برای تست ترانزیستورهای MOSFET مقاومت بین Gate و Drain  باید بی‌نهایت باشد، در غیر اینصورت، ترانزیستور معیوب است. همچنین مقاومت بین Drain و Source نوع Enhancement باید بسیار زیاد و در نوع Depletion باید بسیار کم باشد.