mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
Varie forme di attuazione possono prevedere che detta porzione circuitale di rilevazione di una prima tensione drain-source da un transistore del primo semiponte e una seconda tensione drain-source da un corrispondente transistore del secondo semiponte comprenda rispettivi interruttori di protezione interposti fra i nodi di drain e source dei transistori del primo semiponte e del secondo semiponte e i rispettivi ingressi di detto un modulo per operare una differenza fra detta prima tensione drainsource e seconda tensione drain-source rilevate.
Various embodiments may envisage that said circuit portion for detecting a first drain-to-source voltage from a transistor of the first half-bridge and a second drain-to-source voltage from a corresponding transistor of the second half-bridge comprises respective protection switches set between the drain and source nodes of the transistors of the first half-bridge and of the second half-bridge, and the respective inputs of said one module for computing the difference between said first detected drain-to-source voltage and said second detected drain-to-source voltage.
Varie forme di attuazione possono prevedere che detta porzione circuitale di rilevazione di una prima tensione drain-source da un transistore del primo semiponte e una seconda tensione drain-source da un corrispondente transistore del secondo semiponte comprenda rispettive reti di sensing comprendenti un transistore ausiliario i cui gate e drain sono connessi rispettivamente al gate e al drain del rispettivo transistore del primo o secondo semiponte e una resistenza di sense fra il source del transistore ausiliario e la massa del semiponte corrispondente.
Various embodiments may envisage that said circuit portion for detecting a first drain-to-source voltage from a transistor of the first half-bridge and a second drain-to-source voltage from a corresponding transistor of the second half-bridge comprises respective sensing networks, which include an auxiliary transistor, the gate and drain of which are connected, respectively, to the gate and drain of the respective transistor of the first half-bridge or the second half-bridge, and a sense resistance between the source of the auxiliary transistor and the ground of the corresponding half-bridge.
Varie forme di attuazione possono prevedere che detta resistenza di sense sia dimensionata in modo che abbia valore molto maggiore di una resistenza di switch-on del transistore ausiliario, tale da rendere la somma della resistenza di switch-on del transistore ausiliario e della resistenza di sense circa eguale alla resistenza di sense.
Various embodiments may envisage that said sense resistance is sized so that it has a value much higher than a switch-on resistance of the auxiliary transistor, such as to render the sum of the switch-on resistance of the auxiliary transistor and of the sense resistance approximately equal to the sense resistance.
Varie forme di attuazione possono prevedere che detta resistenza di sense sia dimensionata in modo che abbia valore molto minore di una resistenza di switch-on del transistore ausiliario, tale da rendere la somma della resistenza di switch-on del transistore ausiliario e della resistenza di sense circa eguale alla resistenza di switchon.
Various embodiments may envisage that said sense resistance is sized so that it has a value much lower than a switch-on resistance of the auxiliary transistor, such as to render the sum of the switch-on resistance of the auxiliary transistor and of the sense resistance approximately equal to the switch-on resistance.
Varie forme di attuazione possono prevedere che detto apparato comprenda un transistore di potenza MOSFET di riferimento che genera una tensione drain source di riferimento, accoppiato elettricamente e termicamente con il transistore di potenza che eroga la corrente di uscita, con un rapporto di forma e una corrente noti.
Various embodiments may envisage that said apparatus comprises a reference power MOSFET that generates a reference drain-to-source voltage, which is electrically and thermally coupled to the power transistor that delivers the output current, with known aspect ratio and current.
Varie forme di attuazione possono essere dirette a un procedimento di lettura di una corrente di carico erogata da un amplificatore audio in classe D a un carico che comprende rilevare una prima tensione drain-source da un transistore del primo semiponte e una seconda tensione drain-source da un corrispondente transistore del secondo semiponte, operare una differenza fra detta prima tensione drain-source e seconda tensione drain-source rilevate, e operare una media su detta differenza per ottenere un valore di tensione di sense da fornire a un convertitore analogico digitale.
Various embodiments may be aimed at providing a method for reading a load current supplied by a class-D audio amplifier to a load, which comprises detecting a first drain-to-source voltage from a transistor of the first half-bridge and a second drain-to-source voltage from a corresponding transistor of the second half-bridge, computing a difference between said first detected drain-to-source voltage and said second detected drain-to-source voltage, and performing an averaging operation on said difference to obtain a sense voltage value to be supplied to an analog-to-digital converter.
Breve descrizione delle figure Varie forme di attuazione saranno ora descritte, a puro titolo di esempio, con riferimento alle figure annesse, in cui: le Figure da 1 a 5 sono state descritte in precedenza; - la Figura 6 mostra schematicamente un circuito di rilevazione del apparato amplificatore descritto; le Figure 7 e 8 mostrano andamenti temporali di grandezze in un apparato amplificatore che impiega il circuito di rilevazione di Figura 6; la Figura 9 mostra schematicamente una forma variante del circuito di rilevazione di Figura 6; - la Figura 10 mostra andamenti temporali di grandezze in un apparato amplificatore che impiega il circuito di rilevazione di Figura 9; - la Figura 11 mostra il circuito di rilevazione di Figura 9 secondo una prima configurazione di funzionamento. - la Figura 12 mostra il circuito di rilevazione di Figura 9 secondo una seconda configurazione di funzionamento.
Various embodiments will now be described, purely by way of example, with reference to the annexed drawings, wherein:Figures 1 to 5 have been described previously;Figure 6 is a schematic illustration of a sensing circuit of the amplifier apparatus described;Figures 7 and 8 show time plots of quantities in an amplifier apparatus that uses the sensing circuit of Figure 6 ;Figure 9 is a schematic illustration of a variant embodiment of the sensing circuit of Figure 6 ;Figure 10 shows time plots of quantities in an amplifier apparatus that uses the sensing circuit of Figure 9 ;Figure 11 shows the sensing circuit of Figure 9 according to a first operating configuration; andFigure 12 shows the sensing circuit of Figure 9 according to a second operating configuration.
Descrizione dettagliata Nella descrizione che segue vengono forniti numerosi dettagli specifici al fine di consentire la massima comprensione delle forme di attuazione esemplificative.
In the ensuing description numerous specific details are provided in order to enable maximum understanding of the embodiments provided by way of example.
Le forme di attuazione possono essere messe in pratica con o senza dettagli specifici, oppure con altri procedimenti, componenti, materiali, etc. In altre circostanze, strutture materiali od operazioni ben noti non sono mostrati o descritti in dettaglio per evitare di mettere in ombra aspetti delle forme di attuazione.
The embodiments may be implemented with or without specific details, or else with other methods, components, materials, etc. In other circumstances, well-known structures, materials, or operations are not illustrated or described in detail so that various aspects of the embodiments will not be obscured.
Il riferimento nel corso di questa descrizione ad "una forma di attuazione" significa che una particolare peculiarità, struttura o caratteristica descritta in connessione con la forma di attuazione è compresa in almeno una forma di attuazione.
Reference, in the course of this description, to "an embodiment" or "one embodiment" means that a particular feature, structure, or characteristic described in connection with the embodiment is comprised in at least one embodiment.
Dunque, il ricorrere della frase "in una forma di attuazione" in vari punti nel corso di questa descrizione non è necessariamente riferito alla stessa forma di attuazione.
Hence, phrases such as "in an embodiment", "in one embodiment", or the like that may be present in various points of the present description do not necessarily refer to one and the same embodiment.
Inoltre, le particolari peculiarità, strutture o caratteristiche possono essere combinate in un qualunque modo conveniente in una o più forme di attuazione.
Moreover, the particular features, structures, or characteristics may be combined in any convenient way in one or more embodiments.
Le intestazioni ed i riferimenti sono qui forniti solo per convenienza del lettore e non definiscono la portata od il significato delle forme di attuazione.
The notation and references are provided herein merely for convenience of the reader and do not define the scope or meaning of the embodiments.
L'idea alla base della soluzione qui descritta è sfruttare 1'informazione di corrente di entrambi i semiponti, dunque rilevare una prima tensione drain-source, preferibili da un transistore low side del primo semiponte e una seconda tensione drain-source da un corrispondente transistore low side del secondo semiponte.
The idea underlying the solution described herein is to exploit the information of current of both of the half-bridges, and hence to detect a first drain-to-source voltage, preferably from a low-side transistor of the first half-bridge, and a second drain-to-source voltage from a corresponding low-side transistor of the second half-bridge.
L'operazione di campionamento viene sostituita da un'operazione di media su una differenza fra detta prima tensione drain-source e seconda tensione drain-source rilevate, ottenuta tramite ad esempio un amplificatore differenziale, per ottenere un valore di tensione di sense da fornire a un convertitore analogico digitale.
The sampling operation is replaced by an operation of averaging on a difference between the first detected drain-to-source voltage and the second detected drain-to-source voltage, obtained, for example, via a differential amplifier, to obtain a sense voltage value to be supplied to an analog-to-digital converter.
L'operazione di media è preferibilmente ottenuta tramite un filtraggio passa-basso di tale differenza tra il segnale presente sul transistore MOSFET, ad esempio basso o low-side, del ponte ad H durante la sua fase di accensione, o ON e il segnale presente sul corrispondente transistore dell'altro semiponte durante la sua fase di ON.
The averaging operation is preferably carried out via a low-pass filtering of the aforesaid difference between the signal present on the MOSFET, for example the low-side MOSFET, of the H bridge during its ON period, and the signal present on the corresponding transistor of the other half-bridge during its ON period.
Il funzionamento nel caso di sensing sui transistori di potenza low-side è descritto con riferimento alle Figure 6, 7 e 8.
Operation in the case of sensing performed on the low-side power transistors is described with reference to Figures 6, 7, and 8.
In Figura 6 è mostrato uno schema a blocchi dove un circuito di sensing 50 comprende un preamplificatore 51 differenziale, i cui morsetti d'ingresso sono connessi attraverso switch 52P rispettivamente al drain e source del transistore MOSFET low side 13b, e attraverso switch 52M rispettivamente al drain e source del transistore MOSFET low side 23b del semiponte 22.
Figure 6 shows a block diagram, where a sensing circuit 50 comprises a differential preamplifier 51, the input pins of which are connected, through switches 52P, a first one to the drain and a second one to the source of the low-side MOSFET 13b, and, through switches 52M, the first one to the drain and the second one to the source of the low-side MOSFET 23b of the half-bridge 22.
A valle degli switch 52P e 52M si formano rispettive prime e seconde tensioni di sense VSPe VSM, che corrispondono alle tensioni drain source rilevate, fornite agli ingressi differenziali del preamplificatore 51 Gli switch 52P connessi al primo semiponte 12 sono pilotati da un segnale di protezione SWPRP analogo a quello di Figura 3, mentre i secondi switch 52M sono pilotati tramite un segnale di protezione SWPRM che ha stati di accensione, o ON, complementari nel caso di modulazione fuori fase (figura 7), mentre nel caso di modulazione in fase (figura 8) comunque sono coincidenti con 1'intervallo di accensione del rispettivo transistore low- side (tflMper il secondo semiponte).
The switches 52P connected to the first half-bridge 12 are driven by a protection signal SWPRP similar to that of Figure 3, whereas the second switches 52M are driven via a protection signal SWPRM that has ON states, which are complementary in the case of out-of-phase modulation ( Figure 7 ), whereas in the case of in-phase modulation ( Figure 8 ) anyway coincide with the ON interval of the respective low-side transistor (taMfor the second half-bridge).
Dunque gli switch, o interruttori di protezione, 52P e 52M rappresentano una porzione circuitale, o rete, di rilevazione di una prima tensione drain-s ource VSpda un transistore 13b del primo semiponte 12 e di una seconda tensione drain-source VSMda un corrispondente transistore 23b del secondo semiponte 22 tramite rispettivi interruttori di protezione 52P, 52M interposti fra i nodi di drain e source dei transistori del primo semiponte 12 e del secondo semiponte 22 e il preamplificatore 51.
Hence, the protection switches 52P and 52M represent a circuit portion, or network, for detecting a first drain-to-source voltage VSPfrom a transistor 13b of the first half-bridge 12 and a second drain-to-source voltage VSMfrom a corresponding transistor 23b of the second half-bridge 22 via respective protection switches 52P, 52M set between the drain and source nodes of the transistors of the first half-bridge 12 and of the second half-bridge 22 and the preamplifier 51.
Tale preamplificatore 51 realizza un modulo per operare una differenza fra detta prima tensione drain-s ource VSPe seconda tensione drain-s ource VSMrilevate.
This preamplifier 51 provides a module for computing a difference between the first detected drain-to-source voltage VSPand the second detected drain-to-source voltage VSM.
In uscita dal preamplificatore 51 è connesso un filtro passa basso 53 all'uscita del quale si forma una tensione di sense risultante VSENSE- Il filtro passa basso 53 può anche essere integrato nell'amplificatore differenziale 51 e non essere quindi un blocco in cascata. che è fornita al convertitore da analogico a digitale 54.
Connected to the output of the preamplifier 51 is a low-pass filter 53, at the output of which a resulting sense voltage VSENSEis formed.
Il filtro passa basso 53 realizza un modulo per operare, in modo tempo continuo, una media su detta differenza per ottenere un valore di tensione di sense VSENSEda fornire a un convertitore analogico digitale 54.
The low-pass filter 53 may also be integrated in the differential amplifier 51 and hence not be a block cascaded thereto.
La descrizione seguente è riferita all’impianto del dispositivo 1 nella parete intragastrica, cosiddetta mucosa.
The following description refers to the implantation of the device 1in the intragastric wall, or so-called mucosa.
Approccio analogo può essere utilizzato per rimpianto in altre sedi del corpo (umano o animale) con la sola sostituzione del mezzo di veicolazione in loco, oppure per rimpianto di altri dispositivi purché aventi le caratteristiche di forma adeguate ad operare con lo strumento 2.
A similar approach may be used for implantation in other sites of the body (human or animal) with the sole replacement of the in situ delivery means, or for the implantation of other devices as long as they are characterised by a shape suitable for operating with the tool 2.
L’ago 13 nell’assetto mostrato in figure la - le, quindi completamente esposto, grazie alla sua conformazione e disposizione, può essere portato a contatto con la parete nella quale deve avvenire rimpianto, nel caso in esempio la mucosa gastrica, è in grado di penetrare la mucosa per alcuni millimetri, e consente Γ iniezione del fluido atto, in maniera prevalente ma non esclusiva, alla creazione del rigonfiamento tissutale 4, ovvero lo spazio sufficiente per rinserimento successivo del dispositivo 1.
In the positioning shown in FIGS. 1a-1c, the needle 13, thus completely exposed, thanks to its conformation and arrangement, can be brought into contact with the wall in which the implantation will take place, in the gastric mucosa in the example case, is able to penetrate the mucosa by a few millimetres, and allows the injection of the fluid, which is suitable, prevalently but not exclusively, for creating the tissue swelling 4, i.e. sufficient space for the subsequent insertion of the device 1.
11 sistema di inserimento 5 consente la penetrazione nei tessuti grazie alla estremità anteriore a tronco di cono del corpo contenitivo 6.
The insertion system 5allows penetration into the tissues thanks to the truncated cone-shaped front end of the containment body 6.
Dopo la creazione del rigonfiamento 4 e una sufficiente penetrazione del sistema di inserimento 5 all’ interno dei tessuti, lo strumento 2 che trascina il dispositivo 1 viene spinto all’ interno dei tessuti grazie alla spinta esercitabile tramite la guaina 18.
After the creation of the swelling 4and a sufficient penetration of the insertion system 5into the tissues, the tool 2which draws the device 1is pushed into the tissues thanks to the push exertable by means of the sheath 18.
Per consentire quanto sopra, il sistema di inserimento 5 deve essere in grado, oltre che a trascinare il dispositivo 1, anche a consentire la penetrazione all’ interno del tessuto tramite Γ estremità anteriore del corpo contenitivo 6, rilasciare Γ estremità rilasciabile del cavo 12 e liberare così il dispositivo 1 una volta raggiunto il luogo di impianto, supportare il sistema 3 di creazione del rigonfiamento tissutale 4, mentre il raccordo 17 con la guaina 18 deve essere in grado di consentire la spinta e il direzionamento dello strumento 2 che trascina il dispositivo 1 all’ interno del tessuto, garantire il passaggio del condotto di alimentazione 16, e garantire il movimento adeguato del sistema 3 per la creazione del rigonfiamento tissutale atto a liberare il cavo 12 di trascinamento del dispositivo 1.
In order to enable the foregoing, in addition to drawing the device 1, the insertion system 5must also be able to allow penetration into the tissue by means of the front end of the containment body 6, release the pulling element 11, thus freeing the device 1once it has reached the implant site, and support the system 3for creating the tissue swelling 4, whilst the connector 17with the sheath 18must be able to allow the tool 2which draws the device 1into the tissue to be pushed and directed, ensure the passage of the supply conduit 16, and ensure an adequate movement of the system 3for creating the tissue swelling such as to free the pulling element 11.
Il dispositivo 1 trascinato grazie al cavo 12 dallo strumento 2 per tutta la prima fase della procedura di impianto, prima delle funzioni che svolgerà una volta completato il procedimento, è specificatamente conformato per operare con lo strumento di impianto 2, con Γ estremità posteriore, più sottile, rivolta verso il sito di impianto avente una morfologia assottigliata conformata al fine di rendere armonica la forma del completo assieme, e di permettere la graduale divaricazione dei tessuti che diversamente subirebbero strappi, tagli o comunque ulteriori lesioni non necessarie.
For the whole of the first phase of the implantation procedure, before the functions it will perform once the procedure has been completed, the device 1drawn by the tool 2thanks to the pulling element 11is specifically conformed to operate with the implantation tool 2, with the rear, more slender end, turned toward the implant site having a thin morphology which is conformed so as to make the shape of the whole assembly harmonious, and allow the gradual spreading apart of tissues that would otherwise be torn, cut or suffer further unnecessary lesions.
Il dispositivo 1 è dotato di una specifica rugosità, forma e composizione esterna, con caratteristiche diverse relative alla sede di impianto, specifiche per evitare fenomeni di dislocamento o decubito.
The device 1is endowed with a specific roughness, shape and external composition, with different characteristics from the implant site, specifically to prevent any displacement or bedsores.
Il dispositivo 1 preferibilmente è conformato al fine di presentare la minore resistenza all’ inserimento nel tessuto.
The device 1is preferably conformed so as to pose the least resistance to insertion into the tissue.
A prescindere dalla forma specifica che il dispositivo 1 può avere dipendentemente dai vari utilizzi che ne possono essere fatti, preferibilmente presenterà all’ estremità’ più sottile, qualora ci siano differenze dimensionali tra le estremità del dispositivo, un occhiello attraverso il quale si farà passare il cavo atto a trascinare il dispositivo 1 all’interno del rigonfiamento tissutale.
Irrespective of the specific shape that the device 1can have depending on the various uses which can be made thereof, it will preferably have, at the slenderer end, if there are size differences between the ends of the device, a flexible plate provided with an eyelet through which, with reference to FIGS. 1-8c, the cable suitable for drawing the device 1into the tissue swelling, and with reference to FIGS. 9-14, the needle 13, will be made to pass.
Nel caso il dispositivo 1 non presentasse detto occhiello, lo strumento di impiantazione 2 può essere collegato al dispositivo 1 mediante altro strumento che ne consenta comunque il trascinamento e lo sgancio in modo analogo a quanto precedentemente illustrato.
If the device 1does not have said eyelet, the implantation tool 2can be connected to the device 1by means of another tool which in any case enables it to be drawn and released in a similar manner to what was previously illustrated.
Il mezzo per la veicolazione in loco dello strumento 2 con all’ interno il dispositivo 1 può essere diverso a seconda delle diverse sedi di impianto.
The in situ delivery means of the tool 2with the device 1inside may differ according to the different implant sites.
Il mezzo di veicolazione in loco può essere un endoscopio nel caso di inserimento all’ interno della parete gastrica o dell’alto canale digerente: in questo caso il condotto di alimentazione del fluido 16 e la guaina 18 passano attraverso il canale operatore dell’ endoscopio all’ esterno del quale si inserisce nella sua parte finale un alloggiamento per agevolare la veicolazione del dispositivo 1 aH’intemo dell’area di impianto.
The in situ delivery means can be an endoscope in the case of insertion into the gastric wall or upper digestive tract: in this case the supply conduit of the fluid 16and the sheath 18pass through the operating channel of the endoscope, on the outside of which, in the final part thereof, a housing is inserted to facilitate the delivery of the device 1into the implantation area.
Il mezzo di veicolazione in loco può essere altresì definito da un manipolo che consente di utilizzare lo strumento 2 con inserito il dispositivo 1 per Γ inserimento del dispositivo 1 in altre zone del corpo.
The in situ delivery means may also be defined by a handle that allows the tool 2to be used with the device 1inserted in order to insert the device 1in other areas of the body.