منطقة انخفاض
في فيزياء أشباه الموصلات منطقة انخفاض أو منطقة الافتقار أو منطقة العبور هي منطقة انتقالية بين طبقات شبه موصل مختلفة التشويب تقل فيها كثافة حاملات الشحنة من إلكترونات و فجوات ، ويعتمد على خواص تلك المنطقة العازلة العديد من أنواع التراسيستور المستخدمة في أغراض كثيرة . تنتشر من منطقة الانخفاض حاملات الشحنة إلى مناطق أخرى في شبه الموصل إما لقلة تركيز تشويبها أو تحت تأثير مجال كهربائي . ولا ينبقي في منطقة الانخفاض إلى شوائب متأينة إما تعطي شحانت أو تمتص شحنات .
وقد سميت تلك المنطقة منطقة انخفاض أو منطقة افتقار لانها تتكون من منطقة موصلة بعد إخلائها من جميع الشحنات المتحركة ، تاركة ورائها فجوات لا تنقل التيار. وفهم عمل منطقة الانخفاض هو المفتاح لتفسير عمل أشباه الموصلات في الإلكترونيات / مثل ثنائي قطب و ترانزستور وصلة ثنائية و ترانزستور حقلي ، وثنائي أقطاب المكثف المتغير ،وغيرها .
ستنحصر مناقشتنا التالية في عمل وصلة بي إن و مكثف موسفت ، مع أن منطقة الانخفاض تنشأ في جميع الأجهزة الأخرى المذكوة عاليا.
تتكون المنطقة الثنائية في الحال في وصلة بي إن . ويمكن وصفها في حالة التوازن الحراري أو حالة السكون : في تلك الحالتين لا تتغير خواص النظام مع الزمن ، ولذلك تسميان حالة "توازن دينامي" 
dynamic equilibrium.
من معرفتنا لتركيب شبه موصل تنتشر الإلكترونات و الفجوات الإلكترونية في المناطق التي يكون فيها تركيز الإلكترونات والفجوات منخفضا ، ذلك مثلما تنتشر نقطة حبر في الماء حتى يصبح توزيعه في الماء متساويا.
وطبقا لتعريف شبه الموصل أن النوع n توجد فيه إلكترونات حرة كثيرة بالمقارنة بمنطقة النوع p من شبه الموصل ، وأن النوع P-type يوجد فيه فجوات أكثر من وجودها في منطقة n .
وبناء على ذلك عندما تتلامس منطقة مشوبة n ومنطقة مشوبة بنوع p لتكوين وصلة بي إن ، فإن بعض الإلكترونات تنزح إلى ناحية P وتنزاح بعض الفجوات إلى ناحية n. وينتج عن انتقال إلكترون من الناجية إن إلى الناحية بي وجود أيون عاطي في الناحية إن ، وبالمثل فإن انتقال فجوة (موجبة الشحنه) إلى الناحية إن فهو يترك ورائه أيونا سالبا في المنطقة P-side.
وبعد هذا الانتشار تأتي إلكترونات إلى فجوات في الناحية بي و تتعادل معها لأن الفجوات موجبة الشحنة . كذلك بالنسبة إل انتشار الفجوات إلى الناحية إن . وتكون محصلة تلك الانتقالات أنها تتعادل في منطقة الوسط ، تاركة وراء كل منها أيونات مشحونة قريبة من سطح التلامس تكون فيها حاملات الشحنات غير متحركة (تلك هي منطقة الانخفاض ، أنظر الشكل ) . 
الأيونات التي لم تتعادل تكون موجبة الشحنة على الناحية إن و سالبة الشحنة على الناحية بي . وينشأ عنها مجال كهربائي يعمل على توقيف عمليات انزياح الإلكترونات والفجوات . وعندما يكون المجال الكهربي كافيا لتوقيف هذه الانتقالات تكون منطقة الانخفاض قد وصلت إلى حجمها المتوازن. هذا المجال الكهربي المتكون يسمى "جهد الوصلة " .
في حالة الانحياز المعكوس reverse bias (أن تكون P سالبة بالنسبة لـ N) يزداد انخفاض الجهد الكهربي عبر منطقة الانخفاض . هذا يتسبب في توسيع منطقة الانخفاض ، مما يزيد جزء التيار الناشيء من انزياح الشحنات ويقلل من جزئه الناشيء من الانتشار . في تلك الحالة تكون محصلة التيار نحو اليسار كما هو مبين في شكل الوصلة p–n . وتكون كثافة حاملات الشحنات صغيرة ويمر فقط "تيار تشبع عكسي " صغير .
في الانحياز الأمامي تكون P موجبة الشحنة بالمقارنة بـ N ، مما يجعل منطقة الانخفاض تضيق وينخفض الحاجز الفولطي ويسهل مرور الشحنات . ويزيد جزء التيار الانتشاري diffusion component بينما dتنخفض جزؤه الانزياحي drift component . وتسير محصلة التيار إلى اليمين كما هو مبين في الشكل.
تكون كثافة الشحنات كبيرة وتتغير بطريقة أسية بتغير جهد الانحياز المطبق ، ويجعل الوصلة موصلة للتيار ويزيد من التيار المار إلى الأمام . 
في الانحياز الأمامي نيتغير التيار طبقا لمعادلة شوكلي للدايود.
التيار الضعيف الذي يمر في الوصلة عند توصيل جهد انحياز معكوس ، والتيار الكبير الذي يمر عند توصيل جهد انزياح أمامي هي وصف لحالة مقوم.
تتكون طبقة الانخفاض أيضا في مكثف موس 
MOS capacitor . وترى في الشكل إلى اليمين لنوع تشويب P. ونفترض أن شبه الموصل هذا متعادل في لبدء ، حيث تتوازن شحنات الفجوات مع شحنات الإلكترونات . فإذا وصلنا جهدا موجبا بالبوابة حيث يدخلها شحنات موجبة "Q" , 
فإنها تعمل على تنافر فجوات موجبة القريبة من البوابة وتترك شبه الموصل من أسفل .
وتترك خلفها منطقة انخفاض تعمل كعازل لعدم وجود فجوات حرة في تلك المنطقة ، ولا يوجد فيها سوى شوائب مشحونة سالبا لا تستطيع الحركة .
وكلما زاد الجهد الموجب على البوابة كلما زادت الشحنات الموجبة فيها ، فيزداد عدد الفجوات التي تغادر سطح شبه الموصل ، مما يعمل على اتساع منطقة الانخفاض. (في شبه الموصل هذا يوجد حد يحدد مقدار اتساع منطقة الانخفاض . ويحددها هنا طبقة رقيقة مضافة مشوبة بنوع n تسمى طبقة عكسية inversion layer .)
اتساع الانخفاض يصف اتساع منطقة الانخفاض في شبه موصل مثل وصلة بي إن و مكثف موس . ويتحكم مبدأ تعادل الشحنات في منطقة الانخفاض ، نذكر هنا نوعين :
الاتساع يقاس بالميكرومنر .
وتقول مبدأ "تعادل الشحنات " أن : "مجموع الشحنات الموجبة يكون مساويا لمجموع الشحنات السالبة ":
فإذا افترضنا تأين كامل وأن عدد الايونات العاطية (لشحنات) و الآخدة أكبر كثيرا من عدد "بي" و "إن" (مع العلم بأن تلك تكون حرة وقابلة للحركة ) :
إذن:
وهذه الحالة تقول أن الشحنة الكلية الموجبة العاطية تساوي تماما الشحنة الكلية السالبة الآخدة . فيكون الاتساع الكلي لمنطقة الانخفاض هو المجموع formula_6.
الشكل أعلاه يبين أن اتساع منطقة الانخفاض (بالميكرومتر) تزداد بزيادة الجهد المطبق على شبه الموصل ، وان زيادة تركيز التشويب formula_2 و formula_3 تقلل من اتساع منطقة الانخفاض.
وكما في وصلة بي إن فإن المبدأ المتحكم في اتساع . منطقة الانخفاض هو تعادل الشحنات .
إذا وضعنا شحنة موجبة "Q" على البوابة , فإن الفجوات تنخفض في العدد إلى عمق "w" عاملة على تعرض الايونات السالبة الآخذه لموازنة شحنة البوابة . فإذا افترضنا أن تركيز التشويب formula_9الآخذ في السنتيمتر المكعب ، فيحتاج تعادل الشحنات إلى اتساع "w" لتحقيق العلاقة:
إذا كان اتساع الانخفاض كافيا فتظهر إلكترونات في طبقة رقيقة عند السطح بين شبه الموصل والأكسيد ، وتسمى تلك الطبقة "طبقة عكسية" لأنها مشحونة عكسيا بالنسبة إلى الفجوات الغالبة في مادة من نوع "بي" .
وعند تكون طبقة عكسية يقل امتداد اتساع الانخفاض بزيادة شحنة البوابة "Q". وتصل حالة التعادل عن طريق جذب إلكترونات إلى الطبقة العكسية .
تسمى الطبقة العكسية في الموسفت "قناة الترازستور".