mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Elektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Wall (11) zumindest teilweise direkt unterhalb des auf der ersten Seite (3) der Leiterplatte (2) angeordneten wenigstens einen wärmeerzeugenden Bauelementes (5) oder teilweise direkt unterhalb wenigstens einer Wärmeleitschicht (14) angeordnet ist, wobei die wenigstens eine Wärmeleitschicht (14) auf der zweiten Seite (4) der Leiterplatte (2) und wenigstens teilweise direkt unterhalb des wenigstens einen wärmeerzeugenden Bauelementes (5) angeordnet ist.
English: Electronic assembly according to one of Claims 1 to 3, characterized in that the at least one wall (11) is arranged at least partially directly below the at least one heat-generating component (5) arranged on the first side (3) of the circuit board (2), or partially directly below at least one heat-conducting layer (14), wherein the at least one heat-conducting layer (14) is arranged on the second side (4) of the circuit board (2) and at least partially directly below the at least one heat-generating component (5).
German: Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Wahl der Ausdehnungstemperatur von GIC auf der Grundlage der gewünschten elektrischen Eigenschaften der GNPs unter Verwendung der Regressionsgeraden R = − 0.0002 T + 0.3357 erfolgt, wobei T in Grad Celsius und R in Ohm angegeben ist, wobei die Regressionsgerade den Widerstand der GNP-Filme, gemessen mit der Vier-Spitzen-Technik, analytisch als Funktion der Expansionstemperatur ausdrückt; und wobei die Regressionsgerade durch Interpolation von experimentellen Daten erhalten wird.
English: The process as per Claim 1, characterized in that the choice of the expansion temperature of GIC on the basis of the desired electrical properties of the GNPs is made using the regression line R = − 0.0002 T + 0.3357 where T is expressed in degrees centigrade and R in ohms, said regression line expressing analytically, as a function of the expansion temperature, the resistance of the GNP films measured using the four-tip technique; said regression line being obtained by interpolation of experimental data.
German: Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, ferner aufweisend: Senden (501), durch den zweiten Knoten, einer fünften Nachricht zum ersten Knoten, wobei die fünfte Nachricht die Konfiguration des zweiten Knotens und/oder die Doppelkonnektivitätskonfiguration aufweist; und Empfangen (502) vom ersten Knoten, durch den zweiten Knoten, der zweiten Nachricht, die einen Konfigurationserfolg der Endgerätvorrichtung anzeigt; oder Empfangen (503) vom ersten Knoten, durch den zweiten Knoten, der dritten Nachricht, die einen Konfigurationsfehler des Anwenderendgeräts anzeigt.
English: The method according to claim 6 or 7, further comprising: sending (501), by the second node, a fifth message to a first node, wherein the fifth message comprises the configuration of the second node and/or the dual connectivity configuration; and receiving (502) from the first node, by the second node, the second message indicating a configuration success of the terminal device; or receiving (503) from the first node, by the second node, the third message indicating a configuration failure of the user terminal.
German: Niedrigleistungsgerät geringer Größe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 2, mit dem ersten (5) und zweiten (4) Material, wobei das Erste aus der Gruppe von Materialien mit einer negativen magnetischen Permeabilität (MNG) und/oder einer negativen elektrischen Permittivität (ENG) ausgewählt ist, und das Zweite aus der Gruppe von Materialien ausgewählt ist, für die das Vorzeichen von mindestens einer von der magnetischen Permeabilität und der elektrischen Permittivität entgegensetzt zu dem des ersten Materials ist.
English: A small size, low-power device according to any of claims 1-2 comprising the first (5) and second (4) materials, the first being selected from the group of materials having a negative magnetic permeability (MNG) and/or a negative electrical permittivity (ENG), the second being selected from the group of materials for which the sign of at least one of the magnetic permeability and electrical permittivity is opposite to that or those of the first material.
German: Vorrichtung (2) nach einem der Ansprüche 21-22, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (2) eine Schaltanlage (2) ist, insbesondere eine luftisolierte oder eine gasisolierte metallverkapselte Schaltanlage (2) oder eine Hybridschaltanlage (2) oder eine Mittelspannungsblockschaltanlage oder eine Ringkabelschaltanlage oder ein Dead Tank Breaker oder ein PASS-Modul (plug-and-switch module) oder ein Teil oder eine Komponente derselben, insbesondere eine Sammelschiene, eine Durchführung, ein Kabel, ein gasisoliertes Kabel, eine Kabelverbindung, ein Stromtransformator, ein Spannungstransformator und/oder ein Überspannungsableiter.
English: Apparatus (2) according to any of the claims 21-22, characterized in that the apparatus (2) is a switchgear (2), in particular an air-insulated or a gas-insulated metal-encapsulated switchgear (2) or a hybrid switchgear (2) or a medium voltage block switchgear or a ring-main-unit, or a dead tank breaker or a PASS-module (plug-and-switch module), or a part or component thereof, in particular a bus bar, a bushing, a cable, a gas-insulated cable, a cable joint, a current transformer, a voltage transformer, and/or a surge arrester.
German: Headset (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Ohrbügel (32) einen Teil zum Einrasten am Ohr (25) und einen Teil zum Einrasten am Headset (26) umfasst, die durch ein Ohrbügelscharnier (24) derart miteinander verbunden sind, dass sich der Teil zum Einrasten am Ohr (25) um eine dritte Achse (A3) in Bezug auf den Teil zum Einrasten am Headset (26) drehen kann.
English: A headset (1) according to any of the claims 1-5, wherein the ear hook (32) comprises an ear engaging part (25) and a headset engaging part (26), which are interconnected by an ear hook hinge (24), such that the ear engaging part (25) can rotate about a third axis (A3) in relation the headset engaging part (26).
German: Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Wärmebehandlung in einer Gasatmosphäre durchgeführt wird, welche H₂O oder CO₂ enthält, unter einem Druck im Bereich von 1,33 x 10⁻³ Pa (1 x 10⁻⁵ Torr) bis 1,33 x 10⁻ Pa (1 x 10⁻⁴ Torr), bei einer Heiztemperatur im Bereich von 400°C bis 800°C.
English: A method as claimed in claim 6 wherein the heat-treatment is performed in a gaseous atmosphere including H₂O or CO₂, under a pressure in the range of 1.33 x 10⁻³ Pa (1 x 10⁻⁵ Torr) to 1.33 x 10⁻ Pa (1 x 10⁻⁴ Torr), and at a heating temperature in the extent of 400°C to 800°C.
German: Verfahren nach Anspruch 1, wobei der erste Satz von P-TTUs der ersten BS basierend auf einer ersten Bitmap zugeordnet wird, die über den Standort des ersten Satzes von P-TTUs informiert, der für die erste LTE BS konfiguriert ist, und wobei der zweite Satz von P-TTUs der zweiten LTE-BS basierend auf einer zweiten Bitmap zugeordnet wird, die über den Standort des zweiten Satzes von P-TTUs informiert, der für die zweite LTE BS konfiguriert ist.
English: The method of claim 1, wherein the first set of P-TTUs is assigned to the first BS based on a first bitmap, which informs location of the first set of P-TTUs, configured to the first LTE BS, and wherein the second set of P-TTUs is assigned to the second LTE BS based on a second bitmap, which informs location of the second set of P-TTUs, configured to the second LTE BS.
German: Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, - dass als Telefon (POTS-T, ISDN-T, IP-T(MGCP), GSM-T) ein IP-Telefon (IP-T(MGCP)) oder ein PDA eingesetzt wird, - dass das Telefon (POTS-T, ISDN-T, IP-T(MGCP), GSM-T) über eine direkte Verbindung über das Paketnetz (IPCore) mit dem Media Gateway Controller (MGC) kommuniziert, und - dass für die Kommunikation zwischen Telefon (POTS-T, ISDN-T, IP-T(MGCP), GSM-T) und Media Gateway Controller (MGC) das MGCP Protokoll verwendet wird.
English: Method according to one of claims 1 to 4, characterised in that - an IP telephone (IP-T(MGCP)) or a PDA is used as the telephone (POTS-T, IDSN-T, IP-T(MGCP), GSM-T), - the telephone (POTS-T, IDSN-T, IP-T(MGCP), GSM-T) communicates with the media gateway controller (MGC) by means of a direct connection via the packet network (IPCore), and - the MGCP protocol is used for communication between the telephone (POTS-T, IDSN-T, IP-T(MGCP), GSM-T) and the media gateway controller (MGC).
German: Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei: die erste NF ein VNF ist und der Verwaltungsknoten der ersten Ressource ein VIM ist; oder die erste NF eine PNF ist und der Verwaltungsknoten der ersten Ressource ein OSS/BSS ist; oder die erste NF eine PNF ist und der Verwaltungsknoten der ersten Ressource ein EMS ist, das die erste NF verwaltet.
English: The method according to any one of claims 1 to 8, wherein: the first NF is a VNF, and the management node of the first resource is a VIM; or the first NF is a PNF, and the management node of the first resource is an OSS/BSS; or the first NF is a PNF, and the management node of the first resource is an EMS that manages the first NF.
German: Verfahren gemäß Anspruch 4, wobei das Entfernen wenigstens eines Teils der Opferschicht (32) des Substrats (28) so durchgeführt wird, dass ein erster Teil der Opferschicht (32) zwischen der Außenwand und der ersten Substratschicht (30) zurückbleibt und ein zweiter Teil der Opferschicht (32) zwischen einer feststehenden Elektrode (16a), die in der mechanischen Struktur (12) enthalten ist, und der ersten Substratschicht (30) zurückbleibt.
English: The method of claim 4, wherein removing of at least a portion of the sacrificial layer (32) of the substrate (28) is conducted such that a first portion of said sacrificial layer (32) remains between the outer wall and the first substrate layer (30) and a second portion of said sacrificial layer (32) remains between a fixed electrode (16a) contained in the mechanical structure (12) and the first substrate layer (30).
German: Verfahren nach Anspruch 5, wobei der besagte erste und zweite konkave Abschnitt (121a, 121b) der Bank die Breite von 1 bis 50 µm und die Höhe von 50 bis 500 nm aufweisen, ein Abstand zwischen dem besagten ersten und zweiten konkaven Abschnitt (121a, 121b) 1 bis 100 µm beträgt, und der besagte dritte konkave Abschnitt (122) die Breite von 3 bis 400 µm und die Höhe von 10 bis 1000 nm aufweist.
English: The method of claim 5, wherein said first and second concave portions (121 a, 121 b) of the bank have the width of 1 to 50 µm and the height of 50 to 500 nm, a distance between said first and second concave portions (121 a, 121b) is 1 to 100µm, and said third concave portion (122) has the width of 3 to 400 µm and the height of 10 to 1000 nm.
German: Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass für eine Broadcast-Kommunikation zum Senden von Daten (DATA) von einem ersten Knoten (K1) der Gruppe zu mehreren weiteren Knoten (K2, K3) der Gruppe die Daten (DATA) dann geschickt werden, wenn sich die weiteren Knoten (K2, K3) in ihrer jeweiligen Kommunikationsphase (KPH) befinden, falls zumindest zwei der weiteren Knoten ihre jeweilige Aktivierungsphase (TPH) innerhalb der Kommunikationsphase (KPH) des ersten Knotens (K1) haben.
English: Method according to one of claims 1 to 16, characterised in that for a broadcast communication for sending data (DATA) from a first node (K1) of the group to a plurality of other nodes (K2, K3) of the group, the data (DATA) is sent when the other nodes (K2, K3) are in their respective communication phase (KPH) if at least two of the other nodes have their respective activation phase (TPH) within the communication phase (KPH) of the first node (K1).
German: Stapel nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode (12) aus Cermet, die Kathode (16) aus Perowskit und der Interkonnektor (18) aus Metall oder einer Legierung besteht, und daß die Kontaktschichten (42) zwischen Anode (12) und Interkonnektor (18) aus einem Werkstoff nach einem der Ansprüche 4 bis 6 und die Kontaktschichten (42) zwischen Kathode (16) und Interkonnektor (18) aus einem Werkstoff nach einem der Ansprüche 7 bis 11 bestehen.
English: Stack according to claim 12, characterized in that the anode (12) consists of cermet, the cathode (16) consists of perovskite and the interconnector (18) consists of metal or an alloy, and that the contact layers (42) between anode (12) and interconnector (18) consist of a material according to one of claims 4 to 6 and the contact layers (42) between cathode (16) and interconnector (18) consist of a material according to one of claims 7 to 11.
German: Verfahren nach Anspruch 10, ferner mit den folgenden Schritten: Empfangen und Speichern von Erinnerungstagsinformationen und externen Daten in einer STB (4); in der STB (4), Zählen der Zeit und Feststellen, ob der Erinnerungstag erreicht ist, durch Vergleich mit vorab in der STB (4) gespeicherten Erinnerungstagsinformationen; und in der STB (4), wenn der Erinnerungstag erreicht ist, Extrahieren der Erinnerungstagsinformationen und vorgespeicherter Glückwunschnachrichteninformationen als externe Daten und Ausgeben der extrahierten Informationen durch den IPTV.
English: The method of claim 10, further comprising the step of: receiving and storing, in an STB (4), memorial day information and external data; in the STB (4), counting time and judging whether the memorial day has arrived through a comparison with memorial day information stored in advance in the STB (4); and if the memorial day has arrived, extracting, in the STB (4), the memorial day information and pre-stored congratulation message information as external data and outputting the extracted information through the IPTV.
German: Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Übertragung der 4-Bit-Informationen auf dem PUSCH Kanalkodieren der 4-Bit-Informationen unter Verwendung von q i ACK = ∑ n = 0 3 o n ⋅ M i mod 32, n mod 2 aufweist, wobei q i ACK ein i-tes kanalkodiertes Bit darstellt, i eine ganze Zahl größer oder gleich 0 darstellt, mod eine Modulo-Operation darstellt, on die 4-Bit-Information o(0), o(1), o(2), o(3) darstellt, und Ma,n den folgenden Blockkode darstellt:
English: The method according to claim 1, wherein transmitting of the 4-bit information on the PUSCH comprises channel-coding the 4-bit information using q i ACK = ∑ n = 0 3 o n ⋅ M i mod 32, n mod 2 wherein q i ACK denotes an i-th channel-coded bit, i denotes an integer equal to or greater than 0, mod represents a modulo operation, on represents the 4 bit information o(0), o(1), o(2), o(3), and Ma,n represents the following block code:
German: System nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel (302) zum Ver- und Entschlüsseln von Daten ein Verschlüsselungsserver sind zum: - Empfangen (41) von Verschlüsselungsanforderungen mit den zu verschlüsselnden Daten (40); - Liefern (42) der Verschlüsselungsschlüssel (21) zu den Speicher- und Indexerzeugungsmitteln (301); - Empfangen (53) der verschlüsselten Daten und des rekonstituierten Verschlüsselungsschlüssels, die von den Mitteln (301) zum Rekonstituieren des Verschlüsselungsschlüssels ausgesendet wurden; - Wiederherstellen (54) der entschlüsselten Daten.
English: System according to any one of claims 4 to 7, characterized in that the means (302) for encrypting and decrypting data are an encryption server: - receiving (41) the encryption requests with the data (40) to be encrypted; - providing (42) the encryption keys (21) to the index generation and storage means (301); - receiving (53) the encrypted data and the reconstructed encryption key that are sent by the means (301) for reconstructing the encryption key; - restoring (54) the decrypted data.
German: Benutzereinrichtung (601) nach einem der Ansprüche 1-3, ferner umfassend: Empfangsmittel (612) zum Empfangen von ersten Authentifikationsinformationen von der anderen Benutzereinrichtung (602) über die Sitzung; und Berechnungsmittel (613) zum Berechnen von zweiten Authentifikationsinformationen, basierend auf den ersten Authentifikationsinformationen, wobei das Sendemittel (612) die zweiten Authentifikationsinformationen als Antwort auf die ersten Authentifikationsinformationen über die Sitzung an die andere Benutzereinrichtung (602) sendet.
English: The user device (601) according to any one of claims 1-3, further comprising: receiving means (612) for receiving first authentication information from the other user device (602) via the session; and calculating means (613) for calculating second authentication information based on the first authentication information, wherein the sending means (612) sends the second authentication information to the other user device (602) via the session in response to the first authentication information.
German: Batteriemodul (20) nach Anspruch 1, wobei der erste Adapter (38) einen ersten leitfähigen Abschnitt (50, 52) in Kontakt mit der ersten Klemme (34, 36) umfasst, der zweite Adapter (38) einen zweiten leitfähigen Abschnitt (50, 52) in Kontakt mit der zweiten Klemme (34, 36) umfasst, und die Sammelschiene (40) in elektrischem Kontakt mit dem ersten leitfähigen Abschnitt (50, 52) und dem zweiten leitfähigen Abschnitt (50, 52) ist, um den elektrischen Pfad zu errichten.
English: The battery module (20) of claim 1, wherein the first adapter (38) comprises a first conductive portion (50, 52) in contact with the first terminal (34, 36), the second adapter (38) comprises a second conductive portion (50, 52) in contact with the second terminal (34, 36), and the bus bar (40) is in electric contact with the first conductive portion (50, 52) and the second conductive portion (50, 52) to establish the electrical path.
German: System nach Anspruch 6, bei dem das Trägertransportsystem ferner eine Anordnung aus einer Vielzahl von Magneträdern (267) umfasst und jeder der Träger (200) Magnetstäbe (240) umfasst, die auf den Magneträdern (267) verlaufen, und bei dem die Anordnung aus der Vielzahl von Magneträdern (267) eine Vielzahl von rotierenden Wellen (268) umfasst, wobei jede der rotierenden Wellen (268) eine Vielzahl von Magneträdern (267) aufweist, die in wechselnder magnetischer Polarität an ihnen befestigt sind.
English: The system of claim 6, wherein the carrier transport system further comprises an arrangement of a plurality of magnetic wheels (267) and each of the carriers (200) comprises magnetic bars (240) that ride on the magnetic wheels (267), and wherein the arrangement of the plurality of magnetic wheels (267) comprises a plurality of rotating shafts (268), each of the rotating shafts (268) having a plurality of magnetic wheels (267) attached thereto in alternating magnetic polarity.
German: Batteriepack nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Endfläche (13) einen ersten konkaven Teil (43) umfasst, der dicht bei der ersten Seitenfläche (15) vorgesehen ist, und einen zweiten konkaven Teil (44), der dicht bei der zweiten Seitenfläche (16) vorgesehen ist, und der erste konkave Teil (43) und der zweite konkave Teil (44) sind auf der ersten Endfläche (13) und näher an der zweiten Hauptfläche (12) als an der ersten Hauptfläche (11) angeordnet.
English: The battery pack according to claim 1 or 2, characterized in that the first end surface (13) includes a first concave portion (43) provided close to the first side surface (15) and a second concave portion (44) provided close to the second side surface (16), and the first concave portion (43) and the second concave portion (44) are arranged on the first end surface (13) and closer to the second main surface (12) than the first main surface (11).
German: Wiederaufladbare Batterie nach Anspruch 9, wobei das Mittelteil (45): an der verformbaren Platte (47) befestigt ist; und/oder eine größere Dicke aufweist als die verformbare Platte (47); entlang seines Umfangs am unteren Ende mit der verformbaren Platte (47) verschweißt ist; und/oder ein Loch (45a) aufweist, das an einer Stelle ausgebildet ist, die derjenigen der Kerbe (47a) der verformbaren Platte (47) entspricht und/oder an einer Stelle ausgebildet ist, die derjenigen des Kurzschlusslochs (23) entspricht.
English: Rechargeable battery according to claim 9, wherein the middle member (45): is attached to the deformable plate (47); and/or has a larger thickness than the deformable plate (47); is welded along its lower end circumference to the deformable plate (47); and/or comprises a hole (45a) formed at a location corresponding to that of the notch (47a) of the deformable plate (47) and/or formed at a location corresponding to that of the short circuit hole (23).
German: Kommunikationsnetzwerk nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Internet-Zugangsnetz (AN), das wie ein ATM-Netz aufgebaut ist, in welchem eine Kanalverbindung in der Form einer sogenannten "Virtuellen Kanalverbindung" (VCC1, VCC2, MVCC, AVCC) für jede Tunnelverbindung der Teilnehmer (PC1, PC2,..., PCn) sowie für jede Mehrfachgruppe, die die Teilnehmer (PC1, PC2,..., PCn) einschließt, und für das zusätzliche Protokoll, zwischen dem Netzelement (NAS) entfernt von den Teilnehmern und dem Netzelement (CPNT) lokal zu den Teilnehmern aufgebaut werden kann.
English: Communications network according to Claim 2, characterised in that an Internet access network (AN), constructed as an ATM network, in which a channel connection in the form of a so-called "Virtual Channel Connection" (VCC1, VCC2, MVCC, AVCC) for each tunnel connection of the subscribers (PC1, PC2,..., PCn) as well as for each multicast group involving the subscribers (PC1, PC2,..., PCn), and for the additional protocol, can be established between the network element (NAS) remote from the subscribers and the network element (CPNT) local to the subscribers.
German: Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, zudem beinhaltend Bilden, zwischen der ersten ersten Elektrode (101) und der zweiten ersten Elektrode (102), einer Pixel definierende Schicht (110), welche eine Isolationsschicht enthält, wobei optionsweise die selbst organisierende Schicht (150) an der Pixel definierenden Schicht (110) gebildet wird, oder wobei die selbst organisierende Schicht (150) unter der Pixel definierenden Schicht (110) gebildet wird.
English: A method according to any one of claims 9 to 11, further comprising forming, between the first first electrode (101) and the second first electrode (102), a pixel-defining layer (110) including an insulating layer, optionally wherein the self-assembled layer (150) is formed on the pixel-defining layer (110), or wherein the self-assembled layer (150) is formed under the pixel-defining layer (110).
German: Bipolare Platte (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei der erste Verteilungskanal (Ca1) und/oder der zweite Verteilungskanal (Cc1) jeweils zwischen einem übereinander angeordneten Abschnitt (Ca1, Cc1) und einem Verstärkungsabschnitt (Ra1, Rc1) einen Bereich umfassen, an dem er nicht mit dem gegenüberliegenden leitenden Blech (10, 20) in Kontakt steht, wodurch eine örtliche Fluidverbindung zwischen benachbarten Kühlkanälen (Cr1, Cr2) gestattet wird.
English: Bipolar plate (1) according to Claim 1 or 2, in which the first distribution channel (Ca1) and/or the second distribution channel (Cc1) each include, between a superposed portion (Ca1, Cc1) and a reinforcement portion (Ra1, Rc1), a zone where it does not make contact with the opposite conductive sheet (10, 20), thus allowing a local communication of fluid between adjacent cooling channels (Cr1, Cr2).
German: CMOS-Bildsensor-Verkapselungsstruktur (100) nach einem der Ansprüche 9-14, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer (110) vor dem Abdünnen durch Abschleifen eine Dicke von 700∼1000 µm aufweist, wobei der Wafer (110) nach dem Abdünnen durch Abschleifen eine Dicke von 20∼100 µm aufweist und vorzugsweise der Wafer (110) nach dem Abdünnen durch Abschleifen eine Dicke von 40∼70 µm aufweist.
English: The CMOS image sensor encapsulation structure (100) of any one of claims 9-14, characterized in that the wafer (110) before being thinned by grinding has a thickness of 700∼1000µm, the wafer (110) after being thinned by grinding has a thickness of 20∼100µm, and preferably, the wafer (110) after being thinned by grinding has a thickness of 40∼70µm.