Określenie „pamięć niebinarna” odnosi się do modułów pamięci zbudowanych z układów pamięci DRAM o gęstości 24Gbit (12GB, 24GB, 48GB, 96GB). Gęstość układów DRAM jest zwiększana okresowo, aby nadążać za zapotrzebowaniem systemów komputerowych na pojemność pamięci. Dotychczas gęstość podwajała się (np. z 4Gbit do 8Gbit, z 8Gbit do 16Gbit), jednak w przypadku pamięci DDR5 powstała gęstość pośrednia 24Gbit, która zapewnia wzrost pojemności, podczas gdy branża pracuje nad stworzeniem pamięci DRAM o gęstości 32Gbit. Termin „niebinarny” jest związany z odstępstwem od praktyki podwajania gęstości. W celu zwiększenia gęstości producenci półprzewodników do modułów pamięci DRAM muszą stale ulepszać proces wytwarzania płytek krzemowych (o grubości mierzonej w nanometrach), aby zwiększyć liczbę komórek pamięci upakowanych w chipach tej samej wielkości co chipy poprzedniej generacji. Pozwala to wykorzystać do produkcji modułów pamięci płytki PCB (płytki drukowane) o takiej samej konstrukcji, zgodnej ze standardem JEDEC.