mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
D'altra parte, ridurre Vinpuò rendere inefficiente la conversione di potenza, poiché per ottenere una tensione in DC desiderata si possono dover coinvolgere molti stadi in cascata.
On the other hand, reducing Vin may render power conversion inefficient since many stages in cascade may be involved in achieving a desired DC voltage.
Un circuito per un raccoglitore di energia a RF può comprendere un raddrizzatore multi-stadio basato sulla cosiddetta topologia di Dickson: si veda per es. J. F. Dickson, "On-chip high-voltage generation in NMOS integrated circuits using an improved voltage multiplier technigue IEEE J. Solid-State Circuits, voi.
A circuit for RF energy harvester may include a multi-stage rectifier based on the so-called Dickson's topology: see e.g. J. F. Dickson, “On-chip high-voltage generation in MNOS integrated circuits using an improved voltage multiplier technique,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SSC 11, no. 3, pp. 374-378, June 1976 (incorporated by reference).
Una versione NMOS (per es. con 1'impiego di transistori a canale N) di tale circuito può essere implementata in tecnologia CMOS con transistori connessi a diodo utilizzati come dispositivi di raddrizzamento/pompaggio.
A NMOS version (e.g. using N-channel transistors) of that circuit may be implemented in CMOS technology with diode-connected transistors as pumping/rectifying devices are used.
Tuttavia, le prestazioni di un raddrizzatore multistadio di Dickson possono essere influenzate dalla tensione di soglia dei transistori MOS, che riduce la PCE e determina la tensione di ingresso per attivare il circuito.
However, performance of a Dickson multi-stage rectifier may be affected by the threshold voltage of MOS transistors, which reduces the PCE and sets the input voltage to turn the circuit on.
46, pagine da 1985 a 1997, settembre 2011, la tensione di uscita in continua di un raddrizzatore di Dickson con M+l dispositivi di pompaggio può essere espressa come : dove VAè 1'ampiezza del segnale di ingresso in alternata, C è il condensatore di accoppiamento, CPè la capacità parassita in ciascun nodo di pompaggio, Io è la corrente di uscita media, f è la freguenza di funzionamento, e Vthè la tensione di soglia dei transistori MOS.
Indeed, as shown in the above-captioned Dickson article and in G. Papotto, F. Carrara, G. Palmisano: “A 90-nm CMOS threshold-compensated RF energy harvester,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 46, pp. 1985-1997, September 2011 (incorporated by reference), the dc output voltage of a Dickson rectifier with M+1 pumping devices can be expressed as: Vo=M(CC+CPVA-Io(C+CP)f-Vth)-Vth where VA is the amplitude of the ac input signal, C is the coupling capacitor, CP is the parasitic capacitance at each pumping node, IO is the average output current, f is the operating frequency, and Vth is the threshold voltage of the MOS transistors.
Varie soluzioni che sfruttano una compensazione di soglia completamente passiva possono superare la limitazione della tensione di soglia.
Various solutions exploiting a fully passive threshold compensation may overcome the threshold voltage limitation.
Per esempio, 1'articolo di G. Papotto, et al. menzionato in precedenza applica un concetto ideale di compensazione della tensione di soglia in un raddrizzatore multi-stadio di Dickson usando una tensione di compensazione tra i terminali di gate e di drain dei transistori di pompaggio.
For instance the article by G. Papotto, et al. mentioned in the foregoing applies an ideal concept of threshold voltage compensation in a Dickson multi-stage rectifier is by using a compensation voltage between the gate and drain terminals of the pumping transistors.
Una possibile implementazione di un tale concetto può comportare una auto-compens azione della soglia come descritta, per es., in US 4 214 174 A, con una tensione di compensazione impostata al terminale di source di due transistori adiacenti.
A possible implementation of such a concept may involve a threshold self-compensation as disclosed e.g. in U.S. Pat. No. 4,214,174 A (incorporated by reference), with a compensation voltage is set to the source terminal of two adjacent transistors.
Un inconveniente di una tale soluzione può consistere nel fatto che, a causa del valore limitato della tensione di compensazione disponibile, il livello di compensazione può non essere efficace per un numero elevato di stadi e/o per basse ampiezze a RF.
A drawback of such a solution may lie in that, due to the limited value of compensation voltage available, the compensation level may not be effective for a high number of stages and/or for low RF amplitudes.
D'altra parte, può risultare che la tensione di compensazione sia troppo elevata per un piccolo numero di stadi e/o per alte ampiezze a RF.
On the other hand the compensation voltage may turn out to be way too high for a small number of stages and/or for high RF amplitudes.
L'articolo di G. Papotto, et al. menzionato in precedenza esemplifica la generalizzazione del concetto di fondo di US 4 214 174 A, con una tensione di compensazione impostata al source di 2N transistori adiacenti.
The article by G. Papotto, et al. mentioned in the foregoing exemplifies generalization of the concept underlying U.S. Pat. No. 4,214,174 A, with a compensation voltage set to the source of 2N adjacent transistors.
In tal caso, sebbene suscettibile di essere ottimizzato per un numero elevato di stadi, il livello di compensazione può essere di nuovo eccessivo per un piccolo numero di stadi e/o per ampiezze a RF elevate.
In that case, while adapted to be optimized for a high number of stages, the compensation level may again be excessive for small number of stages and/or high RF amplitudes.
Infine, US 6 037 622 A descrive una auto-compens azione attuata tramite un secondo circuito di pompa di carica, a scapito di un aumento dell'area di silicio e del consumo di potenza, con una conseguente perdita di efficienza di potenza.
Finally, U.S. Pat. No. 6,037,622 A discloses self-compensation performed through a second charge pump circuit, at expense of an increase in silicon area and power consumption, with a consequent loss in power efficiency.
Una o più forme di attuazione come gui esemplificate possono combinare i vantaggi dell'auto-compens azione di soglia del 2N-esimo ordine descritta nei documenti citati in precedenza e possono essere applicate in modo efficiente indipendentemente dal numero di stadi e/o dal livello di tensione di ingresso in alternata.
One or more embodiments as exemplified herein may combine the advantages of the 2Nth order threshold self-compensation described in the documents cited in the foregoing and may be applied efficiently regardless the number of stage and/or the level of ac input voltage.
In tutte le figure, RF+ e RF- indicano due linee di ingresso di un raccoglitore di energia 10 suscettibile di ricevere una tensione di ingresso Vin(t) da una sorgente di energia - non visibile nelle figure.
Throughout the figures, RF+ and RF− denote two input lines to an energy harvester 10adapted to receive an input voltage Vin(t) from an energy source—not visible in the figures.
Una tale sorgente di energia può essere per es. una gualsiasi delle sorgenti di energia menzionate nella parte introduttiva a guesta descrizione.
Such an energy source may be e.g. any of the energy sources mentioned in the introductory portion to this description.
La tensione di ingresso Vin(t) può essere espressa come : Vin(t)=VAsin (ot) dove VAè 1' ampiezza del segnale di ingresso in alternata, co è la freguenza angolare data da co=2nf e f è la freguenza di funzionamento.
The input voltage Vin(t) may be expressed as: Vin(t)=VA sin(ωt) where VA is the amplitude of the ac input signal, ω is the angular frequency given by ω=2πf and f is the operating frequency.
In una o più forme di attuazione, la tensione di ingresso Via(t) può essere applicata in modo differenziale tra RF+ e RF-.
In one or more embodiments, the input voltage Vin(t) may be differentially applied between RF+ and RF−.
In una o più forme di attuazione, la tensione di ingresso può essere applicata a una delle due linee di ingresso (per es. RF+) collegando a massa l'altra linea (per es. RF-).
In one or more embodiments, the input voltage can be applied to one of the two input lines (e.g. RF+) by grounding the other line (e.g. RF−).
In una o più forme di attuazione, una porzione di un raccoglitore di energia può comprendere una stringa di condensatori per es. CPj+i, CPj+2, CPj+3, CPj+4,... (per es. negli schemi delle Figure 1 e 3) e..., CPj+1, CPj+2, CPj+3, CPj+4, CPj+5, CPj+g,... (nello schema della Figura 2) che hanno: - primi terminali connessi in seguenza alternata alle linee RF+ e RF- (per es. CPj+ia RF+, CPj+2a RF-, CPj+3a RF+, CPj+4a RF- e, eventualmente CPj+5a RF+ e CPj+s a RF-), e - secondi terminali connessi ai punti Vj+i, Vj+2, Vj+3, Vj+4(e Vj+5, Vj+g, nella Figura 2) accoppiati ai transistori di pompaggio MNj+χ, MNj+2, MNj+3, MNj+4, (e MNj+5, MNj+g, nella Figura 2).
In one or more embodiments, a portion of an energy harvester may include a string of capacitors e.g...., CPj+1, CPj+2, CPj+3, CPj+4,... (e.g. in the diagrams of FIGS. 1 and 3) and..., CPj+1, CPj+2, CPj+3, CPj+4, CPj+5, CPj+6,... (in the diagram of FIG. 2) having: first terminals connected in an alternate sequence to the lines RF+ and RF− (e.g. CPj+1 to RF+, CPj+2 to RF−, CPj+3 to RF+, CPj+4 to RF− and, possibly CPj+5 to RF+ and CPj+6 to RF−), and second terminals connected to points Vj+1, Vj+2, Vj+3, Vj−4 (and Vj+5, Vj+6, in FIG. 2) coupled to pumping transistors MNj+1, MNj+2, MNj+3, MNj+4, (and MNj+5, MNj+6, in FIG. 2).
In una o più forme di attuazione, i transistori possono essere per es. transistori a effetto di campo guali MOSFET che hanno i loro terminali sorgenti di corrente (vale a dire, il loro source nel caso dei MOSFET ) accoppiati ai punti Vj+i, Vj+2, Vj+3, Vj+4(e Vj+5, Vj+s, nella Figura 2).
In one or more embodiments, the transistors may be e.g. field effect transistors such as MOSFETS having their current generating terminals (that is, their sources in the case of MOSFETs) coupled to the points Vj+1, Vj+2, Vj+3, Vj+4 (and Vj+5, Vj+6, in FIG. 2).
In una o più forme di attuazione, una coppia di condensatori Ccpuò essere accoppiata a ciascun transistore MNj+i, MNj+2, MNj+3, MNj+4, (e MNj+5, MNj+g, nella Figura 2) per es. in una disposizione in cui: un primo condensatore Ccè interposto tra il terminale di drenaggio ( "sink") di corrente e il terminale di controllo (vale a dire, tra il drain e il gate nel caso dei MOSFET) di ciascun transistore, e - un secondo condensatore Ccè posto tra il terminale di controllo (vale a dire, il gate nel caso dei MOSFET) di ciascun transistore e il terminale sorgente di corrente (vale a dire, il source nel caso dei MOSFET) per es. di un transistore successivo nella stringa.
In one or more embodiments, a pair of capacitors Cc may be coupled to each transistor MNj+1, MNj+2, MNj+3, MNj+4, (and MNj+5, MNj+6, in FIG. 2) e.g. in an arrangement wherein: a first capacitor Cc is set between the current sink terminal and the control terminal (that is, between drain and gate in the case of MOSFETs) of each transistor, and a second capacitor Cc is set between the control terminal (that is, the gate in the case of MOSFETs) of each transistor and the current generating terminal (that is, the source in the case of MOSFETs) of e.g. a subsequent transistor in the string.
In una o più forme di attuazione, 1'accoppiamento di compensazione (capacitivo) gui esemplificato dalla connessione serie dei due condensatori Ccè così interposto tra il terminale di sink di corrente (drain) di ciascun transistore (di pompaggio) e il terminale sorgente di corrente (source) di un altro transistore (per es. successivo) nella stringa.
In one or more embodiments, the (capacitive) compensation coupling here exemplified by the series connection of the two capacitors Cc is thus set between the current sink terminal (drain) of each (pumping) transistor and the current generating terminal (source) of another (e.g. subsequent) transistor in the string.
Una tale rappresentazione è puramente esemplificativa e non limitativa delle forme di attuazione : in una o più forme di attuazione, un singolo condensatore Ccpuò essere interposto tra il terminale di sink di corrente (drain) e il terminale di controllo (gate) di ciascun transistore (di pompaggio) o tra il terminale di controllo (gate ) e il terminale sorgente di corrente (source) di un altro transistore (per es. successivo) nella stringa.
Such a representation is merely exemplary and not limitative of the embodiments: in one or more embodiments a single capacitor Cc may be set between the current sink terminal (drain) and the control terminal (gate) of each (pumping) transistor or between the control terminal (gate) and the current generating terminal (source) of another (e.g. subsequent) transistor in the string.
Inoltre, in una o più forme di attuazione, il terminale di sink di corrente (drain) del primo transistore (di pompaggio) (si vedano le Figure da 1 a 3 con j=0) può essere connesso a massa (gnd).
Moreover, in one or more embodiments, the current sink terminal (drain) of the first (pumping) transistor (see FIGS. 1-3with j=0) may be connected to ground (gnd).
Sebbene per es. le Figure 1 e 3 rappresentino solo un piccolo numero di condensatori per es. CPj+i, CPj+2, CPj+3, CPj+4, ---, CPj+q-2, CPj+q_i, e di transistori per es. MNj+1, MNj+2, MNj+3, MNj+4, MNj+q-i, MNj+q, una o più forme di attuazione di raccoglitori di energia 10 come gui esemplificato possono comprendere un numero (molto) più elevato di condensatori/transistori reciprocamente accoppiati come gui esemplificato.
While e.g. FIGS. 1 and 3show just a small number of capacitors e.g. CPj+1, CPj+2, CPj+3, CPj+4,..., CPj+q−2, CPj−q−1, and transistors e.g. MNj+1, MNj+2, MNj−3, MNj−4,..., MNj+q−1, MNj+q, one or more embodiments of energy harvesters 10as exemplified herein may include a (much) higher number of capacitors/transistors mutually coupled as exemplified herein.
In una o più forme di attuazione, un livello o un intervallo ( "range") di tensione di compensazione, Ve per la compensazione di soglia può essere selezionato connettendo i condensatori Ccentro un intervallo di possibili valori impostato tra un valore inferiore o il più basso e un valore superiore o il più alto per il circuito raccoglitore 10.
In one or more embodiments, a level or range of compensation voltage, Vc for the threshold compensation may be selected by connecting the capacitors CC within a range of possible values set between a lower or lowest value and a higher or highest value for the harvester circuit 10.
Per esempio, gli schemi delle Figure 1 e 3 sono esempi di una compensazione del 2° ordine, con il range impostato tra il terminale di sink di corrente (drain) e il terminale sorgente di corrente (source) di due transistori adiacenti (per es. MNj+1e MNj+2, MNj+2eMNj+3, e così via).
For instance, the diagrams of FIGS. 1 and 3are exemplary of 2nd order compensation, with the range set between the current sink terminal (drain) and the current generating terminal (source) of two adjacent transistors (e.g. MNj+1 and MNj+2, MNj−2 and MNj+3, and so on).
Lo schema della Figura 2 è un esempio di una compensazione del 4° ordine, con un range impostato tra il terminale di sink di corrente (drain) e il terminale sorgente di corrente (source) di guattro transistori adiacenti (per es. MNj+χe MNj+4, MNj+2e MNj+s, e così via).
The diagram of FIG. 2exemplary of 4th order compensation, with the range set between the current sink terminal (drain) and the current generating terminal (source) of four adjacent transistors (e.g. MNj+1 and MNj+4, MNj+2 and MNj+5, and so on).
Inoltre, anche lo schema della Figura 4 è un esempio di una compensazione del 4° ordine, con un range impostato tra il terminale di sink di corrente (drain) e il terminale di sink di corrente (drain) di guattro transistori adiacenti (per es. MNj+q-5e MPj+q_2, MNj+q-4e MPj+q_i, MNj+q-3e MPj+q).
Moreover, the diagram of FIG. 4is also exemplary of 4th order compensation, with the range set between the current sink terminal (drain) and the current sink terminal (drain) of four adjacent transistors (e.g. MNj+q−5 and MPj+q−2, MNj+q−4 and MPj+q−1, MNj+q−3 and MPj+q).
Per esempio, nel caso per es. di una compensazione del 6 ordine, 1'intervallo può essere impostato per es. tra il terminale di sink di corrente (drain) e il terminale sorgente di corrente (source) di sei transistori adiacenti, ecc Quei transistori collocati alla fine della schiera ( "array") circuitale, per i quali una tale copertura di range verso transistori - successivi - può non essere fattibile (per es. il transistore MNj+4nelle Figure 1 e 3, o i transistori MN3+4, MNj+s, MNj+s nella Figura 2 nel caso in cui non sia presente alcun transistore successivo) possono essere configurati per es. come transistori a canale P in cascata come esemplificato nelle Figure 1, 3 e 4, con questi transistori PMOS compensati considerando i nodi "verso il basso" nella catena, vale a dire i transistori precedenti nella catena.
For instance, in the case of e.g. 6th order compensation the range may be set between e.g. the current sink terminal (drain) and the current generating terminal (source) of six adjacent transistors, etc. Those transistors located at the end of the circuit array, for which such a range coverage towards—subsequent—transistors may not be feasible (e.g. the transistor MNj+4 in FIGS. 1 and 3, or the transistors MNj−4, MNj+5, MNj+6 in FIG. 2in the case no subsequent transistors are present) may be configured e.g. as cascading P-channel transistors as exemplified in the FIGS. 1, 3 and 4, with these PMOS transistors compensated considering the nodes “downwards” in the chain, that is preceding transistors in the chain.
Per esempio, in una o più forme di attuazione, una coppia di condensatori Ccpuò essere accoppiata ai transistori di pompaggio MNj+q-x, MPj+q, nelle Figure 1 e 3, o MNj+q-5, MNj+q-4, MNj+q_3, MPj+q_2, MPj+q_i, MPj+q, nella Figura 4 per es. in un dispositivo in cui: un primo condensatore Ccè interposto tra il terminale di sink di corrente e il terminale di controllo (vale a dire, tra il drain e il gate nel caso dei MQSFET) di ciascun transistore, e - un secondo condensatore Ccè posto tra il terminale di controllo (vale a dire, il gate nel caso dei MOSFET) di ciascun transistore e il terminale di sink di corrente (vale a dire, il drain nel caso dei MOSFET) di un transistore successivo - o precedente - nella stringa.
For instance, in one or more embodiments, a pair of capacitors Cc may be coupled to the pumping transistors MNj+q−1, MPj+q, in FIGS. 1 and 3, or MNj+q−5, MNj+q−4, MNj+q−3, MPj+q−2, MPj+q−1, MPj+q, in FIG. 4e.g. in an arrangement wherein: a first capacitor Cc is set between the current sink terminal and the control terminal (that is, between drain and gate in the case of MOSFETs) of each transistor, and a second capacitor Cc is set between the control terminal (that is, the gate in the case of MOSFETs) of each transistor and the current sink terminal (that is, the drain in the case of MOSFETs) of a subsequent—or preceding—transistor in the string.
Macchina e metodo per riempire capsule DESCRIZIONE La presente invenzione concerne macchine automatiche per il confezionamento di prodotti farmaceutici e/o alimentari.
This invention relates to automatic machines for the manufacture of pharmaceuticals and/or foodstuffs.
In particolare, l’invenzione si riferisce ad una macchina ed un metodo per riempire capsule, opercoli o elementi similari con un prodotto farmaceutico o alimentare.
In particular, the invention relates to a machine and a method for filling capsules, caps or similar elements with a pharmaceutical or food product.
Sono note varie tipologie di macchine riempitrici disposte per riempire capsule, in particolare capsule del tipo coperchio-fondello realizzate in gelatina dura, con prodotti farmaceutici o alimentari liquidi, in polvere, granuli, compresse, micro-compresse, cronoidi, ecc. Alcune macchine riempitrici note comprendono una torretta, o ruota, di trasferimento, rotante attorno ad un asse verticale e provvista di alloggiamenti o sedi disposte per ricevere le capsule, ed una pluralità di stazioni operative disposte intorno alla suddetta torretta di trasferimento.
Various types of filling machines are known to fill capsules, in particular body-cap type capsules made of hard gelatin, containing liquid or pharmaceuticals or foodstuffs, powder, granules, tablets, micro-tablets, delayed-action drugs, etc. Some known filling machines include a transfer turret, or wheel, which rotates around a vertical axis and is provided with housings or seats for holding the capsules, and a plurality of operating stations disposed around said transfer turret.
Durante la sua rotazione la torretta di trasferimento movimenta le capsule, tipicamente con moto intermittente, o a passo, attraverso le diverse stazioni operative che comprendono una stazione di alimentazione delle capsule, una o più stazioni di dosaggio ed una stazione di chiusura delle capsule.
During its rotation, the transfer turret moves the capsules, typically intermittently or stepwise, through the various operating stations including a capsule feed station, one or more dosing stations, and one capsule closure station.
Nella stazione di alimentazione è previsto un apparato di alimentazione che preleva le capsule da un magazzino e, dopo averle correttamente orientate, le inserisce nelle sedi della torretta di trasferimento.
The capsule feed station is provided with a feeding unit that draws the capsules out from a warehouse and, after correctly orienting and aligning them, inserts the capsules into the transfer turret seats.
Opportuni mezzi provvedono ad aprire le capsule separando i coperchi dai fondelli.
Specific means open the capsules by separating the cap from the body.
Nella stazione di dosaggio il prodotto viene erogato in modo controllato nei fondelli delle capsule.
In the dosage station, the product is dispensed in a controlled manner into the capsule bodies.
Nella stazione di chiusura i coperchi vengono nuovamente accoppiati ai rispettivi fondelli così da chiudere e ricomporre le capsule riempite con il prodotto che sono convogliate in uscita dalla macchina riempitrice.
At the closing station, the cap are placed again on the respective capsule bodies so as to close and recap the capsules filled with the product coming from the filling machine.
Sono note macchine per riempire le capsule con prodotti in polvere, granuli, cronoidi o similari, in cui la stazione di dosaggio comprende una torretta, o ruota, di dosaggio, rotante attorno un rispettivo asse verticale e provvista tipicamente di due gruppi di dosatori volumetrici, tra loro angolarmente distanziati di 180° rispetto all’asse verticale ed in grado di prelevare definite quantità, o dosi, di prodotto da un serbatoio, in una posizione di prelievo, trasferire e quindi rilasciare le dosi nei fondelli delle capsule, in una posizione di rilascio.
Machines for filling the capsules with powdered products, granules, similar delayed-action drugs, where the dosing station comprises a dosage turret or wheel rotating around a respective vertical axis and are typically provided with two sets of volumetric dispensers, between them angularly spaced at 180° with respect to the vertical axis and able to extract certain quantities or doses, of a product from a reservoir at a withdrawal position, transferring and then releasing the dosage into the capsule bodies in a release position.
I dosatori volumetrici di ciascun gruppo sono tra loro angolarmente distanziati e disposti in modo da interagire con un corrispondente numero di capsule alloggiate nelle sedi della torretta di trasferimento.
The volumetric dispensers of each group are angularly spaced apart and arranged so as to interact with a corresponding number of capsules housed in the transfer turret seats.