mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: K. B. NGAN, K. S. LEONG, und H. SINGH schlagen in "A HVWweighted Cosine Transform Coding Scheme with Adaptive Quantization," SPIE Bd. 1001 Visual Communications and Image Processing, Bd. 1001, S. 702-708, 1988, ein Schema zur Transformationscodierung von Bildern mit adaptiver Quantisierung vor, in dem ein Bitratensteuerpuffer und der Kontrast des CD- Terms jedes Blocks zu seinem nächsten Nachbarn in der Reihenfolge der Rasterabtastung gemeinsam zur Anpassung des Quantisierungsfaktors herangezogen werden.
English: K.N. NGAN, K.S. LEONG, AND H. SINGH, in "A HVS-weighted Cosine Transform Coding Scheme with Adaptive Quantization," SPIE Vol. 1001 Visual Communications and Image Processing, vol. 1001, pp. 702-708, 1988, propose an adaptive quantizing transform image coding scheme in which a rate controlling buffer and the contrast of the DC term of each block with respect to its nearest neighbor blocks in raster scan order are used in combination to adapt the quantizer factor.
German: Geeignete Fluorpolymermatrixmaterialien für die dielektrische Schicht umfassen fluorierte Homopolymere, z. B. Polytetrafluorethylen (PTFE) und Polychlortrifluorethylen (PCTFE), und fluorierte Copolymere, z. B. Copolymere von Tetrafluorethylen mit einem Monomer ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Hexafluorpropylen und Perfluoralkylvinylether, Copolymere von Tetrafluorethylen mit einem Monomer ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Vinylidenfluorid, Vinylfluorid und -ethylen, und Copolymere von Chlortrifluorethylen mit einem Monomer ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Hexafluorpropylen, Perfluoralkylvinylether, Vinylidenfluorid, Vinylfluorid und -ethylen.
English: Suitable fluoropolymer matrix materials for the dielectric layer include fluorinated homopolymers, e.g., polytetrafluoroethylene (PTFE) and polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), and fluorinated copolymers, e.g. copolymers of tetrafluoroethylene with a monomer selected from the group consisting of hexafluoropropylene and perfluoroalkylvinylethers, copolymers of tetrafluoroethylene with a monomer selected from the group consisting of vinylidene fluoride, vinyl fluoride and ethylene, and copolymers of chlorotrifluoroethylene with a monomer selected from the group of hexafluoropropylene, perfluoroalkylvinylethers, vinylidene fluoride, vinyl fluoride and ethylene.
German: Das Verfahren enthält (a) Ausgeben eines ersten Satzes von DSL-Signalen aus einem ersten Modem; (b) Umwandeln des ersten Satzes von DSL-Signalen in einen ersten Satz von Ethernet-Paketen; (c) Ausgeben des ersten Satzes von Ethernet-Paketen an ein Ethernet-Netzwerk; (d) Umwandeln des ersten Satzes von Ethernet-Paketen, die in Schritt (c) ausgegeben wurden, in eine weitere Instanz des ersten Satzes von DSL-Signalen; und (e) Einspeisen des ersten Satzes von DSL-Signalen von Schritt (d) in ein zweites Modem.
English: The method includes (a) outputting a first set of DSL signals from a first modem; (b) converting the first set of DSL signals into a first set of Ethernet packets; (c) outputting the first set of Ethernet packets to an Ethernet network; (d) converting the first set of Ethernet packets output in step (c) into another instance of the first set of DSL signals; and (e) providing the first set of DSL signals of step (d) to a second modem.
German: So definiert beispielsweise eine herkömmliche Verbindung, die von dem Vermittlungssystem 10 zwischen dem Telefon 13 und dem VMS 11 aufgebaut wird, einen Kanal 110, der Kommunikation B führt, die von dem VMS 11 erzeugt und zu dem Empfänger des Telefons 13 gesendet wird, sowie einen Kanal 111, welcher Kommunikation A führt, die von dem Telefon 13 generiert und zu dem Empfänger des VMS 11 gesendet wird.
English: Thus, for example, a conventional connection established by switching system 10 between telephone 13 and VMS 11 defines a channel 110 which carries communications B generated and transmitted by VMS 11 to the receiver of telephone 13, and a channel 111 which carries communications A generated and transmitted by telephone 13 to the receiver of VMS 11.
German: Somit werden unter erneuter Bezugnahme auf Fig. 1, weil n gleich 5 ist und es deshalb fünf Ausgangspixel P1' bis P5' im Block 12 gibt, vier ci Werte für jedes separate Pixel P1' bis P5' erzeugt, um zwanzig ci Werte sowie passende Gleichungen wie Gleichung 15 zu generieren, und zwar eine separate Gleichung für jeden von den zwanzig cj Werten.
English: Thus, referring again to Fig. 1, because n is 5 and there are therefore five output pixels P1' through P5' in block 12, four c ivalues are generated for each separate pixel P1' through P5' to generate twenty c ivalues and appropriate equations like Equation 15, a separate equation for each of the twenty c ivalues.
German: In einigen Ausführungsformen können der dielektrische Film 204 und die Metallkappenschicht 206 zum Beispiel jeweils ein sich horizontal erstreckendes Segment und ein sich vertikal erstreckendes Segment, das aus einer oberen Oberfläche des sich horizontal erstreckenden Segments heraussteht, umfassen, während die Opferschicht 208 eine sich verjüngende Seitenwand aufweist, die sich zwischen dem sich horizontal erstreckenden Segment und dem sich vertikal erstreckenden Segment der Metallkappenschicht 206 erstreckt.
English: For example, in some embodiments, the dielectric film 204 and the metal cap layer 206 may respectively comprise a horizontally extending segment and a vertically extending segment protruding outward from an upper surface of the horizontally extending segment, while the sacrificial layer 208 has a tapered sidewall extending between the horizontally extending segment and the vertically extending segment of the metal cap layer 206.
German: Wenn beispielsweise eine 128-Bit-Wasserzeichendatenzeichenfolge in acht 16-Bit-Teile geteilt werden kann, kann der erste Prozessor 125 die Bits eines ersten 16-Bit-Teils in ein erstes bestimmtes Pixel 305 schreiben, die Bits eines zweiten 16-Bit-Teils in ein zweites bestimmtes Pixel 305 schreiben, die Bits eines dritten 16-Bit-Teils in ein drittes bestimmtes Pixel 305 schreiben usw., bis alle acht Teile in Pixel 305 geschrieben sind.
English: For example, if a 128-bit watermark data string can be divided into eight 16-bit portions, the first processor 125 can write the bits of a first 16-bit portion to a first specified pixel 305, the bits of a second 16-bit portion to a second specified pixel 305, the bits of a third 16-bit portion to a third specified pixel 305, etc., until all eight portions are written to pixels 305.
German: Ferner kann, ähnlich wie bei der bereits mit Bezug auf Fig. 1A und Fig. 2 erläuterten Ausführungsform ein Maximum 400 des Dotierstoffkonzentrationsprofils P näher zur zentralen Position Z1 zwischen der pn-Sperrschicht Zpn und einem Übergang Zb zwischen der Pufferschicht 126 und der Drift-Schicht 123 als zur pn-Sperrschicht Zpn und zum Übergang Zb zwischen der Rückseiten-Pufferschicht 126 und der Drift-Schicht 123, wie in Fig. 2 veranschaulicht, angeordnet sein.
English: Further, similar to the embodiment already explained with respect to FIG. 1A and to FIG. 2, a maximum 400 of the dopant concentration profile P may be located closer to said central position Z 1 between the pn-junction Zpn and a transition Zb between the buffer layer 126 and the drift layer 123 than to the pn-junction Zpn and to said transition Zb between the back side buffer layer 126 and the drift layer 123, as illustrated in FIG. 2.
German: Trunk-Leitung 115, RN PS 120 und Zugangsleitungen 125, die sich mit WDM ONUs 145 koppeln, können zur Einrichtung einer WDM PON oder WDM Sub-PON dienen, während die Trunk-Leitung 115, RN PS 120 und die Zugangsleitungen 125, die mit den TDM ONUs 140 gekoppelt sind, zur Einrichtung einer TDM PON oder TDM Sub-PON dienen können, und die Trunk-Leitung 115, RM PS 120 und alle Zugangsleitungen 125 können kollektiv als eine hybride PON bezeichnet werden.
English: Trunk line 115, RN PS 120, and access lines 125 that couple to WDM ONUs 145 may be considered to make up a WDM PON or WDM sub-PON, while the trunk line 115, RN PS 120, and access lines 125 that coupled to TDM ONUs 140 may be considered to make up a TDM PON or TDM sub-PON, and collectively trunk line 115, RN PS 120 and all access lines 125 may be referred to as a hybrid PON.
German: Nach der Ausbildung der Elektroden 8A, 8B und des Kontakts 20 wird der Kontaktschicht 117 und der Plattierungsschicht 116 ein niedriger spezifischer Widerstand des p-Typs verliehen und das Legieren der Kontaktschicht 117, der Metallschichten 81 und 82, der ersten Metallschicht 201 und der zweiten Metallschicht 202 wurde gleichzeitig mit dem Legieren der Elektrode 8B und der n+-Schicht 3 mit dem gleichen Verfahren durchgeführt, das in den vorstehenden Ausführungsformen beschrieben worden ist.
English: After the formation of the electrodes 8A, 8B, and pad 20, p-type low resistance is imparted to the contact layer 117 and clad layer 116 and, at the same time, the alloying of the contact layer 117, metal layers 81 and 82, first metal layer 201, and second metal layer 202 was conducted simultaneously with the alloying of the electrode 8B and n+layer 3 by the same process as described in the previous embodiments.
German: Darüber hinaus führt dies, da R3 und R4 größer sein müssen als der Ausgangswiderstand des Mikrofons (der typischerweise 1 kohm beträgt), um eine Signalabschwächung zu vermeiden, und da R5 seinerseits sehr viel größer als R3 und R4 sein muß (da der Verstärker eine beträchtliche Verstärkung zur Verfügung stellen muß), zu einem weiteren beträchtlichen Flächenverbrauch, auch aufgrund der Tatsache, daß die Widerstände eine gute Linerarität haben müssen, da sie direkt die Linearität des Schaltkreises beeinflussen.
English: Furthermore, since R3 and R4 must be much higher than the output impedance of the microphone (which is typically 1 kohm) in order to avoid signal attenuation, and since R5 must in turn be much higher than R3 and R4 (since the amplifier must provide an appreciable gain), this leads to a further considerable area expenditure, also due to the fact that said resistors must have a good linearity since they directly affect the linearity of the circuit.
German: Zum Beispiel können solche Werte durch eine oder mehrere der Messungen erhalten werden, auf die gegenwärtig als CPICH RSCP (Energiemessung in UMTS), PCCPCH RSCP (Energiemessung in UMTS), GMS-Träger-RSSI (Energiemessung in GSM, die sich auf Energie von benachbarten Netzwerken bezieht), RTT in FDD (Zeitmessung in UMTS), Rx-Taktabweichung in TDD (Zeitmessung in UMTS), SFN-SFN (Zeitmessung in UMTS), RXLEV (Energiemessung in GSM), TA (Time Advance, Zeitmessung in GSM) verwiesen wird.
English: For example, such values can be obtained by one or more of the measurement currently referred to as CPICH RSCP (power measurement in UMTS), PCCPCH RSCP (power measurement in UMTS), GSM carrier RSSI (power measurement in GSM that relates to power from neighbouring networks), RTT in FDD (time measurement in UMTS), Rx Timing Deviation in TDD (time measurement in UMTS), SFN-SFN (time measurement in UMTS), RXLEV (power measurement in GSM), TA (Time Advance, time measurement in GSM).
German: Beispielsweise kann die Isolierschicht 4 ein Polyolefinharz, so wie Polyethylen (beispielsweise Polyethylen niedriger Dichte (LDPE), Polyethylen hoher Dichte (HDPE) oder Polyethylen sehr niedriger Dichte (VLDPE), oder ein Gemisch davon), Polypropylen, ein Ethylen-Ethylacrylat-Copolymer (EEA), oder ein Ethylen-Vinylacetat-Copolymer (EVA), ein anderes Olefinharz als Polyolefinharz, ein Polyurethanharz, ein Fluoroharz (beispielsweise ein Tetrafluorethylen-Ethylen-Copolymer) oder eine Mischung sein, die durch Mischen von wenigstens zwei der oben beschriebenen Mischungen miteinander erhalten worden ist.
English: For example, the insulating layer 4 may be a polyolefin resin such as polyethylene (for example, low-density polyethylene (LDPE), high-density polyethylene (HDPE), or very-low-density polyethylene (VLDPE), or a mixture thereof), polypropylene, an ethylene-ethyl acrylate copolymer (EEA), or an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), an olefin resin other than a polyolefin resin, a polyurethane resin, a fluororesin (for example, a tetrafluoroethylene-ethylene copolymer), or a compound obtained by mixing at least two kinds of the above-described compounds with each other.
German: Jedes elektrische Bauteil zeigte (i) eine rechteckige Form mit Seiten von etwa 12 mm (0,47 in.) und etwa 5,1 mm (0,2 in.), (ii) eine Dicke von etwa 0,51 mm (0,02 in.), bestand (iii) aus zwei elektrolytisch abgeschiedenen Nickel- oder nickelüberzogenen Kupferfolieelektroden, einem laminaren PTC-leitenden Polymerelement, das zwischen den Folien schichtartig angeordnet ist, und einer Lötschicht auf der Außenseite einer jeden Folie und zeigte (iv) einen Widerstand bei 21°C von etwa 70 Milliohm.
English: Each electrical component (I) was rectangular in shape, with sides of about 12 mm (0.47 inch) and about 5.1 mm (0.2 inch), (ii) had a thickness of about 0.51 mm (0.02 inch), (iii) consisted of two electrodeposited nickel or nickel-plated copper foil electrodes, a laminar PTC conductive polymer element sandwiched between the foils, and a layer of solder on the outside of each foil, and (iv) had a resistance at 21°C of about 70 milliohms.
German: Die Reflektionsstruktur 22 kann vom Licht emittierenden Stapel 25 emittiertes Licht reflektieren und das Material der Reflektionsstruktur 22 kann ein Metallmaterial sein, das Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Zinn (Sn), Gold (Au), Silber (Ag), Blei (Pb), Titan (Ti), Nickel (Ni), Platin (Pt), Wolfram (W) oder eine aus den Obengenannten hergestellte Legierung umfasst, wobei es aber nicht auf diese Materialen beschränkt ist.
English: The reflection structure 22 can reflect light emitted from the light-emitting stack 25, and the material of the reflection structure 22 can be metal material including, but not limited to copper (Cu), aluminum (Al), tin (Sn), gold (Au), silver (Ag), lead (Pb), titanium (Ti), nickel (Ni), platinum (Pt), tungsten (W) or an alloy made of the above mentioned.
German: Da zu dieser Zeit die Korrelation zwischen dem Client-Transfersender und dem Server bereits in die Verbindungsverwaltungstabelle 40 durch die Verbindungsverarbeitung für die erste Dienstanforderung in den Schritten S21 und S22 eingetragen wurde, wird der Server S, der zuzuordnen ist, sofort durch die Abfrage der Verbindungsverwaltungstabelle 40 bestimmt, so dass der Dienst für denselben Server 14 fortgesetzt werden kann, ohne die Serverzuordnung auf der Basis der Lastinformationen vorzunehmen.
English: Since at that time the correlation between the client transferor and the server has already been entered into the connection management table 40 through the connection processing for the first service demand in steps S21 and S22, the server S to be allocated is immediately determined by the retrieval of the connection management table 40 so that the service can continue for the same server 14 without performing the server allocation based on the load information.
German: Die SAN-Struktur 680 mag auch, über das Netzwerk 650 und die Server 640 und 645, Kommunikation zwischen den Client-Systemen 610, 620 und 630 und den Speichergeräten 690 (1)-(N) und/oder dem intelligenten Speicherarray 695 in einer solchen Art und Weise ermöglichen, dass die Geräte 690 (1)-(N) und das Array 695 als lokal angeschlossene Geräte für die Client-Systeme 610, 620 und 630 erscheinen.
English: The SAN fabric 680 may also facilitate, via the network 650 and the servers 640 and 645, communication between the client systems 610, 620, and 630 and the storage devices 690( 1)-(N) and/or the intelligent storage array 695 in such a manner that the devices 690( 1)-(N) and the array 695 appear as locally attached devices to the client systems 610, 620, and 630.
German: Die Elemente des Systems 100 enthalten ein Netzbenutzerendgerät („ nUE “) 110 mit einem vollständigen Infrastruktur-Netzzugangsprotokollstapel (zum Beispiel für vollständige Steuerebenen- und Benutzerebenenfunktionen); wUEs 120 (zum Beispiel 120a, 120b und 120c), die zwar nicht über unabhängige Netzzugangsverbindungen verfügen, jedoch über das dies koordinierende nUE 110 Zugang zu einem Netz haben; eine Evolved Node B („ eNB “) (oder allgemeiner eine Basisstation) 130 ; und ein Evolved Packet Core („ EPC “) 140.
English: Entities of the system 100 include a network user equipment ("nUE") 110 having a full infrastructure network access protocol stack (for example, for full control-plane and user- plane functions); wUEs 120 (for example, 120a, 120b, and 120c) that lack standalone network-access connections but instead achieve network access through, and coordinated by, the nUE 110; an evolved node B ("eNB") (or, more generally, a base station) 130; and an evolved packet core ("EPC") 140.
German: Fig. 7 ist eine Tabelle, die ein Drehmoment pro erstem Kernteil und die maximale Belastung eines im Presssitz eingepassten Teils in Abhängigkeit von der Anzahl von ersten Kernteilen in dem Rotor der Motoreinrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, und Fig. 8 ist ein Diagramm mit Darstellung der maximalen Belastung des im Presssitz eingepassten Teils für jede Anzahl von ersten Kernteilen in dem Rotor der Motoreinrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
English: FIG. 7 is a table showing a torque per first core part and the maximum stress of the press-fitted part, depending on the number of first core parts in the rotor of the motor part in accordance with the embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a graph illustrating the maximum stress of the press-fitted part for each number of first core parts in the rotor of the motor apparatus in accordance with the embodiment of the present invention.
German: Fig. 14E zeigt den örtlichen Bezug zwischen dem Interposer-Substrat 140, dem Prozessor 310, dem VDD/GND-Bereich 315, dem I/O-Bereich 317, dem Treiberschaltkreis 120, dem optischen Eingabe/Ausgabe-Bereich 165 und dem Kondensator 143 in der Ausgestaltung, bei der beispielsweise der Treiberschaltkreis 120 in einem Bereich direkt unter dem Prozessor 310 angeordnet ist, aber der optische Eingabe/Ausgabe-Bereich 165 nicht direkt unter dem Treiberschaltkreis 120 angeordnet ist, anders als dies in den oben beschriebenen Ausgestaltungen der Fall ist.
English: FIG. 14E illustrates the positional relationship among the interposer substrate 140, the processor 310, the VDD/GND region 315, the I/O region 317, the drive circuit 120, the optical input/output region 165, and the capacitor 143 in the configuration in which, for example, the drive circuit 120 is disposed in a region directly under the processor 310 but the optical input/output region 165 is not provided directly under the drive circuit 120, unlike the configurations described above.
German: (11) Da die Elektroden 22B und 22C in Bezug auf die Längsmittellinien der piezoelektrischen Elemente 22 in einer liniensymmetrischen Weise angeordnet sind, kann die Richtung, in welcher der Drehkörper 101 angetrieben wird, durch Wechseln der Elektroden, an welche eine Spannung angelegt wird, d.h. Umschalten von den Elektroden 22B auf die Elektroden 22C (oder umgekehrt), geändert werden, wodurch der Stoßteil 23 veranlasst wird, einer elliptischen Bahn zu folgen, die in der entgegengesetzten Richtung orientiert ist.
English: (11) Since the electrodes 22B and 22C are arranged in a linearly symmetrical manner with respect to the longitudinal centerlines of the piezoelectric elements 22, the direction in which the rotating body 101 is driven can be changed by changing the electrodes to which the voltage is applied, i.e., switching from the electrodes 22B to the electrodes 22C (or vice versa), and thereby causing the abutting part 23 to follow an elliptical path oriented in the opposite direction.
German: Die photoaktive Subzelle 310 umfasst ein Substrat 320, eine Elektrode 325, die auf dem Substrat 320 angeordnet ist, eine elektronenleitende Schicht 330, die auf der Elektrode 325 angeordnet ist, eine photoaktive Schicht 335, die auf der elektronenleitenden Schicht 330 angeordnet ist, eine löcherleitende Schicht 340, die auf der photoaktiven Schicht 335 angeordnet ist und die Graphenzwischenschicht 305, welche als eine Elektrode für die Subzelle 310 dient und auf der löcherleitenden Schicht 340 angeordnet ist.
English: The photoactive subcell 310 comprises a substrate 320, an electrode 325 disposed on the substrate 320, an electron transporting layer 330 disposed on the electrode 325, a photoactive layer 335 disposed on the electron transporting layer 330, a hole transporting layer 340 disposed on the photoactive layer 335 and the graphene intermediate layer 305, which serves as an electrode for subcell 310, disposed on the hole transporting layer 340.
German: Durch das Benutzen der Rampenwelle von dem VCO-Schaltkreis 111 generiert der SIN Datenerzeugungsschaltkreis 112 ein um 90 Grad phasenverschobenes SIN Signal und ein um 180 Grad phasenverschobenes SIN Signal hinsichtlich der Periode der Rampenwelle, und liefert dann das 90 Grad phasenverschobene SIN Signal zu dem Multiplikationsschaltkreis aus 103 und das um 180 Grad phasenverschobene SIN Signal zu dem Multiplikationsschaltkreis 104.
English: Using the ramp wave from the VCO circuit 111, the SIN data generator circuit 112 generates a 90-degree-phase-shifted SIN signal and a 180-degree-phase-shifted SIN signal with respect to the period of the ramp wave, and then outputs the 90-degree-phase-shifted SIN signal to the multiplier circuit 103 and the 180-degree-phase-shifted SIN signal to the multiplier circuit 104.
German: Fig. 6 zeigt ein Beispiel, in dem ein MCS und ein RI für das erste Netzwerkgerät 110 die gleichen wie ein MCS und ein RI für das zweite Netzwerkgerät 120 sind, und ein Beispiel, in dem sich das MCS und der RI für das erste Netzwerkgerät 110 von dem MCS und dem RI für das zweite Netzwerkgerät 120 unterscheiden, gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
English: Fig. 6 shows an example in which a MCS and a RI for the first network device 110 is the same as a MCS and a RI for the second network device 120, and an example in which the MCS and the RI for the first network device 110 is different from the MCS and RI for the second network device 120, in accordance with some embodiments of the present disclosure.
German: Die Lichtstrahlen 230 werden an der ersten Seite 202 der ersten Schicht 200 empfangen, durchqueren die erste Schicht 200und treffen auf den Backlit-Fotodioden 206 an der zweiten Seite 204 auf, wobei sie elektrische Signale an den Vias 212 der zweiten Schicht 210 hervorrufen, wodurch sie elektrische Ausgangssignale von den Backlit-Fotodioden 206 in einer Entfernung von der zweiten Seite 204 der ersten Schicht 200 liefern.
English: Light rays 230 are received at first side 202 of first layer 200, transmit through first layer 200, and impinge backlit photodiodes 206 at second side 204, resulting in electrical signals at thru vias 212 of second layer 210, thereby providing electrical output signals from the backlit photodiodes 206 at a distance from second side 204 of first layer 200.
German: Vorzugsweise wird der Adapter 50 mit einem dielektrischen öl gefüllt, das identisch oder kompatibel mit dem öl im Kabel ist, bevor man den Adapter auf das Ende 32 des Kabels 10 aufsetzt, so daß, während der Adapter auf dem Kabel in die in Fig. 3 gezeigte Lage gleitet, öl zwischen dem Adapter und dem Kabel auatritt und Luft mitreißt, die sonst zwischen dem Adapter 50 und dem Kabel 10 eingeschlossen werden würde.
English: Preferably, the adaptor 50 is filled with a dielectric oil which is the same as, or compatible with, the oil in the cable, prior to placement of the adaptor over the terminus 32 of cable 10 so that the adaptor is moved along the cable toward the position shown in FIG. 3, oil will be exuded from between the cable and the adaptor, taking with it any air which might otherwise be entrapped between the adaptor 50 and the cable 10.