要進一步提高具有谷簇退化的石墨烯納米帶（ZGNRs）的熱電性能，可以考慮以下幾個策略：
優化結構設計：通過調整ZGNR的寬度和邊緣結構，來增強谷簇退化的效應。研究表明，特定的邊緣結構（如鋸齒邊緣或不規則邊緣）可以促進電子的局部化，從而提高熱電性能。
調整子晶格勢：利用階梯狀的子晶格勢來調控電子能帶結構，進一步增強谷簇退化的影響。這可以通過選擇合適的基底材料（如氮化硼或碳化矽）來實現，這些材料能夠提供所需的子晶格勢。
施加外部電場：通過施加橫向電場來調整ZGNR的電子結構，這不僅可以改變能帶間隙，還能影響谷簇的分佈。研究顯示，適當的電場強度可以顯著提高電導率和塞貝克係數，從而提升功率因子。
材料摻雜：引入其他元素或化合物進行摻雜，以改變ZGNR的電子性質。這種摻雜可以增加載流子的濃度，從而提高電導率。
降低熱導率：通過引入缺陷或雜質來增加聲子散射，從而降低熱導率。這樣可以在保持高電導率的同時，提升熱電材料的整體性能。