Il termine "non binario" si riferisce ai moduli di memoria prodotti con DRAM di densità di 24Gbit (12GB, 24GB, 48GB, 96GB). La densità dei chip DRAM aumenta ciclicamente per tenere il passo del crescente bisogno di memoria dei sistemi computerizzati. Da sempre la densità cresce raddoppiandosi (ad esempio, da 4Gbit a 8Gbit, da 8Gbit a 16Gbit), ma con l'avvento delle DDR5 si è creata una densità intermedia, da 24Gbit, che fornisce un aumento della capacità, mentre il settore punta alla creazione di DRAM a 32Gbit. Il termine "non binario" esprime la divergenza dalla consuetudine di raddoppiare la densità. Per aumentare la densità, i produttori di semiconduttori DRAM devono migliorare continuamente la progettazione e ridurre il taglio del wafer di silicio (misurato in nanometri o nm), così da aumentare il numero di celle di memoria, generalmente presenti all'interno dello stesso pacchetto (chip) della generazione precedente. In questo modo, è possibile utilizzare gli stessi modelli di schede a circuiti stampati JEDEC per i moduli di memoria.