mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, dann wenn der Fahrer den Blick in den Innenraum richtet, Warnungen von Fahrerassistenzsystemen, die die Gefahr einer Kollision erkannt haben, auf der Anzeige der Datenbrille auszugeben.
[0013] Alternatively or in addition, when the driver is looking into the interior it is possible to output on the display of the smart glasses warnings by driver assist systems which have detected the danger of a collision.
Das vorgeschlagene Verfahren ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn der Träger der Datenbrille diese gemäß der typischen, angenommenen oder bestimmungsgemäßen Tragehaltung verwendet.
[0014] The proposed method is advantageous, in particular, when the wearer of the smart glasses uses same in accordance with the typical, accepted or intended of wearing the spectacles.
Die Mehrzahl an Informationsquellen und die Mehrzahl an Kriterien kann aus zwei, drei oder mehr Elementen bestehen.
The plurality of information sources and the plurality of criteria can consist of two, three or more elements.
Eines der Kriterien der Mehrzahl von Kriterien kann ein Auffang-Kriterium sein, das immer dann erfüllt ist, wenn kein anderes der Kriterien aus der Mehrzahl der Kriterien erfüllt ist.
One of the criteria of the plurality of criteria can be an absorption criterion which is always fulfilled when no other one of the criteria from the plurality of criteria is fulfilled.
Bei der Bestimmung der räumlichen Ausrichtung muss nicht zwangsläufig die vollständige räumliche Ausrichtung in allen drei Raumdimensionen bestimmt werden, es kann ebenfalls genügen beispielsweise die Neigung der Datenbrille zu einer Horizontalen zu bestimmen.
[0015] When determining the spatial orientation, it is not mandatory to determine the complete spatial orientation in all three dimensions of space— it can likewise suffice, for example, to determine the inclination of the smart glasses relative to a horizontal.
In einer Weiterbildung definiert eines der Kriterien aus der Mehrzahl der Kriterien, dass die Ausrichtung der Datenbrille derart ist, dass der Träger der Brille unter der Annahme einer bestimmungsgemäß getragenen Datenbrille und dem Aufenthalt in einem Fahrzeug das Umfeld des Fahrzeugs betrachtet.
[0016] In one development, one of the criteria from the plurality of criteria defines that the orientation of the smart glasses is such that, assuming the smart glasses are worn as intended and that they are in a vehicle, the wearer of the spectacles views the surroundings of the vehicle.
Alternativ oder zusätzlich kann ein Kriterium definieren, dass die Ausrichtung der Brille derart ist, dass der Träger der Brille - unter der Annahme einer bestimmungsgemäß getragenen Datenbrille und dem Aufenthalt in einem Fahrzeug - von einem Fahrerassistenzsystem erkannte andere Verkehrsteilnehmer wahrnimmt, mit denen die Gefahr einer Kollision besteht.
Alternatively or in addition, a criterion can define that the orientation of the smart glasses is such that, assuming the smart glasses are worn as intended and that they are in a vehicle, the wearer of the spectacles perceives other traffic users, detected by a driver assist system, associated with the risk of a collision.
In einer anderen Weiterbildung gibt ein Kriterium aus der Mehrzahl der Kriterien einen Richtungsbereich an; wobei der Datenbrille eine Richtung zugeordnet ist; wobei das Verfahren ferner umfasst: Bestimmen der der Datenbrilie zugeordneten Richtung anhand der bestimmten räumlichen Ausrichtung der Datenbrille.
[0017] In another development, a criterion from the plurality of criteria specifies a range of directions; the smart glasses being assigned a direction; the method further comprising: determining the direction assigned to the smart glasses with the aid of the determined spatial orientation of the smart glasses.
Ein Rich- tungsbereich ist ein Bereich an Richtungen, der beispielsweise durch die Angabe von Winkelbereichen ausgehend von dem Kopf des Trägers definiert sein kann.
A range of directions is one which can, for example, be defined by specifying the angular ranges in a fashion emanating from the head of the wearer.
Die Richtungsbereiche können entsprechend der Geometrie zwischen Fenstern des Fahrzeugs und der Position des Kopfes des Trägers definiert werden.
The ranges of direction can be defined in accordance with the geometry between windows of the vehicle and the position of the head of the wearer.
Ein Richtungsbereich kann auch durch ein Fahrerassistenzsystem vorgegeben werden, das die Gefahr einer Kollision mit einem anderen Verkehrsteilnehmer oder Objekten erkannt hat und zur Vermeidung der Kollision einen Richtungsbereich bestimmt hat, in den der Fahrer seinen Bück zum Erkennen der Gefahr wenden sollte.
A range of directions can also be prescribed by a driver assist system which has detected the risk of a collision with another road user or object and has determined for the purpose of avoiding the collision a range of directions to which the driver should turn his view to detect the risk.
Ein Richtungsbereich kann auch nur eine Festlegung eines Bereiches für die horizontale oder vertikale Komponente der zugeordneten Richtung sein.
A range of directions can also be only a stipulation of a range for the horizontal or vertical components of the assigned direction.
Der Richtungsbereich kann die Einstellungen des Sitzes des Trägers der Datenbrille berücksichtigen, da sich durch diese die Position des Kopfes verändert und damit auch der Richtungsbereich, der eine Betrachtung des Umfelds repräsentiert.
The range of directions can take account of the settings of the seat of the wearer of the smart glasses, since said settings alter the position of the head and therefore also the range of directions, which represents a viewing of the surroundings.
In einer anderen Weiterbildung umfasst die Datenbrille eine Kamera und das Bestimmen der räumlichen Ausrichtung umfasst Folgendes: Empfangen einer Auf- nähme der Kamera; Erkennen des Abbildes eines Teils des Innenraums des Fahrzeugs in der Aufnahme; Bestimmen der Position des Abbildes in der Aufnahme; Bestimmen der räumlichen Ausrichtung der Datenbrille anhand der bestimmten Position des Abbildes in der Aufnahme.
[0018] In another development, the smart glasses include a camera and the determination of the spatial orientation comprises the following: receiving a photograph of the camera; recognizing the image of a portion of the interior of the vehicle in the photograph; determining the position of the image in the photograph; determining the spatial orientation of the smart glasses with the aid of the determined position of the image in the photograph.
In dieser Weiterbildung wird die Ausrichtung der Datenbrilie somit durch die Auswertung einer Kameraaufnahme gewonnen.
In this development, the orientation of the smart glasses is therefore obtained by evaluation of a camera photograph.
Bei dem ersten Schaltungsknoten 101 kann es sich beispielsweise um einen ersten elektrischen Außenanschluss der Elektronikbaugruppe 100 handeln.
The first switching node 101may for example be a first external electrical terminal of the electronics assembly 100.
Entsprechend kann es sich bei dem zweiten Schaltungsknoten 102 beispielsweise einen zweiten elektrischen Außenanschluss 102 der Elektronikbaugruppe 100 handeln.
Correspondingly, the second switching node 102may for example be a second external electrical terminal 102of the electronics assembly 100.
Als "Außenanschlüsse" der Elektronikbaugruppe 100 werden generell Anschlüsse verstanden, an denen die Elektronikbaugruppe 100 von außen elektrisch angeschlossen werden kann, also Anschlüsse, die von der Außenseite der Elektronikbaugruppe 100 her zugänglich sind.
“External terminals” of the electronics assembly 100are generally understood as meaning terminals at which the electronics assembly 100can be electrically connected from the outside, that is to say terminals that are accessible from the outside of the electronics assembly 100.
Als Bauelementtypen kommen für den ersten Halbleiterchip 1 und den zweiten Halbleiterchip 2 unter anderem steuerbare Halbleiterschalter in Frage, die einen Steueranschluss 13 bzw. 23 aufweisen, mittels dem die erste bzw. zweite Laststrecke des betreffenden Halbleiterchips 1 bzw. 2 abhängig von einem an den Steueranschluss 13, 23 angelegten elektrischen Ansteuerpotential wahlweise in einen leitenden Zustand (Halbleiterchip ist eingeschaltet, d.h. seine Laststrecke leitet) oder in einen sperrenden Zustand (Halbleiterchip ist ausgeschaltet, d.h. seine Laststrecke sperrt) versetzt werden kann.
Among the types of components that come into consideration for the first semiconductor chip 1and the second semiconductor chip 2are controllable semiconductor switches, which have a control terminal 13or 23, by means of which the first load path or the second load path of the semiconductor chip 1or 2concerned can, depending on an electrical activation potential applied to the control terminal 13, 23, be optionally put into a conducting state (semiconductor chip is switched on, i.e. its load path is conducting) or into a blocking state (semiconductor chip is switched off, i.e. its load path is non-conducting).
Ebenso kann es sich bei dem ersten Halbleiterchip 1 und/oder dem zweiten Halbleiterchip 2 aber auch um ein Halbleiterbauelement ohne Steueranschluss handeln, beispielsweise um eine Diode.
Similarly, however, the first semiconductor chip 1and/or the second semiconductor chip 2may also be a semiconductor component without a control terminal, for example a diode.
Geeignete Bauelementtypen für den ersten Halbleiterchip 1 und den zweiten Halbleiterchip 2 sind beispielsweise Halbleiterschalter mit einem Steueranschluss wie z.B. MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors), IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), JFETs (Junction Field-Effect Transistors), HEMTs (High Electron Mobility Transistors), Thyristoren oder dergleichen, oder Halbleiterchips ohne Steueranschluss wie beispielsweise Dioden.
Suitable types of components for the first semiconductor chip 1and the second semiconductor chip 2are for example semiconductor switches with a control terminal, such as for example MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors), IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), JFETs (Junction Field-Effect Transistors), HEMTs (High Electron Mobility Transistors), thyristors or the like, or semiconductor chips without a control terminal, such as for example diodes.
Abhängig vom Bauelementtyp kann es sich bei dem ersten/zweiten Lastanschluss 11 / 12, 21 / 22 desselben Halbleiterchips 1, 2 – je nach Art des Bauelements – beispielsweise um Drain- bzw. Source-Anschlüsse oder um Source- bzw. Drain-Anschlüsse oder um Emitter- bzw. Kollektor-Anschlüsse oder um Kollektor- bzw. Emitter-Anschlüsse oder um Anoden-/Kathoden-Anschlüsse oder um Kathoden-/Anoden-Anschlüsse handeln, und – sofern der Halbleiterchip 1, 2 steuerbar ist – bei dem Steueranschluss 13, 23 um einen Gate- oder Basis-Anschluss.
Depending on the type of component, the first/second load terminal 11/12, 21/22of the same semiconductor chip 1, 2may be for example drain and source terminals or be source and drain terminals or be emitter and collector terminals or be collector and emitter terminals or be anode/cathode terminals or be cathode/anode terminals, and—if the semiconductor chip 1, 2is controllable—the control terminal 13, 23may be a gate terminal or a base terminal.
Bei einer Elektronikbaugruppe 100 kann es sich um ein beliebiges Stromrichter-, Umrichter- oder sonstiges leistungselektronisches Halbleitermodul handeln.
An electronics assembly 100may be any desired power converter, inverter or other power-electronic semiconductor module.
Es kann z.B. eine Gleichrichterschaltung oder eine Wechselrichterschaltung aufweisen, oder eine Schaltung zur Ansteuerung einer – zum Beispiel induktiven – Last M, z.B. eines Motors.
It may for example have a rectifier circuit or an inverter circuit, or a circuit for activating a—for example inductive—load M, for example of a motor.
Bei den Halbleiterchips 1, 2 kann es sich um laterale oder vertikale Bauelemente handeln.
The semiconductor chips 1, 2may be lateral or vertical components.
Im Fall eines vertikalen Halbleiterchips 1, 2 weist dieses einen Halbleiterkörper auf, und der erste Lastanschluss und der zweite Lastanschluss sind auf entgegengesetzten Seiten dieses Halbleiterkörpers angeordnet.
In the case of a vertical semiconductor chip 1, 2, it has a semiconductor body, and the first load terminal and the second load terminal are arranged on opposite sides of this semiconductor body.
Wie gezeigt, kann zur Laststrecke eines jeden der Halbleiterchips 1, 2 jeweils eine optionale Freilaufdiode D antiparallel geschaltet sein.
As shown, an optional freewheeling diode D may be respectively connected antiparallel in relation to the load path of each of the semiconductor chips 1, 2.
Solche Freilaufdioden D können optional auch in das betreffende Halbleiterbauelement 1, 2 integriert sein.
Such freewheeling diodes D may optionally also be integrated in the semiconductor component 1, 2concerned.
Grundsätzlich ist es auch möglich, solche Freilaufdioden D außerhalb der Elektronikbaugruppe 100 anzuordnen.
In principle, it is also possible to arrange such freewheeling diodes D outside the electronics assembly 100.
Die Elektronikbaugruppe weist einen Ausgang 103 auf, der im Wesentlichen auf demselben elektrischen Potential liegt, wie der zweite Lastanschluss 12 des ersten Halbleiterbauelements 1 und der erste Lastanschluss 21 des zweiten Halbleiterbauelements 2 einer jeden Halbbrücke HB'.
The electronics assembly has an output 103, which is substantially at the same electrical potential as the second load terminal 12of the first semiconductor component 1and the first load terminal 21of the second semiconductor component 2of each half-bridge HB′.
Das erste Versorgungspotential DC+ kann beispielsweise größer sein, als das zweite Versorgungspotential DC–.
The first supply potential DC+ may for example be greater than the second supply potential DC−.
Bei der zwischen dem ersten Schaltungsknoten 101 und dem zweiten Schaltungsknoten 102 anliegenden Spannung, also der Potentialdifferenz zwischen DC+ und DC–, kann es sich insbesondere um eine Gleichspannung handeln, oder zumindest um eine Spannung, die einen signifikanten Gleichspannungsanteil aufweist, beispielsweise um eine Zwischenkreisspannung eines Umrichters.
For example, the difference between the first supply potential DC+ and the second supply potential V− may be permanently or at least temporarily at least 10 V, at least 100 V or even at least 500 V. The voltage that is present between the first switching node 101and the second switching node 102, that is to say the potential difference between DC+ and DC−, may be in particular a direct voltage, or at least a voltage that has a significant direct voltage component, for example a DC link voltage of an inverter.
Fig. 3zeigt schematisch die auf einer Leiterstruktur 6 in einer ersten Richtung x hintereinander angeordneten Teil-Gruppen 100'.
FIG. 3schematically shows the subgroups 100′ arranged one behind the other in a first direction x on a conductor structure 6.
Aus Gründen der Übersichtlichkeit sind von den Bestandteilen der Teil-Gruppen 100' jeweils nur die Entstörkondensatoren 3 und 4 gezeigt.
For reasons of clarity, of the component parts of the subgroups 100′, only the interference-suppression capacitors 3and 4are shown in each case.
Die anderen Bestandteile der Teil-Gruppen 100' können jedoch in gleicher Weise auf der Leiterstruktur 6 in der ersten Richtung x hintereinander angeordnet und elektrisch parallel geschaltet werden.
The other component parts of the subgroups 100′ may however be arranged in the same way one behind the other in the first direction x on the conductor structure 6and be connected electrically in parallel.
Hier wie bei allen andern Ausgestaltungen kann der die Elektronikbaugruppe 100 durchfließende Laststrom im Mittel in einer zweiten Richtung y fließen, die senkrecht oder näherungsweise senkrecht zur ersten Richtung x verläuft.
As in the case of all the other configurations, here the load current flowing through the electronics assembly 100may on average flow in a second direction y, which extends perpendicularly or approximately perpendicularly to the first direction x.
Hierdurch lässt sich ein sehr niederinduktiver Aufbau bzw. Betrieb der Elektronikbaugruppe 100 erreichen.
As a result, a very low-inductance construction and operation of the electronics assembly 100can be achieved.
Die Fig. 4und Fig. 5zeigen im Querschnitt bzw. in Draufsicht ein erstes Beispiel, bei dem die Leiterstruktur 6 als Leiterplatte (z.B. als PCB oder als metallisierter keramischer Schaltungsträger oder als laminierter Busschienenverbund oder als luftisolierte Platten, die mit Hilfe von Stützen auf dem Kühlkörper 200 montiert sind) ausgebildet ist.
FIGS. 4 and 5show in cross section and in plan view a first example, in which the conductor structure 6is formed as a circuit board (for example as a PCB or as a metallized ceramic circuit carrier or as a laminated busbar assembly or as air-insulated plates, which are mounted on the heat sink 200with the aid of supports).
Die Blickrichtung gemäß Fig. 4entspricht der ersten Richtung x. Die Leiterstruktur 6 kann mehrere elektrisch leitende erste bis fünfte Leiterstreifen 61, 62, 63, 63', 64, 65 aufweisen, die durch ein Dielektrikum 60 (z.B Kunststoff oder Keramik) elektrisch voneinander isoliert sind.
The conductor structure 6may have multiple electrically conducting first to fifth conductor strips 61, 62, 63, 63′, 64, 65, which are electrically insulated from one another by a dielectric 60(for example plastic or ceramic).
Wie auch bei sämtlichen anderen Ausgestaltungen können die Leiterstreifen 61 – 65 eine gute elektrische Leitfähigkeit aufweisen.
As also in the case of all the other configurations, the conductor strips 61-65may have a good electrical conductivity.
Sie können beispielsweise aus Kupfer oder einer Kupferlegierung mit hohem Kupferanteil bestehen.
They may for example consist of copper or a copper alloy with a high copper content.
Leiterstreifen 61 – 65, die (abgesehen von Potentialabfällen, die durch ohmsche Widerstände der Leiterstreifen bedingt sind) auf demselben elektrischen Potential liegen, sind in den Figuren mit jeweils gleicher Schraffur dargestellt.
Conductor strips 61-65, which are at the same electrical potential (apart from potential drops that are caused by ohmic resistances of the conductor strips), are shown in the figures with the same hatching in each case.
Eine Leiterstruktur 6 weist mehrere Leiterschichten auf, in denen die Leiterstreifen 61 – 65 ausgebildet sind.
A conductor structure 6has multiple conductor layers, in which the conductor strips 61-65are formed.
Die oberste Leiterschicht ist durch den zweiten Leiterstreifen 62 gebildet, und die unterste Leiterschicht ist durch den vierten Leiterstreifen 64 gebildet.
The uppermost conductor layer is formed by the second conductor strip 62, and the lowermost conductor layer is formed by the fourth conductor strip 64.
Beide und damit auch die Leiterstruktur 6 sind mittels elektrischer Verbindungen 66 elektrisch mit einem elektrisch leitenden Kühlkörper 200 verbunden.
Both, and consequently also the conductor structure 6, are electrically connected to an electrically conducting heat sink 200by means of electrical connections 66.
Die (von oben) zweite Leiterschicht enthält den ersten Leiterstreifen 61, sowie einen Leiterstreifen 63, und die (von oben) dritte Leiterschicht enthält den fünften Leiterstreifen 65, sowie einen Leiterstreifen 63'.
The second conductor layer (from above) includes the first conductor strip 61, and also a conductor strip 63, and the third conductor layer (from above) includes the fifth conductor strip 65, and also a conductor strip 63′.
Die Leiterstreifen 63 und 63' sind durch ein oder mehr elektrische Verbindungen 66 elektrisch leitend miteinander verbunden.
The conductor strips 63and 63′ are connected to one another in an electrically conducting manner by one or more electrical connections 66.
Während des Betriebs liegt der erste Leiterstreifen 61 auf dem Potential DC+, der zweite Leiterstreifen 62 auf dem Potential DC–, und die beiden Leiterstreifen 63, 63' auf demselben Potential wie die zweiten Lastanschlüsse 12 der ersten Halbleiterchips 1 und die ersten Lastanschlüsse 21 der zweiten Halbleiterchips 2, d.h. auf dem Potential des Ausgangs 103 der Elektronikbaugruppe 100 (siehe Fig. 2).
During operation, the first conductor strip 61is at the potential DC+, the second conductor strip 62is at the potential DC−, and the two conductor strips 63, 63′ are at the same potential as the second load terminals 12of the first semiconductor chips 1and the first load terminals 21of the second semiconductor chips 2, i.e. at the potential of the output 103of the electronics assembly 100(see FIG. 2).
Jeder der Halbbrücken HB' enthält wenigstens einen oder zwei oder mehr erste Halbleiterchips 1, deren erste Laststrecken 11 – 12 im Fall von mehreren ersten Halbleiterchips 1 parallel geschaltet sind, sowie wenigstens einen oder zwei oder mehr zweite Halbleiterchips 2, deren zweite Laststrecken 21 – 22 im Fall von mehreren zweiten Halbleiterchips 2 parallel geschaltet sind.
Each of the half-bridges HB′ includes at least one or two or more first semiconductor chips 1, the first load paths 11-12of which in the case of multiple first semiconductor chips 1are connected in parallel, and also at least one or two or more second semiconductor chips 2, the second load paths 21-22of which in the case of multiple second semiconductor chips 2are connected in parallel.
Außerdem ist jede der ersten Laststrecken 11 – 12 elektrisch mit jeder der zweiten Laststrecken 21 – 22 in Reihe geschaltet.
Furthermore, each of the first load paths 11-12is connected electrically in series with each of the second load paths 21-22.
Als elektrische Verbindungen 66 können prinzipiell beliebige Arten von Verbindungen in beliebigen Kombinationen miteinander verwendet werden, beispielsweise Durchkontaktierungen der Leiterplatte, Einpresspins, Lötverbindungen, Schraubverbindungen usw. Abweichend von den vorliegenden Darstellungen müssen die elektrischen Verbindungen 66 nicht notwendigerweise in derselben Schnittebene angeordnet sein.
In principle, any desired types of connections in any desired combinations with one another may be used as electrical connections 66, for example via holes of the circuit board, press-in pins, soldered connections, screw connections, and so on.
Vielmehr können sich verschiedene Verbindungen 66 – insbesondere auch in der ersten Richtung x – an verschiedenen und mehreren Positionen befinden.
Rather, different connections 66—in particular also in the first direction x—may be located at different, various positions.
Die Reihe RHB' mit den in der ersten Richtung x hintereinander angeordneten Halbbrücken HB' kann ganz oder teilweise zwischen dem Kühlkörper 200 und der Leiterstruktur 6 angeordnet sein.
The row RHB with the half-bridges HB′ arranged one behind the other in the first direction x may be arranged entirely or partially between the heat sink 200and the conductor structure 6.
Alternativ könnte die Reihe RHB' mit den in der ersten Richtung x hintereinander angeordneten Halbbrücken HB' auch seitlich (y-Richtung) neben der Leiterstruktur 6 auf dem Kühlkörper 200 angeordnet und elektrisch leitend mit den darauf befindlichen Entstörkondensatoren 3 und/oder 4 verbunden sein.
Alternatively, the row RBHB′with the half-bridges HB′ arranged one behind the other in the first direction x may also be arranged laterally (y direction) next to the conductor structure 6on the heat sink 200and be connected in an electrically conducting manner to the interference-suppression capacitors 3and 4located thereupon.