mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Eine erste leitfähige Schicht 150 ist auf der Isolierschicht 120 ausgebildet und stellt den elektrischen Kontakt mit der ersten und der zweiten Elektrode 100, 110 an dem ersten und dem zweiten Kontaktpunkt 130 bzw. 140 her.
English: A first conductive layer 150 is formed on the insulating layer 120 and makes electrical contact with the first and second electrodes 100, 110 at first and second contact points 130, 140.
German: Der IPv4/IPv6-Benutzerknoten 111 empfängt Netzwerkinformationen, die die IPv4-Adresse des TEP 121 enthalten, vom DHCP-Server 112 und extrahiert die IPv4-Adresse des TEP 121 aus den Netzwerkinformationen.
English: The IPv4/IPv6 user node 111 receives network information including the IPv4 address of the TEP 121 from the DHCP server 112, and extracts the IPv4 address of the TEP 121 from the network information.
German: Es folgen zwei Frequenzbandfilter 222, 232 für beispielsweise E1 (Mittenfrequenz 1.575,42 MHz; 14 MHz 3-dB-Bandbreite) und E5a/b (Mittenfrequenz 1.191,795 MHz und 51 MHz 3-dB-Bandbreite).
English: This is followed by two frequency band filters 222, 232 for, e.g., E1 (center frequency 1,575.42 MHz; 14 MHz 3 dB bandwidth) and E5a/b (center frequency 1,191.795 MHz and 51 MHz 3 dB bandwidth).
German: Zusätzlich können mehrere verschiedene MSI-Werte in einem einzelnen MSI verwendet werden, um mehrere unterschiedliche Konfigurationsparameter zu spezifizieren (z. B. könnte 12:4: 1 stehen für: 12 = Rennspiel; 4 = Strecke; und 1 = Erfahrungsstufe).
English: Additionally, several different MSI values may be used within a single MSI to specify multiple different configuration parameters (e.g., 12:4:1 might represent: 12 = racing game; 4 = track; and 1 = experience level).
German: Zum Beispiel kann die Dicke Td der Vorrichtungsschicht 108 dahingehend klein sein, als sie kleiner ist als ungefähr 10,14 oder 20 Nanometer, und/oder zwischen ungefähr 7 bis 14 Nanometer oder ungefähr 14 bis 20 Nanometer beträgt.
English: The thickness Tdof the device layer 108 may, for example, be small in that it is less than about 10, 14, or 20 nanometers, and/or is between about 7-14 nanometers or about 14-20 nanometers.
German: Der SBC/SIP Server 227 kann die IP Adresse der Ursprungsvorrichtung 205 verändern ( 234 ), durch Ersetzen der IP Adresse, die in der SIP Nachricht enthalten ist, durch die CoA, die mit der Ursprungsvorrichtung 205 assoziiert ist.
English: The SBC/SIP server 227 can modify (234) the IP address of the originating device 205 by replacing the IP address included in the SIP message with the CoA associated with the originating device 205.
German: Wenn der Schalter 112a eingeschaltet ist (leitet), beträgt die Spannung VGCT null, während dann, wenn der Schalter 112a ausgeschaltet ist, VGCT positiv (VGCT > 0) oder negativ (VGCT < 0) sein kann, wie in der Kurve 200 gezeigt.
English: When the switch 112a is on (conducting), the switch voltage VGCT is zero, whereas when the switch 112a is off, VGCT can be positive (VGCT>0) or negative (VGCT<0) as shown in the graph 200.
German: Eine Oberflächenseite des WDM-Filters 84 ist mit einem Wellenleitweg 85 verbunden, und die andere Oberflächenseite des WDM-Filters 84 ist mit einem Wellenleitweg 86 verbunden.
English: One surface side of the WDM filter 84 is connected to a waveguide path 85 and the other surface side of the WDM filter 84 is connected to a waveguide path 86.
German: Jedoch, da PRMs in dem DL Kanal übertragen werden (welcher nur für ESF formatierte DS1 Kanäle existiert), kann nur solche Gerätschaft, die mit dem ESF Format wie in ANSI T1.403 beschrieben konform ist, PRMs übertragen.
English: However, since PRMs are transmitted in the DL channel (which only exists for ESF formatted DS1 channels), only equipment that conforms to the ESF format described in ANSI T1.403 can transmit PRMs.
German: Dies gewährleistet, dass der Header (H0 bis H4) als RD an das FIFO 34 ausgegeben wird, wie bei A1 in Fig. 23 gezeigt.
English: This ensures that the header (H0 to H4) is output to the FIFO 34 as RD, as shown at A1 in Fig. 23.
German: Das offenbarte MgTi2O5-δ-Material kann eine nominale chemische Zusammensetzung von etwa 25 - 40, 28 - 35 oder 30 - 33 Mol-% MgO und 75 - 60, 72 - 65 oder 70 - 66 Mol-% TiO + TiO2-Mischung aufweisen.
English: The disclosed MgTi2O5-δ material may have a nominal chemical composition of about 25-40, 28-35, or 30-33 mol % MgO and 75-60, 72-65, or 70-66 mol % TiO+TiO2mixture.
German: Das OS (Operating System) Betriebssystem 208 für die CPU 204 kann mehrere ISV (Independent Software Vendor) Agenten 210 und einen Vertrauensagenten 212 aufweisen.
English: The OS (operating system) 208 for the CPU 204 may include multiple ISV (independent software vendor) agents 210 and a trust agent 212.
German: In Schritt S1023 überträgt der Client 1001a die Dokumenten-ID, die in Schritt S1022 empfangene Sitzungs-ID (A) und die IP-Adresse des Client 1001a zum Dokumentenmanagementdienst 1500.
English: In Step S1023, the client 1001a transmits the document ID, the session ID (A) received in Step S1022 and the IP address of the client 1001a to the document management service 1500.
German: Daher umfasst die Übertragungsleitung 100 Übertragungsleitungen 150 und 152, der Induktor L2 umfasst Induktoren 154 und 156 und der Widerstand R4 umfasst Widerstände 158 und 160.
English: Therefore, the transmission line 100 includes transmission lines 150 and 152, the inductor L2 includes inductors 154 and 156, and the resistor R4 includes resistors 158 and 160.
German: SC_S_APAT der Zelle #k+1 ist kleiner als SC_E_APAT der Zelle #k, und SC_E_APAT der Zelle #k+1 ist kleiner als SC_S_APAT der Zelle #k+2.
English: SC_S_APAT of cell #k+1 is smaller than SC_E_APAT of cell #k and SC_E_APAT of cell #k+1 is smaller than SC_S_APAT of cell #k+2.
German: Der Prozess 400 stellt auch eine “Wake_Up_Set”-Variable auf “Falsch” (Task 406 ) und stellt eine “Wake_Up_ID”-Variable auf einen Nullwert (Task 408 ) ein.
English: The process 400 also sets a “Wake_Up_Set” variable to “False” (task 406) and sets a “Wake_Up_ID” variable to a null value (task 408).
German: Die Antenne 12 umfasst ferner einen zusätzlichen zweiten horizontalen Streifen 12d', zusätzliche dritte vertikale dritte Streifen 12e' und 12e" und einen zusätzlichen dritten horizontalen Streifen 12f'.
English: The antenna 12 further includes an additional second horizontal strip 12d', additional third vertical strips 12e' and 12e", and an additional third horizontal strip 12f'.
German: Das heißt, wenn man annimmt, daß die Pegel der Träger CV, C1 und C2 auf LCV, LC1 und LC2 eingestellt sind, wird bestimmt, daß LCV/LC1 = 13 dB und LCV/LC2 = 20 dB ist.
English: That is, assuming that the levels of the carriers CV, C1 and C2 are set to LCV, LC1 and LC2, respectively, it is determined that LCV/LC1 = 13 dB and LCV/LC2 = 20 dB.
German: Die Steuerung 2 ist in der Lage, in den Registern 3B1, 3B2, 3B3, 4B1, 4B2, 4B3, 12A, 23, 35 und 37 individuell Daten einzustellen und außerdem in den Registern 31 und 32 Umschaltbefehle einzustellen.
English: The controller 2 is capable of individually setting data in the registers 3B1, 3B2, 3B3, 4B1, 4B2, 4B3, 12A, 23, 35 and 37 and switch control commands in the registers 31 and 32, too.
German: Die Gruppe 30 enthält kleine Werte aus dem Graph von Fig. 2, die Gruppe 32 große Werte aus diesem Graph und die Gruppe 31 Zwischenwerte.
English: Group 30 contains small values from the graph of Fig. 2, group 32 large values from this graph and group 31 intermediate values.
German: Das GSM-Netzwerk 34 liefert diese Information an den Server 32, der seinerseits die Information an das ADSI-Telefon 30 als eine Text-basierte Mitteilung sendet.
English: GSM network 34 provides this information to server 32 which, in turn, sends the information to ADSI phone 30 as a text-based message.
German: Die Vorverstärkerstufe 807 kann zum Beispiel eine RF-Filterstufe 817 mit wenigstens einem RF-Filter, eine Tilt-Kompensationsschaltung 827, einen Vorverstärker 837 und einen Splitter 847 umfassen.
English: For example, the pre-amplifier stage 807 may include an RF filter stage 817 that has at least one RF filter, a tilt compensation circuit 827, a pre-amplifier 837 and a splitter 847.
German: Der Teil 700 umfasst einen Start- oder gegenwärtigen Standort 705, ein Ende oder Ziel 707 und projizierte Routen oder Pfade 707 und 708.
English: The portion 700 includes a start or present location 705, an end or destination 707, and projected routes or paths 707 and 708.
German: Andere Ausführungsformen können eine mehr oder weniger große Anzahl von Komponenten 202, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232 in dem Gerät 200 enthalten.
English: Other embodiments may include a fewer or greater number of components 202, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232 within the device 200.
German: Die Verbindungsstruktur 106A, 106B kann das gleiche Material aufweisen oder daraus gebildet sein wie wenigstens ein Teil der Metallkontakte 104 und/oder einer Metallschicht der Metallstruktur.
English: The connection structure 106A, 106B can have the same material or can be formed therefrom, as at least a part of the metal contacts 104 and/or of a metallic coating of the metal structure.
German: Zum Beispiel definieren die IEEE Standards 802.3ab und 802.3z Ethernet-Systeme zum Übertragen von Daten bei Raten von bis zu einem Gigabit pro Sekunde (1 Gbit/s).
English: For example IEEE standards 802.3ab and 802.3z define Ethernet systems for transferring data at rates up to one gigabit per second (1 Gbit/s).
German: Beispielsweise unter der Bedingung der Versorgungsspannung VDD=0,5 V und der Schwellenspannung VT=0,35 V kann der MOS-Transistor M1 den Verstärkungsbetrieb durchführen, aber die Verstärkung AV in diesem Fall wird niedrig sein.
English: For example, under the condition of supply voltage VDD=0.5 V and threshold voltage VT=0.35 V, the MOS transistor M1 can perform the amplifying operation but the gain AV in this case will be low.
German: Die vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf ein VPN (Virtual Private Network) und im Besonderen auf ein Verfahren, um Daten zu übertragen/zu empfangen für einen mobilen Node über ein VPRN (Virtual Private Router Network).
English: The present invention relates generally to a VPN (Virtual Private Network), and in particular, to a data transmitting/receiving method for a mobile node over a VPRN (Virtual Private Router Network).
German: Beispiele derer umfassen ein Material auf der Grundlage eines Übergangsmetalls, wie etwa Nickel (Ni), Titan (Ti), Kupfer (Cu), Aluminium (Al) und Eisen (Fe).
English: Examples thereof include a material based on a transition metal such as nickel (Ni), titanium (Ti), copper (Cu), aluminum (Al) and iron (Fe).
German: Diese Kenntnis basiert in der Regel auf der Ursprungsquelle (PSTN/GSM/IP-Adresse usw.) und/oder der Zieladresse der Daten, kann jedoch auch auf beispielsweise allgemein eingesetzten Kommunikationsstandards basieren.
English: This knowledge is typically based on the source of origin (PSTN/GSM/IP address etc.) and/or the destination address of the data, but can also be based on for example common used communication standards.
German: Die Zellpositions- Information (C_POSI) enthält die Identifikationsnummer (C_VOB_IDN) der Video-Objekteinheit (VOBS) 85 in der Zelle 84 sowie die Zell-Identifikationsnummer (C_IDN) gemäß Fig. 24.
English: The cell position information (C_POSI) contains the identification number (C_VOB_IDN) of the video object unit (VOBS) 85 in the cell 84 and the cell identification number (C_IDN) as shown in FIG. 24.
German: Das Teleskop ( 64 ) umfasst eine erste Linse ( 72 ) und eine zweite Linse ( 74 ), und die Apertur der ersten Linse ( 72 ) ist in Fig. 7 bei ( 76 ) gezeigt.
English: The telescope (64) comprises a first lens (72) and a second lens (74) and the aperture of the first lens (72) is shown in Figure 7 at (76).
German: Vorzugsweise gilt M=2 (2m+ 1)+x und N=2 (2n+1)-x, wobei x=0 oder 1, m = 0, 1 oder 2 und n eine ganze Zahl ist.
English: Preferably, M = 2(2m+1)+x, and N = 2(2n+1)-x where x=0 or 1, m = 0, 1 or 2 and n is an integer.
German: Beispielsweise können das Servercluster „ 1 “ und das Servercluster „ 2 “ neun Server umfassen, wobei zumindest einer ein RS 100 ist, z. B. Server „ C1 - S2 “ und Server „ C2 - S2 “.
English: For example, server cluster ‘1’ and server cluster ‘2’ may include nine servers, where at least one is an RS 100, e.g., server ‘C1-S2’ and server ‘C2-S2’.
German: Fig. 22B ist eine Vergrößerung eines Gebiets Q in Fig. 22A, während Fig. 22C eine Vergrößerung eines Gebiets S in Fig. 22A ist.
English: FIG. 22B is an enlargement of area Q in FIG. 22A, while FIG. 22C is an enlargement of area S in FIG. 22A.
German: Ein zeitbasiertes OTP kann ein Passwort sein, das sich jeweils nach einem Zeitraum ändert (z. B. alle 30 Sekunden, jede Minute, jede Stunde usw.).
English: A time-based OTP may be a password that changes every period of time (e.g., changes every 30 seconds, every minute, every hour, etc.).
German: Der erste lokale Oszillator 93 gibt ein Signal LO1 aus und der zweite lokale Oszillator 94 gibt ein Signal LO2 aus, wie in Fig. 7 veranschaulicht.
English: The first local oscillator 93 outputs a signal LO1 and the second local oscillator 94 outputs a signal LO2, as depicted in Fig. 7.
German: Der SEGDEC-Block 56 besitzt die Eingänge LINEAR, NLINEAR, AU, NAU, DARF1, DARF2, SGQ, SGNQ, M1Q bis M3Q, M1NQ bis M3NQ und B5Q bis B9Q.
English: SEGDEC block 56 has inputs LINEAR, NLINEAR, AU, NAU, DARF1, DARF2, SGQ, SGNQ, M1Q through M3Q, M1NQ through M3NQ and B5Q through B9Q.
German: Bezüglich der zweiten Stufe der Wärmebehandlung bei 540°C wurde die Wärmebehandlung für 2 Stunden durchgeführt, und die Abkühlrate während des Abkühlprozesses wurde auf 100°C/min eingestellt.
English: With respect to the second stage of heat treatment at 540° C., the heat treatment was performed for 2 hours, and the cooling rate during the cooling process was set to be 100° C./min.
German: Fig. 17A bis Fig. 17B sind Querschnittsprozessansichten im Anschluss an Fig. 16D des Herstellungsverfahrens für den MOSFET gemäß der dritten Modifizierung der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
English: FIG. 17A to FIG. 17B are cross-sectional process views subsequent to FIG. FIG. 16D of the manufacturing method of the MOSFET according to the third modification of the first embodiment of the present invention;
German: Eine umlaufende eingebettete Struktur 800, wie sie oben beschrieben wurde, z.B. eine eingebettete Struktur 800 mit zwei vertikal getrennten Substrukturen 810, 820 wie unter Bezugnahme auf Fig. 8A und Fig. 8B beschrieben, umgibt das aktive Gebiet 610.
English: A circumferential embedded structure 800 as described above, e.g., an embedded structure 800 with two vertically separated substructures 810, 820 as described with reference to FIGS. 8A and 8B surrounds the active region 610.
German: Dann sendet der Client eine Authentifikationsanforderung an den Identitätsanbieter IdP, zum Beispiel als SOAP-Nachricht, verwendet aber das Dienstanbieter-Alias SP-PN statt des wirklichen Dienstanbieter-Namens SP-Name.
English: Then, the client sends an authentication request to the identity provider IdP, for example as SOAP message, but utilizes the service provider alias SP-PN instead of the real service provider name SP-Name.
German: Das Batteriemanagementsystem 92 kann auch mit dem Kommunikationsbusanschluss 70 gekoppelt sein, sodass das Batteriemanagementsystem 92 auch Daten mit dem Kommunikationsbus des Kraftfahrzeugs austauschen kann.
English: The battery management system 92 can also be coupled with the communication bus connection 70 so that the battery management system 92 can also exchange data with the communication bus of the motor vehicle.
German: Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist z. B. die Mobilstation 130 in der Zelle 106 verbunden, die Mobilstation 132 ist in der Zelle 104 verbunden und die Mobilstation 134 ist in den Zellen 104 und 108 verbunden.
English: For example, as shown in Figure 1, mobile station 130 is connected in cell 106, mobile station 132 is connected in cell 104, and mobile station 134 is connected in cells 104 and 108.
German: Hier repräsentiert das Präfix c L, R oder B, CL(x, y) repräsentiert ein Luminanzsignal, CR(x, y) ein erstes Farbdifferenzsignal und CB(x, y) ein zweites Farbdifferenzsignal.
English: Herein the prefix c represents one of L, R and B, CL(x, y) represents a luminance signal, CR(x, y) a first color differential signal, and CB(x, y) a second color differential signal.
German: Die Metallpartikel 11 befinden sich nahezu sämtliche im Kontakt mit der zweiten Elektrode 42, und die erste Elektrode 1 und die zweite Elektrode 42 sind durch den elektrisch isolierenden Klebstoff 7 verbunden (Fig. 1).
English: The metal particles 11 almost all are in contact with the second electrode 42 and the first electrode 1 and the second electrode 42 are bonded by the electrically insulative adhesive 7 (Fig. 1).
German: Die Längen "P" der Leitungen 302, 304 des ersten Hochfrequenzleitungspaares 230 betragen 0,49379 mm, und die Längen "P" des zweiten Hochfrequenzleitungspaares 234 betragen 0,53553 mm.
English: The lengths "P" of the lines 302, 304 of the first high-frequency line pair 230 amount to 0.49379 mm and the lengths "P" of the second high-frequency line pair 234 amount to 0.53553 mm.
German: Genauso sendet bei Schritt 97 ein Terminal-C 94 eine REGISTER-Nachricht an eine CSCF-2 95 und ihren zugeordneten PIM-Server und identifiziert sich selbst als userC@y.com.
English: Likewise, at step 97, Terminal-C 94 sends a REGISTER message to CSCF-2 95 and its associated PIM server, and identifies itself as userC@y.com.
German: Die wesentlichen Komponenten des Kommunikationssystems sind der Clienteinrichtung 10, der Werbemittelserver (Ad-Server) 20 sowie der Proxyserver (VAST-Proxy Service) 30 und der Informationsserver (P7S1 CDN) 40.
English: The main components of the communication system are the client device 10, the advertising media server (ad server) 20 and the proxy server (VAST proxy service) 30 and the information server (P7S1 CDN) 40.
German: Bezugnehmend auf Fig. 10 wird die Zunahme der Modulation mit Imod2 (bei der Temperatur T2) bezeichnet, die größer ist als Imod1 (bei der Temperatur T1).
English: Referring to FIG. 10, the increase in modulation is indicated by Imod2 (at temperature T2), which is greater than Imod1 (at temperature T1).
German: Eine SiO2-Schicht 54 wird auf der nicht porösen Schicht 53 gebildet, und die resultierende Struktur wird vorzugsweise als das erste Substrat verwendet ( Fig. 1C).
English: An SiO2layer 54 is formed on the non-porous layer 53, and the resultant structure is preferably used as the first substrate (Fig. 1C).
German: Wiederum berechnen die Addierer 85, 86 und 87 dann aus z*A,1 die werte z*B,1, z*C,1 und z*D,1, die wiederum in den FIFO's 90A usw. gespeichert werden.
English: Again, adders 85, 86 and 87 will then calculate from z*A,1the values z*B,1, z*C,1and z*D,1which are again stored in the FIFO's 90A etc.
German: Die Breite D1 der ersten Öffnung 202 ist ausgewählt, um ein Ätzen durch die Dicke des Substrates 102 (das heißt von der ersten Oberfläche 104 zu der zweiten Oberfläche) zu fördern, um den PMT 103 offenzulegen.
English: The width D1of the first opening 202 is selected to foster etching through the thickness of the substrate 102 (i.e., from the first surface 104 to the second surface) to reveal the PMT 103.
German: Die Substratoberfläche wurde galvanisch poliert in einer wässrigen Lösung von H3PO4 (30%), CrO3 (15%) und H2SO4 (7%) bei der Verwendung einer Stromdichte von 0,5 A/cm2.
English: Substrate surface was galvanically polished in water solution of H3PO4(30 %), CrO3(15 %) and H2SO4(7 %) using a current density of 0.5 A/cm2.
German: Daher gelten einige dieser Werte für LEDs mit aktiven Zonen deren [In] > 25% (oder > 30%, 40%, 50%, 60%) ist oder im Bereich von 25 - 60% liegt.
English: Accordingly, some of these values apply to LEDs with active regions having [In]>25% (or >30%, 40%, 50%, 60%) or in the range 25-60%.
German: Falls andererseits zCT = (zTSi + 1) mod 4 oder zCT = (zTSi + 2) mod 4 ist, stellt TSi eine Zeit in einer vorhergehenden Zone, d.h. in der Vergangenheit in bezug auf CT, dar.
English: Otherwise, if zCT= (zTSi+ 1) mod 4 or zCT= (zTSi+ 2) mod 4, then TSirepresents a time in a previous zone, i.e., in the past with respect to CT.
German: Fig. 49 stellt ein Szenario dar, in dem der SN 1409 einen Alarm sendet (Schritt 4901 ), und danach einen „Leerlauf" Timeout ermittelt (Schritt 4903 ).
English: FIG. 49 illustrates a scenario in which the SN 1409 sends an Alert (step 4901), and subsequently detects an "idle" timeout (step 4903).
German: Das Übertragungssignal des UMTS-Schemas wird dem Übertragungsendgerät Tx3 zugeführt und dann durch den Duplexer 90, den Schaltkreis 85 und den Diplexer 81 zur Antenne ANT weitergeleitet.
English: The transmission signal of the UMTS scheme is supplied to the transmission terminal Tx3, and is then forwarded through the duplexer 90, the switching circuit 85, and the diplexer 81 to the antenna ANT.
German: Die leitenden Anschlüsse 408 koppeln elektrisch und/oder physisch das Substrat 402 einschließlich der Metallisierungsschichten in dem Substrat 402 an das zweite Package 200.
English: The conductive connectors 408 electrically and/or physically couple the substrate 402, including metallization layers in the substrate 402, to the second package 200.
German: Beispielsweise kann die Breite der ersten Trenches ungefähr 20 bis 130 nm, beispielsweise 40 bis 120 nm längs der ersten Hauptoberfläche 110 des Halbleitersubstrats 100 sein.
English: For example, the width of the first trenches may be approximately 20 to 130 nm, for example, 40 to 120 nm along the first main surface 110 of the semiconductor substrate 100.
German: Die Lichtquellenvorrichtung 11203 enthält eine Lichtquelle wie etwa beispielsweise eine lichtemittierende Diode (LED) und liefert Bestrahlungslicht an das Endoskop 11100 beim Aufnehmen eines Operationsteils oder dergleichen.
English: The light source device 11203 includes a light source such as a light emitting diode (LED) for example, and supplies irradiation light to the endoscope 11100 in capturing an operation portion or the like.
German: Der Frequenzbereich 100 erstreckt sich von etwa 50 MHz bis beinahe 900 MHz, und er wird normalerweise in Kanäle 102 von 6 bis 8 MHz unterteilt, von welchen der Klarheit. halber nur drei dargestellt sind.
English: The frequency range 100 extends from about 50 MHz to almost 900 MHZ, and it is typically divided into channels 102 of 6 - 8 MHz, of which only three are shown for clarity.
German: In Fig. 4 haben Zellen (1) bis (4) im Wesentlichen den gleichen Aufbau wie in Fig. 3A gezeigt ist, und eine Zelle ( 5 ) hat im Wesentlichen den gleichen Aufbau wie in Fig. 3B gezeigt ist.
English: In FIG. 4, cells (1) to (4) have substantially the same structure as shown in FIG 3A, and a cell (5) has substantially the same structure as shown in FIG 3B.
German: Beginnend bei at = f(x) wird das Material vom Werkstück W entfernt durch Bewegen der bewegbaren Maske M32, so dass sie einer inversen Funktion von f(x) folgt, d. h. x = fi(at) zum Bilden der Krümmung.
English: Starting from at=f(x), the material from the workpiece W is removed by moving the movable mask M32 to follow an inverse function of f(x), i.e. x=fi(at) to form the curvature.
German: Der Prozeß SCSP121 sendet anschließend REL_CMP-Nachrichten (Fig. 14) an die Anschlußgeräte 182 und 183, und die Blöcke DALB182, BRCS182, DALB183 und BRCS183 werden freigegeben.
English: Process SCSP121 then transmits REL_CMP messages (FIG. 14) to terminals 182 and 183, and the blocks DALB182, BRCS182, DALB183, and BRCS183 are released.
German: Der erste Knoten B 202 empfängt den CPICH, der von der Zelle#2 des zweiten Knotens B 203 gesendet wird, misst die beobachtete SFN-SFN Zeitdifferenz 206 und sendet den sich ergebenden Wert an die RNC 201.
English: The first Node B 202 receives CPICH transmitted from the cell #2 of the second Node B 203, measures the SFN-SFN observed time difference 206, and transmits the resultant value to the RNC 201.