mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Die zweite Elektrodenverbindung 250 kann eine zweite-1 Elektrodenverbindung 240, die auf der zweiten Lichtaussendezelle angeordnet ist, eine dritte-2 Elektrodenverbindung 260, die auf der dritten Lichtaussendezelle angeordnet ist, und eine zweite Zwischenverbindung 205, die zwischen der zweiten Lichtaussendezelle 200 und der dritten Lichtaussendezelle 300 angeordnet ist und die zweite-1 Elektrodenverbindung 240 mit der zweiten-2 Elektrodenverbindung 260 verbindet, umfassen, wobei die zweite-1 Elektrodenverbindung einen zweiten-1 Kantenabschnitt 203 und die zweiten-1 Verzweigungen 204 umfassen kann.
English: The second electrode connection 250 may include a second-1 electrode connection 240 disposed on the second light emitting cell, a third-2 electrode connection 260 disposed on the third light emitting cell, and a second intermediate connection 205 interposed between the second light emitting cell 200 and the third light emitting cell 300 and connecting the second-1 electrode connection 240 to the second-2 electrode connection 260, wherein the second-1 electrode connection may include a second-1 edge portion 203 and second-1 branches 204.
German: Zum Beispiel, wenn der Vorsprung 150b des unteren Substratträgers zentral innerhalb der Öffnung 152a platziert ist, könnte eine Lücke von 0,25 mm auf beiden Seiten in einer Querrichtung zwischen dem Vorsprung 150b und dem inneren Umfang der Öffnung oder Ausnehmung 152a und eine Lücke von 1 mm an beiden Seiten in der diagonalen oder diametralen Richtung zwischen dem äußeren Umfang von Vorsprung 150b und dem inneren Umfang der longitudinal verlängerten Öffnung 152a vorliegen.
English: For example, if the protrusion 150b of the lower substrate carrier is located centrally within opening 152a, there is able to be a gap of 0.25 mm on both sides in transverse direction between the protrusion 150b and the inner circumference of the opening or recess 152a and a gap of 1 mm on both sides in the diagonal or diametrical direction between the outer circumference of protrusion 150b and the inner circumference of longitudinally extended opening 152a.
German: Da in Fig. 5 der Zugriff auf die Stationen in einer bestimmten Reihenfolge erfolgt, die der Reihenfolge der Daten 54 in dem DOWN-Paket 50 entspricht und, wie in Fig. 8 gezeigt, der Zugriff auf die Stationen in einer Reihenfolge erfolgt, die der Reihenfolge der separaten isochronen DOWN-Pakete 62, 64 für jede Station entspricht, hat die Kommunikationsstation, die als erste adressiert wird, mehr Zeit, um den Akquisitionskanal zu überwachen, als die zuletzt adressierte Station.
English: Since in Fig. 5 the stations are accessed in a particular order, that corresponds to the order of the data 54 in the DOWN packet 50, and as shown in Fig. 8 the stations are accessed in an order corresponding to the order of the separate isochronous DOWN packets 62,64 for each station, the communication station that is addressed first then has more time to monitor the acquisition channel than the station that is addressed last.
German: Der invertierende Eingang (-) N1' des ersten differentiellen Eingangspaares N1', P1' von DDA2 ist mit dem invertierenden Eingang (-) N1 des ersten differentiellen Eingangspaares N1, P1 von DDA1 über einen Rückkopplungsknoten A1 verbunden, wohingegen der invertierende Eingang (-) N2' des zweiten differentiellen Eingangspaares N2', P2' von DDA2 mit dem nicht-invertierenden Eingang (+) P2 des zweiten differentiellen Eingangspaares N2, P2 von DDA1 über einen Rückkopplungsknoten B1 verbunden ist.
English: The inverting input (-) N1' of the first differential input pair N1', P1' of DDA2 is connected to the inverting input (-) N1 of the first differential input pair N1, P1 of DDA1, via a feedback node A1, whilst the inverting input (-) N2' of the second differential input pair N2', P2' of DDA2 is connected to the non-inverting input (+) P2 of the second differential input pair N2, P2 of DDA1, via a feedback node B1.
German: Es ist zu beachten, dass im fünften Schritt die Beziehung zwischen der Dicke H1 der dielektrischen Schicht 50 und der Dicke H2 des Kontaktabschnitts 40 nicht besonders begrenzt ist; wie jedoch in Fig. 5 dargestellt, wenn die Dicke der dielektrischen Schicht 50 als H1 und die Dicke des Kontaktabschnitts als H2 ausgedrückt wird, kann H1 ≥ H2 erfüllt sein, und H1 > H2 wird vorzugsweise erfüllt.
English: Note that in the fifth step, the relationship between the thickness H1of the dielectric layer 50 and the thickness H2of the contact portion 40 is not limited in particular; however, as illustrated in FIG. 5, when the thickness of the dielectric layer 50 is expressed as H1and the thickness of the contact portion is expressed as H2, H1≥H2can be satisfied, and H1>H2is preferably satisfied.
German: Darüber hinaus entsprechen die isolierten Gate 220, die dielektrischen Schichten 226, die Leitungskanäle 228 und die Emitter-Elektroden 240, die eine Breite 242 aufweisen, in Fig. 2 jeweils im Allgemeinen den isolierten Gate 120, den dielektrischen Schichten 126, den Leitungskanälen 128 und den Emitter-Elektroden 140, die eine Breite 142 aufweisen, in Fig. 1A und Fig. 1B und können jegliche der Eigenschaften gemeinsam haben, die den entsprechenden Merkmalen oben beigelegt sind.
English: Moreover, insulated gates 220, dielectric layers 226, conduction channels 228, and emitter electrodes 240 having width 242, in FIG. 2, correspond respectively in general to insulated gates 120, dielectric layers 126, conduction channels 128, and emitter electrodes 140 having width 142, in FIG. 1A and FIG. 1B, and may share any of the characteristics attributed to those corresponding features, above.
German: Die Struktur 200 einschließlich der TFR-Schicht 216 kann dann z. B. bei einer Temperatur von etwa 500 °C (z. B. 400 °C bis 600 °C oder 450 °C bis 550 °C) etwa 30 Minuten lang getempert werden (z. B. 20 bis 60 min), um 0 ppm oder nahe 0 ppm TCR (Widerstandstemperaturkoeffizient) der TFR-Schicht 216 oder des resultierenden TFR-Moduls 222 (unten beschrieben) zu erreichen.
English: Structure 200 including TFR layer 216 may then be annealed, e.g., at a temperature of about 500°C (e.g., 400°C-600°C or 450°C-550°C) for about 30 minutes (e.g., 20-60 min) to achieve 0 ppm or near 0 ppm TCR (temperature coefficient of resistance) of the TFR layer 216 or the resulting TFR module 222 (discussed below).
German: Weil die FDT normalerweise vom unidirektionalen Datensender 70 gesendet wird, muss der Standort der FDT der unidirektionale Datensender 70 sein; jedoch enthält die hierin festgestellte Standortinformation eine Beschreibung eines Standorts einer FDT, welche über einen bidirektionalen Kanal gesendet werden kann, das heißt die Beschreibung einer Adresse oder eines URL oder ähnlichem der Sendevorrichtung für Daten, die in der Lage ist, die FDT anstatt des unidirektionalen Datensenders 70 zu senden (zum Beispiel der Datensender 80 ).
English: Since the FDT is normally transmitted from the unidirectional data transmitter 70, the location of the FDT must be the unidirectional data transmitter 70; however, the location information stated herein contains description of a location of an FDT that can be transmitted through a bidirectional channel, i.e., description of an address or URL or the like of a data transmitting device capable of transmitting the FDT in place of the unidirectional data transmitter 70 (e.g., the data transmitter 80).
German: Außerdem versteht sich, dass die Modifikationsfrequenz MF über der Zeit variieren kann und dass die periodische Variation der Zeitverzögerung DT innerhalb einer jeweiligen Modifikationsperiode TMF (wie in Fig. 2 dargestellt) nicht notwendigerweise symmetrisch sein muss; beispielsweise ist es möglich, die Zeitverzögerung DT über mehr als 50% der Modifikationsperiode TMF zu vergrößern und die Zeitverzögerung DT mit den verbleibenden unter 50% der Modifikationsperiode TMF zu verringern oder umgekehrt.
English: Also, it shall be understood the modification frequency MF may vary over time, and that the periodic variation of the time delay DT must not necessarily be symmetric within a respective modification period TMF(as illustrated in FIG. 2 ); for example, it is possible to increase the time delay DT over more than 50% of the modification period TMFand to decrease the time delay DT with the remaining less than 50% of the modification period TMFor vice versa.
German: Kontakte 140 des Verbinders 100 bestehen aus zwei Typen von Kontakten 140a und 140b, in denen die Zackenteile 141 die gleiche Form aufweisen, d. h. Kontakte [ 140a ], in denen ein Kontaktarm 142 von dem Zackenteil 141 nach oben gebogen sind, und Kontakte [ 140b ], in denen dieser Kontaktarm 142 von dem Zackenteil 141 nach unten gebogen ist.
English: Contacts 140 of connector100 consist of two types of contacts 140a and 140b in which the tine parts 141 have the same shape, i.e., contacts [140a] in which a contact arm 142 is bent upward from the tine part 141, and contacts [140b] in which this contact arm 142 is bent downward from the tine part 141.
German: Der flüchtige Speicher kann ein SRAM (Static RAM), ein DRAM (Dynamic RAM) und ein SDRAM (Synchronous DRAM) umfassen, und der nichtflüchtige Speicher kann ein ROM (Read Only Memory), ein PROM (Programmable ROM), ein EEPROM (Electrically Erasable and Programmable ROM), ein EPROM (Electrically Programmable ROM), einen Flash-Speicher, ein PRAM (Phase change RAM), ein MRAM (Magnetic RAM), ein RRAM (Resistive RAM) und ein FRAM (Ferroelectric RAM) einschließen.
English: The volatile memory may include an SRAM (Static RAM), DRAM (Dynamic RAM) and SDRAM (Synchronous DRAM), and the nonvolatile memory may include a ROM (Read Only Memory), PROM (Programmable ROM), EEPROM (Electrically Erasable and Programmable ROM), EPROM (Electrically Programmable ROM), flash memory, PRAM (Phase change RAM), MRAM (Magnetic RAM), RRAM (Resistive RAM) and FRAM (Ferroelectric RAM).
German: Zum Beispiel, wie zuvor mit Bezug auf Fig. 1 erörtert, können Prozessanlagensysteme, Netzwerke und Geräte auf den Sicherheitsstufen 0 - 3 gegen Bedrohungen von Unternehmensnetzen auf den Sicherheitsstufen 4 - 5 und/oder vor anderen externen Netzwerken höher als Stufe 5 geschützt werden, die die Unternehmensnetze nutzen, z.B. durch Verwenden einer DMZ 22 und von einer oder mehreren Firewalls 12A - 12C.
English: For example, as previously discussed with respect to FIG. 1, process plant systems, networks, and devices at Security Levels 0-3 may be protected against threats from enterprise networks at Security Levels 4-5, and/or from any external networks higher than Level 5 exploiting the enterprise networks, e.g., by using a DMZ 22 and one or more firewalls 12A- 12C.
German: Luft in der Kochkammer 101 wird durch die Einlasslöcher 154 in der Isolationsplatte 150 und Löcher 123 in der Rückwand 122 durch den Ventilator 142 in den Rückraum 103 gezogen und die Luft in dem Rückraum 103 wird durch die Löcher 123 in der Rückwand 122 und die Auslasslöcher 156 in dem Schild 150 in die Kochkammer 101 geblasen, wodurch sie, wie es durch die Pfeile in Fig. 4 dargestellt ist, zirkuliert.
English: Air in the cooking chamber 101 is drawn into the rear space 103 through the inlet holes 154 in the insulation plate 150 and holes 123 in the rear panel 122 by the fan 142 and the air in the rear space 103 is driven into the cooking chamber 101 through holes 123 in the rear panel 122 and the outlet holes 156 in the shield 150, thereby circulating as shown by the arrows in Figure 4.
German: In Fig. 1 umfasst eine Anwendung 1 Anwendungsdaten 11 (die Inhalte der Anwendung), die genutzt werden, um den Dienst zu realisieren, für welchen die Anwendung gedacht ist, und Dienste hinzufügende Informationen (SAI) 10 in einem engen Sinne, welche als Attribute eine ID 110, Informationen, die zum Liefern zusätzlicher Dienste notwendig sind, und Zeigerdaten für die Anwendungsdaten 11, wie später detailliert beschrieben, enthalten.
English: In FIG. 1, an application 1 comprises application data 11 (the contents of the application) used for realizing the service for which the application is intended and service adding information (SAI) in a narrow sense, 10, which includes, as attributes, an ID 110, information necessary for providing additional services and pointing data for the application data 11 as detailed later.
German: Die Einheiten können nebeneinander ( Fig. 8) angeordnet sein, wobei jede Einheit dieselbe Orientierung aufweist (erste Seiten einer ersten Einheit sind parallel zu den ersten Seiten der Einheit, die zur ersten Einheit benachbart ist), oder die Einheiten können so angeordnet sein, dass sie um 90° zueinander gedreht sind, so dass die ersten Seiten einer ersten Einheit senkrecht auf die ersten Seiten der zur ersten Einheit benachbarten Einheit sind ( Fig. 9).
English: The units may be arranged in line to each other (FIG 8), each unit having the same orientation (first sides of a first unit is parallel to the first sides of the units neighbored to the first unit) or the units may be arranged such that they are rotated by 90° to each other so that the first sides of a first unit is perpendicular to the first sides of the units neighbored to the first unit (FIG 9).
German: Unter Bezugnahme auf Fig. 5 sind die ersten und zweiten Zellschichten (L1, L2) so ausgerichtet, dass die Kathode (z. B. die erste Lasche 50 ) von Zelle 40A mit der Kathode (z. B. die erste Lasche 24 ) von Zelle 12A und die Anode (z. B. die zweite Lasche 52 ) von Zelle 40B mit der Anode (z. B. die zweite Lasche 26 ) von Zelle 12B ausgerichtet ist.
English: Referring to FIG. 5, the first and second cell layers (L1, L2) are oriented such that the cathode (e.g. first tab 50) of cell 40A is aligned with the cathode (e.g. first tab 24) of cell 12A and the anode (e.g. second tab 52) of cell 40B is aligned with the anode (e.g. second tab 26) tab of cell 12B.
German: Da aber bei einer relativen Feuchte von 100 % ein Katalytbrenner 7 nahezu wirkungslos ist (bei einer so hohen Feuchtigkeit kondensiert in der Praxis stets etwas Wasser aus und blockiert die aktive Katalysatorfläche), muss der zu reinigende Abluftstrom bei und/oder vor dem Durchgang durch den Katalytbrenner 7 mit einer Heizeinrichtung 6 erwärmt werden, um die relative Feuchte der Abgase auf einen Wert deutlich unter 100% herabzusetzen.
English: However, as with a relative humidity of 100%, a catalytic burner 7 is nearly inefficient (with such a high humidity, in practice some water always condenses and blocks the active catalyst area), the exhaust air stream to be purified has to be heated during and/or before the passage through the catalytic burner 7 with a heating device 6 in order to reduce the relative humidity of the waste gases to a value of much less than 100%.
German: Die Kameras 5 bis 11 enthalten eine vordere Kamera 5 zum Aufnehmen eines Bildes eines Bereiches vor dem eigenen Fahrzeug J, eine hintere Kamera 7 zum Aufnehmen eines Bildes eines Bereiches hinter dem eigenen Fahrzeug J, eine linke Kamera 9 zum Aufnehmen eines Bildes eines Bereiches auf der linken Seite des eigenen Fahrzeuges J und eine rechte Kamera 11 zum Aufnehmen eines Bildes eines Bereiches auf der rechten Seite des eigenen Fahrzeuges J.
English: The cameras 5 to 11 includes a front camera 5 for capturing an image of an area ahead of the own vehicle J, a rear camera 7 for capturing an image of an area behind of the own vehicle J, a left camera 9 for capturing an image of an area on the left side of the own vehicle J, and a right camera 11 for capturing an image of an area on the right side of the own vehicle J.
German: Die EstablishSecondLink 324 -Nachricht kann in die SD 12 über einen Steuerkanal, getrennt von der primären Funkverbindung 14, über die der Ruf an die BS 40 übertragen wird, über einen entsprechenden Downlink-Teil der primären Funkverbindung 14, über den der Ruf durch die SD 12 übertragen wird, über einen Stealing-Kanal, gebildet durch Stealing-Teile der primären Funkverbindung 14, über die der Ruf durch die SD 12 übertragen wird, oder über einen anderen Mechanismus übertragen werden.
English: The EstablishSecondLink 324 message may be transmitted to SD 12 via a control channel separate from the primary radio link 14 over which the call is being transmitted to BS 40, via a corresponding downlink portion of the primary radio link 14 over which the call is being transmitted by SD 12, via a stealing channel formed by stealing portions of the primary radio link 14 over which the call is being transmitted by SD 12, or via some other mechanism.
German: Ferner, wie in Fig. 26 dargestellt, weist der elektronische Bildbereich Orte 1540 auf (innerhalb des ersten Bildes 1550, an denen sich das erste Bild 1550 mit dem zweiten Bild 1560 überschneidet; z.B. Bereich 1570 ; und innerhalb des zweiten Bildes 1560, an denen sich das erste Bild 1550 nicht mit dem zweiten Bild 1560 überschneidet; z.B. Bereich 1580 ), die einer dritten Farbe entsprechen.
English: Furthermore, as illustrated in FIG. 26, the electronic image region has locations 1540 (within the first image 1550, where the first image 1550 intersects the second image 1560; e.g., region 1570; and within the second image 1560, where the first image 1550 does not intersect the second image 1560; e.g., region 1580) corresponding to a third color.
German: Während der Verwendung des TFT 124 aus Fig. 2 (und der anderen hierin offenbarten TFTs) können Spannungen an die Source 128, den Drain 130 und das Gate 126 bereitgestellt werden (über die leitfähigen Kontakte 138 ), um den Stromfluss durch das Halbleitermaterial 134 zwischen der Source 128 und dem Drain 130 zu steuern, wie es auf dem Stand der Technik bekannt ist.
English: During use of the TFT 124 of FIG. 2 (and the other TFTs disclosed herein), voltages may be provided to the source 128, drain 130, and gate 126 (via the conductive contacts 138) to control the current flow through the semiconductor material 134 between the source 128 and the drain 130, as known in the art.
German: Es sei angemerkt, dass in Fig. 2B „Gast ( 131 )” das Gastmaterial 131 darstellt, „Wirt ( 132 )” das Wirtsmaterial 132 darstellt, ΔEG die Energiedifferenz zwischen dem LUMO-Niveau und dem HOMO-Niveau des Gastmaterials 131 darstellt, ΔEH1 die Energiedifferenz zwischen dem LUMO-Niveau und dem HOMO-Niveau des Wirtsmaterials 132 darstellt, und ΔEEx die Energiedifferenz zwischen dem LUMO-Niveau des Wirtsmaterials 132 und dem HOMO-Niveau des Gastmaterials 131 darstellt.
English: Note that in FIG. 2B, “Guest ( 131)” represents the guest material 131, “Host ( 132)” represents the host material 132, ΔEGrepresents the energy difference between the LUMO level and the HOMO level of the guest material 131, ΔEH1represents the energy difference between the LUMO level and the HOMO level of the host material 132, and ΔEExrepresents the energy difference between the LUMO level of the host material 132 and the HOMO level of the guest material 131.
German: Die Controller-Schnittstelle 221 kann konfiguriert sein, um ein Signal von der PHY Schicht 210 (zum Beispiel der PHY Schicht Schnittstelle 211 ) oder einer oberen Schicht (nicht gezeigt) zu empfangen, das empfangene Signal an den Controller-Prozessor 222 zu senden und das von dem Controller-Prozessor 222 empfangene Signal an die PHY Schicht 210 oder die obere Schicht zu senden.
English: The controller interface 221 may be configured to receive a signal from the PHY layer 210 (e.g., the PHY layer interface 211) or an upper layer (not shown), transmit the received signal to the controller processor 222, and transmit the signal received from the controller processor 222 to the PHY layer 210 or the upper layer.
German: Ferner bilden die erste horizontale Wand O1 und die erste vertikale Wand V1 eine erste Kante G1 des Gatebereichs 10, die parallel zu der ersten Kante E1 des Grabens 15 ist, während die erste vertikale Wand V1 und die zweite horizontale Wand O2 eine zweite Kante G2 des Gatebereichs 10 bilden, die parallel zu der zweiten Kante E2 des Grabens 15 ist.
English: Furthermore, the first horizontal wall O1and the first vertical wall V1form a first edge G1of the gate region 10, parallel to the first edge E1of the trench 15, while the first vertical wall V1and the second horizontal wall O2form a second edge G2of the gate region 10, parallel to the second edge E2of the trench 15.
German: Da gemäß der Beleuchtungsvorrichtung ( 1 ) des siebenten Aspekts der auf der Basis der Lastinformationen der mindestens einen Lichtquelleneinheit ( 100, 100A, 100B ) gesteuerte Ausgangsstrom von der Stromausgabevorrichtung ( 10 ) zu der Lichtquelle ( 110, 110A, 110B ) zugeführt wird, ist es möglich, einen für die Lichtquelle ( 110, 110A, 110B ) zweckmäßigen Strom zuzuführen, um die mindestens eine Lichtquelleneinheit ( 100, 100A, 100B ) zu veranlassen, Licht auszusenden.
English: According to the lighting device ( 1) of the seventh aspect, since the output current controlled based on the load information of the at least one light source unit ( 100, 100A, 100B) is supplied from the current outputter ( 10) to the light source ( 110, 110A, 110B), it is possible to supply a current appropriate for the light source ( 110, 110A, 110B) to cause the at least one light source unit ( 100, 100A, 100B) to emit light.
German: Eine Öffnung zum Ausbilden des Kontaktlochbereichs 61 wird dann auf der Seite der rückseitigen Oberfläche 70B des Halbleitersubstrats 70 ausgebildet, der HfO2-Film 74, der Isoliermaterialfilm 75 und der Kontaktlochbereich 61 werden gebildet, und die Pad-Bereiche 63 und 64, die Zwischenschicht-Isolierschicht 81, die Verbindungslöcher 65 und 66, die erste Elektrode 21, die Ladungsspeicherelektrode 24 und die Isolierschicht 82 werden überdies gebildet.
English: Then, an opening for forming the contact hole portion 61 is formed on the back surface 70B side of the semiconductor substrate 70, the HfO2film 74, the insulating material film 75, and the contact hole portion 61 are formed, and the pad portions 63 and 64, the interlayer insulating layer 81, the connection holes 65 and 66, the first electrode 21, the charge storage electrode 24, and the insulating layer 82 are further formed.
German: Wenn nun wie in dem gezeigten Beispiel das Abbild 101 des Messstreifens 1 und der abgeschattete Streifen 115 relativ nah beieinander liegen, dann kann davon ausgegangen werden, dass der konstante Restwert IBS der realen Intensität IS in dem abgeschatteten Streifen 115 in sehr guter Näherung der Differenz [Delta]IS zwischen der gemessenen Intensität IAS und der theoretischen Intensität IA in dem Abbild 102A des Messfeldes 2A entspricht.
English: If, then, as in the example shown, the image 101 of the measuring strip 1 and of the shadowed strip 115 lie relatively close beside each other, it can be assumed that the constant residual value IBS of the real intensity IS in the shadowed strip 115 corresponds to a very good approximation to the difference [Delta]IS between the measured intensity IAS and the theoretical intensity IA in the image 102A of the measuring area 2A.
German: Ebenso ersetzt der YCbCr420-Umwandlungsabschnitt 641 den Abstufungswert 128 falls die Segment-ID der zwei Pixeln entsprechend der Cb-Komponente oder der Cr-Komponente ( 1, 1 ) ist, ersetzt den Abstufungswert 160 in einem Fall von ( 1, 2 ), ersetzt den Abstufungswert 192 in einem Fall von ( 2, 0 ), ersetzt den Abstufungswert 224 in einem Fall von ( 2, 1 ) und ersetzt den Abstufungswert 255 in einem Fall von ( 2, 2 ).
English: Likewise, the YCbCr420 conversion section 641 substitutes the gradation value 128 in a case in which the segment ID of the two pixels corresponding to the Cb component or the Cr component is (1,1), substitutes the gradation value 160 in a case of (1,2), substitutes the gradation value 192 in a case of (2,0), substitutes the gradation value 224 in a case of (2,1), and substitutes the gradation value 255 in a case of (2,2).