mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
Brève description des dessins D'autres avantages et caractéristiques res sortiront mieux de la description qui va suivre, de plusieurs variantes d'exécution, données à titre d'exemples non limitatifs, du procédé de détermination de la résistance aérodynamique d'un objet ou d'une personne en mouvement suivant l'invention, à partir des dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 est une représentation schématique des différentes étapes du procédé suivant l'invention, - la figure 2 est une représentation schématique d'un système d'acquisition de nuages de points 3D correspondant à la position de points sur la surface du solide en mouvement pour la mise en œuvre du procédé suivant l'invention.
Brief description of the drawings Other advantages and features will better emerge from the following description of several alternative embodiments, provided as non-limiting examples, of the method for determining the aerodynamic resistance of a moving object or person according to the invention, from the appended drawings, in which:- figure 1 is a schematic illustration of the different steps of the method according to the invention, - figure 2 is a schematic illustration of a system for acquiring 3D clouds of dots corresponding to the position of dots on the surface of the moving solid to carry out the method according to the invention.
Mode de réalisation de l'invention On décrira ci-après un procédé et un système de détermination de la résistance aérodynamique d'un cycliste pédalant sur un vélo, ledit cycliste ayant un mouvement propre, à savoir son mouvement de pédalage ; Toutefois, il est bien évident que le procédé et le système pourront être adaptés à tout objet ou toute personne ayant un mouvement propre sans pour autant sortir du cadre de l'invention.
9 Detailed description of the invention Below, we will describe a method and a system for determining the aerodynamic resistance of a cyclist pedaling on a bicycle, said cyclist having a specific movement, i.e., his pedaling movement.
En référence à la figure 1, le système suivant l'invention permettant de mesurer sans contact et sans déplacement la résistance aérodynamique d'un solide en mouvement comporte plusieurs sous-systèmes qui interagissent.
In reference to figure 1, the system according to the invention making it possible to measure, without contact and without movement, the aerodynamic resistance of a moving solid includes several interacting sub-systems.
Plus particulièrement, il comporte un système permettant d'étudier le mouvement du solide sans que celui-ci ne se déplace par rapport au sol.
More particularly, it includes a system making it possible to study the movement of the solid without the latter moving relative to the ground.
Ainsi, suivant l'invention, la mesure de Γ aérodynamisme ne nécessite pas un mouvement réel du solide étudié par rapport au sol.
Thus, according to the invention, the measurement of the aerodynamics does not require an actual movement of the studied solid relative to the ground.
Par ailleurs, cette mesure prend en compte l'aspect dynamique du mouvement du solide.
Furthermore, this measurement accounts for the dynamic aspect of the movement of the solid.
Il est donc nécessaire de placer le solide étudié dans des conditions permettant un mouvement sans contrainte mais sans déplacement par rapport au sol.
It is therefore necessary to place the solid under conditions allowing movement without stress, but without any displacement relative to the ground.
Chaque figure illustre, côté 10 droit, la réalisation des transistors bipolaires verticaux et, côté gauche, la réalisation des transistors MOS.
Each drawing illustrates, on the right-hand side, the forming of the vertical bipolar transistors and, on the left-hand side, the forming of the MOS transistors.
A l'étape illustrée en figure 2, on a prévu une structure de type semiconducteur sur isolant SOI, comprenant, sur un substrat 20 semiconducteur, par exemple en silicium dopé 15 du type P, une couche isolante 22 sur laquelle s'étend une couche semiconductrice 24, par exemple en silicium.
At the step illustrated in FIG. 2, a structure of semiconductor on insulator, SOI, type, comprising, on a semiconductor substrate 20, for example, made of P-type doped silicon, an insulating layer 22having a semiconductor layer 24, for example, made of silicon, extending thereon, has been provided.
La structure SOI est recouverte d'une couche 26 d'arrêt de gravure, par exemple en oxyde de silicium.
The SOI structure is covered with an etch stop layer 26, for example, made of silicon oxide.
On dépose alors une couche de nitrure de silicium 28.
A silicon nitride layer 28is then deposited.
A titre d'exemple, la couche semi- 20 conductrice 24 a une épaisseur inférieure à 20 nm.
As an example, semiconductor layer 24has a thickness smaller than 20 nm.
La couche d'arrêt de gravure peut avoir une épaisseur inférieure à 5 nm.
The etch stop layer may have a thickness smaller than 5 nm.
A l'étape illustrée en figure 3, un masque 30 en résine a été formé côté gauche sur la surface supérieure de la couche 28.
At the step illustrated in FIG. 3, a resin mask has been formed on the left-hand side on the upper surface of layer 28.
La partie droite de la couche de nitrure de silicium 25 est ensuite éliminée par une gravure s'arrêtant au niveau de la couche d'arrêt 26.
The right-hand portion of the silicon nitride layer is then removed by an etching stopping at the level of etch stop layer 26.
A l'étape illustrée en figure 4, on a retiré le masque 30.
At the step illustrated in FIG. 4, mask 30has been removed.
On réalise alors une oxydation thermique de la face supérieure de la structure, de manière à oxyder la partie droite 30 de la couche semiconductrice 24 sur la totalité de son épaisseur.
A thermal oxidation of the upper surface of the structure is then carried out to oxidize the right-hand portion of semiconductor layer 24across its entire thickness.
Les parties droites des couches 22 et 26 isolantes et la partie oxydée de la couche 24 constituent une région isolante 40 côté droit.
The right-hand portions of insulating layers 22and 26and the oxidized portion of layer 24form an insulating region 40on the right-hand side.
La région 40 s'étend du niveau inférieur de la couche 22 jusqu'à la face supérieure de la structure.
Region 40extends from the lower level of layer 22to the upper surface of the structure.
La partie 35 gauche de la couche 28 constitue un masque dur 42 qui permet de 3049111 B14824 - 15-GR4-0610 - DD16760VR 8 conserver intacte la partie gauche de la couche semiconductrice 24.
The left-hand portion of layer 28forms a hard mask 42which enables to keep intact the left-hand portion of semiconductor layer 24.
A titre de variante de l'étape illustrée en figure 4, après avoir retiré le masque 30, on peut éliminer par gravure la 5 couche 26 puis la couche semiconductrice 24 sur la totalité de son épaisseur.
As a variation of the step illustrated in FIG. 4, after having removed mask 30, one may remove by etching layer 26and then semiconductor 24across its entire thickness.
On obtient une région isolante 40 qui correspond alors à la partie droite de la couche 22.
An insulating region 40which then corresponds to the right-hand portion of layer 22is obtained.
A l'étape illustrée en figure 5, on a formé un masque en résine 50 comprenant en partie droite des ouvertures 52 10 disposées au pas de grille régulier D du réseau de grilles de transistors MOS qui sera formé ultérieurement.
At the step illustrated in FIG. 5, a resin mask 50comprising in its right-hand portion openings 52arranged with regular gate pitch D of the network of MOS transistor gates which will be subsequently formed.
Par une étape de gravure, les ouvertures 52 sont ensuite prolongées verticalement par des ouvertures 56 au travers de la portion isolante 40 jusque dans la partie supérieure du substrat 20.
By an etch step, openings 52are then vertically continued by openings 56through insulating portion 40all the way into the upper portion of substrate 20.
Les ouvertures 15 56 réalisées délimitent ainsi des murs isolants 58 disposés régulièrement au pas de grille D. A titre d'exemple, le pas de grille D est compris entre 80 nm et 150 nm.
The formed openings 56thus delimit insulating walls 58regularly arranged according to gate pitch D. As an example, gate pitch D is in the range form 80 nm to 150 nm.
A titre d'exemple, la distance séparant deux ouvertures 56 voisines, ou largeur des murs isolants, est comprise entre 20 et 40 nm.
As an example, the distance separating two neighboring openings 56, or width of the insulating walls, is in the range from 20 to 40 nm.
A titre 20 d'exemple, l'épaisseur ou hauteur des murs isolants est comprise entre 25 et 30 nm.
As an example, the thickness or height of the insulating walls is in the range from 25 nm to 30 nm.
La couche isolante 22 peut avoir une épaisseur de 25 nm.
Insulating layer 22may have a 25-nm thickness.
A l'étape illustrée en figure 6, le masque 50 a d'abord été retiré.
At the step illustrated in FIG. 6, mask 50has first been removed.
On procède alors à une épitaxie sélective de 25 silicium.
A selective silicon epitaxy is then performed.
Des portions épitaxiées 60 se forment à partir du fond des ouvertures 56, et croissent entre les murs isolants 58.
Epitaxial portions 60form from the bottom of openings 56, and grow between insulating walls 58.
On arrête l'épitaxie lorsque les portions épitaxiées 60 remplissent les ouvertures 56 jusqu'au niveau supérieur des murs isolants 58.
The epitaxy is stopped when epitaxial portions 60fill openings 56up to the upper level of insulating walls 58.
30 A l'étape illustrée en figure 7, le masque dur 42 a été retiré.
At the step illustrated in FIG. 7, hard mask 42has been removed.
Un multicouche 70 comprenant une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium est ensuite déposé sur la surface supérieure de l'ensemble de la structure.
A multilayer 70comprising a silicon oxide layer and a silicon nitride layer is then deposited on the upper surface of the entire structure.
A l'étape illustrée en figure 8, un masque 80 a été 35 réalisé sur la surface supérieure de l'ensemble de la structure.
At the step illustrated in FIG. 8, a mask 80has been formed on the upper surface of the entire structure.
3049111 B14824 - 15-GR4-0610 - DD16760VR 9 Des tranchées sont formées jusqu'à un niveau situé dans le substrat 20.
Trenches are formed down to a level located in substrate 20.
Une tranchée 84 sépare le côté gauche correspondant aux transistors MOS et le côté droit correspondant aux transistors bipolaires.
A trench 84separates the left-hand side corresponding to the MOS transistors from the right-hand side corresponding to the bipolar transistors.
Des tranchées 84 peuvent aussi séparer 5 côté droit des portions correspondant chacune à un groupe de transistors bipolaires ayant une base commune.
Trenches 84may also separate on the right-hand side portions each corresponding to a group of bipolar transistors having a common base.
Des tranchées 86 de séparation des transistors MOS sont situées du côté gauche.
Trenches 86for separating the MOS transistors are located on the left-hand side.
A l'étape illustrée en figure 9, les tranchées 84 et 86 ont été remplies d'oxyde de silicium, formant des tranchées 10 d'isolement respectives 90 et 92.
At the step illustrated in FIG. 9, trenches 84and 86have been filled with silicon oxide, forming respective insulating trenches 90and 92.
Le masque 80, le multicouche 70 et les portions de tranchées d'isolement 90 et 92 situées au-dessus du niveau inférieur du multicouche 70 ont été éliminées.
Mask 80, multilayer 70, and insulating trench portions 90and 92located above the lower level of multilayer 70have been removed.
Côté gauche, les portions restantes de la couche 26 d'arrêt de gravure ont été ensuite retirées.
On the left-hand side, the remaining portions of etch stop layer 26have then been removed.
Les portions restantes de la 15 couche semiconductrice 24 constituent des dalles ou zones actives semiconductrices 94 (ou films minces semiconducteurs) reposant sur la couche isolante 22 et séparées par des tranchées d'isolement 92.
The remaining portions of semiconductor layer 24form slabs or active semiconductor areas 94(or thin semiconductor films) resting on insulating layer 22and separated by insulating trenches 92.
On procède alors, côté droit, à un dopage de type N par implantation ionique pour former une région dopée 96 20 qui s'étend à partir de la surface supérieure dans les portions épitaxiées 60 et dans le substrat 20, jusqu'à un niveau situé dans le substrat au-dessus du niveau inférieur des tranchées d'isolement.
One then performs, on the right-hand side, an N-type doping by ion implantation to form a doped region 96which extends from the upper surface into epitaxial portions 60and into substrate 20, all the way to a level located in the substrate above the lower level of insulating trenches.
La région 96 dopée de type N s'étend sous les murs isolants 58.
N-type doped region 96extends under insulating walls 58.
25 A l'étape illustrée en figure 10, on a formé simultanément côté droit et côté gauche un réseau de grilles 100 régulièrement espacées au pas de grille D. Chaque grille 100 est munie sur ses flancs d'espaceurs latéraux isolants 102.
At the step illustrated in FIG. 10, a network of gates 100regularly spaced apart according to gate pitch D has been simultaneously formed on the right-hand side and on the left-hand side.
Les structures de grille 100 ont été positionnées, côté droit, sur 30 les murs isolants 58 pour constituer des éléments de séparation et, côté gauche, en position centrale sur les dalles 94 pour constituer les grilles de transistors MOS.
Gate structures 100have been positioned, on the right-hand side, on insulating walls 58to form separation elements and, on the left-hand side, in the central position on slabs 94to form the gates of MOS transistors.
On réalise ensuite une épitaxie sélective de silicium sur la surface de l'ensemble de la structure, simultanément côté 35 droit et côté gauche.
A selective epitaxy of silicon is then performed on the surface of the entire structure, simultaneously on the right-hand side and on the left-hand side.
Côté gauche, des portions épitaxiées 104 3049111 B14824 - 15-GR4-0610 - DD16760VR 10 se forment à partir des parties des dalles semiconductrices 94 situées de part et d'autre des structures de grille 100.
On the left-hand side, epitaxial portions 104form from the portions of semiconductor slabs 94located on either side of gate structure 100.
Côté droit, des portions épitaxiées 106 croissent entre les espaceurs isolants 102 à partir de la face supérieure des portions 60 de 5 la région N 96.
On the right-hand side, epitaxial portions 106grow between insulating spacers 102from the upper surface of portions 60of N region 96.
Les portions épitaxiées 106 et les portions épitaxiées 104 ont des faces supérieures situées à des niveaux identiques à 10 nm près.
Epitaxial portions 106and epitaxial portions 104have upper surfaces located at identical levels to within 10 nm.
A l'étape illustrée en figure 11, on a d'abord réalisé un dopage de type N, côté gauche, dans les portions épitaxiées 10 104 et des portions des dalles 94 situées en dessous de ces portions épitaxiées, et, côté droit, dans l'une 114 des portions épitaxiées 106.
At the step illustrated in FIG. 11, an N-type doping has first been performed, on the left-hand side, in epitaxial portions 104and portions of slabs 94located below the epitaxial portions and, on the right-hand side, in one 114of epitaxial portions 106.
On a obtenu ainsi des zones de drain et de source 110 de transistors MOS à canal N, les parties des dalles 94 situées sous les grilles constituant des zones de formation 15 de canal 112 des transistors MOS.
Drain and source areas 110of N-channel MOS transistors have thus been obtained, the portions of slabs 94located under the gates forming channel-forming areas 112of the MOS transistors.
On a aussi obtenu une zone de contact 114 associée à la région N 96.
A contact area 114associated with N region 96has thus been obtained.
On réalise ensuite côté droit un dopage de type P des portions épitaxiées 106.
A P-type doping of epitaxial portions 106is then carried out on the right-hand side.
On peut doper également des parties supérieures des portions épitaxiées 60 des régions 96.
Upper portions of epitaxial portions 60of regions 96may also be doped.
On obtient ainsi des régions dopées 116 de 20 type P. On a obtenu, côté droit, des transistors bipolaires de type PNP verticaux.
Vertical PNP-type bipolar transistors have been obtained on the right-hand side.
Chaque région P 116 constitue une région supérieure d'émetteur d'un transistor bipolaire.
Each P region 116forms an upper emitter region of a bipolar transistor.
La région N 96 est une région de base commune, et la partie inférieure du 25 substrat P 20 est un collecteur commun.
N region 96is a common base region, and the lower portion of P substrate 20is a common collector.
BOÎTIER ORTHODONTIQUE AUTO-LIGATURANT ET ENSEMBLE COMPORTANT PLUSIEURS DE CES BOÎTIERS La présente invention appartient au domaine technique des dispositifs de traitement orthodontique et concerne un boîtier orthodontique auto-ligaturant, ainsi qu'un ensemble comportant plusieurs de ces boîtiers.
The present invention relates to the technical field of orthodontic treatment devices and relates to a self-ligating orthodontic brace, and an assembly comprising a plurality of such braces.
L'orthodontie est une spécialité de la médecine dentaire dont le but est de corriger les postures et orientations de la mâchoire et/ou des dents.
Orthodontics is a dental medicine specialty, the purpose of which is to correct the postures and orientations of the jaw and/or teeth.
Pour ce faire, les praticiens utilisent des dispositifs spécifiques, tels que des appareils dentaires, qui sont composés de boîtiers connus dans le domaine technique sous le nom de « brackets ».
To do this, practitioners use specific devices, such as dental appliances, which are composed of braces known in the technical field by the term “brackets”.
Dans la composition de l'appareil dentaire, des boîtiers sont collés sur des dents à traiter et reliés entre eux par un arc orthodontique, tel qu'un fil mécanique.
In the composition of the dental appliance, braces are bonded to teeth to be treated and connected together by an orthodontic archwire, such as a mechanical wire.
La correction de la position des dents ou de leur orientation est réalisée au travers de forces appliquées sur les dents par l'intermédiaire de l'arc orthodontique.
The position of the teeth or their orientation is corrected through the forces applied to the teeth by means of the orthodontic archwire.
Des boîtiers orthodontiques bien connus sont du type comportant un corps qui est fixé à une dent et qui présente une gorge dans laquelle est reçu l'arc ou fil orthodontique.
Well-known orthodontic braces are of the type comprising a body that is fixed to a tooth and has a groove in which the orthodontic archwire or wire is fitted.
Des ailettes sont prévues permettant le maintien de l'arc dans la gorge par l'intermédiaire d'attaches, tels que des fils de ligature élastomériques ou des torons métalliques.
Fins are provided for holding the archwire in the groove by means of fasteners, such as elastomeric ligature wires or metal strands.
La gorge recevant l'arc orthodontique peut présenter une section ronde, carrée ou rectangulaire.
The groove receiving the orthodontic archwire has a round, square or rectangular cross section.
Cette catégorie de boîtiers présente quelques inconvénients parmi lesquels on citera la friction générée entre les attaches et l'arc orthodontique qui nécessite l'application de forces importantes pour déplacer les dents.
This category of brace has several drawbacks, including the friction generated between the fasteners and the orthodontic archwire, which requires the application of high forces to move the teeth.
Il s'en suit un certain inconfort pour les patients et un traitement plus long.
The result is a certain amount of discomfort for the patients and more lengthy treatment.
Une autre catégorie de boîtiers orthodontiques est celle des boîtiers dits auto- ligaturants.
Another category of orthodontic brace is that of so-called self-ligating braces.
Les boîtiers auto-ligaturants comportent un moyen de fermeture de la gorge qui est un élément mobile entre une position dite de fermeture dans laquelle il obture l'accès à la gorge et une position dite d'ouverture dans laquelle il libère l'accès à la gorge.
Self-ligating braces comprise a means for closing the groove that is an element able to move between a so-called closing position in which it closes off access to the groove and a so-called opening position in which it releases access to the groove.
Dans de tels boîtiers auto-ligaturants, la gorge est la partie qui reçoit l'arc orthodontique et qui est fermée par le moyen de fermeture.
In such self-ligating braces, the groove is the part that receives the orthodontic archwire and is closed by the closing means.
Par rapport à la catégorie précédente, ces boîtiers autoligaturants présentent un certain nombre d'avantages.
Compared with the previous category, these self-ligating braces have a certain number of advantages.
En particulier, ils ne nécessitent pas l'utilisation de forces trop importantes durant le traitement et génèrent moins de friction.
In particular, they do not require the use of excessively high forces during treatment and cause less friction.
Il sont, de plus, d'une plus grande facilité d'utilisation pour le praticien se traduisant par un temps au fauteuil réduit pour le patient et une durée de traitement réduite.
They are, in addition, much easier to use for the practitioner, resulting in a shorter time in the chair for the patient and a reduced treatment period.
Ils présentent de meilleures conditions d'hygiène car ils retiennent moins de plaque dentaire et d'aliments.
They have better hygiene conditions since they retain less dental plaque and food.
Au sein de cette catégorie sont classés les boîtiers dits auto-ligaturants actifs et les boîtiers dits auto-ligaturants passifs.
The so-called active self-ligating braces and the so-called passive self-ligating braces are classified in this category.
Dans un boîtier auto-ligaturant actif, l'élément mobile de fermeture est doté de propriétés élastiques et assure le maintien et le plaquage de l'arc dans le fond de la gorge, tout en permettant l'expression de l'élasticité de l'arc, mais également en augmentant la friction entre l'arc et la gorge lors de la translation dentaire.
In an active self-ligating brace, the movable closing element is provided with elastic properties and holds and presses the archwire in the bottom of the groove, while allowing expression of the elasticity of the archwire, but also increasing the friction between the archwire and the groove during dental translation.
Dans un boîtier auto-ligaturant passif, l'élément mobile se comporte comme la quatrième paroi de la gorge, permettant ainsi sa fermeture sans que l'arc orthodontique ne soit totalement contraint au fond de celle-ci.
In a passive self-ligating brace, the movable element behaves as the fourth wall of the groove, thus allowing closure thereof without the orthodontic archwire being totally constrained at the bottom thereof.
Cette configuration permet un glissement amélioré de l'arc dans la gorge, mais diminue l'expression de l'élasticité de l'arc quand ses dimensions sont inférieures à celles de la gorge.
This configuration allows improved sliding of the archwire in the groove but reduces the expression of the elasticity of the archwire when its dimensions are less than those of the groove.
Parmi les boîtiers utilisés en traitement orthodontique, on distingue encore ceux dont l'insertion de l'arc est dite « horizontale » et ceux dont l'insertion de l'arc est dite « verticale ».
Among the braces used in orthodontic treatment, those where the insertion of the archwire is said to be “horizontal” and those where the insertion of the archwires is said to be “vertical” are also distinguished.