在實驗中設計和觀測打破自旋滑移對稱性的系統以實現手性晶體中的CISM，可以考慮以下幾個步驟：
選擇合適的手性晶體材料：首先，選擇具有明顯手性特徵的晶體材料，例如某些有機分子或無機晶體（如CrNb3S6）。這些材料應該具備強烈的自旋-軌道耦合（SOC）效應，以促進自旋極化的產生。
設計晶體結構：利用計算模擬（如密度泛函理論）來設計具有特定晶體結構的樣品，確保其在z方向的跳躍（hopping）能夠打破自旋滑移對稱性。這可以通過調整晶體的層間距或引入缺陷來實現。
施加外部電場：在實驗中施加外部電場以驅動電流，並觀察由此產生的自旋磁化。這可以通過使用微波或光學激發來實現，從而引起電子的運動。
測量自旋磁化：使用自旋極化探測技術（如自旋極化電子能譜或自旋霍爾效應）來測量由電流引起的自旋磁化。這些技術能夠提供關於自旋極化的直接證據，並幫助確認CISM的存在。
分析數據：通過數據分析，檢查自旋磁化的方向和強度，並與理論預測進行比較，以驗證自旋滑移對稱性的破壞是否成功。