mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Während Fig. 2 eine bestimmte Reihenfolge der Vorgänge für die Clients 104A - 104N zu Erläuterungszwecken darstellt, kann die Erzeugung der Signatur 122 und der Ciphertextdaten 120 in einer beliebigen Reihenfolge oder gleichzeitig erfolgen und jeder der Clients 104A - 104N kann die Daten an den vertrauenswürdigen Aggregator 150 und den nicht vertrauenswürdigen Aggregator 170 übermitteln, wie oben in Bezug auf die Verarbeitung von Block 212 und 220 in einer beliebigen Reihenfolge beschrieben wird.
English: While FIG. 2 depicts a particular order of operation for the clients 104 A - 104N for explanatory purposes, the generation of the signature 122 and the ciphertext data 120 can occur in any order or concurrently, and each of the clients 104 A - 104N can transmit the data to the trusted aggregator 150 and the untrusted aggregator 170 as described above with reference the processing of blocks 212 and 220 in any order.
German: Ferner umfasst jede Zelle 803 einen dritten Varaktor 807, der zwischen der linken Seite (d. h. der Eingangsseite) der Induktivität 804 des ersten Leiters 801 und der rechten Seite (d. h. der Ausgangsseite) der Induktivität 804 des zweiten Leiters 802 gekoppelt ist, und einen vierten Varaktor 808, der zwischen der rechten Seite der Induktivität 804 des ersten Leiters 801 und der linken Seite der Induktivität 804 des zweiten Leiters 802 gekoppelt ist.
English: Further, each cell 803 comprises a third varactor 807 coupled between the left hand side (i.e. the input side) of the inductor 804 of the first conductor 801 and the right hand side (i.e. the output side) of the inductor 804 of the second conductor 802 and a fourth varactor 808 coupled between the right hand side of the inductor 804 of the first conductor 801 and the left hand side of the inductor 804 of the second conductor 802.
German: Obwohl es als mit dem Zugangspunkt 720 kommunikativ über einen drahtlosen Kommunikationskanal gekoppelt dargestellt ist, kann das Werkzeug 700 das Prozesssteuerungs-Messaging-Netzwerk 200 direkt oder indirekt über einen drahtgebundenen Kommunikationskanal (z. B. Ethernet) entweder mit einem Zugangspunkt, der eine drahtgebundene Verbindung bereitstellt, ein drahtgebundenes Gateway, das eine drahtgebundene Verbindung bereitstellt, oder über ein anderes Computergerät (z. B. einen Personal Computer) mit einer drahtgebundenen oder drahtlosen Verbindung kommunikativ mit dem Prozesssteuerungs-Messaging-Netzwerk 200 koppeln.
English: Although shown as communicatively coupled via a wireless communication channel to the access point 720, the tool 700 may directly or indirectly communicatively couple to the process control messaging network 200 via a wired communication channel (e.g., Ethernet), either to an access point that provides a wired connection, a wireless gateway that provides a wired connection, or via another computing device (e.g., a personal computer) with a wired or wireless connection to the process control messaging network 200.
German: Spezifisch kann, wie es in den Fig. 2A und Fig. 2B gezeigt ist, das erste Versteifungselement 132 eine erste und eine zweite laterale Dimension 140, 142 ( Fig. 2B) in jeweils der ersten und der zweiten lateralen Richtung 136, 138 definieren, die größer als entsprechende erste und zweite laterale Dimensionen 144, 146 ( Fig. 2A) sind, die gemeinsam bzw. kollektiv durch den Bereich definiert sind, der die erste Gruppe von Lötpads 122, 124 umgreift.
English: Specifically, as shown in FIGS. 2A and 2B, the first stiffening member 132 may define first and second lateral dimensions 140, 142 (FIG. 2B) in the first and second lateral directions 136, 138, respectively, that are greater than corresponding first and second lateral dimensions 144, 146 (FIG. 2 A) collectively defined by the area encompassing the first set of solder pads 122, 124.
German: Fig. 24B zeigt einen Reaktionsteil 254', welcher Anlageteile 254a und 254b ersetzt, und die Anlageteile 252a und 252b an dem anderen Ende des Betätigungselements 250b können durch einen entsprechenden Reaktionsteil mit entsprechend geneigten oberen und unteren Eingriffsflächen ersetzt werden, welche mit dem jeweiligen Eingriffselement 246' des jeweiligen Hülsenelements 210 interagieren, welches in einer geeigneten Weise als Gegen-Reaktionsteil oder Gegen-Reaktionselement des jeweiligen Hülsenelements 210 bezeichnet werden kann.
English: Fig. 24B shows reaction portion 254' replacing abutment portions 254a and 254b, and the abutment portions 252a and 252b at the other end of the actuating member 250b may be replaced by a corresponding reaction portion including correspondingly inclined upper and lower engagement surfaces, which interact with the respective engagement element 246' of the respective sleeve member 210, which may be denoted as a counter reaction portion or counter reaction element of the respective sleeve member 210.
German: Die Verbindungen der Kommunikationsschnittstelle 412 können so angeordnet sein, dass sie eine parallele Schnittstelle zum Leiten der Kommunikation zwischen der Tastatur 402, der Schaltungsanordnung zur Tastatursteuerung 404, dem Host-Prozessor 406, dem Speichermodul 408 und/oder dem Kommunikationsmodul 410 oder eine serielle Schnittstelle zum Leiten der Kommunikation zwischen der Tastatur 402, der Schaltungsanordnung zur Tastatursteuerung 404, dem Host-Prozessor 406, dem Speichermodul 408 und/oder dem Kommunikationsmodul 410 oder eine beliebige Kombination aus diesen ausbilden.
English: The interconnections of the communication interface 412 can be arranged to form a parallel interface to route communication between the keyboard 402, the keyboard control circuitry 404, the host processor 406, the memory module 408, and/or the communication module 410, or a serial interface to mute communication between the keyboard 402, the keyboard control circuitry 404, the host processor 406, the memory module 408, and/or the communication module 410, or any combination thereof.
German: Die Eintrittsmuster für die Basisabschnitte 20d, 20e des Paares 1, und 20a, 20b des Paares 2 in Fig. 4 und Fig. 5 sind so, daß die Summe von (a) des Abstandes zwischen den Basisabschnitten 20a und 20b, und (b) der Abstand zwischen den Basisabschnitten 20b und 20e ; minus der Summe von (c) des Abstandes zwischen den Basisabschnitten 20a und 20e, und (d) des Abstandes zwischen den Basisabschnitten 20b und 20d minimiert ist.
English: The entry patterns for base portions 20d, 20e of pair 1, and 20a, 20b of pair 2 in FIGS. 4 and 5, are such that the sum of (a) the distance between base portions 20a and 20d, and (b) the distance between base portions 20b and 20e; minus the sum of (c) the distance between base portions 20a and 20e, and (d) the distance between base portions 20b and 20d, is minimized.
German: Dies ist wegen des Vorhandenseins der In duktivität 58 möglich, welche wiederum Energie in der Gegenwart eines Fehlerstromes akkumuliert und deswegen eine Spannung auf der sekundären Windung des Sensors 1, wenn der Schaltblock 59 (ähnlich die Schaltmittel 18 und 38 der vorangegangenen Ausgestaltungen) wiederum aufgebaut durch einen MOSFET, zum Schließen veranlasst wird und dann die Energie in Richtung des Aktuators 6 über die Diode 60 überträgt, wenn der MOSFET 59 plötzlich wieder öffnet.
English: This is possible because of the presence of the inductor 58, which in turn accumulates energy in the presence of a residual current and therefore of a voltage on the secondary winding of the sensor 1 when the switching block 59 (similar to the switching means 18 and 38 of the preceding embodiments), again constituted by a MOSFET, is made to close, and then transfers said energy when the MOSFET 59 suddenly reopens toward the actuator 6 across the diode 60.
German: In Fig. 11 ist D1 ein n-GaAs-Substrat, D2 ist eine Strom- und Lichteingrenzschicht aus p-AlxGa1-xAs (x = 0,32; Dicke dD2 = 0,7 mu m), D3 ist eine Strom- und Lichteingrenzschicht aus n-GaAs (Dicke dD3 = 0,1 bis 0,2 mu m), D4 ist eine Hüllschicht aus n-AlxGa1-xAs (x = 0,32), D5 ist eine aktive Schicht aus p-AlxGa1-xAs (x = 0,05), D6 ist eine Hüllschicht aus p-AlxGa1-xAs (x = 0,32) und D7 ist eine Kontaktschicht aus p-GaAs.
English: In FIG. 11, D1 is an n-GaAs substrate, D2 a p-Alx Ga1-x xAs (x=0.32, thickness dD2 =0.7.mu.m ) current and light confining layer, D3 an n-GaAs (thickness dD3 =0.1 to 0.2.mu.m) current and light confining layer, D4 an n-Alx Ga1-x As (x=0.32) cladding layer, D5 a p-Alx Ga1-x As (x=0.05) active layer, D6 a p-Alx Ga1-x As (x=0.32) cladding layer, and D7 a p-GaAs contact layer.
German: Fig. 15(A) ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XV(A) - XV(A), in Fig. 14(A) gezeigt, Fig. 15(B) ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XV(B) - XV(B), in Fig. 14(B) gezeigt, Fig. 15(C) ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XV(C) - XV(C), in Fig. 14(C) gezeigt, und Fig. 15(D) ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XV(D) - XV(D), in Fig. 14(D) gezeigt.
English: FIG. 15(A) is a cross-sectional view taken along line XV(A)-XV(A) shown in FIG. 14(A), FIG. 15(B) is a cross-sectional view taken along line XV(B)-XV(B) shown in FIG. 14(B), FIG. 15(C) is a cross-sectional view taken along line XV(C)-XV(C) shown in FIG. 14(C), and FIG. 15(D) is a cross-sectional view taken along line XV(D)-XV(D) shown in FIG. 14(D).
German: Vor dem Programmieren (bevor das Gate-Dielektrikum des Programmiertransistors 110 durchbrochen wird) besteht kein Leitungspfad zwischen der BL 134 und der WLP 130, wenn der Lesetransistor 120 eingeschaltet ist; und nach dem Programmieren besteht ein Leitungspfad zwischen der BL 134 und der WLP 130 (zum Beispiel über den Widerstand 136 ), wenn der Lesetransistor 120 eingeschaltet ist.
English: Before the programming (before the gate dielectric of the programming transistor 110 is broken down), no conduction path exists between the BL 134 and the WLP 130, when the reading transistor 120 is turned on; and after the programming, a conduction path exists between the BL 134 and the WLP 130 (e.g., via the resistor 136), when the reading transistor 120 is turned on.
German: Die Kurvendarstellung in Fig. 10 zeigt Leistungskurven für den mikroelektromechanischen Generator 300 gemäß der dritten Ausführungsform unter Verwendung eines piezoelektrischen Materials 320 und eines flüssigen Arbeitsfluids 318, wo die Änderung des Druckes P, der durch den dünnen Film auf das piezoelektrische Material ausgeübt wird, und die daraus folgende Änderung der Ausgangsspannung V relativ zur Änderung der Zeit T gezeigt ist.
English: The graph in Fig. 10 plots performance curves for the micro-electro-mechanical generator 300 in accordance with the third embodiment using piezoelectric material 320 and liquid working fluid 318, where the change of pressure P exerted on the piezoelectric material by the thin film, and the consequent change of output voltage V, are shown with respect to time change T.
German: Das Gate-Dielektrikum 506 kann ein beliebiges geeignetes Material beinhalten, wie etwa Silicium und Stickstoff (z. B. SiN); Hafnium und Sauerstoff (z. B. HfO2); Aluminium und Sauerstoff (z. B. Al2O3); Silicium und Sauerstoff (z. B. SiO2); Aluminium und Stickstoff (z. B. AlN); Silicium, Sauerstoff und Stickstoff (z. B. SiON); Yttrium und Sauerstoff (z. B. Y2O3); Tantal und Sauerstoff (z. B. Ta2O5); und/oder Titan und Sauerstoff (z. B. TiO2).
English: The gate dielectric 506 may include any suitable material, such as silicon and nitrogen (e.g., SiN); hafnium and oxygen (e.g., HfO2); aluminum and oxygen (e.g., Al2O3); silicon and oxygen (e.g., SiO2); aluminum and nitrogen (e.g., AlN); silicon, oxygen, and nitrogen (e.g., SiON); yttrium and oxygen (e.g., Y2O3); tantalum and oxygen (e.g., Ta2O5); and/or titanium and oxygen (e.g., TiO2).
German: Gemäß Fig. 4 u. Fig. 6 sind vier Haken 16a bis 16d in derartigen Positionen ausgebildet, daß jedes Paar von Haken 16a u. 16b und 16c u. 16d jeweils bei vorbestimmten Intervallen auf den rechten und linken Seiten angeordnet ist, und die drei Trennstücke 17a bis 17c sind in der Mitte des äußersten Umfangs ausgebildet, um so die erste Spulengruppe 15a auf dem äußersten Umfang der Hauptstruktur des Trennteils 12 anzuordnen.
English: Referring to FIG. 4 and FIG. 6, the four hooks 16a to 16d are formed in positions such that each pair of hooks 16a and 16b, and 16c and 16d, are arranged respectively on the right and left sides at predetermined intervals and the three partitions 17a to 17c are formed in the middle of the outermost circumference, so as to arrange the first coil group 15a on the outermost circumference of the main structure of the separator 12.
German: Um das Problem zu lösen, nimmt deshalb in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel das Innengehäuse 150 die Lichtquelleneinheiten 200 und die Wärmeableitungselemente 400 auf, zwei Trennbleche 151 und 152 sind so angeordnet, dass sie einander in Y-Achsenrichtung gegenüberliegen, um einen inneren Raum und einen äußeren Raum des Innengehäuses 150 zu unterteilen, und Luft fließt zwischen den jeweiligen Wärmeabstrahlrippen 420 durch Kommunikationsanschlüsse 151a und 152a, die in den beiden Trennblechen 151 und 152 ausgebildet sind.
English: Therefore, to solve the problem, in the present exemplary embodiment, the inner casing 150 accommodates the light source units 200 and the heat dissipation members 400, two partition plates 151 and 152 are disposed to face each other in the Y-axis direction to partition an inner space and outer space of the inner casing 150, and air flows between the respective heat radiation fins 420 through communication ports 151 aand 152 aformed in the two partition plates 151 and 152.
German: Die hardwarebasierte Verarbeitungseinheit 154, die den Code der Speichervorrichtung 152 ausführt, kann auf drahtlosem Weg Informationen, wie Mitteilungen oder paketierte Daten, an die und von der tragbaren Vorrichtung 111 und die entfernte Vorrichtung 132 [externe Netzwerke 1321 (Internet etc.) und entfernte Systeme 1322 (Server usw.)] über die Drahtlosvorrichtung 170 senden und empfangen, wie dies jeweils durch die Bezugszeichen 131 bzw. 171 angegeben ist.
English: The hardware-based processing unit 154, executing code of the storage device 152, can wirelessly send and receive information, such as messages or packetized data, to and from the portable apparatus 111 and the external apparatus 132 [external networks 1321(Internet, etc.) and remote systems 1322(servers, etc.)] by way of the wireless device 170 as indicated by numerals 131, 171, respectively.
German: Die ersten gemeinsamen Kontakte 3 und 7, die zweiten gemeinsamen Kontakte 5 und 9 und die unabhängigen Kontakte 4, 6, 8 und 10, die elektrisch unabhängig sind, sind elektrisch jeweils mit ersten gemeinsamen Anschlüssen 13 und 17, zweiten gemeinsamen Anschlüssen 15 und 19 und unabhängigen Anschlüssen 14, 16, 18 und 20 verbunden, die ausserhalb das Gehäuses 1 für den Anschluss nach aussen angeordnet sind.
English: First common contacts 3 and 7, second common contacts 5 and 9, and independent contacts 4, 6, 8, and 10 which are electrically independent are electrically coupled respectively to first common terminals 13 and 17; second common terminals 15 and 19; and independent terminals 14, 16, 18, and 20, which are disposed outside case 1 for lead-out.
German: Dies ist möglich, da, anders als die Brücken 5-35 in Fig. 1, die nur zwei Ports umfassen und daher nur dazu in der Lager sind, Information von einem LAN zu einem anderen LAN zu übertragen, die Switche 5'-55' mehrere Ports haben und durch die NMS 290 programmierbar sind, so daß das Netzwerk in jeder beliebigen Weise konfiguriert und neu konfiguriert werden kann, indem einfach die Switch-Anweisungen ausgetauscht werden.
English: This is possible because, unlike the bridges 5-35 of Figure 1, which include only two ports, and accordingly are able to only transfer information from one LAN to another LAN, the switches 5'-55' are multi-ported and programmable by the NMS 290 such that the network can be configured and reconfigured in any desired manner by simply changing the switch instructions.
German: Jede der digitalen Spannungsreglersteuerungen 114 weist außerdem eine Schnittstelle 200 zum Erlangen des externen elektrischen Parameters auf, der die Position der Steuerung 114 auf der Platine 102 oder die Version der Platine 102 anzeigt, sowie Konfigurationslogik 214 zum Ermitteln eines Satzes Konfigurationsparameter für den entsprechenden Spannungsregler 104 auf Grundlage der Position der Steuerung 114 auf der Platine 102 oder der Version der Platine 102, wie sie von dem externen elektrischen Parameter angezeigt wird.
English: Each of the digital voltage regulator controllers 114 further includes an interface 200 for obtaining the external electrical parameter that indicates the location of the controller 114 on the board 102 or the version of the board 102, and configuration logic 214 for determining a set of configuration parameters for the corresponding voltage regulator 104 based on the location of the controller 114 on the board 102 or the version of the board 102 as indicated by the external electrical parameter.
German: Das erste Durchgangsloch 126, in welchem der erste leitende Film 220 gebildet ist, bildet einen oberen Wellenleiter oder einen ersten Wellenleiter, zu dem ein RF-Signal, das durch die erste Signalleitung 124 übertragen wurde, übertragen wird, und das zweite Durchgangsloch 136, in welchem der zweite leitende Film 230 gebildet ist, bildet einen unteren Wellenleiter oder einen zweiten Wellenleiter, der das RF-Signal, das zu dem ersten Wellenleiter übertragen wurde, zu dem unteren Substrat überträgt.
English: The first through-hole 126 in which the first conductive film 220 is formed constitutes an upper waveguide or a first waveguide to which an RF signal, having been transmitted through the first signal line 124, is transmitted, and the second through-hole 136 in which the second conductive film 230 is formed constitutes a lower waveguide or a second waveguide which transmits the RF signal, which has been transmitted to the first waveguide, to the lower substrate.
German: Somit tritt, wie in Bezug auf Figur 2 erläutert wurde, in diesem Betriebsmodus das Zwischenfrequenzsignal Sit von dem Modulator 12 über einen Signalweg, der den Modulator 12, den Mischer 15, den Mischer 23, den Bandpassfilter 24 und den Mischer 25 umfaßt, zu dem Mischer 23 über, so daß ein Lecksignal S39 danach von den Mischern 23 bzw. 25 in Zwischenfrequenzsignale Sir bzw. Sjr umgesetzt wird.
English: Therefore, as described with regard to Figure 2, in this mode of operation the intermediate frequency signal Sit from the modulator 12 leaks out to the mixer 23 via a signal path comprising the modulator 12, the mixer 15, the mixer 23, the band-pass filter 24 and the mixer 25, so that a leakage signal S39 is sequentially converted to intermediate frequency signals Sir and Sjr by the mixers 23 and 25 respectively.
German: Gemäß Fig. 8(a), 8(b), 9 und 10 besteht die Buchse 4a aus: einem äußeren Leiter 4a-1; einem inneren Leiter 4a-2; Schrauben 4a-3, um den Sockel schwimmend auf der Platte der Verbindungseinheit 4 zu befestigen; Isolationshülsen 4a-4; einer Isolationsscheibe 4a-5; flexiblen Bandverbindern 4a-6, um das hochfrequente Hochleistungssignal zu übertragen; und flexiblen Bandverbindern 4a-7, um den äußeren Leiter 4a-1 und die Innenseite der Verbindereinheit 4 mit Masse zu verbinden.
English: With reference to Figs. 8(a), 8(b), 9 and 10, the socket 4a is composed of: an outer conductor 4a-1; an inner conductor 4a-2; screws 4a-3 to fix the socket in a floating manner on the panel of the combiner unit 4; insulating bushings 4a-4; an insulating sheet 4a-5; flexible ribbon conductors 4a-6 to transmit the high-frequency high-power signal; and flexible ribbon conductors 4a-7 to ground the outer conductor 4a-1 and the inside of the combiner unit 4 to earth.
German: Der Begriff ”Speichermedium” soll ein Installationsmedium beinhalten, z. B. eine CD-ROM, Floppy Disk oder Bandgerät; ein Computersystemspeicher oder Schreib-Lese-Speicher wie beispielsweise DRAM, DDR RAM, SRAM, EDO RAM, Rambus RAM, etc.; ein nichtflüchtiger Speicher wie beispielsweise ein Flash, magnetisches Medium, wie beispielsweise eine Festplatte oder optischer Speicher; Register, oder andere ähnliche Arten von Speicherelementen, etc. Das Speichermedium kann andere Arten von nicht-transistorischem Speicher als auch Kombinationen davon beinhalten.
English: The term “memory medium” is intended to include an installation medium, e.g., a CD-ROM, floppy disks, or tape device; a computer system memory or random access memory such as DRAM, DDR RAM, SRAM, EDO RAM, Rambus RAM, etc.; a non-volatile memory such as a Flash, magnetic media, e.g., a hard drive, or optical storage; registers, or other similar types of memory elements, etc. The memory medium may include other types of non-transitory memory as well or combinations thereof.
German: Das Plenum 208 (das ein parallelepipedischer Kasten mit einfachen Wänden ist, mit Ausnahme der Unterwand 204, die durchlöchert ist) weist von der Oberseite bis zur Unterseite einen Gasverteiler 201 auf, der regelmäßig beabstandete Löcher 203 in seinen Zweigen 209 und 210 aufweist, die in der Regel in einer Ebene angeordnet sind, die parallel zu dem durchlöcherten Boden 204 ist.
English: The plenum 208 (which is a parallelepipedic box having plain walls, except the bottom wall 204 which is perforated) comprises from the top to the bottom a gas manifold 201 comprising regularly spaced holes 203 in its branches 209 and 210, which holes are usually disposed in a plane which is parallel to the perforated bottom 204.
German: Beispielsweise kann eine oder mehrere der Operationen von Fig. 6 durch ein drahtloses Kommunikationssystem, z. B. die Systeme 100 ( Fig. 1) und/oder 200 ( Fig. 2); eine drahtlose Andockvorrichtung, z. B. die drahtlose Andockvorrichtung 250 ( Fig. 2); eine mobile Vorrichtung, z. B. die mobile Vorrichtung 120 ( Fig. 1); und/oder ein Lernmodul, z. B. die Lernmodule 148 ( Fig. 1), Fig. 248 ( Fig. 2) und/oder 448 ( Fig. 4), durchgeführt werden.
English: For example, one or more of the operations of Fig. 6 may be performed by a wireless communication system, e.g., systems 100 (Fig. 1) and/or 200 (Fig. 2); a wireless docking device, e.g., wireless docking device 250 (Fig. 2); a mobile device, e.g., mobile device 120 (Fig. 1); and/or a learning module, e.g., learning modules 148 (Fig. 1), 248 (Fig. 2) and/or 448 (Fig. 4).
German: In Fig. 10 sind, wie im Fall der Ausführungsform 1, fünf lichtemittierende Elemente 10, die aus den blauen LED Chips (erste lichtemittierende Elemente 11 ) und den roten LED Chips (zweite lichtemittierende Elemente 12 ) bestehen, die in der folgenden Reihenfolge angeordnet sind: ”rot”, ”blau”, ”rot”, ”blau” und ”rot”, als eine Einheit gruppiert, und diese Einheit ist wiederholt bereitgestellt, hierin: fünf mal, in der zweiten Elementreihengruppe S2, aber dies ist nicht das einzige Beispiel.
English: In FIG. 10, as in the case of Embodiment 1, five light-emitting elements 10 consisting of the blue LED chips (first light-emitting elements 11) and the red LED chips (second light-emitting elements 12) arranged in the following order: “red,” “blue,” “red,” “blue,” and “red,” are grouped as one unit, and this unit is provided repeatedly, herein, five times, in second serial element group S 2, but this is not only the example.