mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Die elektronische Schaltung 300 umfasst ferner eine Steuereinheit 308, die beispielsweise durch das Steuern eines Schalters 309 initiiert, dass, wenn ein Bit des im zweiten Register 303 gespeicherten zweiten Faktors dem Akkumulator 305 zugeführt wird, d. h. von der ALU 304 verarbeitet wird, dieses Bit auch mit dem Inhalt des Schieberegisters über einen Addierer 310 des Schieberegisters (mit anderen Worten über die Rückkopplungsfunktion des Schieberegisters) addiert wird.
English: The electronic circuit 300 further includes a controller 308 which, for example by controlling a switch 309, initiates that when a bit of the second factor stored in the second register 303 is fed to the accumulator 305, i.e. processed by the ALU 304, this bit is also added to the content of the shift register via an adder 310 of the shift register (in other words via the feedback function of the shift register).
German: Zum Beispiel kann während des Strukturierens der Halbleiterregion 102 die Rauigkeit (quadratische Rauigkeit) der Halbleiterregion 102 um mehr als etwa 0,1 μm erhöht werden, zum Beispiel um mehr als etwa 0,2 μm, zum Beispiel um mehr als etwa 0,3 μm, zum Beispiel um mehr als etwa 0,4 μm, zum Beispiel um mehr als etwa 0,5 μm, zum Beispiel um mehr als etwa 0,6 μm, zum Beispiel um mehr als etwa 0,7 μm.
English: For example, during structuring the semiconductor region 102, the roughness (root mean squared) of the semiconductor region 102 may be increased by more than about 0.1 μm, e.g. more than about 0.2 μm, e.g. more than about 0.3 μm, e.g. more than about 0.4 μm, e.g. more than about 0.5 μm, e.g. more than about 0.6 μm, e.g. more than about 0.7 μm.
German: Wenn das Paar von Reflektorplatten 56b und das Zwischenglied 52b zusammen innerhalb er Mikrowellenkammer 14 angebracht sind, um den Reflektor 42b zu bilden, wird ein Paar von beabstandeten, sich längs erstreckenden Schlitzen 64b zwischen den Kanten 56b der Reflektorplatten 46b und der Kanten 58b des Zwischengliedes 52b gebildet, die in der Lage sind, Luft zu dem Plasmalampenkolben 20 zu leiten, um den Kolben 20 in wirksamer Weise entlang seiner gesamten äußeren Oberfläche zu umhüllen.
English: When the pair of reflector panels 56b and the intermediate member 52b are mounted in combination within the microwave chamber 14 to form the reflector 42b, a pair of spaced, longitudinally extending slots 64b are formed between the edges 56b of the reflector panels 46b and the edges 58b of the intermediate member 52b that are operable to pass air toward the plasma lamp bulb 20 to envelop the bulb 20 effectively entirely about its outer surface.
German: Falls z.B. die vorliegende Erfindung auf eine Implementierung des RLP angewendet wird, das PPP-Pakete durch Segmentierung einbettet, die wiederum Pakete höherer Schichten kapseln, wie etwa IP und darüber TCP oder UDP, dann kann die RLP-Implementierung in Übereinstimmung mit der Erfindung die Pakete erkennen, die UDP-Pakete enthalten, und jene, die TCP-Pakete enthalten, und kann z.B. die UDP-Pakete in dem nicht-nummerierten Modus und die TCP-Pakete in dem nummerierten Modus in der RLP-Schicht senden.
English: For example, if the present invention is applied to an implementation of the RLP that embeds PPP packets by segmentation, which in turn encapsulate packets of higher layers, such as IP and above that TCP or UDP, then the RLP implementation in accordance with the invention can discern the packets containing UDP packets and those containing TCP packets, and can e.g. send the UDP packets in the unnumbered mode and the TCP packets in the numbered mode at the RLP layer.
German: Schleife 70 enthält auch ein Segment 92, das sich vertikal von einem rechten Ende des Segments 90 nach unten erstreckt, ein Segment 94, das sich von einem unteren Ende des Segments 92 nach links und horizontal erstreckt, und ein Segment 96, das sich vertikal erstreckt, um die jeweiligen linken Enden der Segmente 90 und 94 miteinander zu verbinden.
English: Loop 70 also includes a segment 92 that extends downwardly vertically from a right end of segment 90, a segment 94 which extends leftwardly and horizontally from a lower end of segment 92, and a segment 96 which extends vertically to interconnect the respective left ends of segments 90 and 94.
German: Die Kommunikation von dem Benutzergerät 106 kann eine Nachricht sein und kann über das Netzwerk erfolgen und zum Beispiel unter anderem in Form von Short Message Service (SMS) oder Multimedia Messaging Service (MMS) erfolgen, und in einigen Implementierungen kann die dem Benutzergerät 106 bereitgestellte Nachricht anfordern, dass ein spezifischer Begriff oder eine spezifische Zeichenfolge in der Kommunikation von dem Benutzergerät 106 an die bereitgestellte Telefonnummer angegeben wird.
English: The communication from the user device 106 may be a message and may be over the network, and may, for example, be in the form of a Short Message Service (SMS) or Multimedia Message Service (MMS), among others, and in some implementation, the message provided to the user device 106 may request that a particular term or string of characters be provided in the communication from the user device 106 to the provided phone number.
German: Die Keilstruktur 23 der zweiten Abdeckung 2 (siehe Fig. 7 für eine Vergrößerung) umfasst ein Paar von Tragrippen 231, einen Verriegelungsbereich 232 mit einer geneigten Fläche 2321, einen Trennbereich 233, und ein Durchgangsloch 236, das an der Seitenwand der zweiten Abdeckung 2 positioniert ist und das sich in der Nähe des unteren Rands 21 befindet, so dass der Innenraum der zweiten Abdeckung 2 mit dem Außenraum mittels des Durchgangslochs 236 in Verbindung steht.
English: The wedging structure 23 of the second cover 2 (See FIG. 7 for amplification) includes a pair of supporting ribs 231, a locking portion 232 having a slanted surface 2321, a separating portion 233, and a through hole 236 located at the side wall of the second cover 2 that is close to the lower edge 21 so that the inner space of the second cover 2 is communicated with the outer space thereof via the through hole 236.
German: Bei GT = 150 empfängt der Kanal CH1 daher eine Übertragungserlaubnis und eine neue Zeitmarke von 200 (unter Verwendung der früheren Zeitmarke von 100 zuzüglich dem Offset von 100 für den Kanal CH1, der größer ist als die globale Zeit GT = 150, so daß veranlaßt wird, daß die frühere Zeitmarke von 100 als die Basis verwendet wird).
English: At GT=150, therefore, channel CH1 receives a transmission credit, and a new timestamp of 200 (using the prior timestamp of 100 plus the offset of 100 for channel CH1, which is greater than global time GT=150, and thus causing the prior timestamp of 100 to be used as the base).
German: Außerdem befinden sich innerhalb des Datenzentrums 410 : ein oder mehrere Überwachungsserver 412 ; eine oder mehrere Anwesenheits- und Meldungs-FrontDoors 414, ein oder mehrere Anwesenheitsserver 416 und ein oder mehrere Meldungsserver 418 (die gemeinsam einen Anwesenheits- und Meldungsdienst implementieren); eine oder mehrere Anpassungs-FrontDoors 420 und ein oder mehrere Anpassungsserver 422 (die gemeinsam einen Anpassungsdienst implementieren); und eine oder mehrere Statistik-FrontDoors 424 und ein oder mehrere Statistikserver 426 (die gemeinsam einen Statistikdienst implementieren).
English: Also within data center 410 are: one or more monitoring servers 412; one or more presence and notification front doors 414, one or more presence servers 416, and one or more notification servers 418 (collectively implementing a presence and notification service); one or more match front doors 420 and one or more match servers 422 (collectively implementing a match service); and one or more statistics front doors 424 and one or more statistics servers 426 (collectively implementing a statistics service).
German: Obwohl die ersten Elektroden 151 und die zweiten Elektroden 152 jeweils so konfiguriert sind, dass sie sich fortlaufend von dem einen Ende zum anderen Ende der Solarzelle 10 gemäß Fig. 9 erstrecken, können die ersten Elektroden 151 bzw. die zweiten Elektroden 152 an Positionen entsprechend der Linie B-B' und der Linie A-A' jeweils in linke und rechte Teile und obere und untere Teile getrennt werden, so dass an den entsprechenden Positionen Lücken geschaffen sind.
English: Although the first electrodes 151 and the second electrodes 152 are each configured so as to extend continuously from the one end to the other end of the solar cell 10 in FIG. 9, the first electrodes 151 and the second electrodes 152, respectively, may be divided at positions corresponding to the line B-B' and the line A-A' into left parts and right parts, and upper parts and lower parts, respectively, so that gaps are provided at the corresponding positions.
German: Z.B. kann in dem Aufbau, der in Fig. 6 und Fig. 7 gezeigt ist, die Diode D4 durch den Schalter Q5 ersetzt werden, der in Fig. 5 gezeigt ist, kann die Diode D3 durch den Schalter Q6 ersetzt werden, der in Fig. 5 gezeigt ist, und können die Schalter Q5 und Q6 in Synchronisation mit den Schaltern Q1 und Q2 gesteuert werden.
English: For example, in the configuration shown in FIGS. 6 and 7, the diode D4 may be replaced by the switch Q5 shown in FIG. 5, the diode D3 may be replaced by the switch Q6 shown in FIG. 5, and the switches Q5 and Q6 may be controlled in synchronization with the switches Q1 and Q2.
German: Die Sensoreinheit 35 umfasst Sensoren 7, umfassend ein Thermometer 7a zum Messen einer Temperatur im Inneren eines Gehäuses (nicht gezeigt) der Videokameravorrichtung 31, ein Hygrometer 7b zum Messen einer Feuchtigkeit im Inneren des Gehäuses der Videokameravorrichtung 31, Offen-/Geschlossen-Sensoren (nicht gezeigt) zum Detektieren eines offenen/geschlossenen Zustands von Türen und Fenstern, einen Sensor für menschliche Körper (nicht gezeigt) und eine Sensorsteuerschaltung 6 zum Steuern der Sensoren 7.
English: The sensor unit 35 includes sensors 7 including a thermometer 7a for measuring a temperature inside of a case (not shown) of the video camera apparatus 31, a hygrometer 7b for measuring a humidity inside the case of the video camera apparatus 31, open/close sensors (not shown) for detecting an open/close condition of doors and windows, a human body sensors (not shown), and a sensor control circuit 6 for controlling the sensors 7.
German: Bewirkt das modulierte Schwingungssignal 2804, daß der Schalter 2816 "geschlossen" wird, wird der Ausgang 2822 des Schaltermoduls 2802 mit dem zweiten Eingang 2810 des Schaltermoduls 2802 elektrisch verbunden (d. h. mit Masse 2812 in einer Ausführungsform der Erfindung), und die Amplitude des harmonisch reichen Signals 2814 wird gleich dem am zweiten Eingang 2810 vorhandenen Potential (z. B. null Volt für die Ausführungsform, in der der zweite Eingang 2810 mit Masse 2812 verbunden ist).
English: When the modulated oscillating signal 2804 causes the switch 2816 to become "closed," the output 2822 of switch module 2802 becomes connected electrically to the second input 2810 of switch module 2802 (e.g., ground 2812 in one embodiment of the invention), and the amplitude of the harmonically rich signal 2814 becomes equal to the potential present at the second input 2810 (e.g., zero volts for the embodiment wherein the second input 2810 is connected to electrical ground 2812).
German: Ferner kann der hoch dotierte Abschnitt 152 der gemeinsamen Dotierungsregion, der den ersten aktiven Bereich 110 und/oder den zweiten aktiven Bereich 120 lateral umgibt, zusätzlich als eine Kanal-Stopp-Region dienen, lateral um den ersten aktiven Bereich 110 und/oder lateral um den zweiten aktiven Bereich 120, derart, dass eine extra Kanal-Stopp-Region für den ersten aktiven Bereich 110 und/oder für den zweiten aktiven Bereich 120 möglicherweise unnötig wird und Platz auf dem Halbleitersubstrat 102 gespart werden kann.
English: Moreover, the highly doped portion 152 of the common doping region laterally surrounding the first active area 110 and/or the second active area 120 may additionally serve as a channel-stop region laterally around the first active area 110 and/or laterally around the second active area 120, respectively, such that an extra channel-stop region for the first active area 110 and/or for the second active area 120 may become unnecessary and space on the semiconductor substrate 102 may be saved.
German: Das Ausbilden des Elektrodenmaterials 130 kann z. B. ein Ausbilden des ersten Materials 150, ein Ausbilden des zweiten Materials 152b, welches das Gettermaterial umfasst, und dann ein Ausbilden eines zusätzlichen ersten Materials 150 über dem zweiten Material 152b umfassen, wobei das über dem zweiten Material 152b angeordnete erste Material 150 das gleiche Material wie das erste Material 150 unterhalb des zweiten Materials 152b umfasst.
English: Forming the electrode material 130 may comprise forming the first material 150, forming the second material 152b comprising the gettering material, and then forming additional first material 150 over the second material 152b, for example, wherein the first material 150 disposed over the second material 152b comprises the same material as the first material 150 beneath the second material 152b.
German: Der Addierer 62 addiert die so eingegebenen zwei Farbdifferenzsignale (ER - EY) und (EB - EY) und gibt ihren Additionswert, d.h das Farbsignal (ER + EB - 2EY), an die negativen Eingänge der Komparatoren 71 und 72 aus, während der Subtrahierer 64 das Farbdifferenzsignal (EB - EY) von dem Farbdifferenzsignal (ER - EY) subtrahiert und ihren Subtraktionswert, d.h. das Farbsignal (ER - EB), an die negativen Eingänge der Komparatoren 73 und 74 ausgibt.
English: The adder 62 adds the thus input two color difference signals (ER- EY) and (EB- EY) and outputs the addition value thereof, that is, the color signal (ER+ EB- 2EY) to the negative inputs of comparators 71 and 72, while the subtractor 64 subtracts the color difference signal (EB- EY) from the color difference signal (ER- EY) and outputs the subtraction value thereof, that is, the color signal (ER- EB) to the negative inputs of comparators 73 and 74.
German: Mit Bezug zu dem Bezugszeichen 4a aus Fig. 4 kann entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine AVB-Datenstrom-ID mit einer Länge von 64 Bits zum Umfassen einer VLAN-ID 451 mit einer Länge von 1 Byte, einer Host-ID 452 mit einer Länge von 1 Byte, einer Priorität 453 mit einer Länge von 1 Byte, einen Datenstromsubtyp 454 mit einer Länge von 1 Byte und eine Seriennummer 455 mit einer Länge von 4 Byte konfiguriert sein.
English: Referring to reference numeral 4 aof FIG. 4, according to an embodiment the present invention, an AVB stream ID having a length of 64 bits may be configured to include a VLAN ID 451 having a length of 1 byte, a host ID 452 having a length of 1 byte, a priority 453 having a length of 1 byte, a stream subtype 454 having a length of 1 byte, and a serial number 455 having a length of 4 bytes.
German: Die Berechnungseinheit 142 bestimmt ein Signalverhältnis G1(f) und eine Korrelation G2(f), wobei das Signalverhältnis G1(f) ein Verhältnis, welches in Gleichung 1 gezeigt ist, die unten beschrieben wird, zwischen dem Wahrnehmungstonsignal Y(f) und dem Referenztonsignal X(f) bei einer entsprechenden Frequenz f ist, und eine Korrelation G2(f), welche in Gleichung 2 gezeigt ist, die unten beschrieben wird, ein Verhältnis einer Ähnlichkeit zwischen dem Wahrnehmungstonsignal Y(f) und dem Referenztonsignal X(f) bei einer entsprechenden Frequenz f repräsentiert.
English: The computation unit 142 determines a signal ratio G1(f) and a correlation G2(f), the signal ratio G1( ) is a ratio, shown in equation 1 described below, between the observation sound signal Y(f) and the reference sound signal X(f) at a corresponding frequency f, and a correlation G2(f), shown in equation 2 described below, represents a ratio of similarity between the observation sound signal Y(f) and the reference sound signal X(f) at a corresponding frequency f.
German: Die letzte Nachricht, „IMS-Registrierung", ist eine in dieser Erfindung gegebene Benennung und soll sich auf beliebige der verschiedenen Zeichengabenachrichten beziehen, die in der HLR/dem HSS eines 3G-Systems empfangen werden, wenn ein IP-Multimedia-Benutzer (IM-Benutzer) sich im IP-Multimedia-Teilsystem (IP Multimedia Subsystem, IMS) des 3G-Systems anmeldet, d.h. wenn ein Benutzer, der an das Netz für Paketvermittlungsdienste angeschlossen ist, sich bei dem Netz anmeldet, um Zugriff auf Multimediadienste zu erlangen, die in 3G-Systemen mittels Paketvermittlungsdiensten angeboten werden.
English: The latest message, " IMS-registration",is a naming given within this invention, and intends to refer to any of the various signalling messages that are received in the HLR/HSS of a 3G system when an IP-multimedia user (IM-user) registers in the - multimedia Subsystem (IMS) of said 3G system; i.e.: when a user who is attached to the network for packet-switch services, registers with said network to get access to multimedia services, that are offered in 3G systems through packet-switch services.
German: (1) Eine Fahrzeuganzeigevorrichtung gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist auf: eine erste Anzeigevorrichtung, die ein erstes virtuelles Bild an einer Position mit einer ersten Distanz von einer Augenposition des Fahrzeugfahrers zu der Vorderseite des Fahrzeugs hin anzeigt; und eine zweite Anzeigevorrichtung, die ein zweites virtuelles Bild an einer Position mit einer zweiten Distanz, die kürzer als die erste Distanz ist, von der Augenposition des Fahrzeugfahrers zur Vorderseite des Fahrzeugs hin anzeigt.
English: (1) A vehicle display apparatus according to a first aspect of the present invention comprises: a first display device that displays a first virtual image at a position of a first distance from an eye position of a vehicle driver to forward of the vehicle; and a second display device that displays a second virtual image at a position of a second distance shorter than the first distance from the eye position of the vehicle driver to forward of the vehicle.
German: Mit Bezug auf Fig. 2 besitzt der ungerichtete Frequenzgenerator 100 (nachstehend NDFG genannt) einen Motor 110, der durch Gleichspannung angetrieben wird, um eine Rotationskraft zu erzeugen, einen Kommutator 130, der durch den Motor 110 gedreht wird, eine Vielzahl von Bürsten, die mit dem Umfang des Kommutators 130 in Kontakt stehen, beispielsweise eine erste, eine zweite, eine dritte und eine vierte Bürste 121-124.
English: Referring to FIG. 2, the non-directional frequency generator 100 (hereinafter called NDFG) has a motor 110 driven by direct current power to generate a rotational force, a commutator 130 rotated by the motor 110, a plurality of brushes being in contact with the circumference of the commutator 130, e.g., first, second, third, and fourth brushes 121-124.
German: Sobald diese Struktur (Stapel 10 ), welche aus dem ersten Element 1, welches der Halbleiterchip ist, der Sinterpaste 5, dem zweiten Element 2 in der Form des Substrates, dem Stabilisierungsmittel 7 in der Form einer Lotvorform 8 und dem dritten Element 3 in der Form der Grundplatte besteht, in eine Sinter-/Lötpresse angeordnet wird und aufgeheizt wird, während Druck vertikal durch die Struktur (siehe Pfeil 9 ) angelegt wird, so dass Sintern und Löten stattfinden.
English: Once this structure (stack 10) consisting of the first element 1 to be the semiconductor chip, the sintering paste 5, the second element 2 in the form of the substrate, the stabilizing means 7 in the form of a solder preform 8 and the third element 3 in the form of the base plate is placed into a sintering/soldering press and heated whilst pressure is applied vertically through the structure (see arrow 9), sintering and soldering take place.
German: Die Wärmeableitschicht kann vorzugsweise aus einem Material mit hervorragender Wärmeableitung hergestellt sein, vorzugsweise aus einem Material mit einer Wärmeleitfähigkeit von über 2 W / m·K. Die Wärmeableitschicht ist bevorzugt aus einem Material mit einer höheren Wärmeleitfähigkeit von 3 W / m·K oder mehr, besonders bevorzugt von 10 W / m·K oder mehr, ferner bevorzugt von 20 W / m·K oder mehr und ganz besonders bevorzugt von 30 W / m·K oder mehr ausgebildet.
English: The heat dissipation layer can be preferably made of a material with superior heat dissipation, preferably a material having a heat conductivity over 2 W/m·K. The heat dissipation layer is preferably formed of a material with a higher thermal conductivity, 3 W/m·K or more, more preferably 10 W/m·K or more, further preferably 20 W/m·K or more, particularly preferably 30 W/m·K or more.
German: Des Weiteren können die leitfähigen Pads 1141 - 1 bis 1141 - 4 und die leitfähigen Pads 1141 - 11 bis 1141 - 14 jeweils ein Metallmaterial sein, das nicht Pb und Sn beinhaltet, mit anderen Worten ein Metallmaterial, das kein Lot ist, oder können ein Legierungsmaterial mit niedrigem Schmelzpunkt, das Pb oder Sn beinhaltet, mit anderen Worten ein Lotmaterial, sein.
English: Furthermore, the conductive pads 1141-1 to 1141-4 and the conductive pads 1141-11 to 1141-14 each may be a metal material that does not include Pb and Sn, in other words, a metal material that is not solder, or may be a low melting point alloy material including Pb or Sn, in other words, a solder material.
German: Das erste Wicklungselement 50 hat einen Seitenrand der ersten dielektrischen Schicht 42, der nicht metallisiert oder durch eine erste leitende Schicht 39 abgedeckt ist, das zweite Wicklungselement 52 hat einen Seitenrand, der nicht metallisiert oder durch eine zweite leitende Schicht 40 abgedeckt ist, wobei das erste Wicklungselement 50 und das zweite Wicklungselement 52 aufeinander 16 gestapelt und um eine dielektrische Spule oder Form (zum Beispiel eine abnehmbare oder kaptive Form) gewickelt sind.
English: The first winding member 50 has a side margin of the first dielectric layer 42 that is not metallized or covered by a first conductive layer 39; the second winding member 52 has a side margin that is not metallized or covered by a second conductive layer 40, where the first winding member 50 and the second winding member 52 are stacked on top 16 of each other and wound around dielectric bobbin or form (e.g., a removable or captive form).
German: Demgemäß ermöglicht die T-förmige Polysiliziumstruktur ( 110, 210 ) die Bildung eines entsprechenden P-Bodybereichs unterhalb des Polysiliziums, das mit einem P+ Bereich ( 240 ) in Kontakt ist, wobei der P+ Bereich ( 240 ) einen Kontakt mit geringer Resistivität mit dem P- Bereich unter dem Polysilizium-Erweiterungsbereich ( 210 ) und somit mit dem Transistorbody unter dem Polysiliziumbereich ( 110 ) ermöglicht.
English: Accordingly, the T-shaped polysilicon structure (110, 210) allows formation of a corresponding P-body region underneath the polysilicon which is in contact with a P+ region (240), latter P+ region (240) allowing a low resistance contact to the P- region under the polysilicon extension region (210) and thus to the transistor body under the polysilicon region (110).
German: Das heißt: das (L + C)-Signal, nach Quantisierung unter dem Einfluss des Maskierungssteuersignals mcs2, durch GEN1 hergeleitet von C, wobei L quantisiert worden ist, d. h. die quantisierte Replik des ursprünglichen L-Signals wird bei der Erzeugung des (L + C)-Signals verwendet, das (R + C)-Signal: nach Quantisierung unter dem Einfluss des Maskierungssteuersignals mcs3, durch GEN3 hergeleitet von R, und das L-Signal: nach Quantisierung unter dem Einfluss des Maskierungssteuersignals ncs1, durch GEN2 hergeleitet von L.
English: That is: the (L+C)-signal, after quantization under the influence of the masking control signal mcs2 derived by GEN1 from C, where L has been quantized, i.e. the quantized replica of the original L-signal is used in creating the (L+C)-signal, the (R+C)-signal after quantization under the influence of the masking control signal mcs3 derived by GEN3 from R, and the L-signal after quantization under the influence of the masking control signal mcs1 derived by GEN2 from L.