mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 13, caractérisé en ce que l'étape de comparaison consiste à réaliser un vote entre les ordres de guidage calculés, respectivement, par chacun desdits systèmes de gestion de vol (3A, 3B) et l'ordre de guidage calculé à ladite étape de calcul (E2), de manière à conserver la valeur médiane.
The method according to claim 6, wherein the comparison step includes exercising a vote between the respective guidance commands computed by each of said flight management systems and the guidance command computed in said computation step and retaining the median value.
On se réfère tout d'abord aux figures 1, 2, 3 illustrant de manière schématique (respectivement selon une vue en perspective, une vue de dessus, et une région agrandie de la vue en perspective) un exemple de dispositif selon un mode de réalisation de la présente invention.
Reference will firstly be made to FIGS. 1, 2, 3illustrating, in a schematic manner (respectively according to a perspective view, a top view, and an enlarged region of the perspective view), an example of device according to an embodiment of the present invention.
Ce dispositif est un commutateur permettant de modifier les connexions d'au moins un circuit (non représenté) qui, dans cet exemple de réalisation, est destiné à véhiculer des signaux radio-fréquences (RF).
This device is a commutator making it possible to modify the connections of at least one circuit (not represented) which, in this exemplary embodiment, is intended to convey radio frequency (RF) signals.
Le commutateur est ainsi un commutateur RF apte à acheminer ou à interrompre l'acheminement d'au moins un signal RF entre une première portion de circuit et une deuxième portion de circuit, en fonction de l'état d'au moins un matériau à changement de phase (PCM) agencé entre ces deux portions.
The commutator is thus a RF commutator capable of enabling or interrupting the routing of at least one RF signal between a first portion of circuit and a second portion of circuit, as a function of the state of at least one phase change material (PCM) laid out between these two portions.
Le dispositif décrit ici peut remplir la fonction d'un interrupteur bistable.
The device described here may fulfil the function of a bistable switch.
On utilisera néanmoins le terme « commutateur » tout au long du présent exposé détaillé.
Nevertheless, the term “commutator” will be used throughout the present detailed description.
Le signal RF véhiculé a une fréquence qui peut être comprise par exemple entre plusieurs mégahertz et plusieurs centaines de gigahertz et une puissance par exemple de l'ordre de 40 dBm.
The conveyed RF signal has a frequency that may be comprised for example between several megahertz and several hundreds of gigahertz and a power for example of the order of 40 dBm.
Le commutateur comporte ainsi un premier élément conducteur 2 par lequel au moins un signal RF est destiné à entrer et qui est connecté avec la première portion de circuit RF et un deuxième élément conducteur 4 connecté avec la deuxième portion du circuit RF et par lequel le signal RF est ainsi destiné à sortir.
The commutator thus comprises a first conducting element 2through which at least one RF signal is intended to enter and which is connected with the first portion of the RF circuit and a second conducting element 4connected with the second portion of the RF circuit and through which the RF signal is thus intended to exit.
Le premier élément conducteur 2 et le deuxième élément conducteur 4 forment ainsi deux terminaisons d'une ligne de transmission de signal électrique RF, ces deux terminaisons étant séparées l'une de l'autre par un matériau à changement de phase 7 et étant connectées électriquement à, et avantageusement en contact avec, ce matériau à changement de phase 7.
The first conducting element 2and the second conducting element 4thus form two terminations of a RF electrical signal transmission line, these two terminations being separated from each other by a phase change material 7and being electrically connected to, and advantageously in contact with, this phase change material 7.
Le premier élément conducteur 2 et le deuxième élément conducteur 4 peuvent être par exemple à base d'un matériau métallique tel que de l'aluminium (Al), du cuivre (Cu), de l'or (Au), du titane (Ti), ou du tungstène (W) ou d'un matériau semi-conducteur dopé tel que par exemple du silicium dopé, ou d'un polymère conducteur tel que le PEDOT (3,4-éthylènedioxythiophène), ou d'un oxyde métallique tel que de l'oxyde de ruthénium (RuO2) ou de l'oxyde d'iridium (IrO2), ou d'un matériau conducteur transparent tel que par exemple de l'ITO (oxyde d'indium dopé à l'étain).
The first conducting element 2and the second conducting element 4may be for example based on a metal material such as aluminium (Al), copper (Cu), gold (Au), titanium (Ti), or tungsten (W) or a doped semi-conductor material such as for example doped silicon, or a conductive polymer such as PEDOT (3,4-ethylene dioxy thiophene), or a metal oxide such as ruthenium oxide (RuO2) or iridium oxide (IrO2), or a transparent conductor material such as for example ITO (indium oxide doped with tin).
Le premier élément conducteur 2 et le deuxième élément conducteur 4 sont ici par exemple sous forme de zones conductrices planes qui s'étendent sur un support, et en particulier parallèlement au plan principal de ce support.
The first conducting element 2and the second conducting element 4are here for example in the form of flat conducting zones which extend on a support, and in particular parallel to the main plane of this support.
Par « plan principal » du support, on entend un plan passant par le support et qui est parallèle au plan [0 ; x ; y] du repère orthogonal [0 ; x ; y ; z] indiqué sur les figures 1 et 2.
“Main plane” of the support is taken to mean a plane passing through the support and which is parallel to the plane [0; x; y] of the orthogonal reference system [0; x; y; z] indicated in FIGS. 1 and 2.
Le support peut être un substrat, en particulier un substrat semi-conducteur, par exemple à base de silicium, éventuellement revêtu d'une couche de passivation en oxyde de silicium (SiO2).
The support may be a substrate, in particular a semi-conductor substrate, for example based on silicon, potentially coated with a passivation layer made of silicon oxide (SiO2).
En variante, le support du commutateur peut être un dispositif microélectronique, en particulier une couche isolante de ce dispositif.
In a variant, the support of the commutator may be a microelectronic device, in particular an insulating layer of this device.
On peut ainsi prévoir comme support un couche isolante par exemple de type IMD pour (« Intermetal dielectric layer ») et qui est située entre deux niveaux d'interconnexions de composants électroniques ou bien une couche isolante appartenant à un des niveaux finaux communément appelés de « back-end » d'un circuit intégré.
It is also possible to provide as support an insulating layer for example of IMD (intermetal dielectric layer) type and which is situated between two levels of interconnections of electronic components or instead an insulating layer belonging to one of the final levels commonly known as the “back-end” of an integrated circuit.
Le commutateur est susceptible d'adopter un premier état appelé état « passant » dans lequel le premier élément conducteur 2 et le deuxième élément conducteur 4 sont connectés l'un à l'autre de sorte qu'au moins un signal RF peut transiter du premier élément conducteur 2 au deuxième élément conducteur 4.
The commutator is capable of adopting a first so-called “ON” state wherein the first conducting element 2and the second conducting element 4are connected to each other such that at least one RF signal can transit from the first conducting element 2to the second conducting element 4.
Le commutateur est également susceptible d'adopter un deuxième état appelé état « bloqué » dans lequel entre le premier élément conducteur 2 et le deuxième élément conducteur 4, la transmission d'un signal RF entre le premier élément conducteur 2 et le deuxième élément conducteur 4 est empêchée.
The commutator is also capable of adopting a second so-called “OFF” state wherein between the first conducting element 2and the second conducting element 4, the transmission of a RF signal between the first conducting element 2and the second conducting element 4is prevented.
Les états « passant » et « bloqué » du commutateur correspondent à différents états du matériau 7 à changement de phase.
The “ON” (conducting) and “OFF” (non-conducting) states of the commutator correspond to different states of the phase change material 7.
Le matériau 7 à changement de phase peut être en particulier un matériau apte à passer d'un état amorphe à un état cristallin et inversement en fonction de la température à laquelle celui-ci est porté.
The phase change material 7may be in particular a material capable of going from an amorphous state to a crystalline state and vice versa as a function of the temperature to which it is taken.
Ainsi, ce matériau 7 à changement de phase intercalé entre les éléments conducteurs 2, 4 est susceptible, lorsqu'il est sous forme amorphe, d'adopter un état de forte résistivité, et lorsqu'il se trouve sous forme cristalline, d'adopter un état de faible résistivité.
Thus, this phase change material 7, intercalated between the conducting elements 2, 4, is capable, when it is in amorphous form, of adopting a state of high resistivity and, when it is in crystalline form, of adopting a state of low resistivity.
Par « faible résistivité » on entend une résistivité qui peut être comprise par exemple entre 10-4ohm.cm et 10-2ohm.cm.
“Low resistivity” is taken to mean a resistivity that may be comprised for example between 10 −4 ohm·cm and 10−2 ohm·cm.
Par « forte résistivité », on entend une résistivité qui peut être comprise par exemple entre 10 ohm.cm à 1000 ohm.cm.
“High resistivity” is taken to mean a resistivity that may be comprised for example between 10 ohm·cm to 1000 ohm·cm.
Lorsque le matériau à changement de phase 7 est dans son état cristallin faiblement résistif, le signal RF est transmis du premier élément conducteur 2 vers le deuxième élément conducteur 4 tandis que lorsque le matériau à changement de phase 7 est dans son état amorphe fortement résistif, le signal RF est réfléchi et n'est donc pas transmis vers le deuxième élément conducteur 4.
When the phase change material 7is in its lowly resistive crystalline state, the RF signal is transmitted from the first conducting element 2to the second conducting element 4, whereas when the phase change material 7is in its highly resistive amorphous state, the RF signal is reflected and is thus not transmitted to the second conducting element 4.
En changeant l'état du matériau entre son état amorphe et son état cristallin on peut donc obtenir une fonction d'interrupteur.
By changing the state of the material between its amorphous state and its crystalline state, it is thus possible to obtain a switch function.
Le matériau 7 à changement de phase peut être par exemple à base d'un chalcogénure ou d'un alliage de chalcogénures comme du Ge2Sb2Te5ou du GeTe.
The phase change material 7may be for example based on a chalcogenide or an alloy of chalcogenides such as Ge2Sb2Te5 or GeTe.
De tels matériaux ont avantageusement un rapport de résistivité élevé, par exemple de l'ordre de 103et qui peut atteindre 106entre leur état de faible résistivité et leur état de forte résistivité.
Such materials advantageously have a high resistivity ratio, for example of the order of 103 and which may reach 106 between their low resistivity state and their high resistivity state.
Pour faire passer le matériau à changement de phase 7 d'un état cristallin à un état amorphe et inversement, le dispositif est doté de moyens d'activation du matériau PCM 7, ces moyens étant ici des moyens de chauffage de préférence de type électrique.
To make the phase change material 7change from a crystalline state to an amorphous state and vice versa, the device is provided with means of activating the PCM 7, these means here being means of heating, preferably of electrical type.
Pour faire passer le matériau à changement de phase 7 d'un état cristallin à un état amorphe du matériau PCM 7, celui-ci est chauffé à une température située dans une première gamme de températures, en particulier des températures élevées pendant une première durée, typiquement courte.
To make the phase change material 7change from a crystalline state to an amorphous state of the PCM 7, said PCM is heated to a temperature situated in a first range of temperatures, in particular high temperatures for a first duration, typically short.
La première gamme de températures peut être comprise entre par exemple 600°C et 1000°C, appliquée pendant une durée comprise entre 10 ns à 100 ns en particulier lorsque le matériau à changement de phase 7 est par exemple du Ge50Te50ou du Ge30Te70ou du Ge2Sb2Te5.
The first range of temperatures may be comprised between for example 600° C. and 1000° C., applied for a duration comprised between 10 ns to 100 ns in particular when the phase change material 7is for example Ge50Te50 or Ge30Te70 or Ge2Sb2Te5.
Les températures de cette première gamme peuvent être ainsi situées au-delà de la température de fusion TFdu matériau à changement de phase, qui est par exemple de l'ordre de 725°C pour le GeTe.
The temperatures of this first range may thus be situated above the melting temperature TF of the phase change material, which is for example of the order of 725° C. for GeTe.
Pour faire passer le matériau à changement de phase 7 d'un état amorphe à un état cristallin du matériau PCM 7, celui-ci est chauffé à une température située dans une deuxième gamme de températures, en particulier des températures plus faibles que la première gamme, pendant une première durée typiquement plus longue que les durées d'amorphisation.
To make the phase change material 7change from an amorphous state to a crystalline state of the PCM 7, said PCM is heated to a temperature situated in a second range of temperatures, in particular temperatures lower than the first range, for a first duration typically longer than the amorphisation durations.
Celui-ci peut être ainsi mis à une autre température située dans une deuxième gamme de températures, plus faible que la première gamme pour retrouver son état cristallin.
It may thus be placed at another temperature situated in a second range of temperatures, lower than the first range, to recover its crystalline state.
Les températures de cette deuxième gamme sont typiquement supérieures à la température de cristallisation du matériau PCM 7 (par exemple de l'ordre de 190°C pour le GeTe) et inférieures à la température de fusion TFde ce matériau à changement de phase (par exemple de l'ordre de 725°C pour le GeTe).
The temperatures of this second range are typically higher than the crystallisation temperature of the PCM 7(for example of the order of 190° C. for GeTe) and lower than the melting temperature TF of this phase change material (for example of the order of 725° C. for GeTe).
Lorsque le matériau PCM 7 est du GeTe, celui-ci peut retrouver un état cristallin en étant chauffé à une température comprise typiquement entre 150°C et 250°C. Plus la température est proche de la température de fusion, plus la recristallisation sera rapide.
When the PCM 7is GeTe, it can return to a crystalline state by being heated to a temperature comprised typically between 150° C. and 250° C. The closer the temperature is to the melting temperature, the faster recrystallization will take place.
L'utilisation d'un matériau type GeTe avec une vitesse de croissance très élevée peut garantir une vitesse de recristallisation rapide.
The use of a GeTe type material with a very high growth rate may guarantee a rapid recrystallization rate.
Typiquement, la durée pour revenir de l'état amorphe à l'état cristallin est plus importante que celle pour passer de l'état cristallin à l'état amorphe, par exemple entre 1 µs et 10 ms. Les températures appliquées et durées respectives d'application dépendent du matériau à changement de phase 7 que l'on choisit.
Typically, the duration to return from the amorphous state to the crystalline state is longer than that to change from the crystalline state to the amorphous state, for example between 1 μs and 10 ms.
Pour chauffer le matériau PCM 7 et le faire changer d'état on peut prévoir un moyen de chauffage direct configuré pour injecter un signal d'activation électrique, par exemple sous forme d'un courant dans le matériau PCM 7 qui est alors chauffé par effet joule.
To heat the PCM 7and make it change state, it is possible to provide a means of direct heating configured to inject an electrical activation signal, for example in the form of current, in the PCM 7which is then heated by Joule effect.
Le moyen de chauffage direct est doté d'électrodes 11, 13 entre lesquelles le matériau PCM 7 est disposé.
The means of direct heating is provided with electrodes 11, 13between which the PCM 7is arranged.
Lorsqu'une impulsion de courant appropriée passe entre les deux électrodes 11 et 13 à travers le matériau 7 PCM, ce matériau passe d'un état cristallin à un état amorphe fortement résistif.
When a suitable current pulse passes between the two electrodes 11and 13through the PCM 7, said PCM goes from a crystalline state to a highly resistive amorphous state.
On bloque alors le passage d'un signal RF entre le premier élément conducteur 2 et le deuxième élément conducteur 4.
The passage of a RF signal is blocked between the first conducting element 2and the second conducting element 4.
Pour faire passer le matériau 7 PCM de son état amorphe à son état cristallin, on applique une autre impulsion de courant appropriée entre les deux électrodes 11, 13 à travers le matériau 7 PCM.
To make the PCM 7change from its amorphous state to its crystalline state, another suitable current pulse is applied between the two electrodes 11, 13through the PCM 7.
L'impulsion de courant peut avoir une intensité entre plusieurs centaines de micro-ampères et plusieurs dizaines de mA suivant la quantité de matériau PCM.
The current pulse may have an intensity between several hundreds of micro-amperes and several tens of mA depending on the quantity of PCM.
On peut par exemple prévoir des impulsions de l'ordre de 1 mA et d'une durée de l'ordre de 10 µs pour effectuer une cristallisation, tandis que pour réaliser une amorphisation, les impulsions de courant ont une intensité plus importante, par exemple de l'ordre de 10 mA et une durée plus courte, par exemple de l'ordre de 50 ns.
It is possible for example to provide pulses of the order of 1 mA and of a duration of the order of 10 μs to carry out crystallisation whereas, to carry out amorphisation, the current pulses have a higher intensity, for example of the order of 10 mA and a shorter duration, for example of the order of 50 ns.
On fait alors passer le signal RF entre le premier élément conducteur 2 et le deuxième élément conducteur 4.
The RF signal is then made to pass between the first conducting element 2and the second conducting element 4.
Le signal électrique d'activation (par exemple un courant) appliqué pourfaire passer le matériau PCM 7 d'un état cristallin à un état amorphe est prévu avec une amplitude (intensité) supérieure à celle du signal appliqué pour faire passer le matériau PCM 7 d'un état amorphe à un état cristallin.
The electrical activation signal (for example a current) applied to make the PCM 7change from a crystalline state to an amorphous state is provided with an amplitude (intensity) greater than that of the signal applied to make the PCM 7change from an amorphous state to a crystalline state.
Les électrodes 11, 13 peuvent avoir par exemple une forme de peignes et comprendre des zones conductrices planes 14 par exemple de forme rectangulaire auxquelles sont rattachées des pistes conductrices 15a, 15b d'extrémités qui forment les dents du peigne.
The electrodes 11, 13may have for example a comb shape and include flat conducting zones 14, for example of rectangular shape, to which are attached end conducting tracks 15a, 15b that form the teeth of the comb.
Les comprimés sont ensuite pelliculés dans une turbine perforée (Labcoat M O'hara) avec 3% d'Opadry II pour la coloration.
TABLE 23Centesimal composition of the tablet comprising a colored coatingPhaseComponentmg/unit%Wet Baclofen30.05.8granulationMannitol SD200120.023.3MixtureHPMC K100M (Methocel ™ K100M)150.029.1Crospovidone (Polyplasdone ™ Ultra)25.04.8Sodium bicarbonate25.04.8Microcrystalline cellulose PH102 90.017.5(AvicelR PH102)Calcium carbonate50.09.7Precipitated silica (SyloidR 244FP)5.01.0LubricationMagnesium stearate5.01.0Colored Opadry II 85F23006215.53.0coatingTotal515.5100.0 The tablets are produced with a compression force of 12 kN and have an average hardness of 88 N. The tablets are then coated in a perforated turbine (O'Hara Labcoat M) with 3% of Opadry II for coloring.
Le tableau 24 présente les résultats de dissolution dans 500ml de milieu tampon pH 1.2, selon le test USP II (agitation par pales à lOOrpm avec présence d'un disque).
After coating, the average hardness of the tablets is 140 N. Table 24 presents the results of dissolution in 500 ml of pH 1.2 buffer medium, according to USP test II (paddle stirring at 100 rpm with presence of a disk).
Temps (h) % dissous CV (%) 1 15,94 1,74 2 24,90 1,06 4 37,88 1,18 8 56,40 0,55 16 85,78 0,74 24 97,10 1,54 Tableau 24 : test de dissolution dans 500 ml de milieu à pH 1,2 Le temps de flottaison relevé lors du test de dissolution en pH 1.2 est de 4 minutes.
TABLE 24Dissolution test in 500 ml of pH 1.2 mediumTime (h)% dissolvedCV (%)115.941.74224.901.06437.881.18856.400.551685.780.742497.101.54 The floating time found during the dissolution test in pH 1.2 is 4 minutes.
Le temps de flottaison relevé dans le milieu tampon pH 4.5 dans les mêmes conditions d'agitation est de 18 minutes.
The floating time found in the pH 4.5 buffer medium under the same stirring conditions is 18 minutes.
EXEMPLE AVEC 150MG DE PRINCIPE ACTIF ET UN COUPLE DE GELIFIANTS Phase Composant mg/unité % Granulation humide Baclofène 150,0 21,4 Mannitol SD200 93,75 13,4 HPMC 603 (Pharmacoat 603) 6,25 0,9 Mélange HPMC K100M (Methocel™ K100M) 70,0 10,0 HPMC K4M (Methocel™ K4M) 35,0 5,0 Crospovidone (Polyplasdone™ Ultra) 21,3 3,0 Bicarbonate de sodium 21,3 3,0 Cellulose microcristalline PH200 (AvicelR PH200) 267,1 38,2 Carbonate de calcium 21,3 3,0 Silice précipitée (SyloidK244FP) 7,0 1,0 Lubrification Stéarate de Magnésium 7,0 1,0 Total 700,0 100,0 Tableau 25 : composition centésimale du comprimé comprenant 150 mg de principe actif et un couple de gélifiants Dans cet exemple, le baclofène est granulé avec le mannitol SD 200 selon un procédé de granulation humide dans un mélangeur granulateur à haut cisaillement (Diosna P/VAC 10) avec 5 ajout d'HPMC 603 et d'eau purifiée.
TABLE 25Centesimal composition of the tablet comprising 150 mg of active ingredient and a pair of gelling agentsPhaseComponentmg/unit%WetBaclofen150.021.4granulationMannitol SD20093.7513.4HPMC 603 (Pharmacoat 603)6.250.9MixtureHPMC K100M (Methocel ™ K100M)70.010.0HPMC K4M (Methocel ™ K4M)35.05.0Crospovidone (Polyplasdone ™ Ultra)21.33.0Sodium bicarbonate21.33.0Microcrystalline cellulose PH200 267.138.2(AvicelR PH200)Calcium carbonate21.33.0Precipitated silica (SyloidR 244FP)7.01.0LubricationMagnesium stearate7.01.0Total700.0100.0 In this example, baclofen is granulated with mannitol SD 200 according to a wet granulation process in a high—shear mixer granulator (Diosna P/VAC 10) with addition of HPMC 603 and purified water.
Après séchage et calibrage sur un tamis oscillant de maille 425 μιη, le principe actif granulé est mélangé aux excipients de la même manière que dans l'exemple 2.
After drying and sizing on an oscillating screen with a 425 μm mesh, the granulated active ingredient is mixed with the excipients in the same way as in Example 2.