wall 104A and the first scintillator element 104B may have quadrangular shapes with four sides that are not equal.
特に、図５Ｃ、および、図５Ｄに示されるように、いくつかの実施形態において、第一ブロック壁１０４Ａ、および、第一シンチレーター素子１０４Ｂは、縦方向(たとえば、Ｙ方向)の辺長が、横方向(たとえば、Ｘ方向)の辺長より大きい四角形状を有してもよい。
Specifically, as shown in FIG. 5C and FIG. 5D, in some embodiments, the first blocking wall 104A and the first scintillator element 104B may have a quadrangular shape whose side length in a longitudinal direction (e.g., the Y direction) is greater than the side length in a lateral direction (e.g., the X direction).
さらに、図５Ｅ、および、図５Ｆに示されるように、いくつかの実施形態において、第一ブロック壁１０４Ａ、および、第一シンチレーター素子１０４Ｂは、横方向(たとえば、Ｘ方向)の辺長が、縦方向(たとえば、Ｙ方向)の辺長より大きい四角形状を有してもよい。
Furthermore, as shown in FIG. 5E and FIG. 5F, in some embodiments, the first blocking wall 104A and the first scintillator element 104B may have a quadrangular shape whose side length in a lateral direction (e.g., the X direction) is greater than the side length in a longitudinal direction (e.g., the Y direction).
図５Ｄ、および、図５Ｆにおいて、第一ブロック壁１０４Ａ、および、第一シンチレーター素子１０４Ｂが、同一方向に沿って配置される。
Furthermore, in FIG. 5C and FIG. 5E, the first blocking walls 104A and the first scintillator elements 104B are staggered; in FIG. 5D and FIG. 5F, the first blocking walls 104A and the first scintillator elements 104B are arranged along the same direction.
いくつかの実施形態において、第一シンチレーター素子１０４Ｂ、および、第一ブロック壁１０４Ａがそれぞれ、一つの画素領域に対応してもよいが、本発明は、これに限定されない。
In some embodiments, each of the first scintillator element 104B and the first blocking wall 104A may correspond to a pixel region, but the present disclosure is not limited thereto.
たとえば、いくつかのその他の実施形態において、二つの隣接する第一ブロック壁１０４Ａ、二つの隣接する第一シンチレーター素子１０４Ｂ、あるいは、二つの隣接する第一ブロック壁１０４Ａおよび第一シンチレーター素子１０４Ｂは、(たとえば、図中の領域Ａ3に示されるように）四辺が等しい四角形状を形成する場合がある。
For example, in some other embodiments, two adjacent first blocking walls 104A, two adjacent first scintillator elements 104B, or two adjacent first blocking walls 104A and first scintillator elements 104B may form a quadrangular shape with four equal sides (e.g., area A3 as shown in the figure).
次に、本発明のその他のいくつかの実施形態による放射線感知装置４０の概略断面構造図である図６Ａを参照する。
Next, refer to FIG. 6A, which is a schematic cross-sectional structure diagram of a radiation-sensing device 40 in accordance with some other embodiments of the present disclosure.
図６Ａに示されるように、いくつかの実施形態において、第一シンチレーター層１０４、および、第二シンチレーター層１０６が、両方とも、画素化されていなくてもよい。
As shown in FIG. 6A, in some embodiments, the first scintillator layer 104 and the second scintillator layer 106 may both be unpixelated.
いくつかの実施形態において、アレイ層２００は、遮光素子５０２をさらに含んでもよい。
In some embodiments, the array layer 200 may further include a light-shielding element 502.
遮光素子５０２は、一部の感光素子２０２上に設置されてもよい。
The light-shielding element 502 may be disposed on a part of the light-sensitive elements 202.
いくつかの実施形態において、遮光素子５０２は、第一シンチレーター層１０４と感光素子２０２との間に設置される。
In some embodiments, the light-shielding element 502 is disposed between the first scintillator layer 104 and the photosensitive element 202.
その他の実施形態において、遮光素子５０２は、第二シンチレーター層１０６と感光素子２０２との間に設置される。
In other embodiments, the light-shielding element 502 is disposed between the second scintillator layer 106 and the photosensitive element 202.
いくつかの実施例において、第一シンチレーター層１０４は、低エネルギー放射線(たとえば、図面に示された放射線Ｘ1など）を可視光(たとえば、図面に示された可視光Ｌ1など）に変換してもよい。
In accordance with some embodiments, the first scintillator layer 104 may convert lower energy radiation (such as the radiation X1 shown in the figure) into visible light (such as the visible light L1 shown in the figure).
さらに、第二シンチレーター層１０６は、高エネルギーのために吸収されない状態で第一シンチレーター層１０４を通過する放射線(たとえば、図面に示された放射線Ｘ2など）を、可視光(たとえば、図面に示された可視光Ｌ2など）に変換してもよい。
Moreover, the second scintillator layer 106 can convert the radiation (such as the radiation X2 shown in the figure) that passes through the first scintillator layer 104 without being absorbed due to higher energy into visible light (such as the visible light L2 shown in the figure).
いくつかの実施形態において、遮光素子５０２が、一部の感光素子２０２に対応して設置されてもよい。
In some embodiments, the light-shielding element 502 may be disposed corresponding to a part of the photosensitive elements 202.
言い換えると、いくつかの実施形態において、基板１０２の法線方向(たとえば、図面中に示されるＺ方向)において、遮光素子５０２は、一部の感光素子２０２(たとえば、図面で２０２ａと名前を付けられた感光素子)と重複してもよい。
In other words, in some embodiments, in the normal direction of the substrate 102 (for example, the Z direction shown in the figure), the light-shielding element 502 may overlap with a part of the photosensitive elements 202 (for example, the photosensitive element labeled 202a in the figure).
このため、ポット１２の中心軸方向の一方は上方、他方は下方となっている。
Thus, one end and the other end in the central axis direction of the pot 12 correspond to the upper direction and lower direction, respectively.
ポット１２は、後述するポット駆動部の駆動に従って回転するものである。
The pot 12 rotates with an operation of a pot driving member 54, which will be described later.
ポット１２の上端側には導糸管挿入口２１が形成されている。
A yarn introduction tube insertion opening 21 is formed on the upper end side of the pot 12.
導糸管挿入口２１は、ポット１２に導糸管１１を挿入するための開口である。
The yarn introduction tube insertion opening 21 is an opening through which the yarn introduction tube 11 is inserted to the pot 12.
ポット１２の下端部には開口部２３が形成されている。
An opening 23 is formed in the bottom end of the pot 12.
導糸管挿入口２１は、ポット１２の内容積を規定する、内壁２２の位置を基準とする直径（以下、「ポット内径」という。）よりも小さな直径で上向きに開口している。
The yarn introduction tube insertion opening 21 is opened upwardly and the diameter of the yarn introduction tube insertion opening 21 is smaller than that of the pot 12 at an inner wall 22 (hereinafter referred to as the pot inner diameter) that sets the volume of the pot 12.
開口部２３は、ポット内径と同じ直径で下向きに開口している。
The opening 23 is opened downward and the diameter of the opening 23 is substantially the same as the pot inner diameter.
図２は、本発明の実施の形態１に係るポット精紡機のポットより下部の構成例を示す概略図である。 
FIG. 2 is a schematic view of the pot spinning machine 1 according to the first embodiment, showing a configuration example of a part of the pot spinning machine 1 below the pot 12.