La diferencia entre los electrones de valencia y los electrones de conducción en un material semiconductor dopado radica en su ubicación y comportamiento. Los electrones de valencia son los electrones que se encuentran en la capa más externa de un átomo y están fuertemente ligados al núcleo. Por otro lado, los electrones de conducción son aquellos que pueden moverse libremente por el material y contribuir a la conductividad eléctrica.
En un semiconductor dopado, los átomos de impureza (dopantes) se introducen en la estructura cristalina del material para alterar sus propiedades eléctricas. Dependiendo del tipo de dopante, se pueden generar electrones adicionales o huecos en la banda de valencia.
En el caso de un semiconductor tipo N, los dopantes añaden electrones extra a la banda de conducción, creando así electrones de conducción adicionales. Mientras que en un semiconductor tipo P, los dopantes generan huecos en la banda de valencia, que pueden ser ocupados por electrones de valencia circundantes, creando así huecos de conducción.