mwirth-epo/epo-nmt-datasets huggingface dataset:
German: Fig. 4 ist eine Tabelle, die ein Beispiel eines Inhalts relevanter Daten einer RFID darstellt.
English: FIG. 4 is a table illustrating an example of content of relevant data of an RFID.
German: SEL RB1: Auswählen der Registerbank 1, Bytes 24-31 des RAMs 66 werden als Register 0-7 verwendet.
English: SEL RB1: Select register band 1, bytes 24-31 of RAM 66 are used as registers 0-7.
German: Der Host 400 und das Ziel 402 kommunizieren über Modems 404, 406 und eine Kommunikationsverbindung 408.
English: The host 400 and target 402 communicate over modems 404, 406 and a communications link 408.
German: Die FIGUR 1C stellt die relative T-Zellenkonzentration von (83,30%) zwischen den T-Zellen und den nicht-T-Zellen dar.
English: FIGURE 1C represents the relative T-cell concentration of (83.30%) between the T-cells and the non T-cells.
German: Die Werte xi = X, yj = Y und i = (j - i) werden als Anfangswerte gewählt.
English: Values xi= X, yj= Y and i = (j - i) are selected as initial values.
German: Der dritte Teil 213 ist zwischen dem ersten Teil 211 und dem zweiten Teil 212 positioniert.
English: The third part 213 is positioned between the first part 211 and the second part 212.
German: Fig. 35 zeigt die Verteilung der Werte des zweiten Hystereseparameters HP2.
English: FIG. 35 shows the distribution of the values of the second hysteresis parameter HP 2.
German: Eine Struktur 778 ist zwischen dem ersten Substrat 701 und dem zweiten Substrat 705 bereitgestellt.
English: A structure 778 is provided between the first substrate 701 and the second substrate 705.
German: Auch hierzu wird auf die vorgenannte DE 10 2007 003 225 hingewiesen.
English: Also in this connection reference is made to the aforementioned DE 10 2007 003 225.
German: Die ECU weist unter anderem einen Sensor 210 auf, welcher die Retardierung/Beschleunigung, r, messen kann, einen Beschleunigungsmesser.
English: The ECU comprises, among other things, a sensor 210 which can measure retardation/acceleration, r, an accelerometer.
German: Das System 101 umfasst eine erste Kommunikationsschnittstelle 121 zum Empfangen der Verkehrsdaten 105.
English: The system 101 comprises a first communications interface 121 for receiving the traffic data 105.
German: Die Architektur enthält einen Decoder 101, einen Umbenenner 102, einen Scheduler 103 und einen Controller 104.
English: The architecture includes a decoder 101, a renamer 102, a scheduler 103 and a controller 104.
German: Fig. 6 zeigt Scans 610 und 620 in kartesischen Koordinaten mit Wänden 140 und Säulen 130.
English: FIG. 6 shows scans 610 and 620 in Cartesian coordinates with walls 140 and pillars 130.
German: Es existieren Anfragen SEQ(n,i) und SEQ(n+1,i) auf den Relationen Rn und Rn+1 für i = 1, 2,..., n.
English: There exists queries SEQ(n,i) and SEQ(n+1, i) on relations Rn and Rn+1 respectively for i=1, 2,...,n.
German: Dieser mehrschichtige Polymerfilm wurde aus Polyethylennaphthalat (PEN) und Polymethylmethacrylat (PMMA CP 82) hergestellt.
English: This multilayer polymer film was made from polyethylene naphthalate (PEN) and polymethyl methacrylate (PMMA CP82).
German: In Fig. 4(a) werden alle Elemente 122, 124 und 126 als Heizelemente verwendet.
English: In Figure 4(a), all of the elements 122, 124 and 126 are used as heaters.
German: Dieser Austausch kann z. B. über Mechanismen wie OPC, ODE, COM/DCOM oder CORBA realisiert werden.
English: This interchange can be implemented, for example, using mechanisms such as OPC, ODE, COM/DCOM or CORBA.
German: Die Basis 302 ähnelt in vieler Hinsicht den zuvor erörterten Basen 102, 202.
English: The base 302 is similar in many respects to the previously discussed bases 102, 202.
German: Diese sieben Allele werden hierin als O1, O2, O3, O4, A, B1 und B2 bezeichnet.
English: These seven alleles are designated herein as O1, O2, O3, O4, A, B1, and B2.
German: Pj = ein potentielles Profil, das gegen Pi ausgewertet wird (z. B. das Nutzerprofil eines anderen Nutzers).
English: Pj=a potential profile that is evaluated against Pi(e.g., the user profile of an other user).
German: Diese drei Punkte (man nenne sie Lösung A, B und C) werden in der folgenden Weise erzeugt.
English: These three points (call them solutions A, B and C) are generated in the following way.
German: Eine Implementierung ist beispielsweise im National Semiconductor, IEEE 1149.1-1990 Seminarhandbuch (Edition 1992) beschrieben.
English: For example, an implementation is described in National Semiconductor, IEEE 1149.1-1990 Seminar Handbook (1992 Edition).
German: Der Faktor ist, wie erwähnt, vorzugsweise über 100, insbesondere bei 1.000 oder 5.000.
English: The factor is, as mentioned, preferably greater than 100, in particular at 1,000 or 5,000.
German: J.-C. Chen, K. M. Sivalingam, P. Agrawal und S. Kishore erörtern in „A comparison of MAC protocols for wireless local networks based on battery power consumption", Proc. of IEEE INFOCOM, San Francisco, CA (April 1998), S. 150 bis 157, die Leistungsaufnahme von Einheiten für verschiedene MAC-Strategien, gehen jedoch nicht auf die Paketverzögerung ein und stellen auch keine Verfahrensweise für die Optimierung der Leistungsaufnahme bereit, die für den eingehenden Datenverkehr geeignet wäre.
English: J.-C. Chen, K. M. Sivalingam, P. Agrawal and S. Kishore, "A comparison of MAC protocols for wireless local networks based on battery power consumption", Proc. of IEEE INFOCOM, San Francisco, CA (April 1998) pp. 150-157, discusses the power consumption of devices for various MAC strategies, but it does not take into account the packet delay and does not contribute any power optimisation policy which adapts to the incoming traffic.
German: Demzufolge hat bei der Nachricht 46 der erste CAN-Rahmen, also der Rahmen 461, ein Feld 4611, in welchem in 4 Bit der Protokollinfotyp (PCIType) enthalten ist; ein Feld 4612, in welchem in 12 Bit die Länge der Nachricht 46 enthalten ist; ein Feld 4613, in welchem in 1 Byte die Service-Identifikationsnummer (ServiceID) der Nachricht 46 enthalten ist; und ein Feld 4614, in welchem in 6 Bytes Service-Daten (ServiceID) der Nachricht 46 enthalten sind.
English: Accordingly, in message 46, the first CAN frame, that is, frame 461, has a field 4611 in which the protocol information type (PCI type) is contained in 4 bits; a field 4612 in which the length of message 46 is contained in 12 bits; a field 4613 in which the service identification number (service ID) of message 46 is contained in 1 byte; and a field 4614 in which service data (service ID) of message 46 is contained in 6 bytes.
German: Beispielsweise können sich die NIR-Lichtquelle 118 und die optische Anordnung am oberen Rand des Smartphones 102 befinden (siehe auch Bezugszahl 1202 ; Fig. 12A - Fig. 12C), neben dem sich typischerweise eine Kameralinse 1210 (siehe Fig. 12C) des Smartphones 102 befindet, jedoch um 90 Grad gedreht, so dass die NIR-Lichtquelle 118 und die optische Anordnung (siehe auch Bezugszahl 1208 ; Fig. 12B und Fig. 12C) aus dem oberen Rand des Smartphones heraus zeigen.
English: For example, the NIR light source 118 and the optics setup may be located at the top edge of the smartphone 102 (see also reference numeral 1202; FIGS. 12A-12C) next to where a camera lens 1210 (see FIG. 12C) of the smartphone 102 is typically located, but rotated 90 degrees so that the NIR light source 118 and the optics setup (see also reference numeral 1208; FIGS. 12B and 12C) point out of the smartphone' s top edge.
German: Außerdem kann der zweite Switch 520 mit dem ersten Switch 510 (z.B. der PHY-Schicht 512 - 3 des ersten Switchs 510 ) mittels der PHY-Schicht 522 - 1 verbunden sein, mit dem dritten Endknoten 560 (z.B. der PHY-Schicht 562 des dritten Endknotens 560 ) mittels der PHY-Schicht 522-2 verbunden sein und mit dem dritten Switch 530 (z.B. der PHY-Schicht 532 - 1 des dritten Switchs 530 ) mittels der PHY-Schicht 522-3 verbunden sein.
English: Also, the second switch 520 may be connected to the first switch 510 (e.g., the PHY layer 512- 3 of the first switch 510) via the PHY layer 522- 1, connected to the third end node 560 (e.g., the PHY layer 562 of the third end node 560) via the PHY layer 522- 2, and connected to the third switch 530 (e.g., the PHY layer 532- 1 of the third switch 530) via the PHY layer 522- 3.
German: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann während einer Wärmebehandlung des Wafers 200 (z.B. während des Prozesses 110 des Verfahrens 100 ), die z.B. das Erhitzen (wenigstens eines Teils) des Wafers 200 auf Temperatur im Bereich von etwa 500°C bis etwa 1400°C umfasst, das Wafer-Material, z.B. Silicium, zu migrieren und/oder zu diffundieren beginnen, und das Kappengebiet 202a des Wafers 200 kann beispielsweise seine mechanische Stabilität verlieren, was zu einem Zusammenfallen der hohlen Kammer 204 führen könnte.
English: According to various embodiments, during a thermal treatment of the wafer 200 (e.g. during process 110 of method 100), e.g. including heating (at least a part of) the wafer 200 to temperatures in the range from about 500° C. to about 1400° C., the wafer material, e.g. silicon, may start to migrate and/or diffuse, and the cap region 202 aof the wafer 200 may for example lose its mechanical stability which could lead to a collapsing of the hollow chamber 204.
German: Zum Zwecke von Beispiel 600 wird davon ausgegangen, dass ein erster Sensor (z.B. Sensor 0), ein zweiter Sensor (z.B. Sensor 1), ein dritter Sensor (z.B. Sensor 2) und ein vierter Sensor mit ECU 220 verbunden sind (z.B. ECU X) und dass jeder Sensor konfiguriert ist, um Walsh-kodierte Daten unter Verwendung von PSI5, in jedem beliebigen Zeitschlitz zu übertragen (z.B. an ECU X).
English: For the purposes of example 600, assume that a first sensor (e.g., sensor 0), a second sensor (e.g., sensor 1), a third sensor (e.g., sensor 2), and a fourth sensor are connected to ECU 220 (e.g., ECU X), and that each sensor is configured to transmit Walsh encoded data (e.g., to ECU X), using PSI5, in any time slot.
German: In "Marshall, A. D., et al.: "On the Feasabilty Of ISO FTAM- Based File Servers To Implement A Heterogeneous File System", Computer Standards And Interfaces, Bd. 14 Nr. 3, 1. Jan 1992, S. 191-208, wird ein logisches Netzwerkmodell beschrieben, das in jedem Knoten einen Unterverzeichnis-Server aufweist, der verantwortlich ist für das Leisten der Verzeichnisdienste, d.i. zum Ausfindigmachen eines entfernten Betriebsmittels, wie z. B. einer gesuchten Datei.
English: In,Marshall, A.D.,et al.:,On the Feasibility Of ISO FTAM-Based File Servers To Implement A Heterogenous File System', Computer Standards And Interfaces, vol. 14,no.3, 1 Jan 1992, pages 191-208', a logical network model is described which has in each node a directory server responsible for providing directory services', i.e. for locating a remote ressource, as e.g., a searched file.
German: Wenn in den Fig. 5A und Fig. 5B das Kontaktverhältnis von 2,4% auf 1,1% geändert wird (das Intervall A der Erhebungen wird von 1,28 mm auf 1,92 mm geändert und die Breite der Nut B wird von 1,08 mm auf 1,72 mm geändert), ist zu erkennen, dass die Stärke D der Verformung des Wafers W schnell von 2,9 mm auf 0,05 mm verringert wird.
English: In FIGS. 5A and 5B, when the contact ratio is changed from 2.4% to 1.1% (the interval A of the convexities is changed from 1.28mm to 1.92mm, and the groove width B is changed from 1.08mm to 1.72mm), it is understood that the amount D of warp of the wafer W is rapidly reduced from 2.9mm to 0.05mm.
German: Da die folgende Erläuterung gleichermaßen auf Beispiele mit einem MOSFET 210 zutrifft wie auch auf Beispiele, die eine Mehrzahl parallel geschalteter MOSFETs (z. B. 210a, 210b ) aufweisen, wird unten Bezug auf den MOSFET 210 genommen, mit der Übereinkunft, dass der MOSFET 210 explizit „ein oder mehrere MOSFETs, die parallel zu zugeordneten Serienwiderständen (z. B. R3, R4) geschaltet sind” bedeutet.
English: Since the following discussion applies equally to examples having one MOSFET 210 as well as to examples comprising a plurality of parallel-connected MOSFETs (e.g., 210a, 210b), reference below is made to the MOSFET 210 with the understanding that the MOSFET 210 explicitly means One or more MOSFETs connected in parallel with associated series resistors (e.g., R3, R4)'.
German: Anschließend kann eine zweite Schicht, z.B. eine Deckschicht 220_2, die zum Beispiel Siliziumdioxid, Titandioxid, Zinkoxid, Hafniumoxid, Tantalpentaoxid (Ta2O5) und/oder Zirconiumdioxid beinhalten oder daraus bestehen kann, auf der ersten (Al2O3) Schicht 220_1, 104 abgeschieden werden, um eine Degradierung der ersten (Al2O3) Schicht 220_1 unter heißen feuchten Bedingungen zu verhindern und um als ein Reaktionsstopp für die spätere folgende hydrothermale Umwandlung zu wirken.
English: Subsequently, a second layer, e.g. a capping layer 220_ 2, which may for example include or consist of silicon dioxide, titanium dioxide, zinc oxide, hafnium dioxide, tantalum pentoxide (Ta2O5), and/or zirconium dioxide, may be deposited onto the first (Al2O3) layer 220_ 1, 104 to prevent a future degradation of the first (Al2O3) layer 220_ 1 under hot moist conditions, and to act as a reaction stop for the later following hydrothermal conversion.
German: Der Aufsatz "The Design and Realization of a High Reliability Semiconductor Laser for Single- Model Fiber-Optical Communication Links", A. R. Goodwin et al., Journal of Light Wave Technology, Band 6, Nr. 9, September 1988, Seiten 1424 bis 1434, befaßt sich ferner mit der Degradation, die auf die elektrische Migration des Goldes in den Materialien der Einrichtung während des Betriebs zurückzuführen sind.
English: The paper, "The Design and Realization of a High Reliability Semiconductor Laser for Single-Model Fiber-Optical Communication Links," A. R. Goodwin et al., Journal of Light Wave Technology, Vol. 6, No. 9, September 1988, pp. 1424-1434, further documents degradation due to the electromigration of gold into the device during operation.
German: Die Rippen 134 und 136 sind so angeordnet, daß sich dann, wenn sich ihr entsprechender Kontaktstab 42, 50 in einer offenen Position relativ zum zugehörigen Satz der festen Kontakte 12, 14 befindet, der Kontaktstab 42 oder 50 nominell parallel zu einer Linie zwischen den beiden Kontakten (38 und 40 im Falle der festen Kontakte 12 und 52 und 54 im Falle der festen Kontakte 14) erstreckt, wenn er sich in einer offenen Position befindet.
English: The leveling ribs 134 and 136 are disposed so that when their respective contact bar 42, 50 is in an open position in relation to the associated set of fixed contacts 12, 14, the contact bar 42 or 50 will be nominally parallel to a line between the two contacts (38 and 40 in the case of the fixed contacts 12 and 52 and 54 in the case of the fixed contacts 14) when in an open position.
German: Die zweite Anode 142 des zweiten organischen Licht emittierenden Elements 172 kann mit der zweiten Pixelansteuerschaltung PD2 über die zweite Verbindungsleitung 132 elektrisch verbunden sein, und das erste organische Licht emittierende Element 171 auf dem ersten Pixel PX1 kann ebenfalls mit der ersten Pixelansteuerschaltung, die auf einem oberen Pixel PX relativ zu dem ersten Pixel PX1 angeordnet ist, über die erste Verbindungsleitung 131 elektrisch verbunden sein.
English: The second anode 142 of the second organic light emitting element 172 may be electrically connected to the second pixel driving circuit PD 2 through the second connection line 132, and the first organic light emitting element 171 on the first pixel PX 1 may also be electrically connected to the first pixel driving circuit disposed on an upper pixel PX relative to the first pixel PX 1 through the first connection line 131.
German: Daher kann der Teil des ersten Anschlusses 420 und des zweiten Anschlusses 430, der sich an der ersten Seite 412 des Rahmens 410 befindet, elektrisch mit der ersten leitfähigen Region 111A und der zweiten leitfähigen Region 111B (gezeigt in Fig. 2A) verbunden werden und die einen Enden des ersten Anschlusses 420 und des zweiten Anschlusses 430, die an der zweiten Seite 414 des Rahmens 410 freiliegen, können elektrisch mit einer externen Klangquelle verbunden werden.
English: Therefore, the part of the first terminal 420 and the second terminal 430 located at the first side 412 of the frame 410 can be electrically connected to the first conductive region 111A and the second conductive region 111B (shown in FIG. 2A ), and one ends of the first terminal 420 and the second terminal 430 exposed at the second side 414 of the frame 410 can be electrically connected to an external sound source.
German: Die in Fig. 8D gezeigten ImageData 809 weisen ein THM-Bild 821, ein MPF-Bild 822 und ein Hauptbild 823, die jeweils durch die SDR-Bildqualität entwickelt und durch JPEG komprimiert sind, ein THM-Bild 826, ein MPF-Bild 827 und ein Hauptbild 828, die jeweils durch die HDR-Bildqualität entwickelt und durch HEVC komprimiert sind, ein RAW-Bild 824 und RAW-Entwicklungsparameter 825 auf.
English: The ImageData 809 shown in FIG. 8D has a THM image 821, an MPF image 822, and a main image 823, each of which is developed by the SDR image quality and compressed by JPEG, a THM image 826, an MPF image 827, and a main image 828, each of which is developed by the HDR image quality and compressed by HEVC, a RAW image 824, and RAW development parameters 825.
German: Des Weiteren kann, wenn das erste und das zweite oberflächenmontierte Widerstandselement 20 und 20a unterschiedliche Referenzwerte 20R und 10R haben, wie beispielsweise in Fig. 7B und Fig. 7C gezeigt, das erste oberflächenmontierte Widerstandselement 20 einen kleineren Widerstandswert als das zweite oberflächenmontierte Widerstandselement 20a haben, aber eine Größe, die dem zweiten oberflächenmontierten Widerstandselement 20a entspricht (mit Bezug auf Fig. 7B), oder eine kleinere Größe als das zweite oberflächenmontierte Widerstandselement 20a (mit Bezugnahme auf Fig. 7B) haben.
English: Further, if the first and second surface-mounted resistive elements 20 and 20 ahave different reference values 20R and 10R, as exemplarily shown in FIGS. 7B and 7C, the first surface-mounted resistive element 20 may have a smaller resistance value than the second surface-mounted resistive element 20 abut have a size corresponding to the second surface-mounted resistive element 20 a(with reference to FIG. 7B ) or a smaller size than the second surface-mounted resistive element 20 a(with reference to FIG. 7C ).
German: Weiter sind G-Filter 23G an entsprechenden Pixel-Positionen an der oberen und der unteren Seite (vertikalen Richtung) benachbart zu dem transparenten Filter 23W in der Mitte angeordnet, ein B-Filter 23B ist an einer Seite (linke Position in Fig. 10) der Pixelpositionen auf der linken und rechten Seite (horizontale Richtung) benachbart zu dem transparenten Filter 23W in der Mitte angeordnet und ein R-Filter 23R ist auf der anderen Seite (rechte Positionen Fig. 10) angeordnet.
English: Further, G filters 23G are disposed at respective pixel positions on the upper and the lower side (vertical direction) adjacent to the transparent filter 23W at the center, a B filter 23B is disposed at one side (left position in FIG. 10 ) of the pixel positions on the left and right side (horizontal direction) adjacent to the transparent filter 23W at the center, and an R filter 23R is disposed at the other side (right position in FIG. 10 ).
German: Wie in Fig. 15 gezeigt, weisen die Querwände 131A, 131B ferner eine kürzere hervorstehende Höhe L von dem Deckelkörper 110 des oberen Deckels 100 als die Durchgangswand 125 der oberen Seite auf und untere Endabschnitte 132 der Querwände 131A, 131B werden über oberen Enden J1 verschweißter Abschnitte J der Durchgangswand 125 der oberen Seite und der Durchgangswand 85 der unteren Seite und über einem unteren Endabschnitt des porösen Filters 205 positioniert.
English: Further, as shown in FIG. 15, the transverse walls 131A, 131B have a shorter projecting height L from the lid body 110 of the upper lid 100 than the upper-side passage wall 125, and lower end portions 132 of the transverse walls 131A, 131B are positioned above upper ends J 1 of welded portions J of the upper-side passage wall 125 and the lower-side passage wall 85 and above a lower end portion of the porous filter 205.
German: Die Breite 222 kann jeder gewünschte Abstand sein (z. B. kleiner als 1 Mikrometer, kleiner als 2 Mikrometer, kleiner als 0,5 Mikrometer, kleiner als 0,3 Mikrometer, kleiner als 0,1 Mikrometer, größer als 1 Mikrometer, größer als 2 Mikrometer, größer als 0,5 Mikrometer, größer als 0,3 Mikrometer, größer als 0,1 Mikrometer, zwischen 0,1 Mikrometer und 1,0 Mikrometer, zwischen 0,2 und 0,5 Mikrometer usw.).
English: Width 222 may be any desired distance (e.g., less than 1 micron, less than 2 micron, less than 0.5 micron, less than 0.3 micron, less than 0.1 micron, greater than 1 micron, greater than 2 micron, greater than 0.5 micron, greater than 0.3 micron, greater than 0.1 micron, between 0.1 micron and 1.0 micron, between 0.2 and 0.5 micron, etc.).
German: Somit können Informationen, die in den Datensignalen 22-1 bis 22-K des ersten Orts 12 enthalten sind, gleichzeitig zu dem zweiten Ort 14 übertragen werden, damit Ausgangsdatensignale 24-1 bis 24-K erzeugt werden, und Informationen, die in den Datensignalen 22-L bis 22-N des zweiten Orts 14 enthalten sind, können gleichzeitig zu dem ersten Ort 12 übertragen werden, damit die Ausgangsdatensignale 24-L bis 24-N erzeugt werden, wobei alle Übertragungen gleichzeitig durch die einzelne optische Faser 16 auftreten.
English: Thus, information contained in data signals 22-1 through 22-K of the first location 12 can be simultaneously transmitted to the second location 14 to produce the output data signals 24-1 through 24-K, and information contained in the data signals 22-L through 22-N of the second location 14 can be simultaneously transmitted to the first location 12 to produce the output data signals 24-L through 24-N, with all transmissions occurring simultaneously through the single optical fiber 16.
German: Zum Beispiel kann die MS 100 verschiedene Typen von Speicher (z. B. einschließlich dem NAND-Flash 310 ), eine Verbinderschnittstelle 320 (z. B. zum Koppeln mit dem Computersystem), die Anzeige 360 und die Schaltung für eine kabellose Kommunikation 330 (z. B. für LTE, CDMA, GSM, Bluetooth, Wi-Fi usw.), die eine Antenne 335 verwenden kann, um die kabellose Kommunikation durchzuführen, einschließen.
English: For example, the MS 100 may include various types of memory (e.g., including NAND flash 310), a connector interface 320 (e.g., for coupling to the computer system), the display 360, and wireless communication circuitry 330 (e.g., for LTE, CDMA, GSM, Bluetooth, WiFi, etc.) which may use antenna 335 to perform the wireless communication.
German: Abschnitte der Nanostrukturen 255, die im Substrat 250 im Gebiet 250N ausgebildet sind, können eine untere Breite W30von ungefähr 2,2 nm bis ungefähr 100 nm, von ungefähr 15 nm bis ungefähr 25 nm, oder von ungefähr 18 nm bis ungefähr 22 nm, und eine obere Breite W31von ungefähr 2,2 nm bis ungefähr 80 nm, von ungefähr 13 bis ungefähr 23 nm oder von ungefähr16nm bis ungefähr 20 nm aufweisen.
English: Portions of the nanostructures 255 formed in the substrate 250 in the region 250N may have a bottom width W30from about 2.2 nm to about 100 nm, from about 15 nm to about 25 nm, or from about 18 nm to about 22 nm and a top width W31from about 2.2 nm to about 80 nm, from about 13 nm to about 23 nm, or from about 16 nm to about 20 nm.