江崎玲於奈

江崎 玲於奈（えさき れおな、「崎」は清音、1925年（大正14年）3月12日 - ）は、日本の物理学者である。国外においてはレオ・エサキ (Leo Esaki) の名で知られる。1973年（昭和48年）に日本人としては4人目となるノーベル賞（ノーベル物理学賞）を受賞した。文化勲章受章者、勲一等旭日大綬章受章者。 大阪府中河内郡高井田村（現在の東大阪市）で生まれ、京都市で育つ。1947年に東京帝国大学を卒業し、川西機械製作所（後の神戸工業株式会社、現在のデンソーテン）に入社、真空管の陰極からの熱電子放出の研究を行った。1956年、東京通信工業株式会社（現在のソニー）に移籍する。半導体研究室の主任研究員として、PN接合ダイオードの研究に着手し、約1年間の試行錯誤の後、ゲルマニウムのPN接合幅を薄くすると、その電流電圧特性はトンネル効果による影響が支配的となり、電圧を大きくするほど逆に電流が減少するという負性抵抗を示すことを発見した。 なお、発見の顛末については、当時東通工が製造していたゲルマニウムトランジスタの不良品解析において、偶然トンネル効果を持つトランジスタ（製品としては使い物にならない）が見つかったことが発見のきっかけであることが、後に『NHKスペシャル』「電子立国日本の自叙伝」の中で当時の関係者により語られている（詳しくはトランジスタラジオ#歴史を参照）。 この発見は、物理学において固体でのトンネル効果を初めて実証した例であり、かつ電子工学においてトンネルダイオード（またはエサキダイオード）という新しい電子デバイスの誕生であった。この成果により、1959年に東京大学から博士の学位を授与されている。また、1973年には、超伝導体内での同じくトンネル効果について功績のあったアイヴァー・ジェーバーと共にノーベル物理学賞を受賞した。同年の物理学賞はジョセフソン効果のブライアン・ジョゼフソンにも与えられている。 1960年、米国IBM トーマス・J・ワトソン研究所に移籍。磁場と電場の下における新しいタイプの電子－フォノン相互作用や、トンネル分光の研究を行った。さらに分子線エピタキシー法を開発し、これを用いて半導体超格子構造を作ることに成功した。 1992年、筑波大学学長に就任した。学長として6年、産・官・学連携の拠点として先端学際領域研究センター（TARAセンター）の立ち上げ等、大学改革の推進を行った。 2000年、小渕恵三首相の要請により、教育改革国民会議の座長に就任。合計13回の全体会議等を通じ、「教育を変える17の提言」を骨子とする最終報告を纏め上げた。 2003年にナノサイエンス分野の業績を顕彰する科学賞として江崎玲於奈賞が創設され、その選考委員長に就任した。そのほか日本学術振興会賞、沖縄平和賞などの選考委員も務めている。 2015年7月現在、存命の日本人ノーベル賞受賞者では唯一1970年代以前の受賞者である。また、1981年9月に湯川秀樹が死去してから、同年福井謙一の受賞が決まるまでの間は、江崎が存命する唯一の日本人ノーベル賞受賞者となっていた。 1994年の夏に、江崎は「ノーベル賞を取るために、してはいけない5か条」のリストを提案する： 今までの行き掛かりにとらわれてはいけない。 呪縛やしがらみに捉われると、洞察力は鈍り、創造力は発揮できない。 大先生を尊敬するのはよいが、のめり込んではいけない。 情報の大波の中で、自分に無用なものまでも抱え込んではいけない。 自分の主義を貫くため、戦う事を避けてはいけない。 いつまでも初々しい感性と飽くなき好奇心を失ってはいけない。 1925年 - 建築技師である江崎壮一郎の長男として、大阪府中河内郡高井田村（現在の東大阪市）に生まれ、京都市で育つ。 京都市立第四錦林小学校から、京都一中の入試に失敗し、神戸で一浪後、同志社中学校に進み、飛び級で第三高等学校（いずれも旧制学校）を経て、 1947年 東京帝国大学理学部物理学科を卒業。 株式会社川西機械製作所（後の神戸工業株式会社、さらに富士通テン株式会社、現在の デンソーテン）に勤務。 1956年 - 東京通信工業株式会社（現在のソニー株式会社）に勤務。 1959年 - 東京大学から理学博士の学位を授与される。論文は「薄いp-n接合における新現象」。 1960年 米国IBM トーマス・J・ワトソン研究所に勤務。 IBM主任研究員 1975年 - 日本学士院会員 1976年 - 全米科学アカデミー外国会員 1992年 - 筑波大学学長に就任。 2000年 - 教育改革国民会議座長、芝浦工業大学学長に就任。 2006年 - 横浜薬科大学学長に就任。 1959年 - 仁科記念賞、朝日賞 1961年 - モーリス・N・リーブマン記念賞（米IRE、後のIEEE）、スチュワード・バレンタイン賞（米フランクリン協会） 1965年 - 日本学士院賞 1973年 - ノーベル物理学賞 1985年 - ジェームス・C・マックグラディ新材料賞 1991年 - IEEE栄誉賞 1998年 - 日本国際賞 1974年 - 文化勲章 1998年 - 勲一等旭日大綬章 日本学術振興会21世紀COEプログラムプログラム委員会委員長（平成18年度） 財団法人茨城県科学技術振興財団理事長 財団法人国際開発高等教育機構評議員 日本新事業支援機関協議会名誉会長 財団法人日本オペラ振興会顧問 財団法人山田科学振興財団理事 財団法人国際科学振興財団評議員 社団法人科学技術国際交流センター評議員 財団法人下中記念財団理事 財団法人社会経済生産性本部評議員 財団法人仁科記念財団理事 特定非営利活動法人日本自動車殿堂顧問 限界への挑戦（私の履歴書）ISBN 4532166357 創造力の育て方・鍛え方 ISBN 4062079062 家族の力はとり戻せるか―世界五大学長が語る新世紀（中公新書ラクレ）ISBN 4121500091 日本人の選択―世界のなかの日本（小学館創造選書）ISBN 4098200961 Leo Esaki, "New Phenomenon in Narrow Germanium p−n Junctions". Phys. Rev. 109, 603 (1958), doi:10.1103/PhysRev.109.603 L. Esaki ; R. Tsu, "Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors" IBM Journal of Research and Development (Volume:14, Issue:1, Jan. 1970), doi:10.1147/rd.141.0061 R. Tsu and L. Esaki, Tunneling in a finite superlattice Appl. Phys. Lett. 22, 562 (1973), doi:10.1063/1.1654509 Leo Esaki, "Long Journey into Tunneling". Science 22 Mar 1974, Vol. 183, Issue 4130, pp. 1149-1155, doi:10.1126/science.183.4130.1149 G. A. Sai-Halasz, L. Esaki, and W. A. Harrison, "InAs-GaSb superlattice energy structure and its semiconductor-semimetal transition". Phys. Rev. B 18, 2812 (1978), doi:10.1103/PhysRevB.18.2812 江崎玲於奈、半導体デバイスの誕生と発展 日本學士院紀要 1979年 36巻 suppl号 p.39-54, doi:10.2183/tja1948.36.suppl_39 江崎玲於奈、「創造的失敗」 日本物理學會誌 69(3), 127, 2014-03-05, NAID 110009804931 「私の履歴書」江崎玲於奈、日本経済新聞 2007年1月2日号～1月31日号 国立科学博物館：ノーベル賞受賞者9人の偉業．江崎玲於奈 「時代の証言者」江崎玲於奈、読売新聞 「真空管から半導体への“トンネル”の思い出」江崎玲於奈、『日本の物理学史』 pp. 478-496 ^ 本人の談によると、健康優良児が求められていた軍国主義の当時、体が細かったためという。また、東京大学へは、戦争中で入試が実施されず内申書による合否のみをもって入学したという。 ^ a b c d 『朝日現代用語 知恵蔵 1990』 朝日新聞社、東京都中央区築地5-3-2、1990年1月1日、1174頁。雑誌60031-01。 ^ 読売新聞2014年12月9日20面 「独創性とは何か」 ノーベル賞受賞者を囲むフォーラム 11月20日 ^ 『私と東大』 The Nobel Prize in Physics 1973 - ノーベル財団 江崎 玲於奈 博士の略歴、受賞歴、業績（筑波大学） 江崎玲於奈賞 - (財)茨城県科学技術振興財団