mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
Zu diesem Zweck weist die Abführkammer T in einer positionsbezogenen Reihenfolge ausgehend von der vorderen Seite in Richtung zu der hinteren Seite auf: die Abtau-Lüftungsöffnung 100, die Haupt-Lüftungsöffnung 200, die Boden-Lüftungsöffnung 400 und die Rücksitz-Lüftungsöffnung 300.
For this purpose, the discharge chamber T has, in a positional sequence from the front side to the rear side, the defrost vent 100, the main vent 200, the floor vent 400and the rear seat vent 300.
Die Abtau-Lüftungsöffnung 100 ist in der vordersten Position des Fahrgastraumes angeordnet und bläst Luft auf eine Windschutzscheibe, um die Windschutzscheibe zu entfrosten.
The defrost vent 100is disposed in the frontmost position of the passenger compartment and blows air onto a windshield to defrost the windshield.
Die Haupt-Lüftungsöffnung 200 bläst Luft von einer Instrumententafel (bzw. einem Armaturenbrett) oder einer (Front-)Verkleidung aus in Richtung zum Körper eines Passagiers (bzw. Fahrers) im Fahrzeug.
The main vent 200blows air from an instrument panel or a dash panel towards the body of an occupant in the vehicle.
Ferner bläst die Boden-Lüftungsöffnung 400 von einer tieferen Position (z. B. Fußbereich) eines Frontsitzes des Fahrzeugs aus in Richtung zum Fuß des Passagiers (bzw. Fahrers).
Furthermore, the floor vent 400blows air from a lower portion of a front seat of the vehicle towards the feet of the occupant.
Nach dem Reinigungsschritt im ersten Reaktor und vor dem Schichtabscheideschritt im zweiten Reaktor werden bei dieser Ausführungsform die folgenden Schritte durchgeführt: – Abkühlen der Substrate im ersten Reaktor auf eine Substrattemperatur, die gleich der Abscheidetemperatur T im zweiten Reaktor ist,– Umstellen der Gasatmosphäre im zweiten Reaktor auf eine reduzierende Gasatmosphäre,– Transport der Substrate in den zweiten Reaktor,– Erforderlichenfalls Umstellen der Gasatmosphäre im zweiten Reaktor auf die für die Schichtabscheidung benötigte Gasatmosphäre.
After the cleaning step in the first reactor and prior to the layer deposition step in the second reactor in this embodiment the following steps are carried out:cooling the substrates in the first reactor to a substrate temperature which is equal to the deposition temperature Tdep in the second reactor,changing over the gas atmosphere in the second reactor to a reducing gas atmosphere,transporting the substrates into the second reactor, andif necessary changing over the gas atmosphere in the second reactor to the gas atmosphere required for the layer deposition operation.
Die reduzierende Gasatmosphäre ist vorzugsweise eine ultrareine reduzierende Gasatmosphäre.
The reducing gas atmosphere is preferably an ultra-pure reducing gas atmosphere.
Ultrarein bedeutet in diesem Zusammenhang, dass Verunreinigungen nur in einer Konzentration von insgesamt weniger als 10 ppb vorhanden sind.
Ultra-pure in this context means that impurities are present only in a concentration of in total less than 10 ppb.
Vorzugsweise besteht die reduzierende Gasatmosphäre aus Wasserstoff, wobei der Restgehalt an oxidierenden Bestandteilen wie beispielsweise Sauerstoff und Feuchtigkeit wie Wasserdampf nicht höher ist als 1 ppb.
Preferably the reducing gas atmosphere comprises hydrogen, wherein the residual content of oxidizing constituents such as for example oxygen and moisture such as water vapor is no higher than 1 ppb.
Wie eingangs schon erläutert, hängt die kritische Temperatur vom verwendeten Substratmaterial und von dem Material der abzuscheidenden Schicht ab.
As already explained in the opening part of this specification the critical temperature depends on the substrate material used and the material of the layer to be deposited.
Die kritische Temperatur ist typischer Weise kleiner als die Abscheidetemperatur Tdep.
The critical temperature is typically lower than the deposition temperature Tdep.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform gilt folgende Beziehung zwischen den ersten und zweiten Substrattemperaturen Tredund Tdepund der kritischen Temperatur Tcgilt: 200°C < Tc< Tdep< Tred≤ 1000°C Hierbei bezeichnet Treddie Temperatur der reduzierenden Gasatmosphäre während des Wasserstoff-prebakes.
In a preferred embodiment the following relationship applies between the first and second substrate temperatures Tred and Tdep and the critical temperature Tc:200° C.<Tc<Tdep<Tred<1000° C. In that case Tred denotes the temperature of the reducing gas atmosphere during the hydrogen prebake operation.
Vorzugsweise wird das erfindungsgemäße Verfahren mit mindestens 25 Substraten gleichzeitig durchgeführt.
For the situation of deposition on silicon the deposition temperature is typically between 500° C. and 700° C. Preferably the method according to the invention is performed simultaneously with at least 25 substrates.
Besonders geeignet ist das Verfahren für die Abscheidung auf Siliziumsubstraten.
The method is particularly suitable for deposition on silicon substrates.
Es sind jedoch auch andere Substratmaterialien denkbar, beispielsweise Silizium-Germanium, Siliziumcarbid oder Germanium.
It is however also possible to envisage other substrate materials, for example silicon-germanium, silicon carbide or germanium.
Vorzugsweise wird im zweiten Reaktor mindestens eine epitaktische Schicht abgeschieden.
Preferably at least one epitaxial layer is deposited in the second reactor.
Zusätzlich oder alternativ umfasst der Abscheideschritt in einer anderen Ausführungsform das Abscheiden mindestens einer dielektrischen Schicht auf den Substraten.
Additionally or alternatively the deposition step in another embodiment includes the deposition of at least one dielectric layer on the substrates.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird in einer bevorzugten Ausführungsform parallel an mehreren Batches durchgeführt.
In a preferred embodiment the method according to the invention is carried out in parallel on a plurality of batches.
Während eine erste Vielzahl von Substraten dem Abscheideschritt unterzogen wird, wird gleichzeitig mindestens eine zweite Vielzahl von Substraten dem Reinigungsschritt unterzogen.
While a first plurality of substrates is subjected to the deposition step at the same time at least one second plurality of substrates is subjected to the cleaning step.
Auf diese Weise kann eine gegenüber Einkammersystemen und gegenüber einer Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens mit nur einer Vielzahl von Substraten gleichzeitig, also nur einem Batch, eine deutliche Erhöhung des Waferdurchsatzes pro Stunde erzielt werden.
In that way it is possible to achieve a marked increase in the wafer throughput per hour in comparison with single-chamber systems and in comparison with implementation of the method according to the invention with only one plurality of substrates at the same time, that is to say only one batch.
Da der Abscheideschritt in aller Regel deutlich länger dauert als der Reinigungsschritt können während der Abscheidung auch mehrere Batches gereinigt werden.
As the deposition step generally lasts markedly longer than the cleaning step a plurality of batches can also be cleaned during the deposition operation.
Nach dem Prebake und der Abkühlung unter die kritische Temperatur wird das zweite Batch, also die zweite Vielzahl von Substraten, entweder in der Schleusenkammer oder in der Transportkammer gelagert, bis das erste Batch, also die erste Vielzahl nach dem Abscheideschritt aus der Schleusenkammer des Abscheidereaktors herausgeführt worden ist.
After the prebake and cooling to below the critical temperature the second batch, that is to say the second plurality of substrates, is either stored in the lock chamber or in the transport chamber until the first batch, that is to say the first plurality, has been moved after the deposition step after out of the lock chamber of the deposition reactor.
Die Lagerung in der Transportkammer ist in dem Fall vorteilhaft, wenn ein drittes oder noch weitere Batche zur Reinigung im Prebake-Reaktor vorgesehen sind, während im Abscheide-Reaktor das erste Batch dem Abscheideschritt unterzogen wird.
Storage in the transport chamber is advantageous in the situation where a third or still further batches are provided for cleaning in the prebake reactor while the first batch is being subjected to the deposition step in the deposition reactor.
Die vorstehende Überlegung motiviert ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Reaktoranordnung mit zwei oder mehr zweiten Reaktorkammern zur Durchführung der Abscheidung.
The foregoing consideration motivates an embodiment of the reactor arrangement according to the invention, comprising two or more second reactor chambers for carrying out the deposition operation.
Bei diesem Ausführungsbeispiel müssen die gereinigten Batches nicht lange gelagert werden, sondern können gleich zur jeweils nächsten frei werdenden Abscheidekammer bzw. einer dort vorgesehenen Schleusenkammer transportiert werden.
In this embodiment the cleaned batches do not have to be stored long but can be transported immediately to the respective next deposition chamber which comes free, or a lock chamber provided there.
Die parallele Durchführung des Abscheideschrittes in mehreren Abscheidereaktoren ermöglicht eine weitere Effizienzsteigerung.
Parallel implementation of the deposition step in a plurality of deposition reactors permits a further increase in efficiency.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, dass die erste Substrattemperatur Treddurch kurzzeitiges Bestrahlen je eines Substrates mit einer Lichtquelle eingestellt wird.
A further embodiment of the method according to the invention provides that the first substrate temperature Tred is set by short-term irradiation of a respective substrate with a light source.
Auf diese Weise kann das thermische Budget, dem die Substrate ausgesetzt werden, deutlich verringert werden.
In that way the thermal budget to which the substrates are exposed can be markedly reduced.
Weiterhin werden aufwändige Heizvorrichtungen an der Prebake-Reaktorkammer gespart.
In addition there is a saving on complicated and expensive heating devices at the prebake reactor chamber.
Im Unterschied zum Beheizen der gesamten Reaktorkammer wird bei dieser Ausführungsform jedes Substrat eines Batches einzeln bestrahlt.
Unlike heating the entire reactor chamber, this embodiment provides that each substrate of a batch is irradiated individually.
Es wird also nur kurzzeitig einer definierten Heizleistung ausgesetzt.
Therefore it is only exposed for a short time to a defined heating output.
Bevorzugt wird dabei je ein Substrat entweder mit einem Lichtblitz oder mit mehreren Lichtblitzen bestrahlt, wobei Anzahl, Frequenzspektrum, Intensität und Zeitdauer des Lichtblitzes bzw. der Lichtblitze so gewählt sind, dass das Substrat für eine vorbestimmte Zeitspanne auf die erste Substrattemperatur Trederhitzt wird.
Preferably in that case a respective substrate is irradiated either with a light flash or with a plurality of light flashes, in which the number, frequency spectrum, intensity and duration of the light flash or light flashes are so selected that the substrate is heated for a predetermined period of time to the first substrate temperature Tred.
Zur Durchführung einer Oberflächenreinigung reicht eine Zeitspanne von maximal ca. 10 Sekunden in Wasserstoffatmosphäre bei der ersten Substrattemperatur.
To carry out a surface cleaning operation, a period of time of a maximum of 10 seconds in a hydrogen atmosphere at the first substrate temperature is sufficient.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird eine Reaktoranordnung für die Schichtabscheidung auf einer Vielzahl von Substraten angegeben.
In accordance with a further aspect of the invention there is provided a reactor arrangement for layer deposition on a plurality of substrates.
Die erfindungsgemäße Reaktoranordnung umfasst: – eine erste Reaktorkammer, die zur Durchführung einer Reinigung der Vielzahl von Substraten ausgebildet ist,– eine zweite Reaktorkammer, die zur Abscheidung mindestens je einer Schicht auf der Vielzahl von Substraten ausgebildet ist,– eine erste Heizvorrichtung zum Einstellen der Substrattemperatur der Substrate in der ersten Reaktorkammer,– eine zweite Heizvorrichtung zum Einstellen der Substrattemperatur der Substrate in der zweiten Reaktorkammer,– eine Vorrichtung zum Herstellen einer Gasatmosphäre vorgegebener Zusammensetzung und vorgegebenen Drucks wahlweise in der ersten Reaktorkammer oder in der zweiten Reaktorkammer oder in beiden Reaktorkammern.
The reactor arrangement according to the invention comprises:a first reactor chamber which is adapted to carry out simultaneous cleaning of the plurality of substrates,at least one second reactor chamber which is adapted for the deposition of at least one respective layer on each of the plurality of substrates,a first heating device for setting the substrate temperature of the substrates in the first reactor chamber,a second heating device for setting the substrate temperature of the substrates in the second reactor chamber,a device for producing a gas atmosphere of predetermined composition and predetermined pressure selectively in the first reactor chamber or in the second reactor chamber or in both reactor chambers, anda transport device which is adapted to transport the plurality of substrates simultaneously from the first reactor chamber into the second reactor chamber.
Weiterhin ist eine Steuervorrichtung vorhanden, die mit den Heizvorrichtungen und der Vorrichtung zum Herstellen der Gasatmosphäre verbunden und ausgebildet ist, die Heizvorrichtungen und die Vorrichtung zum Herstellen der Gasatmosphäre so zu steuern, dass die Substrate während der Reinigung und während eines danach erfolgenden Transports der gereinigten Substrate vom ersten in den zweiten Reaktor unterbrechungsfrei in einer reduzierenden Gasatmosphäre bewegt oder gelagert werden, solange die Substrattemperatur über einer vom Substratmaterial und dem Material der mindestens einen abzuscheidenden Schicht abhängigen kritischen Temperatur Tcliegt.
In addition provided in the reactor arrangement according to the invention is a control device which is connected to the heating devices and the device for producing the gas atmosphere and which is adapted to control the heating devices and the device for producing the gas atmosphere in such a way that the substrates during the cleaning operation and during a subsequent transport step of the cleaned substrates from the first reactor into the second reactor are moved or stored in an interruption-free manner in a reducing gas atmosphere as long as the substrate temperature is above a critical temperature Tc which is dependent on the substrate material and the material of the at least one layer to be deposited.
Die erfindungsgemäße Reaktoranordnung ist zur Durchführung des Schichtabscheideverfahrens gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung ausgebildet.
The reactor arrangement according to the invention is adapted to carry out the layer deposition method in accordance with the first aspect of the invention.
Die Steuervorrichtung der erfindungsgemäßen Reaktoranordnung koordiniert das Zusammenspiel der Heizvorrichtungen und der Vorrichtung zum Herstellen der Gasatmosphäre vorgegebener Zusammensetzung und vorgegebenen Drucks.
The control device of the reactor arrangement according to the invention co-ordinates the interplay of the heating devices and the device for producing the gas atmosphere of predetermined composition and predetermined pressure.
Die Steuerung erfolgt mit der Maßgabe, dass die Substrate während der Reinigung und während eines danach erfolgenden Transports der gereinigten Substrate vom ersten in den zweiten Reaktor unterbrechungsfrei in einer reduzierenden Gasatmosphäre bewegt oder gelagert werden, solange die Substrattemperatur oberhalb der kritischen Temperatur Tcliegt.
Control is effected with the proviso that the substrates, during the cleaning operation and during subsequent transport of the cleaned substrates from the first reactor into the second reactor are moved or stored in an interruption-free manner in a reducing gas atmosphere as long as the substrate temperature is above the critical temperature Tc.
Vorteile der erfindungsgemäßen Reaktoranordnung ergeben sich zum Einen unmittelbar aus der Beschreibung der Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Advantages of the reactor arrangement according to the invention arise on the one hand directly out of the description of the advantages of the method according to the invention.
Bei der erfindungsgemäßen Reaktoranordnung sind die erste und zweite Reaktorkammer von einander getrennt und dienen jeweils der Durchführung klar definierter Verfahrensschritte.
In the reactor arrangement according to the invention the first and second reactor chambers are separate from each other and each serve for carrying out respective clearly defined method steps.
So wird die zweite Reaktorkammer zur Schichtabscheidung verwendet, und nicht zur Durchführung einer Reinigung der Substrate.
Thus the second reactor chamber is used for the layer deposition procedure and not for carrying out a cleaning operation on the substrates.
Das hat Vorteile im Hinblick auf die Reinheit der Atmosphäre bei der Substratreinigung (Prebake) und bei der Schichtabscheidung, sowie auf die Häufigkeit notwendiger Reinigungsprozeduren der Reaktorkammer selbst.
That has advantages in regard to the purity of the atmosphere in the substrate cleaning operation (prebake) and in the layer deposition operation, as well as the frequency of necessary cleaning procedures for the reactor chambers themselves.
Die Substratreinigung erfolgt typischerweise bei gegenüber der Schichtabscheidung erhöhter Temperatur.
Substrate cleaning is typically effected at a temperature which is increased in relation to the layer deposition operation.
Werden Substratreinigung und Schichtabscheidung in einer Kammer durchgeführt, muss die Temperatur der Kammer zur Reinigung erhöht und später zur Schichtabscheidung wieder verringert werden.
If substrate cleaning and substrate deposition are carried out in one chamber, the temperature of the chamber must be increased for the cleaning operation and later reduced again for the layer deposition operation.
Bei der Schichtabscheidung tritt ein Niederschlag auch an den Wandungen der Reaktorkammer auf.
In the layer deposition operation, a deposit also occurs at the walls of the reactor chamber.
Aufgrund der thermischen Zyklen in aufeinanderfolgenden Reinigungs- und Abscheideschritten kann dieser Niederschlag in einer Reaktoranordnung nach dem Stand der Technik aufgrund der bei den thermischen Zyklen entstehenden Schichtspannungen im Niederschlag an den Wandungen vor allem während der Hochtemperaturphasen abblättern.
Because of the thermal cycles in successive cleaning and deposition steps, that wall deposit in a reactor arrangement in accordance with the state of the art can peel off, in particular during the high-temperature phases, by virtue of the layer stresses which occur in the thermal cycles in the deposit on the walls.
So kann die Gasatmosphäre während der Substratreinigung verunreinigt werden, wodurch die Reinheit der Substratoberflächen beeinträchtigt wird.
Thus the gas atmosphere can be contaminated during the substrate cleaning operation, whereby the purity of the substrate surfaces is detrimentally affected.
Diese Gefahr ist in der erfindungsgemäßen Reaktoranordnung zumindest verringert.
That risk is at least reduced in the reactor arrangement according to the invention.
Die abgeschiedenen Schichten sind weitestgehend frei von Fremdpartikeln und haben so eine besonders gute Schichtqualität.
The deposited layers are very substantially free of foreign particles and thus enjoy particularly good layer quality.
In der erfindungsgemäßen Reaktoranordnung kann die zweite Reaktorkammer weiterhin einfacher und seltener gereinigt werden, weil die Kammer stets auf der gleichen Temperatur gehalten werden kann, der Niederschlag an den Wandungen des Reaktors geringer ist und aufgrund der konstanten Temperatur keine thermisch erzeugten Spannungen in der Niederschlagsschicht entstehen, die zum Abblättern führen.
In the reactor arrangement according to the invention the second reactor chamber can also be cleaned more easily and less frequently because the chamber can always kept at the same temperature, the deposit on the walls of the reactor is less and, because of the constant temperature, no thermally produced stresses occur in the wall deposit layer, which result in it peeling off.
Dies ermöglicht eine längere Standzeit des erfindungsgemäßen Reaktors zwischen notwendigen Reaktor-Reinigungsprozessen, unabhängig davon, ob dies in Form einer in-situ Reinigung oder als externe Reinigung mit Reaktorwechsel erfolgt.
That permits the reactor according to the invention to have a longer service time between necessary reactor cleaning procedures, irrespective of whether that is effected in the form of in-situ cleaning or in the form of external cleaning with a reactor change.
Ausführungsbeispiel 2: Herstellung von Bikomponentenfasern, die als Kern-Mantel-Fasern mit nichtverspinnbarem Kern ausgestaltet sind Ein Vliesstoff bestehend aus Bikomponentenfasern mit Kern-MantelSegmentierung wird mittels einer Vorrichtung gemäß Fig. 1 durch ein Rotationsspinnverfahren wie folgt hergestellt: Als Spinnlösung 1 wird eine 5%ige Gelatine-Lösung verwendet.
Production of Bi-Component Fibers that, as Core-Shell Fibers, are Configured with an Unspinnable Core A non-woven consisting of bi-component fibers with core-shell segmenting is produced by means of a device according to FIG. 1by a rotational spinning method as follows: A 5% gelatin solution is used as spinning solution 1.
Zur Verwendung kommt eine Gelatine des Typs A PIGSKIN der Firma GELITA AG.
A gelatin of type A PIGSKIN made by the GELITA AG company is used.
Die Gelatine wird in Wasser eingerührt.
The gelatin is stirred into water.
Darauf verbleibt die Gelatine-Lösung etwa eine Stunde in Ruhe, um aufzuquellen.
Then the gelatin solution is left to rest for about one hour in order to swell.
Anschließend wird die GelatineLösung gelöst und darauf ca. 2 Stunden auf einer Temperatur von 60°C gehalten.
Subsequently, the gelatin solution is dissolved and then kept at a temperature of 60° C. [140° F.] for about two hours.
Als Spinnlösung 3 wird eine wässrige Wirkstoff-Lösung aus Acetylsalicylsäure mit einer Konzentration von 0,1 mg/L und 1 Gew% Polyethylenoxid (MG. ca. 900000 g/mol) verwendet.
As spinning solution 3, an aqueous active ingredient solution of acetylsalicylic acid at a concentration of 0.1 mg/L and 1% by weight of polyethylene oxide (molecular weight of approximately 900,000 g/mol) is used.
Die Acetylsalicylsäure wird in Wasser gelöst.Die Spinnlösung 1 wird mittels einer Schlauchpumpe in das Behältnis 2 des Innenrotors 7, die Spinnlösung 3 mit einer weiteren Schlauchpumpe in das Behältnis 4 des Außenrotors 8 geführt.
Spinning solution 1 is fed via a hose pump into the container 2of the internal rotor 7, and spinning solution 3 is fed via another hose pump into the container 4of the external rotor 8.
Die Behältnisse 2, 4 haben eine Temperatur von ca. 60°C und rotieren mit einer Drehzahl von 4500 U/min.
The containers 2, 4have a temperature of about 60° C. [140° F.] and rotate at a speed of 4500 rpm.
Der Innenrotor 7 befindet sich innerhalb des Außenrotors 8. Vom Innenrotor 7 gehen Kanaldüsen 5 mit einem Durchmesser von 0,5 mm aus.
The internal rotor 7is located inside the external rotor 8.
Diese münden jeweils in den Kanaldüsen 6 eines Durchmessers von 1,0 mm des Außenrotors 8 und bilden mit diesen zusammen eine Spinndüse zur Herstellung von Bikomponentenfasern mit Kern-Mantel-Segmentierung oder auch zur Herstellung von Hohlfasern.
They each open up into the channel nozzles 6of the external rotor 8that have a diameter of 1.0 mm and, together with it, they form a spinning nozzle for the production of bi-component fibers with core-shell segmenting or else for the production of hollow fibers.