mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
Das Verriegelungsstiftelement 40 weist wie in Fig. 3gezeigt ist eine obere Kappe 41 auf, die ein erstes Ende (das obere Ende in Fig. 3) der Passbohrung 25 des Flügels 22A, schließt, einen hohlzylinderförmigen Außenstift 43, der durch eine Außenfeder 42 elastisch unter der oberen Kappe 41 vorgesehen ist, und einen Innenstift 45, der im Inneren 43a des Außenstift 43 gleitbar vorgesehen ist und in einer ersten Vertiefung 41a der oberen Kappe 41 durch eine Innenfeder 44 elastisch eingesetzt ist.
The locking pin member 40, as shown in FIG. 3, has an upper cap 41closing a first end (the upper end in FIG. 3) of the fitting hole 25of the vane 22A, a hollow cylinder-shaped outer pin 43elastically disposed under the upper cap 41by an outer spring 42, and an inner pin 45slidably disposed in the inside 43a of the outer pin 43and elastically seated in a first recession 41a of the upper cap 41by an inner spring 44.
Das Verriegelungsstiftelement 40 kann ferner eine ringförmige untere Kappe 46 aufweisen, die an einem zweiten Ende (dem unteren Ende in Fig. 3) der Passbohrung 25 positioniert ist und die Außenseite des Außenstifts 43 stützt.
The locking pin member 40may further have a ring-shaped lower cap 46positioned at a second end (the lower end in FIG. 3) of the fitting hole 25and supporting the outer side of the outer pin 43.
Die Mittelebene der Schicht ergibt in der Regel die Abbildungsebene.
Furthermore, control information from the computer program product may be stored on an electronically readable data carrier.
Die erfindungsgemäße Beschleunigung der Messdatenaufnahme ermöglicht es, statt sonst üblich nur eine Schicht, mehrere Schichten des Untersuchungsobjekts innerhalb einer einzigen Atemanhaltezeit zu erfassen.
The control information of the electronically readable data carrier may be embodied such that it performs a method with the use of the data carrier in a system control unit of a magnetic resonance device.
Selbstverständlich ist auch eine Kombination dieses Aspekts mit weiteren bereits beschriebenen Aspekten denkbar, wie z.B. die Erfassung von mehreren Schichten über jeweils mehrere Zyklen, insbesondere Herzschläge.
Examples of electronically readable data carriers are a DVD, a magnetic tape or a USB stick, on which electronically readable control information, in particular software, is stored.
Im Folgenden wird eine erfindungsgemäße Magnetresonanzvorrichtung beschrieben.
If this control information is read from the data carrier and stored in a system control unit of the magnetic resonance device, all embodiments of the above-described method may be performed.
Deren Vorteile entsprechen im Wesentlichen den Vorteilen des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Erzeugung zeitaufgelöster Abbildungen eines Untersuchungsobjekts, das eine zyklische Bewegung ausführt, welche vorab im Detail ausgeführt sind.
The embodiments may also be based on the computer readable medium and/or the electronically readable data carrier.
Hierbei erwähnte Merkmale, Vorteile oder alternative Ausführungsformen können ebenso auch auf die anderen beanspruchten Gegenstände übertragen werden und umgekehrt.
Further advantages, features and details will become apparent from the exemplary embodiments described below as well as with reference to the drawings.
Die entsprechenden funktionalen Merkmale des Verfahrens werden dabei durch entsprechende gegenständliche Einheiten, insbesondere durch Hardware-Einheiten, ausgebildet.
Parts corresponding to one another are provided with the same reference numerals in all the figures.
Ferner wird ein Computerprogrammprodukt vorgeschlagen, das ein Programm umfasst und direkt in einen Speicher einer programmierbaren Systemsteuereinheit einer Magnetresonanzvorrichtung ladbar ist und Programmmittel, z.B. Bibliotheken und Hilfsfunktionen, aufweist, um ein erfindungsgemäßes Verfahren auszuführen, wenn das Computerprogrammprodukt in der Systemsteuereinheit der Magnetresonanzvorrichtung ausgeführt wird.
FIG. 1depicts a schematic representation of a cycle according to the prior art.
Das Computerprogrammprodukt ist so konfiguriert, dass es mittels der Systemsteuereinheit die erfindungsgemäßen Verfahrensschritte ausführen kann.
FIG. 2depicts a schematic representation of a breath-hold phase according to the prior art.
Die Systemsteuereinheit muss dabei jeweils die Voraussetzungen wie beispielsweise einen entsprechenden Arbeitsspeicher, eine entsprechende Grafikkarte oder eine entsprechende Logikeinheit aufweisen, so dass die jeweiligen Verfahrensschritte effizient ausgeführt werden können.
FIG. 3depicts a schematic representation of a breath-hold phase with three partial sections with different layer capture and/or different tagging time instants, according to an example.
Das Computerprogrammprodukt ist beispielsweise auf einem computerlesbaren Medium gespeichert oder auf einem Netzwerk oder Server hinterlegt, von wo es in den Prozessor einer lokalen Systemsteuereinheit geladen werden kann, der mit der Magnetresonanzvorrichtung direkt verbunden oder als Teil der Magnetresonanzvorrichtung ausgebildet sein kann.
FIG. 4depicts a schematic representation in detail of a breath-hold phase with three partial sections with different tagging time instants, according to an example.
Beispiele für elektronische lesbare Datenträger sind eine DVD, ein Magnetband oder einen USB-Stick, auf welchem elektronisch lesbare Steuerinformationen, insbesondere Software, gespeichert ist.
FIG. 5depicts a schematic representation of a breath-hold phase with four partial sections, which each include three cycles, according to an example.
Wenn diese Steuerinformationen von dem Datenträger gelesen und in eine Systemsteuereinheit der Magnetresonanzvorrichtung gespeichert werden, können alle erfindungsgemäßen Ausführungsformen der vorab beschriebenen Verfahren durchgeführt werden.
FIG. 6depicts a schematic block diagram of an example of a method.
Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen sowie anhand der Zeichnungen.
FIG. 7depicts a schematic block diagram of an additional example of a method.
Es zeigen: Fig. 1eine schematische Darstellung eines Zyklus gemäß dem Stand der Technik, Fig. 2eine schematische Darstellung einer Atemanhaltephase gemäß dem Stand der Technik, Fig. 3eine schematische Darstellung einer Atemanhaltephase mit drei Teilabschnitten unterschiedlicher Schichterfassung und/oder unterschiedlicher Tagging-Zeitpunkte, Fig. 4eine schematische Detaildarstellung einer Atemanhaltephase mit drei Teilabschnitten unterschiedlicher Tagging-Zeitpunkte, Fig. 5eine schematische Darstellung einer Atemanhaltephase mit vier Teilabschnitten, die jeweils drei Zyklen umfassen, Fig. 6eine schematisches Blockdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens, Fig. 7eine schematisches Blockdiagramm eines erweiterten erfindungsgemäßen Verfahrens, Fig. 8eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Magnetresonanzvorrichtung.
FIG. 8depicts a schematic representation of an example of a magnetic resonance device.
In Fig. 8ist exemplarisch eine Magnetresonanzvorrichtung 10 schematisch dargestellt, die ausgebildet ist, ein Verfahren zur Erzeugung zeitaufgelöster Abbildungen eines Untersuchungsobjekts, das eine zyklische Bewegung ausführt, nach einem der Ansprüche 1 bis 11 auszuführen.
A magnetic resonance device 10is depicted by way of example schematically in FIG. 8, which is embodied to execute a method for generating time-resolved images of an examination object, which executes a cyclical movement.
Die Magnetresonanzvorrichtung 10 umfasst eine Magneteinheit 11, die einen supraleitenden Hauptmagneten 12 zu einem Erzeugen eines starken und insbesondere zeitlich konstanten Grundmagnetfelds 13 umfasst.
The magnetic resonance device 10includes a magnet unit 11having a superconducting main magnet 12for generating a powerful and in particular temporally constant main magnetic field 13.
Zudem weist die Magnetresonanzvorrichtung 10 einen Patientenaufnahmebereich 14 auf zu einer Aufnahme eines Untersuchungsobjekts 15, hier eines Patienten, dessen Herzmuskel eine zyklische Bewegung ausführt.
In addition, the magnetic resonance device 10has a patient-receiving zone 14for receiving an examination object 15, here a patient, the myocardal muscle of which executes a cyclical movement.
Eine elektrische Aktivität des Herzmuskels wird anhand einer EKG-Vorrichtung 26 erfasst, die mit einer Systemsteuereinheit 22 verbunden ist.
Electrical activity of the myocardal muscle is captured with the aid of an EKG device 26, which is connected to a system control unit 22.
Der Patientenaufnahmebereich 14 ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel zylinderförmig ausgebildet und in einer Umfangsrichtung von der Magneteinheit 11 zylinderförmig umgeben.
In the present exemplary embodiment the patient-receiving zone 14is embodied to be cylindrical and is surrounded cylindrically in a peripheral direction by the magnet unit 11.
Grundsätzlich ist jedoch eine davon abweichende Ausbildung des Patientenaufnahmebereichs 14 jederzeit denkbar.
An embodiment of the patient receiving zone 14that deviates therefrom is however conceivable at any time.
Der Patient 15 kann mittels einer Patientenlagerungsvorrichtung 16 der Magnetresonanzvorrichtung 10 in den Patientenaufnahmebereich 14 geschoben werden.
The patient 15may be introduced into the patient-receiving zone 14by a patient support apparatus 16of the magnetic resonance apparatus 10.
Die Patientenlagerungsvorrichtung 16 weist hierzu einen innerhalb des Patientenaufnahmebereichs 14 bewegbar ausgestalteten Patiententisch 17 auf.
The patient positioning device 16to this end has a couch 17configured to be movable within the patient receiving zone 14.
Die Magneteinheit 11 weist weiterhin eine Gradientenspuleneinheit 18 zu einer Erzeugung von Magnetfeldgradienten auf, die für eine Ortskodierung während einer Bildgebung verwendet werden.
The magnet unit 11also has a gradient coil unit 18for generating magnetic field gradients that are used for spatial encoding during imaging.
Die Gradientenspuleneinheit 18 wird mittels einer Gradientensteuereinheit 19 der Magnetresonanzvorrichtung 10 gesteuert und umfasst mehrere hier nicht näher dargestellte Gradientenspulen, die mittels Spulenkanälen angesteuert werden.
The gradient coil unit 18is controlled by a gradient control unit 19of the magnetic resonance device 10and includes a number of gradient coils, which are activated by coil channels.
Die Magneteinheit 11 umfasst weiterhin eine Hochfrequenzantenneneinheit 20, welche im vorliegenden Ausführungsbeispiel als fest in die Magnetresonanzvorrichtung 10 integrierte Körperspule ausgebildet ist.
The magnet unit 11further includes a radio frequency antenna unit 20, which, in the present exemplary embodiment, is embodied as a body coil fixedly integrated into the magnetic resonance device 10.
Die Hochfrequenzantenneneinheit 20 ist zu einer Anregung von Atomkernen, die sich in dem von dem Hauptmagneten 12 erzeugten Hauptmagnetfeld 13 einstellt, ausgelegt.
The radio frequency antenna unit 20is designed to excite atomic nuclei that become established in the main magnetic field 13generated by the main magnet 12.
Die Hochfrequenzantenneneinheit 20 wird von einer Hochfrequenzantennensteuereinheit 21 der Magnetresonanzvorrichtung 10 gesteuert und strahlt HF-Pulse, insbesondere Tagging-Pulse, in einen Untersuchungsraum ein, der im Wesentlichen von einem Patientenaufnahmebereich 14 der Magnetresonanzvorrichtung 10 gebildet ist.
The radio frequency antenna unit 20is controlled by a radio frequency antenna control unit 21of the magnetic resonance device 10and radiates radio frequency pulses, in particular tagging pulses, into an examination space that is substantially formed by a patient-receiving zone 14of the magnetic resonance device 10.
Die Hochfrequenzantenneneinheit 20 ist weiterhin zur Akquisition von Magnetresonanzsignalen ausgebildet.
The radio frequency antenna unit 20is further embodied to acquire magnetic resonance signals.
Zu einer Steuerung des Hauptmagneten 12, der Gradientensteuereinheit 19 und zur Steuerung der Hochfrequenzantennensteuereinheit 21 weist die Magnetresonanzvorrichtung 10 die Systemsteuereinheit 22 auf, welche einen oder mehrere Prozessoren umfasst.
In order to control the main magnet 12, the gradient control unit 19and in order to control the radio frequency antenna control unit 21, the magnetic resonance device 10has the system control unit 22including one or a number of processors.
Die Systemsteuereinheit 22 steuert zentral die Magnetresonanzvorrichtung 10, wie beispielsweise das Durchführen einer vorbestimmten bildgebenden Pulssequenz, die insbesondere ausgebildet ist, eine Unterabtastung eines k-Raums zur Akquisition von Magnetresonanzsignalen durchzuführen.
The system control unit 22controls the magnetic resonance device 10centrally, such as the performance of a predetermined imaging pulse sequence, which is embodied in particular to perform an undersampling of a k-space in order to acquire magnetic resonance signals.
Zudem umfasst die Systemsteuereinheit 22 eine nicht näher dargestellte Speichereinheit und eine Auswerteeinheit zu einer Auswertung von medizinischen Bilddaten, insbesondere zu einer Erzeugung zeitaufgelöster Abbildungen anhand der akquirierten Magnetresonanzsignale.
Moreover, the system control unit 22includes a storage unit and an evaluation unit for evaluating medical image data, in particular for generating time-resolved images on the basis of the acquired magnetic resonance signals.
Des Weiteren umfasst die Magnetresonanzvorrichtung 10 eine Benutzerschnittstelle 23, die mit der Systemsteuereinheit 22 verbunden ist.
Furthermore, the magnetic resonance device 10includes a user interface 23, which is connected to the system control unit 22.
Steuerinformationen wie beispielsweise Bildgebungsparameter, sowie rekonstruierte Magnetresonanzbilder können auf einer Anzeigeeinheit 24, beispielsweise auf zumindest einem Monitor, der Benutzerschnittstelle 23 für ein medizinisches Bedienpersonal angezeigt werden.
Control information such as imaging parameters, for example, as well as reconstructed magnetic resonance images may be displayed on a display unit 24, for example on at least one monitor, of the user interface 23for a medical operator.
Weiterhin weist die Benutzerschnittstelle 23 eine Eingabeeinheit 25 auf, mittels der Informationen und/oder Parameter während eines Messvorgangs von dem medizinischen Bedienpersonal eingegeben werden können.
Furthermore, the user interface 23has an input unit 25by which information and/or parameters may be input by the medical operator during a measurement procedure.
In diesem Fall ist es erforderlich, den Anodenanschluss der Zenerdiode nachträglich über eine Bondverbindung mit dem Gateanschluss des MOSFET- Transistors zu verbinden.
In this case, it is necessary to subsequently connect the anode connection of the Zener diode to the gate connection of the MOSFET via a bond connection.
Diese Verbindung kann auch indirekt über eine separate, nicht im Leistungschip integrierte Schaltung wie beispielsweise einem steuernden ASIC erfolgen.
This connection may also be indirect via a separate circuit, such as a controlling ASIC, which is not integrated into the power chip.
Leckstrommessungen am MOSFET-Transistor können je nach Anforderungen zur Sicherstellung von Funktion und Zuverlässigkeit innerhalb des Herstellungsablaufs notwendig sein.
Leakage current measurements at the MOSFET may be necessary, depending on the requirements for ensuring functionality and reliability within the production sequence.
In einer weiteren Ausführungsform bei der monolithischen Integration des MOSFET-Transistor und der Zenerdiode kann die Anode der Zenerdiode direkt als Bestandteil der Integration mit dem Gate des MOSFET-Transistor verbunden werden.
In another specific embodiment, the anode of the Zener diode may be connected directly, as an integral part of the integration, to the gate of the MOSFET during the monolithic integration of the MOSFET and the Zener diode.
Figur 15 zeigt in Zusammenhang mit der monolithischen Integration des MOSFET-Transistors und der Zenerdiode alternative Verschaltungsmöglichkeiten.
FIG. 15shows alternative wiring options in conjunction with the monolithic integration of the MOSFET and the Zener diode.
Es wurden vorstehend zwei Verfahren beschrieben, mit deren Anwendung es möglich ist, eine näherungsweise Gleichverteilung in den Gleichrichterelementen während der Spannungsklammerung umgesetzten Verlustleistungen zu erreichen.
Two methods have been described above using which it is possible to achieve an approximately even distribution in the rectifying elements during the power losses converted during the voltage clamping.
Nachfolgend ist ein weiteres Verfahren aufgezeigt, das alternativ oder in Kombination angewendet werden kann.
Subsequently, another method is shown which may be used as an alternative or in combination.
In Figur 3 ist ein einfacher Regelkreis beschrieben, der eine Regelung der Klammerspannung aufweist.
FIG. 3shows a simple control loop which has a control of the clamp voltage.
Die Führungsgröße dieses Regelkreises setzt sich überwiegend aus der Durchbruchsspannung der Zenerdiode und der Schwellspannung des MOSFET-Transistors zusammen.
The reference variable of this control loop is primarily composed of the breakdown voltage of the Zener diode and the threshold voltage of the MOSFET.
Für den Fall, dass die Zenerdiode und der MOSFET-Transistor nicht monolithisch integriert sind und deswegen eine vergleichsweise geringe thermische Kopplung zwischen diesen Komponenten existiert, kann der negative Temperaturkoeffizient der Schwellspannung des MOSFET-Transistors nicht durch den positiven Temperaturkoeffizienten der Zenerdiode kompensiert werden, um wie vorausgehend beschrieben den Mitkoppeleffekt zu unterdrücken.
In the case that the Zener diode and the MOSFET are not monolithically integrated and therefore a comparably low thermal coupling exists between these two components, the negative temperature coefficient of the threshold voltage of the MOSFET cannot be compensated for by the positive temperature coefficient of the Zener diode in order to suppress the positive feedback effect as described previously.
Es wird nachfolgend ein verbessertes Verfahren zur Regelung der Klammerspannung beschrieben, welches den Einfluss des negativen Temperaturkoeffizienten der Schwellspannung des MOSFET-Transistors deutlich unterdrückt.
Subsequently, an improved method for controlling the clamp voltage is described which noticeably suppresses the influence of the negative temperature coefficient of the threshold voltage of the MOSFET.
Figur 16 zeigt beispielhaft ein Prinzipschaltbild zur Veranschaulichung des verbesserten Verfahrens zur Regelung der Klammerspannung.
FIG. 16shows as an example a simplified diagram to illustrate the improved method for controlling the clamp voltage.
Der dargestellte Regler beinhaltet einen Verstärker 470 und einen MOSFET-Transistor 472 sowie ein Summierglied 476.
The illustrated controller has a booster 470and a MOSFET 472, as well as an adding element 476.
Die Spannung U_Soll 474 dient als Führungsgröße.
Voltage U_setpoint 474is used as the reference variable.
Durch die Wirkung des Regelkreises wird die Drain-Source-Spannung des MOSFET-Transistors 472 nahezu auf die Spannung U_Soll ausgeregelt.
Due to the effect of the control loop, the drain-source voltage of MOSFET 472is adjusted almost to voltage U_setpoint.
Die Abweichung zwischen der Drain-Source-Spannung des MOSFET-Transistors 472 und der Spannung U_Soll ist um so geringer, je höher die Verstärkung des Verstärkers 470 ist.
The lower is the deviation between the drain-source voltage of MOSFET 472and voltage U_setpoint, the is higher the boost of booster 470.
Die Schwellspannung des MOSFET-Transistors 472 wirkt sich bei hohen Verstärkungen kaum auf die Drain-Source-Spannung des MOSFET-Transistor 472 aus.
The threshold voltage of MOSFET 472hardly affects the drain-source voltage of MOSFET 472in the case of high boosts.
Bei der Anwendung als Schaltung zur Spannungsklammerung wird damit der Einfluss des negativen Temperaturkoeffizienten der 5 MOSFET-Schwellspannung auf die Klammerspannung unterdrückt.
When used as a circuit for voltage clamping, the influence of the negative temperature coefficient of the MOSFET threshold voltage on the clamp voltage is suppressed.
Die bei der Spannungsklammerung im MOSFET-Transistor 472 umgesetzte Verlustleistung bewirkt deshalb nahezu keine Reduktion der Klammerspannung, was im Falle einer Parallelschaltung von Schaltungen zur Spannungsklammerung eine thermische Mitkopplung weitgehend unterdrückt.
The power loss converted during the voltage clamping in MOSFET 472therefore causes almost no reduction of the clamp voltage, which suppresses largely a thermal parallel connection in the case of a parallel circuit of circuits for voltage clamping.
10 Die Spannungsvorgabe U_Soll 474 kann hier entweder konstant sein oder mit der Zeit zunehmen, also einen rampenförmigen Verlauf aufweisen.
In this case, predefined voltage U_setpoint 474may either be constant or increase over time, i.e., have a ramp-shaped characteristic.
Durch die Anwendung eines rampenförmigen Verlaufs von U_Soll ist es möglich diese Ausführungsform des Verfahrens mit der erstgenannten Ausführungsform des Verl s fahrens zu kombinieren.
By using a ramp-shaped characteristic of U_setpoint, it is possible to combine this specific embodiment of the method with the first-mentioned specific embodiment of the method.
Die Umsetzung dieses verbesserten Verfahrens zur Klammerspannungsregelung und auch die Bereitstellung rampenförmiger Führungsgrößen für die Klammerspannung kann beispielsweise als diskrete Schaltungen oder durch die Integration der Komponenten in einen ASIC oder auch überwiegend Digital z. B. durch die Anwendung von Mikrocontrollern oder 20 FPGAs erfolgen.
The implementation of this improved method for controlling the clamp voltage and also the provision of ramp-shaped reference variables for the clamp voltage may, for example, take place as discrete circuits or by integrating the components into an ASIC or also largely digitally, e.g., by using microcontrollers or FPGAs.
Vorteile gegenüber dem Stand der Technik sind: - die weitgehende Gleichverteilung der Verlustleistung während der Spannungs- 25 klammerung in einem Lastabwurf-Ereignis, - die Vermeidung des Avalanche-Betriebs von MOSFET-Transistoren im Lastabwurf-Ereignis, 30 - die Aufrechterhaltung der Spannungsversorgung im Lastabwurf-Ereignis, - der Verzicht auf komplexe Leistungshalbleitertechnologien mit thermisch gekoppelten, integrierten Zenerdioden oder integrierten Temperatursensoren.
The advantages over the related art are: the largely even distribution of the power loss during the voltage clamping during a load dump event,avoidance of the avalanche operation of MOSFETs during the load dump event,maintenance of the voltage supply during the load dump event,omission of complex power semiconductor technologies having thermally coupled, integrated Zener diodes or integrated temperature sensors.
35 Die Wirksamkeit der beschriebenen Maßnahme kann anhand von Simulationen nachgewiesen werden.
The efficiency of the described measure may be proven based on simulations.
Figur 17 zeigt die simulierten Temperaturverläufe der MOSFET-Transistoren der sechs Schaltzweige eines Gleichrichters im Betrieb mit einem dreiphasigen Generator für ein Lastabwurf-Ereignis.
FIG. 17shows the simulated temperature curves of the MOSFETs of the six switching branches of a rectifier during operation including a three-phase generator for a load dump event.
Die vorgenannten Verfahren zur Gleichverteilung der Verlustleistung sind hierbei nicht angewendet, da ein Schaltungsprinzip gemäß Figur 3 angewendet wird.
The above-mentioned methods for evenly distributing the power loss are not used here, since a circuit principle according to FIG. 3is used.
In Figur 17 ist an einer Abszisse 480 die Zeit in ms und an einer Ordinate 482 die Temperatur T aufgetragen.
FIG. 17shows on an abscissa 480the time in ms and temperature T is plotted on an ordinate 482.