mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
Es sollte beachtet werden, dass derartige Blockkomponenten aus einer beliebigen Anzahl von Hardware, Software und/oder Firmware-Komponenten aufgebaut sein können, die konfiguriert sind, um die spezifischen Funktionen auszuführen.
It should be appreciated that the various block components shown in the figures may be realized by any number of hardware, software, and/or firmware components configured to perform the specified functions.
So kann zum Beispiel eine Ausführungsform eines Systems oder einer Komponente verschiedene integrierte Schaltungskomponenten, (z. B. Speicherelemente, digitale Signalverarbeitungselemente, Logikelemente, Nachschlagetabellen oder dergleichen einsetzen, die eine Vielzahl von Funktionen unter der Steuerung eines oder mehrerer Mikroprozessoren oder anderer Steuervorrichtungen) durchführen können.
For example, an embodiment of a system or a component may employ various integrated circuit components, (e.g., memory elements, digital signal processing elements, logic elements, look-up tables, or the like, which may carry out a variety of functions under the control of one or more microprocessors or other control devices).
Wenn in Software oder Firmware implementiert, sind verschiedene Elemente der hierin beschriebenen Systeme im Wesentlichen die Codesegmente oder Anweisungen, die die verschiedenen Aufgaben ausführen.
When implemented in software, various elements of the systems described herein are essentially the code segments or computer-executable instructions that perform the various tasks.
In bestimmten Ausführungsformen sind die Programm- oder Codesegmente auf einem materiellen, prozessorlesbaren Medium gespeichert, das jedes Medium sein kann, das Informationen speichern oder übertragen kann.
In certain embodiments, the program or code segments are stored in a tangible processor-readable medium, which may include any medium that can store or transfer information.
Beispiele für nichtflüchtige, Prozessor-lesbare Medien beinhalten einen elektronischen Schaltkreis, einen Mikrocontroller, einen anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreis (ASIC), ein Halbleiter-Speicherelement, einen ROM-Speicher, einen Flash-Speicher, einen löschbaren ROM-Speicher (EROM), eine Floppy-Disk, eine CD-ROM, eine optische Speicherplatte, eine Festplatte oder dergleichen.
Examples of a non-transitory and processor-readable medium include an electronic circuit, a microcontroller, an application-specific integrated circuit (ASIC), a semiconductor memory device, a ROM, a flash memory, an erasable ROM (EROM), a floppy diskette, a CD-ROM, an optical disk, a hard disk, or the like.
Das hierin beschriebene System und die Methodik können verwendet werden, um Fehler in Steuerungen zu identifizieren, die Softwarefunktionen in Steuersystemen ausführen.
The system and methodology described herein can be utilized to identify faults in controllers executing software functions in control systems.
Während der Ansatz und die Methodik bezüglich Steuerungen oder Prozessoren beschrieben werden, die in Fahrzeuganwendungen verwendet werden, erkennt der Fachmann, dass die Kraftfahrzeuganwendung lediglich exemplarisch ist, und dass die hierin offenbarten Konzepte auf jedes andere geeignete Kommunikationssystem angewendet werden können, wie beispielsweise Automatisierungsanwendungen, Fertigungs- und Montageanwendungen und Spiele.
While the approach and methodology are described below with respect to controllers or processors used in vehicle applications, one of ordinary skill in the art appreciates that an automotive application is merely exemplary, and that the concepts disclosed herein may also be applied to any other suitable communications system such as, for example, general industrial automation applications, manufacturing and assembly applications, and gaming.
Der Begriff „Fahrzeug”, wie hierin beschrieben, kann im weitesten Sinne so ausgelegt werden, dass er nicht nur ein Personenkraftfahrzeug beinhaltet, sondern alle anderen Fahrzeuge, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein, Schienenverkehrssysteme, Flugzeuge, Geländesportfahrzeuge, Roboterfahrzeuge, Motorräder, LKW, Sportnutzfahrzeuge (SUVs), Wohnmobile (RVs), Wasserfahrzeuge, Luftfahrzeuge, landwirtschaftliche Fahrzeuge, und Baufahrzeuge.
The term “vehicle” as described herein can be construed broadly to include not only a passenger automobile, but any other vehicle including, but not limited to, rail systems, planes, off-road sport vehicles, robotic vehicles, motorcycles, trucks, sports utility vehicles (SUVs), recreational vehicles (RVs), marine vessels, aircraft, farming vehicles, and construction vehicles.
In Fig. 1ein architektonisches Blockschaltbild eines exemplarischen Steuerungssystems dargestellt.
There is shown in FIG. 1an architectural block diagram of an exemplary control system.
Derartige Steuersysteme werden oft zwei oder mehr Steuerungen verwenden, sodass, wenn ein Hardwarefehler bei einer primären Steuerung auftritt, dann mindestens eine Backup-Steuerung leicht aktiviert werden kann, um ein Merkmal des Steuersystems zu steuern oder eine Steuerung für eine begrenzte Funktionalität des Merkmals im Fehlerfall zu liefern.
Such control systems will often utilize two or more controllers so that if a hardware error occurs with a primary controller, then at least one backup controller may be readily enabled to control a feature of the control system or provide control for limited functionality of the feature in error.
Wie in Fig. 1gezeigt, wird eine Vielzahl von Sensoren für Daten bereitgestellt, die durch einen oder mehrere Sensoren 12 erhalten werden.
As shown in FIG. 1, a plurality of sensors is provided for data is obtained by one or more sensors 12.
Es werden ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
This disclosure relates to an optoelectronic semiconductor device and a method of producing an optoelectronic semiconductor device.
Eine Licht emittierende Diode (LED) oder eine HalbleiterLaserdiode weisen üblicherweise eine auf einem Aufwachssubstrat aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge auf.
A light-emitting diode (LED) or a semiconductor laser diode usually has a semiconductor layer sequence grown on a substrate.
Es sind Bauformen bekannt, bei denen die Halbleiterschichtenfolge nach dem Aufwachsen vom Aufwachssubstrat auf einen Träger übertragen wird.
Designs are known in which the semiconductor layer sequence is transferred from the growth substrate to a carrier after the growth process.
Oft werden hierbei Materialien für einen Träger verwendet, die einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten haben, der von denen des Aufwachssubstrats und der Halbleiterschichtenfolge abweicht.
In this case, use is often made of materials for a carrier which have a coefficient of thermal expansion that deviates from those of the growth substrate and of the semiconductor layer sequence.
Dadurch kann es bei der Herstellung oder beim Betrieb eines solchen Bauelements zu Problemen aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge und des Trägers bei Temperaturänderungen kommen.
As a result, during production or during operation of such a device, problems can occur on account of differing thermal expansion of the semiconductor layer sequence and of the carrier in the event of temperature changes.
Insbesondere Metalle wie etwa elektrochemisch abgeschiedenes Kupfer oder Nickel als Materialien für einen Träger können problematisch sein, da solche Metalle einen erheblich höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als die darauf aufgebrachten Halbleitermaterialien aufweisen.
Particularly metals such as, for instance, electrochemically deposited copper or nickel as materials for a carrier can be problematic since such metals have a considerably higher coefficient of thermal expansion than the semiconductor materials applied thereto.
Um die Probleme der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungen zu umgehen, wird im Stand der Technik entweder auf einen solchen Träger aus Metall verzichten oder man geht das Risiko unterschiedlicher thermischer Ausdehnungen ein. weiterhin ist auch bekannt, durch eine Mischung aus Kupfer und einem weiteren Metall einen Träger bereitzustellen, dessen thermische Ausdehnung an die des Halbleiters angepasst ist.
To avoid the problems of the different thermal expansions, in known methods, either such a carrier composed of metal is dispensed with or the risk of different thermal expansions is accepted.
Bei Arsenidund Phosphid-basierten Halbleitermaterialien kann Kupfer allerdings zu einer nicht strahlenden Rekombination führen.
In the case of arsenide- and phosphide-based semiconductor materials, however, copper can lead to non-radiative recombination.
Daher ist es wichtig, Diffusionssperrschichten oder Kapselungsschichten zwischen der Halbleiterschichtenfolge und einem kupferbasierten Träger vorzusehen, die eine Migration von Kupfer in das Halbleitermaterial verhindern, was jedoch zu einem erhöhten Materialund Herstellungsaufwand führt.
Therefore, it is important to provide diffusion barrier layers or encapsulation layers between the semiconductor layer sequence and a copper-based carrier, which prevent migration of copper into the semiconductor material.
Zumindest eine Aufgabe bestimmter Aus führungs formen ist es, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben, das einen geeigneten Träger aufweist.
However, this leads to an increased material and production outlay.
Eine weitere Aufgabe von bestimmten Aus führungs formen ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements anzugeben.
It could therefore be helpful to provide an optoelectronic semiconductor device having a suitable carrier and a method of producing an optoelectronic semiconductor device.
Diese Aufgaben werden durch einen Gegenstand und ein Verfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
FIGS. 1A to 1Dshow schematic illustrations of a method of producing an optoelectronic semiconductor device in accordance with one example.
Vorteilhafte Aus führungs formen und Weiterbildungen des Gegenstands und des Verfahrens sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.
FIGS. 2 and 3show coefficients of thermal expansion for metal carrier elements and for growth substrates and metals in accordance with further examples.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist ein optoelektronisches Halbleiterbauelement eine optoelektronische Halbleiterschichtenfolge auf.
Our optoelectronic semiconductor device may have an optoelectronic semiconductor layer sequence.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement kann beispielsweise als Licht emittierende Diode (LED), als Laserdiode, als Licht empfangende oder detektierende Diode oder als Solarzelle ausgeführt sein.
The optoelectronic semiconductor device can be, for example, a light-emitting diode (LED), a laser diode, a light-receiving or -detecting diode or a solar cell.
Insbesondere kann das optoelektronische Bauelement dabei als Licht emittierende oder empfangende oder detektierende Diode mit einem Emissionsspektrum oder einem Absorptionsspektrum in einem infraroten, sichtbaren und/oder ultravioletten Wellenlängenbereich ausgebildet sein.
In particular, the optoelectronic device can in this case be a light-emitting or -receiving or -detecting diode having an emission spectrum or an absorption spectrum in an infrared, visible and/or ultraviolet wavelength range.
Weiterhin kann das optoelektronische Bauelement als kantenoder oberflächenemittierende Laserdiode mit einem solchen Emissionsspektrum mit einer oder mehreren spektralen Komponenten in einem ultravioletten bis infraroten Wellenlängenbereich ausgebildet sein.
Furthermore, the optoelectronic component can be an edge or surface emitting laser diode having such an emission spectrum having one or more spectral components in an ultraviolet to infrared wavelength range.
Ist das optoelektronische Bauelement als Licht empfangende Diode oder als Solarzelle ausgebildet, so kann es dafür vorgesehen sein, Licht mit einem oder mehreren spektralen Komponenten im genannten Wellenlängenbereich zu empfangen und in elektrischen Strom beziehungsweise elektrische Ladungen umzuwandeln.
If the optoelectronic component is a light-receiving diode or as a solar cell, then it can be provided to receive light having one or more spectral components in the stated wavelength range and convert it into electric current or electrical charges.
Gemäß einer weiteren Aus führungs form wird in einem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements ein Aufwachssubstrat bereitgestellt, auf dem eine optoelektronische Halbleiterschichtenfolge aufgewachsen wird.
In our method of producing an optoelectronic semiconductor device, a growth substrate may be provided on which an optoelectronic semiconductor layer sequence is grown.
Die nachfolgende Beschreibung bezieht sich dabei gleichermaßen auf Aus führungs formen und Merkmale, die das optoelektronische Halbleiterbauelement sowie das Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements betreffen.
The following description relates equally to examples and features which concern the optoelectronic semiconductor device and the method of producing the optoelectronic semiconductor device.
Gemäß einer weiteren Aus führungs form weist die optoelektronische Halbleiterschichtenfolge zumindest eine oder mehrere epitaktisch gewachsene Halbleiterschichten oder eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge auf, die auf einem Halbleiterverbindungsmaterial basiert.
The optoelectronic semiconductor layer sequence may have at least one or a plurality of epitaxially grown semiconductor layers or an epitaxially grown semiconductor layer sequence based on a semiconductor compound material.
Insbesondere kann das Halbleiterverbindungsmaterial aus einem Arsenid-, einem Phosphidoder einem Nitrid-VerbindungsHalbleitermaterial ausgewählt sein.
In particular, the semiconductor compound material can be selected from an arsenide, a phosphide or a nitride compound semiconductor material.
Beispielsweise kann die Halbleiterschichtenfolge als Halbleiterchip oder als Teil eines Halbleiterchips ausgeführt sein.
By way of example, the semiconductor layer sequence can be a semiconductor chip or part of a semiconductor chip.
Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge beispielsweise auf der Basis von InGaAlN ausgeführt sein.
The semiconductor layer sequence can be, for example, on the basis of InGaAlN.
Unter InGaAlN-basierte Halbleiterchips und Halbleiterschichtenfolgen fallen insbesondere solche, bei denen die epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtenfolge in der Regel eine Schichtenfolge aus unterschiedlichen Einzelschichten aufweist, die mindestens eine Einzelschicht enthält, die ein Material aus dem III-V- Verbindungshalbleitermaterialsystem InxAlyGai-x-yN mit 0 < x < 1, 0 < y < 1 und x + y < 1 aufweist.
InGaAlN-based semiconductor chips and semiconductor layer sequences include, in particular, those in which the epitaxially produced semiconductor layer sequence generally has a layer sequence composed of different individual layers which contains at least one individual layer comprising a material from the III-V compound semiconductor material system InxAlyGa1-x-yN where 0≦x≦1, 0≦y≦1 and x+y≦1.
Halbleiterschichtenfolgen, die zumindest eine aktive Schicht auf Basis auf InGaAlN aufweisen, können beispielsweise bevorzugt elektromagnetische Strahlung in einem ultravioletten bis grünen Wellenlängenbereich emittieren oder absorbieren.
Semiconductor layer sequences having at least one active layer on the basis of InGaAlN can, for example, preferably emit or absorb electromagnetic radiation in an ultraviolet to green wavelength range.
Alternativ oder zusätzlich kann die Halbleiterschichtenfolge oder der Halbleiterchip auch auf InGaAlP basieren, das heißt, dass die Halbleiterschichtenfolge unterschiedliche Einzelschichten aufweisen kann, wovon mindestens eine Einzelschicht ein Material aus dem III-V- Verbindungshalbleitermaterialsystem InxAlyGai-x-yP mit 0 < x < 1, 0 < y < 1 und x + y < 1 aufweist.
Alternatively or additionally, the semiconductor layer sequence or the semiconductor chip can also be based on InGaAlP, that is to say that the semiconductor layer sequence can have different individual layers, at least one individual layer of which comprises a material from the III-V compound semiconductor material system InxAlyGa1-x-yP where 0≦x≦1, 0≦y≦1 and x+y≦1, Semiconductor layer sequences or semiconductor chips having at least one active layer on the basis of InGaAlP can, for example, preferably emit or absorb electromagnetic radiation having one or more spectral components in a green to red wavelength range.
Alternativ oder zusätzlich kann die Halbleiterschichtenfolge oder der Halbleiterchip auch andere III-V- Verbindungshalbleitermaterialsysteme, beispielsweise ein AlGaAs-basiertes Material, oder II-VI- Verbindungshalbleitermaterialsysteme aufweisen.
Alternatively or additionally, the semiconductor layer sequence or the semiconductor chip can also comprise other III-V compound semiconductor material systems, for example, an AlGaAs-based material, or II-VI compound semiconductor material systems.
Insbesondere kann eine aktive Schicht, die ein AlGaAs-basiertes Material aufweist, geeignet sein, elektromagnetische Strahlung mit einer oder mehreren spektralen Komponenten in einem roten bis infraroten Wellenlängenbereich zu emittieren oder zu absorbieren.
In particular, an active layer comprising an AlGaAs-based material can be suitable to emit or absorb electromagnetic radiation having one or more spectral components in a red to infrared wavelength range.
Ein I I-VI-Verbindungshalbleitermaterial kann wenigstens ein Element aus der zweiten Hauptgruppe, wie beispielsweise Be, Mg, Ca, Sr, und ein Element aus der sechsten Hauptgruppe, wie beispielsweise 0, S, Se, aufweisen.
A II-VI compound semiconductor material can comprise at least one element from the second main group such as, for example, Be, Mg, Ca, Sr, and an element from the sixth main group such as, for example O, S, Se.
Insbesondere umfasst ein I I-VI-Verbindungs-Halbleitermaterial eine binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung, die wenigstens ein Element aus der zweiten Hauptgruppe und wenigstens ein Element aus der sechsten Hauptgruppe umfasst.
In particular, a II-VI compound semiconductor material comprises a binary, ternary or quaternary compound comprising at least one element from the second main group and at least one element from the sixth main group.
Eine solche binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung kann zudem beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen.
In addition, such a binary, ternary or quaternary compound can comprise, for example, one or more dopants and additional constituents.
Beispielsweise gehören zu den I I-VI-VerbindungsHalbleitermaterialien: ZnO, ZnMgO, CdS, ZnCdS, MgBeO.
By way of example, the II-VI compound semiconductor materials include: ZnO, ZnMgO, CdS, ZnCdS, MgBeO.
Die Halbleiterschichtenfolge kann weiterhin auf einem ein Aufwachssubstrat bildendes Substrat abgeschieden werden.
The semiconductor layer sequence can furthermore be deposited on a substrate forming a growth substrate.
Das Substrat kann dabei ein Halbleitermaterial, beispielsweise ein oben genanntes Verbindungshalbleitermaterialsystem, umfassen.
In this case, the substrate can comprise a semiconductor material, for example a compound semiconductor material system mentioned above.
Insbesondere kann das Substrat Saphir, GaAs, Ge, GaP, GaN, InP, SiC und/oder Si umfassen oder aus einem solchen Material sein.
In particular, the substrate can comprise sapphire, GaAs, Ge, GaP, GaN, InP, SiC and/or Si or be composed of such a material.
Die Halbleiterschichtenfolge kann als aktiven Bereich beispielsweise einen herkömmlichen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopfstruktur (SQW- Struktur) oder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW- Struktur) aufweisen.
The semiconductor layer sequence can have as active region, for example, a conventional pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW structure), or a multiple quantum well structure (MQW structure).
Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung insbesondere jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss ( "confinement " ) eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren können.
The designation quantum well structure encompasses, in particular, any structure in which charge carriers can experience a quantization of their energy states as a result of confinement.
Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität de Quantisierung.
In particular, the designation quantum well structure does not include any indication about the dimensionality of the quantization.
Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
It therefore encompasses, inter alia, quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.
Die Halbleiterschichtenfolge kann neben dem aktiven Bereich weitere funktionale Schichten und funktionelle Bereiche umfassen, etwa poder n-dotierte Halbleiterschichten, undotierte oder poder n-dotierte Confinement, Claddingoder Wellenleiterschichten, Barriereschichten, Planarisierungsschichten, Pufferschichten Schutzschichten und/oder Elektroden sowie Kombinationen daraus.
The semiconductor layer sequence can comprise, alongside the active region, further functional layers and functional regions, for instance p- or n-doped semiconductor layers, undoped or p- or n-doped confinement, cladding or waveguide layers, barrier layers, planarization layers, buffer layers, protective layers and/or electrodes and combinations thereof.
Weiterhin können beispielsweise auf einer dem Aufwachssubstrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge eine oder mehrere Spiegelschichten aufgebracht werden.
Furthermore, one or more mirror layers can be applied, for example, on a side of the semiconductor layer sequence remote from the growth substrate.
Die hier beschriebenen Strukturen den aktiven Bereich oder die weiteren funktionalen Schichten und Bereiche betreffend sind dem Fachmann insbesondere hinsichtlich Aufbau, Funktion und Struktur bekannt und werde von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert.
The structures described here concerning the active region or the further functional layers and regions are known in particular with regard to construction, function and structure and are therefore not explained in any greater detail.
Darüber hinaus können zusätzliche Schichten, etwa Pufferschichten, Barriereschichten und/oder Schutzschichten auch senkrecht zur Aufwachsrichtung der Halbleiterschichtenfolge beispielsweise um die Halbleiterschichtenfolge herum angeordnet sein, also etwa auf den Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge.
Furthermore, additional layers, for instance buffer layers, barrier layers and/or protective layers can also be arranged perpendicularly to the growth direction of the semiconductor layer sequence, for example, around the semiconductor layer sequence, that is to say for instance on the side areas of the semiconductor layer sequence.
Gemäß einer weiteren Aus führungs form weist das optoelektronische Halbleiterbauelement ein Metallträgerelement auf.
The optoelectronic semiconductor device may have a metal carrier element.
Als Metallträgerelement wird hier und im Folgenden ein Trägerelement, beispielsweise ein Trägersubstrat, bezeichnet, das metallische Komponenten aufweist und besonders bevorzugt aus metallischen Komponenten ist.
Here and hereinafter, the term metal carrier element denotes a carrier element, for example, a carrier substrate which comprises metallic components and is particularly preferably composed of metallic components.