這些結果可以推廣到其他類型的分數量子霍爾絕緣體，包括分數量子反常霍爾（FQAH）絕緣體。由於這些系統的拓撲性質和任何子的存在，類似的理論框架可以應用於不同的分數填充情況。特別是，對於具有不同拓撲序的系統，通過掺雜和調控化學位，可以探索新的遊離相和相變行為。這些新相的形成和性質可能會顯示出與FQAH相似的行為，並且可能會出現新的拓撲相和相互作用效應。因此，這些結果不僅限於特定的FQAH系統，而是可以在更廣泛的拓撲絕緣體和相關材料中進行探索，從而推動對拓撲量子物理的理解和應用。