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Il dispositivo elettronico 40 secondo la presente invenzione è, esemplificativamente, uno tra: un transistore MOS di potenza a conduzione verticale, un transistore IGBT di potenza, un MCT (“MOS Controlled Thyristor”).
The electronic device 40 according to the present invention is, by way of example, one of the following: a vertical-conduction power MOS transistor, a power IGBT, or an MCT (MOS-Controlled Thyristor).
Altre applicazioni possono essere previste, secondo necessità.
Other applications may be envisaged, according to need.
Da un esame delle caratteristiche del trovato realizzato secondo la presente invenzione sono evidenti i vantaggi che esso consente di ottenere.
From an examination of the characteristics of the disclosure provided according to the present invention the advantages that it affords are evident.
In particolare, la formazione della regione dielettrica 14 mediante ossidazione di silicio poroso è rapida e poco costosa, e semplifica notevolmente i procedimenti di fabbricazione secondo la tecnica nota.
In particular, formation of the dielectric region 14 by oxidation of porous silicon is fast and far from costly, and considerably simplifies the manufacturing processes according to the prior art.
Inoltre, tale regione dielettrica 14 ha un basso valore di costante dielettrica che consente di ridurre la capacità parassita tra la regione conduttiva di polisilicio 24 (gate) e la porzione dello strato strutturale 2 che si estende al di sotto della regione dielettrica 14 (drain).
Further, said dielectric region 14 has a low value of dielectric constant, which enables reduction of the parasitic capacitance between the conductive polysilicon region 24 (gate) and the portion of the structural layer 2 that extends underneath the dielectric region 14.
La soluzione tecnica secondo la presente invenzione è altresì affidabile, in quanto l’ossido di silicio poroso non genera uno stress significativo all’interfaccia con lo strato strutturale 2.
The technical solution according to the present invention is likewise reliable, in so far as porous silicon oxide does not generate a significant stress at the interface with the structural layer 2.
Di conseguenza, non si osservano significative derive di parametri operativi o danni strutturali al dispositivo elettronico così fabbricato, durante la sua vita operativa.
Consequently, no significant drifts of operating parameters or structural damages to the electronic device thus manufactured are noted during its service life.
Infine, il processo secondo la presente invenzione è flessibile, in quanto la profondità raggiungibile dalla regione dielettrica 14 è regolabile durante la fase di impianto e diffusione della regione impiantata 10.
Finally, the process according to the present invention is flexible, in so far as the depth that may be reached by the dielectric region 14 may be adjusted during the step of implantation and diffusion of the implanted region 10.
Risulta infine chiaro che a quanto qui descritto ed illustrato possono essere apportate modifiche e varianti senza per questo uscire dall’ambito protettivo della presente invenzione, come definito nelle rivendicazioni allegate.
Finally, it is clear that modifications and variations may be made to what has been described and illustrated herein, without thereby departing from the scope of the present invention, as defined in the annexed claims.
In particolare, la presente invenzione può essere adattata per la fabbricazione di un dispositivo elettronico diverso da quello illustrato nelle figure (ad esempio comprendente una diversa configurazione della regione di corpo e/o delle regioni di sorgente).
In particular, the present invention may be adapted for manufacturing an electronic device different from what is illustrated in the figures (for example, comprising a different configuration of the body region and/or of the source regions).
Dispositivo secondo la rivendicazione 1 o 2, in cui detta porta a trincea (6, 14, 16’, 24) include inoltre una regione di protezione (16’) tra la regione dielettrica di ossido di silicio poroso (14) e la regione conduttiva di porta (24), progettata per separare la regione dielettrica di ossido di silicio poroso (14) dalla regione conduttiva di porta (24).
The device according to claim 1 or claim 2, wherein said trench gate (6, 14, 16', 24) further includes a protection region (16') between the dielectric region (14) of porous silicon oxide and the gate conductive region (24), designed for separating the dielectric region (14) of porous silicon oxide from the gate conductive region (24).
Dispositivo secondo la rivendicazione 3, in cui la regione di protezione (16’) è di un materiale elettricamente isolante.
The device according to claim 3, wherein the protection region (16') is of an electrically insulating material.
Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la regione conduttiva di porta (24) è di polisilicio drogato.
The device according to any one of the preceding claims, wherein the gate conductive region (24) is of doped polysilicon.
Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, scelto nel gruppo comprendente: un transistore MOS di potenza a conduzione verticale, un transistore IGBT di potenza, un MCT.
The device according to any one of the preceding claims, chosen in the group comprising: a vertical-conduction power MOS transistor, a power IGBT, and an MCT.
Metodo secondo la rivendicazione 7, in cui la fase di formare la regione di silicio poroso (12) comprende: impiantare specie droganti aventi la seconda conducibilità (P) nel corpo semiconduttore (1, 2), in corrispondenza del lato di fondo (6a) della trincea (6); attivare termicamente dette specie droganti impiantate, formando una regione impiantata (10); eseguire una reazione elettrochimica atta a trasformare detta regione impiantata (10) nella regione di silicio poroso (12).
The method according to claim 7, wherein the step of forming the porous-silicon region (12) comprises:implanting dopant species that have the second conductivity (P) in the semiconductor body (1, 2), at the bottom side (6a) of the trench (6);thermally activating said implanted dopant species, to form an implanted region (10); andcarrying out an electrochemical reaction designed to transform said implanted region (10) into the porous-silicon region (12). implanting dopant species that have the second conductivity (P) in the semiconductor body (1, 2), at the bottom side (6a) of the trench (6); thermally activating said implanted dopant species, to form an implanted region (10); and carrying out an electrochemical reaction designed to transform said implanted region (10) into the porous-silicon region (12).
Metodo secondo la rivendicazione 8, in cui detta fase di impiantare specie droganti include eseguire una pluralità di impianti successivi tra loro con differenti energie di impianto nell’intervallo tra 100 keV e 1000 keV e stessa dose di impianto compresa tra 5·1014e 5·1015atomi/cm3.
The method according to claim 8, wherein said step of implanting dopant species includes carrying out a plurality of successive implantations with different implantation energies in the range comprised between 100 keV and 1000 keV and with the same implantation dose comprised between 5·1014and 5·1015at./cm3.
Metodo secondo la rivendicazione 8 o 9, in cui la fase di eseguire la reazione elettrochimica comprende le sottofasi di: inserire detto corpo semiconduttore (1, 2) in una soluzione elettrolitica acquosa includente acido idrofluoridrico in percentuale tra 5% e 48%; mantenere la soluzione elettrolitica a temperatura ambiente; applicare una corrente di anodizzazione con valore tra 5 mA/cm2e 1000 mA/cm2; 11.
The method according to claim 8 or claim 9, wherein the step of carrying out the electrochemical reaction comprises the substeps of:inserting said semiconductor body (1, 2) in an aqueous electrolytic solution that includes hydrofluoric acid in a percentage comprised between 5% and 48%;maintaining the electrolytic solution at room temperature; andapplying an anodization current having a value comprised between 5 mA/cm2and 1000 mA/cm2. inserting said semiconductor body (1, 2) in an aqueous electrolytic solution that includes hydrofluoric acid in a percentage comprised between 5% and 48%; maintaining the electrolytic solution at room temperature; and applying an anodization current having a value comprised between 5 mA/cm2and 1000 mA/cm2.
Metodo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 8 a 10, in cui la fase di formare la regione di silicio poroso (12) comprende inoltre eseguire un processo di ossidazione termica a temperatura compresa tra 900°C e 1050°C, con rampa di salita in temperatura tra 5 e 60 secondi e mantenimento in temperatura nell’intervallo di 1-10 minuti.
The method according to any one of claims 8 to 10, wherein the step of forming the porous-silicon region (12) further comprises carrying out a thermal-oxidation process at a temperature comprised between 900°C and 1050°C, with an ascending ramp in temperature in an interval of 5 to 60 s, and maintenance of constant temperature in an interval of 1 to 10 min.
Metodo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 7 a 11, comprendente inoltre la fase di formare un dielettrico di porta (20) in corrispondenza di pareti laterali (6b) della trincea (6), configurato per isolare la regione conduttiva di porta (24) dal corpo semiconduttore (1, 2).
The method according to any one of claims 7 to 11, further comprising the step of forming a gate dielectric (20) at side walls (6b) of the trench (6), configured to insulate the gate conductive region (24) from the semiconductor body (1, 2).
Metodo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 7 a 12, comprendente inoltre la fase di formare una regione di protezione (16’) al di sopra della regione dielettrica di ossido di silicio poroso (14), e in cui la fase di formare la regione conduttiva di porta (24) comprende formare la regione conduttiva di porta (24) al di sopra della regione di protezione (16’) in modo tale per cui la regione conduttiva di porta (24) sia separata dalla regione dielettrica di ossido di silicio poroso (14) mediante la regione di protezione (16’).
The method according to any one of claims 7 to 12, further comprising the step of forming a protection region (16') on the dielectric region (14) of porous silicon oxide,and wherein the step of forming the gate conductive region (24) comprises forming the gate conductive region (24) on the protection region (16') so that the gate conductive region (24) is separated from the dielectric region (14) of porous silicon oxide by the protection region (16').
Metodo secondo la rivendicazione 13, in cui la fase di formare la regione di protezione (16’) comprende depositare materiale isolante nella trincea (6).
The method according to claim 13, wherein the step of forming the protection region (16') comprises depositing insulating material in the trench (6).
Il disco rotativo 45 è collegato all’albero motore dell’organo motore 41 dal quale è azionato in rotazione e, quindi, può determinare T oscillazione, o basculamento del vassoio 11.
The rotary disc 45is connected to the drive shaft of the motor member 41by which it is made to rotate, and thus can determine the oscillation or tilting of the tray 11.
L’albero motore è collegato girevolmente al disco rotativo 45, sì che, quest’ultimo, risulta indirettamente sostenuto dal telaio di supporto 42.
The drive shaft is rotatably connected to the rotary disc 45, so that the latter is indirectly supported by the support frame 42.
Il gruppo di movimentazione 12 è provvisto, inoltre, di una barra di oscillazione 47 collegata da un lato al vassoio 11, e, dall’altro lato, collegata scorrevolmente al perno eccentrico 46.
The movement unit 12is also provided with an oscillation bar 47connected on one side to the tray 11, and on the other side is slidably connected to the eccentric pin 46.
Tale barra di oscillazione 47 è incernierata in posizione intermedia al telaio di supporto 42 mediante un perno di oscillazione, o rotazione, 48.
The oscillation bar 47is hinged in an intermediate position to the support frame 42by means of an oscillation or rotation pin 48.
Per collegare la barra di oscillazione 47 al vassoio 11 può essere prevista una piastra di supporto 49, fissata alla barra di oscillazione 47 e sulla quale è disposto un blocchetto di fissaggio 50.
To connect the oscillation bar 47to the tray 11a support plate 49can be provided, attached to the oscillation bar 47and on which an attachment block 50is disposed.
Tale blocchetto di fissaggio 50 può esser collegato al vassoio 11 mediante, vantaggiosamente, un dispositivo magnetico 51 di collegamento.
The attachment block 50can advantageously be connected to the tray 11by means of a magnetic connection device 51.
Tale dispositivo magnetico 51 di collegamento può prevedere ad esempio un primo elemento magnetico associabile al vassoio 11 e atto a cooperare con un secondo elemento magnetico associabile al blocchetto di fissaggio 50, oppure a cooperare con il blocchetto di fissaggio stesso.
The magnetic connection device 51can provide, for example, a first magnetic element associable with the tray 11and able to cooperate with a second magnetic element associable with the attachment block 50or to cooperate with the attachment block itself.
L’azionamento dell’organo motore 41 e quindi la rotazione del relativo albero motore, determina la rotazione del disco rotativo 45 attorno ad un asse di rotazione motore definito dall’albero motore e dal perno eccentrico 46, che è disassato rispetto a tale asse di rotazione motore, trascina in rotazione la barra di oscillazione 47 attorno al citato perno di oscillazione 48.
The drive of the motor member 41, and hence the rotation of the corresponding drive shaft, determines the rotation of the rotary disc 45around a drive rotation axis defined by the drive shaft and the eccentric pin 46, which is misaligned with respect to the drive rotation axis, and makes the oscillation bar 47rotate around the oscillation pin 48.
Si fa qui notare che l’asse di rotazione definito dal perno di oscillazione 48 non coincide con l’asse di rotazione definito dall’albero motore dell’organo motore 41, né con l’asse lungo cui si sviluppa il pemo eccentrico 46.
We must point out here that the axis of rotation defined by the oscillation pin 48does not coincide with the axis of rotation defined by the drive shaft of the motor member 41, nor with the axis along which the eccentric pin 46develops.
Il perno di oscillazione 48, in particolare, è parallelo all’asse di rotazione definito dall’albero motore, così come all’asse lungo cui si sviluppa il perno eccentrico 46.
The oscillation pin 48in particular is parallel to the axis of rotation defined by the drive shaft, as well as to the axis along which the eccentric pin 46develops.
In particolare, la barra di oscillazione 47 presenta un’asola di scorrimento 52 di forma longitudinale allungata, entro la quale è scorrevolmente alloggiato il perno eccentrico 46.
In particular, the oscillation bar 47has a sliding eyelet 52with an elongated longitudinal shape, inside which the eccentric pin 46is slidably housed.
In questo modo il perno eccentrico 46 trascina in oscillazione la barra di oscillazione 47, provocando il moto di oscillazione alternato del vassoio 11 attorno ad un unico asse definito dal citato perno di oscillazione 48.
In this way the eccentric pin 46makes the oscillation bar 47oscillate, causing the alternate oscillation motion of the tray 11around a single axis defined by the oscillation pin 48.
Il gruppo di movimentazione 12 comprende anche un organo sensore 53 in grado di rilevare la posizione del vassoio 11, in particolare la sua inclinazione.
The movement unit 12also comprises a sensor member 53able to detect the position of the tray 11, in particular its inclination.
Come accennato precedentemente, tale gruppo di movimentazione 12 potrebbe essere anche di altro tipo, purché garantisca un’opportuna oscillazione al vassoio 11.
As mentioned above, the movement unit 12could also be of another type provided that it guarantees a suitable oscillation to the tray 11.
Attorno al vassoio 11 è anche previsto il posizionamento di un modulo di comunicazione 54 di tipo RFID, comprendente almeno una scheda elettronica di controllo 55 a cui è collegata un’antenna 56.
Around the tray 11the positioning of an RFID type communication module 54is also provided, comprising at least one electronic control board 55to which an antenna 56is connected.
Vantaggiosamente, tale antenna 56 è posizionata in maniera continua attorno al vassoio 11, in modo da essere presente su ogni lato dello stesso.
Advantageously, the antenna 56is positioned continuously around the tray 11, so as to be present on every side thereof.
Le sacche di raccolta di fluido ematico comprenderanno anch’esse un modulo di comunicazione di tipo RFID, in particolare un’etichetta elettronica provvista di relativo antenna ed atta a comunicare con l’antenna 56 posta in prossimità del vassoio 11.
The hematic fluid collection sacs will also comprise an RFID type communication module, in particular an electronic label provided with a corresponding antenna and able to communicate with the antenna 56located near the tray 11.
Tale antenna 56 viene posizionata in prossimità del vassoio 11 mediante un’unità di supporto 57 posta internamente al corpo principale 13, 13a o 13b.
The antenna 56is positioned close to the tray 11by means of a support unit 57located inside the main body 13, 13a or 13b.
In questo modo si procede all’ automatica lettura dei dati relativi ad una determinata sacca o ad ogni sacca del kit di raccolta, ad esempio i dati relativi al donatore, una volta che questa è posizionata e sul vassoio 11.
In this way, the data for a particular sac or for every sac of the collection kit, for example data relating to the donor, will automatically be read once the sac has been positioned on the tray 11.
Il presente apparato per la raccolta e miscelazione di fluido ematico presenta quindi indubbi vantaggi dal punto di vista ergonomico e dal punto di vista dell’operatività, in quanto provvisto di diversi elementi atti a migliorarne le prestazioni, la flessibilità, la sicurezza ed in generale a semplificarne l’utilizzo.
The present apparatus for the collection and mixing of hematic fluid therefore has undeniable advantages from the point of view of ergonomics and from the point of view of operability, since it is provided with various elements to improve its performance, flexibility, safety and in general to simplify its use.
È chiaro che all’apparato per la raccolta e miscelazione di fluido ematico fin qui descritto possono essere apportate modifiche e/o aggiunte di parti, senza per questo uscire dall’ambito del presente trovato.
It is clear that modifications and/or additions of parts can be made to the apparatus for the collection and mixing of hematic fluid as described heretofore, without departing from the field and scope of the present invention.
È anche chiaro che, sebbene il presente trovato sia stato descritto con riferimento ad alcuni esempi specifici, una persona esperta del ramo potrà senz’altro realizzare molte altre forme equivalenti di apparato per la raccolta e miscelazione di fluido ematico, aventi le caratteristiche espresse nelle rivendicazioni e quindi tutte rientranti nell’ambito di protezione da esse definito.
It is also clear that, although the present invention has been described with reference to some specific examples, a person of skill in the art shall certainly be able to achieve many other equivalent forms of apparatus for the collection and mixing of hematic fluid, having the characteristics as set forth in the claims and hence all coming within the field of protection defined thereby.
Nelle rivendicazioni che seguono, i riferimenti tra parentesi hanno il solo scopo di facilitare la lettura e non devono essere considerati come fattori limitativi per quanto attiene all’ambito di protezione sotteso nelle specifiche rivendicazioni.
In the following claims, the sole purpose of the references in brackets is to facilitate reading: they must not be considered as restrictive factors with regard to the field of protection claimed in the specific claims.
Apparato per la raccolta e miscelazione di fluido ematico, comprendente un corpo principale (13, 13 a, 13b), sul quale è posizionato almeno un vassoio (I la, I la, l lb) atto a ricevere e supportare almeno una sacca connessa fluidicamente ad un tubo di trasferimento di fluido ematico, ed almeno un’interfaccia utente (16, 16a, 16b) per rinserimento e la visualizzazione di dati, caratterizzato dal fatto che detta interfaccia utente (16, 16a, 16b) è associata a detto corpo principale (13, 13a, 13b) mediante mezzi di collegamento amovibile (20, 30, 33) configurati per consentire a detta interfaccia utente (16, 16a, 16b) di essere disposta in una pluralità di diverse posizioni rispetto al corpo principale (13, 13 a, 13b) dell’apparato, in modo che detto apparato possa assumere diverse configurazioni operative.
Apparatus to collect and mix a hematic fluid, comprising a main body, on which at least one tray is positioned, able to receive and support at least a sac connected fluidically to a hematic fluid transfer tube, and at least a user interface to input and display data, wherein said user interface is associated with said main body by means of removable connection means configured to allow said user interface to be disposed in a plurality of different positions with respect to the main body of the apparatus, so that said apparatus can assume different operating configurations.
Apparato secondo la rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che detta interfaccia utente (16) comprende un corpo scatolare (17) associabile in modo amovibile ad un gruppo di supporto (21) solidale a detto corpo principale (13).
Apparatus as in claim 1, wherein said user interface comprises a box-like body removably associable with a support unit integrated with said main body.
Apparato secondo la rivendicazione 1 o 2, caratterizzato dal fatto che detto corpo principale (13) comprende una o più aste di supporto (23) configurate per accogliere l’interfaccia utente (16) in posizione sollevata.
Apparatus as in claim 1, wherein said main body comprises one or more support rods configured to house the user interface in a raised position.
Apparato secondo una qualsivoglia delle precedenti rivendicazioni, caratterizzato dal fatto che comprende un supporto (29) configurato per consentire il posizionamento dell’interfaccia utente (16) su un tavolo o carrello (26) provvisto di un primo piano (27) dove è posizionabile il corpo principale (13) ed un secondo piano (28) dove è posizionabile l’interfaccia utente (16), o viceversa.
Apparatus as in claim 1, further comprising a support configured to allow the positioning of the user interface on a board or slider provided with a first plane where the main body can be positioned and a second plane where the user interface can be positioned, or vice versa.
Apparato secondo una qualsivoglia delle precedenti rivendicazioni, caratterizzato dal fatto che detto corpo principale (13b) è provvisto di sedi (34, 35) di inserimento di un’appendice (33) solidale all’interfaccia utente (16b).
Apparatus as in claim 1, wherein said main body is provided with seatings for the insertion of an appendix integrated with the user interface.