mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Das isolierende Material 17, bei dem es sich insbesondere um Polyimid handeln kann, dient zur Aufteilung der Verbindungsschicht 14 in einen ersten Teilbereich 14a, der mit dem ersten elektrischen Anschlussbereich 18 und über die Durchkontaktierungen 15 mit dem ersten Rückseitenkontakt 28 elektrisch leitend verbunden ist, und einen zweiten Teilbereich 14b, der mit dem zweiten elektrischen Anschlussbereich 19 und über die Durchkontaktierungen 16 mit dem zweiten Rückseitenkontakt 29 elektrisch leitend verbunden ist.
English: The insulating material 17, which may in particular be polyimide, serves to subdivide the bonding layer 14 into a first sub-region 14 a, which is connected electrically conductively to the first electrical connection region 18 and by way of the vias 15 to the first back contact 28, and a second sub-region 14 b, which is connected electrically conductively to the second electrical connection region 19 and by way of the vias 16 to the second back contact 29.
German: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Halbleitersubstrat 102, z. B. durch Schleifen und/oder Ätzen, auf eine Dicke weniger als etwa 100 µm, 90 µm, 80 µm, 70 µm, 60 µm, 50 µm, 40 µm, 30 µm, 20 µm, 10 µm oder 5 µm dünner gemacht werden, anders ausgedrückt gedünnt werden, bevor das Verfahren 100 ausgeführt wird, z. B. vor dem Zerteilen und/oder vor dem Tempern.
English: According to various embodiments, the semiconductor substrate 102 may be thinned, e.g. by grinding and/or etching, to a thickness less than about 100 μm, 90 μm, 80 μm, 70 μm, 60 μm, 50 μm, 40 μm, 30 μm, 20 μm, 10 μm, or 5 μm before method 100 is carried out, e.g. before dicing and/or before the annealing.
German: Durch die verkettete Anordnung der Plattenkondensatoren C von einer Batteriezelle 10, 12 14, 16, 18, 46, 52 auf eine benachbarte Batteriezelle 10, 12 14, 16, 18, 46, 52 kann Energie von links nach rechts ( 10 - 12 - 14 - 16 - 18 - 46 - 52 ) oder von rechts nach links ( 52 - 46 - 18 - 16 - 14 - 12 ) übertragen werden.
English: Thanks to the concatenated arrangement of the plate capacitors C of a battery cell 10, 12 14, 16, 18, 46, 52, energy can be transferred to a neighboring battery cell 10, 12 14, 16, 18, 46, 52 from left to right ( 10- 12- 14- 16- 18- 46- 52) or from right to left ( 52- 46- 18- 16- 14- 12).
German: Der Bus 112 kann eine Schaltung umfassen, die die Elemente (beispielsweise den Bus 112, den Prozessor 102, den Speicher 104, die Eingabe- und Ausgabeschnittstelle 106, die Anzeige 108 und die Kommunikationsschnittstelle 110 ) miteinander verbindet und Kommunikation (z. B. eine Steuernachricht und/oder Daten) zwischen den oben beschriebenen Elementen (beispielsweise dem Bus 112, dem Prozessor 102, dem Speicher 104, der Eingabe- und Ausgabeschnittstelle 106, der Anzeige 108 und der Kommunikationsschnittstelle 110 ) überträgt.
English: The bus 112 may include a circuit which connects the elements (for example, the bus 112, the processor 102, the memory 104, the input and output interface 106, the display 108, and the communication interface 110) with one another and transmits communication (for example, a control message and/or data) between the above-described elements (for example, the bus 112, the processor 102, the memory 104, the input and output interface 106, the display 108, and the communication interface 110).
German: Das Interface 22 von Schicht 3 wiederum konvertiert die SDU's 24 von Schicht 2 entweder in eine Meldung 21, die identisch zur Originalmeldung 11 sein sollte, die von der Anwendung 13 an der ersten Station 10 erstellt wurde, oder in eine Signalmeldung 22a von Schicht 3, die identisch zur ursprünglichen 12a Signalmeldung sein sollte, die vom Interface 12 von Schicht 3 erstellt wurde, und die dann vom Interface 22 von Schicht 3 verarbeitet wird.
English: The layer 3 interface 22, in turn, converts the layer 2 SDUs 24 back into either a message 21, which should be identical to the original message 11 that was generated by the application 13 on the first station 10, or a layer 3 signaling message 22a, which should be identical to the original signaling message 12a generated by the layer 3 interface 12 and which is then processed by the layer 3 interface 22.
German: Wenn die Vorrichtung 10 mit einer externen Ausrüstung wie der Ausrüstung 80 aus Fig. 2 kommuniziert, können Objekte in der Nähe der externen Ausrüstung 80 (die sich in der Nähe der Vorrichtung 10 befinden können oder nicht) auch auf die drahtlose Leistung für die Vorrichtung 10 auswirken (z. B. durch Blockieren von Signalen, die sich zwischen der externen Ausrüstung 80 und der Vorrichtung 10 bewegen usw.).
English: When device 10 is communicating with external equipment such as equipment 80 of FIG. 2, objects in the vicinity of external equipment 80 (which may or may not be in the vicinity of device 10) may also affect wireless performance for device 10 (e.g., by blocking signals that are traveling between external equipment 80 and device 10, etc.).
German: Ferner kann in Schritt 2 (bezeichnet mit Bezugs-Zeichen 910 ) das UE 110 an den zwei Paging-Gelegenheiten benachrichtigt werden durch eine Paging-Nachricht 912 (gesendet z. B. über den PDSCH 416 ) (erzeugt und gesendet von der Mobilfunk-Basis-Station wie z. B. dem eNodeB 106 ) enthaltend das Informations-Element systemInfoModificationUL-PC zum Anzeigen der Änderung der auf Uplink-Energie-Steuerung bezogenen System-Information in SIB Typ 2, der später übertragen werden wird, wie unten detaillierter beschrieben werden wird.
English: Furthermore, in step 2 (denoted with reference number 910), the UE 110 may be notified at the two paging occasions by a paging message 912 (sent e.g. via the PDSCH 416) (generated and sent by the mobile radio base station such as e.g. the eNodeB 106) including the information element systemlnfoModificationUL-PC for indicating the change of uplink power control related system information in SIB Type 2 that will be transmitted later, as will be described in more detail below.
German: Der Anhebemechanismus 42 besteht aus einem Rahmen 47 zum Halten des Transportmechanismus 41, einer Kugelspindel 48, die sich durch einen Teil des Rahmens 47 erstreckt, um ihn anzuheben und abzusenken, einem Paar Führungsschienen 49, 49, die an entgegengesetzten Seiten der Schraubenspindel 48 angeordnet sind, um Aufwärts- und Abwärtsbewegungen des Rahmens 47 zu führen, und einem Hebemotor 50, der mit einem Verankerungsende der Kugelspindel 48 verbunden ist, um die Kugelspindel 48 zu drehen.
English: The lift mechanism 42 is comprised of a frame 47 for holding the transport mechanism 41, a ball screw 48 extending through a portion of the frame 47 for lifting and lowering the same, a pair of guide rails 49, 49 arranged on opposite sides of the ball screw 48 for guiding upward and downward movements of the frame 47, and a lift motor 50 connected to a root-side end of the ball screw 48 for rotating the ball screw 48.
German: Da die Summe der Längenänderungen (W1 + W2) der zwei Aktoren 1, 2 nach der Startphase im wesentlichen konstant bleibt, ist es trotz der sich um den jeweiligen Mittelwert schwankenden ersten und zweiten Polarisationsspannungen P1, P2 nicht erforderlich, die Abstände zwischen dem ersten und dem zweiten Haltelement zu verändern, um eine maximale Vorspannung des ersten und des zweiten Aktors in einem festgelegten Wertebereich zu halten.
English: Since the sum of the changes in length (W1+W2) of the two actuators 1, 2 essentially remains constant after the start phase it is not necessary, despite the first and second polarization voltages P1, P2 varying around the relevant average value, to change the distances between the first and in the second retaining element to keep the maximum pretensioning of the first and of the second actuator within a defined range of values.
German: Der Mikroprozessor 38 interagiert mit Kommunikationssubsystemen 12 und 14 und interagiert auch mit weiteren Gerätesubsystemen wie der Anzeige 22, einem Flash-Speicher 24, einem Random Access Memory (RAM) 26, Eingabe/Ausgabe-(E/A-)Hilfssubsystemen 28 (die zum Beispiel ein Daumenrad umfassen können), einem seriellen Anschluss 30 (welcher zum Beispiel einen USB-Anschluss umfassen kann), einer Tastatur oder einem Tastaturfeld 32, einem Lautsprecher 34, einem Mikrofon 36, einem Nahbereichskommunikationssubsystem 40 und beliebigen anderen Gerätesubsystemen, die allgemein das Bezugszeichen 42 haben.
English: The microprocessor 38 interacts with communications subsystems 12 and 14 and also interacts with further device subsystems such as the display 22, flash memory 24, random access memory (RAM) 26, auxiliary input/output (I/O) subsystems 28 (which may include a thumb-wheel, for example), serial port 30 (which may include a USB port, for example), keyboard or keypad 32, speaker 34, microphone 36, a short-range communications subsystem 40, and any other device subsystems generally designated as 42.
German: Wenn daher PC1 (d. h., das an der rechten Seite angrenzende Pixel) einen Ton P1 aufweist, der größer als der Ton P-1 des Pixels PC-1 (d. h., des an der linken Seite angrenzenden Pixels) ist, wird Schritt S17 ausgeführt, um ein Raster zu erzeugen, das einem Punktmuster entspricht, in dem der einzelne Punkt der rechten Seite von Pixel PC0 am nächsten liegt.
English: Thus, when PC1 (i.e., the right-hand adjoining pixel) has a tone P1 which is greater than the tone P-1 of pixel PC-1 (i.e., the left-hand adjoining pixel), step S17 is performed to produce a bit-map corresponding to a dot pattern in which the single dot is closest to the right-hand side of pixel PC0.
German: Unter Bezugnahme auf Fig. 5 ist jedes Bauteil 32, 42, 29c, 33c so aufgebaut, dass jedes Rollelement 32 an der Mittelposition 41a der entsprechenden Steuerungsfläche 41 angeordnet wird, wenn die eine Seitenfläche 42b des entsprechenden Vorsprungs 42 mit der ersten Eingriffsfläche 29f des Eingriffsvorsprungs 29c eingreift, und eine erste Vorspannfläche 42d, die an dem radial äußeren Bereich der gegenuhrzeigerseitigen Fläche des Vorsprungs 42 ausgebildet ist, mit der entsprechenden Rollenstütze 33c eingreift.
English: With reference to FIG. 5, each component 32, 42, 29c, 33c is configured such that each rolling element 32 is placed at the center portion 41a of the corresponding control surface 41 when the one side surface 42b of the corresponding protrusion 42 engages the first engaging surface 29f of the engaging projection 29c, and a first urging surface 42d formed at the radially outward region of the counter-clockwise side surface of the protrusion 42 engages the corresponding roller support 33c.
German: Parks et al. in dem US-Patent 3,541,222, Crepau in dem US-Patent 4,249,032, Luttmer in dem US-Patent 3,795,037, Davies et al. in dem US-Patent 3,862,790 und Zifcak in dem US-Patent 4,793,814 beziehen sich alle allgemein auf Aufbauten, die metallische oder andere leitfähige Elemente haben, welche an relativ dicht beabstandeten Positionen auf einer dielektrischen Bahn angeordnet sind, wobei die elektrisch leitfähigen Elemente durch die dielektrische Bahn hindurch in beiden Richtungen hervorstehen.
English: Parks et al., U.S. Patent 3,541,222; Crepeau, U.S. Patent 4,249,032; Luttmer, U.S. Patent 3,795,037 ; Davies et al., U.S. Patent 3,862,790 and Zifcak, U.S. Patent 4,793,814 all relate generally to structures which have metallic or other conductive elements arranged at relatively closely spaced locations on a dielectric sheet with the conductive elements protruding through the dielectric sheet in both directions.
German: Umgekehrt führt ein digitaler Eingangswert einer logischen „0” (beispielsweise fließt ein Strom von der freien Schicht 332 zu der festgelegten Schicht 330 ), der dem zweiten Eingangsknoten 364 zugeleitet ist, dazu, dass die Magnetisierungsrichtung der freien Schicht 332 sich entgegengesetzt zu (oder magnetisch antiparallel zu) der Magnetisierungsrichtung 336 einstellt, was wiederum bewirkt, dass die Magnetisierungsrichtung der freien Schicht 352 tendenziell in der entgegengesetzten Richtung verläuft (oder magnetisch antiparallel) zu den Magnetisierungsrichtungen 336, 356.
English: Conversely, a logic ‘0’ digital input value (e.g., a current flowing from the free layer 332 to the pinned layer 330) provided to the second input node 364 results in the magnetization direction of the free layer 332 being opposite to (or magnetically antiparallel to) magnetization direction 336, which, in turn, causes the magnetization direction of the free layer 352 to tend to flow in the direction opposite to (or magnetically antiparallel to) magnetization directions 336, 356.
German: Die Platten 110 werden an den Stützen 114 durch das Positionieren eines Endes 113 der Federplatte unter der Lippe 116 des zweiten Elements der Stütze 114, das Befestigen des anderen Endes 112 der Federplatte in der Aussparung 115 des ersten Elements der Stütze 114, das Biegen der Zunge so, dass ihr Ende der Aussparung 117 des dritten Elements der Stütze 114 entspricht, und das Positionieren des Endes der Zunge in dieser Aussparung befestigt.
English: The plates 110 are affixed to the supports 114 by positioning one end 113 of the spring plate under the lip 116 of the second member of the support 114, fitting the other end 112 of the spring plate in the recess 115 of the first member of the support 114, flexing the tongue so that its end corresponds to the recess 117 of the third member of the support 114, and positioning the end of the tongue in that recess.
German: Zum Beispiel kann der Kondensator zuweilen für den Betrieb bei Temperaturen von bis zu etwa 250°C ausgelegt sein. in solchen Fällen kann das Dichtungsmaterial bei einer Temperatur von mehr als etwa 250°C, in einigen Ausführungsformen etwa 275°C bis etwa 350°C und in einigen Ausführungsformen etwa 285°C bis etwa 325°C fließfähig werden. ”Fließfähig” bedeutet im Allgemeinen, dass das Material eine Viskosität von etwa 10 × 105 bis etwa 10 × 107 Centipoise aufweist.
English: For example, the capacitor may sometimes be rated for operation at temperatures up to about 250° C. In such cases, the sealant material may become flowable at a temperature greater than about 250° C., in some embodiments from about 275° C. to about 350° C., and in some embodiments, from about 285° C. to about 325° C. By “flowable”, it is generally understood that the material will have a viscosity of from about 10×105to about 10×107centipoise.
German: Der zweite Teil 158 der elektrisch leitenden Schicht 154 kann auch über den Feldelektrodengräben 146 der äußersten der Diodenzellen 114, die dem Transistorgebiet 104 zugekehrt sind, enden, so dass sich der zweite Teil 158 der elektrisch leitenden Schicht 154 nicht über den zweiten (äußeren) Graben 120 der Isolationsstruktur 116 hinaus erstreckt, wie in Fig. 3 gezeigt ist.
English: The second part 158 of the electrically conductive layer 154 may also end over the field electrode trenches 146 of outermost ones of the diode cells 114 which face the transistor region 104 such that the second part 158 of the electrically conductive layer 154 does not extend beyond the second (outer) trench 120 of the isolation structure 116, as shown in FIG. 3.
German: Zum Beispiel kann in einigen Ausführungsformen die Basisbandschaltung 204 einen Basisbandprozessor 204A dritter Generation ( 3G ), einen Basisbandprozessor 204B vierter Generation ( 4G), einen Basisbandprozessor 204C fünfter Generation ( 5G ) oder einen anderen Basisbandprozessor(en) 204D für andere vorhandene Generationen, in Entwicklung befindliche Generationen oder Generationen, die in Zukunft entwickelt werden (z.B. zweite Generation ( 2G ), sechste Generation ( 6G ) usw.) umfassen.
English: For example, in some embodiments, the baseband circuitry 204 may include a third generation (3G) baseband processor 204A, a fourth generation (4G) baseband processor 204B, a fifth generation (5G) baseband processor 204C, or other baseband processor(s) 204D for other existing generations, generations in development or to be developed in the future (e.g., second generation (2G), sixth generation (6G), etc.).
German: Der zweite ringförmige Abschnitt 211 ist ein Metallring, der eine zweite Öffnung 213 mit einem Durchmesser von etwa 0,1 mm bis etwa 10 mm in einer Mitte aufweist, weist den gleichen Außendurchmesser wie der erste ringförmige Abschnitt 250 und der zylindrische Abschnitt 210 auf und ist mit einer Unterseite des zylindrischen Abschnitts 210, d. h., einer Oberfläche auf einer Seite der Probe 112, verbunden, so dass er dem ersten ringförmigen Abschnitt 250 zugewandt ist.
English: The second annular portion 211 is a metal ring having a second opening 213 with a diameter of about 0.1 mm to about 10 mm at a center, has the same outer diameter as the first annular portion 250 and the cylindrical portion 210, and is connected to a lower surface of the cylindrical portion 210, that is, a surface on a side of the sample 112 so as to face the first annular portion 250.
German: Jedoch ist die FWHM F1 der in Fig. 4 illustrierten Mikrolinse 180 größer als die FWHM F2 der in Fig. 5 illustrierten Mikrolinse 280, und somit kann die Neigung der Flanken 130 und 140, die die Vertiefung der Mikrolinse 180 von Fig. 4 umgeben, kleiner sein als die Neigung der Flanken 230 und 240, die die Vertiefung der Mikrolinse 280 von Fig. 5 umgeben.
English: However, the FWHM F1 of the micro lens 180 illustrated in FIG. 4 is larger than the FWHM F2 of the micro lens 280 illustrated in FIG. 5, and thus the inclination of the slopes 130 and 140 surrounding the recess of the micro lens 180 of FIG. 4 may be smaller than the inclination of the slopes 230 and 240 surrounding the recess of the micro lens 280 of FIG. 5.
German: Während des normalen Betriebs der Vorrichtung 110 kann ein elektrischer Stromfluss zwischen der ersten und zweiten Anschlussleitung 122, 124 durch die erste und zweite TVS-Diode 112, 113 und das thermische Trennelement 126 zugelassen werden und die erste und zweite TVS-Diode 112, 113 können auf herkömmliche Weise betrieben werden, Spannungen festzuhalten, die die Sperrspannungs-Durchbruchspannungen der ersten und zweiten TVS-Diode 112, 113 überschreiten, um angeschlossene Vorrichtungen zu schützen.
English: During normal operation of the device 110, electrical current may be allowed to flow between the first and second terminal leads 122, 124, through the first and second TVS diodes 112, 113 and the thermal cutoff element 126, and the first and second TVS diodes 112, 113 may operate in a conventional manner to clamp voltages that exceed the reverse breakdown voltages of the first and second TVS diodes 112, 113 in order to protect connected devices.
German: Wenn es jedoch ein existierendes Verfahren gibt, dann geht das Verfahren in Schritt 550 weiter, wo das Verfahren die Inhalte der Nachricht überprüft, die in Schritt 520 empfangen wird, wonach in Schritt 560 festgestellt wird, ob die neue Aktivierungszeit, die in Schritt 550 überprüft wird, vor der alten Aktivierungszeit des existierenden Verfahrens ist, das in Schritt 530 festgestellt wird.
English: However, if there is an existing procedure, then the method continues at step 550 whereat the method examines the contents of the message received at step 520, after which at step 560 it is determined whether the new activation time examined at step 550 is before the old activation time of the existing procedure determined at step 530.
German: Überdies können in manchen Ausführungsformen, statt über das Netzwerk 110 mittels des Mobilfunkmodems 126 der TCU 116 zu kommunizieren, die Komponenten des Fahrzeugs 102 dazu konfiguriert sein, mit anderen Vorrichtungen und Systemen des Systems 100 über das Netzwerk 110 mittels einer lokalen drahtlosen Verbindung zu kommunizieren, die zwischen den drahtlosen Sendeempfängern 140C des Fahrzeugs 102 und den drahtlosen Sendeempfänger 230 der Mobilvorrichtung 104 gebildet wird, und über die Netzwerkverbindung 110 der Mobilvorrichtung 104.
English: Moreover, in some embodiments, rather than communicating over the network 110 via the cellular modem 126 of the TCU 116, the vehicle 102 components may be configured to communicate with other devices and systems of the system 100 over the network 110 via a local wireless connection formed between the vehicle 102 wireless transceivers 140C and the mobile device 104 wireless transceivers 230, and via the network 110 connection of the mobile device 104.
German: Die Höhe H des Bildes DP des Bauelementes P bezieht sich auf den Maximalwert der Entfernung H in vertikaler Richtung (siehe die teilweise auseinandergezogene Ansicht in Fig. 6(c)) zwischen einer Position 9a des Bildes DP des Bauelementes P, die dem unteren Ende der Ansaugdüse 9 entspricht, und jeden Punkt Q am unteren Rand L des Bildes DP des Bauelementes P, wie dies in Fig. 6(a), Fig. 6(b), Fig. 6(c) und Fig. 6(d) gezeigt ist.
English: The height H of the image DP of the component P refers to the maximum value of the distance h in vertical direction (refer to the partial exploded view in Fig. 6(c)) between a position 9a of the image DP of the component P corresponding to the lower end of the suction nozzle 9 and each point Q on the lower edge L of the image DP of the component P as shown in Figs. 6(a), 6(b), 6(c) and 6(d).
German: Die fahrzeugseitige Vorrichtung 100 umfasst ebenso eine Audio-Eingabe-/Ausgabe-I/F 120 zum Eingeben/Ausgeben eines Audiosignals mit dem Mikrofon 11 oder dem Lautsprecher 12 gemäß der Steuerung der CPU 102 ; eine Anzeigeschnittstelle (I/F) 122, um Bilddaten an die extern angeschlossene Anzeige 13 gemäß der Steuerung der CPU 102 zu übertragen; und eine Busleitung 150, die einen Adressbus und einen Datenbus umfasst, um die Einheiten miteinander elektrisch zu verbinden, wie in Fig. 2 dargestellt ist.
English: The in-vehicle apparatus 100 also includes an audio input/output I/F 120 to input/output an audio signal with the microphone 11 or the loudspeaker 12 under control of the CPU 102; a display interface (I/F) 122 to transmit image data to the externally connected display 13, under control of the CPU 102; and a bus line 150 including an address bus and a data bus to electrically connect the units with each other as illustrated in FIG. 2.
German: Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung enthält die erste Schicht Au als Hauptkomponente, und die Gesamtheit von in dem IDT vorliegenden ersten Schichten weist ein Volumen von etwa 20 % bis etwa 50 % des Gesamtvolumens auf, und die zweite Schicht enthält Al als Hauptkomponente, und die Gesamtheit von in dem IDT vorliegenden zweiten Schichten weist ein Volumen von etwa 50 % bis etwa 80 % des Gesamtvolumens auf.
English: According to another preferred embodiment of the present invention, the first layer contains Au as a major component and the totality of first layers present in the IDT has a volume of from about 20% to about 50% of the overall volume, and the second layer contains Al as a major component and the totality of second layers present in the IDT has a volume of from about 50% to about 80% of the overall volume.
German: Beispielsweise wird eine Aluminiumfolie, die eine Länge von etwa 2 m bis 4 m (z. B. 2,7 m), eine Breite von etwa 8 cm bis 12 cm (z. B. 10 cm) und eine Dicke von etwa 5 μm bis 20 μm (z. B., 15 μm) aufweist, als Stromkollektor verwendet werden und die positive Elektrodenaktivsubstanzschicht wird in einer vordefinierten Region auf einer Fläche dieser Folie gebildet, wodurch die bevorzugte positive Elektrodenbahn 32 gebildet wird.
English: For instance, an aluminum foil having a length of approximately 2 m to 4 m (e.g., 2.7 m), a width of approximately 8 cm to 12 cm (e.g., 10 cm), and a thickness of approximately 5 μm to 20 μm (e.g., 15 μm) is used as the current collector, and the positive electrode active substance layer is formed in a predetermined region of a surface of this foil, thereby forming the preferable positive electrode sheet 32.