mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
L’unità di controllo e comando 25 è configurata, inoltre, per rilevare l’apertura/chiusura di ciascuna porta 12 per inviare segnali al gruppo di asciugatura 13 per la regolazione del flusso di aria all’ interno di ciascun vano 1 1.
The control and command unit 25 is also configured to detect the opening/ closing of each door 12 to send signals to the drying unit 13 to regulate the flow of air inside each chamber 11.
Ad esempio, nel momento in cui si apre una porta 12 l’unità di controllo e comando 25 invia un segnale al gruppo di asciugatura 13 per aumentare la pressione di invio dell’aria all’intemo dello specifico vano 11.
For example, when a door 12 is opened, the control and command unit 25 sends a signal to the drying unit 13 to increase the air delivery pressure inside the specific chamber 11.
L’unità di controllo e comando 25 può essere configurata per elaborare specifici programmi di asciugatura, definendo ad esempio durata del ciclo, temperatura dell’ aria, pressione in uscita dell’ aria, umidità, per la tipologia di oggetto da asciugare.
The control and command unit 25 can be configured to process specific drying programs, defining for example cycle duration, air temperature, air outlet pressure, humidity, for the type of object to be dried.
Inoltre, l’unità di controllo e comando 25 può essere configurata per la coordinazione del corpo rotante 15 nella sua rotazione relativamente alla posizione, ad esempio angolare nel caso del corpo rotante 15 cilindrico, dell’ima o più porte 12.
Furthermore, the control and command unit 25 can be configured to coordinate the rotating body 15 in its rotation with respect to the position, for example angular in the case of the cylindrical rotating body 15, of the one or more doors 12.
Ciascun vano 11 al suo interno può presentare una pluralità di ripiani 26 sui quali possono essere posizionati dei dispositivi di contenimento 27 degli oggetti da asciugare.
Each chamber 11, or each compartment 32, can have a plurality of shelves 26 inside it, on which the containing devices 27 of the objects to be dried can be positioned.
Nulla esclude che gli oggetti possano essere direttamente posizionati sul ripiano 26.
There is nothing to exclude the objects from being directly positioned on the shelf 26.
Secondo una forma di realizzazione, a ciascun ripiano 26 può corrispondere uno scomparto che può prevedere una specifica porta 12.
According to one embodiment, a compartment can correspond to each shelf 26 and can provide a specific door 12.
Secondo una variante realizzativa, i dispositivi di contenimento 27 possono essere aperti superiormente ed essere realizzati da una struttura a rete metallica presentate maglie dimensionate per evitare la caduta degli oggetti.
According to a variant embodiment, the containing devices 27 can be open at the top and be made by a metal net structure having meshes sized to prevent objects from falling.
In questo modo gli oggetti possono essere agevolmente lambiti dal aria calda in uscita dalle bocche di ventilazione 14.
In this way, the objects can easily be lapped by the hot air coming out of the ventilation mouths 14.
Secondo un’ulteriore variante realizzativa, i dispositivi di contenimento 27 possono essere selettivamente chiusi superiormente da un coperchio.
According to another variant embodiment, the containing devices 27 can be selectively closed at the top by a lid.
Inoltre, le pareti di ciascun dispositivo di contenimento 27 possono essere continue e presentare almeno un foro passante configurato per collegarsi ad un connettore rapido.
Furthermore, the walls of each containing device 27 can be continuous and have at least one through hole configured to connect to a quick connector.
Il connettore rapido può essere vantaggiosamente impiegato per essere connesso ad eventuali dispositivi del vano 11, ad esempio a tubazioni o connettori che insufflano l’aria calda ai fini dell’asciugatura dell’oggetto, quale un endoscopio 30.
The quick connector can advantageously be used to be connected to possible devices of the chamber 11, for example, pipes or connectors that blow in hot air for the purpose of drying the object, such as an endoscope 30.
Secondo un’ulteriore variante di realizzazione esemplificativamente illustrata in fig. 2, ciascun vano 11 può presentare mezzi per posizionare un oggetto da asciugare.
According to another variant embodiment shown by way of example in fig. 2, each chamber 11, or each compartment 32, can have means for positioning an object to be dried.
Ad esempio, tali mezzi possono essere almeno un gancio 28 ed una pluralità di perni 29 disposti in modo sfalsato per il posizionamento, ad esempio, dell’ endoscopio 30.
For example, said means can be at least one hook 28 and a plurality of pins 29 disposed staggered so as to position, for example, the endoscope 30.
Secondo un’ulteriore variante realizzativa, ciascun vano 11 può essere provvisto di almeno un connettore configurato per essere associato all’estremità dell’endoscopio 30 per permettere di asciugare quest’ultimo anche internamente.
According to another variant embodiment, each chamber 11 can be provided with at least one connector configured to be associated with the end of the endoscope 30 to allow it to be dried internally as well.
Un esempio di connettore, in combinazione con la variante realizzativa sopra riportata, è descritto nella domanda WO-A-2015/068131 depositata a nome della Richiedente.
An example of a connector, in combination with the variant embodiment described above, is described in WO-A-2015/068131 filed in the name of the Applicant.
E chiaro che all’apparato di asciugatura 10 fin qui descritto possono essere apportate modifiche e/o aggiunte di parti, senza per questo uscire dall’ambito del presente trovato.
It is clear that modifications and/or additions of parts can be made to the drying apparatus 10 as described heretofore, without departing from the field and scope of the present invention.
È anche chiaro che, sebbene il presente trovato sia stato descritto con riferimento ad alcuni esempi specifici, una persona esperta del ramo potrà senz’altro realizzare molte altre forme equivalenti di apparato di asciugatura 10, aventi le caratteristiche espresse nelle rivendicazioni e quindi tutte rientranti nell’ambito di protezione da esse definito.
It is also clear that, although the present invention has been described with reference to some specific examples, a person of skill in the art shall certainly be able to achieve many other equivalent forms of drying apparatus 10, having the characteristics as set forth in the claims and hence all coming within the field of protection defined thereby.
Apparato di asciugatura di oggetti comprendente almeno un gruppo di asciugatura (13) configurato per insufflare aria di asciugatura, caratterizzato dal fatto che detto apparato comprende un contenitore (21) associato a detto gruppo di asciugatura (13), in detto contenitore (21) essendo presenti almeno due vani (11) selettivamente apribili da almeno una specifica porta (12), detti almeno due vani (11) essendo configurati mobili per essere posti selettivamente in cooperazione con detta almeno una specifica porta (12).
Drying apparatus as in claim 1, characterized in thatsaid chambers (11) are divided into compartments (32), each comprising its own door (12a-c, 12a'-c').
Apparato come nella rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che comprende un’unica porta (12) attraverso la quale accedere selettivamente ad uno specifico di detti vani (11) che di volta in volta sono presentati rispetto a detta porta (12).
Drying apparatus as in claim 1 or 2, characterized in thatsaid container (21) comprises at least an aperture (24, 24') with which said door (12, 12', 12a-c, 12a'-c') is associated, at least a holding element (34, 34') being positioned between said aperture (24, 24') and said door (12, 12', 12a-c, 12a'-c').
Apparato di asciugatura come nella rivendicazione 1 o 2, caratterizzato dal fatto che detto contenitore (21) comprende un corpo rotante (15) in cui sono ricavati detti almeno due vani (11) isolati tra loro e configurati per posizionarsi selettivamente in una posizione desiderata correlata a detta almeno una specifica porta (12).
Drying apparatus as in claim 1, characterized in thatsaid chambers (11) are separated from each other by at least an interspace (35) made between the respective lateral walls (16).
Apparato come nelle rivendicazioni 2 e 3, caratterizzato dal fatto che detto corpo rotante (15) è configurato per presentare i vani (11) di fronte a detta unica porta (12), essendo detti vani (11) compartimentati rispetto a detto contenitore (21).
Drying apparatus as in claim 1, characterized in thatit comprises a single door (12) through which to selectively access a specific one of said chambers (11) that are presented on each occasion with respect to said door (12).
Apparato come nella rivendicazione 3, caratterizzato dal fatto che ogni vano (11) presenta almeno una sua specifica porta (12) atta ad essere posta selettivamente di fronte all’ utilizzatore mediante detto corpo rotante (15).
Drying apparatus as in any claim hereinbefore, characterized in thatsaid container (21) comprises a rotating body (15) in which said chambers (11) are made, insulated from each other and configured to be selectively positioned in a desired position, such as a loading and/or unloading position of the objects from the drying apparatus.
Apparato di asciugatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni da 3 a 5, caratterizzato dal fatto che detto corpo rotante (15) è associato ad un organo di azionamento (22) per la messa in rotazione di detto corpo rotante (15) ed il selettivo posizionamento di almeno uno specifico vano (11).
Drying apparatus as in claim 6, characterized in thatsaid rotating body (15) is associated with a drive member (22) in order to make said rotating body (15) rotate and to selectively position at least one specific chamber (11).
Apparato di asciugatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni da 3 a 6, caratterizzato dal fatto che detto corpo rotante (15) presenta un asse di rotazione (X’) verticale.
Drying apparatus as in claim 6, characterized in thatsaid rotating body (15) has a vertical axis of rotation (X').
Apparato di asciugatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni da 3 a 6, caratterizzato dal fatto che detto corpo rotante (15) presenta un asse di rotazione (X) orizzontale.
Drying apparatus as in claim 6, characterized in thatsaid rotating body (15) has a horizontal axis of rotation (X).
Apparato come in una qualsiasi delle rivendicazioni da 3 a 8, caratterizzato dal fatto che detti almeno due vani (11) sono ricavati dalla divisione in settori di detto corpo rotante (15).
Drying apparatus as in claim 6, characterized in thatsaid plurality of chambers (11) are made by dividing said rotating body (15) into sectors.
Apparato di asciugatura come nella rivendicazione 8, caratterizzato dal fatto che detti almeno due vani (11) sono basculanti ed incernierati in modo tale che un asse di rotazione (Y) di ciascun vano (11) è eccentrico rispetto al baricentro, detto asse di rotazione (Y) di ciascun vano (11) essendo parallelo rispetto a detto asse di rotazione (X) orizzontale di detto corpo rotante (15).
Drying apparatus as in claim 9, characterized in thatsaid chambers (11) are horizontally pivoting and hinged so that an axis of rotation (Y) of each chamber (11) is eccentric with respect to the center of gravity, said axis of rotation (Y) of each chamber (11) being parallel to said horizontal axis of rotation (X) of said rotating body (15).
Apparato di asciugatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, caratterizzato dal fatto che ciascun vano (11) è collegato singolarmente al gruppo di asciugatura (13) mediante uno specifico condotto di collegamento.
Drying apparatus as in any claim hereinbefore, characterized in thateach chamber (11) has a plurality of shelves (26) for the direct positioning of the objects and/or in order to position containing devices (27) for said objects.
Apparato di asciugatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, caratterizzato dal fatto che ciascun vano (11) presenta una pluralità di ripiani (26) per il posizionamento diretto degli oggetti e/o per posizionare dei dispositivi di contenimento (27) degli oggetti.
Drying apparatus as in any claim hereinbefore, characterized in thateach chamber (11) has means (28, 29) to position an object to be dried.
Apparato di asciugatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni da 1 a 12, caratterizzato dal fatto che ciascun vano (11) presenta mezzi (28, 29) per posizionare un oggetto da asciugare.
Drying apparatus as in any claim hereinbefore, characterized in thatsaid apparatus comprises means (19) for sanitizing the drying air.
Apparato di asciugatura come in una qualsiasi delle rivendicazioni da 1 a 13, caratterizzato dal fatto che detto apparato comprende mezzi di sanificazione (19) dell’aria di asciugatura,
Drying apparatus as in any claim hereinbefore, characterized in thatit comprises a first door (12) for the insertion of the objects to be dried and at least a second door (12") for the extraction of the dried objects.
“DECODIFICATORE DI INDIRIZZO PER UNA MATRICE DI MEMORIA NON VOLATILE UTILIZZANTE TRANSISTORI MOS DI SELEZIONE” La presente invenzione è relativa ad un decodificatore di indirizzo per una matrice di memoria non volatile utilizzante transistori MOS di selezione, per l’indirizzamento e la polarizzazione di relative celle di memoria durante operazioni di programmazione e lettura; in particolare, nel seguito si farà riferimento, senza per questo perdere in generalità, ad una matrice di memoria a cambiamento di fase, cosiddetta PCM o ePCM, dall’inglese “embedded Phase Change Memory”.
The present invention relates generally to memories, and, in particular embodiments, to address decoders for a non-volatile memory array.
In modo noto, le memorie PCM rappresentano una nuova generazione di memorie integrate o “embedded”, in cui, per immagazzinare informazioni, vengono sfruttate le caratteristiche di materiali che hanno la proprietà di commutare fra fasi aventi caratteristiche elettriche diverse.
As it is known, PCM memories represent a new generation of embedded memories, in which the features of materials having the property of switching between phases having different electrical characteristics are exploited to store information.
Tali materiali possono commutare fra una fase amorfa, disordinata, ed una fase cristallina o policristallina, ordinata, e alle due fasi sono associate resistività di valore notevolmente differente, e conseguentemente un differente valore di un dato memorizzato.
These materials may switch between a disorderly amorphous phase and an orderly crystalline or polycrystalline phase, and resistivity of a considerably different value, which consequently correspond to a different value of a datum stored, are associated to the two phases.
Ad esempio, gli elementi del VI gruppo della tavola periodica, quali Tellurio (Te), Selenio (Se), o Antimonio (Sb), chiamati calcogenuri o materiali calcogenici, sono utilizzabili vantaggiosamente per la realizzazione di celle di memoria a cambiamento di fase; in particolare, una lega composta da Germanio (Ge), Antimonio (Sb) e Tellurio (Te), nota come GST (avente composizione chimica Ge2Sb2Te5) trova attualmente largo utilizzo in tali celle di memoria.
For example, the elements of Group VI of the periodic table, such as tellurium (Te), selenium (Se), or antimony (Sb), called chalcogenides or chalcogenic materials, may advantageously be used in the manufacturing of phase-change memory cells.
I cambiamenti di fase possono essere ottenuti aumentando localmente la temperatura delle celle di materiale calcogenico, attraverso elettrodi resistivi, (generalmente noti come riscaldatori o “heater”, disposti a contatto con rispettive regioni di materiale calcogenico.
Phase changes may be obtained by local increase of the temperature of the cells of chalcogenic material, through resistive electrodes (generally known as “heaters”), arranged in contact with respective regions of chalcogenic material.
Elementi di accesso, in particolare transistori MOS, sono collegati ai riscaldatori, ed abilitano selettivamente il passaggio di una corrente elettrica di programmazione attraverso un rispettivo riscaldatore; tale corrente elettrica, per effetto Joule, genera le temperature necessarie per il cambiamento di fase.
Access elements, in particular MOS transistors, are connected to the heaters, and selectively enable passage of a programming electric current through a respective heater.
In particolare, quando il materiale calcogenico si trova nello stato amorfo, ad alta resistività (cosiddetto stato di RESET), è necessario applicare un impulso (o un numero opportuno di impulsi) in corrente/tensione di durata ed ampiezza tali da consentire al materiale calcogenico di raffreddarsi lentamente.
In particular, when the chalcogenic material is in the high-resistivity amorphous state (the so-called RESET state), it is required to apply a current/voltage pulse (or an appropriate number of such pulses) of a duration and amplitude such as to enable the chalcogenic material to cool slowly.
Sottoposto a questo trattamento, il materiale calcogenico cambia il suo stato e commuta dallo stato di alta resistività ad uno stato di bassa resistività (cosiddetto stato di SET).
Subjected to this treatment, the chalcogenic material changes its state and switches from the high-resistivity state to a low-resistivity state (the so-called SET state).
Viceversa, quando il materiale calcogenico si trova nello stato di SET, è necessario applicare un impulso di corrente/tensione di durata appropriata ed elevata ampiezza in modo da far sì che il materiale calcogenico ritorni nello stato amorfo ad elevata resistività (stato di RESET).
Instead, when the chalcogenic material is in the SET state, it is required to apply a current/voltage pulse of an appropriate duration and with a high amplitude for causing the chalcogenic material to return into the high-resistivity amorphous state (RESET state).
In lettura, lo stato del materiale calcogenico viene rilevato applicando una tensione sufficientemente bassa da non causarne un sensibile riscaldamento, e quindi leggendo il valore della corrente che fluisce nella cella di memoria (che nuovamente è selezionata mediante il rispettivo transistore MOS di accesso).
During reading, the state of the chalcogenic material is detected by applying a voltage sufficiently low as not to cause a relevant heating thereof, and then reading the value of the current flowing in the memory cell (which is once again selected by the respective access MOS transistor).
Dato che la corrente è proporzionale alla conduttività del materiale calcogenico, è possibile determinare in quale stato si trova il materiale, e quindi risalire al dato memorizzato nella cella di memoria.
Since the current is proportional to the conductivity of the chalcogenic material, it is possible to determine in which state the material is, and thus to identify the datum stored in the memory cell.
In generale, le memorie PCM offrono importanti vantaggi, tra cui elevate scalabilità e velocità di lettura abbinate a un ridotto consumo di corrente e ad un elevato rendimento; tali vantaggi fanno sì che, almeno in alcuni settori, è lecito ritenere che le memorie PCM possano sostituire memorie non volatili di tipo tradizionale, ad esempio di tipo Flash.
Due to these advantages, at least in some fields, it is justified to consider that PCM memories may replace traditional non-volatile memories, for example of a flash type.
In maggiore dettaglio, e come mostrato schematicamente in figura 1, un dispositivo di memoria non volatile, indicato con 1, comprende una matrice di memoria 2 composta da una pluralità di celle di memoria 3, organizzate in linee di parola, o “WL - Word Line”, e linee di bit, o “BL - Bit Line”.
In greater detail, and as shown schematically in FIG. 1, a non-volatile memory device, designated by 1, comprises a memory array 2made up of a plurality of memory cells 3, arranged in word lines WL, and bit lines BL.
In modo di per sé noto, qui non discusso in dettaglio, la matrice di memoria 2 è suddivisa in settori, indirizzabili separatamente, a cui appartengono un rispettivo numero di word line WL e bit line BL.
In a per se known manner, not discussed in detail herein, the memory array 2is divided into sectors, which may be addressed separately, each having a respective number of word lines WL and bit lines BL.
Ciascuna cella di memoria 3 è costituita da un elemento di memorizzazione 3a e da un elemento di accesso 3b, collegati in serie tra una rispettiva bit line BL ed una linea di riferimento (posta alla tensione di riferimento di massa, GND).
Each memory cell 3is constituted by a memory element 3a and an access element 3b, connected in series between a respective bit line BL and a reference line (set at the ground reference voltage, GND).
L’elemento di memorizzazione 3a include un materiale a cambiamento di fase (ad esempio un calcogenuro, quale il GST), ed è quindi in grado di immagazzinare dati sotto forma di livelli di resistenza associati alle differenti fasi assunte dal materiale stesso.
The memory element 3a includes a phase-change material (for example, a chalcogenide, such as GST), and is thus able to store data in the form of resistance levels associated to the various phases assumed by the material.
L’elemento di accesso 3b è un transistore MOS avente terminale di porta (gate) collegato ad una rispettiva word line WL, terminale di pozzo (drain) collegato all’elemento di memorizzazione 3a, tramite un relativo elemento riscaldatore, e terminale di sorgente (source) collegato alla linea di riferimento (che viene per tale motivo richiamata nel seguito come “source line SL”).
The access element 3b is a MOS transistor having its gate terminal connected to a respective word line WL, its drain terminal connected to the memory element 3a, via a corresponding heater element, and its source terminal connected to the reference line (which, for this reason, is referred to in what follows as “source line SL”).
L’elemento di accesso 3b è controllato e polarizzato in modo da consentire, quando selezionato, il passaggio di una corrente di lettura/programmazione(modifica) attraverso l’elemento di memorizzazione 3a, di valore opportuno durante rispettive operazioni di lettura/programmazione.
The access element 3b is controlled and biased for enabling, when selected, passage of a reading/programming (modifying) current through the memory element 3a, of an appropriate value during respective reading/programming operations.
In particolare, una word line WL collega i terminali di gate degli elementi di accesso 3b allineati lungo una stessa riga; analogamente, una source line SL collega i terminali di source degli elementi di accesso 3b allineati lungo la stessa riga.
In particular, a word line WL connects together the gate terminals of access elements 3b aligned along a same row.
Il dispositivo di memoria non volatile 1 comprende inoltre un decodificatore di indirizzo 10, che comprende uno stadio decodificatore di riga 4 ed uno stadio decodificatore di colonna 5, che permettono di selezionare, sulla base di segnali di indirizzo ricevuti in ingresso (indicati in generale con AS – “Address Signal”), le celle di memoria 3, ed in particolare le relative word line WL e bit line BL, di volta in volta indirizzate, consentendone la polarizzazione a valori di tensione e corrente opportuni durante le operazioni di programmazione (di SET o RESET) e/o di lettura.
The non-volatile memory device 1further comprises an address decoder 10, which includes a row-decoder stage 4and a column-decoder stage 5, which enable selection, on the basis of address signals received at their input (designated in general by AS), of the memory cells 3, and in particular of the corresponding word lines WL and bit lines BL, each time addressed, enabling biasing thereof to appropriate voltage and current values during the programming operations (SET or RESET) and/or the reading operations.