mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
L’area di supporto 101 comprende una parete principale che preferibilmente ma non limitatamente è sostanzialmente planare e si sviluppa sostanzialmente lungo un piano comprendente un primo asse di riferimento ed un secondo asse di riferimento X, Y tra loro ortogonali.
The support area 101 comprises a main wall that preferably but without limitation is substantially planar and develops substantially along a plane comprising a first reference axis and a second reference axis X, Y, orthogonal to each other.
Tale parete definisce una prima faccia 101a che è la faccia sulla quale viene amovibilmente fissato il dispositivo elettronico 200, ed una seconda faccia 101b, opposta rispetto alla prima faccia 101a.
This wall defines a first face 101a that is the face whereon the electronic device 200 is removably fastened, and a second face 101b, opposite with respect to the first face 101a.
L’area di supporto 101 comprende inoltre delle pareti di trattenimento che si estendono trasversalmente rispetto al piano individuato dalla parete principale dell’area di supporto; in particolare, tali pareti sono perimetrali, e almeno parzialmente ortogonali rispetto al piano X-Y individuato dalla parete principali dell’area di supporto.
The support area 101 further comprises retaining walls that extend transversely with respect to the plane identified by the main wall of the support area; in particular, these walls are perimetric, and at least partially orthogonal with respect to the plane X-Y identified by the main wall of the support area.
Preferibilmente ma non limitatamente, l’area sostanzialmente racchiusa dalle pareti di trattenimento è sostanzialmente pari all’area individuata dalla pianta del dispositivo elettronico 200 così che in uso, ad esempio e non limitatamente mediante inserimento a contrasto, tale dispositivo elettronico 200 possa essere amovibilmente introdotto tra di loro per essere fissato.
Preferably, but without limitation, the area substantially enclosed by the retaining walls is substantially equal to the area identified by the footprint of the electronic device 200 so that in use, for example and without limitation by contrasted insertion, said electronic device 200 can be removably introduced between them to be fixed.
Opzionalmente, quantunque preferibilmente, tanto la prima faccia 101a quanto le pareti di trattenimento possono essere dotati di un rivestimento in gomma o di altri mezzi atti a favorire la presa con il dispositivo elettronico 200 per evitarne lo scivolamento.
Optionally, albeit preferably, both the first face 101a and the retaining walls can be provided with a rubber coating or with other means able to facilitate the grip with the electronic device 200 to prevent it from slipping.
Il supporto 100 oggetto della presente invenzione comprende altresì un elemento distanziatore 102a mobilmente unito all’area di supporto 101 attraverso un giunto snodato e comprende altresì un tirante flessibile 103 che è trattenuto in corrispondenza di un suo primo punto 103a, preferibilmente ma non limitatamente un primo punto d’estremità, in corrispondenza del primo elemento distanziatore 102 ed in corrispondenza di un secondo punto 103b, preferibilmente ma non limitatamente un secondo punto d’estremità opposto al primo, in corrispondenza dell’area di supporto 101.
The support 100 of the present invention further comprises a spacer element 102a movably joined to the support area 101 through an articulated joint 103a and it further comprises a flexible tie-rod 103 that is retained at its first point 103a, preferably but without limitation a first end point, at the first spacer element 102 and at a second point 103b, preferably but without limitation a second end point opposite the first, at the support area 101.
Preferibilmente ma non limitatamente il tirante flessibile 103 è realizzato mediante un cavo di acciaio di qualche mm di sezione o in corda sintetica statica quale ad esempio poliestere o Dyneema ®.
Preferably but without limitation, the flexible tie-rod 103 is obtained by means of a steel cable with a cross-section of a few mm, or of static synthetic wire such as polyester or Dyneema ®.
La forma di realizzazione che è illustrata nelle figure annesse, è una particolare e preferita – ancorché non limitativa – realizzazione del supporto 100 ove al primo elemento distanziatore 102a è unito un secondo elemento distanziatore 102b che è frapposto fra un’estremità del primo elemento distanziatore 102a e l’area di supporto 101.
The embodiment illustrated in the accompanying figures is a particular and preferred - albeit non-limiting - embodiment of the support 100 where to the first spacer element 102a is joined a second spacer element 102b that interposed between one end of the first spacer element 102a and the support area 101.
Tra il primo ed il secondo elemento distanziatore è presente un giunto 109 atto a permetterne una movimentazione relativa con un movimento di reciproca rotazione rispetto ad almeno un asse di riferimento, e opzionalmente rispetto a un asse di riferimento che è ruotabile rispetto al primo e/o al secondo elemento distanziatore 102a, 102b.
Between the first and the second spacer element is present a joint 109 able to allow its relative motion with a movement of mutual rotation with respect to at least one reference axis, and optionally with respect to a reference axis that is rotatable with respect to the first and/or to the second spacer element 102a, 102b.
La forma di realizzazione illustrata nelle figure annesse presenta un giunto 109 a forma angolare - ad esempio e non limitatamente individuante un raccordo a 90° - o un giunto 109 con testa assialmente f issa e rotativo o un giunto 109 con testa a forma sostanzialmente sferoidale, come nel caso illustrato in figura 4, o un giunto con testa a forma sostanzialmente conica come nel caso illustrato in figura 3, entrambi cavi per permettere il passaggio del tirante flessibile 103.
The embodiment illustrated in the accompanying drawings has a joint 109 with angular shape - for example and without limitation identifying a 90° fitting - or a joint 109 with axially fixed head and able to rotate or a joint 109 with head having substantially spheroidal shape, as in the case illustrated in figure 4, or a joint with head having substantially conical shape as in the case illustrated in figure 3, both hollow to allow the passage of the flexible tie-rod 103.
In particolare, il giunto 109 può essere configurato per ruotare relativamente al proprio elemento distanziatore, così da poter vantaggiosamente permettere il ripiegamento del primo elemento distanziatore verso il secondo elemento distanziatore al fine di poter causare l’avvicinamento e/o l’allontanamento dell’area di supporto 101 assialmente con il viso dell’utente.
In particular, the joint 109 can be configured to rotate relative to its own spacer element, so as to be able advantageously to allow the folding of the first spacer element towards the second spacer element to be able to cause the support area 101 to move closer and/or farther axially with the user's face.
Preferibilmente ma non limitatamente il primo ed il secondo elemento distanziatore 102 sono realizzati in forma di barre sostanzialmente rigide, opzionalmente cave, in materiale leggero ma robusto quale può essere materiale plastico e/o fibra aramidica o di vetro o loro composti.
Preferably but without limitation, the first and the second spacer element 102 are in the form of substantially rigid bars, optionally hollow, made of light but strong material which can be plastic material and/or aramid or glass fibre or compounds thereof.
A tale proposito, con riferimento nuovamente alla figura 7, si ricorda che, per effetto della fase di equalizzazione, le tensioni di uscita V0e V0' presenti sui nodi di uscita 47 e 47' nell'istante t = t3 sono fra loro uguali e pari a Vref.
In this connection, with reference once again to Figure 7, it is recalled that, as a result of equalization, the output voltages V0and V0' at the output nodes 47 and 47' at time instant t = t3are equal to each other and to Vref.
La tensione di uscita V0' = Vref presente sul nodo di uscita 47' del ramo di riferimento 60 rimane costante durante la fase di condivisione, dato che il nodo di uscita 47' è isolato dal resto del circuito (transistori 46', 67 e 44' spenti).
The output voltage V0' = Vref at the output node 47' of the reference branch 60 remains constant during the sharing step, since the output node 47' is isolated from the rest of the circuit (transistors 46', 67 and 44' off).
Viceversa, la tensione di uscita VOpresente sul nodo di uscita 47 del ramo di lettura 31 varia.
Instead, the output voltage V0at the output node 47 of the reading branch 31 varies.
In particolare, se la cella di memoria 32 da leggere era settata (stato memorizzato: ″1″ logico) e ha provocato la scarica del condensatore parassita globale 52 e la riduzione della tensione presente sul nodo interno 45, pari a -∆V45, la condivisione di carica fra il condensatore parassita globale 52 e il condensatore di uscita 53 provoca una riduzione della tensione di uscita VOpresente sul nodo di uscita 47.
In particular, if the memory cell to be read 32 was set (state stored: logic "1") and has caused discharge of the global parasitic capacitor 52 and reduction of the voltage at the internal node 45, equal to -ΔV45, charge sharing between the global parasitic capacitor 52 and the output capacitor 53 causes a reduction of the output voltage VOpresent on the output node 47.
Viceversa, se cella di memoria 32 da leggere era resettata (stato memorizzato: ″0″ logico) e ha provocato la carica del condensatore globale 52 e l'aumento della tensione presente sul nodo interno 45, pari a ∆V45, la condivisione di carica fra il condensatore parassita globale 52 e il condensatore di uscita 53 provoca un aumento della tensione di uscita VO presente sul nodo di uscita 47.
Instead, if the memory cell to be read 32 was reset (state stored: logic "0") and has caused charging of the global capacitor 52 and an increase in the voltage at the internal node 45, equal to ΔV45, charge sharing between the global parasitic capacitor 52 and the output capacitor 53 causes an increase of the output voltage V0at the output node 47.
In pratica, al termine della fase di condivisione e chiamando Irla corrente tirata dalla cella di memoria da leggere 32, V0d = Vref il valore di tensione sul nodo di uscita 47 al termine della fase di traslazione caratteristica (pari al valore di equalizzazione, V0s il valore di tensione sul nodo di uscita 47 al termine della fase di condivisione, e ponendo ∆VO = V0s - V0d, si ha: se Ir< IaddV0s> VOdquindi VOs> Vref se Ir > Iadd V0s < VOd quindi VOs < Vref e -∆VO = ∆V45 * (Cg/CO) in cui Cge COsono rispettivamente la capacità del condensatore parassita globale 52, associato alla bit line globale MBL, e la capacità del condensatore di uscita 53, accoppiato al nodo di uscita 47, e ∆V45 è la variazione di tensione sul nodo 45 nella fase di traslazione caratteristica.
In practice, at the end of the sharing step and if Iris the current drawn from the memory cell to be read 32, V0d= Vref is the voltage at the output node 47 at the end of the characteristic shift (equal to the equalization value), V0sis the voltage value at the output node 47 at the end of sharing, and by setting ΔVO= V0s- V0d, we obtain:if Ir< Iadd→ V0s> VOd, then VOs> Vrefif Ir> Iadd→ V0s< VOd, then VOs< Vrefand − ΔV 0 = ΔV 45 * C g / C 0where Cgand COare, respectively, the capacitance of the global parasitic capacitor 52, associated to the global bit line MBL, and the capacitance of the output capacitor 53, coupled to the output node 47, and ΔV45is the voltage variation on the node 45 in the characteristic shift step.
Fase di valutazione Al termine della fase di condivisione, istante t4, il segnale di polarizzazione VCA viene commutato nuovamente allo stato basso, spegnendo il transistore di connessione uscita 44 e causando la sconnessione del nodo interno 45 dal nodo di uscita 47 del ramo di lettura 31, congelando così la tensione presente sul nodo di uscita 47 stesso.
At the end of sharing, time instant t4, the biasing signal VCAis switched once again to the low state, turning the output connection transistor 44 off and causing disconnection of the internal node 45 from the output node 47 of the reading branch 31, thus freezing the voltage at the output node 47.
L'amplificatore di lettura 50 può quindi confrontare la tensione VO presente sul nodo di uscita 47 con la tensione di riferimento Vref per determinare se il dato letto è uno ″0″ o un ″1″ logico.
The sense amplifier 50 may thus compare the voltage VOat output node 47 with the reference voltage Vref to determine whether the datum read is a logic "0" or "1".
In effetti, durante il funzionamento reale, ci sono effetti che modificano in parte quanto sopra descritto, senza tuttavia inficiare il principio di funzionamento.
Indeed, during actual operation, there are effects that modify in part the above, without this, however, having any repercussion on the operating principle.
Infatti, affinché il valore di corrente di soglia della cella di memoria da leggere 32 (a cui si inverte il valore di tensione sui nodi di uscita 47 e interno 45) sia pari alla corrente Iaddfornita dal generatore di corrente 48, il valore della tensione sul nodo interno 45 e quindi su tutta la linea di bit globale MBL, dovrebbe mantenersi costante anche nella fase di traslazione caratteristica, il che ovviamente non avviene a causa dell'accensione della cella di memoria da leggere 32 e del generatore di corrente 48.
In fact, for the threshold current of the memory cell to be read 32 (at which the voltage value on the output node 47 and the internal node 45 reverses) to be equal to the current Iaddsupplied by the current source 48, the value of the voltage at the internal node 45 and thus at all the global bit lines MBL, should remain constant also during characteristic shift, which obviously does not occur on account of turning-on of the memory cell to be read 32 and of the current source 48.
Infatti, durante la fase di traslazione caratteristica, a causa dell'accensione di questi, il valore della tensione sul nodo interno 45 si sposta e fa sì che anche i condensatori parassiti locale 51 e globale 52 partecipino alla dinamica della fase di traslazione caratteristica.
In fact, during the characteristic shift step, due to turning-on thereof, the value of the voltage at the internal node 45 shifts and causes also the local parasitic capacitor 51 and global parasitic capacitor 52 to participate in the dynamics of the characteristic shift step.
In pratica, se, nella fase di traslazione caratteristica, il valore di tensione del nodo interno 45 si sposta di qualche millivolt rispetto al valore di equalizzazione, dato che ad esso sono associate resistenze dell’ordine di alcuni KΩ (a causa di resistenze parassite dei vari componenti, compresi i transistori di decodifica locale e globale 40, 42), può causare variazioni di corrente dell'ordine dei µA, cioè dello stesso ordine di grandezza delle correnti da valutare.
In practice, if during the characteristic shift step the voltage of the internal node 45 shifts by a few millivolts with respect to the equalization value, since this node associated to resistances in the region of a few KΩ (on account of parasitic resistances of the various components, including the local decoding and global decoding transistors 40, 42), current variations of the order of milliamps, i.e., of the same order of magnitude as the currents to be evaluated, may occur.
Per risolvere tale problema, è tuttavia sufficiente, in fase di taratura del dispositivo di memoria 30, determinare il valore di corrente Iaddtale da compensare tale effetto, e l’effettivo spostamento delle distribuzioni D1, D2 di figura 3 avverrà ad una corrente della cella di memoria più alta di quella teorica, consentendo comunque di mantenere il nodo di uscita 47 alla stessa tensione del nodo di riferimento 47' al termine della fase di traslazione caratteristica, prima della fase di condivisione.
To solve this problem it is, however, sufficient, during calibration of the memory device 30, to determine the current value Iaddsuch as to compensate this effect, and the effective displacement of the distributions D1, D2 of Figure 3 will occur at a higher current of the memory cell than the theoretical one, allowing in any case the output node 47 to be kept at the same voltage as the reference node 47' at the end of the characteristic shift step, before sharing.
Nello stesso modo, in fase di taratura è possibile compensare ulteriori effetti dovuti a correnti di perdita nel circuito reale.
Likewise, during calibration it is possible to compensate further effects due to leakage currents in the real circuit.
I vantaggi ottenibili dal dispositivo di memoria e dl metodo di lettura qui descritti sono evidenti da quanto sopra.
The advantages of the memory device and the reading method described herein are evident from the foregoing.
In particolare, grazie alla soluzione proposta, è possibile leggere in modo semplice celle di memoria di tipo a cambiamento di fase o di altro tipo in cui tutti o almeno alcuni degli stati memorizzati nelle celle di memoria sono associati ad una condizione di conduzione della cella e diventa difficile utilizzare riferimenti fissi per problemi di ritenzione o altro che causano la variabilità delle caratteristiche nel tempo o per altri motivi.
In particular, by virtue of the proposed solution, it is possible to read in a simple way memory cells of a phase change type or of some other type, in which all or at least some of the states stored in the memory cells are associated to a cell conduction condition, and it becomes difficult to use fixed references due to retention or the like causing variability of the characteristics in time or for yet other reasons.
Inoltre, la soluzione proposta consente vantaggiosamente di sfruttare una linea di bit globale adiacente a quella associata alla cella di memoria da leggere, che dunque presenta caratteristiche elettriche, in particolare capacità parassite, simili.
Moreover, the proposed solution advantageously enables exploitation of a global bit line adjacent to the one associated to the memory cell to be read, which thus has electrical characteristics, in particular parasitic capacitances, that are similar.
Con la soluzione descritta, non è necessario l’utilizzo di strutture di riferimento, tranne che il generatore di corrente 48, in particolare non prevede l’utilizzo di celle di memoria di riferimento.
With the solution described, it is not necessary to use reference structures, except for the current source 48; in particular, use of reference memory cells is not envisaged.
Di conseguenza, il dispositivo di memoria 30 presenta dimensioni e consumi elettrici inferiori rispetto a soluzioni note.
Consequently, the memory device 30 has dimensions that are smaller as compared to known solutions, and also the electrical consumption are lower.
Il dispositivo di memoria 30 presenta inoltre una maggiore velocità di lettura.
The memory device 30 moreover has a higher reading speed.
Risulta infine chiaro che al dispositivo di memoria e al metodo di lettura qui descritti ed illustrati possono essere apportate modifiche e varianti senza per questo uscire dall’ambito protettivo della presente invenzione, come definito nelle rivendicazioni allegate.
Finally, it is clear that modifications and variations may be made to the memory device and to the reading method described and illustrated herein, without thereby departing from the scope of the present invention, as defined in the attached claims.
Ad esempio, come indicato, la presente soluzione è applicabile anche ad altri tipi di dispositivi di memoria non volatile (di tipo “embedded” o “stand alone”), ad esempio flash, EPROM, o EEPROM, a singolo livello o multilivello, in cui sia richiesto un confronto di corrente per la lettura del dato memorizzato.
For instance, as mentioned, the present solution may be applied also to other types of non-volatile memory devices (of an embedded or stand-alone type), for example flash, EPROM, or EEPROM devices, either single-level or multilevel, where current comparison for reading the stored datum is desired.
Inoltre, il segnale di abilitazione generatore EN, invece che agire direttamente sul generatore di corrente 48, può agire su un interruttore che accoppia/disaccoppia il generatore di corrente 48 al nodo interno 45, non modificando quindi il funzionamento sopra descritto.
In addition, the source enable signal EN, instead of acting directly on the current source 48, may act on a switch that couples/decouples the current source 48 to/from the internal node 45 without thus modifying the operation described above.
Il primo transistore di equalizzazione 65 può mancare.
The first equalization transistor 65 may be missing.
Dispositivo secondo la rivendicazione 2, comprendente inoltre una prima capacità (52) accoppiata al primo nodo (43) e una seconda capacità (53) accoppiata al nodo di uscita (47); in cui l'unità di comando(36) è configurata in modo che, in una fase di condivisione, seguente la fase di traslazione caratteristica e precedente la fase di rilevamento, la prima cella di memoria (32) viene disaccoppiata dal primo nodo (43), il generatore di corrente 48 viene disattivato, e il secondo nodo (45) viene accoppiato al nodo di uscita (47) in modo da causare una ripartizione di carica tra la prima e la seconda capacità (52, 53).
The device according to claim 2, further comprising a first capacitance (52) coupled to the first node (43) and a second capacitance (53) coupled to the output node (47);wherein the control unit (36) is configured so that, in a sharing step, following the characteristic-shift step and prior to the detection step, the first memory cell (32) is decoupled from the first node (43), the current source 48 is deactivated, and the second node (45) is coupled to the output node (47) to cause a charge sharing between the first and second capacitances (52, 53).
Dispositivo secondo la rivendicazione 4 quando dipendente dalla rivendicazione 3, in cui lo stadio di accoppiamento (65-67) comprende inoltre un secondo interruttore di accoppiamento (66), controllabile dall'unità di comando (36), per accoppiare il secondo e il quarto nodo (45, 45') del primo (31) e del secondo (60) ramo circuitale durante la fase di equalizzazione e per disaccoppiare il secondo e il quarto nodo (45, 45') durante le fasi di traslazione caratteristica e condivisione.
The device according to claim 4 when depending upon claim 3, wherein the coupling stage (65-67) further comprises a second coupling switch (66) controllable by the control unit (36) to couple the second and fourth nodes (45, 45') of the first and second circuit branches (31, 60) during the equalization step, and to decouple the second and fourth nodes (45, 45') during the characteristic shift and sharing steps.
Dispositivo secondo la rivendicazione 5, in cui lo stadio di accoppiamento (65-67) comprende inoltre un terzo interruttore di accoppiamento (65), controllabile dall'unità di comando (36), per accoppiare il primo e il terzo nodo (45, 45') del primo (31) e del secondo (60) ramo circuitale durante la fase di equalizzazione e disaccoppiare il primo e il terzo nodo durante le fasi di traslazione caratteristica e condivisione.
The device according to claim 5, wherein the coupling stage (65-67) further comprises a third coupling switch (65), controllable by the control unit (36), to couple the first and third nodes (45, 45') of the first and second circuit branches (31, 60) during the equalization step, and decouple the first and third nodes during the characteristic shift and sharing steps.