mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
Secondo forme di realizzazione alternative (non mostrate), una o più ulteriori regioni strutturali, ad esempio cresciute epitassialmente ed analoghe alla regione strutturale 2, possono essere formate tra il primo lato 1a del substrato 1 e il secondo lato 2b della regione strutturale 2.
According to alternative embodiments (not illustrated), one or more further structural regions, which are, for example, grown epitaxially and are similar to the structural region 2, may be formed between the first side 1a of the substrate 1 and the second side 2b of the structural region 2.
Si procede quindi alla formazione, sul primo lato 2a dello strato strutturale 2, di un multistrato di maschera 4, includente: un primo strato di maschera 4a, a contatto con il primo lato 2a, ad es. di ossido di silicio cresciuto mediante ossidazione termica con spessore compreso tra 5 nm e 100 nm; un secondo strato di maschera 4b, immediatamente al di sopra del primo strato di maschera 4a, ad es. di nitruro di silicio con spessore compreso tra 10 nm e 1 µm; e un terzo strato di maschera 4c, immediatamente al di sopra del secondo strato di maschera 4b, ad es. di TEOS o fotoresist con spessore compreso tra 10 nm e 10 µm.
On the first side 2a of the structural layer 2, a mask multilayer 4 is then formed, which includes: a first mask layer 4a, in contact with the first side 2a, made, for example, of silicon oxide grown via thermal oxidation with a thickness comprised between 5 nm and 100 nm; a second mask layer 4b, immediately on top of the first mask layer 4a, made, for example, of silicon nitride with a thickness comprised between 10 nm and 1 µm; and a third mask layer 4c, immediately on top of the second mask layer 4b, made, for example, of TEOS or photoresist with a thickness comprised between 10 nm and 10 µm.
Il primo strato di maschera 4a ha la funzione di formare una interfaccia tra lo strato strutturale 2, di silicio, ed il secondo strato di maschera 4b di nitruro di silicio, al fine di evitare uno stress meccanico indotto dal nitruro di silicio ed evitare una nitrurazione (“nitriding”) della superficie del silicio stesso che compromette la funzionalità del dispositivo stesso.
The first mask layer 4a has the function of forming an interface between the structural layer 2, of silicon, and the second mask layer 4b, of silicon nitride, in order to prevent mechanical stress induced by silicon nitride and prevent nitriding of the surface of the silicon itself, which jeopardises operation of the device.
Il secondo strato di maschera 4b forma una maschera rigida (“hard mask”) per una successiva fase di attacco dello strato strutturale 2.
The second mask layer 4b forms a hard mask for a subsequent step of etching of the structural layer 2.
Il terzo strato di maschera 4c forma una ulteriore maschera rigida per la fase di attacco dello strato strutturale 2.
The third mask layer 4c forms a further hard mask for the step of etching of the structural layer 2.
Mediante tecnica fotolitografica, il multistrato di maschera 4 viene rimosso in corrispondenza di regioni della fetta 100 in cui si desidera formare la trincea di gate.
By photolithographic technique, the mask multilayer 4 is removed in regions of the wafer 100 where the trench gate is to be formed.
Si procede quindi con un attacco, in particolare di tipo secco (“dry”), ad esempio RIE, per rimuovere porzioni selettive dello strato strutturale 2 esposte attraverso il multistrato di maschera 4 e formando così una trincea 6 delimitata una parete di fondo 6a e una pareti laterali 6b.
Then etching is carried out, in particular of a dry type, for example RIE, for selective removal of portions of the structural layer 2 exposed through the mask multilayer 4 and so as to form a trench 6 delimited by a bottom wall 6a and side walls 6b.
La trincea 6 ha profondità, misurata a partire dal primo lato 2a dello strato strutturale 2, ad esempio compresa tra 1 e 2 µm.
The trench 6 has a depth, measured starting from the first side 2a of the structural layer 2 comprised, for example, between 1 and 2 µm.
In vista superiore, sul piano XY, la trincea 6 può avere forma a striscia, con estensione principale lungo l’asse Y da alcuni micrometri ad alcuni millimetri, e larghezza, lungo l’asse X, tra 0.5 µm e 1.5 µm. altri layout possono essere previsti per la trincea 6, ad esempio essa può avere forma, sempre in vista sul piano XY, circolare con diametro compreso tra 0.5 µm e 1.5 µm, o altra forma ancora ad esempio genericamente poligonale.
In top plan view, in the plane XY, the trench 6 may be strip-shaped, with main extension along the axis Y ranging from a few microns to a few millimetres, and a width, along the axis X, comprised between 0.5 µm and 1.5 µm.
Quindi, figura 2, viene realizzata, in corrispondenza della parete di fondo 6a della trincea 6, una regione impiantata 8 avente un secondo tipo di conducibilità (qui, di tipo P+), ad esempio mediante una fase di impianto ionico di Boro.
Next ( Figure 2 ), at the bottom wall 6a of the trench 6, it is formed an implanted region 8 having a second conductivity type (here, a conductivity of P+ type), for example by a step of ion implantation of boron.
Più in particolare, si eseguono una pluralità di impianti successivi tra loro (es., da uno a tre impianti), ciascuno ad una rispettiva energia di impianto ma con stessa dose di atomi droganti (o rispettive dosi scelte in un intervallo limitato, ad esempio non più di un ordine di grandezza).
More in particular, a plurality of successive implantations (e.g., from one to three implantations) are carried out, each at a respective implantation energy but with the same dose of dopant atoms (or respective doses chosen in a limited range, for example not more than one order of magnitude).
Si forma così la regione impiantata 8 che si estende dalla parete di fondo 6a della trincea 6 per una profondità d1, misurata a partire dalla parete di fondo 6a, pari ad alcuni micrometri.
The implanted region 8 is thus formed, which extends from the bottom wall 6a of the trench 6 for a depth d1, measured starting from the bottom wall 6a, of a few microns.
La dose di impianto è esemplificativamente compresa tra 5·1014e 5·1015atomi/cm3e le energie di impianto esemplificativamente comprese tra 100 keV e 1000 keV.
The implantation dose is, by way of example, comprised between 5·1014and 5·1015at./cm3,and the implantation energies are, by way of example, comprised between 100 keV and 1000 keV.
Un successivo processo termico rapido ad alta temperatura (anche noto come RTA o RTP), ad esempio tra 900°C e 1150°C per 30 secondi, attiva il drogante della regione impiantata 8 e ne consente una minima diffusione nello strato strutturale 2, in particolare in profondità.
A subsequent rapid thermal process at a high temperature (also known as RTA or RTP), for example, comprised between 900°C and 1150°C for 30 seconds, activates the dopants of the implanted region 8 and enables minimal diffusion thereof in the structural layer 2, in particular in depth.
Si forma così, figura 3, una regione drogata 10 avente estensione d2, misurata a partire dalla parete di fondo 6a, di poco maggiore di d1e pari ad alcuni micrometri Alternativamente al processo di RTA o RTP, è possibile eseguire un processo di ossidazione di tipo ISSG o, ancora alternativamente, una ossidazione in forno (di tipo umido o secco).
A doped region 10 is thus formed ( Figure 3 ), having an extension d2, measured starting from the bottom wall 6a, just a little greater than d1and of a few microns.
Successivamente, figura 4, la regione drogata 10 viene convertita in una regione di silicio poroso 12.
Next ( Figure 4 ), the doped region 10 is converted into a porous-silicon region 12.
In generale, la struttura del silicio poroso, da un punto di vista morfologico, si presenta come una rete interconnessa di pori.
In general, the structure of porous silicon, from a morphological standpoint, presents as an interconnected network of pores.
La dimensione, la direzione, la posizione e la profondità dei pori, dipendono da parametri impostati durante la formazione dello stesso, oltre che dal tipo di conducibilità della regione in cui il silicio poroso è formato.
The size, direction, position, and depth of the pores depend upon parameters set during formation thereof, as well as upon the conductivity type of the region in which the porous silicon is formed.
Infatti, come noto, in base alla densità e al tipo di drogaggio della regione in cui il silicio poroso viene formato, la morfologia del silicio poroso differisce.
In fact, as is known, on the basis of the density and type of doping of the region in which the porous silicon is formed, the morphology of porous silicon differs.
Nel contesto della presente divulgazione, secondo la forma di realizzazione precedentemente discussa, nel caso di silicio di tipo P, il diametro medio dei pori varia tra 1 nm e 100 nm, la struttura ottenuta è ramificata, altamente interconnessa ed omogenea.
In the context of the present disclosure, according to the embodiment discussed previously, in the case of silicon of a P type, the mean diameter of the pores ranges between 1 nm and 100 nm, and the structure obtained is branched, highly interconnected, and homogeneous.
Aumentando la dose di drogaggio per formare la regione drogata 10, il diametro dei pori e la distanza tra essi aumentano.
As the dose of dopant for formation of the doped region 10 increases, the diameter of the pores and the distance between them increase.
La Richiedente ha osservato che la dose di impianto incide sia sul tasso di crescita del silicio poroso che sul grado di porosità (in particolare, maggiore è la dose di droganti, maggiore è il volume dei vuoti a scapito del volume del silicio pieno).
The present applicant has noted that the implantation dose affects both the rate of growth of porous silicon and the degree of porosity (in particular, the higher the dose of dopants, the greater the volume of the voids at the expense of the volume of full silicon).
Il sistema utilizzato, per l’etching anodico del silicio, comprende tipicamente una cella con tre elettrodi, di cui uno è rappresentato dalla fetta 100 di silicio cristallino, che contiene una soluzione elettrolitica acquosa.
The system used, for anodic etching of silicon, typically comprises a cell with three electrodes, one of which is represented by the crystalline-silicon wafer 100, which contains an aqueous electrolytic solution.
La fetta 100 si trova ad un potenziale positivo (anodo) rispetto alla soluzione elettrolitica; il lato frontale della fetta 100 (presentante la trincea 6) si trova direttamente a contatto con la soluzione elettrolitica.
The wafer 100 is located at a positive (anode) potential with respect to the electrolytic solution; the front side of the wafer 100 (having the trench 6) is arranged directly in contact with the electrolytic solution.
La soluzione elettrolitica è tipicamente formata da HF, acqua deionizzata ed etanolo.
The electrolytic solution is typically made up of HF, de-ionised water, and ethanol.
Altri composti possono essere utilizzati per migliorare la bagnabilità della superficie di silicio esposta all’attacco, riducendo la formazione di bolle d’idrogeno che si formano, durante la reazione elettrochimica, in corrispondenza degli elettrodi.
Other compounds may be used to improve wettability of the silicon surface exposed to etching, reducing the formation of hydrogen bubbles that are formed, during the electrochemical reaction, at the electrodes.
Le caratteristiche della regione di silicio poroso 12 che si desidera formare (dimensione dei pori, direzione, porosità) dipendono sensibilmente dai parametri impostati durante la fase di etching, in particolare da: - composizione dell’elettrolita in soluzione, e quindi dalla percentuale di HF presente in soluzione, scelta tra 5% e 48%; - valore della corrente d’anodizzazione, scelta tra 5 e 1000 mA/cm2 - tempo d’attacco, scelto tra 5 e 500 secondi; - resistività del substrato (ovvero, drogaggio, già precedentemente discusso); - temperatura della soluzione durante il processo, qui condotto a temperatura ambiente.
The characteristics of the porous-silicon region 12 that is to be formed (size of the pores, direction, porosity) depend markedly upon the parameters set during the etching step, in particular upon:the composition of the electrolyte in solution, and thus the percentage of HF present in solution, chosen between 5% and 48%;the value of the anodisation current, chosen between 5 and 1000 mA/cm2;the etching time, chosen between 5 and 500 s;the resistivity of the substrate (i.e., doping, already discussed previously); andthe temperature of the solution during the process, here carried out at room temperature.
La reazione di dissoluzione avviene immediatamente per le regioni di silicio di tipo P, che possono essere anodizzate al buio; al contrario, per il silicio di tipo N occorre la presenza d’illuminazione.
The reaction of dissolution occurs immediately for the silicon regions of a P type, which may be anodised in the dark.
È così possibile formare la regione di silicio poroso selettivamente in corrispondenza della regione impiantata 10.
It is thus possible to form the porous-silicon region selectively in the implanted region 10.
Le lacune sono necessarie alla reazione chimica di dissoluzione del silicio cristallino, localizzata all’interfaccia Si/soluzione elettrolitica.
The holes are necessary for the chemical reaction of dissolution of the crystalline silicon, which takes place at the interface between the silicon and the electrolytic solution.
Quindi, si passa alla fase di figura 5, in cui la regione di silicio poroso 12 viene trasformata in una regione dielettrica 14, in particolare di ossido di silicio.
Then, the step of Figure 5 is carried out, in which the porous-silicon region 12 is transformed into a dielectric region 14, in particular of silicon oxide.
La natura porosa della regione di silicio poroso 12, permette di trasformarla con estrema facilità in ossido di silicio (anche noto come PSO “Porous Silicon Oxide”).
The porous nature of the porous-silicon region 12 enables transformation thereof with extreme ease into silicon oxide (also known as PSO, Porous Silicon Oxide).
“DISPOSITIVO DI TAGLIO INTERFILARE” La presente invenzione ha per oggetto un dispositivo di taglio interfilare.
The present invention relates to an inter-row cutting device.
In particolare, il dispositivo in oggetto è preferibilmente utilizzato per il taglio di piante o simili mediante fili di taglio.
More specifically, the device according to the invention is preferably used for cutting plants or the like by means of cutting wires.
Il dispositivo è utilizzabile in combinazione con una macchina agricola configurata per diserbare aree e in particolare nell’ambito di una macchina agricola configurata per diserbare aree interposte rispettivamente fra più coppie di filari successivi, o in generale interposte rispettivamente fra più coppie di elementi successivi, come punti di demarcazione o pietre miliari.
The device can be used in combination with an agricultural machine configured to clear weeds from areas and in particular in the context of an agricultural machine configured to clear weeds from areas interposed respectively between several pairs of successive rows, or in general interposed respectively between several pairs of successive elements, such as demarcation points or milestones.
Un dispositivo secondo la presente invenzione permette di ottenere una flessibilità e una comodità di utilizzo del dispositivo di taglio notevolmente migliorata rispetto ai dispositivi di taglio attualmente noti per macchine agricole finalizzate a diserbare aree.
A device according to this invention allows a flexibility and an ease of use of the cutting device which is considerably improved with respect to the cutting devices currently known for agricultural machinery aimed at clearing weeds from areas.
Attualmente sono noti dispositivi di taglio per macchine agricole che comprendono un rotore atto a ruotare intorno ad un suo asse di sviluppo, per generare un movimento di un gruppo di fili di taglio lungo una traiettoria circolare introno a tale asse di sviluppo.
At present there are prior art cutting devices for agricultural machines which comprise a rotor designed to rotate about its axis of extension, for generating a movement of a group of cutting wires along a circular trajectory around the axis of extension.
Tale movimento dei fili di taglio, che avviene mentre gli stessi aggettano dalla superficie laterale del rotore disposta introno a tale asse di sviluppo, è finalizzato a causare il taglio delle piante.
This movement of the cutting wires, which occurs whilst they project from the lateral surface of the rotor positioned around the axis of extension, is aimed at causing the cutting of the plants.
Per fare in modo che i fili rimangano accoppiati al rotore durante la sua rotazione, e aggettino da tale superficie laterale, i dispositivi di taglio attualmente noti comprendono mezzi di accoppiamento complicati, che richiedono all’operatore molto tempo per sostituire i fili una volta che si sono eccessivamente consumati.
To ensure that the wires remain coupled to the rotor during its rotation, and project from the lateral surface, the currently known cutting devices comprise complicated coupling means, which require a long time for the operator to replace the wires once they are excessively worn.
Inoltre, i mezzi di accoppiamento dei dispositivi attualmente noti devono essere specificatamente studiati per un certo tipo e/o una certa dimensione dei fili, il che risulta a discapito della flessibilità e/o versatilità di utilizzo del dispositivo di taglio stesso.
Moreover, the coupling means of the currently known devices must be specifically designed for a certain type and/or a certain size of wires, which is detrimental to the flexibility and/or versatility of use of the cutting device.
Scopo della presente descrizione è di mettere a disposizione un dispositivo di taglio per macchine agricole che superi tali inconvenienti.
The aim of this invention is to provide a cutting device for agricultural machines which overcomes these drawbacks.
Tale scopo è raggiunto da un dispositivo di taglio avente le caratteristiche risultanti da una qualsiasi combinazione di una o più delle rivendicazioni allegate alla presente domanda.
This aim is achieved by a cutting device having the features resulting from any combination of one or more of the appended claims.
In accordo alla presente descrizione, la stessa concerne un dispositivo di taglio per macchine agricole.
This description relates to a cutting device for agricultural machines.
Il dispositivo di taglio comprende un rotore avente o definente un asse di sviluppo.
The cutting device comprises a rotor having or defining an axis of extension.
Il rotore definisce una superficie laterale del rotore stesso.
The rotor defines a lateral surface of the rotor.
Tale superficie laterale è situata intorno all’asse di sviluppo del rotore.
The lateral surface is situated around the axis of extension of the rotor.
Il rotore è adatto ad essere operativamente in rotazione.
The rotor is designed to be operatively in rotation.
Tale rotazione è preferibilmente una rotazione del rotore su se stesso.
This rotation is preferably a rotation of the rotor about itself.
Tale rotazione avviene preferibilmente intorno a tale asse di sviluppo.
The rotation occurs preferably around the axis of extension.
Il dispositivo di taglio è configurato affinché tale rotazione del rotore causi il trascinamento di almeno un gruppo di fili di taglio.
The cutting device is configured so that the rotation of the rotor causes the dragging of at least one group of cutting wires.
Il dispositivo di taglio è configurato affinché tale trascinamento causi un movimento di tale gruppo di fili di taglio intorno a tale asse di sviluppo.
The cutting device is configured so that the dragging causes a movement of the group of cutting wires around the axis of extension.
Tale movimento è adatto ad effettuare un taglio di piante o simili da parte del dispositivo di taglio.
This movement is designed to perform a cutting of plants or the like by the cutting device.
Tale movimento avviene preferibilmente lungo una traiettoria situata intorno a tale asse di sviluppo del rotore.
This movement is preferably carried out along a trajectory located around the axis of extension of the rotor.
Per causare il trascinamento dei fili di taglio da parte del rotore, il dispositivo comprende organi o mezzi di unione.
In order to cause the dragging of the cutting wires by part the rotor, the device comprises joining elements or means.
Tali organi di unione sono configurati per rendere solidali tali fili di taglio alla rotazione di tale rotore.
These joining means are configured to render the cutting wires integral with the rotation of the rotor.
Tali organi di unione a tal fine definiscono, per ciascun rispettivo filo di tale gruppo, una rispettiva condizione di unione del rispettivo filo al rotore.
For this purpose, the joining means, define, for each respective wire of the group, a respective joining condition of the respective wire to the rotor.
Tali organi di unione sono configurati affinché, nella rispettiva condizione di unione, ciascun rispettivo filo di tale gruppo aggetti da tale superficie laterale di detto rotore.
These joining means are configured so that, in the respective joining condition, each respective wire of the group projects from the lateral surface of the rotor.
Tali organi di unione sono configurati affinché, nella rispettiva condizione di unione, ciascun rispettivo filo di tale gruppo sia trascinato dalla rotazione del rotore in modo da compiere tale movimento summenzionato.
These joining means are configured so that, in the respective joining condition, each respective wire of the group is dragged by the rotation of the rotor in such a way as to perform the above-mentioned movement.
Gli organi di unione comprendono almeno un supporto indipendente.
The joining means comprise at least one independent support.
Il supporto indipendente presenta o ha una pluralità di elementi di trattenimento.
The independent support has a plurality of retaining elements.
Ciascun rispettivo elemento di trattenimento di tale pluralità di elementi di trattenimento è configurato per trattenere un rispettivo filo di taglio di tale gruppo di fili di taglio.
Each respective retaining element of the plurality of retaining elements is configured for retaining a respective cutting wire of the group of cutting wires.
Il rotore comprende almeno una sede ricavata o situata in tale rotore.
The rotor also comprises at least one seat made or situated in the rotor.
Si tenga presente che tale rotore può comprendere più parti interconnesse o una parte unica.
It should be noted that the rotor may also comprise two or more interconnected parts or a single part.
Tale almeno una sede può essere considerata come una parte degli organi di unione.
The at least one seat may be considered a part of the joining means.
Tale supporto indipendente è alloggiabile o posizionabile, in modo rimovibile, in tale almeno una sede ricavata o situata nel rotore.
The independent support can be housed or positioned, in a removable way, in the at least one seat made or situated in the rotor.
Tale sede si estende preferibilmente lungo un asse di allungamento della sede stessa.
This seat extends preferably along an axis of elongation of the seat.
Tale asse di allungamento della sede è preferibilmente parallelo all’asse di sviluppo del rotore.
The axis of elongation of the seat is preferably parallel to the axis of extension of the rotor.