mteb/MIRACLReranking huggingface dataset:
Osilator sumbatan Bila untuk pertamakalinya daya dihidupkan, Transistor akan mati sampai tegangan yang membentangi kondensator naik sedikit diatas 0.6 V. Transistor mulai menghantar dan arus kolektor mengalir melalui lilitan primer transformator. Karena ada umpanbalik positif, arus kolektor yang berubah menginduksikan gaya elektromotif dalam lilitan sekunder yang memaksa transistor menghantar lebih lanjut. Dengan cepat sekali transistor hidup dan jenuh, tegangan kolektornya jatuh sampai sekitar 0.1 V (V). Setelah berlangsung sebentar, arus kolektor berhenti berubah, disebabkan oleh penguatan transistor atau kejenuhan transformator. Bila hal ini terjadi, medan magnet dalam transformator runtuh dan gaya elektromotif basis jatuh. Transistor mulai mati dengan tegangan kolektornya naik menuju +V. Umpanbalik dengan cepat mematikan transistor dan gelombang basis menuju negatif, tegangan puncak yang membentangi kondensator kira-kira nV dengan n adalah perbandingan lilitan transformator. Transistor masih tetap mati sementara kondensator mengisi muatan secara eksponensial melalui resistor. Segera setelah tegangan kondensator mencapai +0.6 V, transistor menghantar lagi dan siklus diulang. Sebuah diode dipasang membentangi primer transformator untuk menindas gaya elektromotif lawan yang ditimbulkan ketika transistor mulai mati.
Penguat operasional Saat ini penguat operasional tersedia dalam bentuk sirkuit terpadu dan tidak lagi menggunakan tabung vakum, melainkan menggunakan transistor. Dalam suatu sirkuit terpadu penguat operasional umumnya terdapat lebih dari 25 transistor beserta resistor dan kapasitor yang diperlukan hanya dalam satu cip silikon. Hasilnya, penguat operasional modern hanya membutuhkan tegangan listrik +/- 18 V, bahkan beberapa jenis seperti LM324 dapat berjalan pada tegangan hanya +/- 1,5 V. Penguat operasional KA741 dari "Fairchild Semiconductor" yang banyak digunakan bahkan hanya berukuran 5,7 mm x 4,9 mm x 1,8 mm dan tersedia di pasaran dengan harga hanya Rp3.500 (US$0,37).
CMOS Karakteristik penting dari sirkuit CMOS adalah kejodohan antara transistor PMOS dan transistor NMOS. Sebuah sirkuit CMOS didesain sehingga selalu ada jalur dari keluaran ke salah satu sumber tegangan atau ground. Untuk menyelesaikannya, kombinasi dari semua jalur ke sumber tegangan hapus merupakan komplemen dari jalur ke ground. Ini dapat diselesaikan dengan mudah dengan menentukan salah satu adalah NOT lainnya. Logika bekerja berdasarkan hukum De Morgan sehingga transistor PMOS paralel ekivalen dengan transistor NMOS seri, sedangkan transistor PMOS seri ekivalen dengan transistor NMOS paralel.
Transistor Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis.
Transistor Darlington Transistor Darlington bersifat seolah-olah sebagai satu transistor tunggal yang mempunyai penguatan arus yang tinggi. Penguatan total dari rangkaian ini merupakan hasil kali dari penguatan masing-masing transistor yang dipakai:
Transistor Darlington penguatan total dari transistor Darlington bisa mencapai 1000 kali atau lebih. Dari luar transistor Darlington tampak seperti transistor biasa dengan 3 buah kutub: B (basis), C (Kolektor), dan E (Emitter). Dari segi tegangan listriknya, voltase base-emitter rangkaian ini juga lebih besar, dan secara umum merupakan jumlah dari kedua tegangan masing-masing transistornya, seperti tampak dalam rumus berikut:
Transistor Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.
Transistor sambungan-paduan Proses ini relatif mahal dengan keuntungan rendah dan hanya dapat dipakai untuk memproduksi transistor frekuensi rendah. Sebab frekuensi sumbat suatu transistor bergantung pada lebar daerah basis. Lazimnya "f&asymp 1 MHz untuk transistor pertemuan-paduan.
Transistor NPN diproduksi dengan menggunakan germanium tipe-P dan butiran timbal-antimon sebagai kotoran donor.
Transistor sambungan dwikutub Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT) adalah sebuah penyempurnaan BJT sehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus GHz. Sekarang sering digunakan dalam sirkuit ultracepat, terutama sistem RF.
Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-jalur lebih besar dari basis. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur memungkinkan penghalang lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihatkan sebagai Δφ), dan penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (Δφ). Susunan penghalang ini membantu mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pertemuan emitor-basis dipanjar terbalik, dan dengan demikian mengupansi arus basis dan menaikkan efisiensi injeksi emitor.
Injeksi pembawa menuju ke basis yang telah diperbaiki memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat, menghasilkan resistansi yang lebih rendah untuk mengakses elektrode basis. Dalam BJT tradisional, atau BJT pertemuan-sejenis, efisiensi injeksi pembawa dari emitor ke basis terutama dipengaruhi oleh perbandingan pengotoran di antaran emitor dan basis, yang berarti basis harus dikotori ringan untuk mendapatkan efisiensi injeksi yang tinggi, membuat resistansioya relatif tinggi. Sebagai tambahan, pengotoran basis yang lebih tinggi juga memperbaiki karakteristik seperti tegangan mula dengan membuat basis lebih sempit.
Pembedaan tingkat komposisi dalam basis, misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara progresif pada transistor SiGe, menyebabkan gradien dalam celah-jalur di basis netral (ditunjukkan sebagai Δφ), memberikan medan terpatri di dalam yang membantu pengangkutan elektron melewati basis. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran normal, menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati basis.
Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikon-germanium dan aluminium arsenid, tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik epitaksi, seperti epitaksi fase uap logam-organik dan epitaksi sinar molekuler.
CMOS Gambar di kiri menunjukkan apa yang terjadi jika sebuah masukkan disambungkan ke transistor PMOS dan transistor NMOS. Ketika tegangan masukan A rendah, transistor NMOS mempunyai resistansi tinggi sehingga mencegah tegangan untuk bocor ke ground, sedangkan transistor PMOS mempunyai resistansi rendah sehingga memungkinkan sumber tegangan untuk memindahkan tegangan menuju ke keluaran melalui transistor PMOS. Keluaran seharusnya menunjukkan tegangan tinggi (logika 1).
Transistor sambungan dwikutub Diagram disamping menunjukkan transistor NPN disambungkan ke dua sumber tegangan. Untuk membuat transistor menghantar arus yang kentara dari C ke E, formula_7 harus diatas harga minimum yang sering disebut sebagai "tegangan potong". Tegangan potong biasanya kira-kira 600 mV untuk BJT silikon pada suhu ruang, tetapi ini juga bisa berbeda-beda bergantung pada tipe transistor dan teknik pemanjaran.
Tegangan yang dikenakan ini membuat pertemuan P-N bagian bawah berubah menjadi hidup dan memungkinkan aliran elektron dari emitor ke basis. Pada moda aktif, medan listrik yang terdapat di antara basis dan kolektor (disebabkan oleh formula_8) akan menyebabkan mayoritas elektron untuk melintasi pertemuan P-N bagian atas menuju ke kolektor untuk membentuk arus kolektor formula_9. Elektron yang tertinggal bergabung kembali dengan lubang yang merupakan pembawa mayoritas pada basis sehingga menimbulkan arus melalui sambungan basis untuk membentuk arus basis, formula_10. Seperti yang diperlihatkan pada diagram, arus emitor formula_11, adalah arus transistor total, yang merupakan penjumlahan arus saluran lainnya formula_12.
Pada diagram, tanda panah menunjukkan arah dari arus konvensional, aliran elektron mengalir berlawanan dengan tanda panah. Pada moda aktif, perbandingan dari arus kolektor-ke-basis dengan arus basis disebut dengan "penguatan arus DC". Pada perhitungan, harga dari penguatan arus DC disebut dengan formula_13, dan harga penguatan arus AC disebut dengan formula_14. Walaupun begitu, ketika cakupan frekuensi tidak diperhitungkan, simbol formula_15 sering digunakan.
Perlu diperhatikan bahwa arus emitor berhubungan dengan formula_7 secara eksponensial. Pada suhu ruang, peningkatan formula_7 sebesar kurang-lebih 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 10 kali lipat. Kerena arus basis kurang lebih sebanding dengan arus kolektor dan emitor, ini juga berubah dengan fungsi yang sama.
Untuk transistor PNP, secara umum cara kerjanya adalah sama, kecuali polaritas tegangan panjar yang dibalik dan fakta bahwa pembawa muatan mayoritas adalah lubang elektron.
Diagram menunjukkan representasi skematik dari transistor PNP terhubung ke dua sumber tegangan. Untuk membuat transistor perilaku yang cukup saat ini (di urutan 1 mA) dari E ke C, VEB harus di atas nilai minimal kadang-kadang disebut sebagai cut-in tegangan. Cut-tegangan biasanya sekitar 650 mV untuk BJTs silikon pada suhu kamar tetapi dapat berbeda tergantung pada jenis transistor dan biasing nya. Tegangan yang diberikan ini menyebabkan PN junction atas untuk 'turn-on' yang memungkinkan aliran lubang dari emitor ke basis. Dalam modus aktif, medan listrik yang ada antara emitor dan kolektor (disebabkan oleh VCE menyebabkan sebagian besar lubang ini untuk menyeberangi rendah pn ke kolektor untuk membentuk arus kolektor IC). Sisa dari lubang bergabung kembali dengan elektron, operator mayoritas di dasar, membuat arus melalui sambungan basis untuk membentuk arus basis, IB. Seperti yang ditunjukkan dalam diagram, arus emitor,IE, adalah total transistor saat ini, yang merupakan jumlah arus terminal lainnya "(yaitu, IE = IB + IC)".
EPROM Switching negara dari field-effect transistor dikendalikan oleh tegangan pada control gate dari transistor. Adanya tegangan pada gerbang ini menciptakan saluran konduktif dalam transistor, sehingga menyala. Akibatnya, muatan yang tersimpan pada floating gate memungkinkan tegangan dari transistor yang akan diprogram.
Foto transistor Foto transistor adalah sebuah benda padat pendeteksi cahaya yang memiliki gain internal. Hal ini yang membuat foto transistor memiliki sensitivitas yang lebih tinggi dibandingkan foto diode, dalam ukuran yang sama. Alat ini (foto transistor) dapat menghasilkan sinyal analog maupun sinyal digital.
Pentium Pro Pada Pentium Pro terdapat dua inti prosesor, yang pertama adalah chip Pentium Pro itu sendiri dan yang lainnya adalah cache L2 SRAM berukuran 256 KB, 512 KB, atau 1.024 KB. Inti prosesor Pentium Pro memiliki 5.500.000 transistor dan SRAM 256 KB pada cache L2-nya memiliki 15.500.000 transistor. Berarti, Pentium Pro yang memiliki cache L2 sebesar 1.024 KB memiliki kira-kira 67.500.000 transistor.
Inti prosesor utama memiliki cache L1 sebesar 16 KB yang dibagi menjadi dua, 8 KB untuk instruksi berjenis asosiatif dua lajur dan 8 KB untuk cache data yang berjenis asosiatif empat lajur. Cache L2 merupakan salah satu keunggulannya. Dengan mengintegrasikan cache L2 pada tubuh prosesor dan memisahkannya dari papan induk, Pentium Pro memiliki kecepatan cache L2 yang setara dengan kecepatan prosesor ("full core speed") ketimbang menjalankannya pada FSB 66 MHz yang justru akan memperlambat performanya, bahkan kinerjanya tidak akan jauh berbeda dengan prosesor generasi kelima Intel, yaitu Pentium. Dengan mengintegrasikan cache L2 pada prosesor, maka papan induk pun menjadi semakin murah karena tidak ada lagi SRAM yang harus dibeli secara terpisah. Konsekuensinya, harga prosesor semakin melambung. Beberapa produsen papan induk mungkin masih mengintegrasikan SRAM pada papan induk yang mereka buat, tetapi hal ini akan menjadikannya turun tingkat menjadi L3. Sudah menjadi rahasia umum apabila cache L3 yang berjalan pada kecepatan FSB yang kurang akan memberikan peningkatan kinerja pada Pentium Pro, dibandingkan dengan Pentium.
Transistor sambungan dwikutub Transistor dwikutub mengalami beberapa karakteristik tundaan ketika dihidupkan dan dimatikan. Hampir semua transistor, terutama transistor daya, mengalami waktu simpan basis yang panjang sehingga membatasi frekuensi operasi dan kecepatan pensakelaran. Salah satu cara untuk mengurangi waktu penyimpanan ini adalah dengan menggunakan penggenggam Baker.
Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah ukuran dari efisiensi transistor. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotoran ringan pada daerah basis menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis daripada lubang yang diinjeksikan dari basis ke emitor. Penguatan arus moda tunggal emitor diwakili oleh β atau h, ini kira-kira sama dengan perbandingan arus DC kolektor dengan arus DC basis dalam daerah aktif-maju. Ini biasanya lebih besar dari 100 untuk transistor isyarat kecil, tetapi bisa sangat rendah, terutama pada transistor yang didesain untuk penggunaan daya tinggi. Parameter penting lainnya adalah penguatan arus tunggal-basis, α. Penguatan arus tunggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke kolektor dalam daerah aktif-maju. Perbandingan ini biasanya mendekati satu, di antara 0,9 dan 0,998.
Alfa dan beta lebih tepatnya berhubungan dengan rumus berikut (transistor NPN):
Sawar Schottky Penghalang Schottky, dinamai dari penemunya Walter H. Schottky, adalah sebuah penghalang potensial yang terbentuk pada pertemuan logam-semikonduktor yang mempunyai karakteristik penyearahan, cocok untuk penggunaan sebagai diode. Perbedaan paling nyata antara penghalang Schottky dengan sambungan p-n adalah tegangan pertemuannya yang biasanya lebih rendah dan pengurangan lebar pemiskinan pada logam.
Tidak semua pertemuan logam-semikonduktor membentuk penghalang Schottky. Semua pertemuan logam-semikonduktor yang tidak menyearahkan arus dinamakan sambungan ohmik. Karakteristik penyearahan bergantung pada fungsi kerja logam, renggang jalur pada semikonduktor intrinsik, jenis dan konsentrasi pengotor pada semikonduktor dan faktor-faktor lainnya. Desain dari peranti semikonduktor membutuhkan keakraban dengan efek Schottky untuk meyakinkan bahwa penghalang Schottky tidak terbentuk dengan tak disengaja ketika diinginkan sambungan ohmik.
Penghalang Schottky dengan tegangan pertemuannya yang lebih rendah sering digunakan saat diinginkan peranti yang membutuhkan diode ideal. Ini juga digunakan pada diode dan transistor biasa, dimana tegangan pertemuannya yang lebih rendah digunakan untuk perlindungan sirkuit.
Karena salah satu bahan dari diode Schottky adalah logam, peranti dengan resistansi yang lebih rendah dapat diproduksi. Sebagai tambahan, kenyataan bahwa hanya satu tipe pengotoran sangat mempermudah pembuatan. Dan karena lebar pemiskina yang rendah, diode Schottky dapat mencapai kecepatan pensakelaran yang jauh lebih tinggi daripada diode sambungan p-n, membuatnya lebih diutamakan untuk menyearahkan isyarat frekuensi tinggi.
Walaupun demikian, pada kenyataannya peranti Schottky hanya sedikit digunakan dibandingkan teknologi semikonduktor lainnya.
Sebuah peranti yang menggunakan pertemuan menyearahkan logam-semikonduktor itu sendiri dinamakan sebagai diode Schottky.
Sebuah transistor sambungan dwikutub dengan penghalang Schottky di antara basis dan kolektor disebut dengan transistor Schottky. Karena tegangan pertemuan penghalang Schottky sangat rendah, transistor dicegah untuk jenuh terlalu dalam, sehingga memperbaiki kecepatan transistor jika digunakan sebagai sakelar. Ini adalah dasar dari TTL Schottky.
Sebuah MESFET, atau FET logam-semikonduktor, adalah peranti dengan operasi yang mirip JFET, tetapi menggunakan sebuah penghalang Schottky yang dipanjar mundur untuk membentuk daerah pemiskinan. Varian dari peranti ini adalah HEMT, atau transistor pergerakan elektron tinggi, yang juhan menggunakan pertemuan campur untuk mendapatkan konduktansi tinggi.
Penguat operasional Pasangan transistor pada bagian yang diwarnai dengan warna merah pada diagram disebut "cermin arus", di mana basis terhubung langsung dengan kolektor pada salah satu transistor dari tiap pasangan dan kedua transistor saling terhubung pada emiter. Penggunaan cermin arus pada sirkuit masukan, yaitu pasangan transistor formula_1 dan formula_2 serta pasangan formula_3 dan formula_4, memungkinkan masukan menerima ayunan tegangan ragam bersama tanpa melewati rentang daerah aktif tiap transistor dalam sirkuit. Sedangkan cermin arus ketiga, yaitu pasangan transistor formula_5 dan formula_6 membentuk cermin arus yang agak berbeda dengan resistor bernilai 5 Kformula_7 terhubung secara seri dengan emiter membatasi arus kolektor menjadi hampir nol sehingga dapat menjadi hubungan impedansi tinggi kepada catu daya negatif dan tidak membebani sirkuit masukan.
Grafena Transistor grafena sudah ditemukan sejak 2 tahun yang lalu, namun transistor tersebut masih mengalami kebocoran dan memengaruhi penampilan atau performa jika digunakan pada chip komputer, akan tetapi setelah dua tahun berikutnya kebocoran dari graphene dapat ditutupi dan telah diciptakan transistor grafena yang benar-benar stabil. Transistor grafena memiliki kelebihan dibandingkan dengan material lain seperti silikon,diantaranya tidak cepat membusuk dan tidak cepat teroksidasi.
Pasangan Sziklai Pada elektronika, pasangan Sziklai atau "transistor majemuk" adalah konfigurasi dari dua transistor dwikutub, mirip seperti pasangan Darlington. Tidak seperti susunan Darlington, pasangan Sziklai mempunyai satu transistor NPN dan satu transistor PNP pada setiap bagian, sehingga ini kadang-kadang disebut "Darlington komplementer". Penguatan arus mirip seperti pasangan Darlington, yaitu hasil perkalian antara penguatan kedua transistor. Konfigurasi ini dinamai dengan nama penemunya, George C. Sziklai.
Satu kelebihan dibandingkan pasangan Darlington adalah tegangan hidup basis yang hanya 0,6V atau separuh dari 1,2V pada Darlington. Seperti pada Darlington, ini hanya bisa jenuh hingga 0,6V, yang merupakan kekurangan untuk tingkat daya tinggi.
Pasangan Sziklai sering digunakan untuk tingkat keluaran dari penguat daya ketika pendesain menginginkan untuk menggunakan peranti dari tipe yang sama (biasanya NPN), daripada tipe komplementer yang jarang sekali benar-benar cocok). Daripada menggunakan pasangan Darlington untuk bagian penarik dan bagian pendorong, pendesain dapat menggunakan pasangan Sziklai untuk keduanya. Dengan menggunakan dua pasangan Darlington, pendesain berharap agar kombinasi dari dua transistor NPN pada bagian pendorong akan mempunyai karakteristik yang mirip dengan kombinasi dua transistor PNP pada bagian penarik. Dengan menggunakan dua pasangan Sziklai yang keduanya merupakan campuran tipe NPN-PNP, Pendesain dapat dengan lebih baik mencocokkan antara bagian pendorong dan bagian penarik.
Untuk mengurangi jumlah transistor PNP, yang lebih langka dan performanya lebih buruk dari transistor NPN, pendesain kadang-kadang menggunakan konfigurasi "komplementer semu" yang menggunakan sebuah pasangan Darlington (dua transistor NPN) pada bagian pendorong dan sebuah pasangan Sziklai (satu NPN dan satu PNP) pada bagian penarik. Sekarang transistor NPN dan PNP kira-kira sudah setara, dan penguat modern biasanya menggunakan topologi yang sama untuk kedua bagian (Sziklai semua cuak Darlington semua) beberapa orang mengklaim bahwa menggunakan dua pasangan Sziklai memberikan keluaran suara yang lebih baik daripada desain Darlington.
Seperti pada pasangan Darlington, sebuah resistor berharga 100Ω–1kΩ biasanya disambungkan di antara emitor dan basis Q2 untuk memperbaiki waktu pematian (penting pada penggunaan frekuensi tinggi).
CMOS Fungsi logika yang lebih kompleks seperti AND dan OR memerlukan manipulasi jalur di antara gerbang untuk membuat logika. Ketika sebuah jalur yang terdiri dari dua transistor seri, lalu semua transistor hapus mempunyai resistansi rendah untuk membiarkan tegangan melewatinya, menunjukkan sebuah gerbang AND. Ketika sebuah jalur terdiri dari dua transistor paralel, lalu salah satu transistor harus mempunyai resistansi rendah untuk membiarkan tegangan melewatinya, menunjukkan gerbang OR.
Transistor sambungan-paduan Pertemuan-paduan adalah proses pembuatan transistor yang pertama kali berhasil secara komersial. Meskipun beberapa transistor daya dan audio masih dibuat dengan cara ini, metode ini sekarang sudah terdesak oleh proses planar.
Sirkuit terpadu Pada mulanya sirkuit terpadu hanya dapat memuat beberapa transistor dalam sebuah chip, akibat ukuran transistor yang besar dan produksinya yang belum efisien. Karena jumlah transistor yang sedikit ini, proses mendesain sirkuit terpadu tergolong mudah. Seiring berkembangnya teknologi ini, jutaan, bahkan baru-baru ini miliaran of transistor dapat dimuat dalam sebuah chip, dan dibutuhkan perencanaan yang baik untuk membuat desain yang baik. Saat ini, desain sirkuit terpadu dilaksanakan dengan bantuan software yang disebut CAD tools.
Sistem pengapian kondensator Walaupun pada nantinya dikembangkan Sistem pengapian transistor atau TSI (Transistorized Switching Ignition) atau TCI (Transistor Controlled Ignition) yang menggunakan transistor untuk menggantikan kontak pemutus, perlahan-lahan kurang diminati seiring dengan kemajuan teknologi.
CMOS Diperlihatkan di kanan adalah diagram sirkuit dari gerbang NAND di logika CMOS. Jika semua masukan A dan B tinggi, dan semua transistor NMOS (separuh bawah) akan menghantar, dan transistor PMOS (separuh atas) tidak menghantar, dan sebuah jalur akan terbentuk antara keluaran dan V (ground), membuat keluaran rendah. Jika salah satu masukan A atau B rendah, salah satu transistor NMOS tidak akan menghantar, sedangkan salah satu transistor NMOS akan menghantar, dan jalur akan terbentuk antara keluaran dan V (sumber tegangan), membuat keluaran tinggi.
Transistor sambungan dwikutub BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya, yaitu daerah "emitor", daerah "basis" dan daerah "kolektor". Daerah-daerah tersebut adalah tipe-p, tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP, dan tipe-n, tipe-p dan tipe-n pada transistor NPN. Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke saluran yang juga dinamai "emitor" (E), "basis" (B) dan "kolektor" (C).
"Basis" secara fisik terletak di antara "emitor" dan "kolektor", dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resistivitas tinggi. Kolektor mengelilingi daerah emitor, membuat hampir tidak mungkin untuk mengumpulkan elektron yang diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri, membuat harga α sangat dekat ke satu, dan juga memberikan β yang lebih besar. Irisan dari BJT menunjukkan bahwa pertemuan kolektor-basis jauh lebih besar dari pertemuan kolektor-basis.
Transistor pertemuan dwikutub tidak seperti transistor lainnya karena biasanya bukan merupakan peranti simetris. Ini berarti dengan mempertukarkan kolektor dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-maju dan mulai beroperasi pada moda terbalik. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi moda aktif-maju, mempertukarkan kolektor dan emitor membuat harga α dan β pada operasi mundur jauh lebih kecil dari harga operasi maju, seringkali α bahkan kurang dari 0.5. Buruknya simetrisitas terutama dikarenakan perbandingan pengotoran pada emitor dan kolektor. Emitor dikotori berat, sedangkan kolektor dikotori ringan, memungkinkan tegangan panjar terbalik yang besar sebelum pertemuan kolektor-basis bobol. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik pada operasi normal. Alasan emitor dikotori berat adalah untuk memperbesar efisiensi injeksi, yaitu perbandingan antara pembawa yang diinjeksikan oleh emitor dengan yang diinjeksikan oleh basis. Untuk penguatan arus yang tinggi, hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari emitor.
Perubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basis-emitor menyebabkan arus yang mengalir di antara emitor dan kolektor untuk berubah dengan signifikan. Efek ini dapat digunakan untuk menguatkan tegangan atau arus masukan. BJT dapat dianggap sebagai sumber arus terkendali tegangan, lebih sederhana dianggap sebagai sumber arus terkendali arus, atau penguat arus, dikarenakan rendahnya impedansi pada basis.
Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid, terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi.
Indium Indium memiliki banyak aplikasi yang berhubungan dengan semikonduktor. Beberapa senyawa indium, seperti indium antimonida dan indium fosfida, adalah semikonduktor dengan sifat yang berguna: satu prekursor biasanya trimetilindium (TMI), yang juga digunakan sebagai semikonduktor dopan dalam semikonduktor majemuk II-VI. InAs dan InSb digunakan untuk transistor dengan suhu rendah dan InP untuk transistor dengan suhu tinggi. Semikonduktor majemuk InGaN dan InGaP digunakan di dioda pemancar cahaya (LED) dan dioda laser. Indium digunakan dalam fotovoltaik sebagai semikonduktor tembaga indium galium selenida ("Copper Indium Gallium Selenide", CIGS), yang disebut juga sel surya CIGS, suatu jenis sel surya film tipis generasi kedua. Indium digunakan dalam PNP transistor sambungan dwikutub dengan germanium: bila disolder pada suhu rendah, indium tidak menekan germanium.
Kabel Indium digunakan sebagai segel segel vakum dan konduktor termal pada aplikasi kriogenik dan vakum ultra-tinggi, dalam aplikasi manufaktur seperti gasket yang berubah bentuk untuk mengisi celah. Indium adalah bahan dalam paduan galium-indium-timah galinstan, yang cair pada suhu kamar dan menggantikan raksa dalam beberapa termometer. Paduan lain dari indium dengan bismut, kadmium, timbal, dan timah, yang memiliki titik leleh yang lebih tinggi, namun masih rendah, (antara 50 dan 100  °C), digunakan dalam sistem penyemprot api dan regulator panas.
Transistor dwikutub gerbang-terisolasi Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya dewasa ini adalah saklar peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan semikonduktor seperti transistor dwikutub (BJT), transistor efek medan (FET), maupun Thyristor. Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:
Transistor Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, di mana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.
Transistor memori Dari sisi performa pun, "Memory Transistor" hampir menyamai "flash memory". Tim peneliti berhasil mengembangkan media ini hingga memiliki kecepatan "switching on-off" setara dengan transistor silikon konvensional. Disamping itu media ini juga memiliki daya tahan untuk ditulis-baca sebanyak ratusan ribu kali.
Transistor sambungan-paduan Dalam metode pertemuan-paduan, transistor-transistor dibuat secara individual. Dua butir indium yang merupakan suatu kotoran akseptor, diletakan pada sisi-sisi berlawanan suatu kepingan tipis germanium tipe-N (setebal 50 formula_1m). Rakitan kecil ini dipanaskan sampai 500C, yaitu diatas titik lebur indium tetapi dibawah titik lebur germanium, untuk menciptakan dua daerah-P. Daerah-P ini akan menjadi emitor dan kolektor dengan ruang-N tipis yang membentuk daerah basis. Kemudian kabel-kabel disambungkan dengan disolder atau dilas, dan transistor disimpan rapat dalam kaleng.
Thin-film Transistor Thin-film Transistor, disingkat dengan TFT, merupakan salah satu tipe layar Liquid Crystal Display (LCD) yang datar, di mana tiap-tiap pixel dikontrol oleh satu hingga empat transistor. Teknologi ini menyediakan resolusi terbaik dari teknik panel data. Layar TFT sering disebut juga active-matrix LCD.
Foto transistor Foto transistor memiliki karakteristik:
Transistor Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau formula_1. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
Keluaran push–pull Keluaran push–pull atau tarik–ulur adalah sebuah sirkuit elektronik yang dapat menggerakkan baik arus positif ataupun negatif kepada beban. Keluaran push–pull adalah standar untuk logika digital TTL dan CMOS serta beberapa jenis penguat, dan biasanya terbuat dari pasangan transistor komplementer, salah satu membenamkan arus dari beban ke catu negatif, sedangkan yang lainnya menyuplai arus dari catu positif ke beban. Karena biasanya skema sirkuit digambar vertikal dengan dua transistor yang ditumpuk, sirkuit ini sering juga dinamai keluaran tiang totem (totem pole).
Tabung termionik tidak tersedia dalam tipe komplementer (seperti transistor PNP dan NPN) sehingga penguat push–pull tabung dibuat dengan menggunakan dua tabung identik yang digerakkan dalam antifasa, tabung tersebut menggerakkan arus di antara dua lilitan primer transformator yang bersadapan tengah.
Setiap transistor komplementer pada sirkuit digital seperti TTL dan CMOS hanya dihidupkan ketika komplemennya mati. Keluaran push–pull memberikan keuntungan kecepatan penggerakan beban yang tinggi kerena impedansi keluaran tetap rendah pada kedua keluaran.
Sebuah kekurangan dari keluaran push–pull sederhana adalah dua keluaran tidak dapat langsung disambungkan (dikawatkan), dikarenakan jika salah satu keluaran memberikan arus positif, dan keluaran lainnya membenamkan arus negatif, arus akan terhubungsingkat antara kedua keluaran. Untuk menhindari keadaan ini, keluaran push–pull logika tiga keadaan mempunyai keadaan ketiga dimana semua transistor mati. Pada keadaan ini, keluaran disebut mengambang (atau keadaan ketiga). Alternatif lain dari keluaran push–pull adalah sakelar tunggal yang menyambungkan beban ke ground (disebut kolektor terbuka atau cerat terbuka) atau ke pencatu daya (disebut emitor terbuka atau sumber terbuka).
Tingkat keluaran push pull banyak digunakan pada penguat daya kelas-B dan kelas-AB. Penggunaan keluaran push–pull memberikan efisiensi yang tinggi dan kemampuan menggerakkan beban yang lebih besar daripada penguat linier kelas-A. Penguat konvensional yang tidak menggunakan keluaran push–pull sering disebut penguat ujung–tunggal untuk membedakannya dari sirkuit push–pull.
Pada penguat daya push–pull analog, peranti keluaran (transistor, tabung atau FET) digerakkan dalam antifasa. Kedua keluaran antifasa dihubungkan kepada beban sehingga paling menambah, tetapi komponen distorsi seberangan karena ketidaklinieran peranti juga ditambahkan, tetapi jika ketidaklinieran kedua peranti keluaran sama, distorsi sangat dikurangi.
Sebuah penguat push–pull menimbulkan lebih sedikit distorsi daripada keluaran ujung tunggal. Distorsi seberangan pada keluaran penguat kelas-AB dan kelas-B dapat sangat dikurangi dengan menggunakan umpanbalik negatif.
Transistor Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:
Logika transistor–transistor Seperti kebanyakan sirkuit terpadu abad ke-19 lainnya, peranti TTL biasanya dikemas pada kemasan DIL dengan kaki antara 14 hingga 24. Biasanya dibuat dari plastik epoksi (PDIP) atau keramik (CDIP). Kemasan DIL standar mempunyai kaki yang berjarak 0,1 in, dan hampir semua peranti TTL menggunakan penjarakan ini (walaupun beberapa IC ASIC dikemas dengan penjarakan kaki yang lebih rapat), kemasan DIL 14 dan 16 kaki dengan dua baris kaki dipisahkan 0,3 in adalah yang paling umum untuk IC TTL. IC berkas-tembaga tanpa kemasan dibuat untuk perakitan pada larikan yang lebih besar sebagai sirkuit terpadu campuran. Peranti untuk penggunaan militer dan luar angkasa dikemas dalam kemasan datar, sebuah bentuk dari kemasan pemasangan permukaan, dengan tembaga yang cocok untuk pengelasan atau penyolderan ke papan rangkaian cetak. Sekarang, banyak peranti kompatibel-TTL tersedia dalam kemasan pemasangan permukaan, yang tersedia dalam jenis yang lebih banyak daripada kemasan lewat-lubang.
Hukum Moore Secara tidak langsung, Hukum Moore menjadi umpan balik (feedback) untuk mengendalikan laju peningkatan jumlah transistor pada keping IC. Hukum Moore telah mengendalikan semua orang untuk bersama-sama mengembangkan prosesor. Terlepas dari alasan-alasan tersebut, pemakaian transistor akan terus meningkat hingga ditemukannya teknologi yang lebih efektif dan efisien yang akan menggeser mekanisme kerja transistor sebagaimana yang dipakai saat ini.
Transistor efek medan diode epitaksial cepat pulih Transistor efek medan cepat pulih/cepat kembali (FREDFET atau FredFET) adalah transistor efek medan yang didesain khusus untuk memberikan kecepatan pulih (pematian) dari diode badan yang sangat cepat, membuatnya sesuai untuk menggerakkan beban induktif, seperti motor listrik, terutama motor DC tanpa sikat.
Transistor Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut.
Transistor sambungan dwikutub NPN adalah satu dari dua tipe BJT, dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa muatan mayoritas pada daerah yang berbeda dalam transistor. Hampir semua BJT yang digunakan saat ini adalah NPN karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh lebih tinggi daripada pergerakan lubang, memungkinkan operasi arus besar dan kecepatan tinggi.
Transistor NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p di antara dua lapisan tipe-n. Arus kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatkan di keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi daripada emitor.
Tanda panah dalam simbol diletakkan pada kaki emitor dan menunjuk keluar (arah aliran arus konvensional ketika peranti dipanjar maju).
CMOS Di lain pihak, ketika tegangan di masukan A tinggi, transistor PMOS akan memiliki resistansi tinggi sehingga menghalangi sumber tegangan dari keluaran, sedangkan transistor NMOS mempunyai resistansi rendah yang memungkinkan keluaran untuk membuang ke ground. Ini akan menyebabkan keluaran menunjukkan tegangan rendah (logika 0). Singkatnya, keluaran transistor PMOS dan NMOS selalu komplementer. Karenanya, keluaran sirkuit CMOS pada dasarnya adalah pembalikan dari masukan.
Transistor efek medan sambungan Transistor efek medan sambungan (TEMS, JFET atau JUGFET) adalah tipe paling sederhana dari transistor efek medan. Ini dapat digunakan sebagai sebuah sakelar terkendali elektronik atau resistansi terkendali tegangan. Muatan listrik mengalir melalui kanal semikonduktor di antara saluran sumber dan cerat. Dengan memberikan tegangan panjar ke saluran gerbang, kanal "dijepit", jadi arus listrik dihalangi atau dimatikan sepenuhnya.
Transistor memori Ada banyak kelebihan "Memory Transistor" dibanding teknologi penyimpanan digital masa kini, seperti "flash memory", yaitu:
CMOS Dua karakter penting dari CMOS adalah kekebalan desahnya yang tinggi dan penggunaan daya statis yang rendah. Daya hanya diambil saat transistor dalam CMOS berpindah di antara kondisi hidup dan mati. Akibatnya, peranti CMOS tidak menimbulkan bahang sebanyak sirkuit logika lainnya, seperti logika transistor-transistor (TTL) atau logika NMOS, yang hanya menggunakan peranti tipe-n tanpa tipe-p. CMOS juga memungkinkan chip logika dengan kepadatan tinggi dibuat.
Transistor Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik.
Logika transistor–transistor TTL berbeda dengan pendahulunya, generasi logika resistor–transistor (RTL) dan logika diode–transistor (DTL) dengan menggunakan transistor tidak hanya untuk penguatan keluaran tetapi juga untuk mengisolasi masukan. Pertemuan p-n dari diode mempunyai kapasitansi yang cukup besar, jadi mengubah taraf logika pada masukan DTL memerlukan waktu dan energi yang tidak sedikit.
Seperti terlihat pada skema kiri atas, konsep dasar dari TTL adalah mengisolasi masukan dengan menggunakan sambungan basis-bersama, dan menguatkan fungsi dengan sambungan emitor-bersama. Perhatikan bahwa basis dari transistor keluaran digerakan tinggi hanya oleh pertemuan basis-kolektor dari transistor masukan yang dipanjar maju. Skema kedua menambahkan keluaran tiang totem. Ketika Q mati (logika "1"), resistor membuat Q hidup dan Q mati, menghasilkan logika "1" yang lebih kuat di keluaran. Ketika Q hidup, ini mengaktifkan Q, menggerakan logika "0" ke keluaran. Dioda memaksa emitor dari Q ke ~0.7 V, sedangkan R, R dipilih untuk menarik basis ke tegangan yang lebih rendah, membuatnya mati. Dengan menghilangkan resistor pull-up dan resistor pull-down pada tingkat keluaran, memungkinkan kekuatan gerbang ditingkatkan tanpa memengaruhi konsumsi daya secara signifikan.
TTL sangat sesuai dibuat sebagai sirkuit terpadu karena masukan sebuah gerbang dapat disatukan kedalam sebuah daerah dasar untuk membentuk transistor multi emitor. Karena peranti yang rumit mungkin menambah biaya sirkuit jika dibuat dari transistor terpisah, tetapi dengan mengkombinasikan beberapa sirkuit kecil menjadi peranti yang lebih rumit, sebaliknya ini mengurangi biaya implementasi pada IC.
Seperti logika yang menggunakan transistor dwikutub lainnya, arus kecil harus diambil dari masukan untuk memastikan taraf logika yang benar. Arus yang diambil harus dalam kapasitas tingkat sebelumnya, sehingga membatasi gerbang yang dapat disambungkan (fanout).
Semua TTL standar bekerja pada pencatu daya 5 volt. Isyarat masukan TTL dikatakan rendah jika berada di antara A TTL 0 V dan 0.8 V dimana mewakili titik ground, dan tinggi ketika berada di antara 2.2 V dan 5 V, mewakili titik catu (taraf logika presisi mungkin sedikit bervariasi di antara subtipe). Keluaran TTL biasanya terbatas pada batas yang lebih sempit di antara 0 V dan 0.4 V untuk logika rendah dan di antara 2.6 V dan 5 V untuk logika tinggi, memberikan ketahanan desah 0,4V. Standarisasi taraf logika TTL sangat penting karena papan sirkuit yang rumit sering menggunakan IC TTL yang diproduksi oleh berbagai pabrik dan dipilih berdasarkan kesiapan dan harga, kecocokan harus meyakinkan, dua papan sirkuit dari jalur perakitan yang pada mungkin memiliki campuran merk yang berbeda untuk posisi yang sama dalam papan. Dalam batas dapat digunakan yang cukup luas, gerbang logika dapat dianggap sebagai peranti Boolean ideal tanpa kekhawatiran akan batasan elektronik.
Transistor sambungan dwikutub Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda, terutama dibedakan oleh panjar yang diberikan:
Sirkuit terpadu Pada pertengahan tahun 1970an, "large-scale integration" (LSI), yaitu sirkuit terpadu dengan beberapa puluh ribu transistor per chip berhasil diwujudkan. Sirkuit terpadu seperti 1K-bit RAM, chip untuk kalkulator, dan mikroprocesor awal, yang diproduksi pada awal tahun 1970an, mempunyai sekitar 4000 transistor. LSI dengan kurang lebih 10,000 transistor diproduksi sekitar tahun 1974 untuk main memory pada komputer dan mikroprocesor generasi kedua.
Logika injeksi terintegrasi Inti dari sirkuit I2L adalah inverter kolektor terbuka emitor bersama. Biasanya, inverter terdiri dari transistor NPN dengan emitornya dihubungkan ground dan basisnya dipanjar dengan arus maju. Masukan dipasok ke basis sebagai benaman arus (level logika rendah) atau sebagai kondisi mengambang impedansi tinggi (level logika tinggi). Keluaran inverter adalah pada kolektor.
Untuk memahami bagaimana inverter beroperasi, dibutuhkan pemahaman bagaimana arus mengalir. Jika arus panjar dihubungsingkat ke ground (level logika rendah), transistor mati dan kolektor mengambang (level logika tinggi). Jika arus panjar tidak dihubungsingkat ke ground karena masukan adalah impedansi tinggi (level logika tinggi), arus panjar mengalir melalui transistor menuju emitor, sehingga menghidupkan transistor dan memungkinkan transistor membenamkan arus (level logika rendah). Karena keluaran inverter dapat membenamkan arus dan tidak memberikan arus, ini memungkinkan untuk menyambungkan keluaran dari banyak inverter untuk membuat gerbang AND dikawatkan. Ketika keluaran dari dua inverter dikawatkan, hasilnya adalah gerbang NOR dua masukan karena konfigurasi (NOT A) AND (NOT B) ekivalen dengan NOT (A OR B). Hubungan logika ini disebut dengan hukum De Morgan.
Logika nMOS Sebagai contoh adalah gerbang NOR logika nMOS. Jika masukan A atau masukan B tinggi (logika 1), transistor MOS yang bersangkutan berperan sebagai resistansi rendah di antara keluaran dan catu negatif, menyebabkan keluaran menjadi rendah (logika 0). Ketika kedua masukan A dan B tinggi, semua transistor menghantar, membuat keluaran semakin rendah. Keluaran logika menjadi tinggi hanya jika kedua transistor mati, yang terjadi saat semua masukan rendah, sehingga memenuhi tabel kebenaran gerbang NOR.
Transistor efek medan peka-ion Ketika konsentrasi ion (seperti pH) berubah, arus listrik yang mengaliri transistor juga berubah. Disini, larutan yang diukur digunakan sebagai elektrode gerbang. Hidrolisis permukaan dari kelompok OH pada bahan gerbang bervariasi pada larutan aquos yang dikenakan pada transistor dikarenakan harga pH. Tegangan listrik yang membentangi badan dan permukaan oksida meningkat disebabkan oleh selongsong ion disekitar pertemuan. Tegangan tahan pada ISFET juga bergantung pada pH dari larutan yang berhubungan dengan penghalang peka-ion.
Listrik Komponen bentuk-padat kemudian berkembang dengan munculnya transistor tahun 1947. Beberapa komponen bentuk padat yang umum adalah transistor, chip mikroprosesor, dan RAM. Sebuah tipe khusus dari RAM disebut flash RAM digunakan pada flash drives. Selain itu, solid-state drive saat ini digunakan untuk menggantikan cakram keras yang berputar mekanis. Komponen bentuk padat mulai populer tahun 1950-an dan 1960-an, transisi dari tabung vakum ke dioda semikonduktor, transistor, sirkuit terintegrasi (IC) dan diode pancaran cahaya (LED).
Logika injeksi terintegrasi Logika injeksi terintegrasi (IIL, IL, atau I2L) adalah salah satu jenis sirkuit digital yang dibuat dari transistor dwikutub (BJT) kolektor banyak. Pada awalnya, ini mempunyai kecepatan secepat TTL dengan daya serendah CMOS, membuatnya cocok untuk integrasi sirkuit skala sangat besar. Walaupun tegangan logikanya sangat dekat (Tinggi: 0.7V, Rendah: 0.2V), I2L mempunyai kekebalan desah yang tinggi karena beroperasi berdasarkan arus, bukannya tegangan.
Teknologi komunikasi Para peniliti di Bell Telephone mengembangkan transistor untuk mengganti tabung vakum yang sebelumnya digunakan. Selain bentuknya kecil, transistor hanya membutuhkan sumber daya listrik yang kecil dan tidak menimbulkan panas yang berarti.
Penguat Sebelum dayanya dikuatkan pada Power Amplifier ada bagian pengatur suara atau disebut tone kontrol yaitu biasanya terdiri dari Volume, Bass, Trible, balance, loudness. Dalam bagian rangkaian Power Amplifier pada proses penguatan audio ini terbagi menjadi dua kelompok bagian penting yaitu bagian penguat signal tegangan (V) disebut driver kebanyakan menggunakan susunan transistor darlington, dan bagian penguat arus atau penguat daya susunannya transistor paralel, masing-masing transisistor berdaya besar dan menggunakan sirip pendingin untuk membuang panas ke udara, sekarang ini banyak yang menggunakan transistor simetris komplementer.
Distorsi seberangan Istilah seberangan berarti pergantian penggerakan sinyal dari satu peranti ke peranti lainnya, jadi sinyal "menyeberang" antar peranti. Dalam konteks penguat kelas-B, yaitu dari transistor NPN ke transistor PNP, dan sebaliknya.
Sejarah komputer Pada tahun 1948, penemuan transistor sangat memengaruhi perkembangan komputer. Transistor menggantikan tube vakum di televisi, radio, dan komputer. Akibatnya, ukuran mesin-mesin elektrik berkurang drastis.
Transistor efek medan peka-ion Sesuai dengan namanya, transistor ini digunakan sebagai elemen pengindera pada alat pengukur pH elektronik. Walaupun keakuratannya masih rendah, komponen ini tetap digunakan karena praktis dan relatif murah.
Komputer kuantum Telah dipercaya dengan sangat luas, bahwa apabila komputer kuantum dalam skala besar dapat dibuat, maka komputer tersebut dapat menyelesaikan sejumlah masalah lebih cepat daripada komputer biasa. Komputer kuantum berbeda dengan komputer DNA dan komputer klasik berbasis transistor, walaupun mungkin komputer jenis tersebut menggunakan prinsip kuantum mekanik. Sejumlah arsitektur komputasi seperti komputer optik walaupun menggunakan superposisi klasik dari gelombang elektromagnetik, namun tanpa sejumlah sumber kuantum mekanik yang spesifik seperti keterkaitan, maka tak dapat berpotensi memiliki kecepatan komputasi sebagaimana yang dimiliki oleh komputer kuantum.
Fairchild Semiconductor Pada tahun 1956, William Shockley mendirikan Shockley Semiconductor Laboratory sebagai salah satu divisi dari Beckman Instruments di Mountain View, California. Ia berencana untuk mengembangkan "dioda empat lapis" jenis baru yang dapat bekerja lebih cepat dan dapat diaplikasikan ke lebih banyak perangkat daripada transistor. Awalnya, ia berusaha mengajak beberapa mantan koleganya di Bell Labs untuk bergabung, namun tidak ada yang menerima ajakan Shockley saat itu. Shockley lalu merekrut beberapa lulusan institut teknik yang menurutnya terbaik di Amerika Serikat.
Raytheon Selama periode pasca perang, Raytheon juga membuat alat pemancar sinyal (transmitter) radio ataupun televisi. Pada dekade 1950an, Raytheon mulai memproduksi transistor, termasuk transistor CK722, yang ditujukan untuk para penggemar elektronik.
Listrik Peralatan elektronik menggunakan [[transistor]], salah satu penemuan terpenting pada abad ke-20, menjadi dasar dari semua rangkaian listrik modern. Sebuah [[rangkaian terintegrasi]] modern dapat berisi milyaran transistor mini dengan luas hanya beberapa sentimeter persegi.
Sirkuit terpadu Sejak tahun 1980an hingga saat ini, "very large-scale integration" (VLSI) telah diproduksi untuk banyak aplikasi. Pada awal tahun 1980an, jumlah transistor dalam sebuah chip berkisar beberapa ratus transistor dan mencapai beberapa miliar transistors pada tahun 2009.
Transistor memori Konsep dasar "Memory Transistor" sebenarnya sudah dikemukakan sejak tahun 1971 oleh peneliti dari University of Berkeley bernama Leon O. Chua. Namun baru tahun 2008 teknologi tersebut dikembangkan lagi di laboratorium penelitian Hewlett Packard.
Hukum Moore Meskipun Gordon Moore bukanlah penemu transistor atau IC, gagasan yang dilontarkannya mengenai kecenderungan peningkatan pemakaian jumlah transistor pada IC telah memberikan sumbangan besar bagi kemajuan teknologi informasi. Tanpa jasa Moore mungkin kita belum bisa menikmati komputer berkecepatan 3GHz seperti saat ini.
CMOS Baik transistor NMOS ataupun PMOS memiliki gerbang–sumber tegangan tahan. Desain CMOS yang beroperasi pada tegangan catu yang jauh lebih tinggi dari tegangan tahan (V lebih dari 5 V, dan V untuk transistor NMOS dan PMOS adalah 700 mV).