mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Hinsichtlich der mechanischen Eigenschaften der äußeren dielektrischen Schicht 108 ist die äußere dielektrische Schicht 108 bevorzugt mechanisch "steifer" als die nachgiebige dielektrische Schicht 106, so dass, wenn eine Kraft auf die Oberseite 108A der äußeren dielektrischen Schicht 108 ausgeübt wird, sich die äußere dielektrische Schicht 108 in geringerem Umfang verformt als die nachgiebige dielektrische Schicht 106 und dazu dient, die ausgeübte Kraft über eine relativ große Fläche der nachgiebigen dielektrischen Schicht 106 zu verteilen.
English: Regarding the mechanical properties of the outer dielectric layer 108, the outer dielectric layer 108 is preferably mechanically "stiffer" than the compliant dielectric layer 106 such that when a force is applied to the upper surface 108A of the outer dielectric layer 108, the outer dielectric layer 108 deforms to a lesser extent than the compliant dielectric layer 106, and serves to distribute the applied force over a relatively wide area of the compliant dielectric layer 106.
German: Anschließend führt ein Eingangsport 8 das vollständige verstärkte Signal dem Wellenlängenmultiplexerkoppler 18 zu, der das empfangene verstärkte optische Signal wieder in zwei verstärkte Signale separiert, die aus λR bzw. λL bestehen, die über die Verbindungen 14 und 13 dem Wellenlängenmultiplexerkoppler 15 bzw. dem Wellenlängenmultiplexerkoppler 16 zugeleitet werden, die anschließend die verstärkten Signalen bei λR bzw. λL zu den mit ihnen verbundenen Ports 5 und 6 herausschicken.
English: Subsequently, an input port 8 feeds the complete amplified signal to the wavelength multiplex coupler 18, which separates the received amplified optical signal again into two amplified signals consisting of λR and λL, respectively, which are fed via the connections 14 and 13 to the wavelength multiplex coupler 15 and the wavelength multiplex coupler 16, respectively, which subsequently feed the amplified signals at λR and λL, respectively, out to the ports 5 and 6 connected to them.
German: Mit diesem Codierer 17 werden codierte digitale Daten DA, die eine Übertragungsrate von beispielsweise 15Mb/s haben, auf der Basis der digitalen Daten Da im LP-Betriebsmodus erhalten, codierte digitale Daten DB, die eine Übertragungsrate von beispielsweise 30Mb/s haben, werden auf der Basis der digitalen Daten Db im SP-Betriebsmodus erhalten, und codierte digitale Daten DC, die beispielsweise eine Übertragungsrate von 60Mb/s haben, werden auf der Basis der digitalen Daten Dc im HD-Betriebsmodus erhalten.
English: With this encoder 17, encoded digital data DA having a transmission rate of, for example, 15Mb/s are obtained based on the digital data Da in the LP operation mode, encoded digital data DB having a transmission rate of, for example, 30Mb/s are obtained based on the digital data Db in the SP operation mode, and encoded digital data DC having a transmission rate of, for example, 60Mb/s are obtained based on the digital data Dc in the HD operation mode.
German: Weiterhin weist gemäß den elektronischen Einheiten 1 und 2 gemäß den jeweiligen Ausführungsformen die obere Wand 41 der Hauptabdeckung 40 eine abgestufte Struktur auf, wobei der erste Abschnitt 42 mit dem Verriegelungsloch 46 versehen ist und der zweite Abschnitt 43 in einer Richtung (abwärts) näher an der Leiterplatte 10 versetzt ist als der erste Abschnitt 42 und der dritte Abschnitt 44, der den ersten Abschnitt 42 und den zweiten Abschnitt 43 verbindet.
English: Furthermore, according to the electronic units 1 and 2 according to the respective embodiments, the upper wall 41 of the main cover 40 has a stepped structure having the first portion 42 provided with the locking hole 46, the second portion 43 offset in a direction (downward) closer to the circuit board 10 than the first portion 42, and the third portion 44 connecting the first portion 42 and the second portion 43.
German: Anschließend wird, wie in Fig. 12 gezeigt, ein Teil des ersten Schutzfilms 25 auf dem zweiten Durchgang 12b, auf welchem die Lötschicht 29 nicht befestigt wird, des Nickelfilms 27 und des Goldfilms 28 unter Verwendung der Schneide 36 oder des Mehrfachklingenwerkzeugs derart geschnitten, dass der erste Schutzfilm 25, der auf dem zweiten Durchgang 12b gebildet wird, von dem Nickelfilm 27 und dem Goldfilm 28 freigelegt werden.
English: Next, as shown in FIG. 12, a part of the first protection film 25 on the second passage 12 bon which the solder layer 29 is not mounted, the nickel film 27 and the gold film 28 are cut with using the bit 36 or the multi blade tool such that the first protection film 25 formed on the second passage 12 bis exposed from the nickel film 27 and the gold film 28.
German: Genauer gesagt kann der SPS 208 an dem LCCM_OUT-Pin des SPS 208 an den GPIO_IN-Pin des Mikrocontrollers 206 ein erstes Signal (z. B. low) auszugeben, um zu signalisieren, dass der SPS 208 in der LCCM bleibt, und ein zweites Signal (z. B. high), um zu signalisieren, dass sich der SPS 208 nicht in der LCCM befindet (z. B. außerhalb der LCCM ist).
English: More specifically, SPS 208 may output, at the LCCM_OUT pin of SPS 208, to the GPIO_IN pin of microcontroller 206, a first signal (e.g., low) to indicate that SPS 208 remains in the LCCM and a second signal (e.g., high) to indicate that SPS 208 is not in the LCCM (e.g., is out of the LCCM).
German: Die Kontextdaten können Folgendes umfassen: Benutzerprofildaten 1245 (in Bezug auf Benutzer/Betreiber in der Anlage), Profildaten des UI-Geräts 2414 (in Bezug auf die in der Anlage registrierten UI-Geräte), Feldgeräteprofildaten 2416 (in Bezug auf die in der Anlage installierten Geräte), Profildaten der Ausrüstung 2418 (in Bezug auf die in der Anlage installierte Ausrüstung), Plandaten 2420 (in Bezug auf Benutzer und Ausrüstung-/Gerätepläne) sowie Arbeitsaufgabendaten 2422 (in Bezug auf Aufgaben oder Arbeiten in der Anlage).
English: The context data may include user profile data 1245 (relatillg to users/operators at the plant), UI device profile data 2414 (relating to the registered UI devices at the plant), field device profile data 2416 (relating to the installed devices at the plant), equipment profile data 2418 (relatillg installed equipment at the plant), schedule data 2420 (relating to user and equipmellt/device schedules), and work item data 2422 (relating to tasks or jobs at the plain).
German: In ähnlieher Weise routet der EVPAN-Server 134 Kommunikationen, die von dem ersten EVPAN 610 empfangen wurden und die für Kommunikationsgeräte des zweiten EVPAN 640 vorgesehen sind, zu dem EVPAN-Mastergerät 642 und das EVPAN-Mastergerät 642 leitet die empfangenen Kommunikationen zu den anderen Kommunikationsgeräten 641, 643 des zweiten EVPAN/der zweiten Gruppe von Kommunikationsgeräten weiter, über das WAN 630 und den EVPAN-Server 634.
English: Similarly, EVPAN server 134 routes communications, received from first EVPAN 610 and intended for communication devices of second EVPAN 640, to EVPAN master device 642, and EVPAN master device 642 then relays the received communications to the other communication devices 641, 643 of the second EVPAN/set of communication devices via WAN 630 and EVPAN server 634.
German: Die in Fig. 1 dargestellte Platine 4 umfasst in Stapelrichtung 18, das heißt beginnend auf der Oberseite 10 und in Richtung der Unterseite 14 (oder auch von oben nach unten) folgende Lagen und Substratschichten: eine erste Lage 20, eine erste Substratschicht 22 (hier schraffiert dargestellt), eine erste Masselage 24, eine zweite Substratschicht 26, eine zweite Lage 28, eine dritte Substratschicht 30 und eine zweite Masselage 32.
English: The circuit board 4 shown in FIG. 1 includes in the stacking direction 18, i.e., starting with the upper side 10 and in the direction of the underside 14 (or also from top to bottom) the following tiers and substrate layers: a first tier 20, a first substrate layer 22 (shown as shaded here), a first mass tier 24, a second substrate layer 26, a second tier 28, a third substrate layer 30, and a second mass tier 32.
German: Demzufolge ist dies vorteilhaft zum Aufnehmen des Bildes von der Fläche vor dem Fahrzeug 20 durch den Wischbereich A1 des Wischers 27 der Windschutzscheibe 26, ohne die Kameralinsen 15 nach unten zu neigen, und selbst wenn sich die Kabine 23 in einer hohen Position vom Boden befindet wie in dem Fahrzeug ohne Motorhaube 20, ist es möglich, den erfassten Bildaufnahmebereich A2 vor dem Fahrzeug 20 zu erweitern und das Bild deutlich zu machen.
English: Accordingly, this is advantageous for capturing the image of the area in front of the vehicle 20 through the wiping range A 1 of the wiper 27 of the windshield 26 without inclining the camera lenses 15 downward, and even if the cabin 23 is at a high position from the ground as in the non-bonnet type vehicle 20, it is possible to widen the captured image-capturing range A 2 in front of the vehicle 20 and make the image clear.
German: Bezüglich des LC-Elements 100 der ersten Ausführungsform, bei der die spiralförmige Gateelektrode 10 und der entsprechende Kanal 22 über im Wesentlichen ihre gesamte Länge parallel sind, d.h. nahezu mit der gleichen Länge ausgebildet sind, ist das LC-Element 300 der dritten Ausführungsform durch eine Verkürzung der spiralförmigen Gateelektrode 10 auf eine vorbestimmte Länge (z.B. etwa 1 Windung) und durch Injizieren von Trägern in die Oberfläche des p-Si-Substrats 30 gekennzeichnet, welche diesem abgereichertem Abschnitt entspricht.
English: With respect to the LC element 100 of the first embodiment, wherein the spiral shaped gate electrode 10 and corresponding channel 22 are parallel over essentially their entire length, i.e., formed at nearly the same length, the LC element 300 of the third embodiment is characterized by shortening the spiral shaped gate electrode 10 to a predetermined length (for example, approximately 1 turn) and injecting carriers into the p-Si substrate 30 surface corresponding to this deleted portion.
German: Falls beim gleichen Leistungsversorgungspotential Vdd von 3,3 V die Widerstandswerte der Widerstände 76 und 78 beide 250 OMEGA betragen, der Ein-Widerstand des ersten PMOS-Transistors 82 den Wert 850 OMEGA besitzt, der Ein-Widerstand des ersten NMOS-Transistors 84 den Wert 200 OMEGA besitzt, der Ein-Widerstand des zweiten PMOS-Transistors 86 den Wert 950 OMEGA besitzt und der Ein-Widerstand des zweiten NMOS-Transistors 88 den Wert 300 OMEGA besitzt, betragen die beiden Ausgangsreferenzpotentiale 1,1 V und 0,9 V.
English: With the same power-supply potential Vdd of 3.3 V, if the resistance values of the resistors 76 and 78 are both 250.OMEGA., the on-resistance of the first PMOS transistor 82 is 850.OMEGA., the on-resistance of the first NMOS transistor 84 is 200.OMEGA., the on-resistance of the second PMOS transistor 86 is 950.OMEGA., and the on-resistance of the second NMOS transistor 88 is 300.OMEGA., then the two output reference potentials will be 1.1 V and 0.9 V.
German: Zum Beispiel kann die Digitalkamera 506A insgesamt über dem Sieb 502 angeordnet sein, aber die Digitalkamera 506A kann in einem Winkel von 40° (gemessen von einer imaginären Linie lotrecht zu der Ebene, die von einer Oberfläche des Siebs 502 und der optischen Achse der Digitalkamera definiert wird) geneigt sein und dadurch eine abgewinkelte Ansicht des Siebs 502 (oder eines Abschnitts des Siebs 502 ) anstelle einer gerade herab blickenden Ansicht bereitstellen.
English: For example, the digital camera 506A as a whole may be positioned above the screen 502, but the digital camera 506A may be tilted to an angle of 40° (measured from an imaginary line normal to the plane defined by an upper surface of the screen 502 and the optical axis of the digital camera), thus providing an angled view of the screen 502 (or of a portion of the screen 502) as opposed to a straight down view.
German: Wenn der Heizapparat 7 der vorliegenden Erfindung die Konfiguration von Fig. 6 verwendet und in ein Stoffprodukt 20 (beispielsweise eine elektrische Decke/Teppich mit einer großen Fläche) eingehüllt ist, kann das Gewicht signifikant reduziert werden und die Weichheit kann aufgrund der Vielzahl von Freiräumen 12 (die Anordnung der Metallleiter 5, 6 in einer serie-parallelen Art kann die Flexibilität in der Ausgestaltung der Leitfähigkeit erhöhen) erhöht werden, so dass die elektrische Decke/Teppich weiterhin leicht und weich ist.
English: When the heating apparatus 7 of the present invention employs the configuration of FIG. 6 and is wrapped in a fabric product 20 (e.g. an electric blanket/carpet having a large area), the weight can be significantly reduced and the softness can be increased due to the plurality of spaces 12 (the arrangement of the metal conductors 5, 6 in a series-parallel manner can increase the flexibility in conductivity design) so that the electric blanket/carpet is still light and soft.
German: Dann wird durch Photolithographie und Ätzen ein V-förmiger Streifenkanal 19, der das p-GaAs-Substrat 11 erreicht, durch die n-GaAs-Schicht 12 hindurch ausgebildet, wonach eine p-Ga0,55Al0,45As-Mantelschicht 13 (mit einer Dicke von 0,2 um außerhalb des V-förmigen Streifenkanals 19), eine aktive Schicht 14 aus p-Ga0,88Al0,12As (mit einer Dicke von 0,07 um), eine n- Ga0,55Al0,45As-Mantelschicht 15 (mit einer Dicke von 1 um) und eine n-GaAs- Deckschicht 16 (mit einer Dicke von 1 um) aufeinanderfolgend durch Flüssigphasenepitaxie aufgewachsen werden.
English: Then, a V-striped channel 19 reaching the p-GaAs substrate 11 through the n-GaAs layer 12 is formed by photolithography and etching, after which a p-Ga0.55Al0.45As cladding layer 13 (having a thickness of 0.2 µm outside the V-striped channel 19), a p-Ga0.88Al0.12As active layer 14 (having a thickness of 0.07 µm), an n-Ga0.55Al0.45As cladding layer 15 (having a thickness of 1 µm), and an n-GaAs cap layer 16 (having a thickness of 1 µm) are successively grown by liquid phase epitaxy.
German: Angenommen, zum Beispiel, eine Situation in der ein Gerät (Gerät A) und ein anderes Gerät (Gerät B), die D2D-Kommunikationen unterstützen, miteinander kommunizieren, findet erstens das Gerät A alle benachbarten Geräte durch Scannen findet, zweitens wird das Gerät B, mit welchem gewünscht ist zu kommunizieren, aus einer Liste aller der gescannten benachbarten Geräte ausgewählt, drittens stellen das Gerät A und das Gerät B eine Verbindung zur Kommunikation über ein Assoziations- und Authentifizierungsprozedere etc. her.
English: For example, supposing a situation that a device (device A) and other device (device B), which support D2D communications, communicate with each other, firstly, the device A finds all neighbor devices by scanning, secondly, the device B with which is desired to communicate is selected from a list of all the neighbor devices scanned, thirdly, the device A and device B establish a link for communication via association and authentication procedures, etc.
German: Wenn der Trigger 95 nach hinten verschoben wird, um den Schalter 21 zu schließen, wird der Sperrstift 93 in den Bewegungspfad des Vorsprunges 97 verschoben und verhindert, daß der Ring 67 entweder von der ersten Stellung (Fig. 3B) in die zweite Stellung (Fig. 3C) oder von der zweiten Stellung (Fig. 3C) in die erste Stellung (Fig. 3B) verschoben wird.
English: When trigger 95 is shifted rearwardly to close switch 21, blocking tab 93 is shifted into the path of movement of projection 97 preventing ring 67 from being shifted from either the first position (FIG. 3B) to the second position (FIG. 3C) or from the second position (FIG. 3C) to the first position (FIG. 3B).
German: Ist der Steuerimpuls A eine 0 und der Steuerimpuls B eine 0, dann ist die Spannung an den Ausgängen der Inverter 18 und 20 hoch, d. h. bei 1, und deshalb sind die Transistoren P2, P5 und P6 der ersten Baumstruktur 10 an, während die Transistoren P1, P3 und P4 aus sind, und die Transistoren N2, N5 und N6 der zweiten Baumstruktur 12 sind an, während die Transistoren N1, N3 und N4 aus sind.
English: When control pulse A is a 0 and control pulse B is a 0, the voltage at the outputs of the inverters 18 and 20 is high, i.e., at 1, and, therefore, transistors P2, P5 and P6 of the first tree 10 are on, while transistors P1, P3 and P4 are off, and transistors N2, N5 and N6 of the second tree 12 are on, while transistors N1, N3 and N4 are off.
German: Aufgrund dessen, dass die Wand 270 in dem Nicht-Emissionsbereich ausgebildet ist, kann die Überzugschicht 260 in dem Emissionsbereich EA der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung 200 gemäß der zweiten Ausführungsform einer Dicke aufweisen, die größer als die erste Dicke K1 (nach Fig. 4 ) der Überzugschicht 160 (nach Fig. 4 ) in dem Emissionsbereich EA (nach Fig. 4 ) der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung 100 (nach Fig. 3 ) gemäß der ersten Ausführungsform ist.
English: Due to the wall 270 being formed in the non-emission area, the overcoat layer 260 in the emission area EA of the electroluminescent display device 200 according to the second embodiment can have a thickness greater than the first thickness K 1 (of FIG. 4 ) of the overcoat layer 160 (of FIG. 4 ) in the emission area EA (of FIG. 4 ) of the electroluminescent display device 100 (of FIG. 3 ) according to the first embodiment.
German: Der Stützstock 42 wirkt mit dem Spindelstock und dem Reitstock 38 und 40 zusammen, um einen ersten Zylinder 44 drehbar in Bezug zum ersten Gravurkopf 22 und einen zweiten Zylinder 46 drehbar in Bezug zum zweiten Gravurkopf 24 zu halten, damit zum Beispiel ein erstes Muster 12 auf eine Oberfläche 44a des Zylinders 44 und ein zweites Muster von gravierten Bereichen 14 auf eine Oberfläche 46a des Zylinders 46 graviert werden kann.
English: The support stock 42 cooperates with the headstock and tailstock 38 and 40 to rotatably support a first cylinder 44 in relationship to the first engraving head 22 and a second cylinder 46 in relationship to the second engraving head 24 so that, for example, a first pattern 12 may be engraved on a surface 44a of cylinder 44 and a second pattern of engraved areas 14 may be engraved on a surface 46a of cylinder 46.
German: Wenn also die Koeffizienten kh, ks und kl auf die Farbkorrektur-Parameter kr, kg und kb in den unten angegebenen Gleichungen angewendet werden, werden neue Parameter gewonnen, die kr, kg und kb umso kleiner machen, je mehr sie sich den Grenzwerten annähern (d. h. von der zu korrigierenden Farbe wegbewegen), und welche sich den Werten von kr, kg und kb annähern, wenn sie sich von den Grenzwerten wegbewegen (zur zu korrigierenden Farbe hinbewegen).
English: Thus, when the coefficients kh, ks and kl are applied to the color correction parameters kr, kg and kb in the equations set out below, new parameters are obtained which make kr, kg and kb the smaller as they approach the boundary values (i.e. move away from the color to be corrected) and which approach the values of kr, kg and kb as they move away from the boundary values (toward the color to be corrected).
German: Zum Beispiel umfasst das Erzeugen und Einfügen eines LSP in ein Paket oftmals (i) das Erzeugen des LSP durch das Bewegen von verschiedenen Stücken von Daten von verschiedenen Speicherplätzen in einen einzigen Speicherbereich und (ii) das Einfügen des LSP in den Header des Pakets, was des Weiteren das Trennen des Paket-Header in vorausgehende und hinten anhängende Teile umfassen kann, bevor der LSP zwischen den Teilen eingefügt wird.
English: For example, generating and inserting an LSP into a packet often involves (i) generating the LSP by moving various pieces of data from various memory locations into a single memory area and (ii) inserting the LSP into the packet's header, which may further involve breaking the packet header into leading and lagging portions prior to inserting the LSP between the portions.
German: Diese Funktion f (X, ID) ist beispielsweise wie unten gezeigt definiert, so dass, wenn jeweils entsprechende Bits des wahlfreien Zahlensignals X und des Identifikationssignals ID den gleichen Wert "1" oder "0" haben, der Wert eines entsprechenden Bits in der Funktion (X, ID) auf "1" gesetzt wird, und, wenn die entsprechenden jeweiligen Bits davon die Werte haben, die voneinander verschieden ist, deren Wert in der Funktion f (X, ID) auf "0" gesetzt wird.
English: This function f(X, ID) is defined as shown below, for example, such that if respective corresponding bits of the random number signal X and the identification signal ID have the same value of "1" or "0", then the value of a corresponding bit in the function f(X, ID) is set to "1" and if the respective corresponding bits thereof have the values different from each other, then the value thereof in the function f(X, ID) is set to "0".
German: In Fig. 1 ist der Bereich t des elektrischen Entladungsspalts 40, welcher an den Endabschnitten der Elektrodenstirnseiten 20, 30 gemessen wird, größer als der Abstand d, welcher ein Abstand von dem Kohlenstoff-Auslöserdraht 10c an dem Mittelabschnitt zu der Elektrodenstirnseite 20, 30 ist, das heißt, ein Abstand in der radialen Richtung von dem Außenumfang der Elektrodenstirnseite 20, 30 zu der Innenwand des aus Keramik hergestellten zylindrischen Körpers.
English: In Fig. 1, the interval t of the electric discharge gap 40, which is measured at the end portions of the electrode faces 20, 30, is larger than the distance d which is a distance from the carbon trigger wire 10c at the central portion to the electrode face 20, 30, that is, a distance in the radial direction from the outer circumference of the electrode face 20, 30 to the inner wall of the cylindrical body made of ceramic.
German: Wie in Fig. 7 dargestellt kann es alternativ bevorzugt werden eine andere Konfiguration anzunehmen, bei welcher alle MOSFET's 12, 14, 16, welche beim Auftreten einer Fehlfunktion herausfallen, in der unmittelbaren Nähe des Stopperteils 38 positioniert werden, wodurch die ersten Stopperteile 36 aufgehoben werden, und es werden der Widerstand 20, der Elektrolytkondensator 22, die Kondensatoren 24, 26, der IC 18 usw. an einem höheren Ort als die MOSFET's 12, 14, 16 positioniert.
English: Alternatively, as shown in FIG. 7, it may also be preferable to adopt other configuration where all of the MOSFETs 12, 14, 16 which are to be fallen in the event of a malfunction are positioned in the closest vicinity to the stopper member 38, hence the first stopper members 36 is eliminated, and the resistor 20, the electrolyte capacitor 22, the capacitors 24, 26, the IC 18, etc. are positioned at a higher location than the MOSFETs 12, 14, 16.
German: Ist die Befestigung 27 beispielsweise zwischen dem Batteriepaket 122 (Fig. 6) und dem Kommunikationsausrüstungsgegenstand 21 (Fig. 1) angeschlossen, so sind jeweils die Anschlüsse TD1, TD2, TD3 und TE des Batteriepakets 122 mit den Anschlüssen TP1, TP2, TP3 und TQ der Befestigung 27 verbunden, und die Anschlüsse TF, TL und TG des Kommunikationsausrüstungsgegenstands 21 sind jeweils mit den Anschlüssen TR, TS und TT der Befestigung 27 verbunden.
English: When the attachment 27 is connected between the battery pack 122 (FIG. 6) and the communication equipment body 21 (FIG 1), for example, the terminals TD1, TD2, TD3 and TE of the battery pack 122 are respectively connected to the terminals TP1, TP2, TP3 and TQ of the attachment 27, and the terminals TF, TL and TG of the communication equipment body 21 are respectively connected to the terminals TR, TS and TT of the attachment 27.