Moderne Halbleitermaterialien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) mit großer Bandlücke revolutionieren die Leistungshalbleiter-Technologie. SiC und GaN bieten überlegene Eigenschaften, darunter eine höhere Durchbruchspannung, schnellere Schaltgeschwindigkeiten, geringere Leitungsverluste und eine bessere Wärmeleitfähigkeit. Diese Materialien ermöglichen die Entwicklung effizienterer und kompakterer Leistungsbauelemente und tragen so zu Fortschritten bei erneuerbaren Energien, Elektrofahrzeugen und anderen Hochleistungsanwendungen bei.