除了氧化態和配位數，還有多種其他局部結構描述符可以用來解釋XANES光譜的變化，包括：
最近鄰原子數量：吸收原子周圍的最近鄰原子數量會影響其局部環境，進而影響XANES光譜的特徵。
鍵長和鍵角：吸收原子與其最近鄰原子之間的鍵長和鍵角的變化會影響電子的分佈，從而改變光譜特徵。
局部對稱性：吸收原子周圍的局部對稱性（如四面體、八面體等）會影響其電子結構，進而影響XANES光譜的形狀和強度。
電子密度分佈：吸收原子周圍的電子密度分佈可以影響其核心電子的能量水平，從而影響XANES光譜的邊緣位置和強度。
配位環境的變化：如配位原子的種類和數量變化，這些都會影響吸收原子的局部環境，進而影響XANES光譜的特徵。
化學環境：吸收原子所處的化學環境（如酸鹼性、溫度等）也會影響其XANES光譜，因為這些因素會改變電子的分佈和能量水平。