Під «небінарною» пам’яттю розуміють модулі пам’яті, побудовані на основі DRAM щільністю 24 Гбіт (12 ГБ, 24 ГБ, 48 ГБ, 96 ГБ). Виробники періодично збільшують щільність чипів пам’яті DRAM, намагаючись не відставати від попиту на збільшення обсягів пам’яті в комп’ютерних системах. Так склалося, що щільність оперативної пам’яті зазвичай подвоюється (наприклад, з 4 Гбіт до 8 Гбіт, з 8 Гбіт до 16 Гбіт), проте в DDR5 з’явилася проміжна щільність — 24 Гбіт, яка забезпечує збільшення ємності, поки індустрія працює над створенням DRAM щільністю 32 Гбіт. Термін «небінарний» свідчить про певне відхилення у процесі подвоєння щільності. Для збільшення щільності чипів виробники напівпровідників DRAM постійно вдосконалюють конструкцію та зменшують технологічні норми виготовлення кремнієвих пластин (вимірюються в нанометрах, або нм), щоб збільшити кількість елементів пам’яті на тій самій площі корпусу (чипа), що і в попередньому поколінні. Водночас для модулів пам’яті можуть використовуватися однакові конструкції друкованих плат, що відповідають вимогам стандарту JEDEC.