mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Die Opferschicht kann eine Schicht aus Silikatglas, SG, eine Schicht aus mit Phosphor dotiertem Silikatglas, PSG, eine Schicht aus mit Bor dotiertem Silikatglas, BSG, eine Schicht aus mit Bor und Phosphor dotiertem Silikatglas, BPSG, eine Schicht aus Tetraethylorthosilikatglas, TEOS, ein fluoriniertes Dielektrikum, ein stark poröses Dielektrikum, eine Schicht aus Silikat-on-Glas, SOG, eine Schicht aus mit Phosphor dotiertem Silikat-SOG oder Kombinationen aus diesen sein.
English: The sacrificial layer may be a silicate glass, SG, layer; a phosphorus-doped silicate glass, PSG, layer; a boron-doped silicate glass, BSG, layer; a boron- and phosphorus-doped silicate glass, BPSG, layer; a tetraethyl-ortho-silicate-glass, TEOS, layer; a fluorinated dielectric; a highly porous dielectric; a silicate spin-on glass, SOG, layer; a phosphorus-doped silicate SOG layer or; combinations thereof.
German: Des Weiteren kann in einer Ausführungsform vorgesehen sein, dass das Metall des Metallchalkogenids der Kontaktschicht bzw. der zweiten Lage der Kontaktschicht ausgewählt ist aus Molybdän, Wolfram, Tantal, Zirkonium, Cobalt und/oder Niob und dass das Chalkogen des Metallchalkogenids ausgewählt ist aus Selen und/oder Schwefel, wobei das Metallchalkogenid insbesondere MSe2, MS2 und/oder M(Se1-x, Sx)2 darstellt mit M = Mo, W, Ta, Zr, Co oder Nb, wobei x beliebige Werte von 0 bis 1 annimmt.
English: Furthermore, in one specific embodiment, it may be provided that the metal of the metal chalcogenide of the contact layer, or the second ply of the contact layer, is selected from molybdenum, tungsten, tantalum, zirconium, cobalt and/or niobium and that the chalcogenide of the metal chalcogen is selected from selenium and/or sulfur, the metal chalcogenide representing in particular MSe2, MS2and/or M(Se1-x,Sx)2where M=Mo, W, Ta, Zr, Co or Nb, x assuming arbitrary values from 0 to 1.
German: Der Motor 12, die elektrische Maschine 16 und die Räder 20 sind auf eine beliebige geeignete/bekannte Weise mechanisch mit dem Getriebe 18 verbunden (wie durch dicke Linien gezeigt), so dass der Motor 12 und/oder die elektrische Maschine 16 die Räder 20 antreiben kann, der Motor 12 und/oder die Räder 20 die elektrische Maschine 16 antreiben können und die elektrische Maschine 16 den Motor 12 antreiben kann.
English: The engine 12, electric machine 16 and wheels 20 are mechanically connected with the transmission 18 (as indicated by thick lines) in any suitable/known fashion such that the engine 12 and/or electric machine 16 may drive the wheels 20, the engine 12 and/or wheels 20 may drive the electric machine 16, and the electric machine 16 may drive the engine 12.
German: Somit wird ein hoher Grad an Anisotropie in Bezug auf die katalytischen Eigenschaften der Aktivierungsschicht 121 in der Öffnung 120 geschaffen, was sogar noch weiter verstärkt werden kann, indem beispielsweise ein isotroper Ätzprozess ausgeführt wird, wodurch effizient ein moderat dünner Oberflächenbereich der Aktivierungsschicht 121 entfernt wird, während eine ausreichende Menge des Katalysatormaterials an der Unterseite 120 je beibehalten wird und wodurch auch effizient das entsprechende Katalysatormaterial von den Seitenwandbereichen 120s entfernt wird.
English: Thus, a high degree of anisotropy with respect to the catalytic characteristics of the activation layer 121 may be created within the opening 120, which may be even further enhanced by, for instance, performing an isotropic etch process, thereby efficiently removing a moderately thin surface portion of the activation layer 121while maintaining a sufficient amount of catalyst material at the bottom 120B and also efficiently removing the corresponding catalyst material from the sidewall portions 120S.
German: Der erste elektrische Verbinder 52 und der dritte elektrische Verbinder 92 wirken zusammen, um das Kühlmodul 30 und das Abstandshaltermodul 70 in einer gestapelten Beziehung miteinander zu verbinden, um den sich wiederholenden Zellenrahmen 12 zu bilden, wobei die erste Seite 34 des Rahmens 32 des Kühlmoduls 30 der zweiten Seite 76 des Rahmens 72 des Abstandshaltermoduls 70 zugewandt ist und das erste Abdichtungselement 50 dazwischen eine im Wesentlichen mediendichte Abdichtung bildet.
English: The first electrical connector 52 and the third electrical connector 92 cooperate to join together the cooling module 30 and the spacer module 70 in a stacked relation to form the repeating cell frame 12, wherein the first side 34 of the frame 32 of the cooling module 30 faces the second side 76 of the frame 72 of the spacer module 70 and the first seal member 50 forms a substantially media tight seal therebetween.
German: Zum Beispiel umfasst eine Gruppe von ersten Teilregionen der elektrisch isolierenden Schichtstruktur 120 hauptsächlich lokale Regionen (z. B. mehr als 70% der lokalen Regionen der ersten Teilregionen) mit einer positiven Ladung (z. B. Mehrheit von Löchern oder Ionen) und eine Gruppe von zweiten Teilregionen der elektrisch isolierenden Schichtstruktur 120 umfasst hauptsächlich lokale Regionen (z. B. mehr als 70% der lokalen Regionen der zweiten Teilregionen) mit einer negativen Ladung (z. B. Mehrheit von Elektronen).
English: For example, a group of first sub regions of the electrically insulating layer structure 120 comprises mainly local regions (e.g. more than 70% of the local regions of the first sub regions) with positive charge (e.g. majority of holes or ions) and a group of second sub regions of the electrically insulating layer structure 120 comprises mainly local regions (e.g. more than 70% of the local regions of the second sub regions) with negative charge (e.g. majority of electrons).
German: Da der Außendurchmesser des Elektroden-Verbindungsendes 305 an der Arretierung 243 größer ist als der Innendurchmesser des Kathoden-Verbindungsendes 255 an der Kontaktfläche 289 bleiben die Elektrodendorne 361 in einem nach innen gebogenen Zustand, nachdem die Elektrode 237 in die Kathode 233 eingeführt wurde, damit die Vorspannkräfte aufrechterhalten bleiben, die die Elektrodenarretierung 245 nach außen gegen die Kathoden-Kontaktfläche drücken und so zu einem guten elektrischen Kontakt zwischen der Kathode 233 und der Elektrode beitragen.
English: Since the outer diameter of the electrode connecting end 305 at the detent 243 is greater than the inner diameter of the cathode connecting end 255 at the contact surface 289, the electrode prongs 361 remain in an inward deflected state after insertion of the electrode 237 in the cathode 233 to maintain the biasing forces urging the electrode detent 245 outward against the cathode contact surface for promoting good electrical contact between the cathode 233 and electrode.
German: Wie Hongo, so wendeten auch Wang u. a. in US 4 651 325, Wang u. a. in "Radio Frequency Pumped Mid Infrared Waveguide Lasers", IEEE JQE, QE-20, (3) März 1984, S. 276-283, und Wang et alias in "RF-Pumped Infrared Laser Using Transverse Gas Flow", IEEE JQE QE 20, (3) März 1984, S. 284-28, die transversale HF-Anregung auf einen Wellenleiter-Entladungsraum mit Elektroden, die 2 mm breit, jedoch nur 3 mm voneinander beabstandet waren, an.
English: Like Hongo et al, Wang et al in U.S. 4,651,325, Wang et al in "Radio Frequency Pumped Mid-Infrared Waveguide Lasers", IEEE JQE, QE-20, (3) Mar 1984, pp276-283, and Wang et alias in "RF-Pumped Infrared Laser Using Transverse Gas Flow", IEEE JQE QE-20, (3) Mar 1984, pp284-28 employed transverse RF excitation to a waveguide discharge chamber with electrodes that were 2 mm wide but spaced by 3 mm.
German: Fig. 20d zeigt die Ströme i1, i2 und i3, die zu den entsprechenden Phasen der Statorwicklungen 11, 12 und 13 geleitet werden sollen, in denen solche Ströme, die jeweils dem Unterschied zwischen den Antriebsspannungen v1, v2 und v3, die angelegt werden sollen, und den induzierten Spannungen e1, e2 und e3 proportional sind, die jeweils in den Statorwicklungen 11, 12 und 13 induziert werden, oder i = (V - e)/R (R = der Wicklungswiderstand) fliessen.
English: Fig. 20d shows the currents i1, i2 and i3 to be conducted to the respective phases of the stator windings 11, 12 and 13, in which such currents that are respectively proportional to the differences between the driving voltages v1, v2 and v3 to be applied and the induce voltages e1, e2 and e3 induced respectively in the stator windings 11, 12 and 13, or i = (v - e)/R (R = winding resistance) are flowed.
German: Das Verfahren 400 stellt eine Iteration des Prozesses zum Rendern und Anzeigen eines Lichtfeldrahmens für eine der Anzeige 110 für das linke Auge und der Anzeige 112 für das rechte Auge dar und somit wird der dargestellte Prozess wiederholt für jede der Anzeigen 110, 112 durchgeführt, um einen unterschiedlichen Strom oder Folge von Lichtfeldrahmen für jedes Auge zu unterschiedlichen Zeitpunkten zu erzeugen und anzuzeigen, und stellt dem Anwender somit eine 3D-autostereoskopische VR- oder AR-Erfahrung bereit.
English: The method 400 illustrates one iteration of the process for rendering and displaying a lightfield frame for one of the left-eye display 110 or right-eye display 112, and thus the illustrated process is repeatedly performed in parallel for each of the displays 110, 112 to generate and display a different stream or sequence of lightfield frames for each eye at different points in time, and thus provide a 3D, autostereoscopic VR or AR experience to the user.
German: Das demodulierte Helper-Signal Y''' der oberen 72 und unteren 72 wird in der Auflconversionsmatrix 36 mit dem Luminanzsignal Y' oder Y" der mittleren 430 Zeilen kombiniert, um in das Luminanzsignal Y von 575 Zeilen mit verbesserter vertikaler Auflösung hochkonvertiert zu werden, während die Farbdifferenzsignal U' oder U" und V' oder V" der mittleren 430 Zeilen ebenfalls in die Farbdifferenzsignale U und V von 575 Zeilen hochkonvertiert werden.
English: The demodulated helper signal Y''' of the upper 72 and lower 72 are combined with the luminance signal Y' or Y'' of the middle 430 lines in the up-conversion matrix 36 so as to be up-converted into the luminance signal Y of 575 lines with an improved vertical resolution, while the color difference signals U' or U'' and V' or V'' of the middle 430 lines are also up-converted into the color difference signals U and V of 575 lines.
German: In Fig. 7 sind der Schrittmotor 10a, der Antriebsabschnitt 40, die Stromtreiber 42 und 44, die Digitalisierungsschaltung 52, der Zähler 54, der Codeumsetzer 56, der Datenselektor 58, der Flansch 72, die Verstellschraube 74, das Lager 76, das Gehäuse 80, die Führungswelle 82, die Spindel 85, der Kopf 90, der Mutterabschnitt 92, die Feder 94 und die optische Platte 95 die gleichen Elemente wie jene, die in dem zweiten Beispiel verwendet werden.
English: In Figure 7, the stepping motor 10a, the drive section 40, the current drivers 42 and 44, the digitizer circuit 52, the counter 54, the code converter 56, the data selector 58, the flange 72, the lead screw 74, the bearing 76, the chassis 80, the guide shaft 82, the spindle 85, the head 90, the nut piece 92, the spring 94 and the optical disk 95 are the same as those used in the second example.
German: Der einzige Unterschied in den Verfahrensschritten ist, dass bei Schritt 4 (S4) in Fig. 4 anstelle des Einsetzens der Zellen 43, 44, welche zusammen verbunden worden sind in einem vorbestimmten Positionsverhältnis zusammen zwischen dem Verbindungsstab 23 und dem Rückhaltestück 24 des Rahmenkörpers 20 in der ersten Ausführungsform, die Zellen 43, 44 entsprechend in zwei Hohlräume eingesetzt werden, welche durch den Abtrennungsvorsprung 38, die Bodenwand 34 und die Seitenwände 37 auf beiden Seiten ausgebildet sind.
English: The only difference in the process steps is that at step 4 (S4) in Fig. 4, instead of inserting the cells 43, 44 that have been joined together in a predetermined positional relationship between the connecting bar 23 and the retaining piece 24 of the frame body 20 in the first embodiment, the cells 43, 44 are inserted respectively into two cavities formed by the partition boss 38, the bottom wall 34, and the side walls 37 on both sides.
German: Der Gateway Support Node GGSN überträgt eine Bestätigungsmitteilung über die Deaktivierung der Paketdatenverbindung (Antwort auf das Löschen der PDP-Verbindung) zu dem bedienenden Support Node SGSN (Stufe 515 ), der das drahtlose Endgerät MS1 des Weiteren über die Dekativierung der Verbindung mit einer Deaktivierungsbestätigungsmitteilung (Antwort auf die Deaktivierung der PDP-Verbindung) informiert, wie durch die Stufe 516 in Fig. 5c dargestellt ist.
English: The gateway support node GGSN transmits an acknowledgement message on the deactivation of the packet data connection (Delete PDP Context Response) to the serving support node SGSN (stage 515), which further informs the wireless terminal MS1 of the deactivation of the connection with a deactivation acknowledgement message (Deactivate PDP Context Response), as illustrated by stage 516 in Fig. 5c.
German: Ähnlich wie der Zeitstrahl in den Fig. 2A und Fig. 3A schließt der Zeitstrahl in Fig. 4A drei Zeitpunkte ein: t = 0 ist der Zeitpunkt, zu dem der Server 102 die Commit-Anfragen CR(t1) an den entfernten Server 104-1 bis 104-4 ausgibt, ta1 ist die vorher festgelegte Abbruchzeit, t1 ist der festgelegte zukünftige Zeitpunkt, zu dem der Server 102 die entfernten Server 104-1 bis 104-4 auffordert, einer Durchführung der Transaktion zuzustimmen.
English: Similar to the timeline in FIGS. 2A and 3A, the timeline in FIG. 4A includes three time points: t=0 is the time when the server 102 issues the commit requests CR(t1) to the remote server 104- 1 to 104- 4, ta1is the predetermined abort time, t1is the designated future time that the server 102 is requesting the remote servers 104- 1 to 104- 4 to agree to perform the transaction.
German: Folglich bildet beispielsweise das Paar von Substraten 3A und 3B auf der linken Seite in der orthogonalen Richtung C (linke Seite in Fig. 1) den U-Phasenarm 32u, das Paar von Substraten 3A und 3B in der Mitte in der orthogonalen Richtung C bildet den V-Phasenarm 32v und das Paar von Substraten 3A und 3B auf der rechten Seite in der orthogonalen Richtung (rechte Seite in Fig. 1) bildet den W-Phasenarm 32b.
English: Thus, for example, the pair of substrates 3A and 3B on the left side in the perpendicular direction C (left side in FIG. 1) form the U-phase arm 32u, the pair of substrates 3A and 3B in the center in the perpendicular direction C form the V-phase arm 32v, and the pair of substrates 3A and 3B on the right side in the perpendicular direction C (right side in FIG. 1) form the W-phase arm 32w.
German: Gemeinsames Demodulieren ist beispielsweise im US-Patent 5,506,861 von Bottomley mit dem Titel "System and Method for Joint Demodulation of CDMA Signals", dem US-Patent 5,640,432 von Wales mit dem Titel "Co-Channel Interference Suppression System" und der US-Patentanmeldung mit der Seriennummer 09/143,821 von Hafeez et al. mit dem Titel "Method and Systems for Reducing Co-Channel Interference Using Multiple Timings for a Received Signal", angemeldet am 31. August 1998 und dem Inhaber der vorliegenden Erfindung gehörig, beschrieben.
English: Joint demodulation is described, for example, in U.S. Patent 5,506,861 to Bottomley entitled System and Method for Joint Demodulation of CDMA Signals;U.S. Patent 5,640,432 to Wales entitled Co-Channel Interference Suppression System;and U.S. Patent Application Serial No. 09/143,821 to Hafeez et al., entitled Methods and Systems for Reducing Co-Channel Interference Using Multiple Timings for a Received Signalfiled on August 31, 1998, and assigned to the assignee of the present invention.
German: Wenn das wie vorstehend beschrieben streng verwaltete SIM 9 an der zu verwendenden Informationskommunikationsvorrichtung 21 befestigt wird, wird das dem SIM 9 entsprechende Passwort im Voraus auf der Seite der Informationskommunikationsvorrichtung 21 festgelegt und registriert und eine Sequenz zum Prüfen, ob das Passwort des befestigten SIM 9 mit dem in der Informationskommunikationsvorrichtung 21 registrierten Passwort übereinstimmt, in einer Sequenz in der bei der Kommunikation verwendeten Kommunikationsbetriebsart, d.h. eine Passwortprüfung, wird hinzugefügt.
English: When the SIM 9 strictly managed as described above is fixed to the information communication apparatus 21 to be used, the password corresponding to the SIM 9 is set and registered in advance on the information communication apparatus 21 side, and a sequence for checking whether the password of the fixed SIM 9 coincides with the password registered in the information communication apparatus 21 in a sequence in the communication mode used in communication, i.e., a password check, is added.
German: Mit Bezugnahme auf Fig. 2 (die bereits in Fig. 1 gezeigten Elemente sind mit den gleichen Bezugszeichen oder Symbolen bezeichnet), ist der Eingang IN2 mit der Einheit 205 verbunden zum Verbessern der Ausgabe des Lichtsensors 120 ; die Einheit 205 modifiziert typischerweise das aufgenommene digitale Bild durch einen Interpolationsprozess, leitet die fehlenden RGB-Komponenten ab, um Unschärfe zu eliminieren, und erhöht die Anzahl von Pixeln, um die Auflösung durch bekannte und herkömmliche Techniken zu verbessern.
English: With reference now to Figure 2, (the elements already shown in Figure 1 are identified by the same reference numerals or symbols), the input IN2 is connected to a unit 205 for enhancing the output of the light sensor 120; the unit 205 typically modifies, by means of an interpolation process, the digital image acquired, deducing the missing RGB components in order to eliminate blurring, and increasing the number of pixels to improve resolution by known and conventional techniques.
German: Außerdem ist das zweite Element 8 vorteilhaft mit einem ausgestellten Abschnitt 14 versehen, der die Flamme (die sich aufgrund einer internen Explosion entwickelt haben könnte) nach oben ablenkt, was die Möglichkeit, dass die Flamme in den freien Raum zwischen dem zweiten Element 8 und der Antriebswelle 1 gelenkt wird, verringert und somit neben dem zweiteiligen Aufbau der Abdichtvorrichtung und den Kühlfinnen, die an der Oberfläche des zweiten Elements 8 vorgesehen sind, zusätzliche Sicherheit bietet.
English: Moreover, the second element 8 is advantageously provided with a flared portion 14 which deflects upward the flame (which might have developed because of an internal explosion), reducing the possibility of said flame being guided into the free space between the second element 8 and the driving shaft 1, and thus constituting an additional safety in addition to the two-part configuration of the sealing device and to the cooling fins provided on the surface of the second element 8.
German: Daher ist der Abstand d1 zwischen den Elektroden 2a und 3a der oberen Fläche auf die geeignetesten Masse entsprechend der Länge des piezoelektrischen Elements 10 festgelegt, welches in dem Raum zwischen den Elektroden 2a und 3a der oberen Fläche montiert ist, und der Abstand d2 zwischen den Elektroden 2b und 3b der unteren Fläche ist auf die geeignetesten Masse entsprechend dem Abstand der Elektrodengrundplatten eines Schaltungssubstrats festgelegt, auf welchem dieser piezoelektrische Resonanzbaustein montiert wird.
English: Therefore, the spacing d1 between the top-surface electrodes 2a and 3a is set to the most appropriate dimensions according to the length of the piezoelectric element 10 which is mounted in the space between the top-surface electrodes 2a and 3a, and the spacing d2 between the bottom-surface electrodes 2b and 3b is set to the most appropriate dimensions according to the spacing of electrode pads of a circuit substrate on which this piezoelectric resonator component is mounted.
German: Die Kurvensegmente 114'', 116'', 118'', 120'' und 124'' in der Fig. 44a entsprechen allgemein den Bereichen 114, 116, 118, 120 bzw. 124 der Kurzkanalstruktur A und stellen somit verschiedentlich die Konzentrationen NT des gesamten p-Typ Dotiermittels entlang der vertikalen Linien in den Abständen x gleich 0,0 µm bzw. 0,7 µm durch den Sourceanschluss 102 bzw. den Drainanschluss 104 dar.
English: Curve segments 114", 116", 118", 120", and 124" in Fig. 44a respectively generally correspond to regions 114, 116, 118, 120, and 124 of short-channel structure A and thus variously represent concentrations NT of the total p-type dopant along the vertical lines at distances x of 0.0 and 0.7 μm through source 102 and drain 104.
German: Es wird wieder auf Block 72 Bezug genommen, falls die Suche innerhalb des lokalen Netzes 16 nicht erfolgreich war, stellt Block 78 das Zurücksenden eines Berichtes der erfolglosen Suche dar, und danach wird der Bericht der erfolglosen Suche an das öffentliche Datenverarbeitungsnetz 10 über die Verbindung 38 an den Netzknoten 12 zurückgesendet, und der Prozeß geht dann weiter zu Block 68 und setzt die Verarbeitung fort.
English: Referring again to block 72, in the event the search within local area network 16 was unsuccessful, block 78 illustrates the returning of an unsuccessful search report and thereafter, the unsuccessful search report is returned to wide area data processing network 10 via link 38 to network node 12 and the process then passes to block 68 and continues processing.
German: In Fig. 20A ist der obere Körper 221 geformt um eine vorbestimmte Länge r kürzer als der untere Körper 222 zu sein, und übereinstimmend hiermit, wie in Fig. 20B gezeigt, ist ein Substrat 21c, das keine Antennenvorrichtung aufweist und in dem oberen Körper 221 beherbergt ist, gebildet um eine vorbestimmte Länge r kürzer als ein Substrat 21a zu sein, das eine auf ihm gebildete Antennenvorrichtung aufweist und in dem unteren Körper 222 beherbergt ist.
English: In Fig. 20A, the upper body 221 is shaped to be shorter than the lower body 222 by a predetermined length r, and in conformity therewith, as shown in Fig. 20B, a substrate 21c having no antenna device and housed in the upper body 221 is formed to be shorter by the predetermined length r than a substrate 21a having an antenna device formed thereon and housed in the lower body 222.
German: Der Abstand 88 kann so ausgewählt werden, dass ein leitender Pfad 90 eine verteilte Kapazität mit dem Segment 16-3 bildet, so dass dann, wenn der positive Antennenspeiseanschluss 46B aktiv ist (z. B. wenn der Knoten 100 mit dem Anschluss 104 der einstellbaren Komponente 102D kurzgeschlossen ist), der leitende Pfad 90 elektrisch einen einzelnen integrierten Leiter mit dem Segment 16 - 3 bildet.
English: Distance 88 may be selected to allow conductive trace 90 to form a distributed capacitance with segment 16- 3 such that when positive antenna feed terminal 46B is active (e.g., when node 100 is shorted to terminal 104 of adjustable component 102D), conductive trace 90 electrically forms a single integral conductor with segment 16- 3.
German: Die leitenden Flächen oder Anschlüsse 35b-1 und 35b-2 des mittleren PTC-Elements 35b sind jeweils mit den innersten, leitenden Flächen 35a-2 und 35c-2, jeweils den äußeren PTC-Elementen 35a und 35c durch die Platten 38 und 38' des Kupfer-Wärmabfuhrelements, die sich jeweils zu dem mittleren Bereich 36b - 36b' der Klemmen 36 - 36' erstrecken und elektrischen Kontakt mit diesen herstellen, verbunden.
English: The conductive faces or terminals 35b-1 and 35b-2 of the central PTC element 35b are respectively connected to the innermost conductive faces 35a-2 and 35c-2, respectively of the outer PTC elements 35a and 35c by copper heat sink plates 38 and 38' which respectively extend to and make electrical contact with the mid-section 36b-36b' of the brackets 36-36'.