mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Der Terminus „Speichermedium“ soll ein Installationsmedium beinhalten, z. B. eine CD-ROM, Disketten oder eine Bandeinrichtung; einen Computersystemspeicher oder ein Random Access Memory wie ein DRAM, ein DDR RAM, ein SRAM, ein EDO RAM, ein Rambus RAM etc.; einen permanenten Speicher wie einen Flashspeicher, magnetische Medien, z. B. eine Festplatte oder einen optischen Speicher; Register oder andere ähnliche Typen von Speicherelementen etc. Das Speichermedium kann auch noch andere Speichertypen oder Kombinationen davon umfassen.
English: The term "memory medium" is intended to include an installation medium, e.g., a CD-ROM, floppy disks, or tape device; a computer system memory or random access memory such as DRAM, DDR RAM, SRAM, EDO RAM, Rambus RAM, etc.; a non-volatile memory such as a Flash, magnetic media, e.g., a hard drive, or optical storage; registers, or other similar types of memory elements, etc. The memory medium may include other types of memory as well or combinations thereof.
German: Dann wird, wie in Fig. 6(4) dargestellt ist, ein gegebener Chip 105' in Position auf das Substrat 102 gesetzt, woraufhin mit einem Heizkopf 106 von unten gedrückt wird und der Chip 105' gegen das Substrat 102 heißgepresst wird, um den dünnen Chip 105' auf das Substrat 102 zu bewegen, wie in Fig. 6(5) dargestellt ist, wodurch sie mit einem Klebstoff 103 miteinander verbunden werden.
English: Then, as shown in Fig. 6(4), a given chip 105' is placed in position of the substrate 102, followed by urging a heating head 106 from below and hot pressing the chip 105' against the substrate 102 to move the thin chip 105' on the substrate 102 as shown in Fig. 6(5), thereby bonding them together through an adhesive 103.
German: Der MeNB 240 stellt zu Zeitpunkt ( 13 ) eine erste Kontexteinrichtungsanfrage an die MME 230 bereit, und danach modifiziert die MME 230 zu Zeitpunkt ( 14 ) eine Trägeranfrage an das SGW 220 am SCONE 201, um das SGW 220 zu veranlassen, die Trägeranfrage an das PGW 110 am MNO-Kern 101 zu Zeitpunkt ( 15 ) zu modifizieren.
English: The MeNB 240 provides an initial context setup request to the MME 230 at time (13), and thereafter, the MME 230 modifies a bearer request with the SGW 220 at the SCONE 201 at time (14) to cause the SGW 220 to modify the bearer request with the PGW 110 at the MNO core 101 at time (15).
German: Zu Darstellungszwecken wird die erste Verbindungsfahne 10 jeder der Batteriezellen 8 und der erste Abschnitt 102 (z. B. zumindest die erste Oberfläche 104 ) des Verbindungsanschlusses mit Metallverkleidung 100 so beschrieben, dass sie aus Aluminium ausgebildet sind, und die zweite Verbindungsfahne 12 jeder der Batteriezellen 8 und der zweite Abschnitt 106 (z. B. zumindest die zweite Oberfläche 108 ) des Verbindungsanschlusses mit Metallverkleidung 100 werden so beschrieben, dass sie aus Kupfer ausgebildet sind.
English: For illustration, the first connection tab 10 of each of the battery cells 8 and the first portion 102 (e.g. at least the first surface 104) of the metal clad connection terminal 100 will be described as being formed of aluminum and the second connection tab 12 of each of the battery cells 8 and the second portion 106 (e.g. at least the second surface 108) of the metal clad connection terminal 100 will be described as being formed of copper.
German: Somit kann sich als ein nicht beschränkendes Beispiel eine Referenz auf "A und/oder B", bei Verwendung in Verbindung mit offener Sprache wie etwa "umfassend", in einer Ausführungsform nur auf A beziehen (optional andere Entitäten als B enthaltend); in einer anderen Ausführungsform nur auf B (optional andere Entitäten als A enthaltend); in noch einer weiteren Ausführungsform auf sowohl A als auch B (optional andere Entitäten enthaltend).
English: Thus, as a non-limiting example, a reference to "A and/or B," when used in conjunction with open-ended language such as "comprising" may refer, in one embodiment, to A only (optionally including entities other than B); in another embodiment, to B only (optionally including entities other than A); in yet another embodiment, to both A and B (optionally including other entities).
German: Das bedeutet eine Paket ID einer PMT (oder eine PMT_PID) entsprechend der Programm_Nummer = y wird in der PAT des Transponders n (bei Schritt n4) gefunden; elementare PIDs (EL_PIDs) entsprechend der Programm-Nummer = y werden bei der PMT gefunden welche die PID hat (bei Schritt n5); und dann werden Video-Pakete, Audio-Pakete und Programm-Takt-Referenzen (PCRs) mit den EL_PIDs extrahiert bzw. ausgeblendet, wodurch eine Video-Dekodierung und Audio-Dekodierung und Wiedergabe der Takte durchgeführt wird (bei Schritt n6).
English: That is to say, a packet ID of a PMT (or a PMT_PID) corresponding to the program_number = y is found on the PAT of the transponder n (at Step n4); elementary PIDs (EL_PIDs) corresponding to the program_number = y are found on the PMT having the PID (at Step n5); and then video packets, audio packets and program clock references (PCRs) having the EL_PIDs are extracted, thereby performing video decoding and audio decoding and reproducing the clocks (at Step n6).
German: Die DDL-Bearbeitungsvorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beinhaltet, wie in Fig. 1 dargestellt, einen Laseroszillator 11, der einen Laserstrahl LB mit mehreren Wellenlängen emittiert, eine Übertragungsfaser (Bearbeitungsfaser) 12, die den Laserstrahl LB überträgt, der von dem Laseroszillator 11 emittiert wird, und eine Laserbearbeitungsmaschine 13, die den durch die Übertragungsfaser 12 übertragenen Laserstrahl LB zu einem Strahl mit einer hohen Energiekonzentration bündelt und denselben in Richtung eines Arbeitsmaterials (Werkstück) W emittiert.
English: The DDL processing apparatus according to the embodiment of the present invention includes, as illustrated in FIG. 1, a laser oscillator 11 that emits a multiple-wavelength laser beam LB, a transmission fiber (process fiber) 12 that transmits the laser beam LB emitted from the laser oscillator 11, and a laser processing machine 13 that condenses the laser beam LB transmitted through the transmission fiber 12 into one having a high-energy concentration and emits the same toward a work material (work) W.
German: Die Kammern 626 und 627 können für die Vorbehandlung (z. B. Plasmaätzreinigung und/oder Heizen) der Wafer vor dem Bearbeiten in den Kammern 634 oder die Nachbehandlung (z. B. Abkühlen) der Wafer im Anschluß an die Behandlung in den Kammern 634 reserviert sein; alternativ kann eine oder können beide der Kammern 626 und 627 für sowohl eine Vorbehandlung als auch eine Nachbehandlung ausgelegt sein.
English: The chambers 626 and 627 can be dedicated to pre-treating (e.g., plasma etch cleaning and/or heating) of the wafers before processing in chambers 634 or post-treating (e.g., cool-down) of the wafers following treatment in chambers 634; alternatively, one or both of the chambers 626 and 627 can be adapted for both pre-treatment and post-treatment.
German: Beispielsweise offenbart die japanische offengelegte Patentanmeldung Nummer 11-191554 eine Technik, bei der eine erste Hochfrequenzleistung mit einer Frequenz von 300 MHz bis 1.000 MHz sowie eine zweite Hochfrequenzleistung mit einer Frequenz von 50 kHz bis 30 MHz gleichzeitig an dieselbe Elektrode geliefert werden, und diese Technik ermöglicht entsprechend der Berichte aktive spezielle Steuerwirkungen, die damit verbessert sind und womit es möglich wird, eine genaue Plasmabearbeitung durchzuführen.
English: For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-191554 discloses a technique in which a first high frequency power having a frequency of 300 MHz to 1,000 MHz and a second high frequency power having a frequency of 50 kHz to 30 MHz are supplied to the same electrode at the same time, and this technique reportedly allows active specie control effects to be enhanced, thus making it possible to carry out accurate plasma processing.
German: Die Außenwand 66B beinhaltet einen horizontalen Abschnitt 66B-A mit einer vertikal ausgerichteten und sich horizontal erstreckenden Ebenenfläche, der von gleicher Länge wie der horizontale Abschnitt 65B-A der Innenwand 65B ist; ein vorstehender Abschnitt 66B-B steht von einem rechten Endabschnitt des horizontalen Abschnittes 66B-A nach unten vor; eine Drahtaufnahmewand 66B-C erstreckt sich von einem linken Endabschnitt des horizontalen Abschnitts 66B-A nach hinten und ist länger als die Drahtaufnahmewand 65B-C der Innenwand 65B.
English: The outer wall 66B includes a horizontal portion 66B-A having a vertically oriented and horizontally extending plane surface, which is of the same length as the horizontal portion 65B-A of the inner wall 65B; a projecting portion 66B-B projecting downward from a right end portion of the horizontal portion 66B-A; and a wire accommodation wall 66B-C extending backward from a left end portion of the horizontal portion 66B-A and longer than the wire accommodation wall 65B-C of the inner wall 65B.
German: Darüber hinaus ist die aktive Schicht 55 in drei Bereiche unterteilt, nämlich einen ersten Bereich 55Ai (i = 1, 2, 3,...) nahe der Nitridhalbleiterschicht 53 vom n-Typ, einen zweiten Bereich 55Bi (i = 1, 2, 3,...) nahe der Nitridhalbleiterschicht 54 vom p-Typ und einen dritten Bereich 55Ci (i = 1, 2, 3,...) zwischen dem ersten Bereich 55Ai und dem zweiten Bereich 55Bi.
English: Moreover, the active layer 55 is divided into three regions including a first region 55Ai (i=1,2,3,... ) near the n-type nitride semiconductor layer 53, a second region 55Bi (i=1,2,3,... ) near the p-type nitride semiconductor layer 54, and a third region 55Ci (i=1,2,3,... ) between the first region 55Ai and the second region 55Bi.
German: Der Wandler 100 umfasst im Allgemeinen einen ersten Kondensator (d.h. C1) 102, einen zweiten Kondensator (d.h. C2) 104, eine Drossel (d.h. L1) 106, ein erstes Schaltelement (d.h. S1) 108, ein zweites Schaltelement (d.h. S2) 110 und eine Vielzahl von Knoten, wie beispielsweise einen ersten Knoten 120, einen zweiten Knoten 122, einen dritten Knoten 124 und einen vierten Knoten 126.
English: The converter 100 generally comprises a first capacitor (i.e., C1) 102, a second capacitor (i.e., C2) 104, an inductor (i.e., L1) 106, a first switching device (i.e., S1) 108, a second switching device (i.e., S2) 110, and a plurality of nodes, such as a first node 120, a second node 122, a third node 124, and a fourth node 126.
German: Der Prozessor 202 betreibt das entsprechende mobile Gerät gemäß Daten und Anweisungen, die in der zumindest einen Speichervorrichtung 204 gespeichert sind, beispielsweise einem RAM (random access memory) einem DRAM (dynamic random access memory) und/oder einem ROM (read only memory) oder Äquivalenten davon, die Daten und Instruktionen speichern, die von dem zugehörigen Prozessor ausgeführt werden können, so dass das mobile Gerät die hier beschriebenen Funktionen erfüllen kann.
English: Processor 202 operates the corresponding mobile device according to data and instructions stored in the at least one memory device 204, such as random access memory (RAM), dynamic random access memory (DRAM), and/or read only memory (ROM) or equivalents thereof, that stores data and instructions that may be executed by the corresponding processor so that the mobile device may perform the functions described herein.
German: Fig. 3 zeigt die gleiche Querschnittsansicht wie Fig. 2, aber in Fig. 3 endet der zweite Teil 158 der elektrisch leitenden Schicht 154 über den Feldelektrodengräben 146 der äußersten der Diodenzellen 114, die dem Transistorgebiet 104 zugekehrt sind, so dass sich der zweite Teil 158 der elektrisch leitenden Schicht 154 nicht über den zweiten (äußeren) Graben 120 der Isolationsstruktur 116 hinaus erstreckt.
English: FIG. 3 shows the same cross-sectional view as FIG. 2, but in FIG. 3 the second part 158 of the electrically conductive layer 154 ends over the field electrode trenches 146 of outermost ones of the diode cells 114 which face the transistor region 104 such that the second part 158 of the electrically conductive layer 154 does not extend beyond the second (outer) trench 120 of the isolation structure 116.
German: Wenn beim Schritt S31 bestimmt wird, dass die Differenz b_diff kleiner ist als die Differenz d_diff, dann legt die Zustands-Prüfeinrichtung 37 beim Schritt S32 die Differenz b_diff als horizontale Differenz h_diff fest (d.h. h_diff = b_diff), und sie legt den Bewegungsvektor b als Bewegungsvektor h fest, der für die horizontal benachbarten Blöcke repräsentativ ist (d.h., es gilt h = b).
English: When it is determined in step S31 that the difference b_diff is less than the difference d_diff, in step S32, the condition checker 37 sets the difference b_diff as a horizontal difference h_diff (i.e., h_diff = b_diff), and sets the motion vector b as a motion vector h representative of the horizontally adjacent blocks (i.e., h = b).
German: Das Kühlwasser, das von der Nut 84a in der ersten Endplatte 84 in den Zirkulationskanal 29b gefördert worden ist, fließt durch das Loch 43d in der ersten Verteilerplatte 42, das Loch 49 in dem Separatorkörper 48 und das Loch 51d in der zweiten Verteilerplatte 50 in die Nut 88b in der zweiten Endplatte 50, und kehrt danach durch die Löcher 51e, 49e, 43e in die Nut 84c in der ersten Endplatte 84 zurück.
English: The cooling water which has been supplied from the groove 84a in the first end plate 84 into the circulatory passage 29b flows through the hole 43d in the first manifold plate 42, the hole 49d in the separator body 48, and the hole 51d in the second manifold plate 50 into the groove 88b in the second end plate 50, and thereafter returns through the holes 51e, 49e, 43e into the groove 84c in the first end plate 84.
German: In der US-Patentschrift 4 466 178, Erfinder Soclof, vom 21. August 1984 mit der überschrift METHOD OF MAKING EXTREMELY SMALL AREA PNP LATERAL TRANSISTORS BY ANGLED IMPLANT OF DEEP TRENCHES FOLLOWED BY REFILLING THE SAME WITH DIELECTRICS kann ein Feld aus Hunderten von Bausteinen mit Submikrometerabmessungen gleichzeitig auf einem Chip hergestellt werden, indem für jeden Transistor winzige aktive Bereiche hergestellt werden, die von mit Feldoxid gefüllten Gräben oder von mit Schlitzen versehenen Bereichen umgeben sind, wobei die Schlitze verwendet werden, um das Substrat im aktiven Bereich zu dotieren.
English: In U.S. Patent 4,466,178, issued August 21, 1984 to Soclof entitled METHOD OF MAKING EXTREMELY SMALL AREA PNP LATERAL TRANSISTOR BY ANGLED IMPLANT OF DEEP TRENCHES FOLLOWED BY REFILLING THE SAME WITH DIELECTRICS, an array of hundreds of devices may be simultaneously processed on a chip to sub-micron dimensions by establishing tiny active regions for each transistor surrounded by field oxide filled moats or slotted regions, wherein the slots are utilized to dope the substrate within the active region.
German: Die Bohrungen 68 und 70 erstrecken sich durch den ersten Abschnitt 32 bzw. durch den zweiten Abschnitt 34, und münden im Bereich des Endes 38 bzw. 40 der Abschnitte 32 und 34 an den Stufen 60 bzw. 62, und am gegenüberliegenden Ende ebenfalls auf der Aussenseite 52 des dritten Abschnitts 36, wie mit unterbrochenen Linien 76 für eine der Bohrungen 68 in Fig. 2 angedeutet ist.
English: The holes 68 and 70 extend through the first section 32 and through the second section 34, respectively, and open in the region of the end 38 and 40, respectively, of the sections 32 and 34 at the steps 60 and 62, respectively, and at the opposite end likewise on the outer side 52 of the third section 36, as is indicated by interrupted lines 76 for one of the holes 68 in FIG. 2.
German: Die Beschichtung 8 kann 5% bis 45% mindestens eines Edelmetalls ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Ag, Au, Pd, Pt, Rh, Ir, Ru, Os, Re oder mindestens eines Halbedelmetalls ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Ni, Ti, Cu, Sn, Bi oder eine Mischung davon enthalten, bezogen auf die Masse der Beschichtung 8, wobei die organische Beschichtung 8 eine Schichtdicke von 10 nm bis 1 μm aufweisen kann.
English: The coating 8 can comprise from 5% to 45% of at least one noble metal selected from the group consisting of Ag, Au, Pd, Pt, Rh, Ir, Ru, Os, Re, or of at least one seminoble metal selected from the group consisting of Ni, Ti, Cu, Sn, Bi, or a mixture thereof, based on the composition of the coating 8, where the layer thickness of the organic coating 8 can be from 10 nm to 1 μm.
German: Fig. 1 zeigt auch einen Binärübersetzer (BT) 160, der eine beliebige Hardware (z.B. in dem Prozessor 110 ), Mikrocode (z.B. in dem Prozessor 110 ), Firmware oder Software (z.B. in dem Systemspeicher 120 und/oder Speicher in dem Prozessor 110 ) zum Übersetzen von Binärcode einer ISA in Binärcode einer anderen ISA darstellen kann, zum Beispiel zum Übersetzen von Binärcode einer anderen ISA als der des Prozessors 110 in die ISA des Prozessors 110.
English: Figure 1 also shows binary translator (BT) 160, which may represent any hardware (e.g., within processor 110), microcode (e.g., within processor 110), firmware, or software (e.g., within system memory 120 and/or memory within processor 110) for translating binary code of one ISA to binary code of another ISA, for example, translating binary code of an ISA other than that of processor 110 to the ISA of processor 110.
German: Der Gehäuseplatz 51 ( 51A und 51B ) umfasst eine erste Kammer (einen ersten Hohlraum) 52, die als Gehäusekammer dient, die das Gehäuse 30 (speziell das Gehäuseelement 31 ) des elektronischen Bauteils 10 ( 10A und 10B ) aufnimmt; und zweite Kammern (zweite Hohlräume) 53, die als Anschlusskammern dienen, die die Anschlüsse 40 des elektronischen Bauteils 10 ( 10A und 10B ) aufnehmen.
English: The housing space 51 ( 51A and 51B) include a first chamber (a first cavity) 52 serving as a housing chamber accommodating the housing 30 (specifically, the casing member 31) of the electronic component 10 ( 10A and 10B); and second chambers (second cavities) 53 serving as terminal chambers accommodating the terminals 40 of the electronic component 10 ( 10A and 10B).
German: Ferner wird der Hauptkörper 1a der flexiblen Leiterplatte 1 der optischen Vorrichtung im Gehäuse 30 angebracht, während er eben gehalten wird, damit eine Seite, auf der das Lichtemissionselement 2 montiert ist, und die andere Seite, auf der das Lichtempfangselement 3 montiert ist, in derselben Ebene liegen, so dass das Intervall zwischen dem Lichtemissionselement 2 und dem Lichtempfangselement 3 eindeutig festgelegt ist, wodurch die Positionierung der Elemente bei der Herstellung einfach ist.
English: Furthermore, the main body 1a of the flexible board 1 of the optical device is disposed in the housing 30 while being kept planar in order that one side on which the light-emitting element 2 is mounted and the other side on which the light-receiving element 3 is mounted are in the same plane, so that the interval between the light-emitting element 2 and the light-receiving element 3 is uniquely defined, and thus positioning of the elements at fabrication is easy.
German: Das Verbundsubstrat 3 beinhaltet ein erstes Keramiksubstrat 301; eine dritte Metallplatte 340, die an der unteren Oberfläche des ersten Keramiksubstrats 301 befestigt ist; eine erste Metallplatte 310, welche eine Verbundmetallplatte (mehrschichtige Metallplatte) ist, die an der oberen Oberfläche des Kera miksubstrats 301 befestigt ist; ein zweites Keramiksubstrat 320, das an der oberen Oberfläche der ersten Metallplatte 310 befestigt ist; und eine zweite Metallplatte 330, die auf dem zweiten Keramiksubstrat 320 befestigt ist.
English: The composite substrate 3 includes a first ceramic substrate 301; a third metal plate 340 joined to the lower surface of the first ceramic substrate 301; a first metal plate 310 which is a composite metal plate (multilayer metal plate) joined to the upper surface of the ceramic substrate 301; a second ceramic substrate 320 joined to the upper surface of the first metal plate 310; and a second metal plate 330 joined onto the second ceramic substrate 320.
German: Die elektrische Isolatorschicht 112, die beispielsweise Polyimid oder ein anderes elektrisch isolierendes Material aufweisen oder daraus sein kann, dient der elektrischen Isolation des ersten organischen Licht detektierenden Elements 200 vom organischen Licht emittierenden Element 100, sodass die Elektrodenanschlussstücke 105, 205 der Elemente 100, 200 auch in einem geringen Abstand voneinander auf dem gemeinsamen Substrat 101 angeordnet werden können, ohne dass es zu einem elektrischen Übersprechen zwischen den Elementen 100, 200 kommt.
English: The electrical insulator layer 112, which can comprise or be composed of polyimide or some other electrically insulating material, for example, serves for electrically insulating the first organic light detecting element 200 from the organic light detecting element 100, such that the electrode connection pieces 105, 205 of the elements 100, 200 can also be arranged at a small distance from one another on the common substrate 101, without the occurrence of an electrical crosstalk between the elements 100, 200.
German: Darüber hinaus enthalten die VOBU-Suchinformationen 77 in einer in Fig. 3 dargestellten Liste: Positionsinformationen, die Aufzeichnungspositionen auf der DVD 1 der vorangehenden und der nächsten VOB-Einheiten 30 der vorliegenden VOB-Einheit 30 anzeigen, zu der das Navigation Pack 41 gehört; und Positionsinformationen, die Aufzeichnungspositionen auf der DVD 1 der anderen VOB-Einheiten 30, die innerhalb 120 Sekunden vor und nach der Startzeit der vorliegenden VOB-Einheit 30 widerzugeben sind.
English: Furthermore, the VOBU search information 77 includes in a list shown in FIG. 3: position information indicative of recording positions on the DVD 1 of the preceding and next VOB units 30 of the present VOB unit 30 to which the navigation pack 41 belongs; and position information indicative of recording positions on the DVD 1 of the other VOB units 30 to be reproduced within 120 seconds before and after the start time of the present VOB unit 30.
German: Die Längsenden, wie etwa die gegenüberliegenden Kanten 140A, 140B des ersten Trägersubstrats 130, des zweiten Trägersubstrats 120, des dritten Trägersubstrats 110, des ersten Bondpads 122 und des zweiten Bondpads 112, können mit Kupfer oder anderen elektrisch leitenden Materialien (oder Metallen) plattiert sein, wie etwa durch einen Fotolithografievorgang oder andere Plattierungsmittel, um die elektrische Verbindung der ersten Elektrode 102A und der zweiten Elektrode 102B der zusammengebauten Vorrichtung 100 zum Schutz einer elektrischen Schaltung zu vereinfachen.
English: The longitudinal ends, such as opposite edges 140A, 140B of the first support substrate 130, the second support substrate 120, the third support substrate 110, the first bonding pad 122 and the second bonding pad 112 may plated with copper or other electrically conductive materials (or metals), such as by a photolithography process or other plating means, to facilitate electrical connection of the first electrode 102A and the second electrode 102B of the assembled the electrical circuit protection device 100.
German: Die photoaktive Subzelle 410 umfasst ein Substrat 420, eine Elektrode 425, die auf dem Substrat 420 angeordnet ist, eine löcherleitende Schicht 430, die auf der Elektrode 425 angeordnet ist, eine photoaktive Schicht 435, die auf der löcherleitenden Schicht 430 angeordnet ist, eine elektronenleitende Schicht 440, die auf der photoaktiven Schicht 435 angeordnet ist, und die Graphenzwischenschicht 405, welche als eine Elektrode für die Subzelle 410 dient und auf der elektronenleitenden Schicht 440 angeordnet ist.
English: The photoactive subcell 410 comprises a substrate 420, an electrode 425 disposed on the substrate 420, a hole transporting layer 430 disposed on the electrode 425, a photoactive layer 435 disposed on the hole transporting layer 430, an electron transporting layer 440 disposed on the photoactive layer 435 and the graphene intermediate layer 405, which serves as an electrode for subcell 410,- disposed' on the electron transporting layer 440.