A memória não binária refere-se a módulos de memória desenvolvidos com DRAM de densidade de 24 Gbit (12 GB, 24 GB, 48 GB, 96 GB). A densidade de chips DRAM aumenta periodicamente para acompanhar a demanda de capacidade de memória para sistemas de computador. Historicamente, a densidade duplica (por exemplo, 4Gbit para 8Gbit, 8Gbit para 16Gbit), no entanto, com a DDR5 há uma densidade intermédia chamada 24Gbit que fornece um aumento de capacidade enquanto a indústria trabalha para criar a DRAM de 32 Gbit. O termo "não binário" vem da divergência de duplicar a densidade. Para aumentar a densidade, os fabricantes de semicondutores de DRAM devem melhorar continuamente o design e encolher o processo de placas de silício (medido em nanômetros ou nm) para aumentar o número de células de memória, geralmente dentro da mesma embalagem (chip) que a geração anterior. Ao fazer isso, podem ser utilizados os mesmos designs de PCB JEDEC (placa de circuito impresso) para módulos de memória.