mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: In Fig. 8 ändert sich der Widerstandswert des grossen magnetoresistiven Elements 20 im Vergleich mit einem regulären magnetoresistiven Element beträchtlich, wenn sich das externe Magnetfeld ändert; beispielsweise steigt er ungefähr 250 Ohm, d. h. 10% oder mehr, für einen Widerstandswert von ungefähr 2000 OMEGA an oder fällt um diesen Wert ab, und er zeigt bezüglich der Änderungsrichtung des Magnetfelds eine Hysterese auf.
English: In FIG. 8, the resistance value of the giant magnetoresistive element 20 markedly changes in comparison with a regular magnetoresistive element when the external magnetic field changes; for instance, it increases or decreases approximately 250.OMEGA., i.e. 10% or more, for a resistance value of about 2000.OMEGA., and it exhibits hysteresis in relation to the changing direction of the magnetic field.
German: Fig. 3e zeigt eine Konfiguration, bei der die Trennschicht 111 (zumindest in dem Bereich 112-A benachbart zu der Segmentierung 112 ) die zweite Oberfläche 110B der leitfähigen Schicht 110 bedeckt, d. h. den ersten und zweiten Abschnitt 110 - 1, 110-n, wobei die Zwischenräume 112 - 1, 112-m zwischen den ersten Abschnitt 110 - 1, 110-n der leitfähigen Schicht 110 frei von jeglichem trennenden Material der Trennschicht 111 sind (d. h. kein trennendes Material enthalten).
English: FIG. 3 e shows a configuration wherein the isolation layer 111 covers (at least in the area 112-A adjacent to the segmentation 112) the second surface 110B of the conductive layer 110, i.e. the first and second portions 110- 1, 110- n, wherein the gaps 112- 1, 112- mbetween the first and second portions 110- 1, 110- nof the conductive layer 110 are free of any isolating material (i.e. does not comprise any isolating material) of the isolation layer 111.
German: Das Medienmodul 112 kann dann die Systemzeit (z. B. Übertragungszeit), zu der das Medienmodul 112 den Kalibrierinhalt 118 an die Wiedergabevorrichtung (z. B. Fernseher 130 und/oder Lautsprecher 132 ) gesendet hat, mit der Zeit (z. B. Präsentationszeit) vergleichen, zu der die Wiedergabevorrichtung den Kalibrierinhalt 118 präsentiert hat, um die Ausbreitungslatenz (z. B. Präsentationsverzögerung) auf dem Wiedergabekanal 126 zu bestimmen.
English: Media module 112 can then compare the system time (e.g., transmission time) at which media module 112 sent calibration content 118 to the playback device (e.g., television 130 and/or speaker 132) with the time (e.g., presentation time) at which the playback device presented calibration content 118 to determine the propagation latency (e.g., presentation delay) on playback channel 126.
German: Die Verarbeitungseinheiten CTR0 und CTR1 weisen hier jeweils zwei Verarbeitungskomponenten C-ATM30 und M-ATM30 auf, die in einer sogenannten Master-Checker-Konfiguration arbeiten, d. h. bei der Checker-Verarbeitungskomponente C-ATM30 sind die Sendeausgänge TP0 und TP1 als Eingänge geschaltet, die von den Sendeausgängen TP0 und TP1 der jeweilig zugehörigen Master-Verarbeitungskomponente M-ATM30 abgegebene und in erster Linie für die Weitergabe an die Koppelnetzteile SN0 bzw. SN1 bestimmte ATM-Sende-Informationen als Eingangsinformationen empfangen.
English: The processing units CTR0 and CTR1 have in this instance two processing components C-ATM30 and M-ATM30 each which operate in a so-called master-checker configuration, i.e. the transmission outputs TP0 and TP1 in the checker processing component C-ATM30 are connected as inputs which receive, as input information, ATM transmission information emitted by the transmission outputs TP0 and TP1 of the respectively associated master processing component M-ATM30 and primarily intended to be passed on to the switching network parts SN0 and SN1.
German: Wenn eine Negativelektroden-Basismaterialschicht 421 und die Schichten 422 und 423 eines negativen aktiven Materials auf den langen Seiten der negativen Elektrode in dem Schritt zum Herstellen der negativen Elektrode miteinander geschnitten werden, besteht folglich eine Möglichkeit, dass Splitter der Negativelektroden-Basismaterialschicht 421 erzeugt werden oder die Schicht 422, 423 eines negativen aktiven Materials an einem geschnitten Abschnitt (eine Endfläche der negativen Elektrode auf der langen Seite) abschwimmt.
English: Accordingly, when a negative electrode base material layer 421 and the negative active material layers 422 and 423 are cut together on the long sides of the negative electrode in the step of manufacturing the negative electrode, there is a possibility that chips of the negative electrode base material layer 421 are generated or the negative active material layer 422, 423 floats off at a cut portion (an end surface of the negative electrode on the long side).
German: Eine über das Telefon 112 entstandene Nachricht eines Anrufers wird durch das öffentliche Fernsprechnetz 114 (PSTN) an einen Messaging System-Eingang (MS-I) 115, wie z. B. einen von Motorola Inc. in Schaumburg, IL, USA, hergestellten Eingangsprozessor MPS 2000, gerichtet und welcher ein Pagingnetzknoten ist, der zum Empfangen von Nachrichten von dem externen Netz, wie z. B. dem PSTN, einem PSDN oder einem LAN (lokalen Netz); um nur ein paar zu nennen, verwendet wird.
English: A caller's message, originated via the telephone 112 is directed through the public switched telephone network 114 (PSTN) to a Messaging System-Input (MS-I) 115, such as an MPS 2000 input processor manufactured by Motorola Inc. of Schaumburg, IL, and which is a paging network node used to receive messages from the external network, such as the PSTN, a PSDN, or a LAN (local area network), just to name a few.
German: Mit Verweis auf Fig. 2C ist ein akustischer Resonator 200C ähnlich wie die akustischen Resonatoren 200A und 200B, außer dass er sowohl den Luftzwischenraum 145 zwischen der piezoelektrischen Schicht 130 und der oberen Elektrode 240 (und den zugehörigen oberen Tragerahmen 122 ) als auch den unteren Luftzwischenraum 115 zwischen der unteren Elektrode 110 und der piezoelektrischen Schicht 130 (und den entsprechenden unteren Tragerahmen 124 ) umfasst.
English: Referring to FIG. 2C, acoustic resonator 200C is similar to the acoustic resonators 200A and 200B, except that it includes both top air-gap 145 between the piezoelectric layer 130 and the top electrode 240 (and corresponding top support frame 122), and bottom air-gap 115 between the bottom electrode 110 and the piezoelectric layer 130 (and corresponding bottom support frame 124).
German: Wenn jedoch die Nachrichten-Handhabungseinrichtung 240 ermittelt, dass es einen bestehenden Befehl gibt, beispielsweise weil der sequenzielle Prozessor 238 mit der Abarbeitung eines vorher empfangenen Befehls beschäftigt ist, der die Sicherheitskonfiguration 213 ändert, oder weil es in dem Befehlsspeicher 260 einen gespeicherten Befehl gibt, der die Sicherheitskonfiguration ändert, dann leitet die Nachrichten-Handhabungseinrichtung 240 den empfangenen Befehl zu dem Sicherheitskonfigurationswechsel-Detektor-Block 250, welcher damit fortfährt, zu ermitteln, ob der empfangene Befehl die Sicherheitskonfiguration ändert.
English: However, if message handler 240 determines that there is an existing command, for instance because sequential processor 238 is busy processing a previously received command that changes the security configuration 213, or because there is a saved command in the command stor 260 that changes the security configuration, then message handler 240 routes the received command to the security configuration change detector block 250, which proceeds to determine if the received command changes the security configuration.
German: Somit umfassen die in Fig. 3 gezeigten Betriebsdaten 43 auch IEPG-Daten 45, die sich auf spezielle Programme und die Zeiten beziehen, an denen diese Programme gesendet werden und Dienstleistungsinformation 46 (beispielsweise in bezug auf persönliche Bankdienstleistungen) und in der Tat irgendwelche anderen Daten 47, die auf einer im wesentlichen kontinuierlichen oder regulären Basis für die o. g. Kundendienstleistungen benötigt werden.
English: Thus, the operating data 43 depicted in Figure 3 also includes IEPG data 45 relating to specific programmes and the times at which those programmes will be broadcast, and service information 46 (for example relating to personal banking services) and indeed any other data 47 required on a substantially continuous or regular basis for the aforementioned customer services.
German: Der zweite Lastzweig 50 umfaßt daher ebenfalls einen elektronischen Schalter S2, welcher mit einer induktiven Last, nämlich einem zweiten Motor M2, in Reihe geschaltet ist, wobei der elektronische Schalter S2 zwischen dem Speisespannungsanschluß 12 und einem ersten Anschluß 52 des zweiten Motors M2 liegt und dabei mit einem ersten Anschluß ES1 mit dem Speisespannungsanschluß 12 verbunden ist und ein zweiter Anschluß 54 des zweiten Motors M2 mit dem Masseanschluß 14 verbunden ist.
English: The second load branch 50 therefore likewise comprises an electronic switch S2, which is connected in series with an inductive load, that is a second motor M2, the electronic switch S2 lying between the supply voltage terminal 12 and a first terminal 52 of the second motor M2 and thereby being connected by a first terminal ES1 to the supply voltage terminal 12, and a second terminal 54 of the second motor M2 being connected to the ground terminal 14.
German: Zum Beispiel beträgt für die Eigenschaften der Schicht 34 / 35 wie oben angegeben und das homogene Medium 30 die Dicke des Haupt-Absorbers (Schicht 34 ) etwa 50 nm bis 100 nm (wobei diese Werte ansonsten für die Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen geeignet sind) und die Dicke des sekundären Absorbers (Schicht 35 ) beträgt etwa 5 nm bis 10 nm.
English: For example, for the characteristics of layer 34/35 as given above and homogeneous medium 30, the thickness of the main absorber (layer 34) is about 50 - 100 nm (which values are otherwise suitable for manufacturing thin film solar cells), and the thickness of the secondary absorber (layer 35) is about 5 - 10 nm.
German: Werden bei einem solchen VTR mit A und B die Positionen bezeichnet, mit denen jeweils zwei Horizontal-Abtastzeilen eines ersten Feldes am Band 1 aufgezeichnet sind (an Anfang und Ende jeweils einer Spur 5) und mit C und D die Positionen, an denen zwei entsprechende Zeilen eines nachfolgenden Feldes aufgezeichnet sind, dann sind die Positionen, an denen diese Zeilen in dem angezeigten Bild bei der Wiedergabe auftreten, wie in Fig. 2(b) dargestellt.
English: With such a VTR, designating as A and B the positions at which two horizontal scanning lines of a first field are recorded on tape 1 (at the beginning and end, respectively of one of tracks 5), and C and D the positions at which two corresponding lines of the succeeding field are recorded, then the positions at which these lines will appear on the displayed image following playback are as shown in Fig. 2(b).
German: Die dargestellte untereinander verbundene Gruppe 300 enthält eine erste Gruppe, die als Gruppe ( 1 ) 302 bezeichnet ist, eine zweite Gruppe, die als Gruppe ( 2 ) 304 bezeichnet ist, und eine dritte Gruppe, die als Gruppe (L) 306 bezeichnet ist, (d. h. die „L-te“ Gruppe der untereinander verbundenen Gruppe 300, wobei „L“ Null oder eine positive ganze Zahl ist und Null oder mehrere zusätzliche Gruppen 230 der untereinander verbundenen Gruppe 300 bezeichnet).
English: The illustrative interconnected group 300 includes a first group, which is designated as group (1) 302, a second group, which is designated as group (2) 304, and a third group, which is designated as group (L) 306 (i.e., the "Lth" group of the interconnected group 300, wherein "L" is zero or a positive integer and designates zero or more additional groups 230 of the interconnected group 300).
German: Somit wird, ähnlich wie in den Fällen der Farbsignalschaltungen gemäß den ersten und zweiten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, eine Operation (Asin θ / Acos θ) zuerst auf Daten durchgeführt, die äquivalent zu den Daten sind, die durch zwei Eingangsfarbdifferenzsignale Asin θ und Acos θ angezeigt werden, die zu erhalten sind, wenn die Farbdemodulation des Trägerchrominanzsignals mit einer Amplitude A und einer Phase θ bewirkt wird, indem die zwei Farbdifferenzachsen verwendet werden.
English: Thus, similarly as in cases of the color signal circuits in accordance with the first and second embodiments of the present invention, an operation (Asin θ /Acos θ ) is first performed on data equivalent to the data indicated by two input color difference signals Asin θ and Acos θ to be obtained when the color demodulation of the carrier chrominance signal having an amplitude A and a phase θ is effected by using the two color difference axes.
German: Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
English: Furthermore, for the case in which the first electrode 110 includes or is formed from a conductive transparent oxide (TCO), the first electrode 110 may for example have a layer thickness in a range of from approximately 50 nm to approximately 500 nm, for example a layer thickness in a range of from approximately 75 nm to approximately 250 nm, for example a layer thickness in a range of from approximately 100 nm to approximately 150 nm.
German: Das UE 801 beinhaltet ferner eine Steuereinrichtung (Steuer- und Kombinationseinheit) 808, die die Ergebnisse von einer oder mehreren Messungen, z. B. wie oben beschrieben, empfängt, in diesem Beispiel bereitgestellt durch das Modem 807 und durchgeführt auf der Basis von Signalen, die durch das Modem 807 von der Basisstation 802 empfangen wurden, und Parameter, z. B. wie oben beschrieben, empfängt (oder bestimmt).
English: The UE 801 further comprises a controller (control and combination unit) 808 which receives the results of one or more measurements, e.g. as described above, in this example provided by the modem 807 and performed based on signals received by the modem 807 from the base station 802 and receives (or determines) parameters, e.g. as described above.
German: Hier beinhaltet die erste Verstärkereinheit 21 einen ersten Verstärker 21a zum Empfangen und Verstärken von Werten, die durch die ersten optischen Sensoren A der ersten bis vierten Erfassungseinheiten 11 bis 14 erfasst werden, und einen zweiten Verstärker 21b zum Empfangen und Verstärken von Werten, die durch die zweiten optischen Sensoren B der ersten bis vierten Erfassungseinheiten 11 bis 14 erfasst werden.
English: Here, the first amplifying unit 21 includes a first amplifier 21a for receiving and amplifying values sensed through the first optical sensors A of the first to fourth sensing units 11 to 14, and a second amplifier 21b for receiving and amplifying values sensed through the second optical sensors B of the first to fourth sensing units 11 to 14.
German: Gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine funktionsmäßig äquivalente Schaltung zu der Schaltung von Figur 3 gebildet werden durch Verwenden einer NAND Konfiguration, welche zwei gestapelte N-MOS Transistoren N1 bzw. N2 für den ersten Inverter und N3 bzw. N4 für den zweiten Inverter umfaßt, während eine abgestufte Diffusion lediglich in dem Drain-Bereich gebildet ist, welcher mit dem Ausgang des jeweiligen lnverters der zwei Paare von N-MOS Transistoren, d.h. N1 und N3 verbunden ist.
English: According to the present invention, a circuit functionally equivalent to the circuit of Fig. 3 may be realized by employing a NAND configuration which comprises two staked N-MOS transistors, N1 and N2, respectively, for the first inverter and N3 and N4, respectively, for the second inverter, while forming a graded diffusion only in the drain region which is connected to the output of the respective inverter, of the two pairs of N-MOS transistors, i.e. N1 and N3.
German: Wenn in diesem Beispiel eine Phasenvariationsbreite ΔφV des variablen Phasenschiebers 2 berechnet wird, wird herausgefunden, daß, im Frequenzband von etwa 900 MHz, das üblicherweise für Mobiltelephone eingesetzt wird, ΔφV etwa 140 Grad (wenn L = 5 nH) in dem Fall ist, wo ΔVt 20 V beträgt, und daß, im Frequenzband von etwa 2450 MHz, das üblicherweise für drahtlose LANs eingesetzt wird, ΔφV etwa 160 Grad (wenn L = 3 nH) ist.
English: When a phase variation width Δφ Vof the variable phase-shifter 2 is calculated in this example, it is found out that, in the frequency band of about 900MHz which is usually employed for portable phones, Δφ Vis about 140 degrees (when L = 5nH) in the case where ΔVt is 20V and that, in the frequency band of about 2450MHz which is usually employed for wireless LAN, Δφ Vis about 160 degrees (when L = 3nH).
German: Ein HF-Signal kann eine Frequenz im Bereich zwischen etwa 30 kHz bis 300 GHz aufweisen, wie beispielsweise im Bereich von etwa 410 MHz bis etwa 7,125 GHz für Mobilfunkkommunikation der Fünften Generation (5G) im Frequenzbereich 1 (FR1) oder im Bereich von etwa 24,250 GHz MHz bis etwa 52,600 GHz für 5G-Mobilfunkkommunikation im Frequenzbereich 2 (FR2).
English: An RF signal can have a frequency in the range of about 30 kHz to 300 GHz, for instance, in the range of about 410 MHz to about 7.125 GHz for Fifth Generation (5G) cellular communications in Frequency Range 1 (FR1) or in the range of about 24.250 GHz to about 52.600 GHz for Frequency Range 2 (FR2) of the 5G communication standard.
German: Die Erfindung basiert ferner auf der Erkenntnis, dass ein Durchgangsloch 9 in dem Halbleiterkörper 10 z. B. mittels Sandstrahlen oder Laserschneiden sehr leicht hergestellt werden kann, sowie außerdem auf der Erkenntnis, dass Kurzschlüsse zwischen der leitenden Schicht 11 und dem zweiten Halbleiterbereich 2 durch eine sehr einfache Isolationstechnik ausgeschlossen werden können, die in diesem Fall das Vorsehen eines Halbleiterbereichs 20 des n-Typs enthält, der einen Schutzring um das Durchgangsloch 9 bildet.
English: The invention is further based on the recognition that a through-hole 9 in the semiconductor body 10 can be very readily made, for example by means of sandblasting or laser cutting, and also on the recognition that short-circuits between the connective layer 11 and the second semiconductor region 2 can be precluded by a very simple insulation technique, which, in this case, consists in providing an n-type semiconductor region 20 which forms a guard ring around the through-hole 9.
German: Die Struktur von FIG. 27 hat eine dielektrische Schichtstruktur 300 anstelle der dielektrischen Struktur 100, bei der die Struktur 300 eine erste dielektrische Schicht 315 umfaßt, die mit der Emitterzone 211 in Kontakt ist, eine dritte dielektrische Schicht 316, die mit der Kollektorzone in Kontakt ist, und eine dazwischenliegende, zweite dielektrische Schicht 314, die zwischen den Schichten 315 und 316 angeordnet ist.
English: The structure of FIG.27 has a layered dielectric structure 300 in place of the dielectric structure 100, wherein the structure 300 comprises a first dielectric layer 315 in contact with the emitter region 211, a third dielectric layer 316 in contact with the collector region, and an intervening, second dielectric layer 314 interposed between the layers 315 and 316.
German: Die Kameraeinheit 102 enthält einen Bildsensor 120 wie eine Ladungskopplungsvorrichtung zum photoelektrischen Umsetzen eines auf seiner Abbildungsfläche durch die Objektiveinheit 101 erzeugten optischen Signals 308 zu einem elektrischen Bildsignal 401, einen A/D-Umsetzer 121 zum Umsetzen des (analogen) Bildsignals 401 aus dem Bildsensor 120 zu einem digitalen Signal 402 und einen Bildspeicher 122 für das Aufnehmen und Speichern des aus dem A/D-Umsetzer 121 ausgegebenen digitalen Signals 402.
English: The camera assembly 102 comprises an image sensor 120, such as a charge-coupled device, for photoelectrically converting an optical signal 308 formed on an imaging surface thereof by the lens assembly 101 into an electrical image signal 401, an A/D converter 121 for converting an image signal (analog signal) 401 outputted from the image sensor 120 into a digital signal 402, and an image memory 122 for reading and storing the digital signal 402 outputted from the A/D converter 121.
German: Das an dem zweiten Ausgang 448 bereitgestellte Signal kann davon abhängig sein, ob die Transkonduktanz des ersten FETs 402 und des zweiten FETs 404 größer ist als die Transkonduktanz des fünften FETs 410 und des sechsten FETs 412 oder ob die Transkonduktanz des ersten FETs 402 und des zweiten FETs 404 kleiner ist als die Transkonduktanz des fünften FETs 410 und des sechsten FETs 412.
English: The signal provided at the second output 448 can be dependent on whether the transconductance of the first FET 402 and of the second FET 404 is greater than the transconductance of the fifth FET 410 and of the sixth FET 412 or whether the transconductance of the first FET 402 and of the second FET 404 is less than the transconductance of the fifth FET 410 and of the sixth FET 412.
German: Die optische Einheit 100 umfasst eine Zoomlinse 102, die sich entlang einer Richtung einer optischen Achse C vor- und zurückbewegt, um einen Fokusabstand zu ändern, einen Shutter 104 und eine Irisblende 106, die eine Belichtungszeit und eine Menge des auf den Bildsensor 120 auftreffenden Lichts einstellen und eine Korrekturlinse 110, die das Objektbild auf dem Bildsensor 120 abbildet und einen Korrekturvorgang für eine zittrige Handbewegung durchführt.
English: The optical unit 100 includes a zoom lens 102 that moves back and forth along a direction of an optical axis C to change a focal distance, a shutter 104 and an iris diaphragm 106 that adjust an exposure time of and an amount of incident light on the image sensor 120, and a correction lens 110 that forms the object image on the image sensor 120 and performs a correction operation for a hand tremble.
German: Der Begriff „gekoppelt“ kann bedeuten, dass zwei oder mehr Elemente in direktem physischem oder elektrischem Kontakt miteinander stehen, kann bedeuten, dass zwei oder mehr Elemente einander indirekt berühren, aber immer noch zusammenwirken oder miteinander zusammenwirken, und/oder kann bedeuten, dass ein oder mehrere andere Elemente zwischen den Elementen gekoppelt oder verbunden sind, die miteinander gekoppelt sein sollen.
English: The term“coupled” may mean two or more elements are in direct physical or electrical contact with one another, may mean that two or more elements indirectly contact each other but still cooperate or interact with each other, and/or may mean that one or more other elements are coupled or connected between the elements that are said to be coupled with each other.
German: Wenn Druck 70A direkt gegen den mittleren Ring 700 und indirekt gegen den Piezoring 705 aufgebracht wird, erzeugt der Ringschalter 60a eine Ausgangsspannung proportional zu der angelegten Kraft (Druck 70A ) und führt zu einem Polaritätssignal, wodurch das Handstück 62 aktiviert wird, was bewirkt, daß das Handstück 62 in einem bestimmten Betriebsmodus (so wie Schneiden oder Koagulation) läuft, oder proportional die Energie oder Betriebsgeschwindigkeit erhöht wird, abhängig von der Größe des aufgebrachten Druckes 70A.
English: When pressure 70A is directly applied against the center ring 700 and indirectly against the piezo ring 705, the ring switch 60a generates an output voltage proportional to the force applied (pressure 70A) and results in a polarity signal, thereby activating the handpiece 62, causing the handpiece 62 to run in a specific mode of operation (such as cutting or coagulation), or proportionally increasing the power or speed of operation depending on the amount of pressure 70A as applied.