要進一步提高磁電印記（MEI）效應的效率和靈活性，可以考慮以下幾個策略：
材料選擇與設計：選擇具有更強的自旋軌道耦合（SOC）和Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）的材料，這將有助於增強M-skyrmions的穩定性和可操控性。例如，使用重元素的化合物可以增強SOC，從而提高MEI效應的強度。
結構優化：通過調整雙層結構的堆疊順序和層間距，來優化磁性和電性耦合。這樣的結構調整可以改變層間的相互作用，進而影響MEI效應的表現。
外部場的應用：利用外部電場或磁場來調整系統的能量狀態，這樣可以在不同的操作條件下靈活地控制E-skyrmions的生成和操控。
多層結構的探索：引入多層結構或異質結構，通過不同層之間的相互作用來增強MEI效應。這樣的設計可以實現更複雜的磁電耦合現象，並提高器件的性能。
動態調控技術：開發基於光或電場的動態調控技術，這將使得在實時操作中能夠快速改變E-skyrmions的狀態，從而提高器件的靈活性和響應速度。