mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Fig. 6 ist eine Darstellung 130 des Fahrzeugs 10, das sich auf einer Straße 132 bewegt, die das Fahrzeug 10 in zwei unterschiedlichen Positionen zeigt.
English: FIG. 6 is an illustration 130 of the vehicle 10 traveling on a roadway 132 showing the vehicle 10 at two different positions.
German: Darüberhinaus wird, wenn (in Schritt 424) die Adresse ADDR nicht 7 ist, ADDR um 1 erhöht (Schritt 420) und das Verfahren kehrt zu Schritt 402 zurück.
English: Moreover, if (at step 424) the address ADDR is not 7, ADDR is increased by 1 (step 420) and the process returns to step 402.
German: Das gleiche Verfahren wie in Beispiel 3 wurde durchgeführt, außer dass eine Elektrolytschicht unter Verwendung von 1M LiTFSI in Dioxolan (DOL)/Dimethoxyethan (DME) gebildet wurde.
English: The same process as in Example 3 was conducted except that an electrolyte layer was formed using 1M LiTFSI in dioxolane (DOL)/dimethoxyethane (DME).
German: Wenn D = 64 (d. h. ein flaches Bild, dessen 64 Pixeldaten den selben Wert haben), wird das Signal 1e = '1' festgelegt.
English: When D = 64 (i.e., a flat image whose 64 pixel data have the same value), the signal 1e = '1' is set.
German: In der Gleichung (1) ist xk = (ak-ak-1)/2 = -1,0 oder +1, bezeichnet xk = -1 den negativen Übergang der Daten, bezeichnet xk = 0 keinen Übergang und bezeichnet xk = +1 den positiven Übergang der Daten.
English: In Equation (1), xk=(ak-ak-1)/2=-1, 0 or +1; xk=-1 indicates the negative transition of data, xk=0 indicates no transition, and xk=+1 indicates positive transition of data.
German: Die erste und/oder die zweite Elektrode 40, 72 können zumindest teilweise metallisches Material wie z. B. TiN, TaN, Ru, Ir oder C enthalten.
English: The first and/or the second electrode 40, 72 may include at least partially metallic material for example TiN, TaN, Ru, Ir or C.
German: Fig. 9 zeigt ein weiteres Beispiel des Weiterleitens 900 durch eine SC 902, die sich durch ToR Switches über Racks 904, 906 und 908 hinweg erstreckt.
English: FIG. 9 shows another example of forwarding 900 through a SC 902 that extends through ToR switches across racks 904, 906, and 908.
German: Der zweite Flügelabschnitt 33 weist eine Länge von 44 ± 10 mm in der zweiten Richtung ( Y ) und eine Breite von 12 ± 3 mm in der ersten Richtung ( X ) auf.
English: The second wing section 33 has a length of 44±10 mm in the second direction (Y) and a width of 12±3 mm in the first direction (X).
German: Der Prozess 500 beginnt in einem Block 505, in dem ein zweiter Prozessor 135 ein Bild 300 von einem ersten Prozessor 125 empfängt.
English: The process 500 begins in a block 505, in which a second processor 135 receives an image 300 from a first processor 125.
German: Das Signal aus Fig. 16d hat Signalwerte von δ, 1 + δ, 1 - 2δ, -1 - 2δ, - 1 + δ und δ zu den Zeitpunkten (t =) -2τ, -τ, 0, τ, 2τ bzw. 3τ.
English: The signal of figure 16d has signal values of δ, 1+δ, 1-2δ, -1-2δ,-1+δ and δ at the time instants (t=) -2τ, -τ, 0, τ, 2τ and 3τ respectively.
German: Der erste Flügelabschnitt 32 weist eine Länge von 67 ± 15 mm in der zweiten Richtung ( Y ) und eine Breite von 12 ± 3 mm in der ersten Richtung ( X ) auf.
English: The first wing section 32 has a length of 67±15 mm in the second direction (Y) and a width of 12±3 mm in the first direction (X).
German: In DCS 1800 belegt die Uplink ein 1710-1785 MHz Band und die Downlink belegt ein 1805-1880 MHz Band, wobei der Duplex-Zwischenraum 95 MHz beträgt.
English: In DCS 1800, the uplink occupies a 1710-1785 MHz band, and the downlink an 1805-1880 MHz band, the duplex spacing being 95 MHz.
German: Die IP-Adressen haben den Netzwerk-ID 605 für das Netzwerk B 208(i) und so viele Host-IDs 613, wie für die Hosts 108 erforderlich sind.
English: The IP addresses have the NetID 605 for network B 208(i)and as many host IDs 613 as are required for the hosts 108.
German: Die Kurve 296 zeigt das Produkt der Kurve 284, die in Fig. 18 gezeigt wird, und der geraden Linie 288, die in Fig. 19 gezeigt wird.
English: The curve 296 shows the product of the curve 284 shown in FIG. 18 and the straight line 288 shown in FIG. 19.
German: Fig. 6A zeigt einen Herstellungsschritt zum Bilden der P-Kanal Unterregion 3 der ersten Ausführung, und Fig. 6B zeigt einen Schritt zum Bilden der P-Kanal Unterregion 15 der zweiten Ausführung.
English: Fig. 6A shows a fabrication step for forming the P channel subregion 3 of the first embodiment, and Fig. 6B shows a step for forming the P channel subregion 15 of the second embodiment.
German: Die Breiten der Elektroden 37B (W3), 38B (W4) und 39B (W5) sind jeweils 2 mm, 20 mm (in der Mitte) und 30 mm (in der Mitte).
English: The widths of the electrodes 37B (W3), 38B (W4), and 39B (W5) are, respectively, 2 mm, 20 mm (at center), and 30 mm (at center).
German: Ein zweiter Schalter M85, ein n-Kanal-MOSFET mit einem Gate G85, ist zwischen das Gate G82 des zweiten MOSFET und dessen Drain D82 geschaltet.
English: A second switch M85, an n-channel MOSFET with a gate G85, is connected between the second MOSFET gate G82 and its drain D82.
German: Daher befinden sich die Treiber-IC 310 und die PIC 315 zwischen der ersten Seite des Trägers 365 und der Oberseite der PCB 305b.
English: Therefore, the driver IC 310 and the PIC 315 are located between the first side of the carrier 365 and the top side of the PCB 305 b.
German: In Fig. 1 stellt die Bezugszahl 110 eine SFN dar, wobei es sich um eine Zeitachse einer Zelle#1 handelt, und SFN(N) und SFN(N+1) stellt eine Änderung in der SFN durch das Vergehen von Zeit dar.
English: In FIG. 1, reference numeral 110 represents an SFN, which is a time axis of a cell #1, and SFN(N) and SFN(N+1) represent a change in SFN due to the passage of time.
German: Diese Nicht-Linearität ist symmetrisch wie in Verbindung mit Fig. 22: für einen negativen Eingang (-x) mit (x> 0) ist der Ausgang NL (- x) = NL(x).
English: This non-linearity is symmetric, like in connection with Fig. 22: for a negative input (-x) with (x>0) the output is NL(-x) = -NL(x).
German: Der Informationsfluß zwischen CaCo 20, ReCo 21 und CaAd 22 findet in der Regel direkt zwischen den Objekten 20, 21 und 22 statt.
English: The flow of information between CaCo 20, ReCo 21, and CaAd 22 usually takes place directly between the objects 20, 21, and 22.
German: Eine Stationswahlschaltung 100 enthält einen VCO 103, einen variablen Frequenzteiler 104, einen Referenzoszillator 105, eine Phasenvergleichsvorrichtung 106, ein Schleifenfilter 107, einen Mikroprozessor 108.
English: A station selecting circuit 100 includes a VCO 103, a variable frequency divider 104, a reference oscillator 105, a phase comparator 106, a loop filter 107, a microprocessor 108.
German: Der Ausgang der Einheit 40 besteht aus zwei zusätzlichen Leitungen 401 und 402, die jeweilige Signale UP/DOWN und STROBEFINE an die Einheit 50 übermitteln.
English: The output of the unit 40 consists of two additional lines 401 and 402 conveying respective signals UP/DOWN and STROBEFINE to unit 50.
German: Beispielsweise betragen die Quantenpunkte von CdSe üblicherweise zwischen etwa 1,9 nm (die Licht bei etwa 465 nm ± 10 nm emittieren) und etwa 6,7 nm (die Licht bei etwa 640 nm ± 10 nm emittieren).
English: For example, quantum dots of CdSe are typically between about 1.9 nm (which emit light at about 465 nm±10 nm) and about 6.7 nm (which emit light at about 640 nm±10 nm).
German: Beispiel 27 ist das System aus den Beispielen 21 - 26, wobei jeder des wenigstens einen magnetischen Rotors einen oder mehrere Permanentmagnete umfasst.
English: Example 27 is the system of examples 21-26, wherein each of the at least one magnetic rotor includes one or more permanent magnets.
German: Wenn die SM-CPU Einheit 107 die Daten empfängt, gibt sie erneut ein Signal (a) DREQ1 an die FAX-CPU 141 aus, um die nächsten Daten zu empfangen.
English: When the SM-CPU unit 107 receives the data, it outputs a signal (a) DREQ1 to the FAX-CPU 141 again in order to receive next data.
German: Der Bus 522 kommuniziert mit einer Audio-Vorrichtung 526, einem oder mehreren Diskettenlaufwerk(en) 528, und einer Netzwerkschnittstellenvorrichtung 530 (die mit dem Computernetzwerk 503 kommuniziert).
English: The bus 522 communicates with an audio device 526, one or more disk drive(s) 528, and a network interface device 530 (which is in communication with the computer network 503).
German: Die Distanz zwischen den ersten und zweiten Oberflächen 101, 102 kann zum Beispiel in einem Bereich von 20 μm bis 60 μm liegen.
English: For example, the distance between the first and second surfaces 101, 102 may be in a range from 20 μm to 60 μm.
German: Die Breite des Datenbusses 24, der die erste Filterstufe 25 mit der zweiten Filterstufe 26 verbindet, beträgt daher WL + (k - 1) Bits.
English: The width of a databus 24 which connects the first filter stage 25 to the second filter stage 26 is, therefore, WL+(k-1) bits.
German: Die Verbindungsanforderungseinheit 23 des Mobiltelefons 20 ruft eine Telefonnummer 00AA-E über die 3G-Kommunikationseinheit 32 und das Leitungsvermittlungsnetz 10 (Schritt S111 in Fig. 6).
English: The connection request unit 23 of the mobile telephone 20 calls a telephone number 00AA-E via the 3G communication unit 32 and the line switching network 10 (step S111 in FIG. 6).
German: Durch das Kanalweiten/-längen-Verhältnis W/L der MOSFET's TNS2 und TNAUS beziehungsweise TPS2 und TPAUS ergibt sich der Faktor N wie folgt: W/L(TNS2) = W/L(TNAUS)/N W/L(TPS2) = W/L(TPAUS)/N.
English: Through the channel width/length ratio W/L of the MOSFETs TNS2 and TNAUS, and TPS2 and TPAUS, the factor N results as follows: W/L(TNS2)=W/L(TNAUS)/N W/L(TPS2)=W/L(TPAUS)/N.
German: In Fig. 7A wird dasselbe Muster zwischen der Zeit T2 und der Zeit T3, zwischen der Zeit T3 und der Zeit T4, usw., wiederholt.
English: In Fig. 7A, the same pattern is repeated between time T2 and time T3, between time T3 and time T4, and so on.
German: In diesem Fall ist jedoch der Versuch, mit der CSG ”Y” über RAT2 zu verbinden, erfolgreich 244, d. h. es besteht nur ein Misserfolg 240.
English: However, in this case, the attempt to connect to CSG “Y” via RAT2 is successful 244, i.e. there is only one failure 240.
German: Vom dritten Schritt 506 kehrt der Mechanismus zum Knoten 500 zurück und der erste Schritt 502 und der zweite Schritt 504 werden wiederholt.
English: From the third step 506 the mechanism returns to node 500 and the first step 502 and the second step 504 are repeated.
German: Fig. 8 ist ein Blockdiagramm eines Beispiels des DAC 830, der als ein Beispiel des DAC 630 von Fig. 6 eingesetzt werden kann.
English: FIG. 8 is a block diagram of an example of DAC 830, which may be employed as an example of DAC 630 of FIG. 6.
German: Ein Empfänger 108 ist mit dem RECV-FIFO 106 und mit den internen Bussen 58, 60 und 62 und mit dem SBP 104 verbunden.
English: A receiver 108 is connected to RECV FIFO 106 and to the internal busses 58, 60 and 62 and to the SBP 104.
German: Zum Beispiel ist in diesen Ausführungsformen die PUF-Zelle 400A oder 400B als PUF-Zellen 902 [8,1], 902 [7,1], 902 [6,1], 902 [5,1], 902 [4,1], 902 [3,1], 902 [2,1] und 902 [1,1] in der PUF-Zellenanordnung 900A verwendbar.
English: For example, in these embodiments, PUF cell 400A or 400B is usable as PUF cells 902[8,1], 902[7,1], 902[6,1], 902[5,1], 902[4,1], 902[3,1], 902[2,1] and 902[1,1] in PUF cell array 900A.
German: In Kombination mit den MOSFETs M2 und M3 begrenzen die MOSFETs M4 und M5 die maximale Körperspannung des MOSFET M1 auf etwa 420 mV.
English: When combined with MOSFETs M2 and M3, MOSFETs M4 and M5 limit the maximum body voltage of MOSFET M1 to about 420 mV.
German: Jeder der Bonddrähte 116A - 116C und 118A - 118C kann auch elektrisch mit einem der Pins 110A, 110C, 110E, 110H, 110J und 110L verbunden sein.
English: Each of wire bonds 116A- 116C and 118A- 118C may also be electrically connected to one of pins 110A, 110C, 110E, 110H, 110J, and 110L.
German: Die floatenden Basisregionen werden jeweils durch die P-Typ-Teile zwischen dem n-Typ-Substrat 120 und der n-Typ-Kontaktregion 120-7 gebildet, d. h. beispielsweise durch p-Typ-Regionen 120-2 bis 120-5.
English: The floating base regions are respectively formed by the p-type parts between the n-type substrate 120 and the n-type contact region 120- 7, i.e., for instance by p-type regions 120- 2 to 120- 5.
German: Patentdokument 1: Japanische Patentanmeldung Nr. 2004-148203 (Beschreibungsseite 7, und Fig. 1 bis Fig. 5) Patentdokument 2: JP-A-2004-312877 (Beschreibungsseiten 4 bis 5, und Fig. 2)
English: Patent Document 1: Japanese Patent Application No. 2004-148203 (Specification Page 7, and FIGS. 1 to 5) Patent Document 2: JP-A-2004-312877 (Specification Pages 4 to 5, and FIG. 2)
German: Fig. 2A ist eine Tabelle der Zeitbeziehungen zwischen der Ausgabe y(m) und der Eingabe x(n) für den Fall M = 3 und L = 4.
English: Fig. 2A is a table of the time relationship between the output y(m) and the input x(n) for the case M=3 and L=4.
German: Die Spezifizierungseinheit 303 setzt die Variable A = 0, die Variable W = 1 und die Variable i = 0 als Anfangswerte (Schritt S301).
English: The specification unit 303 sets variable A = 0, variable W = 1, and variable i = 0 as initial values (step S301).
German: Das erste und das dritte Signal 102, 106 stellen beide ein erstes Signal gemäß der vorliegenden Erfindung dar, die sich auf das zweite Signal 104 auswirken.
English: The first and the third signal 102, 106 both represent a first signal according to the present invention which effect the second signal 104.
German: Die Länge der Kühlstrukturen 130 kann größer sein als die Breite, d. h. die Kühlstrukturen 130 können länger sein als sie breit sind.
English: The length of the cooling structures 130 can be greater than the width i.e. the cooling structures 130 can be longer than wider.
German: INPUT- 1 ist elektrisch mit Gates des FinFETs 302 und des FinFETs 304 über den Knoten 310 gekoppelt, und INPUT- 2 ist elektrisch mit Gates des FinFETs 306 und des FinFETs 308 über den Knoten 312 gekoppelt.
English: INPUT- 1 is electrically coupled with gates of FinFET 302 and FinFET 304 via node 310, and INPUT- 2 is electrically coupled with gates of FinFET 306 and FinFET 308 via node 312.
German: Insbesondere bevorzugt ist diese Überlappung weniger als 80%, insbesondere bevorzugt weniger als 60%, insbesondere bevorzugt weniger als 50%, insbesondere bevorzugt weniger als 40%, insbesondere bevorzugt weniger als 30% und insbesondere bevorzugt weniger als 20%.
English: Particularly preferably, this overlap is less than 80%, particularly preferably less than 60%, particularly preferably less than 50%, particularly preferably less than 40%, particularly preferably less than 30% and particularly preferably less than 20%.
German: Die MPC 1300 lokalisiert das AT 1306 durch Paging des AT 1306 in all den MPTs 1302, in welchen das AT 1306 platziert sein kann.
English: The MPC 1300 locates the AT 1306 by paging AT 1306 in all the MPTs 1302 in which AT 1306 might be located.
German: Die Prüfung der Gleichung (12) zeigt, dass für positives r nur eine reale Lösung besteht, wenn r ≥ 1, das heißt, nur wenn R ≥ R0.
English: Inspection of equation (12) shows that for positive r there is a real solution only if r ≥ 1, that is, only if R≥R0.
German: Dies hat selbstverständlich als Ergebnis eine Strafe für die Längen größer als 7, diese sind jedoch sehr selten, d. h. zwischen 5% und 10% der Zeit.
English: This, of course, results in a penalty for lengths greater than 7, but these are very infrequent, i.e. between 5% and 10% of the time.
German: Das Datenempfangsgerät 2750 ist mit einer Separiereinheit 2751, einer Empfangseinheit 2752 und einer Synthetisiereinheit 2753, anstelle der Empfangseinheit 151 der Datenempfangseinheit 151, versehen.
English: The data receiving apparatus 2750 is provided with a separating unit 2751, a receiving unit 2752, and a synthesizing unit 2753, in place of the receiving unit 151 of the data receiving unit 151.
German: Das Verfahren 600 fährt dann mit Schritt 660 fort, wo die Dekodierung versucht wird (Decodierer 450 ) und die CRCd überprüft wird (CRCd-Komponente 460 ).
English: The method 600 then continues to step 660 where the decoding is attempted (decoder 450) and the CRCd is checked (CRCd component 460).
German: Im Fall von F1 > G1 wird nämlich D1 = "L" (niedriges Potential); und im Fall von F1 < G1 wird D1 = "H" (hohes Potential).
English: Namely, in case of F1 > G1, it becomes D1 = "L" (low potential); and in case of F1 < G1, it becomes D1 = "H" (high potential).
German: Jede der ECUs 100 enthält jedoch einen Empfänger 240, der in Fig. 9 gezeigt ist, anstelle des Empfängers 140, der in Fig. 5 gezeigt ist.
English: However, each of the ECUs 100 includes a receiver 240 shown in FIG. 9 instead of the receiver 140 shown in FIG. 5.
German: Das Mobilnetz umfasst zwei MSCs 107, 107' und eine HLR 117, wie in Verbindung mit Fig. 1 beschrieben, die mit beiden MSCs 107, 107' verbunden ist.
English: The mobile network comprises two MSCs 107, 107' and one HLR 117, as described in connection with Figure 1, connected to both MSCs 107, 107'.
German: Die Linie 410 tritt bei einer Frequenz von 110 Hz auf, als Summe der beiden realen Spektrallinien (110 Hz = 50 Hz +60 Hz).
English: The line 410 occurs at a frequency of 110 Hz which is the sum of the two actual spectral lines (110 Hz = 50 Hz + 60 Hz).
German: Die in Figur 1 gezeigte Anordnung ist allgemein bekannt (vgl. beispielsweise EP 1 931 176 A1 oder EP 0 899 985 A1 ).
English: The arrangement illustrated in FIG. 1 is generally known (cf. for example, EP 1 931 176 A1 or EP 0 899 985 A1).
German: Bezug nehmend zunächst auf Fig. 1 wird ein Basissubstrat 10 mit einer oberen (d. h. der obersten) Oberfläche 12 und einer unteren (d. h. der untersten) Oberfläche 14 veranschaulicht, das in der vorliegenden Offenbarung verwendet werden kann.
English: Referring first to FIG. 1, there is illustrated a base substrate 10 having an upper (i.e., topmost) surface 12 and a lower (i.e., bottommost) surface 14 that can be employed in the present disclosure.
German: Ein herkömmlicher Schalter 149a wählt entweder das BPF 151 oder 152 aus, und ein herkömmlicher Schalter 149 wählt zwischen den BPF 154a, 154b und 154c aus.
English: A conventional switch 149a selects either BPF 151 or 152, and a conventional switch 149b selects from among BPFs 154a, 154b and 154c.
German: Die beispielhafte Darstellung ( 501 ) zeigt ferner, dass fünf Gruppen ( 511 bis 515 ) gemäß der Beschreibung von Fig. 4B definiert sind.
English: Further, the exemplified diagram ( 501) shows that five groups ( 511 to 515) are defined according to the description of FIG. 4B.
German: Eine Breite 25 des Ballonkörpers 12 beträgt beispielsweise zwischen drei und sechs Millimeter, eine Länge 26 des Ballonkörpers 12 beträgt beispielsweise zwischen zehn und 25 Millimeter.
English: A width 25 of the balloon body 12 is between three and six millimeters, for example, a length 26 of the balloon body 12 is between ten and 25 millimeters, for example.
German: Die Kompensationsregionkontaktschnittstellenschichten 428 der Kompensationsregionkontaktstrukturen 423 können zum Beispiel auf (oder direkt benachbart zu) den hoch dotierten Regionen 425 der Kompensationsregionen 103 gebildet werden.
English: The compensation region contact interface layers 428 of the compensation region contact structures 423 may be formed on (or directly adjacent to) the highly doped regions 425 of the compensation regions 103, for example.
German: Die Schlüsselaustauschvorrichtung 210B erzeugt eine Sitzungsnummer sidB als sidB = R4, ein Zufallsband r5 als r5 = tPRF(BSkB, R5) und ein Zufallsband r6 = tPRF(BSkB, R6).
English: The key exchange device 210B generates a session number sidB as sidB=R4, a random tape r5 as r5=tPRF(BSkB, R5), and a random tape r6=tPRF(BSkB, R6).
German: Dementsprechend kann die auf das Signal 206 angewendete Zeitverzögerung TD, um das verzögerte Signal 206-D zu bilden, z. B. größer als der DP-a sein.
English: Accordingly, the time delay TD applied to the signal 206 to form the delayed signal 206-D may, for example, be greater than DP-a.
German: Zum Beispiel, obwohl der Empfänger 210 und der Sender 250 als getrennte Blöcke innerhalb des primären Relaisknoten 200 veranschaulicht sind, kann der Empfänger 210 in den Sender 250 integriert werden (z. B. in einen Transceiver).
English: For example, although the receiver 210 and the transmitter 250 are depicted as separate blocks within the primary relay node 200, the receiver 210 may be integrated into the transmitter 250 (e.g., a transceiver).
German: In Fig. 1 stellt das WAN 20 einen Backhaul zu dem Endsystem für eine Kommunikation zwischen den Mobilvorrichtungen 12A, 12B, 12C, 12D zur Verfügung.
English: In FIG. 1, the WAN 20 is providing backhaul to the end system for communication between the mobile devices 12A, 12B, 12C, 12D.
German: Drei solcher Regionen 19, 20 und 21 sind in Figur 1 wiedergegeben, obwohl nur kleine Abschnitte der Regionen 20 und 21 gezeigt sind.
English: Three such regions 19, 20, and 21 are depicted in Figure 1, although only small portions of regions 20 and 21 are shown.
German: Das erste Kontaktelement 1 und der Adapterkontakt 3 sind noch voneinander getrennt, der Adapterkontakt 3 und das zweite Kontaktelement 2 sind schon zusammengesteckt.
English: The first contact element 1 and the adapter contact 3 are still separated from each other; the adapter contact 3 and the second contact element 2 are already connected.
German: Der Server B 902 antwortet dem Client C 903 durch Senden des Pakets über ein Schalten auf Ebene 2 direkt zu dem Router 907 und ein Umgehen der VSE sowohl in dem Schalter # 1 905 als auch # 2 906.
English: Server B 902 responds to Client C 903, by sending the packet directly to the router 907 via level 2 switching and bypassing the VSE in both switch #1 905 and #2 906.
German: In dem UMTS können diese Prozesse zum Beispiel alle 10, 20, 40 oder 80 ms wiederholt werden, abhängig von der Art der Informationen, die übertragen wird.
English: For example, in the UMTS these processes can be repeated every 10, 20, 40 or 80 ms depending on the type of information being transferred.
German: Was Memristoren betrifft, wird explizit auf Dokument [6] verwiesen, insbesondere auf Dokument [6], Seite 44, Zeilen 17 - 30, Seite 49, Zeile 20 - Seite 50, Zeile 26, und Seite 50, Zeile 33 - Seite 55, unten.
English: With respect to memristors, reference is explicitly made to document [6], in particular to document [6], page 44, lines 17-30, page 49, line 20-page 50, line 26, and page 50, line 33-page 55, bottom.
German: Diese UEs sind vorzugsweise auch mit Mobilfunkstandards früherer Generationen kompatibel, z. B. mit Mobilfunkstandards der dritten (UMTS) und/oder zweiten Generation (wie dem GSM-Mobilfunkstandard).
English: These UEs are preferably also compatible with mobile communications standards of earlier generations, e.g., with mobile communications standards of the third (UMTS) and/or second generation (such as the GSM mobile communications standard).
German: Die Prozessoren können Einheiten wie einen A5-A10-Prozessor von der Apple® Inc., einen Snapdragon™-Prozessor von der Qualcomm® Technologies, Inc., oder einen OMAP™-Prozessor von Texas Instruments, Inc., umfassen.
English: The processors may include units such as an A5-A10 processor from Apple® Inc., a Snapdragon™ processor from Qualcomm® Technologies, Inc., or an OMAP™ processor from Texas Instruments, Inc.
German: Fig. 4A zeigt den kleinen Injektor 300 in der geschlossenen Position und Fig. 4B zeigt den kleinen Injektor 300 in der offenen Position.
English: FIG. 4A shows the small injector 300 in the closed position, and FIG. 4B shows the small injector 300 in the open position.
German: Der DMAC 44 kann sich daher auf das Schreiben von Daten zum RAM 80 konzentrieren, was die Schaltungskonfiguration und die Verarbeitung des DMAC vereinfacht.
English: The DMAC 44 can therefore concentrate on writing data to the RAM 80, which simplifies the circuit configuration and processing of the DMAC.
German: Die erste Anode 141 ist von der zweiten Anode 111 getrennt, und die erste Kathode 143 ist von der zweiten Kathode 113 getrennt.
English: The first anode 141 is separated from the second anode 111, and the first cathode 143 is separated from the second cathode 113.