mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Die Aufgaben von einem Anwendungsserver (AS) hinsichtlich MRF, um Konferenzmerkmale zur Verfügung zu stellen, können zum Beispiel die folgenden sein: Konferenzbuchung und Bereitstellen von Buchungsinformationen (zum Beispiel Startzeit, Dauer, Liste der Teilnehmer) für das MRFC und/oder Bereitstellen eines Bodensteuermechanismus, durch den Endbenutzer (zum Beispiel Teilnehmer, Vorsitzender) den Boden beeinflussen und Informationen für das MRFC bereitstellen können, wie eingehende Medienströme gemischt und entsprechend verteilt werden sollen.
English: The tasks of an Application Server (AS) with regard to MRF, in order to provide conferencing facilities, may e.g. be the following: conference booking and provision of booking information (e.g. start time, duration, list of participants) to the MRFC, and/or provide a floor control mechanism, by which end users (e.g. participants, chairman) can influence the floor and provide information to the MRFC on how incoming media streams should be mixed and distributed accordingly.
German: Die Höhe (relative Position in Bezug auf den Meeresspiegel) an jedem Punkt des Pfades kann erfasst werden durch: (1) direkte Messung der Höhe an jedem Punkt, oder (2) Messung der Höhe über dem Meeresspiegel nur am Punkt „a“ und anschließende Berechnung der Höhendifferenz (relativ zum vorherigen Punkt) an jedem der anderen Punkte.
English: The altitude (relative position with respect to sea level) at each point on the path can be acquired by: (1) directly measuring the height at each point, or (2) measuring the height above sea level only at the point “a”, and then calculating the difference in elevation (relative to the previous point) at each of the other points.
German: Die Schnittstellenschaltung 609 enthält eine Warteschaltung 601 zum Eingeben der Daten Vi durch einen Puffer B1 und zum Zwischenspeichern der eingegebenen Daten Vi, einen Trommelverschieber 602 zur Bildung eines 16-Bit Fensters I0-I15 entsprechend den Ausgabedaten VL0 und VL1 von der Warteschaltung 601, und einen Addierer 606 zum Addieren von Ausgabedaten VL2 von einer Warteschaltung 607 und einer Wortlänge L0-L3 von der Decodierschaltung 610 und zum Ausgeben der resultierenden Daten S0 an die Warteschaltung 607.
English: The interface circuit 609 includes a latch circuit 601 for inputting the data Vi through a buffer B1 and latching the inputted data Vi, a barrel shifter 602 for forming a 16-bit window I0-I15 according to output data VL0 and VL1 from the latch circuit 601, and an adder 606 for adding output data VL2 from a latch circuit 607 and a wordlength L0-L3 from the decoding circuit 610 and outputting the resultant data S0 to the latch circuit 607.
German: Das resultierende Lösungsgemisch wurde in eine Polymerisationszelle injiziert, umfassend eine Flachdichtung aus 3 mm Polyvinylchlorid und 2 Stücke von 620 × 420 × 10 mm Glasplatten und bei 50 °C für 12 Stunden und bei 100 °C für 2 Stunden für die Polymerisation erhitzt; dabei ergibt sich ein plattenartiges, transparentes Substrat mit der Größe von 600 × 400 mm und eine Dicke von 3 mm.
English: The resultant mixture solution was injected in a polymerization cell comprising a 3-mm polyvinyl chloride gasket and 2 pieces of 620×420×10-mm glass plates and subjected to heating at 50°C for 12 hours and at 100°C for 2 hours for polymerization, thereby giving a plate-like transparent substrate having a size of 600×400 mm and a thickness of 3 mm.
German: Zunächst werden S4n-te, S4n + 1-te, S4n + 2-te und S4n + 3-te Hauptproben in den jeweiligen Kanälen, die die erste Kanalgruppe bilden und mit der ersten Frequenz abgetastet sind, in Folge angeordnet und dann werden S2n-te und S2n + 1-te Hauptproben in den jeweiligen Kanälen, die die zweite Kanalgruppe bilden und mit der zweiten Frequenz abgetastet sind, in Folge angeordnet, wobei n = 0, 1, 2,... ist.
English: First, the S4n-th, S4n+1-th, S4n+2-th, and S4n+3-th main samples in the individual channels constituting the first channel group sampled at the first frequency are arranged in sequence, then the S2n-th and S2n+1-th main samples in the individual channels constituting the second channel group sampled at the second frequency are arranged in sequence, where n = 0, 1, 2,....
German: Genauer gesagt, hat in dem vorliegenden Beispiel das erste Bandpassfilter 410 ein erstes Durchlassband, das dem LTE-Band 40A entspricht, das sich von 2300MHz bis 2370MHz erstreckt, und das zweite Bandpassfilter 420 hat ein zweites Durchlassband, das WiFi entspricht, das sich von 2400MHz bis 2500MHz erstreckt, dessen Betrieb zu einer im Wesentlichen gleichen Frequenzantwort eines kombinierten Durchlassbandes (z.B. das kombinierte Durchlassband 206 ), wie in Fig. 2 gezeigt, das oben besprochen worden ist, resultieren würde.
English: More particularly, in the present example, the first band pass filter 410 has a first passband corresponding to LTE band 40A, extending from 2300 MHz to 2370 MHz, and the second band pass filter 420 has a second passband corresponding to WiFi, extending from 2400 MHz to 2500 MHz, operation of which would result in substantially the same frequency response of a combined passband (e.g., combined passband 206) as shown in FIG. 2, discussed above.
German: Gleichermaßen zeigt Fig. 16, dass das Programm in der höheren Sprache 1602 unter Verwendung eines Compilers 1608 eines alternativen Anweisungssatzes kompiliert werden kann, um Binärcode 1610 des alternativen Anweisungssatzes zu erzeugen, der von einem Prozessor ohne mindestens einen x86-Anweisungssatzkern 1614 (z. B. einen Prozessor mit Kernen, die den Anweisungssatz MIPS von MIPS Technologies aus Sunnyvale, CA, ausführen und/oder die den Anweisungssatz ARM von ARM Holdings aus Sunnyvale, CA, ausführen) nativ ausgeführt werden kann.
English: Similarly, FIG. 16 shows the program in the high level language 1602 may be compiled using an alternative instruction set compiler 1608 to generate alternative instruction set binary code 1610 that may be natively executed by a processor without at least one x86 instruction set core 1614 (e.g., a processor with cores that execute the MIPS instruction set of MIPS Technologies of Sunnyvale, Calif. and/or that execute the ARM instruction set of ARM Holdings of Sunnyvale, Calif.).
German: Deshalb ist die Resonatorlänge, die die Resonanzwellenlänge definiert, bei der dielektrischen Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung eine Summe (H1 + H2 + D1) der Länge H1 des Durchleiters entsprechend der Höhe von der Endfläche des dielektrischen Substrats zu der dieser gegenüberliegenden Oberfläche, der Tiefe (Höhe) H2 des zweiten Lochs, das von der Endfläche auf die dieser gegenüberliegenden Oberfläche gerichtet ist, und des Abstandes D1 von dem zweiten Loch zu dem ersten Loch.
English: Therefore, in the dielectric device in accordance with the present invention, the resonator length defining the resonant wavelength is a sum (H1 + H2 + D1) of the length H1 of the through conductor corresponding to the height from the end surface of the dielectric substrate to the surfaces opposite thereto, the depth (height) H2 of the second hole directed from the end surface toward the surface opposite thereto, and the distance D1 from the second hole to the first hole.
German: Beispielsweise beinhaltet die Angabe 30 bis 160 bar auch die Offenbarung von 30,1 bis 160 bar, 30 bis 159,9 bar, 30,1 bis 159,9 bar etc. Diese Offenbarung kann einerseits zur Eingrenzung einer genannten Bereichsgrenze von unten und/oder oben, alternativ oder ergänzend aber zur Offenbarung eines oder mehrerer singulärer Werte aus einem jeweilig angegebenen Bereich dienen.
English: For example, the indication 30 to 160 bar also contains the disclosure of 30.1 to 160 bar, 30 to 159.9 bar, 30.1 to 159.9 bar, etc. This disclosure can serve on the one hand to bound a mentioned range limit from below and/or above, but alternatively or additionally to disclose one or several singular values from a respectively indicated range.
German: Deshalb kann, obwohl irgendeines des HD-Eingangssignals Sin, des ersten Signals eines normalen Bildes Saä und des zweiten Signals eines normalen Bildes Sbb in der Vorrichtung zum Aufzeichnen von Bildsignalen 101 verarbeitet wird, das Signal Sin, Saa oder Sbb auf dem Magnetband MT aufgezeichnet werden, ohne die vertikale Auflösung der ersten und zweiten Farbdifferenzsignale PR und PB, PRaa und PBaa oder PRbb und PBbb innerhalb des begrenzten vorgeschriebenen Frequenzbandes optisch zu verschlechtern.
English: Therefore, even though any of the HD input signal Sin, the first normal picture signal Saa and the second normal picture signal Sbb is processed in the picture signal recording apparatus 101, the signal Sin, Saa or Sbb can be recorded on the magnetic tape MT without optically degrading a vertical resolution of the first and second color difference signals PR and PB, PRaa and PBaa, or PRbb and PBbb within the prescribed frequency band limited.
German: In Fig. 10 sind die optische Quelle 201, der Phasenmodulator 202, der optischen Bandpassfilter 204, der NRZ-NAZI-Umwandler 205 und die Treiberschaltung 206 im Wesentlichen identisch zu der optischen Quelle 101, dem Phasenmodulator 102, dem optischen Bandpassfilter 104, dem NRZ-NAZI-Umwandler 105 und der Treiberschaltung 106 des optischen Modulators 100, wie er in Fig. 1 dargestellt ist, und wird hier nicht weiter beschrieben.
English: In FIG. 10, the optical source 201, phase modulator 202, optical band-pass filter 204, NRZ-NRZI converter 205 and drive circuit 206 are substantially identical to the optical source 101, phase modulator 102, optical band-pass filter 104, NRZ-NRZI converter 105 and drive circuit 106 of the optical modulator 100 shown in FIG. 1 and will not be described herein.
German: Wie in Fig. 2E dargestellt ist, können beispielsweise manche von den ersten Umverteilungs-Pads 451, z.B. eine erste und eine zweite rechte Spalte der ersten Umverteilungs-Pads 451 in Fig. 1A, durch die Umverteilungsmuster 415 mit den Chip-Pads 105 des Halbleiterchips 100 gekoppelt werden, und manche von den ersten Umverteilungs-Pads 451, z.B. die äußerste linke Spalte der ersten Umverteilungs-Pads 451 in Fig. 1A, können durch die Umverteilungsmuster 415 mit den leitenden Strukturen 250 gekoppelt werden.
English: For example, as illustrated in FIG. 2E, some of the first redistribution pads 451, e.g.. first and second right columns of the first redistribution pads 451 in FIG. 1A, may be coupled through the redistribution patterns 415 to the chip pads 105 of the semiconductor chip 100, and some of the first redistribution pads 451, e.g., a leftmost column of the first redistribution pads 451 in FIG. 1A, may be coupled through the redistribution patterns 415 to the conductive structures 250.
German: Nachdem der dritte Magnet 63 in das dritte Einführungsloch 73 eingeführt worden ist, wird der dritte Magnet 63 in Richtung der Außenseite in der Radialrichtung X gedrückt, bis die periphere Magnetaußenseite-Fläche 90 mit der peripheren Lochaußenseite-Fläche 80 in Kontakt kommt, so dass die periphere Magnetaußenseite-Fläche 90 und die periphere Lochaußenseite-Fläche 80 miteinander an zwei Punkten in Kontakt kommen.
English: After the third magnet 63 is inserted in the third insertion hole 73, the third magnet 63 is pressed toward the outside in the radial direction X until the magnet-outside-peripheral-surface 90 contacts with the hole-outside-peripheral-surface 80, whereby the magnet-outside-peripheral-surface 90 and the hole-outside-peripheral-surface 80 contact with each other at two points.
German: Weiterhin kann eine Klebeschicht 4 mit guten Biegeeigenschaften auf der anorganischen Schicht 2 angeordnet sein, und die Nut kann somit mit der Klebeschicht 4 gefüllt sein, um das Biegen des Anzeigefelds zu erleichtern und den Kontaktbereich der Klebeschicht mit der anorganischen Schicht 2 zu verbessern, was eine bestimmte Funktion des Füllens und Reparierens eines Bruchs der anorganischen Schicht 2 mit Hilfe der Klebeschicht 4 haben kann, nachdem der Bruch aufgetreten ist.
English: Further, an adhesive layer 4 having good bending property may be disposed on the inorganic layer 2 and thus the groove may be filled with the adhesive layer 4, so as to facilitate bending of the display panel, and improve the contacting area of the adhesive layer with the inorganic layer 2, which can play a certain role of filling and repairing a fracture of the inorganic layer 2 by means of the adhesive layer 4 after the facture appears.
German: Die Funktion des Fernmoduls wird unten mit Bezug auf die Fig. 7A und Fig. 7B ausführlicher beschrieben, es sollte jedoch angemerkt werden, dass, obwohl nur ein PTT-Schalter 34 auf dem Fernmodul 33 dargestellt ist, um die Beschreibung zu vereinfachen, das Modul 33 zwei Schalter umfassen könnte, welche den Schaltern 16 und 17 der UCI entsprechen, wenn das Modul mit einer UCI benutzt werden soll, die dafür konstruiert ist, mit zwei Netzen zu arbeiten.
English: The function of the remote module is described below in more detail with reference to Figures 7A and 7B, however it should be noted that although only one PTT switch 34 is illustrated on the remote module 33, in order to simplify the description, the module 33 could comprise two switches corresponding to the switches 16 and 17 of the UCI if the module is desired to be used with a UCI designed to operate with two networks.
German: In Fig. 9 stellt die Rotationsinformation, die „0" entspricht, dar, dass ein Bild nicht rotiert wird, Rotationsinformation, die „1" entspricht, stellt dar, dass ein Bild um 90 Grad im Uhrzeigersinn rotiert wird; Rotationsinformation, die „ 2" entspricht, stellt dar, dass ein Bild um 180 Grad im Uhrzeigersinn rotiert wird; und Rotationsinformation, die „ 3" entspricht, stellt dar, dass ein Bild um 270 Grad im Uhrzeigersinn rotiert wird.
English: In FIG. 9, rotation information corresponding to "0" represents that an image is not rotated; rotation information corresponding to "1" represents that an image is rotated 90 degrees clockwise; rotation information corresponding to "2" represents that an image is rotated 180 degrees clockwise; and rotation information corresponding to "3" represents that an image is rotated 270 degrees clockwise.
German: Die elektrisch leitfähige Struktur 510 kann eine allgemein rechteckige Form haben, wobei der Begriff ”allgemein rechteckig” so gemeint ist, dass er auch Teile umfasst, die von einer ideal rechteckigen Form abweichen, wie beispielsweise die Teile 528, 529, 530 des Rands 527 sowie einen gewissen Grad an Abrundung der elektrisch leitfähigen Struktur 510, der durch Eigenschaften von Verfahren wie der Fotolithographie, die bei der Herstellung der elektrisch leitfähigen Struktur 510 verwendet werden, verursacht werden könnte.
English: The electrically conductive structure 510 may have a generally rectangular shape, wherein the term “generally rectangular” is intended to include portions that deviate from an ideal rectangular shape such as, for example, portions 528, 529, 530 of the edge 527, as well as a certain degree of rounding of the electrically conductive structure 510 that might be caused by properties of processes such as photolithography that are employed in the manufacturing of the electrically conductive structure 510.
German: Ein Signalpfad 1520 - 2, der auch von dem ersten Signalpfad 1520 stammt, enthält die Induktoren (z. B. 1521 - 2 und 1522 - 2 ), die eng und positiv magnetisch miteinander gekoppelt sind, wobei ein erster Anschluss des Kondensators 1523 - 2 zwischen den Induktoren 1521 - 2 und 1522 - 2 (wo ein zweiter Anschluss des Kondensators 1523 - 2 mit Masse verbunden ist) als Teil der zweiten Stufe 1506 angeordnet ist.
English: A signal path 1520- 2 also stemming from the first signal path 1520 includes the inductors (e.g., 1521- 2 and 1522- 2) tightly and positively magnetically coupled to one another with a first terminal of the capacitor 1523- 2 interposed between the inductors 1521- 2 and 1522- 2 (where a second terminal of the capacitor 1523- 2 is connected to ground) as part of the second stage 1506.
German: Die Transistoren T7 und T8 sind mit dem Kondensator 400d kombiniert und bilden eine Einheit 300U2, um die Phase „U" des Wechselstroms zu erzeugen, die Transistoren T9 und T10 sind mit dem Kondensator 400e kombiniert und bilden eine Einheit 300V2, um die Phase „V" des Wechselstroms zu erzeugen und die Transistoren T11 und T12 sind mit dem Kondensator 400f kombiniert und bilden eine Einheit 300W2, um die Phase „W" des Wechselstroms zu erzeugen.
English: Transistors T7 and T8 are combined with condenser 400d and constitute a unit 300U2to produce phase "U" of the alternating current, transistors T9 and T10 are combined with condenser 400e and constitute a unit 300V2to produce phase "V" of the alternating current and transistors T11 and T12 are combined with condenser 400f and constitute a unit 300W2to produce phase "W" of the alternating current.
German: Die GSM-Empfangseinheit 710 ist dafür ausgelegt, ein GSM-Signal aus einem durch die GSM-Antenne empfangenen Signal zu detektieren und zu verarbeiten und enthält einen GSM-Empfänger 712 zum Extrahieren eines GSM-Signals durch Durchführen von Filterung an dem Signal, das durch die GSM-Antenne empfangen wird, durch ein daran vorgesehenes Bandpassfilter und zum Ausgeben des extrahierten GSM-Signals und einen ersten rauscharmen Verstärker 714 zum Verstärken des durch den GSM-Empfänger 712 extrahierten GSM-Signals und zum Ausgeben des verstärkten GSM-Signals.
English: The GSM reception unit 710 is configured to detect and process a GSM signal from a signal received through the GSM antenna, and includes a GSM receiver 712 for extracting a GSM signal by performing filtering on the signal, received through the GSM antenna, through a band pass filter provided therein, and outputting the extracted GSM signal, and a first low-noise amplifier 714 for amplifying the GSM signal extracted by the GSM receiver 712 and outputting the amplified GSM signal.
German: Folglich umfasst der akustische Resonator 600B das Substrat 105, die untere Elektrode 110, die auf dem Substrat 105 und dem unteren Tragerahmen 124 angeordnet ist, die Planarisierungsschicht 120, die angrenzend an die untere Elektrode 110 auf dem unteren Tragerahmen 124 angeordnet ist, die piezoelektrische Schicht 130, die auf der unteren Elektrode 110 und der Planarisierungsschicht 120 angeordnet ist, und die obere Elektrode 640, die auf der piezoelektrischen Schicht 130 angeordnet ist.
English: Accordingly, the acoustic resonator 600B includes the substrate 105, the bottom electrode 110 disposed on the substrate 105 and the bottom support frame 124, the planarization layer 120 disposed adjacent to bottom electrode 110 on the bottom support frame 124, the piezoelectric layer 130 disposed on the bottom electrode 110 and the planarization layer 120, and the top electrode 640 disposed on the piezoelectric layer 130.
German: Im Hinblick auf weitere Merkmale des organischen Licht emittierenden Elements 100, beispielsweise im Hinblick auf den Aufbau, die Schichtzusammensetzung und die Materialien des organischen funktionellen Schichtenstapels, der Elektroden und der Verkapselung, wird auf die Druckschrift WO 2010/066245 A1 verwiesen, die in Bezug auf den Aufbau eines organischen Licht emittierenden Bauelements und auch im Hinblick auf Modifikationen und Variationen des in Fig. 1 gezeigten organischen Licht emittierenden Elements hiermit ausdrücklich durch Rückbezug aufgenommen wird.
English: With regard to further features of the organic light-emitting element 100, for example, with regard to the structure, the layer composition, and the materials of the organic functional layer stack, the electrodes, and the encapsulation, reference is made to document WO 2010/066245 A1, which is hereby expressly incorporated by reference with regard to the structure of an organic light-emitting component and also in consideration of modifications and variations of the organic light-emitting element shown in FIG. 1.
German: Wie jedoch in Fig. 15B gezeigt, in einem Fall, in dem die Hand des Roboters 9 und der Behälter 12 einander stören, wenn der Roboter 9, an dem die Handkamera 21 angebracht ist, sich zu der Roboterposition und -stellung 19 bewegt, um das Werkstück 22 zu fotografieren, fotografiert der Roboter, an dem die Handkamera 21 angebracht ist, das Werkstück in der Roboterposition und -stellung 20, in denen die Störung vermieden wird.
English: However, as illustrated in FIG. 15B, in a case where the hand of the robot 9 and the container 12 interfere with each other when the robot 9 mounting the hand camera 21 moves to the robot position and posture 19 to photograph the workpiece 22, the robot mounting the hand camera 21 photographs the workpiece in the robot position and posture 20 where interference is avoided.
German: Mit Bezugnahme auf Fig. 3 erfasst ein Netzwerküberwachungsteilsystem 110 die Daten von einem Netzwerkübertragungsereignis an einer ersten Netzwerkstelle, wie zum Beispiel der Netzwerkstelle 120 in Fig. 2 (die Netzwerkstelle 205 in Fig. 3 kann jeder Netzwerkstelle in Fig. 2 entsprechen), durch die Erfassungshardware 215 (die Erfassungshardware kann ähnlich sein wie, ist aber nicht beschränkt auf diejenige, die in Netzwerkanalysierern zu finden ist, wie z. B. dem "J6800A Network Analyzer" von Agilent Technologies, Inc.).
English: Referring to FIG. 3, a network monitoring subsystem 110 acquires the data from a network transmission event at a first network location such as network location 120 in FIG. 2 (the network location 205 in FIG. 3 can correspond to any network location in FIG. 2) by means of the acquisition hardware 215 (the acquisition hardware can be similar, but is not limited to, to that found in network analyzers such as the "J6800A Network Analyzer" of AGILENT TECHNOLOGIES, Inc.).
German: Das in Fig. 9 gezeigte System wurde konfiguriert, indem zusätzlich zum Temperaturdetektor des Sensors 12 der zweite Temperatursensor A in den Durchgang von der Flüssigkeitspumpe 21 zum Zellenstapel 1 zum Eingeben der von dem Temperaturdetektor des Sensors 12 erfassten Temperatur und der durch den zweiten Temperatursensor A (Temperatur der dem Zellenstapel 1 zugeführten wässrigen Methanollösung) erfassten Temperatur an die Steuerungsvorrichtung 7 eingefügt wurde und die Steuerungsvorrichtung 7 durch den Temperaturunterschied steuert.
English: The system shown in FIG. 9 was configured by having, in addition to the temperature detector of the sensor 12, the second temperature sensor A in the passage from liquid pump 21 to cell stack 1 to input the temperature detected by the temperature detector of the sensor 12 and the temperature detected by the second temperature sensor A (temperature of the aqueous methanol solution supplied to cell stack 1) to controller 7 and control controller 7 by the temperature difference.
German: Der Ausgang des Operationsverstärkers OA1 ist mit dem ersten Ende r31 des Widerstandes R3 verbunden, das zweite Ende r32 des Widerstandes R3 ist mit dem zweiten Ende r22 des Widerstandes R2 und mit dem zweiten Ende r42 des Widerstandes R4 verbunden, das erste Ende r21 des Widerstandes R2 ist mit dem invertierenden Eingang des Operationsverstärkers OA1 verbunden und das erste Ende r41 des Widerstandes R4 ist mit dem nicht invertierenden Eingang des Operationsverstärkers OA1 verbunden.
English: The output of the operational amplifier OA1is connected to the first end r31of the resistor R3,the second end r32of the resistor R3is connected to the second end r22of the resistor R2and to the second end r42of the resistor R4, the first end r21of the resistor R2is connected to the inverting input of the operational amplifier OA1and the first end r41of the resistor R4is connected to the non-inverting input of the operational amplifier OA1.