Le stockage flash QLC est le dernier né d’une longue lignée d’innovations cherchant à compresser de plus en plus de bits par cellule au sein d’une mémoire NAND flash. Voici une brève présentation de l’évolution de cette technologie :
Stockage flash cellule à niveau unique (SLC) : un bit par cellule, deux états de tension possibles
Stockage flash cellule multi-niveaux (MLC) : deux bits par cellule, quatre états de tension possibles
Stockage flash cellule à trois niveaux (TLC) : trois bits par cellule, huit états de tension possibles
Stockage flash cellule à quatre niveaux (QLC) : Quatre bits par cellule, 16 états de tension possibles