mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
上側環状板と下側環状板の接合の安定性を高めるために、上側環状板と下側環状板の連結部のへりに、差し込み接ぎに用いる蟻溝と蟻ほぞを対称に設けることができ、蟻接ぎ溝構造によって差し込み接ぎ式の安定した接合を両者に実現する。
To improve the connection stability of the upper ring plates and the lower ring plates, dovetail concave grooves and dovetail convex grooves used for insertion are symmetrically formed in connected edges of the upper ring plates and the lower ring plates, that is, the upper ring plates and the lower ring plates can be stably connected in an inserted manner by means of the dovetail groove structures.
上述の接合コンポーネントの改良を補助し、スラブ複合構造の支持能力及び木材利用率を高めるために、以下の好適な案及び改良案を採用することができる。
To assist in the improvement of the connecting assemblies and improve the bearing capacity of the slab composite structure and the utilization rate of wood, the following preferred and improved solution may be adopted:
上述の折り畳み式木製スラブは、柱近接側スラブと角形スラブが回転軸により接合され、柱近接側スラブは、柱近接側に十字形外木柱とぴったり合うＷ形切り欠きを有しており、隣接する４枚の柱近接側スラブのＷ形切り欠きにより十字形切り欠きが構成される。
Near-column slabs and square slabs of the folding wood slabs are connected through the spindles, W-shaped slots matched with the cross-shaped outer wood column are formed in near-column ends of the near-column slabs, and a cross-shaped slot is formed by the W-shaped slots of the four adjacent near-column slabs.
上述の折り畳み式木製スラブの通り、隣接する４枚の柱近接側スラブは木材鋼材複合柱の外周を取り囲み、角形スラブは柱近接側スラブの外側を取り囲む。
The four adjacent near-column slabs of the folding wood slabs are disposed around the steel-wood composite column, and the square slabs encircle the near-column slabs.
繋ぎ合わせ式スラブ固定方式は、スラブの施工効率を効果的に高めると同時に、スラブと梁・柱相互の固定接合をより改善し、循環型建築を実現することができる。
The fixation manner of the assembled slabs can effectively improve the construction efficiency of the slabs, further improve the fixed connection of the slabs, the beams and the column, and realize cyclically developing buildings.
折り畳み式スラブ中柱複合節点の構造設計の応用を基に、本出願は同時に以下の対応する組立方法を提出する。
On the basis of the structural design of the folding slab and central column composite joint, the present application further provides a corresponding assembly method, which comprises:
第１工程で、十字形外木柱中に鋼スリーブを入れ、横方向鉄筋を溶接して固定し、内木柱を埋め入れ且つその中に柱縦方向鉄筋を挿入する。
Step 1): disposing the steel sleeve in the cross-shaped outer wood column, welding and fixing the horizontal steel bars, filling the inner wood column in the cross-shaped outer wood column, and inserting the column vertical steel bars in the inner wood column;
第２工程で、角形木梁中に長手方向突出鉄筋を挿入し且つ鉄筋を突出させる。
Step 2): inserting the vertical protruding steel bars in the square wood beams, and enabling the steel bars to protrude out of the square wood beams;
第３工程で、組立てられた木材鋼材複合柱及び角形木梁の鉄筋突出部分をねじ山スリーブで連結する。
Step 3): after the steel-wood composite column and the square wood beams are assembled, connecting protruding parts of the steel bars through the threaded sleeves ( 9);
第４工程で、上側環状板、下側環状板を蟻接ぎ溝構造によって差し込み接ぎし、角形板部で繋ぎ合わせて固定して、ツイン環状板を組み立てる。
Step 4): inserting the upper ring plates and the lower ring plates into each other by means of the dovetail groove structures, and assembling and fixing the corner plates of the upper ring plates and the lower ring plates to form the double ring plates;
第５工程で、十字形外木柱は十字形溝を貫通してツイン環状板に嵌め入れられており、ボルトでツイン環状板と十字形外木柱、角形木梁のそれぞれを固定接合する。
Step 5): inserting the cross-shaped outer wood column into the double ring plates via the cross-shaped slots, and fastening and connecting the double ring plates with the cross-shaped outer wood column and the square wood beams through bolts; and
第６工程で、隣接する４枚の折り畳み式木製スラブの柱近接側スラブで十字形外木柱を囲み、ボルトで柱近接側スラブ、角形スラブ及びツイン環状板、角形木梁の重ね固定接合を行う。
Step 6): disposing the four adjacent folding wood slabs around the cross-shaped outer wood column, and overlapping, fastening and connecting the near-column slabs and the square slabs with the double ring plates and the square wood beams through bolts.
回転軸の外周面に摺接するパッド面を有し、中心軸を中心とする周方向に間隔をあけて複数設けられた軸受パッドと、 前記軸受パッドにおいて径方向の外側を向くパッド背面の一部に設けられ、前記中心軸と平行な軸周りに湾曲する湾曲面を有して、前記中心軸の延びる中心軸方向に同一断面形状を有して延びるとともに、前記軸受パッドの前記パッド背面を形成する材料よりも硬度の高い材料から形成されたキー部材と、 前記キー部材の前記湾曲面の周方向の一部に接する支持面を有し、前記キー部材および前記軸受パッドを径方向の外側から揺動自在に支持するハウジングと、を備えるジャーナル軸受。
A journal bearing comprising: a plurality of bearing pads having pad surfaces configured to slidably come into contact with an outer circumferential surface of a rotating shaft and disposed at intervals in a circumferential direction around a central axis; a key member provided at a part of a pad rear surface which faces radially outward in the bearing pad, having a curved surface which is curved around an axis parallel to the central axis, configured to extend to have the same cross-sectional shape in a direction of the central axis in which the central axis extends, and formed of a material having a hardness higher than that of a material forming the pad rear surface of the bearing pad; and a housing having a support surface in contact with a part of the curved surface of the key member in the circumferential direction and configured to support the key member and the bearing pad to be swingable from an outer side in a radial direction of the key member and the bearing pad.
前記軸受パッドは、前記径方向に直交するキー部材取付面を有し、 前記キー部材は、前記キー部材取付面に対向し、前記径方向に直交する固定面を有する請求項１に記載のジャーナル軸受。
The journal bearing according to claim 1, wherein the bearing pad has a key member mounting surface orthogonal to the radial direction, and the key member has a fixed surface which faces the key member mounting surface and is orthogonal to the radial direction.
前記キー部材および前記軸受パッドが揺動した場合に、前記湾曲面のみが前記ハウジングの前記支持面に接触している請求項１または２に記載のジャーナル軸受。
The journal bearing according to claim 1, wherein only the curved surface configures to be in contact with the support surface of the housing when the key member and the bearing pad swing.
前記キー部材の前記湾曲面に形成され、前記湾曲面の前記周方向の中間位置で前記径方向の内側に窪む凹部と、 前記支持面から前記径方向の内側に突出し、前記凹部に挿入された状態で前記キー部材に固定される位置決め部材と、を備える請求項１から３のいずれか一項に記載のジャーナル軸受。
The journal bearing according to claim 1, further comprising a concave portion formed in the curved surface of the key member and recessed radially inward at an intermediate position of the curved surface in the circumferential direction, and a positioning member configured to protrude radially inward from the support surface and fixed to the key member in a state in which it is inserted into the concave portion.
前記キー部材の前記湾曲面と前記軸受パッドの前記パッド背面とは、前記周方向の曲率半径が同一である請求項１から４のいずれか一項に記載のジャーナル軸受。
The journal bearing according to claim 1, wherein the curved surface of the key member and the pad rear surface of the bearing pad have the same curvature radius in the circumferential direction.
前記キー部材の前記湾曲面は、前記軸受パッドの前記パッド背面よりも、前記周方向の曲率半径が小さい請求項１から４のいずれか一項に記載のジャーナル軸受。
The journal bearing according to claim 1, wherein the curved surface of the key member has a smaller curvature radius in the circumferential direction than the pad rear surface of the bearing pad.
回転軸と、 前記回転軸を支持する請求項１〜６のいずれか一項に記載のジャーナル軸受と、 を備える回転機械。
A rotary machine comprising: a rotating shaft; and the journal bearing according to claim 1 which supports the rotating shaft.
このほか、“範囲が第一値から第二値まで”という用語や、 “範囲が第一値と第二値との間”という用語は、この範囲が第一値と、第二値と、これらの間の別の値と、を含んでいることを意味する。
In addition, the terms "the range is from the first value to the second value" and "the range is between the first value and the second value" means that the range includes the first value, the second value, and other values between them.
本発明のいくつかの実施形態において、接合、接続等に関する用語、たとえば、“接続”および“相互接続”は、特に定義されない限り、直接接触している二つの構造を称してもよく、あるいは、直接接触していない二つの構造で、これら二つの構造の間に別の構造があることを称してもしてもよい。
In some embodiments of the present disclosure, the terms concerning attachments, coupling and the like, such as "connecting" and "interconnecting" may refer to the two structures being in direct contact, or may refer to the two structures not being in direct contact and there may be other structures disposed between the two structures, unless specifically defined.
さらに“接続”および“相互接続”に関する用語は、両方の構造が可動である場合、あるいは、両方の構造が固定される場合も含んでいる。
Moreover, the term concerning connecting and interconnecting may also include a case where both structures are movable or both structures are fixed.
一つの素子、あるいは、層が、別の素子、あるいは、層の“上にある”と称されているとき、あるいは、別の素子、あるいは、層に“接続される”と称されているときは、当該別の素子、あるいは、層の上に直接ある可能性があり、または、他の素子、あるいは、層と直接接続する可能性があることを理解されたい。
It should be understood that when an element or layer is referred to as being "on" or "connected to" another element or layer, it can be directly on the other element or layer or directly connected to another element or layer.
ある素子、あるいは、層が接続され、または素子、あるいは、層が間に介在する場合がある。
One element or layer is connected, or there may be intervening elements or layers.
反対に、一つの素子が別の素子、あるいは、層の“上に直接ある”と称されているとき、または別の素子、あるいは、層に“直接”接続されると称されているときは、間に介在する要素は存在しない。
On the contrary, when an element is referred to as being "directly on" or "directly" connected to another element or layer, there are no intervening elements present.
特に定義されない限り、本明細書で用いられる全ての用語（技術的な用語、および、科学的な用語を含む）は、本発明が属する当業者により通常理解されるものと同一の意味を有する。
Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this disclosure belongs.
たとえば通常使用される辞書で定義されたこれらの用語は、本発明の関連技術および背景、あるいは、文脈と一致する意味を有するものとして解釈されるべきであり、開示された実施形態において特に定義されない限り、理想化された方式、あるいは、過度に形式的な方式で解釈されるべきではないことが理解されよう。
It can be understood that these terms, such as those defined in commonly used dictionaries, should be interpreted to have a meaning consistent with the relevant technology and the background or context of this disclosure, and should not be interpreted in an idealized or overly formal manner.
本発明のいくつかの実施形態において、放射線感知装置が提供され、当該放射線感知装置は、画素化(pixelated)されたシンチレーター(scintillator)層を含んでおり、あるいは、感光素子の部分に対応して設置される遮光素子を含んでいる。
In accordance with some embodiments of the present disclosure, a radiation-sensing device is provided, and the radiation-sensing device includes a pixelated scintillator layer or a light-shielding element that is disposed corresponding to parts of the light-sensitive elements.
したがって、単一片の放射線アレイパネルが用いられる状況において、高エネルギー、および、低エネルギーの鮮明な画像が、画像処理後の一回の放射線照射で得ることができる。
Accordingly, in cases where one radiation array panel is used, clear images of high energy and low energy can be obtained in one radiation irradiation after image processing.
図１Ａは、本発明のいくつかの実施形態による放射線感知装置１０の概略断面構造図である。
Refer to FIG. 1A, which is a schematic cross-sectional structure diagram of a radiation-sensing device 10 in accordance with some embodiments of the present disclosure.
明確な説明のために、図１Ａは、放射線感知装置１０のいくつかの構成要素だけが示され、且つ、いくつかの構成要素の詳細な構造は、後続の図面中でさらに記述されることを理解されたい。
It should be understood that, for clear description, FIG. 1A only illustrates some components of the radiation-sensing device 10, and the detailed structures of some components will be further described in subsequent drawings.
このほか、いくつかの実施例によれば、追加の特徴が、以下で記述される放射線感知装置１０に追加される。
In addition, in accordance with some embodiments, additional features may be added to the radiation-sensing device 10 described below.
いくつかの実施例によれば、放射線感知装置１０がＸ線感知装置を含んでいる場合があるが、これに限定されない。
In accordance with some embodiments, the radiation-sensing device 10 may include an X-ray sensing device, but it is not limited thereto.
図１Ａに示されるように、放射線感知装置１０は、基板１０２を含んでいる。
As shown in FIG. 1A, the radiation-sensing device 10 includes a substrate 102.
基板１０２は、第一側１０２ａと、第一側１０２ａとは反対側の第二側１０２ｂとを有してもよく、つまり、第二側１０２ｂは、第一側１０２ａに対向している。
The substrate 102 may have a first side 102a and a second side 102b opposite to the first side 102a, that is, the second side 102b is opposing to the first side 102a.
基板１０２は、第一の厚さＴ1を有してもよい。
The substrate 102 may have a first thickness T1.
いくつかの実施形態において、第一の厚さＴ1は、約１マイクロメーター(μm)〜約２００μmの範囲、あるいは、約５μm〜約８０μmの範囲であってもよいが、これに限定されない。
In some embodiments, the first thickness T1 may be in a range from about 1 micrometer (µm) to about 200 µm, or from about 5 µm to about 80 µm, but it is not limited thereto.
たとえば、第一の厚さＴ1は、１０μm、２０μm、３０μm、４０μm、５０μm、６０μm、あるいは、７０μmであってもよい。
For example, the first thickness T1 may be 10 µm, 20 µm, 30 µm, 40 µm, 50 µm, 60 µm, or 70 µm.
このほか、本発明の実施形態によれば、基板１０２の第一の厚さＴ1は、基板１０２の法線方向(たとえば、図面中に示されるＺ方向)における最大厚さのことを指している。
In addition, in accordance with embodiments of the present disclosure, the first thickness T1 of the substrate 102 refers to its maximum thickness in a normal direction of the substrate 102 (for example, the Z direction shown in the figure).
いくつかの実施形態において、基板１０２は、剛性材料、あるいは、可撓材料を含んでいる。
In some embodiments, the substrate 102 includes a rigid material or a flexible material.
たとえば、いくつかの実施形態において、基板１０２の材料は、ポリカーボネート(ＰＣ)、ポリイミド(ＰＩ)、ポリエチレンテレフタレート(ＰＥＴ)、ゴム、ガラスファイバー、その他の適切な材料、あるいは、それらの組み合わせを含んでもよいが、これに限定されない。
For example, in some embodiments, the material of the substrate 102 may include polycarbonate (PC), polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), rubber, glass fiber, other suitable materials, or a combination thereof, but it is not limited thereto.
いくつかの実施形態において、基板１０２は、金属ガラスファイバー複合板、あるいは、プリント回路板を含んでもよいが、これに限定されない。
In some embodiments, the substrate 102 may include a metal-glass fiber composite plate or a printed circuit board, but it is not limited thereto.
さらに、放射線感知装置１０は、第一シンチレーター層１０４を含み、第一シンチレーター層１０４は、基板１０２の第一側１０２ａに設置されてもよい。
Furthermore, the radiation-sensing device 10 includes a first scintillator layer 104, and the first scintillator layer 104 may be disposed on the first side 102a of the substrate 102.
特に、いくつかの実施例において、第一シンチレーター層１０４は、低エネルギー放射線（たとえば、図面中の点線、放射線Ｘ1）を、可視光(たとえば、図面の実線、可視光Ｌ1)に変換してもよい。
Specifically, in accordance with some embodiments, the first scintillator layer 104 may convert lower-energy radiation (such as the dotted line shown in the figure, radiation X1) into visible light (such as the solid line shown in the figure, visible light L1).
図１Ａに示されるように、いくつかの実施形態において、第一シンチレーター層１０４は、複数の第一ブロック壁１０４Ａ、および、複数の第一シンチレーター素子１０４Ｂを含んでもよく、第一シンチレーター素子１０４Ｂは、ブロック壁１０４Ａ同士の間に位置してもよい。
As shown in FIG. 1A, in some embodiments, the first scintillator layer 104 may include a plurality of first blocking walls 104A and a plurality of first scintillator elements 104B, and the first scintillator element 104B may be located between the blocking walls 104A.
言い換えると、いくつかの実施例において、第一シンチレーター層１０４は画素化され、第一ブロック壁１０４Ａ、および、第一シンチレーター素子１０４Ｂは、互いに距離を隔てている（交互に設置されている）。
In other words, in accordance with some embodiments, the first scintillator layer 104 is pixelated, in which the first blocking wall 104A and the first scintillator element 104B are spaced from each other (disposed alternately).
いくつかの実施形態において、物理的気相成長法（ＰＶＤ）プロセス、化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセス、コーティングプロセス、その他の適切なプロセス、あるいは、それらの組み合わせが用いられて、第一ブロック壁１０４Ａ、および、第一シンチレーター素子１０４Ｂを形成してもよい。
In some embodiments, a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, a coating process, another suitable process, or a combination thereof may be used to form the first blocking wall 104A and the first scintillator element 104B.
物理的気相成長法プロセスは、たとえば、スパッタリングプロセス、蒸発プロセス、あるいは、パルスレーザー蒸着(pulsed laser deposition)を含んでもよい。
The physical vapor deposition process may include, for example, a sputtering process, an evaporation process, or a pulsed laser deposition.
化学気相堆積プロセスは、たとえば、低圧化学気相堆積（ＬＰＣＶＤ）プロセス、低温化学気相堆積（ＬＴＣＶＤ）プロセス、高速熱化学気相堆積（ＲＴＣＶＤ）プロセス、および、プラズマ増強化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセス、あるいは、原子層堆積(ＡＬＤ)プロセスを含んでもよい。
The chemical vapor deposition process may include, for example, a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process, a low temperature chemical vapor deposition (LTCVD) process, a rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) process, and a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, or an atomic layer deposition (ALD) process.
いくつかの実施形態において、画素化された第一シンチレーター層１０４は、パターン形成プロセスにより形成される。
In some embodiments, the pixelated first scintillator layer 104 may be formed by a patterning process.
パターン形成プロセスは、フォトリソグラフィープロセス、および、エッチングプロセスを含んでもよい。
The patterning process may include a photolithography process and an etching process.
フォトリソグラフィープロセスは、これらに限定されないが、フォトレジストコーティング（たとえば、スピンコーティング)、ソフトベーキング(soft baking)、ハードベーキング(hard baking)、マスクアラインメント(mask alignment)、露光、露光後ベーキング(post-exposure baking)、フォトレジスト現像(photoresist development)、洗浄、および、乾燥を含んでもよい。
The photolithography process may include, but is not limited to, photoresist coating (such as spin coating), soft baking, hard baking, mask alignment, exposure, post-exposure baking, photoresist development, cleaning and drying.
エッチングプロセスは、ドライエッチングプロセス、あるいは、ウェットエッチングプロセスを含んでもよいが、これに限定されない。
The etching process may include a dry etching process or a wet etching process, but it is not limited thereto.
いくつかの実施形態において、第一ブロック壁１０４Ａは、反射素材、空気、あるいは、それらの組み合わせを含んでもよい。
In some embodiments, the first blocking wall 104A may include a reflective material, air, or a combination thereof.
言い換えると、いくつかの実施形態において、第一ブロック壁１０４Ａが、実質的に存在しない。
In other words, in some embodiments, the first blocking wall 104A is substantially not existed.
いくつかのその他の実施形態において、第一ブロック壁１０４Ａの反射素材は、高反射率（たとえば、９０％を超える）を有する材料を含んでもよい。
In some other embodiments, the reflective material of the first blocking wall 104A may include a material having a high reflectivity (e.g., greater than 90%).
いくつかの実施形態において、第一ブロック壁１０４Ａの反射素材は、マトリクスと、当該マトリクス中に分散された高反発係数粒子とを含んでもよいが、これに限定されない。
In some embodiments, the reflective material of the first blocking wall 104A may include a matrix and high reflection coefficient particles dispersed in the matrix, but it is not limited thereto.
いくつかの実施形態において、マトリクスは、有機樹脂、ガラスペースト、その他の適切な材料、あるいは、それらの組み合わせを含んでもよいが、これに限定されない。
In some embodiments, the matrix may include organic resin, glass paste, other suitable materials, or a combination thereof, but it is not limited thereto.
いくつかの実施形態において、高反発係数粒子の材料は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、ニオブドープ酸化チタン（ＴＮＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、あるいは、それらの組み合わせを有するが、これに限定されない。
In some embodiments, the material of the high reflection coefficient particles may include silver (Ag), aluminum (Al), titanium (Ti), titanium dioxide (TiO2), niobium-doped titanium oxide (TNO), zinc oxide (ZnO), zirconium dioxide (ZrO2), or a combination thereof, but it is not limited thereto.
いくつかの実施形態において、上述の高反発係数粒子の材料のコーティングを、第一ブロック壁１０４Ａとして用いることもできる。
In some embodiments, a coating of the material of the aforementioned high reflection coefficient particles can also be used as the first blocking wall 104A.
一方、第一シンチレーター素子１０４Ｂは、放射線変換特性を有する材料で形成されてもよい。
On the other hand, the first scintillator element 104B may be formed of a material with radiation-converting properties.
いくつかの実施形態において、第一シンチレーター素子１０４Ｂの材料は、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）、ヨウ化タリウム（ＴｌＩ）、二硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）、その他の適切な材料、あるいは、それらの組み合わせを有するが、これに限定されない。
In some embodiments, the material of the first scintillator element 104B may include cesium iodide (CsI), sodium iodide (Nal), thallium iodide (TlI), gadolinium disulfide (Gd2O2S), other suitable materials, or a combination thereof, but it is not limited thereto.
このほか、放射線感知装置１０は、第二シンチレーター層１０６を含み、第二シンチレーター層１０６は、基板１０２の第二側１０２ｂに設置されてもよい。
In addition, the radiation-sensing device 10 includes a second scintillator layer 106, and the second scintillator layer 106 may be disposed on the second side 102b of the substrate 102.
但し、これは例示的なものであり、タッチセンサ層４００は、表示パネル１００の内部に配置されてもよい。
The first display area DA1 may include a portion overlapping the sensor 300.
ウィンドウ層５００は、タッチセンサ層４００上に配置されてもよい。
The first display area DA1 may have a first pixel density.
ウィンドウ層５００は、表示装置１０００の前面（即ち、表示面）の最も外側に配置されてもよく、外部からの衝撃、スクラッチなどから表示装置１０００の内部の構成要素を保護することができる。
The second display area DA2 may occupy most of the display area DA.
ウィンドウ層５００は、ガラス板及びポリマーフィルムの少なくとも一方で形成されてもよい。
The second display area DA2 may have a second pixel density, and the second pixel density may be greater than the first pixel density.
例えば、ウィンドウ層５００は、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＴ）、または他のポリマー物質のうちの少なくとも１つを含んでもよい。
Here, the pixel density may be defined as the total area (size) of a portion, in which pixels are actually arranged, to the total area (size) of the corresponding display area or as the total area of pixels included in a preset unit area.
ウィンドウ層５００は透明な材料からなるのであってもよい。
Here, the area of a portion in which each pixel is arranged may be the area of the light-emitting surface of a light-emitting element included in the corresponding pixel.
図３は、図１の表示装置の表示領域の一例を概略的に示したものであり、図４ａは、図３の表示領域に含まれる、画素領域と透過領域の一部についての一例を概略的に示す断面図であり、図４ｂは、図３の表示領域に含まれるＥＡ領域についての一例を概略的に示す斜視図である。
In an embodiment, when the pixel includes an organic light-emitting element, the area of the pixel may be the area of an anode electrode exposed between pixel-defining layers or the area of a light-emitting layer, for example.
図１、図３、図４ａ、及び図４ｂを参照すると、表示パネル１００は、第１〜第３表示領域ＤＡ１、ＤＡ２、ＤＡ３を含んでもよい。
Accordingly, the light transmissivity of the first display area DA1 may be higher than that of the second display area DA2, and a predetermined sensing operation by the sensor 300 disposed below the first display area DA1 may be performed.
一実施例では、第１〜第３表示領域ＤＡ１、ＤＡ２、ＤＡ３において第１方向ＤＲ１に配列される画素ＰＸによって画素行が定義され、第１方向ＤＲ１と交差する第２方向ＤＲ２に配列される画素ＰＸによって画素列が定義されるのでありうる。
However, since the first pixel density is lower than the second pixel density, the luminance of the first display area DA1 becomes lower than that of the second display area DA2, so that such a luminance difference may be perceived by the user, thus resulting in inconvenience.
第１表示領域ＤＡ１はセンサ３００に重なり合う部分を含んでもよい。
The third display area DA3 may be interposed between the first display area DA1 and the second display area DA2.
一実施例において、第１表示領域ＤＡ１は、画素ＰＸが配置される画素領域ＰＡと、画素が配置されない透過領域ＴＡを含んでもよい。
The pixel density of the third display area DA3 may vary with relative distances to the first display area DA1 and the second display area DA2.
一実施例において、透過領域ＴＡには画素ＰＸを構成する発光素子及びトランジスタなどが配置されない。
In an embodiment, the pixel density of the third display area DA3 may increase in a direction farther away from the first display area DA1.
即ち、画素ＰＸが配置されないということは、発光素子及び画素回路を構成するトランジスタが配置（または形成）されないと理解することができる。
Also, the pixel density of the third display area DA3 may be higher than the first pixel density and lower than the second pixel density.
一実施例において、第１表示領域ＤＡ１に含まれる画素領域ＰＡと透過領域ＴＡは、図４ａに示したような第３方向ＤＲ３への積層構造を有することができる。
Since the pixel density of the third display area DA3 gradually increases in a direction closer to the second display area DA2, a luminance difference between the first and second display areas DA1 and DA2 may gradually change in the third display area DA3.
ケースなどの基板２００上に配置されるセンサ３００は、画素領域ＰＡと透過領域ＴＡの両方に重なってもよい。
Therefore, a sudden luminance change between the first display area DA1 and the second display area DA2 may not be perceived by the user, and image quality may be improved.
表示パネル１００は、ベース層２１０、画素回路層ＰＣＬ、発光素子層ＥＭＬ、及び封止層ＥＣＬを含んでもよい。
In an embodiment, the widths of the first to third display areas DA1, DA2, and DA3 in a first direction DR1 may be substantially equal to each other.
ベース層２１０は、ガラス、透明プラスチックといった透明絶縁素材を含んでもよい。
In an embodiment, the first direction DR1 may correspond to a pixel row direction (i.e., the scanning direction of scan lines or the arrangement direction of pixels coupled in common to a single scan line), for example.
ベース層２１０上の画素領域ＰＡに、画素回路層ＰＣＬが配置されてもよい。
In this case, the first pixel density, the second pixel density, and the pixel density of the third display area DA3 may be calculated for each pixel row, and may be derived from the number of pixels corresponding to each pixel row.
画素回路層ＰＣＬは、発光素子に連結される少なくとも１つのトランジスタ、キャパシタ、及び信号配線を含む。
The sensor 300 may be interposed between the substrate 200 and the display panel 100.
画素回路層ＰＣＬは、半導体層、複数の絶縁層、及び複数の導電層の相互の積層によって形成されてもよい。
That is, the sensor 300 may be disposed below the rear surface of the display panel 100.
また、図４ｂに示したように、画素回路層ＰＣＬには、複数の信号配線ＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３が連結されてもよい。
The sensor 300 may overlap the first display area DA1.
例えば、信号配線ＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３は、走査信号を伝達する走査線、データ信号を伝達するデータ線、発光制御信号を伝達する発光制御線、電源電圧を伝達する電源線などを含んでもよい。
Although the first display area DA1 is illustrated as being wider than the sensor 300 in FIG. 1, the relationship between the first display area DA1 and the sensor 300 is not limited thereto.
一実施例において、画素回路層ＰＣＬ及び信号配線ＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３は、透過領域ＴＡを回避するようにして配置されてもよい。
In an embodiment, the first display area DA1 and the sensor 300 may be provided to have substantially the same area, or alternatively, the first display area DA1 may be provided to be smaller than the sensor 300, for example.
但し、これは例示的なものであり、信号配線ＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３の少なくとも一部は、透過領域ＴＡを通るように形成されてもよい。
In an embodiment, the sensor 300 may be a photo-sensing (e.g., infrared sensing)-type optical sensor.
画素回路層ＰＣＬ上には、発光素子層ＥＭＬが配置されてもよい。
In an embodiment, the sensor 300 may include a biometric information sensor 310, such as a fingerprint sensor, an iris recognition sensor, and an artery sensor.
発光素子層ＥＭＬは、複数の電極層及び発光層を含んでもよい。
However, this is merely exemplary, and the photo-sensing-type sensor 300 may further include a gesture sensor, a motion sensor, a proximity sensor, an illuminance sensor, or an image sensor.