在其他直接帶隙半導體中，調節光激發條件以觀察到相干和非相干擴展模式的關鍵在於控制光激發的波長、光子能量和光脈衝的強度。具體來說，為了觀察相干擴展模式，需滿足以下條件：首先，光激發的波長必須接近或略高於半導體的帶隙，這樣可以確保光子能量足夠激發電子-空穴對（EHP），同時保持低的過剩能量（excess energy），通常在幾百毫電子伏特（meV）範圍內。其次，光脈衝的強度必須足夠高，以產生足夠的EHP密度，並促進相干的電子-光子相互作用，這樣可以形成Rabi動力學，導致相干擴展。相反，若希望觀察非相干擴展模式，則可以選擇較高的光子能量和較低的光脈衝強度，這樣會促使載流子快速冷卻，並在EHP擴展過程中形成能量放鬆的平臺階段。