MOSFET-Schaltelemente arbeiten im ein- und ausgeschalteten Zustand. Im eingeschalteten Zustand beträgt die Impedanz des Schalters theoretisch Null, und es wird keine Leistung im Schalter verbraucht, egal wie viel Strom durch ihn fließt. Im ausgeschalteten Zustand ist die Impedanz des Schalters theoretisch unendlich, daher fließt kein Strom und es wird keine Leistung verbraucht.
Der Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)) ist der effektive Widerstand zwischen dem Drain und der Source eines MOSFET, wenn dieser sich im eingeschalteten Zustand befindet. Dies geschieht, wenn eine bestimmte Gate-to-Source-Spannung (VGS) angelegt wird. Im Allgemeinen verringert sich der Einschaltwiderstand, wenn VGS zunimmt. Ein niedriger Einschaltwiderstand des MOSFET ist umso besser, da ein niedriger Widerstand die unerwünschte Verlustleistung reduziert und so die Energieeffizienz des Bauelements verbessert.