為了進一步提高量子自旋霍爾絕緣體（QSHI）-超導體（SC）器件的邊緣態輸運特性，可以考慮以下幾個策略：
優化材料選擇：選擇具有更高電子遷移率和更低缺陷密度的材料，例如改進InAs/GaSb雙量子井的生長技術，以減少雜質和缺陷對邊緣態的影響。
調整結構參數：通過改變QSHI和SC之間的界面結構，例如減小超導接觸的間距，來增強邊緣態的耦合，這樣可以提高馬約拉納克拉默對的形成概率。
應用外部場：利用外部電場或磁場來調整系統的能帶結構，特別是通過精確控制外部磁場的強度和方向來優化邊緣態的穩定性，從而促進馬約拉納克拉默對的形成。
引入拓撲保護：設計具有更強拓撲保護的結構，例如利用多層QSHI結構或引入其他拓撲相的材料，以增強邊緣態的穩定性和抗擾動能力。
提高界面透明度：改善QSHI和SC之間的界面透明度，以促進安德烈夫反射的效率，這將有助於提高邊緣態的輸運特性。
這些策略的結合將有助於實現更穩健的馬約拉納克拉默對，進而推動拓撲量子計算的發展。