mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
Zu der Zeit des Ansteigens von VG wird eine Umkehrspannung (positive Spannung) zwischen der Basis und dem Emitter des Ableittransistors 5 angelegt, und die positive Spannung wird an eine Serienschaltung der Basis und des Emitters des Ableittransistors 5 und der ableitseitigen Diode 7 angelegt.
At the time of the rise of VG, a reverse voltage (positive voltage) is applied between the base and the emitter of the sink transistor 5, and the positive voltage is applied to a series connection of the base and the emitter of the sink transistor 5and the sink-side diode 7.
Somit wird die Spannung (VBE_s), die zwischen der Basis und dem Emitter des Ableittransistors 5 angelegt wird, mehr als diejenige in der vorausgesetzten Technologie (Fig. 9) reduziert.
Thus, the voltage (VBE_s) applied between the base and the emitter of the sink transistor 5is reduced more than that in the prerequisite technology (FIG. 9).
Wenn VIN während des Ausschaltens (das heißt, eine Zeit 20 μs in Fig. 2(a)und Fig. 2(b)) von einem High-Pegel (15 V) zu einem Low-Pegel (0 V) umgeschaltet wird, erreicht die Basisspannung VB_s des Ableittransistors 5 den High-Pegel, sodass der Ableittransistor 5 als ein Emitterfolger das Gate des Schaltelements 1 entlädt.
When VIN is switched from the high level (15 V) to the low level (0 V) during turn-off (that is to say, a time 20 μs in parts (a) and (b) of FIG. 2), the base voltage VB_s of the sink transistor 5reaches the low level, so that the sink transistor 5as an emitter follower discharges the gate of the switching element 1.
Zu dieser Zeit wird ein Abfallen von VG verzögert, wie vorstehend beschrieben.
At this time, a fall of VG is delayed as described above.
Zu der Zeit des Abfallens von VG wird eine Umkehrspannung (negative Spannung) zwischen der Basis und dem Emitter des Treiberwiderstands 4 angelegt, und die negative Spannung wird an eine Serienschaltung der Basis und des Emitters des Treibertransistors 4 und der treiberseitigen Diode 6 angelegt.
At the time of the fall of VG, a reverse voltage (negative voltage) is applied between the base and the emitter of the drive resistor 4, and the negative voltage is applied to a series connection of the base and the emitter of the drive transistor 4and the drive-side diode 6.
Somit wird die Spannung (VBE_d), die zwischen der Basis und dem Emitter des Treibertransistors 4 angelegt wird, mehr als diejenige in der vorausgesetzten Technologie (Fig. 9(b)) reduziert.
Thus, the voltage (VBE_d) applied between the base and the emitter of the drive transistor 4is reduced more than that in the prerequisite technology (part (b) of FIG. 9).
Die Pufferschaltung 100 in dieser Ausführungsform ist die Pufferschaltung 100, die das Schaltelement 1 einschaltet und ausschaltet.
The buffer circuit 100in this embodiment is the buffer circuit 100that turns on and turns off the switching element 1.
Die Pufferschaltung 100 weist auf: den Treibertransistor 4, der das Schaltelement 1 einschaltet; den Ableittransistor 5, der das Schaltelement 1 ausschaltet und mit dem Treibertransistor 4 das komplementäre Paar bildet; die Basis des Treibertransistors 4 und die Basis des Ableittransistors 5, die eine Eingabe eines Steuersignals empfangen, das von dem Ausgangsanschluss der Steuerschaltung 8 ausgegeben wird, das treiberseitige Element, das den mit der Basis des Treibertransistors 4 verbundenen Anschluss aufweist; und das ableitseitige Element, das den mit der Basis des Ableittransistors 5 verbundenen Anschluss aufweist.
The buffer circuit 100includes: the drive transistor 4that turns on the switching element 1; the sink transistor 5that turns off the switching element 1and forms the complementary pair with the drive transistor 4; the base of the drive transistor 4and the base of the sink transistor 5receiving an input of a control signal output from the output terminal of the control circuit 8, the drive-side element that has the end connected to the base of the drive transistor 4; and the sink-side element that has the end connected to the base of the sink transistor 5.
Das treiberseitige Element und das ableitseitige Element sind jeweils die treiberseitige Diode 6 und die ableitseitige Diode 7, wobei die treiberseitige Diode 6 die Kathode aufweist, welche der andere Anschluss ist, der mit dem Ausgangsanschluss der Steuerschaltung 8 verbunden ist, wobei die ableitseitige Diode 7 die Anode aufweist, welche der andere Anschluss ist, der mit dem Ausgangsanschluss der Steuerschaltung 8 verbunden ist, oder der treiberseitige Kondensator 12 und der ableitseitige Kondensator 13, wobei der treiberseitige Kondensator 12 den anderen Anschluss aufweist, der mit dem Emitter des Treibertransistors 4 verbunden ist, wobei der ableitseitige Kondensator 13 den anderen Anschluss aufweist, der mit dem Emitter des Ableittransistors 5 verbunden ist.
The drive-side element and the sink-side element are respectively the drive-side diode 6and the sink-side diode 7, the drive-side diode 6having the anode being the other end connected to the output terminal of the control circuit 8, the sink-side diode 7having the cathode being the other end connected to the output terminal of the control circuit 8, or the drive-side capacitor 12and the sink-side capacitor 13, the drive-side capacitor 12having the other end connected to the emitter of the drive transistor 4, the sink-side capacitor 13having the other end connected to the emitter of the sink transistor 5.
Daher ist die Basis des Treibertransistors 4 mit der treiberseitigen Diode 6 verbunden, sodass die Richtung des durch die Basis des Treibertransistors 4 fließenden Stroms die Vorwärtsrichtung ist, sodass die Umkehrspannung, die während der Ausschaltvorgänge zwischen der Basis und dem Emitter des Treibertransistors 4 angelegt wird, in einer aufgeteilten Weise auch an die treiberseitige Diode 6 angelegt wird.
Therefore, the base of the drive transistor 4is connected to the drive-side diode 6such that the direction of the current flowing through the base of the drive transistor 4is the forward direction, so that the reverse voltage applied between the base and the emitter of the drive transistor 4during the turn-off operations is also applied to the drive-side diode 6in a distributed manner This can reduce the reverse voltage applied to the drive transistor 4during the turn-off operations.
Ähnlich ist die Basis des Ableittransistors 5 mit der ableitseitigen Diode 7 verbunden, sodass die Richtung des von der Basis des Ableittransistors 5 fließenden Stroms die Vorwärtsrichtung ist, sodass die Umkehrspannung, die während der Einschaltvorgänge zwischen der Basis und dem Emitter des Ableittransistors 5 angelegt wird, in einer aufgeteilten Weise auch an die ableitseitige Diode 7 angelegt wird.
Similarly, the base of the sink transistor 5is connected to the sink-side diode 7such that the direction of the current flowing from the base of the sink transistor 5is the forward direction, so that the reverse voltage applied between the base and the emitter of the sink transistor 5during the turn-on operations is also applied to the sink-side diode 7in a distributed manner This can reduce the reverse voltage applied to the sink transistor 5during the turn-on operations.
Wie vorstehend beschrieben, kann die Pufferschaltung 100 in dieser Ausführungsform die Umkehrspannung, die während der Einschalt- und Ausschaltvorgänge an den Treibertransistor 4 und den Ableittransistor 5 angelegt wird, reduzieren, was stabile Betriebe ermöglicht.
As described above, the buffer circuit 100in this embodiment can reduce the reverse voltage applied to the drive transistor 4and the sink transistor 5during the turn-on and turn-off operations, allowing for the stable operations.
Weiter benötigt im Vergleich mit der Emitterseite des Treibertransistors 4, die mit der treiberseitigen Diode 6 verbunden ist, ein Verbinden der treiberseitigen Diode 6 mit der Basisseite des Treibertransistors 4 einen geringen fließenden Strom einer Diode, sodass eine kleine kostengünstige Diode als die treiberseitige Diode 6 verwendet werden kann.
Moreover, in comparison with the emitter side of the drive transistor 4connected to the drive-side diode 6, connecting the drive-side diode 6to the base side of the drive transistor 4needs a small flowing current of a diode, so that a small, low-cost diode can be used as the drive-side diode 6.
Ähnlich benötigt im Vergleich mit der Emitterseite des Ableittransistors 5, die mit der ableitseitigen Diode 7 verbunden ist, ein Verbinden der ableitseitigen Diode 7 mit der Basisseite des Ableittransistors 5 einen geringen fließenden Strom einer Diode, sodass eine kleine kostengünstige Diode als die ableitseitige Diode 7 verwendet werden kann.
Similarly, in comparison with the emitter side of the sink transistor 5connected to the sink-side diode 7, connecting the sink-side diode 7to the base side of the sink transistor 5needs a small flowing current of a diode, so that a small, low-cost diode can be used as the sink-side diode 7.
Fig. 3ist ein Schaltplan einer Pufferschaltung 200 in dieser Ausführungsform.
FIG. 3is a circuit diagram of a buffer circuit 200in this embodiment.
Die Pufferschaltung 200 unterscheidet sich insofern von der in der ersten Ausführungsform beschriebenen Pufferschaltung 100 (Fig. 1), dass die Pufferschaltung 200 weiter ein Widerstandselement 9 aufweist.
The buffer circuit 200is different from the buffer circuit 100(FIG. 1) described in the first embodiment in that the buffer circuit 200further includes a resistance element 9.
Das Widerstandselement 9 ist zwischen einem Ausgangsanschluss einer Steuerschaltung 8 und einem Gate eines Schaltelements 1 angeschlossen.
The resistance element 9is connected between an output terminal of a control circuit 8and a gate of a switching element 1.
Die übrige Anordnung ist die gleiche wie diejenige in der ersten Ausführungsform (Fig. 1), und somit werden Beschreibungen weggelassen.
The other configuration is the same as that in the first embodiment (FIG. 1), and thus descriptions will be omitted.
In der Pufferschaltung 100 in der ersten Ausführungsform kann in dem EIN-Zustand des Schaltelements 1 die Gate-Spannung (VG) des Schaltelements 1 nur bis zu einer Spannung erhöht werden, die von der Spannung (VB) des Ausgangsanschlusses der Steuerschaltung 8 um einen Betrag der Durchlassspannung (VD_d) der treiberseitigen Diode 6 und der Durchlassspannung (VBE_d) zwischen der Basis und dem Emitter des Treibertransistors 4 abfällt.
In the buffer circuit 100in the first embodiment, in the ON state of the switching element 1, the gate voltage (VG) of the switching element 1can only be increased to a voltage that drops from the voltage (VB) of the output terminal of the control circuit 8by an amount of the forward voltage (VD_d) of the drive-side diode 6and the forward voltage (VBE_d) between the base and the emitter of the drive transistor 4.
Zum Beispiel, wenn angenommen wird, dass VB ein Impuls in einem Bereich von 0 V (Low-Pegel) bis 15 V (High-Pegel) ist, VD_d ungefähr 0,7 V ist und VBE_d ungefähr 0,7 V ist, ist eine maximale Spannung von VG somit ungefähr 13,6 V (= 15 V – 0,7 V – 0,7 V).
For example, when it is assumed that VB is a pulse in a range of 0 V (low level) to 15 V (high level), VD_d is approximately 0.7 V, and VBE_d is approximately 0.7 V, a maximum voltage of VG is thus approximately 13.6 V (=15 V−0.7 V−0.7 V).
Eine Abnahme der Gate-Spannung des Schaltelements 1 verursacht eine Zunahme einer Sättigungsspannung in dem EIN-Zustand des Schaltelements 1, wodurch ein stetiger Verlust erhöht wird.
A decrease in the gate voltage of the switching element 1causes an increase in a saturation voltage in the ON state of the switching element 1, thereby increasing a steady loss.
Ähnlich wird in der Pufferschaltung 100 in der ersten Ausführungsform in dem AUS-Zustand des Schaltelements 1 die Gate-Spannung (VG) nur bis zu einem Gesamtwert der Durchlassspannung (VD_s) der ableitseitigen Diode 7 und der Durchlassspannung (VBE_s) zwischen der Basis und dem Emitter des Ableittransistors 5 entladen, sodass das Schaltelement 1 leicht durch eine Fehlfunktion eingeschaltet wird.
Similarly, in the buffer circuit 100in the first embodiment, in the OFF state of the switching element 1, the gate voltage (VG) is only discharged up to a total value of the forward voltage (VD_s) of the sink-side diode 7and the forward voltage (VBE_s) between the base and the emitter of the sink transistor 5, so that the switching element 1is easily turned on due to a malfunction.
Somit stellt die Pufferschaltung 200 in dieser Ausführungsform zusätzlich zu den Emitterfolgern einen Pfad zur Verfügung, der das Gate des Schaltelements 1 von der Steuerschaltung 8 über das Widerstandselement 9 direkt lädt und entlädt.
Thus, the buffer circuit 200in this embodiment provides, in addition to the emitter followers, a path that directly charges and discharges the gate of the switching element 1from the control circuit 8via the resistance element 9.
Diese Anordnung ermöglicht, dass die Gate-Spannung (VG) des Schaltelements 1 bis zu einem Wert nah dem Ausgangswert von 15 V (0 V) der Steuerschaltung 8 erhöht (verringert) wird.
This configuration allows the gate voltage (VG) of the switching element 1to be increased (reduced) to a value close to the output value of 15 V (0 V) of the control circuit 8.
In die erste Zuflussleitung 8 ist zwischen der ersten Pumpe 10 und der Bilanzkammer 6 ein erstes Absperrorgan 19 geschaltet, während in die erste Abflussleitung 9 ein zweites Absperrorgan 20 geschaltet ist.
A first obturating member 19is connected into the first feed line 8between the first pump 10and the balancing chamber 6, whereas a second obturating member 20is connected into the first discharge line 9.
In die zweite Abflussleitung 11 ist zwischen der Bilanzkammer 6 und der zweiten Pumpe 14 ein drittes Absperrorgan 21 geschaltet, während in die zweite Zuflussleitung 12 zwischen dem Verbindungspunkt 12C und der Bilanzierkammer 6 ein viertes Absperrorgan 22 geschaltet ist.
A third obturating member 21is connected into the second discharge line 11between the balancing chamber 6and the second pump 14, whereas a fourth obturating member 22is connected into the second feed line 12between the connection point 12C and the balancing chamber 6.
In den Abschnitt der UltrafiltratLeitung 18 stromauf des Anschlusspunktes der Anschlussleitung 27 an die Ultrafiltrat-Leitung ist ein fünftes Absperrorgan 28 und in den Abschnitt der Ultrafiltrat-Leitung stromab des Anschlusspunktes ist ein sechstes Absperrorgan 29 geschaltet.
A fifth obturating member 28is connected into the portion of the ultrafiltrate line 18upstream of the point at which the joining line 27joins the ultrafiltrate line, and a sixth obturating member 29is connected into the portion of the ultrafiltrate line downstream from the joining line.
Die Absperrorgane 19, 20, 21, 22, 28, 29 sind elektromagnetisch betätigbare Schlauchklemmen, die über Steuerleitungen 19', 20', 2, 22', 28', 29' mit der zentralen Steuereinheit 40 verbunden sind.
In a first embodiment, the obturating members 19, 20, 21, 22, 28, 29are electromagnetically actuatable tube clamps which are connected by means of control lines 19′, 20′, 21′, 22′, 28′, 29′ to the central control unit 40.
Bei einer Ausführungsform mit einer austauschbaren Einheit, in der die Zuund Abflussleitungen als Kanäle ausgebildet sind, können die Absperrorgane Ventile sein.
In a second embodiment comprising a replaceable unit in which the feed and discharge lines are formed as channels, the obturating members may be valves.
Für den Betrieb der Blutbehandlungsvorrichtung steuert die Steuereinheit 40 die Pumpen 10, 14, 15 und die Absperrorgane 19, 20, 21, 22 wie folgt an.
To operate the blood treatment device, the control unit 40controls the pumps 10, 14, 15and the obturating members 19, 20, 21, 22as follows.
Die Dialysevorrichtung wird in aufeinanderfolgenden Zyklen betrieben, die jeweils zwei Arbeitstakte umfassen.
The dialysis device is operated in successive cycles, each comprising two operating phases.
Fig. 1 zeigt den ersten Arbeitstakt und Fig. 2 den zweiten Arbeitstakt eines Arbeitszyklus.
FIG. 1shows the first operating phase and FIG. 2shows the second operating phase of an operating cycle.
Der erste Arbeitstakt umfasst das Befüllen der Bilanzierkammer 6, während Dialysierflüssigkeit durch den Dialysator 1 strömt.
The first operating phase involves filling the balancing chamber 6while dialysate flows through the dialyser 1.
Die zentrale Steuereinheit 40 öffnet das erste und zweite Absperrorgan 19, 20 und schließt das dritte und vierte Absperrorgan 21, 22. Dabei setzt die Steuereinheit 40 die erste Pumpe 10 und die dritte Pumpe 15 in Betrieb.
The central control unit 40opens the first and second obturating members 19, 20and shuts the third and fourth obturating members 21, 22.
Die zweite Pumpe 14 steht still.
The second pump 14is in the stop condition.
Da die zweite Pumpe 14 eine okkludierende Pumpe ist, kann das dritte Absperrorgan 21 auch offen sein.
Since the second pump 14is an occluding pump, the third obturating member 21can also be open.
Die erste Pumpe 10 fördert frische Dialysierflüssigkeit aus der Dialysierflüssigkeitsquelle 7 in die Bilanzierkammer 6, die in dem zweiten Arbeitstakt des vorausgehenden Arbeitszyklus mit verbrauchter Dialysierflüssigkeit befüllt worden ist.
The first pump 10conveys fresh dialysate from the dialysate source 7into the balancing chamber 6, which has been filled with used dialysate in the second operating phase of the preceding operating cycle.
Während sich die Bilanzkammer 6 mit frischer Dialysierflüssigkeit füllt, wird die verbrauchte Dialysierflüssigkeit über die erste Abflussleitung 9 in den Abfluss 32 verworfen.
As the balancing chamber 6is filling up with fresh dialysate, the used dialysate rejected via the first discharge line 9into the drain 32.
Die erste Pumpe 10 läuft solange, bis in der Bilanzkammer 6 verbrauchte Dialysierflüssigkeit vollständig gegen frische Dialysieflüssigkeit ausgetauscht ist.
The first pump 10keeps running until all the used dialysate in the balancing chamber 6has been replaced with fresh dialysate.
Während des Befüllens der Bilanzkammer 6 mit frischer Dialysierflüssigkeit ist die Flüssigkeitsströmung durch den Dialysator 1 nicht unterbrochen.
As the balancing chamber 6is being filled with fresh dialysate, the fluid flows uninterruptedly through the dialyser 1.
Die dritte Pumpe 15 fördert die Dialysierflüssigkeit in dem Flüssigkeitskreislauf II, der den zweiten Abschnitt 11B der zweiten Abflussleitung 11, den Dialysator 1, den ersten Abschnitt 12A der zweiten Zuflussleitung 12 und die Bypass-Leitung 13 einschließt (Fig. 1A).
The third pump 15conveys the dialysate in the fluid circuit II, which includes the second portion 11B of the second discharge line 11, the dialyser 1, the first portion 12A of the second feed line 12and the bypass line 13(FIG. 1).
An den ersten Arbeitstakt (Fig. 1) schließt sich der zweite Arbeitstakt (Fig. 2) an.
The first operating phase (FIG. 1) is followed by the second operating phase (FIG. 2).
In dem zweiten Arbeitstakt schließt die zentrale Steuereinheit 40 das erste und zweite Absperrorgan 19, 20 und öffnet das dritte und vierte Absperrorgan 21, 22. Weiterhin hält die Steuereinheit 40 die erste Pumpe 10 an und setzt die zweite Pumpe 14 in Betrieb.
In the second operating phase, the central control unit 40shuts the first and second obturating members 19, 20and opens the third and fourth obturating members 21, 22.
Folglich laufen die zweite und dritte Pumpe 14, 15. Die Steuereinheit 40 gibt für die zweite Pumpe 14 eine kleinere Förderrate vor als für die dritte Pumpe 15. Folglich strömt in dem Flüssigkeitskreislauf II Dialysierflüssigkeit mit einer Flussrate, die der Differenz von den Förderraten der dritten und zweiten Pumpe 15, 14 entspricht.
As a result, dialysate flows in the fluid circuit II at a flow rate corresponding to the difference between the conveyance rates of the third and second pumps 15, 14.
Diese Förderrate QDfast kann relativ hoch sein.
These conveyance rates QDfast may be relatively high.
Während Dialysierflüssigkeit in dem Flüssigkeitskreislauf II durch den Dialysator 1 zirkuliert, wird dem Flüssigkeitskreislauf II ständig frische Dialysierflüssigkeit zugeführt und verbrauchte Dialysierflüssigkeit dem Flüssigkeitskreislauf entzogen.
As the dialysate circulates through the dialyser 1in the fluid circuit II, the fluid circuit II is supplied constantly with fresh dialysate and used dialysate is removed from said fluid circuit.
Die frische Dialysierflüssigkeit wird mit der von der zweiten Pumpe 14 vorgegebenen Förderrate über den ersten Abschnitt 11A der zweiten Abflussleitung 11, die an den zweiten Auslass 6D der Bilanzierkammer 6 angeschlossen ist, dem Flüssigkeitskreislauf II zugeführt.
The fresh dialysate is fed at the conveyance rate preset by the second pump 14via the first portion 11A of the second discharge line 11, which is joined to the second outlet 6D of the balancing chamber 6, to the fluid circuit II.
In Abhängigkeit von den Förderraten der zweiten und dritten Pumpe 14, 15 kann frische Dialysierflüssigkeit kontinuierlich in einem relativ kurzen oder einem relativ langen Zeitraum zugeführt und das gewünschte Verhältnis zwischen frischer und verbrauchter Dialysierflüssigkeit in dem Flüssigkeitskreislauf II eingestellt werden.
Depending on the conveyance rates of the second and third pumps 14, 15, fresh dialysate can be supplied continuously over a relatively short or a relatively long period, and the desired ratio of fresh to used dialysate can be adjusted in the fluid circuit II.
An den zweiten Arbeitstakt (Fig. 2) des Arbeitszyklus schließt sich dann wieder der erste Arbeitstakt (Fig. 1) eines nachfolgenden Zyklus an.
The second operating phase (FIG. 2) is then followed once again by the first operating phase (FIG. 1) of a subsequent cycle.
Weitere Ausführungsformen der Blutbehandlungsvorrichtung sind in der WO 2011/157396 beschrieben.
Other embodiments of the blood treatment device are described in WO 2011/157396.
Die Blutbehandlungsvorrichtung weist eine Eingabeeinheit 30 auf, die mit der Steuereinheit 40 über eine Datenleitung 31 verbunden ist.
The blood treatment device has an input unit 30which is connected via a data line 31to the control unit 40.
Mit der Eingabeeinheit 30 kann ein erster oder zweiter Betriebsmodus ausgewählt werden, während die Blutbehandlungsvorrichtung wie oben beschrieben betrieben wird.
The input unit 30can be used to select a first or second operating mode while the blood treatment device is being operated as described above.
Für den ersten Betriebsmodus startet die Steuereinheit 40 die Kolbenpumpe 17. In der Saugphase der Pumpe 17 öffnet die Steuereinheit 40 das fünfte Absperrorgan 28 und schließt das sechste Absperrorgan 29 und in der Druckphase schließt die Steuereinheit 40 das fünfte Absperrorgan und öffnet das sechste Absperrorgan, so dass Ultrafiltrat dem extrakorporalen Blutkreislauf I während der Saugphase entzogen und während der Druckphase das Ultrafiltrat in den Ablauf abgeführt wird.
In the suction phase of the pump 17, the control unit 40opens the fifth obturating member 28and shuts the sixth obturating member 29, and in the pressure phase the control unit 40shuts the fifth obturating member and opens the sixth obturating member, so that ultrafiltrate is removed from the extracorporeal blood circuit I during the suction phase and carried away into the drain during the pressure phase.
Für den zweiten Betriebsmodus startet die Steuereinheit 40 die Kolbenpumpe 17 und öffnet das fünfte Absperrorgan 29 und schließt das sechste Absperrorgan 30. Die Bewegung des Kolbens 24 der Kolbenpumpe 17 führt dazu, dass ein oszillierender Transmembrandruck erzeugt wird.
For the second operating mode, the control unit 40starts the reciprocating pump 17, opens the fifth obturating member 28and shuts the sixth obturating member 29.