mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine Wärmetransferoberfläche 246, an welcher eine Wärmedissipationsvorrichtung 700 durch ein Befestigungsmaterial 122 befestigt ist, die zweite Hauptoberfläche 154 der Stütze 232.
English: According to a further embodiment, a heat transfer surface 246 to which a heat dissipation device 700 is attached by an attachment material 122, is the second main surface 154 of the support 232.
German: Als nächstes berechnet das USIM XMAC als eine Funktion von RAND, SQN und AMF (B-160) und vergleicht einen derartigen XMAC-Wert mit dem zuvor extrahierten MAC (B-170).
English: Next USIM computes XMAC as a function of RAND, SQN, and AMF (B-160) and compares such an XMAC value with the previously extracted MAC (B-170).
German: Das dritte optische System 240 kann in einem Beispiel wenigstens einige Merkmale beinhalten, die dem optischen System 40 von Fig. 3 bis Fig. 6 und dem zweiten optischen System 140 von Fig. 7 ähneln.
English: The third optical system 240 can include, in one example, at least some features similar to the optical system 40 of FIGS. 3 to 6 and the second optical system 140 of FIG. 7.
German: Die Farbfilter CF können rote ( R ), grüne ( G ) und blaue ( B) Farbfilter umfassen, die Licht von roten ( R ), grünen ( G ) und blauen ( B ) Farben durchlassen.
English: The color filters CF can comprise red (R), green (G), and blue (B) color filters that let light of red (R), green (G), and blue (B) colors pass through.
German: Gemäß einem Beispiel kann die Verwendung sowohl des temporären Trägers 140 als auch der Paste 150 dazu beitragen, die ersten und zweiten Segmente 101, 102 besser in einer definierten Position relativ zueinander zu halten.
English: According to an example, using both the temporary carrier 140 and the paste 150 may help to better keep the first and second segments 101, 102 in a defined position relative to each other.
German: Der Schaltkreis 140 ist ein Halbbrückenschaltkreis, in dem die elektronische Komponente 141 eine siliciumcarbidbasierte Transistorvorrichtung 141 umfasst, die den Low-Side-Schalter (LSS) des Halbbrückenschaltkreises bildet.
English: The switch circuit 140 is a half bridge circuit in which the electronic component 141 includes a silicon carbide-based transistor device 141 which forms the Low Side Switch (LSS) of the half bridge circuit.
German: Zusätzlich kann die zweite Öffnung 303 so ausgebildet werden, dass sie eine vierte Breite W4 von zwischen etwa 5 μm und etwa 95 μm hat, z. B. etwa 10 μm, obwohl jede geeignete Breite verwendet werden kann.
English: Additionally, the second opening 303 may be formed to have a fourth width W4of between about 5 μm and about 95 μm, such as about 10 μm, although any suitable thickness may be utilized.
German: Das zweite System 2 weist eine zweite SwMI 11 und eine Mehrzahl von MSs auf, wovon zwei, MSs 21 und 22, gezeigt sind.
English: The second system 2 comprises a second SwMI 11 and a plurality of MSs, two of which, MSs 21 and 22 are shown.
German: Zum Beispiel kann der verteilte Switch 110 ein verteilter L2-Switch sein, und die Master-Switch-Weiterleitungseinheit 116 und die Slave-Switch-Weiterleitungseinheit 120 können eine verteilte virtuelle Ethernet-Bridge (dVEB) sein.
English: For example, the distributed switch 110 may be a distributed L2 switch, and the master switch forwarding unit 116 and the slave switch forwarding unit 120 may be a distributed virtual Ethernet bridge (dVEB).
German: (Für den Hintergrund siehe auch zum Beispiel "Veränderbare geschwindigkeitsgeschaltete Reluktanzmotoren", durch Prof. P.J. Lawrenson et al, IEE Proceedings - B, Vol 127, No. 4, Juli 1980).
English: (For background see also for example 'Variable Speed Switched Reluctance Motors', by Prof. P.J. Lawrenson et al, IEE Proceedings-B, Vol.127, No.4, July 1980).
German: Der MSP managet die Firewall 106 von seinem internen Netzwerk 108 (der MSP besitzt auch einen Anschluss an das Internet über diese Firewall).
English: The MSP manages the firewall 106 from its internal network 108 (the MSP has also a connection to the Internet via this firewall).
German: Das verstärkte Signal 225 von dem Verstärker 222 wird durch einen Diplexer 224 zu einer Antenne 226 zur Übertragung an die Basisstation 44 geführt.
English: The amplified signal 225 from amplifier 222 is directed through a diplexer 224 to an antenna 226 for transmission to base station 44.
German: Die Verstärker 760, 770 und 780 werden mit Stromquellenspannungen + Vm und - Vm versorgt (+ VM = 15 V, - Vm = - 15 V).
English: The amplifiers 760, 770, and 780 are supplied with power source voltages +Vm and -Vm (+Vm = 15 V, -Vm = -15 V).
German: Fig. 13C zeigt ein Diagramm 150 eines Spannungsabfalls (V) 151 in einem NTC-Abschnitt der Kontaktstruktur im Verhältnis zu einer Dicke (µm) 152 des NTC-Abschnitts der Kontaktstruktur.
English: FIG. 13C shows a diagram 150 of a voltage drop (V) 151 in an NTC portion of the contact structure in relation to thickness (μm) 152 of the NTC portion of the contact structure.
German: Diese Technologie ist ebenfalls allgemein bekannt, zum Beispiel aus N. Bachnak, „3D-MID Technology MEMS Connectivity at System Level“ IEEE 2012, ab Seite 572.
English: Said technology is likewise generally known, for example from N. Bachnak, “3D-MID Technology MEMS Connectivity at System Level”, IEEE 2012, page 572 onward.
German: Das Telekommunikations-Netzwerk 107 wird als normales („Fest") Telefonnetzwerk (PSTN = Public Switched Telephone Network) beispielhaft gezeigt, es kann aber auch ein Mobil-Netzwerk sein, beispielsweise ein GSM-Netzwerk.
English: The telecommunication network 107 is shown as an ordinary ("fixed") telephony network (PSTN = Public Switched Telephone Network) by way of example, but could also be a mobile network, for example a GSM network.
German: Der TSE 650 funktioniert im wesentlichen auf dieselbe Weise wie der TSE 250 des Systems 200 von Fig. 2, um einen resultierenden Transportstrom S11 zu erzeugen.
English: TSE 650 operates in substantially the same manner as TSE 250 of the system 200 of FIG. 2 to produce a resultant transport stream S11.
German: Das Kommunikationssystem 100 schließt ein öffentliches Fernsprechwählnetz (PSTN) 102, ein Weitbereichs-Netzwerk (WAN) 104, ein lokales Netzwerk (LAN) 106 und ein LAN 108 ein.
English: Communications system 100 includes a public switch telephone network (PSTN) 102, a wide area network (WAN) 104, a local area network (LAN) 106, and a LAN 108.
German: Genau wie die Werkzeugeinrichtung 150 ein Identifikationselement 162 aufweist, weist die Ergänzungswerkzeugeinrichtung 170 in entsprechender Weise und für denselben Zweck ein Ergänzungsidentifikationselement 182 auf.
English: Just as the tool device 150 comprises an identification element 162, the supplementary tool device 170 in a corresponding manner and for the same purpose comprises a supplementary identification element 182.
German: Die erste elektrisch leitende Schicht 234 hat möglicherweise eine Dicke von etwa 5 nm bis etwa 1000 nm, z. B. etwa 75 nm bis etwa 100 nm, z. B. etwa 100 nm bis etwa 150 nm.
English: First electrically conductive layer 234 may have a thickness ranging from about 5 nm to about 1000 nm, e.g. about 75 nm to about 100 nm, e.g. about 100 nm to about 150 nm.
German: Einige Beispiele von MTC-Anwendungen sind in 3GPP TS 22,368 V13,2.0 (2017-01-13), Anhang B (dessen Inhalte hier durch Bezugnahme mit aufgenommen sind) gelistet.
English: Some examples of MTC applications are listed in 3GPP TS 22.368 V13.2.0 (2017-01-13 ), Annex B (the contents of which are incorporated herein by reference).
German: Eine Zählung von 4 (100) in den Bits 5-7 gibt an, daß die Bits 4-1 protokollspezifische Zustandsbits PS1, PS2, PS3 bzw. PS4 enthalten.
English: A count of 4 (100) in bits 5-7 indicates that bits 4-1 contain protocol specific status bits PS1, PS2, PS3 and PS4, respectively.
German: Der Teil des positiven Photoresists 84, der nicht beleuchtet worden war, definiert den Körper 20 des resultierenden nicht abbildenden optischen Konzentrators 14 ( Fig. 28).
English: The portion of positive photoresist 84 that was not illuminated defines body 20 of the resulting non-imaging optical concentrator 14 (FIG. 28 ).
German: Da jedoch die Dioden D1 und D2 die gleiche Temperaturabhängigkeit wie die Transistoren Q1 und Q2 aufweisen, nimmt die Spannung VY dementsprechend zu.
English: However, since the diodes D1 and D2 have the same temperature dependency as the transistors Q1 and Q2, the voltage VY increases accordingly.
German: Des Weiteren wurde ein Verhältnis ( G2 / SB ) der Intensität eines jeden der Spektren A1 bis A6 im Grünlicht-Wellenlängenband ( G2 ) zu der Intensität des zweiten blauen Lichts ( SB ) berechnet.
English: Further, a ratio (G2/SB) of intensity of each of Spectrums A1 to A6 in the green light wavelength band (G2) to the second blue light (SB) intensity was calculated.
German: Die ersten drei Schritte E1, E2 und E3 dieser Prozedur sind die gleichen wie diejenigen der Prozedur, welche in Fig. 6 illustriert ist.
English: The first three steps E1, E2 and E3 of the procedure are the same as those in the procedure illustrated in Fig. 6.
German: Deshalb zeigt das Diagramm der Fig. 8, dass die Spannungsabhängigkeit der Treiberfähigkeit des n-Kanal-Typ MOS-Transistors NT1 kleiner ist als die des p-Kanal-Typ MOS-Transistors PM3.
English: Therefore, the graph of FIG. 8 shows that the voltage dependence of driving capability of the n-channel type MOS transistor NT1 is lower than that of the p-channel type MOS transistor PM3.
German: Beim Empfangen dieser Übertragungsanforderung vom MIB-Modul 610 bildet das SNMP-Modul 611 die SNMP-PDU im RAM 503 und sendet eine Übertragungsanforderung zum gemeinsamen Transportmodul 612.
English: Upon receiving this transmission request from the MIB module 610, the SNMP module 611 assembles SNMP PDU on the RAM 503 and sends a transmission request to the common transport module 612.
German: So wird eine Verbundstruktur 500 gewonnen, die aus dem zweiten Wafer 300 und einer übertragenen Schicht 215 besteht, die dem verbleibenden Teil des ersten Wafers 200 entspricht und die Mikrokomponenten 204 und 214 umfasst.
English: A composite structure 500 is then obtained, formed from the second wafer 300 and a transferred layer 215, corresponding to the remaining part of the first wafer 200, comprising the microcomponents 204 and 214.
German: Hier wird die Steuerung durch das NMS einfach beschrieben unter der Annahme von vier Kommunikationszuständen in einer vereinfachten Systemkonfiguration, die eine Zentralstation und drei OADM-Knoten N1 bis N3 enthalten, wie in Fig. 7 gezeigt.
English: Here, the control by the NMS is described simply, assuming four communication states in a simplified system configuration comprising a central station and three OADM nodes N1 to N3, as shown in FIG. 7.
German: Der Mikrocomputer 106 ist vorzugsweise ein Ein-Chip- Mikrocomputer, wie z. B. der MC68HC05-Mikrocomputer, der von Motorola hergestellt wird, und umfasst eine CPU 340 für die Betriebssteuerung.
English: The microcomputer 106 is preferably a single chip microcomputer, such as the MC68HC05 microcomputer manufactured by Motorola, and includes a CPU 340 for operational control.
German: Der Deckel kann aus unterschiedlichen Kunststoffmaterialien wie beispielsweise Polyamid 6, Polyamid 66, PC (Polycarbonat), ABS (Acrylnitril-Butadien-Styrol-Copolymerisat) oder aus einem Materialmix verschiedener Kunststoffe, und/oder glasfaserverstärkt ausgeführt sein.
English: The cover can be made of various plastic materials, for example, polyamide 6, polyamide 66, PC (polycarbonate), ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer), or a material mixture of various plastics, and/or can be glass-fiber reinforced.
German: Die Breite des Abtastloches 9 (Richtung C-C der transversalen Achse, Fig. 5a) ist z. B. 10-15 mm und die Höhe 1-2 mm (transversale Querrichtung F-F).
English: The width of the scanning hole 9 (direction C - C of the transversal axis, figure 5a) is for example 10 - 15 mm and height 1 - 2 mm (transversal cross direction F-F).
German: Jedoch verwendet der IPv4/IPv6-Benutzerknoten 111, für den keine statische IPv4-Adresse eingerichtet wurde, die dynamische IPv4-Adresse, die dem IPv4/IPv6-Benutzerknoten 111 vom DHCP-Server 112 zugeordnet wurde.
English: However, the IPv4/IPv6 user node 111 for which no static IPv4 address has been established uses the dynamic IPv4 address allocated to the IPv4/IPv6 user node 111 from the DHCP server 112.
German: Der Switch A beinhaltet auch eine Steuerkarte 27, die CPSS (Control Packet Switching System) unterstützt, eine Servicekarte 28 und eine P-NNI-Karte (Private Network Node Interface-Karte) 29.
English: The switch A also includes a control card 27 supporting CPSS (Control Packet Switching System), a service card 28, and a P-NNI (Private Network Node Interface) card 29.
German: Viele weitere Kanäle 42 können durch die erste Station 40 (oder in Reaktion darauf, dass ein Kanal 52 durch die zweite Station 50 aufgebaut wird) aufgebaut werden, nachdem ein anfänglicher Kanal 42 aufgebaut wurde.
English: Many other channels 42 may be established by the first station 40 (or in response to a channel 52 being established by the second station 50) after an initial channel 42 has been established.
German: Das (Ca+Mg)/(Si+Al)-Verhältnis der Zeolith-Beschickung muß wenigstens etwa 0,11 betragen, um zu gewährleisten, daß genügend Ca und/oder Mg vorliegt und nicht zuviele Ammonium- oder andere Kationen.
English: The (Ca+Mg)/(Si+Al) ratio of the zeolite charge must be at least about 0.11 to ensure that sufficient Ca and/or Mg is present and that there is not too much ammonium or some other cation.
German: Eine Empfangseinrichtung (beispielsweise eine Client-Applikation in dem Mobiltelefon KEG1) empfängt die Dienstdatennachricht DDN und sendet daraufhin eine Empfangsbestätigungsnachricht EBN an den Verteilungsrechner VR zurück.
English: A reception device (for example a client application in the mobile telephone KEG1) receives the service data message DDN and then returns a reception confirmation message EBN to the distribution computer VR.
German: Einige Beispiele von MTC-Anwendungen sind in 3GPP-TS 22.368 V13.2.0 (2017-01-13), Anhang B (dessen Inhalte hier durch Bezugnahme mit aufgenommen sind) aufgelistet.
English: Some examples of MTC applications are listed in 3GPP TS 22.368 V13.2.0 (2017-01-13 ), Annex B (the contents of which are incorporated herein by reference).
German: Die Steuerung 303 kann dem in Fig. 2 gezeigten Anwendungsprozessor 210 entsprechen, oder kann ein Modul zum Verarbeiten von Daten umfassen, die von der Kommunikationseinheit 301 und dem AP 210 gesendet oder empfangen werden.
English: The controller 303 can correspond to the application processor 210 shown in FIG. 2 or can include a module for processing data transmitted or received by the communication unit 301 and the AP 210.
German: Wenn der Controller 115 die Registrierungsanfrage empfängt, führt der zweite elektronische Prozessor 305 das Verfahren 400 von Fig. 4 wie zuvor erläutert aus.
English: When the controller 115 receives the registration request, the second electronic processor 305 executes the method 400 of FIG. 4 as explained previously.
German: Die Kamera 200 ist zum Beispiel die Kamera 102, die Kamera 104, die Kamera 106 und/oder eine beliebige andere Kamera des Fahrzeugs 100.
English: For example, the camera 200 is the camera 102, the camera 104, the camera 106 and/or any other camera of the vehicle 100.
German: Der Nachrichtengenerator 86a der Basisstation A 64 extrahiert dann die eingekapselte NSF-Information in der speziellen Nachricht und der Transceiver 82a überträgt die extrahierte Nachricht an das Faxgerät A 60 und zwar als eine NSF-Nachricht.
English: Message generator 86a of base station A 64 then extracts the encapsulated NSF information in the special message, and transceiver 82a transmits the extracted message to fax machine A 60 as an NSF message.
German: Zum Zwecke von Fig. 1A wird davon ausgegangen, dass eine Gruppe von Sensoren (z.B. Sensor 0 bis Sensor N) mit einer ECU verbunden ist, sodass die Gruppe von Sensoren Daten unter Verwendung von PSI5 übertragen kann.
English: For the purposes of FIG. 1A, assume that a group of sensors (e.g., sensor 0 through sensor N) is connected to an ECU such that the group of sensors may transmit data using PSI5.
German: Der Prozess 700 beginnt in einem Block 705, bei dem die Steuerung 42 eine reflektierende Oberfläche 62 detektiert, wie in Fig. 8 gezeigt.
English: The process 700 begins in a block 705, in which the controller 42 detects a reflective surface 62, as shown in FIG. 8.
German: Die Managed Objects (MO Typ 1 410, MO Typ 2 412 und MO Typ 3 414 ) werden dann in dem Speicher 230 gespeichert.
English: The managed objects (MO Type 1 410, MO Type 2 412 and MO Type 3 414) are then stored in the Repository 230.
German: Der Wert von T1 ist nicht sonderlich beschränkt, beträgt aber zum Beispiel bevorzugt 150 nm oder weniger und stärker bevorzugt 50 nm oder weniger.
English: The value of T1is not particularly limited but is, for example, preferably 150 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
German: Das erste System 1 weist eine erste SwMI 10 und eine Mehrzahl von MSs auf, wovon zwei, MSs 19 und 20, gezeigt sind.
English: The first system 1 comprises a first SwMI 10 and a plurality of MSs, two of which, MSs 19 and 20, are shown.
German: Die dielektrische Schicht 126 kann ebenso beispielsweise andere in-situ nitridierte Materialien, wie z. B. HfSiO, ZrSiON, ZrSiO, LaSiON, LaSiO oder andere Materialien umfassen.
English: The dielectric layer 126 may also comprise other in-situ nitrided materials, such as HfSiO, ZrSiON, ZrSiO, LaSiON, LaSiO, or other materials, for example.
German: Fig. 15 zeigt eine mögliche Variante von Fig. 14, bei der der Dämpfungswiderstand ( 19 ) durch einen Varistor ( 16 ) ersetzt ist.
English: FIG. 15 shows one possible variant of FIG. 14, in which the damping resistor ( 19) is replaced by a varistor ( 16).
German: Für die einzelnen Zwischensignale UP1-UP3 und DN1-DN3 der Phasendetektoreinrichtung 2 sind jeweils separate analoge Filter 13 in Form von Tiefpassfiltern LP1-LP3 mit Übertragungsfunktionen H1(s)-H3(s) vorgesehen.
English: For the individual intermediate signals UP1-UP3 and DN1-DN3 of the phase detector device 2, separate analogue filters 13 are provided in each case in the form of low-pass filters LP1-LP3 with transmission functions H1(s)-H3(s).
German: Fig. 9B zeigt ein Kodierfenster in dem Zustand CB1, bei dem NA = 0, NB = 0 und X größer als 0 ist.
English: Fig. 9B shows a coding window in state CB1 in which NA = 0, NB = 0 and X is greater than 0.
German: Zum Beispiel sind die Platten 1, 3, 5, 7 und 9... mit der obersten Schiene 133, die in Figur 13 dargestellt ist, verbunden, während die Platten 2, 4, 6, 8... mit der untersten Schiene 133a verbunden sind.
English: For example, plates 1, 3, 5, 7, and 9... are connected to the uppermost rail 133 illustrated in Figure 13, while plates 2, 4, 6, 8... are connected to the lowermost rail 133a.
German: Der Sicherheitsventilmechanismus 512 trennt eine elektrische Verbindung zwischen der Positivelektrodenkappe 501 und der Positivelektrode 504, wenn der Innendruck der Batterie einen vorbestimmten Schwellenwert übersteigt.
English: The safety valve mechanism 512 cuts off electrical connection between the positive electrode cap 501 and the positive electrode 504 when the internal pressure of the battery exceeds a predetermined threshold value.
German: Der EML 240 umfasst eine erste EML (EML1) 242, die zwischen der EBL 265 und der HBL angeordnet ist, und eine zweite EML (EML2) 244, die zwischen der EML1 242 und der HBL 275 angeordnet ist.
English: The EML 240 comprises a first EML (EML1) 242 disposed between the EBL 265 and the HBL, and a second EML (EML2) 244 disposed between the EML1 242 and the HBL 275.
German: Die Speicherelektroden-Kontaktlöcher 56a und 56b erstrecken sich jeweils von einer oberen Oberfläche der Ätzschutzschicht 54 zu einer oberen Oberfläche der Drainregionen 16a und 16b.
English: The storage electrode contact holes 56a and 56b extend respectively from a top surface of the etching protection layer 54 to a top surface of the drain regions 16a and 16b.
German: Die Kommunikationseinrichtung 150 der Zentraleinheit 100 ist geeignet mit den Kommunikationseinrichtungen 214, 314 der verteilten Schnittstelleneinheiten 210, 310 zu kommunizieren, um Daten und Anweisungen auszutauschen.
English: The communication device 150 of the central unit 100 is suitable for communicating with the communication device 214, 314 of the distributed interface units 210, 310 in order to exchange data and instructions.
German: Da die Farbe 25 innerhalb von drei Farben von Farbe 23 liegt, wird die Pixelgruppe 100 mit den bereits kombinierten Pixelgruppen 96 und 98 kombiniert.
English: Since color 25 is within three colors of color 23, pixel group 100 is combined with already combined pixel groups 96 and 98.
German: Beispielsweise werden in einem kombinierten PGSM- und GSM 1800-System alle Dualbandmobiltelefone an GSM 1800 übergeben, wenn eine GSM 1800 Basisstation für die Mobilstation verfügbar ist.
English: For example, in a combined PGSM and GSM 1800 system all dual band mobiles are handed over to GSM 1800 when a GSM 1800 base station is available for the mobile station.
German: Das heißt, wenn man annimmt, daß die Pegel der Träger CV, C1 und C2 auf LCV, LC1 und LC2 eingestellt sind, wird bestimmt, daß LCV/LC1 = 13 dB und LCV/LC2 = 20 dE ist.
English: That is, assuming that the levels of the carriers CV, C1 and C2 are set to LCV, LC1 and LC2, respectively, it is determined that LCV/LC1 = 13 dB and LCV/LC2 = 20 dB.
German: Die Substrate können auch z. B. aus Glas, SiO2, ZnO, LiNbO3, LiTaO3 bestehen bzw. zumindest eine Schicht aus den hier genannten Materialien umfassen.
English: The substrates can consist, for example, of glass, SiO2, ZnO, LiNbO3, LiTaO3, or at least comprise a layer of the materials mentioned here.
German: Der beispielhafte Ablauf beginnt mit der Bereitstellung der Parameter fc, fg und fs (Schritt 604 ) und berechnet dann fr ≡ fc (mod fs), wobei fr den Restbetrag von fc (mod fs) darstellt (Schritt 606 ).
English: The exemplary flow begins with the providing of parameters fc, fg, and fs (Step 604), and then computes fr≡fc (mod fs), where fr represents the remainder of fc (mod fs) (Step 606).
German: Ferner sind Anschlüsse für eine Emitterelektrode (E1) und eine Gateelektrode (G1) des Transistors TR1 und eine Emitterelektrode (E2) und eine Gateelektrode (G2) des Transistors TR2 vorgesehen.
English: Moreover, terminals for an emitter electrode (E1) and a gate electrode (G1) of the transistor TR1, and an emitter electrode (E2) and a gate electrode (G2) of the transistor TR2 are provided.
German: Die Resonanz der Antenne 40 im mittleren Band MB (z. B. 1710 MHz bis 2170 MHz) kann zum Beispiel dem Abstand entlang peripherer leitfähiger Strukturen 16 zwischen der Zuleitung 112 und dem Spalt 18 - 1 zugeordnet sein.
English: The resonance of antenna 40 in midband MB (e.g., 1710 MHz to 2170 MHz) may be associated with the distance along peripheral conductive structures 16 between feed 112 and gap 18- 1, for example.
German: Zum Beispiel kann, obwohl der Receiver 512 und der Übertrager 514 als separate Blöcke innerhalb des ersten Kommunikationsinterfaces 510 gezeigt sind, der Receiver 512 in den Transmitter 514 integriert werden (zum Beispiel als ein Transceiver).
English: For example, although the receiver 512 and the transmitter 514 are depicted as separate blocks within the first communication interface 510, the receiver 512 may be integrated into the transmitter 514 (e.g., a transceiver).
German: Ferner, obwohl das System 100 mit Portalen 140 und 142 beschrieben ist, können mehr als oder weniger als zwei dieser Elemente vorhanden sein.
English: Furthermore, although system 100 is described with portals 140 and 142, there can be more than or less than two of these elements.