NAND paměťový čip je založený na paměťových buňkách (cell, cells), které musí být schopny uchovat svou hodnotu 1 či 0 (jeden bit uživatelských dat) i bez napájení. Paměťová buňka je technologicky založena na tranzistoru s plovoucím hradlem (floating gate). Hodnota buňky je uchovávána v plovoucím hradle, které je izolováno oxidovou izolační vrstvou. Plovoucí hradlo je schopno si zachovat svou hodnotu právě díky oxidové izolační vrstvě. Oxidová izolační vrstva však při každém nabití a vybití (zápisu a mazání/resetu) plovoucího hrdla postupně ztrácí své izolační vlastnosti. Po určitém množství cyklů nabití a vybití přestane oxidová izolační vrstva plnit svou funkci a paměťová buňka selže.