mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
第一シンチレーター層１０４、および、第二シンチレーター層１０６の実際の厚さを、吸収、あるいは、変換される放射線の波長の範囲、あるいは、エネルギー範囲に従って調整できることを理解されたい。
It should be understood that the actual thicknesses of the first scintillator layer 104 and the second scintillator layer 106 can be adjusted according to the wavelength or energy range of the radiation to be absorbed or converted.
一般に、シンチレーター層の厚さが厚くなるほど、吸収できる放射線のエネルギーも高くなる。
Generally, the larger the thickness of the scintillator layer is, the higher the energy of the radiation it can absorb.
このほか、放射線感知装置１０はさらに、アレイ層２００を含んでいる。
In addition, the radiation-sensing device 10 further includes an array layer 200.
アレイ層２００は、第一シンチレーター層１０４と第二シンチレーター層１０６との間に位置し、且つ、アレイ層２００は、複数の感光素子２０２を有してもよい。
The array layer 200 is located between the first scintillator layer 104 and the second scintillator layer 106, and the array layer 200 may have a plurality of photosensitive elements 202.
いくつかの実施形態において、感光素子２０２が基板１０２上に設置され、且つ、基板１０２の第一側１０２ａに位置し、つまり、感光素子２０２、および、第一シンチレーター層１０４は、基板１０２の同一側に位置する。
In some embodiments, the photosensitive elements 202 is disposed on the substrate 102 and is located on the first side 102a of the substrate 102, that is, the photosensitive element 202 and the first scintillator layer 104 are located on the same side of the substrate 102.
いくつかの実施例において、アレイ層２００が、基板１０２の第一側１０２ａに設置されてもよく、あるいは、第二側１０２ｂに設置されてもよい。
In accordance with some embodiments, the array layer 200 may be disposed on the first side 102a or the second side 102b of the substrate 102.
いくつかの実施形態において、感光素子２０２がフォトダイオードを含んでもよいが、これに限定されない。
In some embodiments, the photosensitive element 202 may include a photodiode, but it is not limited thereto.
いくつかの実施例において、放射線感知装置１０が、たとえば、Ｘ線感知装置であってもよい。
In accordance with some embodiments, the radiation-sensing device 10 may be, for example, an X-ray sensing device.
たとえば、フォトダイオードは、第一シンチレーター層１０４、あるいは、第二シンチレーター層１０６の変換により生成される可視光を電荷に変換し、それを感知画素に保存することができ、その後、(たとえば、図４Ｃに示されるような)駆動素子３００をオンにしたりオフにしたりすることにより、対応する電荷を読み取ることができ、電荷データを生成するとともに、計算により、それをデジタル画像に変換する。
For example, a photodiode can convert the visible light that is generated by the conversion of the first scintillator layer 104 or the second scintillator layer 106 into an electric charge, store it in a sensing pixel, and then the corresponding electric charge can be read through the turn on or turn off of a driving element 300 (for example, as shown in FIG. 4C ), and the electric charge data is generated and converted it into a digital image through calculation.
いくつかの実施形態において、一部の感光素子２０２が、第一ブロック壁１０４Ａに対応して設置されてもよい。
In some embodiments, a part of the photosensitive elements 202 may be disposed corresponding to the first blocking walls 104A.
言い換えると、いくつかの実施形態において、基板１０２の法線方向(たとえば、図面中に示されるＺ方向)において、一部の感光素子２０２(たとえば、図中、２０２ａと名前を付けられた感光素子)が、第一ブロック壁１０４Ａと重複してもよい。
In other words, in some embodiments, in the normal direction of the substrate 102 (for example, the Z direction shown in the figure), a part of the photosensitive elements 202 (for example, the photosensitive element labeled 202a in the figure) may overlap with the first blocking walls 104A.
具体的には、本発明のいくつかの実施形態による基板１０２上の放射線感知装置１０の一部の素子(たとえば、図１Ａ中の領域Ａ1における感光素子２０２、および、第一ブロック壁１０４Ａ)のプロジェクション領域を示す図１Ｂを参照する。
Specifically, refer to FIG. 1B, which is a schematic diagram showing projection areas of some elements of the radiation-sensing device 10 (e.g., the photosensitive elements 202 and the first blocking walls 104A in the area A1 of FIG. 1A ) on the substrate 102 in accordance with some embodiments of the present disclosure.
図１Ｂに示されるように、感光素子２０２が、基板１０２の法線方向(たとえば、図面中に示されるＺ方向)で、プロジェクション２０２Ｐを有してもよく、第一ブロック壁１０４Ａが、基板１０２上で、プロジェクション１０４ＡＰを有してもよい。
As shown in FIG. 1B, the photosensitive element 202 may have a projection 202P in the normal direction of the substrate 102 (for example, the Z direction shown in the figure), and the first blocking wall 104A may have a projection 104AP on the substrate 102.
基板１０２上の第一ブロック壁１０４Ａのプロジェクション１０４ＡＰが、基板１０２上の対応する感光素子２０２のプロジェクション２０２Ｐと重複してもよい。
The projection 104AP of the first blocking wall 104A on the substrate 102 may overlap with the projection 202P of the corresponding photosensitive element 202 on the substrate 102.
いくつかの実施形態において、一部の感光素子２０２のプロジェクション２０２Ｐは、第一ブロック壁１０４Ａのプロジェクション１０４ＡＰ内に全体が位置してもよい。
In some embodiments, the projection 202P of a part of the photosensitive elements 202 may be entirely located in the projection 104AP of the first blocking wall 104A.
このほか、いくつかの実施形態において、第一ブロック壁１０４Ａのプロジェクション１０４ＡＰの面積は、感光素子２０２のプロジェクション２０２Ｐの面積以上であってもよい。
In addition, in some embodiments, the area of the projection 104AP of the first blocking wall 104A may be greater than or equal to the area of the projection 202P of the photosensitive element 202.
いくつかの実施形態において、基板１０２上の第一シンチレーター素子１０４Ｂのプロジェクション１０４ＢＰもまた、基板１０２上の対応する感光素子２０２のプロジェクション２０２Ｐと重複してもよい。
In some embodiments, the projection 104BP of the first scintillator element 104B on the substrate 102 may also overlap with the projection 202P of the corresponding photosensitive element 202 on the substrate 102.
いくつかの実施形態において、一部の感光素子２０２のプロジェクション２０２Ｐもまた、第一シンチレーター素子１０４Ｂのプロジェクション１０４ＢＰ内に全体が位置してもよい。
In some embodiments, the projection 202P of a part of the photosensitive elements 202 may also be entirely located in the projection 104BP of the first scintillator element 104B.
さらに、図１Ａ、および、図１Ｂを参照すると、いくつかの実施形態において、一部の感光素子２０２が、第一シンチレーター素子１０４Ｂに対応して設置されてもよい。
Moreover, referring to FIG. 1A and FIG. 1B, in some embodiments, a part of the photosensitive elements 202 may be disposed corresponding to the first scintillator elements 104B.
言い換えると、いくつかの実施形態において、基板１０２の法線方向(たとえば、図面中に示されるＺ方向)において、一部の感光素子２０２(たとえば、図面において、２０２ｂと名前を付けられた感光素子)は、第一シンチレーター素子１０４Ｂと重複する。
In other words, in some embodiments, in the normal direction of the substrate 102 (for example, the Z direction shown in the figure), a part of the photosensitive elements 202 (e.g., the photosensitive element labeled 202b in the figure) overlap with the first scintillator elements 104B.
本発明のいくつかの実施形態において、“重複”という用語は、基板１０２の法線方向(たとえば、図面中に示されるＺ方向)において、全体的に重複すること、あるいは、部分的に重複することを指していることを理解されたい。
It should be understood that in accordance with some embodiments of the present disclosure, the term "overlap" may refer to entirely overlap or partially overlap in the normal direction of the substrate 102 (for example, the Z direction shown in the figure).
上述の配置において、一部の感光素子２０２(たとえば、感光素子２０２ｂ)は、第一シンチレーター層１０４を介した低エネルギー放射線Ｘ1の変換により生成される可視光Ｌ1と、第二シンチレーター層１０６を介した高エネルギー放射線Ｘ2の変換により生成される可視光Ｌ2と、を同時に受光することができる。
In the above configuration, a part of the photosensitive elements 202 (for example, the photosensitive element 202b) can simultaneously receive the visible light L1 generated by the conversion of the lower energy radiation X1 through the first scintillator layer 104, and the visible light L2 generated by the conversion of the higher energy radiation X2 through the second scintillator layers 106.
受光された可視光Ｌ1、および、可視光Ｌ2は処理されて、高エネルギー放射線の信号と低エネルギー放射線の信号との重畳から変換される画像を生成することができる。
The received visible light L1 and visible light L2 can be processed to generate an image converted from the superposition of higher energy radiation signal and lower energy radiation signal.
一方、一部の感光素子２０２(たとえば、感光素子２０２ａ)は、第二シンチレーター層１０６を介した低エネルギー放射線Ｘ1の変換により生成される可視光Ｌ1を少なくとも受光し、受光された可視光Ｌ1は処理されて、低エネルギー放射線信号から変換されるイメージを生成することができる。
On the other hand, a part of the photosensitive elements 202 (for example, the photosensitive element 202a) receive at least the visible light L1 generated by the conversion of the lower energy radiation X1 through the second scintillator layer 106, and the received visible light L1 can be processed to generate an image converted from the lower energy radiation signal.
いくつかの実施形態において、一部の感光素子２０２(たとえば、感光素子２０２ａ、あるいは、感光素子２０２ｂ)はさらに、エネルギーが高エネルギー放射線の範囲と低エネルギー放射線の範囲とで重複している範囲にある放射線を受けることができる。
In some embodiments, a part of the photosensitive elements 202 (e.g., the photosensitive element 202a or the photosensitive element 202b) can further receive the radiation whose energy is in a range overlapping with the ranges of higher energy radiation and lower energy radiation.
一部の感光素子２０２(たとえば、感光素子２０２ｂ)により生成される、高エネルギー放射線、および、低エネルギー放射線に対応する撮像結果と、一部の感光素子２０２(たとえば、感光素子２０２ａ)により生成される低エネルギー放射線に対応する撮像結果と、にしたがって、画像データの計算を実行でき、高エネルギー放射線の画像(たとえば、骨部分の画像が鮮明である)と、低エネルギー放射線の画像(組織部分の画像が鮮明である)と、を別々に得ることができる。
According to the imaging results corresponding to the higher energy radiation and the lower energy radiation generated by a part of the photosensitive elements 202 (e.g., the photosensitive element 202b) and the image results corresponding to lower energy radiation generated by a part of the photosensitive element 202 (e.g., the photosensitive element 202a), image data calculations can be performed and the images of higher energy radiation (e.g., the image of the bone part is clear) and images of lower energy radiation (the image of the tissue part is clear) can be obtained separately.
たとえば、いくつかの実施形態において、高エネルギー放射線、および、低エネルギー放射線の撮像結果と、低エネルギー放射線の画像と、における特定の部位(たとえば、骨や組織)での信号パラメータに対して、重み付け減法(weighted subtraction)が実行されてもよい。
For example, in some embodiments, weighted subtraction for signal parameters at specific portions (e.g., bones or tissues) in the image results of higher energy radiation and lower energy radiation and the images of lower energy radiation may be conducted.
たとえば、二つの撮像結果の信号パラメータ値に特定の倍率を乗じるとともに減算して、高エネルギー放射線、および、低エネルギー放射線の明確な画像をそれぞれ得ている。
For example, the signal parameter values of the two image results are multiplied by a specific scaling factor and subtracted to obtain clear images of high energy radiation and low energy radiation, respectively.
このほか、本発明のいくつかの実施形態によれば、放射線は、低エネルギーから高エネルギーを有し、高エネルギー放射線のエネルギー範囲が、低エネルギー放射線のエネルギー範囲と部分的に重複し、当該“高エネルギー放射線”とは、当該重複する範囲外から高エネルギーまでの放射線を意味し、当該“低エネルギー放射線”は、低エネルギーから当該重複する範囲外までの放射線を意味することを理解されたい。
In addition, it should be understood that in accordance with some embodiments of the present disclosure, the radiation has a low to high energy range, the energy range of the high energy radiation partially overlaps with the energy range of the low energy radiation, and "higher energy radiation" means radiation from outside the overlapping range to a high energy range, and "lower energy radiation" means radiation from a low energy to outside the overlapping range.
さらに、本発明は、“高エネルギー放射線”および“低エネルギー放射線”が、前述で定義される相対関係を有する限り、当該“高エネルギー放射線”および“低エネルギー放射線”の特定の数値範囲を制限しない。
Furthermore, the present disclosure does not limit the specific numerical ranges of the "higher energy radiation" and the "lower energy radiation" as long as they have the relative relationship defined above.
さらに、いくつかの実施形態において、感光素子２０２は、第一シンチレーター層１０４(あるいは、第一シンチレーター素子１０４Ｂ)から第一の距離Ｄ1だけ離れ、感光素子２０２は、第二シンチレーター層１０６から第二の距離(図示されない)だけ離れ、当該第二の距離を、基板１０２の厚さ(つまり、第一の厚さＴ1)と見なすことができる。
Furthermore, in some embodiments, the photosensitive element 202 is separated from the first scintillator layer 104 (or the first scintillator element 104B) by a first distance D1, and the photosensitive element 202 is separated from the second scintillator layer 106 by a second distance (not illustrated), which can also be regarded as the thickness of the substrate 102 (i.e. the first thickness T1).
いくつかの実施形態において、第一の距離Ｄ1は、第二の距離(第一の厚さＴ1)以下である。
In some embodiments, the first distance D1 is less than or equal to the second distance (first thickness T1).
本発明のいくつかの実施形態によれば、第一の距離Ｄ1は、感光素子２０２と第一シンチレーター素子１０４Ｂとの間の最小距離のことを指しており、第二の距離Ｄ2は、感光素子２０２と第二シンチレーター層１０６との間の最小距離のことを指している。
In accordance with some embodiments of the present disclosure, the first distance D1 refers to the minimum distance between the photosensitive element 202 and the first scintillator element 104B, and the second distance D2 refers to the minimum distance between the photosensitive element 202 and the second scintillator layer 106.
引き続き、図１Ａを参照すると、いくつかの実施形態において、アレイ層２００はさらに、絶縁構造２０４を含んでいる。
Continuing to refer to FIG. 1A, in some embodiments, the array layer 200 further includes an insulating structure 204.
いくつかの実施形態において、絶縁構造２０４は、感光素子２０２を基板２００上にパッケージして固定することができる。
In some embodiments, the insulating structure 204 can package and fix the photosensitive elements 202 on the substrate 102.
いくつかの実施形態において、感光素子２０２は、絶縁構造２０４に組み込まれてもよい。
In some embodiments, the photosensitive element 202 may be embedded in the insulating structure 204.
いくつかの実施形態において、絶縁構造２０４は、シングルレイヤー構造、あるいは、マルチレイヤー構造を有してもよい。
In some embodiments, the insulating structure 204 may have a single-layer or multi-layer structure.
たとえば、いくつかの実施例において、絶縁構造２０４は、さらに、複数の絶縁層を有してもよく、たとえば、図４Ｃ、あるいは、図６Ｃに示されるように、第一絶縁層４０２、第二絶縁層４０４、第三絶縁層４０６、および、第四絶縁層４０８など、を有してもよい。
For example, in accordance with some embodiments, the insulating structure 204 may further include a plurality of insulating layers, such as a first insulating layer 402, a second insulating layer 404, a third insulating layer 406, and a fourth insulating layer 408 as shown in FIG. 4C or FIG. 6C.
本発明の実施形態における感光素子２０２(絶縁構造２０４を含む)の詳細な構造は以下でさらに記述される。
The detailed structure of the photosensitive element 202 (including the insulating structure 204) in the embodiments of the present disclosure will be further described later.
いくつかの実施形態において、前述の物理的気相成長法(ＰＶＤ)プロセス、化学気相堆積(ＣＶＤ)プロセス、コーティングプロセス、その他の適切なプロセス、あるいは、それらの組み合わせが用いられて、絶縁構造２０４を形成してもよい。
In some embodiments, the foregoing physical vapor deposition (PVD) process, chemical vapor deposition (CVD) process, coating process, other suitable process, or a combination thereof may be used to form the insulating structure 204.
このほか、図１Ａに示されるように、いくつかの実施例において、放射線感知装置１０は、任意で、反射層１０８を含んでもよく、反射層１０８、および、基板１０２は、第二シンチレーター層１０６の２つの対向する側面にそれぞれ設置される。
In addition, as shown in FIG. 1A, in accordance with some embodiments, the radiation-sensing device 10 may optionally include a reflective layer 108, and the reflective layer 108 and the substrate 102 are disposed on two opposite sides of the second scintillator layer 106, respectively.
反射層１０８は、第一シンチレーター層１０４、あるいは、第二シンチレーター層１０６により生成される可視光の利用率を改善することができる。
The reflective layer 108 can improve the utilization rate of visible light generated by the first scintillator layer 104 or the second scintillator layer 106.
一実施例において、第３表示領域ＤＡ３は、第１〜第ｋ（但し、ｋは１より大きい自然数）サブ領域ＳＡ１〜ＳＡｋを含んでもよい。
Also, as illustrated in FIG. 4B, a plurality of signal lines CL1, CL2, and CL3 may be coupled to the pixel circuit layer PCL.
第１サブ領域ＳＡ１は、第１〜第ｋサブ領域ＳＡ１〜ＳＡｋのうちで第１表示領域ＤＡ１に最も近いものであり、第ｋサブ領域ＳＡｋは、第１〜第ｋサブ領域ＳＡ１〜ＳＡｋのうちで、第２表示領域ＤＡ２に最も近いものであってもよい。
In an embodiment, the signal lines CL1, CL2, and CL3 may include a scan line for transferring a scan signal, a data line for transferring a data signal, an emission control line for transferring an emission control signal, a power line for transferring a supply voltage, etc., for example.
一実施例において、第１〜第ｋサブ領域ＳＡ１〜ＳＡｋは、いずれも、１つの画素行に対応することができる。
In an embodiment, the pixel circuit layer PCL and the signal lines CL1, CL2, and CL3 may be disposed to avoid a transmissive area TA.
例えば、第１サブ領域ＳＡ１には透過領域ＴＡが第２間隔Ｗ２で配置され、第２サブ領域ＳＡ２には透過領域ＴＡが第３間隔Ｗ３で配置され、第ｋサブ領域ＳＡｋには透過領域ＴＡが第５間隔Ｗ５で配置されてもよい。
However, this structure is merely exemplary, and at least some of the signal lines CL1, CL2, and CL3 may be provided to pass through a transmissive area TA.
例えば、第１サブ領域ＳＡ１に含まれる、一の透過領域ＴＡと、その次の透過領域ＴＡとの間には３つの画素ＰＸが連続して配置され、第２サブ領域ＳＡ２に含まれる、一の透過領域ＴＡと、その次の透過領域ＴＡとの間には７つの画素ＰＸが連続して配置されるのであってもよい。
The light-emitting element layer EML may be disposed on the pixel circuit layer PCL.
第ｋサブ領域ＳＡｋに含まれる、一の透過領域ＴＡと、その次の透過領域ＴＡとの間には、７つよりも多い数の画素ＰＸが連続して配置されうる。
The light-emitting element layer EML may include a plurality of electrode layers and a light-emitting layer.
即ち、第１サブ領域ＳＡ１から上記第ｋサブ領域ＳＡｋへと行くほど、互いに同じ面積の第１〜第ｋサブ領域ＳＡ１〜ＳＡｋに、それぞれ含まれる画素ＰＸの数が増加するようにすることができる。
The light-emitting element layer EML may also be disposed to avoid a transmissive area TA.
例えば、第１サブ領域ＳＡ１における、画素領域ＰＡに対する透過領域ＴＡの割合が、第２サブ領域ＳＡ２における、画素領域ＰＡに対する透過領域ＴＡの割合よりも大きくてもよい。
In an embodiment, when the light-emitting element layer EML includes an organic light-emitting element, the light-emitting element layer EML may include a first electrode layer (e.g., anode electrode), a second electrode layer (e.g., cathode electrode), and an organic light-emitting layer between the first and second electrode layers, for example.
従って、第１サブ領域ＳＡ１から第ｋサブ領域ＳＡｋへと行くにつれて映像の輝度が次第に増加するようにすることができる。
However, the second electrode layer may be implemented as a common electrode layer, and may be disposed, as a transparent electrode, while extending to the transmissive area TA.
一方、図３に示した透過領域ＴＡの配置は例示的なものであり、第３表示領域ＤＡ３に配置される透過領域ＴＡの位置、間隔、及び大きさは、これに限定されるものではない。
In an embodiment, as illustrated in FIG. 4B, each pixel PX included in the pixel area PA may include a plurality of sub-pixels R, G, and B. The sub-pixels R, G, and B may emit light in different colors, respectively.
第３表示領域ＤＡ３は、第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２との間の輝度の偏差（段差）の視認を緩和することができる画素ＰＸと透過領域ＴＡの配置構造を含むことができる。
In an embodiment, each of the sub-pixels R, G, and B may emit one of red light, green light, and blue light, for example.
図５は、表示領域による輝度差の一例を示すグラフである。
However, the invention is not limited thereto, and the sub-pixels may emit various other colors.
図１、図３、及び図５を参照すると、同じ映像に対して第１〜第３表示領域ＤＡ１〜ＤＡ３の輝度が異なってもよい。
A transparent insulating layer 230 may be disposed in the transmissive area TA on the base layer 210.
一実施例において、第１表示領域ＤＡ１における第１画素密度は、第２表示領域ＤＡ２における第２画素密度より小さくてもよい。
In an embodiment, the transparent insulating layer 230 may have a structure in which at least one inorganic insulating layer and at least one organic insulating layer are stacked.
従って、第１表示領域ＤＡ１の輝度は、第２表示領域ＤＡ２の輝度より低い。
As illustrated in FIG. 4B, the signal lines CL1, CL2, and CL3 may be disposed to avoid the transmissive area TA in order to improve an aperture ratio.
第３表示領域ＤＡ３の画素密度は、第１表示領域ＤＡ１から第２表示領域ＤＡ２へと行くほど高くなってもよい。
However, since this structure is merely exemplary, at least some of the signal lines CL1, CL2, and CL3 may be disposed to pass through the transmissive area TA, and the signal lines CL1, CL2, and CL3 passing through the transmissive area TA may include a transparent conductive material.
従って、第３表示領域ＤＡ３における輝度は、第２表示領域ＤＡ２に近づくにつれて次第に増加するようにすることができる。
The encapsulation layer ECL may be disposed on the light-emitting element layer EML and the transparent insulating layer 230.
図５には、第３表示領域ＤＡ３における輝度(luminance)が、位置(position)に応じて直線的に変化することが示されているが、第３表示領域ＤＡ３における輝度は、第２表示領域ＤＡ２へと近づくにつれて非線形的に増加してもよい。
The encapsulation layer ECL may be provided via an alternate arrangement of at least one inorganic insulating layer and at least one organic insulating layer.
上述したように、本発明の実施例による、表示領域に下方から重なるセンサ３００を含む表示装置１０００は、第１表示領域ＤＡ１からの相対的な距離に応じて画素密度が変化していく第３表示領域ＤＡ３を含んでおり、このことにより、第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２との間の急激な輝度偏差の視認を最小化（または緩和）することができる。
On the encapsulation layer ECL, a touch sensor layer 400 and a window layer 500 may be sequentially arranged.
従って、カメラや生体センサの機能を具現するとともに前面ディスプレイを具現する表示装置１０００において、映像品質が改善されうる。
In this way, each transmissive area TA may be understood to be an area in which pixels PX are removed from the display area DA, and the sensor 300 may sense various information such as biometric information, proximity information, gesture information, etc., using light having passed through the transmissive area TA.
図６ａ及び図６ｂは、図３の表示領域に含まれる第１表示領域の一例を概略的に示したものである。
In an embodiment, the first display area DA1 may include a plurality of pixel rows.
図３、図６ａ、及び図６ｂを参照すると、第１表示領域ＤＡ１は、画素ＰＸを含む画素領域ＰＡと、外部の光をセンサ（図１の３００）に透過させる透過領域ＴＡと、を含んでもよい。
In each of the pixel rows of the first display area DA1, the transmissive areas TA may be disposed at intervals of a first distance W1 along the first direction DR1.
画素ＰＸは、複数の副画素を含んでもよい。
In an embodiment, the first distance W1 may correspond to the width of one pixel area PA, for example.
一実施例において、図６ａに示したように、画素ＰＸ（または１つの画素領域ＰＡ）は、異なる色を発光する第１〜第３副画素ＳＰＸ１、ＳＰＸ２、ＳＰＸ３を含んでもよい。
Here, in the first pixel row included in the first display area DA1, pixels PX may be arranged at positions corresponding to even-numbered pixel columns, and in the second pixel row of the first display area DA1, pixels PX may be arranged at positions corresponding to odd-numbered pixel columns.
第１〜第３副画素ＳＰＸ１、ＳＰＸ２、ＳＰＸ３はストライプパターンで配置されてもよい。
In order to minimize the deterioration of image quality while securing the transmissivity of the first display area DA1, the pixel areas PA and the transmissive areas TA may be alternately arranged in a check pattern, as illustrated in FIG. 3.
例えば、第１副画素ＳＰＸ１は赤色副画素であり、第２副画素ＳＰＸ２は緑色副画素であり、第３副画素ＳＰＸ３は青色副画素であってもよい。
That is, the pixel areas PA and the transmissive areas TA may be alternately arranged in the first direction DR1 and the second direction DR2.
一実施例において、図６ｂに示したように、画素ＰＸ（または１つの画素領域ＰＡ）は第１〜第４副画素ＳＰＸ１、ＳＰＸ２、ＳＰＸ３、ＳＰＸ４を含んでもよい。
However, this is merely exemplary, and positions and arrangement relationships between the pixel areas PA and the transmissive areas TA in the first display area DA1 are not limited thereto.
例えば、第１副画素ＳＰＸ１は赤色副画素であり、第２副画素ＳＰＸ２は緑色副画素であり、第３副画素ＳＰＸ３は青色副画素であり、第４副画素ＳＰＸ４緑色副画素であってもよい。
The second display area DA2 may occupy most of the display area DA.
但し、これは例示的なものであり、副画素の配置及び発光される光の色はこれに限定されない。
In an embodiment, the second display area DA2 does not include transmissive areas TA.
また、副画素のうちの少なくとも１つの面積は、他のいずれかと相違してもよい。
As illustrated in FIG. 3, the first pixel density of the first display area DA1 may be about half the second pixel density of the second display area DA2.
図７ａは、図１の表示装置の一例を示すブロック図である。
In an embodiment, the number of pixels PX included in one pixel row of the first display area DA1 may be half the number of pixels PX included in one pixel row of the second display area DA2, for example.
図７ａにおいて、図１及び図３を参照して説明した、同一または類似する構成要素には同じ参照符号を使用し、重複する説明は省略する。
The third display area DA3 may be interposed between the first display area DA1 and the second display area DA2.
図１、図３、及び図７ａを参照すると、表示装置１０００は、表示パネル１００、センサ３００、及びパネル駆動部を含んでもよい。
The third display area DA3 may mitigate the perception of a luminance difference between the first display area DA1 and the second display area DA2.
パネル駆動部は、走査駆動部(scan driver)２０、データ駆動部(data driver)３０、及びタイミング制御部(timing controller)４０を含んでもよい。
In an embodiment, the third display area DA3 may include transmissive areas TA at preset positions, for example.
一実施例において、表示装置１０００は、画素ＰＸに発光制御信号を供給する発光駆動部と、画素ＰＸに所定の電源電圧ＶＤＤ、ＶＳＳを供給する電源供給部と、をさらに含んでもよい。
The pixel density of the third display area DA3 may increase in a direction farther away from the first display area DA1.
一実施例において、センサ３００は光検知センサであって、表示パネル１００の第１表示領域ＤＡ１の下側に配置されてもよい。
In an embodiment, the third display area DA3 may include first to k-th (where k is a natural number greater than 1) sub-areas SA1 to SAk.
表示パネル１００は第１〜第３表示領域ＤＡ１、ＤＡ２、ＤＡ３を含んでもよい。
Among the first to k-th sub-areas SA1 to SAk, the first sub-area SA1 may be closest to the first display area DA1, and the k-th sub-area SAk may be closest to the second display area DA2.
一実施例において、第１〜第３表示領域ＤＡ１、ＤＡ２、ＤＡ３についての第１方向ＤＲ１における長さは同一であってもよい。
In an embodiment, each of the first to k-th sub-areas SA1 to SAk may correspond to one pixel row.
但し、第１〜第３表示領域ＤＡ１、ＤＡ２、ＤＡ３における画素密度は、互いに異なってもよい。
In a direction from the first sub-area SA1 to the k-th sub-area SAk, distances (i.e., W2, W3, W4, and W5) between the transmissive areas in the first direction DR1 may gradually increase.
第１表示領域ＤＡ１は、第１〜第ｐ（但し、ｐは１より大きい自然数）走査線ＳＬ１〜ＳＬｐにそれぞれ連結される第１〜第ｐ画素行を含んでもよい。
In an embodiment, transmissive areas TA may be disposed at intervals of the second distance W2 in the first sub-area SA1, may be disposed at intervals of the third distance W3 in the second sub-area SA2, and may be disposed at intervals of the fifth distance W5 in the k-th sub-area SAk, for example.
一実施例において、第１〜第ｐ走査線ＳＬ１〜ＳＬｐには、それぞれｉ個の（ｉは１より大きい自然数）画素ＰＸが連結されてもよい。
The third distance W3 may be greater than the second distance W2, and the fifth distance W5 may be greater than the third distance W3.
第３表示領域ＤＡ３は、第ｐ＋１〜第ｑ（但し、ｑはｐ＋１より大きい自然数）走査線ＳＬｐ＋１〜ＳＬｑにそれぞれ連結される第ｐ＋１〜第ｑ画素行を含んでもよい。
In an embodiment, three pixels PX may be consecutively arranged between the transmissive areas TA included in the first sub-area SA1, and seven pixels PX may be consecutively arranged between the transmissive areas TA included in the second sub-area SA2, for example.
一実施例において、第ｐ＋１〜第ｑ走査線ＳＬｐ＋１〜ＳＬｑには、互いに異なる数の画素ＰＸが連結されてもよい。
More than seven pixels PX may be consecutively arranged between the transmissive areas TA included in the k-th sub-area SAk.
例えば、第ｐ＋１走査線ＳＬｐ＋１にはｊ個（但し、ｊはｉより大きい自然数）の画素ＰＸが連結され、第ｑ走査線ＳＬｑにはｋ個（但し、ｋはｊより大きい自然数）の画素ＰＸが連結されてもよい。
In other words, in a direction from the first sub-area SA1 to the k-th sub-area SAk, the number of pixels PX included in each of the first to k-th sub-areas SA1 to SAk having the same area (size) may increase.
即ち、第ｑ走査線ＳＬｑに連結される画素ＰＸの数が、第ｐ＋１走査線ＳＬｐ＋１に連結される画素ＰＸの数より多くてもよい。
In an embodiment, the ratio of transmissive areas TA to pixel areas PA in the first sub-area SA1 may be greater than the ratio of transmissive areas TA to pixel areas PA in the second sub-area SA2, for example.