mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Ist die Befestigung 25 zwischen dem Batteriepaket 121 (Fig. 6) und dem Sockel des Ladegeräts 23 angeschlossen, so sind beispielsweise die Anschlüsse TD1, TD2, TD3 und TE des Batteriepakets 121 jeweils mit den Anschlüssen TP1, TP2, TP3 und TQ der Befestigung 25 verbunden, und die Anschlüsse TM, TO und TN des Ladegeräts 23 sind jeweils mit den Anschlüssen TR, TS und TT der Befestigung 25 verbunden.
English: When the attachment 25 is connected between the battery pack 121 (FIG. 6) and the socket of the charger 23, for example, the terminals TD1, TD2, TD3 and TE of the battery pack 121 are respectively connected to the terminals TP1, TP2, TP3 and TQ of the attachment 25, and the terminals TM, TO and TN of the charger 23 are respectively connected to the terminals TR, TS and TT of the attachment 25.
German: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann, da der Träger 102 eine seitliche Ausdehnung entlang der Richtung 101 aufweisen kann, die Batterie 106 zumindest seitlich mit dem elektronischen Schaltkreis 104 überlappen, was bedeuten kann, dass der Oberflächenbereich der Oberfläche 102a des Trägers 102 zumindest über einem Teil 107 der Batterie 106 zur Aufbringung einer gewünschten Struktur verwendet werden kann, z. B. eines elektronischen Schaltkreises 104, eines Sensors 104, einer elektro-mikromechanischen Vorrichtung 104 und/oder einer mikromechanischen Vorrichtung 104.
English: According to various embodiments, since the carrier 102 may have a lateral extension along the direction 101, the battery 106 may at least laterally overlap with the electronic circuit 104, which may imply, that the surface region of the surface 102 aof the carrier 102 at least over a part 107 of the battery 106 may be used for disposing a desired structure, e.g. an electronic circuit 104, a sensor 104, an electro-micromechanical device 104 and/or a micromechanical device 104.
German: Die dritten und vierten Kanäle 64 und 72 sind so angeordnet, daß sie dem Abstand der ersten und bzw. zweiten Kanäle 48 und 54 entsprechen, so daß, wenn der Keil 16 mit dem Klemmelement 14 in funktionsfähigem Eingriff ist, wie in Fig. 1 und 2 gezeigt wird, jeder dritte Kanal in einer gegenüberliegenden Beziehung mit einem entsprechenden ersten Kanal und jeder vierte Kanal in einer gegenüberliegenden Beziehung mit einem entsprechenden zweiten Kanal ist.
English: The third and fourth channels 64 and 72 are arranged to conform to the spacing of the first and second channels 48 and 54, respectively, so that when the wedge 16 is in operational engagement with the clamping member 14, as shown in Figures 1 and 2, each third channel is in opposing relationship with a respective first channel and each fourth channel is in opposing relationship with a respective second channel.
German: Der erste und der zweite Stator 18, 19 sind an dem Kopplungsring 20 derart fixiert, daß die Enden der äußeren Magnetpole 18a, 18b und der inneren Magnetpole 18c, 18d jenen der äußeren Magnetpole 19a, 19b und der inneren Magnetpole 19c, 19d gegenüberstehen, und daß die äußeren Magnetpole 18a, 18b und 19a, 19b voneinander durch die Breite der inneren Vorsprünge 20e, 20f des Kopplungsrings 20 beabstandet sind.
English: The first and second stators 18, 19 are so fixed on the coupling ring 20 that the ends of the outer magnetic poles 18a, 18b and the inner magnetic poles 18c, 18d are respectively opposed to those of the outer magnetic poles 19a, 19b and the inner magnetic poles 19c, 19d and that the outer magnetic poles 18a, 18b and those 19a, 19b are mutually separated by the width of internal projections 20e, 20f of the coupling ring 20.
German: Des weiteren ist ein Verbindungselement 271c so vorgesehen, dass es die Komponenten 271a, 271b elektrisch verbindet, wobei das Verbindungselement 271c aus dem gleichen Material wie eine der Komponenten 271a, 271b aufgebaut sein kann, oder dieses besitzt darin ausgebildet eine entsprechende Grenzfläche zwischen den beiden unterschiedlichen Materialien, wie sie auch in den Komponenten 271a, 271b verwendet sind, oder das Verbindungselement 271c ist aus einem anderen Material aufgebaut, um damit die erforderliche elektrische Verbindung zu erzeugen.
English: Furthermore, a connecting element 271C may be provided to electrically connect the components 271A, 271B, wherein the connecting element 271C may be comprised of the same material as one of the components 271A, 271B or may have formed therein a corresponding interface between the two different materials as also used in the components 271A, 271B, or the connecting element 271C may be comprised of any other material in order to establish the electrical connection required.
German: Gemäß einigen Ausführungsformen kann der mittige Abschnitt 231 - 1 der linken oberen Finne 218-1, über dem der linke Dummy-Stapel 230 - 1 liegt, als ein jeweiliger Leitungskanal von einem der mindestens zwei FinFETs dienen; und der mittige Abschnitt 231 - 2 der rechten oberen Finne 218-2, über dem der rechten Dummy-Stapel 230 - 2 liegt, kann als ein jeweiliger Leitungskanal des anderen der mindestens zwei FinFETs dienen, was unten noch besprochen wird.
English: According to some embodiments, the central portion 231- 1 of the left upper fin 218- 1, overlaid by the left dummy stack 230- 1, may serve as a respective conduction channel of one the at least two FinFETs; and the central portion 231- 2 of the right upper fin 218- 2, overlaid by the right dummy stack 230- 2, may serve as a respective conduction channel of the other one of the at least two FinFETs, which will be discussed below.
German: Wieder mit Bezug zu Fig. 1a bestimmt insbesondere die Gatelänge der ersten und zweiten Halbleiterelemente 110 und 130 die Kanallänge dieser Elemente und beeinflusst daher, wie zuvor erläutert ist, in markanter Weise die elektrischen Eigenschaften der ersten und zweiten Halbleiterelemente und 110 und 130, wobei ein reduzierte Gatelänge einen erhöhten Widerstand der Gateelektroden 115, 135 aufgrund der Verringerung der Querschnittsfläche der Gateelektroden 115, 135 zur Folge hat.
English: Again referring to FIG. 1a, in particular the gate length of the first and second semiconductor elements 110 and 130 determines the channel length of these devices and, therefore, as previously pointed out, significantly affects the electrical characteristics of the first and second semiconductor elements 110 and 130, whereby a reduced gate length will result in an increased resistance of the gate electrodes 115, 135 owing to the reduction of the cross-sectional area of the gate electrodes 115, 135.
German: Bevorzugt, obwohl nicht unbedingt erforderlich, ist das zweite leitfähige Medium 474 des Kontrollheizelementes 452 aus einem PTC-Material derart gebildet, dass während Strom durch das Kontroll heizelement 452 fließt und die Temperatur des zweiten leitfähigen Mediums 474 höher wird, der Widerstand des zweiten leitfähigen Mediums ebenfalls höher wird, bis ein Ausgleich des elektrischen Stromflusses und eine Ausgleichstemperatur und/oder Ausgleichsheizleistung für das Kontrollheizelement 452 für jede Spannung erreicht wird, die durch die Stromquelle gespeist wird.
English: Preferably, although not necessarily required, the second conductive medium 474 of the control heater 452 is formed of a PTC material such that, as current flows through the control heater 452 and the temperature of the second conductive medium 474 gets higher, the resistance of the second conductive medium also gets higher until an equilibrium electrical current flow and an equilibrium temperature and/or heat output is achieved for the control heater 452 for any voltage supplied by the power source.
German: Fig. 3 zeigt, nachdem der MMS RS ein zusätzliches MM-Mehrfachelement W mit dem MM-Element-Kopffeld "C-P:ad/1" als Werbenachricht in die MM eingefügt hat, so wird die modifizierte MM an den MMS UA in der Mobilstation MS weitergeleitet 3. Das MM-Mehrfachelement mit der Werbenachricht W wird dann aufgrund des neuen MM-Element-Kopffeldes "C-P:ad/1" vom MMS UA in einem Speichermedium SM in der Mobilstation MS mit der Referenz "ad/1" gespeichert 4.
English: FIG. 3 shows that, after the MMS RS has inserted an additional MM multiple element W with the MM element header "C-P:ad/1" into the MM as an advertising message, the modified MM is then forwarded 3 to the MMS UA in the mobile station MS. Because of the new MM element header "C-P:ad/1", the MMS UA then stores 4 the MM multiple element with the advertising message in a storage medium SM in the mobile station MS, with the reference "ad/1".
German: Wenn die Funktionsformen der Koeffizienten C und D, die von den Bildfeaturewerten Va und Vb abhängen, daher entsprechend ausgewählt werden, und die Bildfeaturewerte Va und Vb, die in Schritt S12 in Fig. 1 erzielt werden, für Va und Vb in den Funktionsformen eingesetzt werden, man die entsprechenden Koeffizienten C und D daher in Übereinstimmung mit den Bilddaten 1 erzielen und daher der ungefähre Ausdruck (1) mit hoher Präzision abgeleitet werden kann.
English: Therefore, if the function forms of the coefficients C and D, depending on the image feature values Va and Vb, are appropriately selected, and the image feature values Va and Vb obtained in step S12 in FIG. 1 are substituted for Va and Vb in the function forms, then the appropriate coefficients C and D in accordance with the image data 1 can be obtained, and consequently the approximate expression (1) with high accuracy can be derived.
German: Die Trainingzeit 126 wird in dem Sender 20 (Fig. 2) eingeleitet, wenn das RTS-Signal auf der Leitung 34 empfangen wird, wodurch der Betrieb einer (nicht gezeigten) Trainingsignalzeitsteuerung eingeleitet wird, nach deren Ablaufen ein CTS-Signal (Sendebereitschaft) über die Leitung 36 zu der drahtlosen MAC-Steuerschaltung 24 gesendet wird, die reagiert, indem sie die Datensignale TxD über die Leitung 40 mit einer Zeitsteuerung sendet, die durch die TxC-Taktsignale auf der Leitung 38 bestimmt wird.
English: The training time 126 is initiated in the transmitter 20 (Fig. 2) upon receipt of the RTS signal on the line 34, which initiates operation of a training signal timer (not shown), upon the time-out of which, a CTS (clear-to-send) signal is sent over the line 36 to the wireless MAC control circuit 24 which responds by sending the data signals TxD over the line 40, with a timing determined by the TxC clock signals on the line 38.
German: Nachdem der Datenmodus auf dem Satellitenkanal eingestellt ist, wird von der MES-ACSE 30 an die MES-MIE 4 ein Rufsignal 110 gesendet, letztere gibt an die mobile DTE eine Rufanzeige 56' aus, und von der LES-ACSE 44 wird an die LES-MIE 12 ein Rufsignal 112 gesendet, die daraufhin einen Rufton 114 an das Modem 16 gibt, wodurch veranlaßt wird, daß das Modem 16 eine Rufanzeige 116 an die feste DTE 18 sendet.
English: Once a data mode has been set up on the satellite channel, a ringing signal 110 is sent from the MES ACSE 30 to the MES MIU 4, which sends a ringing indication 56' to the mobile DTE, and a ringing signal 112 is sent from the LES ACSE 44 to the LES MIU 12, which sends a ringing tone 114 to the modem 16, causing the modem 16 to send a ringing indication 116 to the fixed DTE 18.
German: Wenn zum Beispiel der Kanal CHj von dem Nutzer in einer Periode von 6:00 bis 7:00 ausgewählt wird, wird die Steuerung in den PSI-Daten 330 ein CMI 335 finden, dessen Zuordnungsziel CH3 (oder P3-1) ist, und dementsprechend einen Code sendet, der das TS angibt, in dem CH3 und ein den Kanal CH3 bezeichnender Code enthalten ist, entsprechend an den Empfänger 600 und den TS-Prozessor 620.
English: For example, if the channel CHjis selected by the user in a period from 6:00 to 7:00, then the controller will find, in the PSI data 330, a CMI 335 whose mapping destination is CH3(or P3-1) and accordingly sends a code specifying the TS including CH3and a code specifying the channel CH3to the tuner 600 and the TS processor 620, respectively.
German: Das elektronische Gerät 501 kann einen Prozessor 520, einen Speicher 530, eine Eingabevorrichtung 550, eine Tonausgabevorrichtung 555, eine Anzeigevorrichtung 560, ein Audiomodul 570, ein Sensormodul 576, eine Schnittstelle 577, ein haptisches Modul 579, ein Kameramodul 580, ein Energieverwaltungsmodul 588, eine Batterie 589, ein Kommunikationsmodul 590, ein Teilnehmeridentifikationsmodul (SIM) 596 und/oder ein Antennenmodul 597 enthalten.
English: The electronic device 501 may include a processor 520, a memory 530, an input device 550, a sound output device 555, a display device 560, an audio module 570, a sensor module 576, an interface 577, a haptic module 579, a camera module 580, a power management module 588, a battery 589, a communication module 590, a subscriber identification module (SIM) 596, and/or an antenna module 597.
German: Für den Augenblick wird festgehalten, daß Fig. 1 drei solche Kabel 37a, 37b und 37c und ein weiteres langes Kabel 37d zeigt, welches von oberhalb des Gehäuses 10 und durch den Zugang 35 von außerhalb zum Inneren des Gehäuses 10 verläuft, um in Raum 30 Längen 38a, 38b, 38c und 38d dieses Kabels zu positionieren, die bei jeweiligen koaxialen Endkupplungen 39a, 39b, 39c und 39d an den freien Enden dieser Kabel angeschlossen sind.
English: For now, it is noted that FIG. 1 shows three such cables 37a, 37b and 37c, and a further large cable 37d, passing from above housing 10 and through entry way 35 from outside of to inside housing 10 so as to position in space 30 lengths 38a, 38b, 38c 38d of those cables terminating in respective coaxial end couplings 39a, 39b, 39c and 39d at the free ends of such cables.
German: Fig. 2 zeigt verschiedene Strahlen 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208 (gNB-Strahl-TX-Strahlen 220 ) mit entsprechenden SSBs und POs (DL-Signale 221 ) für die TDM-Konfiguration 200a und verschiedene Strahlen 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218 (gNB-Strahl-TX-Strahlen 220 ) mit entsprechenden SSBs und POs (DL-Signale 221 ) für die FDM-Konfiguration 200b.
English: Fig. 2 shows different beams 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208 (gNB beam TX beams 220) with corresponding SSBs and POs (DL signals 221) for the TDM configuration 200a and different beams 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218 (gNB beam TX beams 220) with corresponding SSBs and POs (DL signals 221) for the FDM configuration 200b
German: Drittens wird ein Rauschpegel des Ausgangs E11F durch einen Rauschdetektor 11G erkannt, ein Detektorausgang E11G wird durch den Schalter SW ausgewählt, und das gewählte Signal wird als Signal E11 an den Potentialschieber 12 gelegt (in der Praxis kann eines der Signale E11E, E11F und E11G als Ausgang E11 gewählt und ohne Verwendung des Schalters SW an den Schieber 12 gelegt werden).
English: Third, a noise level of output E11F is detected by noise detector 11G, detection output E11G is selected by switch SW, and the selected signal is supplied to potential slider 12 as signal E11 (in practice, one of signals E11E, E11F, and E11G may be selected as output E11 and be input to slider 12 without using switch SW).
German: Ähnlich zur Ausbildung der Hohlräume 44 wie oben beschrieben, wird die obere Fläche (oder die untere Fläche) des zweiten Wafers 42 mit einer Maskenvorlage 45 ausgebildet, um so den verbleibenden Teil der oberen Oberfläche mit Ausnahme bestimmter Teile, in denen die Bohrungen 46 ausgebildet werden sollen, abzudecken, wodurch den Bohrungen 46 unter Verwendung eines Ätz- oder Schleifverfahrens eine vertikale Ausbildung ermöglicht wird, damit sie sich bis zur unteren Oberfläche hinunter erstrecken können.
English: Similarly to the formation of the cavities 44 as described above, the upper surface (or the lower surface) of the second wafer 42 is formed with a mask pattern 45 so as to cover the remaining portion of the upper surface except for certain portions where the perforations 46 are to be formed, thereby allowing the perforations 46 to be vertically formed so as to extend down to the lower surface by using an etching or sanding process.
German: Das elektronische Bauteil 500 umfasst einen Träger 510, einen Halbleiterchip 520, der eine Hauptfläche 521 und eine erste Kontaktschicht 522 auf der Rückseitenfläche umfasst, eine Verbindungsschicht 530, die auf die Hauptfläche 521 des Halbleiterchips 520 aufgetragen ist, wobei die Verbindungsschicht 530 eine Mehrzahl von Vertiefungen 531 umfasst, ein Füllmaterial 540, das innerhalb der Vertiefungen 531 angeordnet ist, wobei die Verbindungsschicht 530 zwischen dem Halbleiterchip 520 und dem Träger 510 angeordnet ist.
English: The electronic component 500 comprises a carrier 510, a semiconductor chip 520 comprising a main face 521 and a first contact layer 522 at the back surface, a connection layer 530 applied to the main face 521 of the semiconductor chip 520, the connection layer 530 comprising a plurality of depressions 531, a filler material 540 disposed within the depressions 531, wherein the connection layer 530 is disposed between the semiconductor chip 520 and the carrier 510.
German: Die folgende Ausführliche Beschreibung stellt zunächst die in einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung verwendeten EMM dar, zeigt dann wie die Informationen in den EMM in einem sicheren Prozessor in der bevorzugten Ausführungsform verarbeitet werden, stellt dann eine in der bevorzugten Ausführungsform verwendete ECM 119 vor und zeigt darauf folgend, wie der sichere Prozessor die Informationen von den EMM und der ECM 119 nutzt, um Wiedergabeangriffe auf das Verschlüsselungssystem aufzuspüren und zu verhindern.
English: The following Detailed Descriptionwill first show the EMMs employed in a preferred embodiment of the invention, will then show how the information in the EMMs is processed in a secure processor in the preferred embodiment, will next show an ECM 119 which is employed in the preferred embodiment, and will thereupon show how the secure processor uses the information from the EMMs and ECM 119 to detect and prevent replay attacks on the encryption system.
German: In 402, bevor die anfängliche Zellsuche bei jeder der Frequenzen durchgeführt wird, die in der Vorauswahl gefunden wurden, misst das mobile Endgerät 102 (z. B. ein Temperatursensor des mobilen Endgeräts 102 ) seine Betriebstemperatur und in diesem Beispiel wird ein einfacher Temperaturausgleich unter der Annahme vorgenommen, dass zum Beispiel kein lebenslanger Lernalgorithmus (zum Lernen des Verhaltens des Oszillators des mobilen Endgeräts) vorhanden ist oder die Betriebstemperatur außerhalb des erlernten Bereichs eines solchen Algorithmus liegt.
English: In 402, before an initial cell search is carried out at each of the frequencies found in the pre-selection, the mobile terminal 102 (e.g. a temperature sensor of the mobile terminal 102) measures its operating temperature and, in this example, a simple temperature compensation is done assuming, for example, that no lifetime learning algorithm (for learning the behavior of the mobile terminals' oscillator) is in place or the operating temperature is outside the learned range of such an algorithm.
German: Eine Breite w1 eines verbleibenden Abschnitts 201j der horizontalen, vorderen Endwand 201b, welche die vertikalen Seitenwände 201c, 201d an der anderen Seite der Nut 201e verbindet, ist größer als eine Breite w2 des weggeschnittenen Abschnitts oder des Abschnitts des gebogenen Abschnitts 201a zwischen den vertikalen Seitenwänden 201c, 201d, welche nicht durch den horizontalen Verbindungswandabschnitt oder die vordere Endwand 201d oder den verbleibenden Abschnitt 201j verbunden sind.
English: A width w1 of a remaining portion 201j of the horizontal leading end wall 201b which connect the vertical side walls 201c, 201d at the other side of the groove 201e is larger than a width w2 of the cut-away portion or the portion of the bent portion 201a between the vertical side walls 201c, 201d not being connected by the horizontal connecting wall portion or leading end wall 201b or remaining portion 201j.
German: Der erste und der zweite Stator 18, 19 sind derart an dem Kopplungsring 20 fixiert, daß die Enden der äußeren Magnetpole 18a, 18b und der inneren Magnetpole 18c, 18d denjenigen der äußeren Magnetpole 19a, 19b und der inneren Magnetpole 19c, 19d gegenüberliegen, und daß die äußeren Magnetpole 18a, 18b sowie die Pole 19a, 19b voneinander um die Breite interner Vorsprünge 20e, 20f des Kopplungsrings 20 getrennt sind.
English: The first and second stators 18, 19 are so fixed on the coupling ring 20 that the ends of the outer magnetic poles 18a, 18b and the inner magnetic poles 18c, 18d are respectively opposed to those of the outer magnetic poles 19a, 19b and the inner magnetic poles 19c, 19d and that the outer magnetic poles 18a, 18b and those 19a, 19b are mutually separated by the width of internal projections 20e, 20f of the coupling ring 20.
German: Falls, wie oben beschrieben, Z1 : Z2 : Z3 = 1,5 : 1 : 1 gewählt wird, wird die an den VBO-freien Transistor 11-1 angelegte Spannung V1 größer als die an den VBO-freien Thy ristor 11-2 angelegte Spannung V2 und die an den VBO- freien Thyristor 11-3 angelegte Spannung V3, und das Verhältnis V1 : V2 : V3 = 1,5 : 1 : 1, sein.
English: If, as described above, Z1 : Z2 : Z3 = 1.5 : 1 : 1 is selected, the voltage V1 applied to VBO-free thyristor 11-1 becomes larger than the voltage V2 applied to VBO-free thyristor 11-2 and voltage V3 applied to VBO-free thyristor 11-3, and the ratio V1 : V2 : V3 = 1.5 : 1 : 1.
German: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen, wie in Fig. 7A bis Fig. 7C veranschaulicht, kann das Bilden einer hohlen Kammer 204 in dem Wafer 200 umfassen: Bilden einer porösen Struktur 704 wenigstens eines von über oder in dem Wafer 200, wobei die poröse Struktur 704 eine Mehrzahl von Poren 704h in dem Wafer-Material 202 des Wafers 200 umfasst; und Bilden einer Deckschicht 702 über dem Wafer 200, wobei die Deckschicht 702 die poröse Struktur 704 bedeckt.
English: According to various embodiments, as illustrated in FIGS. 7A to 7C, forming a hollow chamber 204 in the wafer 200 may include: forming a porous structure 704 at least one of over or in the wafer 200, the porous structure 704 including a plurality of pores 704 hin the wafer material 202 of the wafer 200; and forming a cover layer 702 over the wafer 200, the cover layer 702 covering the porous structure 704.
German: Insbesondere kann das Erwärmen 3030 des ersten Montagegestells 120 usw. das Erwärmen des ersten Montagegestells 120, des ersten und zweiten Werkzeugs 128, 160 und der Schaltungsvorrichtung 22 im Heizgerät 108 umfassen, wobei sich der erste und zweite Streifen 36, 74 in der zweiten Position befinden und wobei sich der dritte und vierte Streifen 80, 86 in der ersten Position befinden.
English: More specifically, heating 3030 the first jig 120, etc. can include heating the first jig 120, the first and second tools 128, 160 and the circuit device 22 in the heater 108, with the first and second strips 36, 74 being in the second position, and with the third and fourth strips 80, 86 being in the first position.
German: Zum Beispiel sendet der Kunde 11c in einem Fall, in welchem der mit dem Server 11s verbundene Kunde 11c eine Datenkommunikation auch mit dem Server 12s durchzuführen wünscht, eine RIP-Anfrage, um Adresseninformationen für den Server 12s von dem damit verbundenen Server 11s zu erhalten, und erhält die Adresseninformationen von der Antwort in der RIP-Antwort auf die Anfrage, und beginnt dann die Kommunikation mit dem Server 12s.
English: For instance, in a case where the client 11c connected to the server 11s wants to also execute data communication with the server 12s, the client 11c sends an RIP request to obtain address information for the server 12s from the server 11s connected thereto, obtains the address information from the RIP response, then starts communication with the server 12s.