mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
Lokalspule ( 9, 10 ) mit einer mit einem Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche bestimmten Anordnung von Elektronikelementen ( 21 ).
A local coil comprising:an arrangement of electronic elements determined with the method of claim 1. an arrangement of electronic elements determined with the method of claim 1.
Die weiteren Figuren zeigen Ausführungsbeispiele, die Modifikationen des in Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiels bilden.
Therefore, the following description relates substantially to the differences relative to the exemplary embodiment in FIG. 1.
Die nachfolgende Beschreibung bezieht daher im Wesentlichen auf die Unterschiede zum Ausführungsbeispiel der Figur 1. In Figur 2 ist ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 102 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem das Trägerelement 1 elektrische Anschlusselemente 4 in Form von Leiterbahnen auf der dem Halbleiterchip 2 zugewandten Oberfläche aufweist.
FIG. 2shows an optoelectronic semiconductor component 102in accordance with a further exemplary embodiment, wherein the carrier element 1has electrical connection elements 4in the form of conductor tracks on the surface facing the semiconductor chip 2.
Der Halbleiterchip 2 ist auf einem der Anschlusselemente 4 montiert.
The semiconductor chip 2is mounted on one of the connection elements 4.
Über eine elektrische Kontaktstruktur 6, die als Metallfilm ausgebildet ist, wird das weitere elektrische Anschlusselement 4 mit der Oberseite und einem dort angeordneten elektrischen Kontaktelement, beispielsweise einer Elektrode, des Halbleiterchips 2 elektrisch leitend verbunden.
By means of an electrical contact structure 6embodied as metal film, the further electrical connection element 4is electrically conductively connected to the top side and, arranged there, an electrical contact element, for example an electrode, of the semiconductor chip 2.
Zwischen dem Halbleiterchip 2 und der elektrischen Kontaktstruktur 6 ist eine elektrisch isolierende Schicht 5 aus einem dielektrischen anorganischen Material oder einem Polymermaterial angeordnet, um die elektrische Kontaktstruktur 6 beispielsweise von Seitenflächen des Halbleiterchips 2 elektrisch zu isolieren.
An electrically insulating layer 5composed of a dielectric inorganic material or a polymer material is arranged between the semiconductor chip 2and the electrical contact structure 6in order to electrically insulate the electrical contact structure 6for example from side surfaces of the semiconductor chip 2.
Wie im vorherigen Ausführungsbeispiel wird der Halbleiterchip 2 im Ausführungsbeispiel der Figur 2 auf allen dem Trägerelement 1 abgewandten Oberflächen von einer Schutzschicht 3, die Parylene aufweist oder daraus ist, bedeckt.
As in the previous exemplary embodiment, the semiconductor chip 2in the exemplary embodiment in FIG. 2is covered on all surfaces facing away from the carrier element 1by a protective layer 3comprising or composed of parylene.
Die Schutzschicht 3 erstreckt sich jedoch im Vergleich zum vorherigen Ausführungsbeispiel auch auf einen Teil des Trägerelements 1 und bildet somit eine zusammenhängende, sich vom Halbleiterchip 2 auf das Trägerelement 1 erstreckende Schutzschicht 3, die zusätzlich auch die elektrische Kontaktstruktur 6 bedeckt.
However, in comparison with the previous exemplary embodiment, the protective layer 3also extends onto a part of the carrier element 1and thus forms a continuous protective layer 3which extends from the semiconductor chip 2onto the carrier element 1and which additionally also covers the electrical contact structure 6.
Insbesondere kann sich die Schutzschicht 3 beispielsweise über die gesamte dem Halbleiterchip 2 zugewandte Seite des Trägerelements 1 erstrecken, wobei Anschlussbereiche der elektrischen Anschlusselemente 4 zur Kontaktierung des Halbleiterbauelements 102 frei von der Schutzschicht 3 bleiben.
In particular, the protective layer 3can extend for example over the entire side of the carrier element 1facing the semiconductor chip 2, wherein connection regions of the electrical connection elements 4for contacting the semiconductor component 102remain free of the protective layer 3.
In Figur 3 ist ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 103 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
In FIG. 3there is an optoelectronic semiconductor component 103in accordance with a further exemplary embodiment.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement 103 weist ein Trägerelement 1 auf, beispielsweise aus Kunststoff oder einem Keramikmaterial, das zumindest zwei als Durchkontaktierungen ausgebildete elektrische Anschlusselemente 4 aufweist.
The optoelectronic semiconductor component 103comprises a carrier element 1, for example composed of plastic or a ceramic material, which has at least two electrical connection elements 4embodied as plated-through holes.
Die elektrischen Anschlusselemente 4 ragen von einer Montagefläche 10 des Trägerelements 1, mittels derer das optoelektronische Halbleiterbauelement 103 auf einem Träger montiert werden kann, zu der dem Halbleiterchip 2 zugewandten Seite des Trägerelements 1 durch das Trägerelement 1 hindurch.
The electrical connection elements 4project from a mounting surface 10of the carrier element 1, by means of which mounting surface the optoelectronic semiconductor component 103can be mounted on a carrier, through the carrier element 1to that side of the carrier element 1which faces the semiconductor chip 2.
Wie in Figur 3 gezeigt ist, können die elektrischen Anschlusselemente 4 elektrische Anschlussbereiche an den Oberflächen des Trägerelements 1 aufweisen, die an ein vorgegebenes Lötdesign auf der Montagefläche 10 sowie an die Kontaktierungsart für den Halbleiterchip 2 angepasst sind.
As is shown in FIG. 3, the electrical connection elements 4can have electrical connection regions at the surfaces of the carrier element 1which are adapted to a predefined soldering design on the mounting surface 10and to the type of contacting for the semiconductor chip 2.
Der Halbleiterchip 2 ist direkt auf einem der beiden elektrischen Anschlusselemente 4 montiert und weist ein elektrisches Kontaktelement 9, beispielsweise in Form einer Lotschicht oder einer Elektrodenschicht, zum elektrischen Anschluss der Oberseite des Halbleiterchips 2 an das elektrische Anschlusselement 4 auf.
The semiconductor chip 2is mounted directly on one of the two electrical connection elements 4and has an electrical contact element 9, for example in the form of a solder layer or an electrode layer, for electrically connecting the top side of the semiconductor chip 2to the electrical connection element 4.
Auf dem Halbleiterchip 2 ist eine Wellenlängenkonversionsschicht 7 aufgebracht, die, wie oben im allgemeinen Teil beschrieben ist, dazu eingerichtet ist, zumindest einen Teil des vom Halbleiterchip 2 im Betrieb emittierten Lichts in Licht mit einer anderen Wellenlänge umzuwandeln.
A wavelength conversion layer 7is applied on the semiconductor chip 2and is designed, as described above in the general part, to convert at least part of the light emitted by the semiconductor chip 2during operation into light having a different wavelength.
Die Wellenlängenkonversionsschicht 7 kann wie oben im allgemeinen Teil beschrieben ausgebildet sein.
The wavelength conversion layer 7can be embodied as described above in the general part.
Der Halbleiterchip 2 sowie die Wellenlängenkonversionsschicht 7 sind lateral, also entlang einer Richtung parallel zur Grenzfläche zwischen dem Halbleiterchip 2 und dem Trägerelement 1, von einem Vergussmaterial 8 umgeben.
The semiconductor chip 2and also the wavelength conversion layer 7are surrounded by a potting material 8laterally, that is to say along a direction parallel to the interface between the semiconductor chip 2and the carrier element 1.
Das Vergussmaterial 8 kann beispielsweise Silikon aufweisen oder daraus sein und, wie im gezeigten Ausführungsbeispiel dargestellt, plan an die die Wellenlängenkonversionsschicht 7 anschließen, sodass das optoelektronische Halbleiterbauelement 103 eine im Wesentlichen plane Oberfläche aufweist.
The potting material 8can comprise or be composed of silicone, for example, and, as illustrated in the exemplary embodiment shown, can be adjacent to the wavelength conversion layer 7in a planar fashion, such that the optoelectronic semiconductor component 103has a substantially planar surface.
Zur Kontaktierung der Oberseite des Halbleiterchips 2 beziehungsweise des dort vorhandenen elektrischen Kontaktelements 9 ist eine Öffnung in der Wellenlängenkonversionsschicht 7 vorgesehen.
For the purpose of making contact with the top side of the semiconductor chip 2or the electrical contact element 9present there, an opening is provided in the wavelength conversion layer 7.
In der Öffnung ist eine elektrische Kontaktstruktur 6 in Form eines Metallfilms angeordnet, der sich vom elektrischen Kontaktelement 9 auf der Oberseite des Halbleiterchips 2 zum anderen elektrischen Anschlusselement 4 erstreckt.
Arranged in the opening there is an electrical contact structure 6in the form of a metal film extending from the electrical contact element 9on the top side of the semiconductor chip 2to the other electrical connection element 4.
Hierzu ist auch im Vergussmaterial 8 eine entsprechende Öffnung vorgesehen.
For this purpose, a corresponding opening is also provided in the potting material 8.
Das elektrische Kontaktelement des Halbleiterchips 2 ist somit über die durch einen Metallfilm gebildete Kontaktstruktur 6 mit dem anderen der zumindest zwei elektrischen Anschlusselemente 4 des Trägerelements 1 elektrisch leitend verbunden, wobei die elektrische Kontaktstruktur 6 durch eine Öffnung im Vergussmaterial 8 zum Anschlusselement 4 reicht.
The electrical contact element of the semiconductor chip 2is thus electrically conductively connected to the other of the at least two electrical connection elements 4of the carrier element 1by means of the contact structure 6formed by a metal film, wherein the electrical contact structure 6extends through an opening in the potting material 8to the connection element 4.
Alternativ hierzu ist es auch möglich, dass die Wellenlängenkonversionsschicht erst nach der elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips, also nach der Ausbildung der Kontaktstruktur 6, auf dem Halbleiterchip 2 aufgebracht wird, sodass die Wellenlängenkonversionsschicht auch die elektrische Kontaktstruktur 6 bedecken kann.
As an alternative thereto, it is also possible for the wavelength conversion layer to be applied on the semiconductor chip 2only after the electrical contacting of the semiconductor chip, that is to say after the formation of the contact structure 6, such that the wavelength conversion layer can also cover the electrical contact structure 6.
Weiterhin ist auf allen Oberflächen des Halbleiterbauelements 103 bis auf die Montagefläche 10 des Trägerelements 1 eine Schutzschicht 3 angeordnet, die ein Parylene aufweist oder daraus ist, sodass die Schutzschicht 3 bis auf die Montagefläche 10 alle Oberflächen des Halbleiterbauelements 103 bedeckt und eine Außenschicht des Halbleiterbauelements 103 bildet.
Furthermore, a protective layer 3comprising or composed of a parylene is arranged on all surfaces of the semiconductor component 103apart from the mounting surface 10of the carrier element 1, with the result that the protective layer 3covers all surfaces of the semiconductor component 103apart from the mounting surface 10and forms an outer layer of the semiconductor component 103.
Dadurch kann erreicht werden, dass nach einer Montage des Halbleiterbauelements 103 auf einem Träger 11, wie in Figur 4 gezeigt ist, alle der Umgebung zugewandten Oberflächen des Halbleiterbauelements 103 durch die Schutzschicht 3 gebildet werden, wodurch gegenüber Feuchtigkeit und schädigenden Gasen empfindliche Materialien des Halbleiterbauelements 103 wie beispielsweise das Vergussmaterial 8, Metalloberflächen, die beispielsweise Ni/Au, Cu, AI, Ag oder Kombinationen daraus aufweisen können, sowie das Halbleitermaterial des Halbleiterchips 2 geschützt sind.
What can be achieved as a result is that after mounting of the semiconductor component 103on a carrier 11, as is shown in FIG. 4, all surfaces of the semiconductor component 103which face the surroundings are formed by the protective layer 3, as a result of which materials of the semiconductor component 103which are sensitive to moisture and damaging gases, such as, for example, the potting material 8, metal surfaces, which can comprise for example Ni/Au, Cu, Al, Ag or combinations thereof, and the semiconductor material of the semiconductor chip 2are protected.
In Figur 4 ist eine Anordnung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen 103 gemäß dem vorherigen Ausführungsbeispiel auf einem Träger 11 gezeigt, der beispielsweise durch eine Leiterplatte oder einen Kühlkörper, beispielsweise ein Montageblech, gebildet wird.
FIG. 4shows an arrangement of a plurality of optoelectronic semiconductor components 103in accordance with the previous exemplary embodiment on a carrier 11, which is formed for example by a printed circuit board or a heat sink, for example a mounting plate.
Die Anordnung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente 103 kann beispielsweise auch in einer zweidimensionalen Matrix erfolgen.
The arrangement of the optoelectronic semiconductor components 103can for example also be implemented in a two-dimensional matrix.
Wie in Verbindung mit Figur 3 beschrieben ist, sind die optoelektronischen Halbleiterbauelemente 103 durch die Parylene-Schutzschicht 3 gegenüber schädigenden Umwelteinflüssen geschützt, sodass die in Figur 4 gezeigte Anordnung beispielsweise als Beleuchtungselement, etwa in Automotive-Anwendungen, ohne zusätzliche Verkapselungs- oder Schutzmaßnahmen eingesetzt werden kann.
As described in association with FIG. 3, the optoelectronic semiconductor components 103are protected against damaging environmental influences by the parylene protective layer 3, such that the arrangement shown in FIG. 4can be used for example as a lighting element, for instance in automotive applications, without additional encapsulation or protection measures.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt.
The invention is not restricted to the exemplary embodiments by the description on the basis of said exemplary embodiments.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Rather, the invention encompasses any novel feature and also any combination of features, which in particular includes any combination of features in the patent claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly specified in the patent claims or exemplary embodiments.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2012 109 177.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
This patent application claims the priority of German patent application 10 2012 109 177.3 the disclosure content of which is hereby incorporated by reference.
Patentansprüche 1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement, aufweisend ein Trägerelement (1), auf dem ein optoelektronischer Halbleiterchip (2) mit zumindest einer aktiven Schicht angeordnet ist, wobei die aktive Schicht dazu eingerichtet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen und wobei der Halbleiterchip (2) mit einer Schutzschicht (3) bedeckt ist, die Parylene aufweist.
An optoelectronic semiconductor component, comprising a carrier element, on which an optoelectronic semiconductor chip having at least one active layer is arranged, wherein the active layer is designed to emit or to receive light during operation and wherein the semiconductor chip is covered with a protective layer comprising parylene.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das Trägerelement (1) eine dem optoelektronischen Halbleiterchip abgewandte Montagefläche (10) aufweist, der Halbleiterchip (2) lateral von einem Vergussmaterial (8) umgeben ist und die Schutzschicht (3) bis auf die Montagefläche alle Oberflächen des Halbleiterbauelements bedeckt und eine Außenschicht des Halbleiterbauelements bildet.
The semiconductor component according to claim 1, wherein the carrier element has a mounting surface facing away from the optoelectronic semiconductor chip, the semiconductor chip is laterally surrounded by a potting material, and the protective layer covers all surfaces of the semiconductor component apart from the mounting surface and forms an outer layer of the semiconductor component.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Schutzschicht (3) aus Parylene besteht.
The semiconductor component according to claim 1, wherein the protective layer consists of parylene.
4. Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Parylene ein Fluor-substituiertes Parylene und/oder eine Kombination aus zwei oder mehreren Parylene-Derivaten ist.
The semiconductor component according to claim 1, wherein the parylene is a fluorine-substituted parylene and/or a combination of two or more parylene derivatives.
5. Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (2) auf allen dem Trägerelement (1) abgewandten Seiten von der Schutzschicht (3) bedeckt ist.
The semiconductor component according to claim 1, wherein the semiconductor chip is covered by the protective layer on all sides facing away from the carrier element.
Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Schutzschicht (3) eine Außenschicht des Halbleiterbauelements bildet.
The semiconductor component according to claim 1, wherein the protective layer forms an outer layer of the semiconductor component.
Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Schutzschicht (3) zumindest einen Teil des Trägerelements (1) bedeckt.
The semiconductor component according to claim 1, wherein the protective layer covers at least one part of the carrier element.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, wobei sich die Schutzschicht (3) zusammenhängend vom Halbleiterchip (2) auf das Trägerelement (1) erstreckt.
The semiconductor component according to claim 7, wherein the protective layer extends continuously from the semiconductor chip onto the carrier element.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das Trägerelement (1) eine Montagefläche (10) aufweist, die dazu eingerichtet ist, das Halbleiterbauelement auf einem Träger (11) zu montieren, und wobei die Schutzschicht (3) bis auf die Montagefläche (10) alle Oberflächen des Halbleiterbauelements bedeckt.
The semiconductor component according to claim 1, wherein the carrier element has a mounting surface designed for mounting the semiconductor component on a carrier, and wherein the protective layer covers all surfaces of the semiconductor component apart from the mounting surface.
Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei auf dem Halbleiterchip (2) unter der Schutzschicht (3) eine Wellenlängenkonversionsschicht (7) angeordnet ist.
The semiconductor component according to claim 1, wherein a wavelength conversion layer is arranged on the semiconductor chip below the protective layer.
Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zumindest eine Kontaktstruktur (6) vorhanden ist, die zumindest ein elektrisches Anschlusselement (4) des Trägerelements (1) mit einem elektrischen Kontaktelement (9) des Halbleiterchips elektrisch leitend verbindet, und die Kontaktstruktur (6) von der Schutzschicht (3) bedeckt ist.
The semiconductor component according to claim 1, wherein at least one contact structure is present which electrically conductively connects at least one electrical connection element of the carrier element to an electrical contact element of the semiconductor chip, and the contact structure is covered by the protective layer.
12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, wobei das elektrische Anschlusselement (4) durch eine Durchkontaktierung durch das Trägerelement (1) gebildet wird.
The semiconductor component according to claim 11, wherein the electrical connection element is formed by a plated-through hole through the carrier element.
13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11 oder 12, wobei die Kontaktstruktur (6) durch einen Metallfilm gebildet wird.
The semiconductor component according to claim 11, wherein the contact structure is formed by a metal film.
Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (2) zumindest teilweise von einem Vergussmaterial (8) auf dem Trägerelement (1) umgeben ist und die Schutzschicht das Vergussmaterial (8) bedeckt.
The semiconductor component according to claim 1, wherein the semiconductor chip is at least partly surrounded by a potting material on the carrier element and the protective layer covers the potting material.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, wobei das Vergussmaterial (8) ein Silikon aufweist.
The semiconductor component according to claim 14, wherein the potting material comprises a silicone.
16. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei - das Trägerelement (1) zumindest zwei als Durchkontaktierungen ausgebildete elektrische Anschlusselemente (4) aufweist, die von einer dem Halbleiterchip (2) abgewandten Montagefläche (10) durch das Trägerelement (1) hindurch bis zu der dem Halbleiterchip (2) zugewandten Seite des Trägerelements (1) reichen, - der Halbleiterchip (2) lateral von einem Vergussmaterial (8) umgeben ist, - der Halbleiterchip (2) auf einem der Anschlusselemente (4) angeordnet ist und ein elektrisches Kontaktelement (9) des Halbleiterchips (2) über eine durch einen Metallfilm gebildete Kontaktstruktur (6) mit einem anderen der zumindest zwei elektrischen Anschlusselemente (4) elektrisch leitend verbunden ist und die elektrische Kontaktstruktur (6) durch eine Öffnung im Vergussmaterial (8) zum anderen der zumindest zwei elektrischen Anschlusselemente (4) reicht, eine Wellenlängenkonversionsschicht (7) auf dem Halbleiterchip (2) angeordnet ist und das Vergussmaterial (8) plan an die Wellenlängenkonversionsschicht (7) anschließt, und die Schutzschicht (3) bis auf die Montagefläche (10) alle Oberflächen des Halbleiterbauelements bedeckt und eine Außenschicht bildet.
An optoelectronic semiconductor component, comprising a carrier element, on which an optoelectronic semiconductor chip having at least one active layer is arranged, wherein the active layer is designed to emit or to receive light during operation and wherein the semiconductor chip is covered with a protective layer comprising parylene, wherein the carrier element has a mounting surface facing away from the optoelectronic semiconductor chip, the semiconductor chip is laterally surrounded by a potting material, and the protective layer covers all surfaces of the semiconductor component apart from the mounting surface and forms an outer layer of the semiconductor component, and wherein the carrier element has at least two electrical connection elements which are embodied as plated-through holes and which extend from the mounting surface facing away from the semiconductor chip through the carrier element as far as that side of the carrier element which faces the semiconductor chip.
Die Erfindung betrifft einen Staubsauger in der Bauweise eines so genannten Upright-Typs gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1. Auf dem Markt haben sich inzwischen Staubsauger der vorgenannten Art etabliert, die in ihrem wesentlichen Aufbau aus einer mit einem Fahrwerk ausgestatteten Bodeneinheit und aus einem mit dieser Bodeneinheit schwenkbeweglich verbundenen Oberkörper bestehen.
The basic design of these vacuum cleaners includes a base unit equipped with a carriage and an upper body pivotally connected to the base unit.
Während des Saugbetriebes lässt sich der Upright durch Verschwenken und durch axiales Verdrehen des Oberkörper flexibel Manövrieren.
During vacuuming, the upright can be flexibly maneuvered by pivoting and axially twisting the upper body.