mteb/MIRACLReranking huggingface dataset:
धारा परिणामित्र घाव करेंट ट्रांसफार्मर - ट्रांसफार्मर प्राथमिक घुमावदार श्रृंखला में कंडक्टर के साथ शारीरिक रूप से जुड़ा हुआ है जो सर्किट में प्रवाहित मापा प्रवाह को वहन करता है। द्वितीयक धारा का परिमाण ट्रांसफार्मर के घुमाव अनुपात पर निर्भर है। Toroidal Current Transformer - इनमें एक प्राथमिक वाइंडिंग नहीं होती है। इसके बजाय, नेटवर्क में प्रवाहित होने वाली लाइन को टोरॉइडल ट्रांसफार्मर में एक खिड़की या छेद के माध्यम से पिरोया जाता है। कुछ करेंट ट्रांसफॉर्मर में एक "स्प्लिट कोर" होता है जो इसे सर्किट से डिस्कनेक्ट किए बिना खोलने, स्थापित करने और बंद करने की अनुमति देता है, जिससे वे जुड़े होते हैं। बार-टाइप करेंट ट्रांसफॉर्मर - इस प्रकार के करंट ट्रांसफॉर्मर मुख्य सर्किट के वास्तविक केबल या बस-बार का उपयोग प्राथमिक वाइंडिंग के रूप में करते हैं, जो एक सिंगल टर्न के बराबर है। वे सिस्टम के उच्च ऑपरेटिंग वोल्टेज से पूरी तरह से अछूता हैं और आमतौर पर करेंट ले जाने वाले उपकरण के लिए बोल्ट किए जाते हैं। करेंट ट्रांसफार्मर सामान्य ऑपरेशन के लिए या तो 5 एम्प्स या 1 एम्प के मानक अनुपात के हजारों एम्पियर से मौजूदा स्तर को कम या "चरण-नीचे" कर सकते हैं। इस प्रकार, छोटे और सटीक उपकरणों और नियंत्रण उपकरणों का उपयोग सीटी के साथ किया जा सकता है क्योंकि वे किसी भी उच्च-वोल्टेज बिजली लाइनों से दूर हैं। करेंट ट्रांसफार्मर के लिए विभिन्न प्रकार के मीटरिंग अनुप्रयोग और उपयोग होते हैं जैसे कि वाटमीटर, पावर फैक्टर मीटर, वाट-घंटे मीटर, सुरक्षात्मक रिले, या चुंबकीय सर्किट ब्रेकरों में यात्रा कॉइल, या एमसीबी के रूप में। करेंट ट्रांसफॉर्मर
जेनर डायोड एक जेनर डायोड लगभग यही गुण प्रदर्शित करता है, सिवाय इसके कि इस उपकरण को न्यूनीकृत भंग वोल्टेज के लिए डिज़ाइन किया गया है, तथाकथित जेनर वोल्टेज . एक जेनर डायोड में भारी मात्रा में डोप्ड पी एन जंक्शन सम्मिलित हैं जो इलेक्ट्रन को p-वर्ग पदार्थ के संयोजन बैंड से n-वर्ग पदार्थ के चालन बैंड तक टनल बनाने की अनुमति देते हैं। परमाणु पैमाने में, यह टनेलिंग, संयोजन बैंड इलेक्ट्रॉन के खाली चालन बैंड स्थिति में अंतरण से मेल रखता है; इसका कारण है, इन बैंडों के बीच घटित बाधा और उच्च बिजली क्षेत्र जो दोनों तरफ के अपेक्षाकृत उच्च स्तर की डोपिंग से प्रेरित होता है। एक रिवर्स-बायस्ड जेनर डायोड एक नियंत्रित भंग का प्रदर्शन करता है और बिजली को अनुमति देता है कि वह जेनर डायोड में वोल्टेज को जेनर वोल्टेज पर रखे । उदाहरण के लिए, यदि जेनर वोल्टेज से अधिक रिवर्स-बायस्ड वोल्टेज प्रयोग किया जाता है तो एक डायोड जिसका जेनर निपात वोल्टेज 3.2V है, 3.2 V वोल्टेज ड्रॉप का प्रदर्शन करेगा। हालांकि, बिजली असीमित नहीं है, इसलिए जेनर डायोड को आमतौर पर एक प्रवर्धक चरण के लिए एक संदर्भ वोल्टेज उत्पन्न करने या कम-बिजली अनुप्रयोगों के लिए एक वोल्टेज स्टेबलाइज़र के रूप में प्रयोग किया जाता है।
वोल्टता नियंत्रक लंबी एसी बिजली वितरण लाइनों पर वोल्टेज को नियंत्रित करने के लिए वोल्टेज नियामकों का एक तीन-चरण बैंक उपयोग किया जाता है। यह बैंक लकड़ी के पोल की संरचना पर बना हुआ है। प्रत्येक नियामक का वजन लगभग 1200 किलोग्राम है और इसे 576 kVA का दर्जा दिया गया है। डीसी वोल्टेज स्टेबलाइजर्स कई सरल डीसी बिजली की आपूर्ति या तो श्रृंखला या शंट नियामकों का उपयोग करके वोल्टेज को विनियमित करती है, लेकिन अधिकांश एक ज़ेनर डायोड, हिमस्खलन ब्रेकडाउन डायोड, या वोल्टेज नियामक ट्यूब जैसे शंट नियामक का उपयोग करके एक वोल्टेज संदर्भ लागू करते हैं। इन उपकरणों में से प्रत्येक एक निर्दिष्ट वोल्टेज पर आचरण करना शुरू कर देता है और एक गैर-आदर्श बिजली स्रोत से जमीन पर अक्सर अधिक वर्तमान को विचलन करके उस निर्दिष्ट वोल्टेज को अपने टर्मिनल वोल्टेज को रखने के लिए आवश्यक के रूप में अधिक वर्तमान का संचालन करेगा, जो अक्सर अपेक्षाकृत कम-मूल्य रोकनेवाला के माध्यम से होता है। अतिरिक्त ऊर्जा का प्रसार करें। बिजली की आपूर्ति केवल वर्तमान की अधिकतम मात्रा की आपूर्ति करने के लिए डिज़ाइन की गई है जो शंट विनियमन डिवाइस की सुरक्षित परिचालन क्षमता के भीतर है।
वोल्टता नियंत्रक विद्युत एसी विद्युत वितरण लाइनों पर वोल्टेज को विनियमित करने के लिए वोल्टेज स्टेबलाइजर्स या टैप-चेंजर्स नामक इलेक्ट्रोमैकेनिकल नियामकों का भी उपयोग किया गया है। ये रेगुलेटर एक टोमेट्रांसिज्म का उपयोग करके कई नलों के साथ एक ऑटोट्रांसफॉर्मर पर उपयुक्त नल का चयन करने के लिए या वाइपर को लगातार परिवर्तनीय ऑटो ट्रांसफोमर पर ले जाकर संचालित करते हैं। यदि आउटपुट वोल्टेज स्वीकार्य सीमा में नहीं है, तो servomechanism नल को स्विच करता है, ट्रांसफार्मर के घुमाव अनुपात को बदलकर, माध्यमिक वोल्टेज को स्वीकार्य क्षेत्र में स्थानांतरित करने के लिए। नियंत्रण एक मृत बैंड प्रदान करते हैं जिसमें नियंत्रक कार्य नहीं करेगा, नियंत्रक को लगातार वोल्टेज ("शिकार") को समायोजित करने से रोकता है क्योंकि यह स्वीकार्य रूप से छोटी राशि से भिन्न होता है।
धारा परिणामित्र एक चालू ट्रांसफार्मर, किसी भी अन्य ट्रांसफार्मर की तरह, एम्पी-टर्न समीकरण को संतुष्ट करना चाहिए और हम अपने ट्यूटोरियल से डबल घाव वोल्टेज ट्रांसफार्मर पर जानते हैं कि यह अनुपात समान है:
माइक्रोफोन धारिता परिवर्तन की समय-सीमा के भीतर (20 Hz ध्वनि संकेत पर अधिकतम 50 ms), आवेश प्रायोगिक रूप से स्थिर होता है और संधारित्र के पार तात्कालिक रूप से परिवर्तित होता वोल्टेज धारिता में हो रहे परिवर्तन को प्रतिबिंबित करता है। संधारित्र पर उपस्थित वोल्टेज अभिनत वोल्टेज से ऊपर और नीचे परिवर्तित होता रहता है। अभिनत और संधारित्र के बीच वोल्टेज का अंतर क्रमिक प्रतिरोधक पर दिखाई देता है। प्रतिरोधक पर स्थित वोल्टेज को प्रदर्शन या रिकॉर्डिंग के लिये परिवर्धित किया जाता है। RF संघनित्र माइक्रोफोन अपेक्षाकृत कम RF वोल्टेज का प्रयोग करते हैं, जो एक निम्न-शोर वाले दोलक द्वारा उत्पन्न किया जाता है। यह दोलक कैप्सूल के मध्यपट को हिलानेवाली ध्वनि तरंगों द्वारा उत्पन्न धारिता परिवर्तन द्वारा आयाम आपरिवर्तित होता है या यह कैप्सूल एक गुंजायमान परिपथ, जो दोलक संकेत की आवृत्ति को आपरिवर्तित करता है, का भाग भी हो सकती है। डिमॉड्यूलेशन बहुत कम स्रोत प्रतिबाधा के साथ कम-शोर वाला ध्वनि-आवृत्ति संकेत प्रदान करता है। एक उच्च अभिनत वोल्टेज की अनुपस्थिति कम तनाव वाले एक मध्यपट का प्रयोग करने की अनुमति देती है, जिसका प्रयोग उच्च अनुकूलता के कारण अधिक चौड़ी आवृत्ति प्रतिक्रिया प्राप्त करने के लिये किया जा सकता है। RF अभिनतीकरण (RF-biasing) की प्रक्रिया का परिणाम एक निम्न विद्युतीय प्रतिबाधा कैप्सूल के रूप में मिलता है, जिसका एक उपयोगी उपोत्पाद यह है कि RF संघनित्र माइक्रोफोनों को नमी-युक्त मौसम वाली परिस्थियों में भी संचालित किया जा सकता है, जो कि DC-अभिनत माइक्रोफोनों में समस्या उत्पन्न कर सकती है, जिनकी रोधक सतहें दूषित हो गईं हों. माइक्रोफोनों की सेन्हीज़र (Sennheiser) "MKH" श्रृंखला RF अभिनतीकरण तकनीक का प्रयोग करती है।
तापस्थापी लाइन वोल्टेज ऊष्मातापी का इस्तेमाल अधिकांशतः सामान्यतौर पर विद्युत क्षेत्र तापक के लिए होता है जैसे एक बेसबोर्ड तापक या एक सीधे-तारित विद्युत् भट्टी के लिए। अगर एक लाइन वोल्टेज ऊष्मातापी उपयोग किया जा रहा है तो तंत्र शक्ति (अमेरिका में, 120 या 240 वोल्ट) सीधे ऊष्मातापी द्वारा इस्तेमाल की जाती है। बदलते करेंट के साथ जो अक्सर 40 एम्पियर से अधिक हो जाता है, एक लाइन वोल्टेज परिपथ पर एक कम वोल्ट वाले ऊष्मातापी के इस्तेमाल का परिणाम, कम से कम ऊष्मातापी की विफलता और संभवतः आग लगना होगा। लाइन वोल्टेज ऊष्मातापी कभी-कभी दूसरे कार्यों में भी उपयोग किये जाते हैं जैसे कि पंखे की कॉयल का नियंत्रण (पंखे जिनमें नली वाली कॉयल जो कि एक बड़े तंत्र द्वारा या तो गर्म या ठंडी है के द्वारा लाइन वोल्टेज फैंकी जा रही है) केंद्रीय धौंकनियों और चिलर का उपयोग करते हुए एक बड़े तंत्र में एकत्रित होती है, या हाइड्रोनिक ऊष्मीय अनुप्रयोगों में परिसंचारक पंपों को नियंत्रित करने के लिए।
क्रिया विभव जैव-भौतिक स्तर पर, ऐक्शन पोटेंशिअल, विशेष प्रकार के वोल्टेज-गेटेड आयन चैनल से परिणामित होते हैं। झिल्ली क्षमता के बढ़ने के साथ, सोडियम आयन चैनल खुलता है, जो सोडियम आयनों को कोशिका में प्रविष्टि की अनुमति देता है। इसके बाद पोटेशियम आयन चैनल खुलते हैं जो कोशिका से पोटेशियम आयनों को बाहर निकलने की अनुमति देते हैं। सोडियम आयनों का अन्दर की ओर प्रवाह, कोशिका में धनात्मक रूप से चार्ज धनायन के संकेन्द्रण को बढ़ा देता है और विध्रुवण को प्रेरित करता है, जहां कोशिका की क्षमता, कोशिका की विश्राम क्षमता से अधिक होती है। सोडियम चैनल, ऐक्शन पोटेंशिअल के चरम पर बंद हो जाते हैं, जबकि पोटेशियम का कोशिका को छोड़ना जारी रहता है। पोटेशियम आयनों की समाप्ति, झिल्ली क्षमता को कम कर देती है या कोशिका को अति-ध्रुवीय कर देती है। विश्राम से अल्प वोल्टेज वृद्धि के लिए, पोटेशियम धारा, सोडियम धारा से अधिक हो जाती है और वोल्टेज अपने सामान्य विश्राम मान पर लौट आता है, आमतौर पर -70 mV. हालांकि, अगर वोल्टेज एक महत्वपूर्ण सीमा से आगे बढ़ जाता है, आम तौर पर विश्राम मान से 15 mV अधिक, तो सोडियम धारा हावी हो जाती है। यह एक सहज स्थिति को फलित करता है जहां सोडियम धारा से आने वाली धनात्मक प्रतिक्रिया और अधिक सोडियम चैनल को सक्रिय करती है। इस प्रकार, वह कोशिका एक ऐक्शन पोटेंशिअल को उत्पन्न करते हुए "फायर" करती है।
वोल्टता नियंत्रक औसत इनपुट वोल्टेज में भिन्नता को अवशोषित करने के लिए टैंक सर्किट के वर्ग लूप संतृप्ति विशेषताओं पर भरोसा करते हुए, सक्रिय घटकों की कमी के कारण फेरसोनेंट दृष्टिकोण आकर्षक है। संतृप्त ट्रांसफार्मर एक एसी बिजली की आपूर्ति को स्थिर करने के लिए एक सरल बीहड़ विधि प्रदान करते हैं।
क्रिया विभव विकास चरण की सकारात्मक प्रतिक्रिया धीमी हो जाती है और जब सोडियम आयन चैनल अधिकतम खुलते हैं तो वह रुक जाती है। ऐक्शन पोटेंशिअल के चरम पर, सोडियम पारगम्यता अधिकतम होती है और झिल्ली वोल्टेज "V" , सोडियम संतुलन वोल्टेज "E" के लगभग बराबर होता है। हालांकि, वही वर्धित वोल्टेज जिसने शुरू में सोडियम चैनल को खोला था, वही उनके पोरों को बंद करते हुए उन्हें धीरे-धीरे बन्द कर देता है; सोडियम चैनल "निष्क्रिय" हो जाते हैं। इससे सोडियम के लिए झिल्ली की पारगम्यता कम हो जाती है, जो झिल्ली वोल्टेज वापस नीचे कर देती है। उसी समय, वर्धित वोल्टेज, वोल्टेज के प्रति संवेदनशील पोटेशियम चैनल को खोलता है; झिल्ली की पोटेशियम पारगम्यता में वृद्धि "V" को "E" की ओर ले जाती है। संयुक्त रूप से, सोडियम और पोटेशियम पारगम्यता में इन परिवर्तनों के कारण Vm तेज़ी से नीचे गिर जाता है और झिल्ली को पुनर्ध्रुवित करता है और ऐक्शन पोटेंशिअल के "पतन चरण" को उत्पन्न करता है।
धारा परिणामित्र करेंट ट्रांसफार्मर को आनुपातिक करेंट उपकरणों के रूप में उपयोग करने का इरादा है। इसलिए एक करेंट ट्रांसफॉर्मर माध्यमिक वाइंडिंग को कभी भी एक खुले सर्किट में संचालित नहीं किया जाना चाहिए, जैसे कि एक वोल्टेज ट्रांसफार्मर को कभी भी शॉर्ट सर्किट में संचालित नहीं किया जाना चाहिए।
दिष्टकारी जब अधिक शक्ति का डीसी की आवश्यक होती है तो एक-फेजी विद्युत शक्ति के बजाय तीन-फेजी एसी को रेक्टिफाई करना अधिक उपयुक्त रहता है। इसके लिये ६-डायोड लगते हैं। उदाहरण के लिये आजकल के आटोमोबाइल्स (जैसे कार) में ३-फेजी अल्टरनेटर के साथ ३-फेजी ब्रिज दिष्टकारी लगा होता है जो बैटरी को चार्ज करने के लिये डीसी बनाता है।  उच्च वोल्टता (कई हजार वोल्ट) की डीसी प्राप्त करने के लिए वोल्टता-द्विगुणक (वोल्टेज डबलर) या 'वोल्टेज मल्टीप्लायर' का उप्योग किया जाता है। इससे कम ए.सी। वोल्टेज से भी बहुत अधिक डीसी वोल्टेज बनाने में मदद मिलती है। पी.डब्ल्यू.एम. ऋजुकारी (PWM Rectifier), इनपुट एसी को बहुत अधिक आवृत्ति पर बन्द-चालू करके डीसी बनाते हैं। इससे आउटपुट डीसी में रिपल की आवृत्ति बहुत अधिक (जैसे १०० किलोहर्ट्ज) होती है और इनपुट एसी से जो धारा ली जाती है वह भी लगभग साइन-आकार की होती है (हार्मोनिक्स बहुत कम होते हैं) । आजकल अधिक आवृत्ति पर बन्द-चालू किए जा सकने वाले मॉसफेट और आईजीबीटी आदि स्विचों की सुलभता के कारण इस प्रकार के ऋजुकारी उपयोग में आने लगे हैं।जिस ऋजुकारी के आउटपुट में रिपल की आवृत्ति अधिक होती है, उसको फिल्टर करने के लिए आवश्यक L और C का मान कम लगेगा (आकार छोटा होगा)। इसी लिए अधिक शक्ति की डीसी बनाने के लिए १२-पल्स, २४-पल्स या ४८-पल्स के ऋजुकारी उपयोग में लाये जाते हैं।
लेज़र प्रिंटर मुद्रित छवि के सकल कालेपन को आपूर्ति टोनर पर लागू किये गये उच्च वोल्टेज द्वारा नियंत्रित किया जाता है। आवेशित टोनर एक बार ड्रम की सतह के अंतर को पार कर लेता है, तो टोनर पर ऋणात्मक आवेश स्वतः ही आपूर्ति टोनर का प्रतिरोध करता है और अतिरिक्त टोनर को ड्रम पर जाने से रोकता है। यदि वोल्टेज कम हो, तो अधिक टोनर को स्थानांतरित होने से रोकने के लिये टोनर की केवल एक पतली परत की आवश्यकता होती है। यदि वोल्टेज अधिक हो, तो अधिक टोनर को ड्रम पर स्थानांतरित होने से रोकने के लिये ड्रम पर एक पतली परत बहुत कमज़ोर होती है। अधिक आपूर्ति टोनर ड्रम पर जाना तब तक जारी रखता है, जब तक कि ड्रम पर स्थित आवेश आपूर्ति टोनर का प्रतिरोध करने के लिये पुनः पर्याप्त रूप से उच्च न हो जायें. सबसे काली सेटिंग पर आपूर्ति टोनर का वोल्टेज पर्याप्त रूप से इतना उच्च होता है कि जहां अलिखित ड्रम आवेश अभी भी उपस्थित हो, वहां वह भी ड्रम पर परत चढ़ाना शुरु करेगा और पूरे पृष्ठ को एक काली छाया देगा।
जेफेट इसी चीज को दूसरे तरह से देखें तो हम पाते हैं कि सैचुरेशन रीजन में ड्रेन धारा, गेट-सोर्स वोल्टेज के बदलने पर बहुत अधिक बदलती है (जबकि तथाकथित 'लिनियर रीजन' में गेट-सोर्स वोल्टेज उतना ही बदलने पर ड्रेन धारा अपेक्षाकृत कम बदलती है।)
क्रिया विभव ऐक्शन पोटेंशिअल, सबसे आम रूप से प्रीसिनेप्टिक न्यूरॉन से उत्तेजक पोस्टसिनेप्टिक पोटेंशिअल द्वारा शुरू किये जाते हैं। आमतौर पर, तंत्रिकासंचारक अणु, प्रीसिनेप्टिक न्यूरॉन द्वारा जारी किये जाते हैं। ये तंत्रिकासंचारक इसके बाद पोस्टसिनेप्टिक कोशिका पर रिसेप्टर्स से बंध जाते है। यह बाइंडिंग, विभिन्न प्रकार के आयन चैनल को खोलती है। खोलने की इस प्रक्रिया के चलते कोशिका झिल्ली की स्थानीय पारगम्यता में परिवर्तन का प्रभाव फलित होता है और जिससे झिल्ली क्षमता में बदलाव आता है। यदि बाइंडिंग से वोल्टेज बढ़ जाता है (झिल्ली का विध्रुवण होता है) तो सिनेप्स उत्तेजक होता है। हालांकि, अगर यह बंधन वोल्टेज को कम कर देता है (झिल्ली का उच्च ध्रुवण होता है) तो यह निरोधात्मक होता है। वोल्टेज कम हो या बढ़े, यह परिवर्तन झिल्ली के आस-पास के क्षेत्रों में निष्क्रिय रूप से प्रसारित होता है (जैसा कि केबल समीकरण और इसके शोधन द्वारा वर्णित है)। आमतौर पर, वोल्टेज उद्दीपन, सिनेप्स से दूर होते हुए और तंत्रिकासंचारक के बंधन से समय के साथ घातांकीय रूप से क्षय होता है। उद्दीपन वोल्टेज का कुछ अंश अक्षतंतु गिरिका तक पहुंच सकता है और (दुर्लभ मामलों में) झिल्ली का इतना विध्रुवण करता है कि एक नया ऐक्शन पोटेंशिअल प्रेरित होता है। आम तौर पर कई सिनेप्सेस की उत्तेजक क्षमता को एक नए ऐक्शन पोटेंशिअल को प्रेरित करने के लिए एक ही समय में एक साथ काम करना चाहिए। उनके संयुक्त प्रयास को काउंटर-एक्टिंग निरोधात्मक पोस्टसिनेप्टिक पोटेंशिअल द्वारा नाकाम किया जा सकता है।
डायनेमो यह डायनेमो नहीं था क्योंकि इसमें कम्यूटेटर का उपयोग नहीं किया गया था। बहरहाल, फैराडे की डिस्क बहुत कम वोल्टेज उत्पन्न करती थी क्योंकि चुम्बकीय क्षेत्र में विद्युत धारा का केवल एक ही पथ प्रवाहित हो रहा था। फैराडे और अन्य लोगों ने पाया कि अगर तार को कई बार घुमाकर कुंडली बना दी जाये तो यह वाइनडिंग, उच्च और अधिक उपयोगी वोल्टेज उत्पन्न कर सकती है।  तार की वाइनडिंग्स में घेरों की संख्या को बदल कर कोई भी वांछित वोल्टेज आसानी से प्राप्त की जा सकती है। इसलिए इसी विशेषता का उपयोग बाद के जनरेटर के सभी डिजाइनों में किया गया, बस दिष्ट धारा के उत्पादन के लिए कम्यूटेटर के आविष्कार की आवश्यकता थी।
शक्ति गुणांक अर्थात शक्ति गुणांक अच्छा होने के लिये जरूरी है कि वोल्टेज और धारा के बीच में कलान्तर बहुत कम हो। जब धारा, वोल्टता से पीछे होती है (current lags voltage) तो इसे 'लैगिंग पॉवर फैक्टर' कहते हैं; जब धारा, वोल्टता से आगे होती है तो इसे 'लीडिंग पॉवर-फैक्टर' कहा जाता है। उद्योगों में इंडक्शन मोटर एवं अन्य प्रेरकत्व-युक्त लोडों के कारण शक्ति-गुणांक प्रायः पिछड़ा हुआ (लैगिंग) ही रहता है। किसी लोड द्वारा १ से बहुत कम शक्ति गुणांक पर विद्युत शक्ति लेना अच्छा नहीं माना जाता और अधिकतर बिजली आपूर्ति करने वाली कम्पनियाँ इसके लिये कुछ दण्ड का प्रावधान रखतीं हैं। कम शक्ति गुणांक का सीधा सा अर्थ यह है कि जो काम 'युटिलिटी' से कम धारा लेकर ही किया जा सकता उसके लिये अधिक धारा ली जा रही है। इस अधिक धारा लेने के कारण टान्समिशन लाइन में शक्ति-क्षय (पॉवर लॉस) बढ़ता है; ट्रान्सफार्मर, सर्किट ब्रेकर एवं अन्य चीजें अधिक रेटिंग की लगानी पड़तीं हैं।जब धारा साइनवक्रीय नहीं होती, उस समय धारा के फुर्ये श्रेणी (Fourier Series) के प्रथम हार्मोनिक के सन्दर्भ में शक्ति गुणक की बात की जाती है।
सीमॉस (CMOS) NMOS और PMOS दोनों ट्रांज़िस्टर्स में एक गेट-स्त्रोत सीमारेखा वोल्टेज (threshold voltage) होता है, जिसके नीचे उपकरण से प्रवाहित धारा (जिसे "उप-सीमारेखा [subthreshold]" धारा कहते हैं) बहुत अधिक घट जाती है। ऐतिहासिक रूप से, CMOS डिज़ाइन उनके सीमारेखा वोल्टेज से बहुत अधिक आपूर्ति वोल्टेज (V, 5V रहा होगा और NMOS तथा PMOS दोनों के लिये V, 700mVh रहा होगा) पर कार्य करते थे। लगभग शून्य सीमारेखा वोल्टेज वाला एक विशेष प्रकार का CMOS ट्रांज़िस्टर मूल (Native) ट्रांज़िस्टर है।
क्रिया विभव पोटेशियम के लिए प्रारंभिक झिल्ली पारगम्यता कम होती है, लेकिन अन्य आयनों से अधिक होती है, जो रेस्टिंग पोटेंशिअल को "E" ≈-75 mV के नज़दीक बना देती है। यह विध्रुवण, झिल्ली में सोडियम और पोटेशियम, दोनों चैनलों को खोलता है और आयनों को क्रमशः अक्षतंतु के अन्दर और बाहर प्रवाहित होने की अनुमति देता है। अगर विध्रुवण छोटा है (मान लीजिये, "V" को -70 mV से बढ़ाते हुए -60 mV करना) बाहर जाती पोटेशियम धारा आवक सोडियम धरा को अभिभूत कर देती है और झिल्ली अपने सामान्य रेस्टिंग पोटेंशिअल, -70 mV के आसपास विध्रुवित हो जाती है। हालांकि, अगर विध्रुवण काफी बड़ा है, तो आवक सोडियम धारा, जावक पोटेशियम धारा से अधिक हो जाती है और एक भगोड़ा स्थिति (धनात्मक प्रतिक्रिया) उत्पन्न होती है: जितना ज्यादा आवक धारा होगी उतना ही अधिक "V" बढ़ जाता है, जो बदले में आवक धारा को और अधिक बढ़ा देता है। एक पर्याप्त मजबूत विध्रुवण ("V" में वृद्धि) वोल्टेज के प्रति संवेदनशील सोडियम चैनलों को खोलता है; सोडियम के प्रति बढ़ती पारगम्यता "V" को सोडियम संतुलन वोल्टेज "E" ≈ +55 mV के करीब ले जाती है। बदले में बढ़ता वोल्टेज और अधिक सोडियम चैनलों को खोलता है, जो "V" को "E" की दिशा में और अधिक धकेलता है। यह धनात्मक प्रतिक्रिया तब तक जारी रहती है जब तक कि सोडियम चैनल पूरी तरह नहीं खुलते हैं और "V" , E के नज़दीक नहीं हो जाता. "V" और सोडियम पारगम्यता में तेज वृद्धि ऐक्शन पोटेंशिअल के "विकास चरण" के अनुरूप होती है।
वोल्टता नियंत्रक फेरोंसोनेंट ट्रांसफार्मर, जिन्हें कॉन्स्टेंट वोल्टेज ट्रांसफॉर्मर (सीवीटी) या फेरोस के रूप में भी जाना जाता है, वे भी अच्छे सर्ज सप्रेसर्स हैं, क्योंकि वे उच्च अलगाव और अंतर्निहित शॉर्ट-सर्किट सुरक्षा प्रदान करते हैं।
जेनर डायोड जेनर डायोड एक प्रकार का [डायोड] है जो एक साधारण डायोड की तरह [विद्युत प्रवाह(बिजली)] को आगे की दिशा में बहने की ही नहीं बल्कि यदि वोल्टेज, [ब्रेकडाउन वोल्टेज] से, जिसे "जेनर नी वोल्टेज" या "जेंनेर वोल्टेज" भी कहा जाता है, ज्यादा हुआ तो उलटी दिशा में भी बहने की अनुमति देता है। इस उपकरण को [क्लारेन्स जेनर|क्लारेंस जेनर]के नाम पर नामित किया गया है, जिसने इस विद्युत गुण की खोज की।
विद्युत स्विचगीयर कम वोल्टेज के लिए स्विचगियर पूरी तरह से एक इमारत के भीतर संलग्न किया जा सकता है। उच्च वोल्टेज (लगभग 66 केवी से अधिक) के लिए, स्विचगियर आमतौर पर बाहर घुड़सवार होता है और हवा द्वारा इन्सुलेट किया जाता है, हालांकि इसके लिए बड़ी मात्रा में स्थान की आवश्यकता होती है। गैस-इन्सुलेटेड स्विचगियर एयर इन्सुलेटेड उपकरण की तुलना में अंतरिक्ष बचाता है, हालांकि उपकरण की लागत अधिक है। तेल इन्सुलेट स्विचगियर एक तेल फैलाने का खतरा प्रस्तुत करता है।
धारा परिणामित्र बहुत उच्च वोल्टेज एक चालू विद्युत ट्रांसफार्मर के माध्यमिक सर्किट को खोलने के परिणामस्वरूप होगा, ताकि उनके टर्मिनलों को शॉर्ट-सर्कुलेट किया जाना चाहिए यदि सिस्टम को पावर करने से पहले एमीटर को हटाया जाना है या जब सीटी उपयोग में नहीं है।
पेंटियम 4 (Pentium 4) डेस्कटॉप पेंटियम 4 के विपरीत पेंटियम 4-एम में एक एकीकृत ताप विस्तारक (इंटिग्रेटेड हीट स्प्रेडर) (आईएचएस) की सुविधा नहीं थी क्योंकि इसमें वोल्टेज कम है। कम वोल्टेज का मतलब एक कम प्रतिरोध (रेसिस्टेंस) भी है और बदले में कम ताप उत्पन्न होता है। हालांकि इंटेल के विनिर्देशों के अनुसार पेंटियम 4-एम में 100 डिग्री का एक थर्मल जंक्शन तापमान मौजूद था, दूसरे शब्दों में यह डेस्कटॉप पेंटियम 4 से लगभग 40 डिग्री अधिक था। यह इस तथ्य के कारण है कि इसमें एक आईएचएस मौजूद नहीं है लेकिन साथ ही साथ बहुत सी कूलिंग प्रणालियाँ सीपीयू को काफी कम तापमानों पर संचालित करने में सक्षम थीं।
क्रिया विभव वर्धित वोल्टेज ने सामान्य से कई अधिक पोटेशियम चैनल खोल दिए और इनमें से कुछ तुरंत उस वक्त बंद नहीं हो गए जब झिल्ली अपने सामान्य विश्राम वोल्टेज में वापस आ गई। इसके अलावा, ऐक्शन पोटेंशिअल के दौरान, कैल्शियम आयनों के प्रवाह की प्रतिक्रिया में अन्य पोटेशियम चैनल खुल गए। झिल्ली की पोटेशियम पारगम्यता, क्षणिक रूप से असामान्य रूप से अधिक होती है, जो झिल्ली वोल्टेज "V" को पोटेशियम संतुलन वोल्टेज "E" के नज़दीक ले आती है। इसलिए, वहां एक अंडरशूट या उच्चध्रुवीकरण होता है, जिसे तकनीकी भाषा में आफ्टरहाइपरपोलराईज़ेशन कहा जाता है, जो तब तक चलता है जब तक कि झिल्ली की पोटेशियम पारगम्यता अपने सामान्य मूल्य पर नहीं आ जाती.
सीमॉस (CMOS) दूसरी ओर, जब इनपुट A का वोल्टेज उच्च होता है, तो PMOS ट्रांज़िस्टर ऑफ (उच्च प्रतिरोध) अवस्था में होता है, अतः यह धनात्मक आपूर्ति से आउटपुट तक प्रवाहित हो रही धारा को सीमित कर देगा, जबकि NMOS ट्रांज़िस्टर ऑन (निम्न प्रतिरोध) अवस्था में है, जिससे आउटपुट को धरातल की ओर जाने की अनुमति मिलती है। चूंकि Q और धरातल के बीच प्रतिरोध कम है, अतः Q को धरातल से ऊपर रखने पर Q में जाने वाली धारा के वोल्टेज में गिरावट कम होती है। इस कम गिरावट के कारण आउटपुट एक निम्न वोल्टेज प्रदर्शित करता है।
वोल्टता नियंत्रक यदि स्टेबलाइजर को अधिक शक्ति प्रदान करनी चाहिए, तो शंट रेगुलेटर आउटपुट का उपयोग केवल इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस के लिए मानक वोल्टेज संदर्भ प्रदान करने के लिए किया जाता है, जिसे वोल्टेज स्टेबलाइजर के रूप में जाना जाता है। वोल्टेज स्टेबलाइजर इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस है, जो मांग पर बहुत बड़ी धाराओं को वितरित करने में सक्षम है।
क्रिया विभव कोशिका झिल्ली उस बाधा के रूप में कार्य करती है जो अंदर के विलय (अंतरकोशिकीय द्रव) को बाहर के विलय (बाह्यकोशिकीय द्रव) से मिश्रित होने से रोकती है। इन दो विलयों में उनके आयनों का भिन्न संकेन्द्रण है। इसके अलावा, संकेन्द्रण में यह अंतर, विलय के चार्ज में भिन्नता को फलित करता है। इससे एक ऐसी परिस्थिति पनपती है जहां एक विलय दूसरे विलय से अधिक धनात्मक होता है। इसलिए, धनात्मक आयन, ऋणात्मक विलय की दिशा में खिंचने लगते हैं। इसी तरह, ऋणात्मक आयन, धनात्मक विलय की दिशा में खिंचने लगते हैं। इस गुण के मापन के लिए, एक व्यक्ति किसी भी तरह इस सापेक्ष धनात्मकता (या ऋणात्मकता) को पकड़ना चाहेगा. यह करने के लिए, बाहर के विलय को शून्य वोल्टेज के रूप में सेट किया जाता है। तब अंदरूनी वोल्टेज और शून्य वोल्टेज के बीच अंतर निर्धारित होता है। उदाहरण के लिए, यदि बाहरी वोल्टेज 100 mV है और अंदरूनी वोल्टेज 30 mV है, तो अंतर -70 mV है। यही अंतर है जिसे सामान्यतः झिल्ली क्षमता के रूप में सन्दर्भित किया जाता है।
विद्युत स्विचगीयर अतिरिक्त उच्च वोल्टेज, अति उच्च वोल्टेज (230 केवी से अधिक)
सीमॉस (CMOS) वोल्टेज स्रोत या धरातल (ground) से आउटपुट तक पथों के निर्माण के लिये p-प्रकार और n-प्रकार के धातु-आक्साइड-अर्धचालक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांज़िस्टर्स का प्रयोग ही CMOS परिपथों को लॉजिक गेट्स के क्रियान्वयन की अनुमति देने वाला मुख्य सिद्धांत है। जब आउटपुट तक जाने वाला कोई पथ वोल्टेज स्रोत से निर्मित किया जाता है, तो परिपथ को ऊपर की ओर खिंचा हुआ (pulled up) कहा जाता है। अन्य परिपथ अवस्था तब उत्पन्न होती है, जब आउटपुट तक जाने वाला कोई पथ धरातल से निर्मित किया जाता है और आउटपुट को संभाव्य धरातल (ground potential) तक नीचे लाया जाता (pulled down) है। CMOS परिपथों का निर्माण इसलिये किया जाता है ताकि सभी PMOS ट्रांज़िस्टर्स में अनिवार्य रूप से वोल्टेज स्रोत या किसी अन्य PMOS ट्रांज़िस्टर से प्राप्त इनपुट ही हो. इसी प्रकार सभी NMOS ट्रांज़िस्टर्स में भी अनिवार्य रूप से धरातल या किसी अन्य NMOS ट्रांज़िस्टर से प्राप्त इनपुट ही होना चाहिये. एक PMOS ट्रांज़िस्टर की रचना एक निम्न गेट वोल्टेज लागू किये जाने पर अपने स्रोत और गंतव्य संपर्कों के बीच एक निम्न प्रतिरोध तथा उच्च गेट वोल्टेज लागू करने पर उच्च प्रतिरोध निर्मित करती है। दूसरी ओर, किसी NMOS ट्रांज़िस्टर की रचना स्रोत व गंतव्य के बीच निम्न ग़ेट वोल्टेज लागू करने पर उच्च प्रतिरोध और उच्च गेट वोल्टेज लागू करने पर निम्न प्रतिरोध उत्पन्न करती है।
स्पार्क प्लग यह प्लग, प्रज्वलन कॉयल या चुंबक जनित उच्च वोल्टेज से जुड़ा हुआ होता है। जब इलेक्ट्रॉन तार से प्रवाहित होते हैं, तब केंद्रीय इलेक्ट्रोड और साइड इलेक्ट्रोड के बीच एक वोल्टेज अंतर विकसित होता है। कोई बिजली प्रवाहित नहीं होती है क्योंकि अंतराल में जो ईंधन और हवा होती है वह एक विसंवाहक होती है, लेकिन जैसे ही वोल्टेज आगे ऊपर जाता है, तो इससे इलेक्ट्रोड के बीच की गैसों की संरचना बदलनी शुरू हो जाती है। एक बार वोल्टेज के गैसों की असंवाहक शक्ति से अधिक बढ़ जाने से, गैसें आयनीकृत बन जाती हैं। आयनीकृत गैस एक चालक बन जाती है और इलेक्ट्रॉनों को दरारों में प्रवाहित होने की अनुमति देती है। स्पार्क प्लगों को ठीक तरीके से सुलगने के लिए आमतौर पर 12,000-25,000 वोल्ट या अधिक की आवश्यकता होती है, हालांकि यह 45000 वोल्ट तक जा सकता है। प्रवाह प्रक्रिया के दौरान वे उच्च बिजली की आपूर्ति करते हैं जिसके परिणामस्वरूप गर्म और लंबी अवधि की चिंगारी फलित होती है।
प्रवर्धक शक्ति प्रवर्धक का कार्य वोल्टेज प्रवर्धक से प्राप्त आउटपुट को शक्ति प्रदान करना है।माइक्रोफोन द्वारा प्राप्त विद्युत तरंग को वोल्टेज एम्पलीफायर प्रवर्धित करता है, इसे सीधे लाउडस्पीकर को देने पर यह पुन: इन्हे ध्वनि तरंगो मे बदल नही पायेगा। अतः वोल्टेज प्रवर्धक से प्राप्त आउटपुट को एक शक्ति प्रवर्धक को दिया जाता है। जिससे लाउडस्पीकर को संचालित करने योग्य पावर प्राप्त हो जाता है।
जेनर डायोड जेनर डायोड का व्यापक रूप से प्रयोग एक सर्किट में वोल्टेज को नियंत्रित रखने के लिए किया जाता है। रिवर्स-बायस्ड करने के लिए जब इसे एक परिवर्ती वोल्टेज के स्रोत के साथ समानांतर रूप से जोड़ा जाता है तो वोल्टेज, डायोड के रिवर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज तक पहुंचने से जेनर डायोड संचालित होता है। उस बिंदु से वह वोल्टेज को उसी मूल्य पर रखता है।
एच सेतु एच सेतु (H-bridge) एक इलेक्ट्रॉनिक परिपथ है जो इसमें लगी चार स्विचों के द्वारा लोड को दिए जाने वाले वोल्टेज की पोलारिटी (polarity) को बदलने का कार्य करती है। अर्थात इसके द्वारा लोड को इच्छानुसार धनात्मक वोल्टेज या ऋणात्मक वोल्टेज दिया जा सकता है। उदाहरण के लिए, इसकी सहायता से किसी डी सी मोटर को धनात्मक या ऋणात्मक वोल्टेज देकर इसे सीधी (forwards ) या उल्टी (backwards) दिशा में घुमाया जा सकता है। एच-सेतु का उपयोग एकल फेजी इन्वर्टर बनाने में भी किया जाता है। वास्तव में, अधिकांश इन्वर्टर, एसी-से-एसी-परिवर्तक, डीसी-से-डीसी पुश-पुल परिवर्तक, अधिकांश मोटर कन्ट्रोलर तथा शक्ति इलेक्ट्रॉनिकी में प्रयुक्त अनेकों अन्य परिपथ, एच-सेतु का उपयोग करते हैं।
आटोट्रान्सफार्मर आटोट्रान्सफॉर्मर में एक ही वाइण्डिंग होती है जिसके दो सिरों के अलावा बीच में भी एक या अधिक ट्रमिनल होते हैं। प्राइमरी (फिक्स्ड वोल्टेज) को दो अन्तिम छोरों के बीच लगाया जाता है। आउटपुट वोल्टेज बीच के किसी टर्मिनल और एक अन्तिम सिरे के बीच लिया जाता है। (चित्र देखें) इस ट्रांसफॉर्मर की पूरी वाइण्डिंग के प्रत्येक टर्न (घेरे) में समान वोल्टेज होता है, चाहे वह टर्न प्राइमरी में हो या सेकेण्डरी (आउटपुट) में। आटोट्रान्सफॉर्मर में प्राइमरी से कुछ धारा सीधे लोड को चली जाती है।
वोल्टता नियंत्रक क्योंकि यह एक आउटपुट वोल्टेज तरंग, पुन: उत्पादन विकृति को पुन: उत्पन्न करता है, जो आमतौर पर 4% से कम होता है, जो किसी भी इनपुट वोल्टेज विरूपण से स्वतंत्र है, जिसमें खुजली भी शामिल है।
तापस्थापी ज्यादातर आधुनिक गर्म/ठंडे/ ऊष्ण पंप ऊष्मातापी कम वोल्टेज (आमतौर पर 24 वोल्ट AC) नियंत्रण परिपथ पर प्रचालित होते हैं। 24 वोल्ट AC शक्ति का स्रोत एक नियंत्रण ट्रांसफोर्मर होता है जो गर्म/ठंडा करने वाले उपकरण के हिस्से के रूप में स्थापित होता है। कम वोल्टेज नियंत्रण प्रणाली का लाभ इसके कई विद्युतयांत्रिकी स्विचन उपकरणों जैसे कि रिले, संपर्ककों और क्रमकों को स्वाभाविक सुरक्षित वोल्टेज और करंट स्तरों का उपयोग कर प्रचालित करने की क्षमता है। ऊष्मातापी में प्रत्याशा का उपयोग कर बढ़े तापमान को नियंत्रित करने का एक प्रावधान निर्मित है। ऊष्मीय उपकरण के संचालन के दौरान एक ऊष्ण एंटीसिपेटर, संवेदन तत्व के लिए एक छोटी मात्रा में अतिरिक्त उष्मा उत्पन्न करता है। यह ऊष्मीय संपर्कों को थोड़ा जल्दी खोल देता है ताकि स्थान का तापमान, ऊष्मातापी की व्यवस्थाओं से अतिउच्च ना हो जाए. एक यांत्रिक ऊष्मा एंटीसिपेटर सामान्यतया समायोज्य होता है और तंत्र के संचालित होने के समय उसे ऊष्मीय नियंत्रण परिपथ पर करंट प्रवाह पर स्थित होना चाहिए। ठंडक उपकरण के बंद होने के दौरान एक ठंडक एंटीसिपेटर संवेदन तत्व के लिए एक छोटी मात्रा में अतिरिक्त ऊष्मा उत्पन्न करता है। यह, संपर्कों द्वारा ठंडक उपकरण को थोड़ा जल्दी ऊर्जावान बना देने को प्रेरित करता है जो स्थान के तापमान को आवश्यकता से अधिक चढ़ने से रोकता है। ठंडक एंटीसिपेटर सामान्यतया असमायोज्य होते हैं। विद्युतयांत्रिकीय ऊष्मातापी एंटीसिपेटर के तौर पर प्रतिरोधी उपयोग करते हैं। ज्यादातर विद्युतीय ऊष्मातापी एंटीसिपेटर कार्य के लिए या तो थर्मिस्टर उपकरणों या समाकलित तर्क तत्वों का उपयोग करते हैं। कुछ विद्युतीय ऊष्मातापियों में बाहर के तापमान के आधार पर एक चर एंटीसिपेटर उपलब्ध कराते हुए थर्मिस्टर एंटीसिपेटर बाहर स्थित हो सकता है। ऊष्मातापी संवर्धन में शामिल है बाहरी तापमान प्रदर्शन, कार्यक्रम बनाने की योग्यता और तंत्र की गलती का संकेतन. मेन पॉवर बंद हो जाने पर जबकि 24 वोल्ट के ये ऊष्मातापी एक भट्टी को चलाने में अक्षम हो जाते हैं, ज्यादातर भट्टियों को गर्म हवा के पंखों (और कई बार गर्म-सतह या विद्युतीय चिंगारी प्रज्वलन भी) के लिए मेन पॉवर की जरूरत होती है ताकि कोई कार्य बंद ना हो। दूसरी परिस्थितियों में चालित दीवार और "गुरुत्व" (पंखाहीन) जमीन और केंद्रीय ऊष्मक जैसे कम वोल्टेज तंत्र जो पूर्व-वर्णित हैं तब भी कार्य करने मेन सक्षम हो सकते हैं जब बिजली अनुपलब्ध हो।अ-क्षेत्रिय (प्रारूपिक आवासीय, पूरे घर के लिए एक ऊष्मातापी) तंत्रों के साथ, जब ऊष्मातापी के R (या Rh) और W टर्मिनल जुड़े होते हैं, तो भट्टी अपनी शुरू होने की प्रक्रिया से गुजरती है और ऊष्मा उत्पन्न करती है।
वोल्टता नियंत्रक इसके द्वारा नियंत्रित वोल्टता मिलने से जो युक्तियाँ चलती हैं वे खराब नहीं होतीं एवं अपना काम भी नियत तरीके से करती हैं। उदाहरण के लिये जिन गाँवों में सप्लाई वोल्टेज बहुत घटता-बढ़ता रहता है वहाँ Voltage Stabilizer का उपयोग किया जाता है, ये बिजली से चलने वाली वस्तुओं की Voltage के उतार चढ़ाव से सुरक्षित रखता है जनरेटर के लिए वोल्टेज नियामक। जनरेटर, जैसा कि पावर स्टेशनों में या स्टैंडबाय पावर सिस्टम में उपयोग किया जाता है, में अपने वोल्टेज को स्थिर करने के लिए ऑटोमैटिक वोल्टेज रेगुलेटर (AVR) होगा, क्योंकि जेनरेटर में लोड पर बदलाव होता है। जनरेटर के लिए पहले स्वचालित वोल्टेज नियामक विद्युत प्रणाली थे, लेकिन एक आधुनिक एवीआर ठोस-राज्य उपकरणों का उपयोग करता है। एक AVR एक प्रतिक्रिया नियंत्रण प्रणाली है जो जनरेटर के आउटपुट वोल्टेज को मापता है, उस आउटपुट को एक निर्धारित बिंदु से तुलना करता है, और एक त्रुटि संकेत उत्पन्न करता है जिसका उपयोग जनरेटर के उत्तेजना को समायोजित करने के लिए किया जाता है। जैसे-जैसे जनरेटर की फील्ड वाइंडिंग में एक्साइटमेंट करंट बढ़ता है, वैसे-वैसे इसका टर्मिनल वोल्टेज बढ़ता जाएगा। AVR विद्युत इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों का उपयोग करके वर्तमान को नियंत्रित करेगा; आम तौर पर जनरेटर के आउटपुट का एक छोटा सा हिस्सा फ़ील्ड वाइंडिंग के लिए वर्तमान प्रदान करने के लिए उपयोग किया जाता है। जहां एक जनरेटर अन्य स्रोतों के साथ समानांतर में जुड़ा हुआ है जैसे कि विद्युत संचरण ग्रिड, जनरेटर को उसके टर्मिनल वोल्टेज की तुलना में जनरेटर द्वारा उत्पादित प्रतिक्रियात्मक शक्ति पर प्रभाव को बदलने से अधिक होता है, जो कि ज्यादातर कनेक्टेड पावर सिस्टम द्वारा निर्धारित होता है। जहां कई जनरेटर समानांतर में जुड़े होते हैं, एवीआर सिस्टम में सभी जनरेटर एक ही शक्ति कारक पर काम करना सुनिश्चित करने के लिए सर्किट होंगे। [१] ग्रिड से जुड़े पावर स्टेशन जनरेटर पर AVRs के पास अतिरिक्त लोड करने की सुविधा हो सकती है ताकि अचानक लोड लॉस या दोष के कारण अपसेट के खिलाफ विद्युत ग्रिड को स्थिर करने में मदद मिल सके।
गन्न डायोड इसका आंतरिक निर्माण अन्य डायोडों के विपरीत है, इसमें केवल एन-डीपीड अर्धचालक पदार्थ होते हैं, जबकि ज्यादातर डायोड में दोनों पी और एन-डोपड क्षेत्र शामिल होते हैं। इसलिए यह केवल एक दिशा में नहीं आती है और अन्य डायोड की तरह वर्तमान में सुधार नहीं कर सकती है, यही वजह है कि कुछ स्रोत डायोड शब्द का प्रयोग नहीं करते हैं, लेकिन टेड पसंद करते हैं। गन डायोड में, तीन क्षेत्र मौजूद हैं: उनमें से दो प्रत्येक टर्मिनल पर भारी एन-डाइप किए गए हैं, जिसमें हल्के ढंग से एन-डाइडेड सामग्री की एक पतली परत होती है। जब एक वोल्टेज को डिवाइस पर लागू किया जाता है, तो पतली मध्यम परत में विद्युत ढाल सबसे बड़ा होगा। यदि वोल्टेज बढ़ जाता है, तो परत के माध्यम से वर्तमान में पहली वृद्धि होगी, लेकिन अंत में, उच्च क्षेत्रीय मूल्यों पर, मध्य परत के प्रवाहकीय गुण बदल जाते हैं, इसकी प्रतिरोधकता बढ़ती जा रही है, और वर्तमान में गिरावट आती है। इसका मतलब है कि एक गन डायोड में इसकी वर्तमान-वोल्टेज विशेषता वक्र में नकारात्मक अंतर प्रतिरोध का क्षेत्र है, जिसमें लागू वोल्टेज की वृद्धि वर्तमान में कमी का कारण बनती है। यह प्रॉपर्टी इसे रेडियो आवृत्ति एम्पलीफायर के रूप में कार्य करने, अस्थिर और अस्थिर होने और डीसी वोल्टेज के साथ पूर्वाग्रहित होने पर इसे बढ़ाना देती है।
सीमॉस (CMOS) अधिक जटिल तार्किक कार्यों, जैसे AND तथा OR गेट्स को शामिल करने वाले कार्य, के लिये तर्क को प्रदर्शित करने हेतु गेट्स के बीच पथ में परिवर्तन करने की आवश्यकता होती है। जब किसी पथ में क्रमिक (series) रूप से लगे दो ट्रांज़िस्टर्स शामिल होते हैं, तो दोनों ट्रांज़िस्टर्स में अपने संबंधित आपूर्ति वोल्टेज के प्रति निम्न प्रतिरोध होना चाहिये, जो एक AND का निर्माण करता है। जब किसी पथ में समानांतर (parallel) रूप से लगे दो ट्रांज़िस्टर्स शामिल होते हैं, तो आपूर्ति वोल्टेज को आउटपुट से जोड़ने के लिये दोनों में से किसी एक में या दोनों ट्रांज़िस्टर्स में निम्न वोल्टेज होना चाहिये, जो एक OR का निर्माण करता है।
डायक डायक (DIAC) एक इलेक्ट्रॉनिक युक्ति है जिसमें तब धारा प्रवाह होता है जब थोड़ी देर के लिए उसके सिरों के बीच का वोल्टेज उसके ब्रेकओवर वोल्टेज, V से अधिक हो जाता है। DIAC, 'डायोड फॉर एसी करेन्ट' का लघुरूप है।
वोल्टता नियंत्रक आपूर्ति आवृत्ति में प्रत्येक 1% परिवर्तन के लिए आउटपुट वोल्टेज 1.2% के बारे में भिन्न होता है। उदाहरण के लिए, जनरेटर आवृत्ति में एक 2 हर्ट्ज परिवर्तन, जो बहुत बड़ा है, केवल 4% के आउटपुट वोल्टेज में परिवर्तन होता है, जिसका अधिकांश भारों पर बहुत कम प्रभाव पड़ता है।
जेफेट जंक्शन गेट फिल्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर (junction gate field-effect transistor / JFET) तीन सिरों (टर्मिनल) वाली एक अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिक युक्ति (डिवाइस) है जो इलेक्ट्रॉनिक प्रवर्धक, इलेक्ट्रॉनिक स्विच आदि के रूप में प्रयुक्त होती है। जेफेट, एक सरल प्रकार का क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर है। जेफेट, एक वोल्टेज से नियन्त्रित युक्ति है (जबकि बीजेटी धारा-नियन्त्रित युक्ति है)। इसका अर्थ यह है कि जेफेट की ड्रेन-सोर्स धारा को गेट और सोर्स के बीच उपयुक्त वोल्टेज लगाकर नियंत्रित किया जाता है। यह युक्ति गेट में बहुत कम धारा लेती है (माइक्रो अम्पीयर से लेकर पिको अम्पीयर तक)। इसी बात को यों कह सकते हैं कि जेफेट का इनपुट इम्पीडेन्स (गेट और सोर्स के बीच इम्पीडेन्स) बहुत अधिक होता है (कभी-कभी तो 10 ओम या उससे भी अधिक)।
जेनर डायोड आधुनिक निर्माण तकनीक ने 5.6 V से कम वोल्टेज वाले नगण्य तापमान गुणांक के उपकरणों का उत्पादन किया है, लेकिन जब उच्च वोल्टेज उपकरणों का सामना किया गया तो तापमान गुणांक प्रभावशाली रूप से बढ़ जाता है। एक 75V के डायोड में 12V के डायोड के गुणांक से 10 गुना ज्यादा है।
वोल्टता नियंत्रक जब चल कॉइल को निश्चित कॉइल के लंबवत स्थित किया जाता है, तो चल कॉइल पर काम करने वाले चुंबकीय बल एक दूसरे से बाहर निकलते हैं और वोल्टेज आउटपुट अपरिवर्तित रहता है। केंद्र की स्थिति से एक दिशा या दूसरे में कॉइल को घुमाए जाने से माध्यमिक जंगम कॉइल में वोल्टेज में वृद्धि या कमी होगी।
वैद्युत आर्क वैद्युत आर्क (electric arc या arc discharge) गैस का विद्युत भंजन (electrical breakdown) जिससे लगातार विद्युत विसर्जन होता रहता है। हवा आदि जो सामान्यतः अचालक माध्यम हैं, उनके भंजन से प्लाज्मा पैदा होता है। प्लाज्मा से दृष्य प्रकाश निकलता है। आर्क निकलने के बाद वोल्टेज कम हो जाता है तथा यह वोल्टेज, ग्लो विसर्जन के लिए आवश्यक वोल्टता से कम होता है। यह इलेक्ट्रोडों से इलेक्ट्रानों के तापायनिक उत्सर्जन के कारण होता है।
जेनर डायोड एक पारंपरिक ठोस-अवस्था वाला डायोड पर्याप्त बिजली की अनुमति नहीं देगा यदि वह रिवर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज से नीचे रिवर्स-बायस्ड है। जब रिवर्स-बायस्ड ब्रेकडाउन वोल्टेज बढ़ जाता है, तो ऐवलांश ब्रेकडाउन के कारण एक पारंपरिक डायोड उच्च बिजली के अधीन हो जाता है। यदि यह विद्युत प्रवाह बाह्य परिपथाकार द्वारा सीमित नहीं किया जाता, तो यह डायोड स्थायी रूप से क्षतिग्रस्त हो जाता है। भारी मात्रा में फोरवर्ड बायस्ड की अवस्था में (तीर की दिशा में विद्युत), डायोड अपने जंक्शन अन्तस्थ वोल्टेज और आंतरिक प्रतिरोध के कारण वोल्टेज में गिरावट प्रदर्शित करता है। वोल्टेज की गिरावट की राशि, अर्धचालक पदार्थ और डोपिंग सांद्रता पर निर्भर करती है।
क्ष-किरण उत्पन्न एक्स-रे के फोटॉन की अधिकतम ऊर्जा घटित  इलेक्ट्रॉन की ऊर्जा द्वारा सीमित होती है, जो नली के वोल्टेज के बराबर होता है, इसलिए 80 केवी वाली एक नली 80 किलो इलेक्ट्रो वोल्ट अधिक ऊर्जा वाली एक्स-रे का निर्माण नहीं कर सकती है। जब इलेक्ट्रॉन, लक्ष्य पर प्रहार करते हैं, तब दो अलग-अलग परमाण्विक प्रक्रियाओं द्वारा एक्स-रे का निर्माण होता है: इसलिए एक नली के परिणामी उत्पाद में नली के वोल्टेज पर शून्य तक गिरने वाला एक सतत ब्रेम्सस्ट्रॉलंग वर्णक्रम और साथ में अभिलाक्षणिक रेखाओं पर कई स्पाइक होते हैं। नैदानिक एक्स-रे नलियों में प्रयुक्त वोल्टेज और इस तरह एक्स-रे की उच्चतम ऊर्जा लगभग 20 से 150 केवी तक होती है।
द्विफेज प्रणाली द्विफेज वोल्टेज प्राप्त करने के लिए द्विफेजी जनित्र का उपयोग किया जा सकता है। इसके अलावा दो एकल-फेजी ट्रान्सफरों को 'स्कॉट संयोजन करके तीन फेज वोल्टेज से द्विफेज वोल्टेज प्राप्त किया जा सकता है।
विद्युत वाहन यदि अति गरम या ज्यादा चार्ज किया जाता है, तो बैटरी खराब हो सकती है। कई मामलों में यह रिसाव, विस्फोट या आग पैदा कर सकता है। इन जोखिमों को कम करने के लिए, कई लिथियम आयन कोशिकाओं (और बैटरी पैक) में सर्किटरी होती है जो बैटरी को डिस्कनेक्ट करती है, जब उसका वोल्टेज सेल 3-4.2 वाल्ट प्रति सेल निर्धारित होता है। खराब डिजाइन या गलत बैटरी प्रबंधन सर्किट भी समस्याएं पैदा कर सकते हैं; यह निश्चित होना मुश्किल है कि किसी भी विशेष बैटरी प्रबंधन सर्किट को ठीक से लागू किया गया है। लिथियम आयन कोशिकाओं की स्वीकृत वोल्टेज श्रेणी के बाहर ,क्षति के लिए अतिसंवेदनशील होते हैं ,जो आमतौर पर अधिकांश एलएफपी कोशिकाओं के लिए (2.5 से 3.65) इस वोल्टेज श्रेणी से, यहां तक ​​कि छोटे वोल्ट (मिलिवल्ट्स) के परिणामस्वरूप कोशिकाओं के समय से पहले निष्क्रीय हो जाती है और इसके अलावा, कोशिकाओं में प्रतिक्रियाशील घटकों के कारण सुरक्षा जोखिम होता है।
इमेज सेंसर सीसीडी इमेज सेंसर की प्रत्येक कोशिका एक एनालॉग डिवाइस है। जब लाइट चिप पर गिरती हॅ तो प्रत्येक तस्वीर सेंसर में एक छोटे से बिजली के प्रभारी के रूप में आयोजित हो जाती हॅ। एक समय में एक ही पिक्सेल चार्जेज से वोल्टेज में बदल जाता हॅ। कैमरे में अतिरिक्त सर्किट वोल्टेज को डिजिटल जानकारी में बदल देता हॅ।
विद्युत जनित्र पार्श्व चित्र में दिष्टधारा जनित्र का तुल्य परिपथ दिया गया है। इसमें जनित्र को एक आदर्श वोल्टता स्रोत तथा उसके श्रेणीक्रम में जुड़े एक प्रतिरोध द्वारा निरूपित किया गया है। श्रेणीक्रम में जुड़े इस प्रतिरोध को जनित्र का 'आन्तरिक प्रतिरोध' कहा जाता है। जनित्र के formula_1 तथा formula_2 के मान छोटा सा प्रयोग और सरल गणना द्वारा किया जा सकता है। जनित्र को पूर्ण चाल से घुमाने पर, और बिना किसी लोड के जुड़े होने पर, उसके सिरों के बीच जो वोल्टेज मिलता है वही formula_1 का मान होगा। formula_2 का मान वाइंडिंग के प्रतिरोध को मापकर प्राप्त किया जा सकता है किन्तु इसे गणना द्वारा निकालना अधिक अच्छा विकल्प है। इसके लिए जनित्र का बिना लोड पर वोल्टेज और किसी ज्ञात लोड (धारा) पर वोल्टेज मापा जाता है और निम्नलिखित गणना द्वारा formula_2 का मान निकाला जा सकता है-
लेज़र प्रिंटर बिंदुओं में मुद्रण तिथि, समय और प्रिंटर अनुक्रमांक जैसा डाटा बाइनरी-कोडित दशमलवों में मुद्रित कागज़ की प्रत्येक शीट पर होता है, जो खरीद के स्थान और कभी-कभी क्रय-कर्ता की पहचान करने के कागज़ के टुकड़ों को निर्माता द्वारा जांचने की अनुमति देता है। डिजिटल अधिकारों की वक़ालत करनेवाले समूह, जैसे इलेक्ट्रॉनिक फ्रंटियर फाउंडेशन, मुद्रण करनेवालों की गोपनीयता और अनामिकता के इस क्षरण के प्रति चिंतित हैं। यद्यपि आधुनिक प्रिंटरों में अनेक सुरक्षा इंटरलॉक और रक्षात्मक परिपथ शामिल होते हैं, लेकिन एक लेज़र प्रिंटर के भीतर विभिन्न रोलर्स, तारों और धातु के संपर्कों में उच्च वोल्टेज या एक निवासी वोल्टेज उपस्थित होना संभव है। दर्दनाक विद्युत आघात की संभावना को कम करने के लिये इन भागों के साथ अनावश्यक संपर्क से बचने हेतु सतर्कता रखी जानी चाहिए।
रैखिक परिपथ रैखिक परिपथ (linear circuit) वह परिपथ है जिसमें "f" आवृत्ति का साइनवक्रीय (साइनस्वायडल) इनपुट वोल्टेज लगाने पर उसके सभी वोल्टेज तथा धाराएँ भी f आवृत्ति की साइनवक्रीय होती हैं। हाँ, यह आवश्यक नहीं है कि सभी वोल्टेज और धारायें इनपुट के फेज में ही हों।.
जेनर डायोड इस प्रकार इस्तेमाल किये गए एक जेनर डायोड को "शंट वोल्टेज रेगुलेटर" कहा जाता है, (इस संदर्भ में "शंट" का अर्थ समानांतर रूप से जुड़ा है और "वोल्टेज रेगुलेटर" का अर्थ, सर्किट का एक वर्ग जो किसी भी लोड में एक स्थिर वोल्टेज का उत्पादन करता है) एक अर्थ में, प्रतिरोधक के माध्यम से विद्युत का एक हिस्सा जेनर डायोड के द्वारा भेजा जाता है और शेष, लोड के माध्यम से भेजा जाता है। लोड द्वारा महसूस किये जाने वाले वोल्टेज को करेंट के कुछ हिस्से को ऊर्जा स्रोत से जनित कर बाईपास करने के लिए नियंत्रित किया जाता है- अतः इंजन के स्विच बिंदु से समानता की वजह से यह नाम दिया गया है।
टीसीआर एक थिरीस्टर नियंत्रित रिएक्टर (टीसीआर) एक द्विदिश के साथ श्रृंखला में मुक़ाबला thyristor वाल्व.thyristor वाल्व चरण है नियंत्रित, जो वितरित के मूल्य की अनुमति देता है। विभिन्न सिस्टम को पूरा करने के लिए प्रतिक्रियाशील शक्ति को समायोजित किया जाना है शर्तें।थ्रीचर नियंत्रित रिएक्टरों का उपयोग किया जा सकता है सीमित वोल्टेज सीमित करने के लिए हल्के से भरी हुई पर बढ़ जाता है पारेषण लाइनेंटीसीआर में वर्तमान में भिन्नता है। अधिकतम से (कनेक्शन द्वारा निर्धारित वोल्टेज और रिएक्टर की अधिष्ठापन) लगभग करने के लिए। फायरिंग देरी के कोण को बदलकर शून्य कर देता है
माइक्रोफोन प्रतिबाधा निम्न या उच्च होने पर भी किसी माइक्रोफोन का आउटपुट समान शक्ति प्रस्तुत करता है। यदि एक माइक्रोफोन को उच्च और निम्न प्रतिबाधा वाले संस्करणों में बनाया गया है, तो किसी विशिष्ट ध्वनि दाब इनपुट के लिये उच्च प्रतिबाधा वाले संस्करण में एक उच्चतर आउटपुट वोल्टेज होता है और यह निर्वात-नलिका गिटार प्रवर्धकों, उदाहरणार्थ, जिनमें एक उच्च इनपुट प्रतिबाधा होती है और जिनमें नलिका में अंतर्निहित शोर को दबाने के लिये एक अपेक्षाकृत उच्च संकेत इनपुट वोल्टेज की आवश्यकता होती है, के साथ प्रयोग के लिये उपयुक्त होता है। अधिकांश व्यावसायिक माइक्रोफोनों में निम्न प्रतिबाधा, लगभग 200 Ω या कम, होती है। व्यावसायिक निर्वात-नलिका ध्वनि उपकरणों में एक ट्रांसफॉर्मर सम्मिलित होता है, जो माइक्रोफोन परिपथ की प्रतिबाधा को इनपुट नलिका के संचालन के लिये आवश्यक उच्च प्रतिबाधा और वोल्टेज तक बढ़ाता है। बाहरी मिलान ट्रांसफॉर्मर भी उपलब्ध हैं, जिनका प्रयोग एक निम्न प्रतिबाधा वाले माइक्रोफोन और एक उच्च प्रतिबाधा वाले इनपुट के बीच एक सीध में किया जा सकता है।
डायोड सेतु डायोड सेतु (diode bridge) चार या अधिक डायोडों को सेतु के रूप में (स्कीमैटिक चित्र देखें) जोड़ने से बनता है। इसकी विशेषता है कि इसके इनपुट में किसी भी ध्रुवता (पोलैरिटी) का वोल्टेज लगाने पर आउटपुट में एक ही पोलैरिटी का वोल्टेज मिलता है। इसकारण इसका उपयोग दिष्टकारी के रूप में एसी को डीसी में बदलने के लिये किया जाता है। यह एकफेजी, त्रिफेजी या बहुफेजी हो सकता है। त्रिफेजी डायोड सेतु के लिये ६ डायोडों की आवश्यकता होती है।
संकेत प्रसंस्करण किसी स्रोत से प्राप्त विद्युत संकेत अपने मूल रूप में उपयोग के योग्य नहीं होते हैं। उनमें तरह-तरह की कमियाँ होती हैं। जैसे संकेत का बहुत क्षीण होना या कम वोल्टेज का होना; संकेत में अत्यधिक शोर (नॉयज) होना आदि। अतः विद्युत संकेतों को अधिक उपयोगी बनाने के लिये उन्हें अनेक प्रकार से परिवर्तित किया जाता है। इस क्रिया को संकेत प्रसंस्करण (Signal processing) कहते हैं।
माइक्रोफोन संवेदनशीलता इस बात को सूचित करती है कि एक माइक्रोफोन ध्वनिक दाब को कितनी अच्छी तरह आउटपुट वोल्टेज में रूपांतरित करता है। एक उच्च संवेदनशीलता माइक्रोफोन अधिक वोल्टेज निर्मित करता है और इसलिये इसमें मिश्रक या रिकॉर्डिंग उपकरण पर कम प्रवर्धन की आवश्यकता होती है। यह व्यावहारिक रूप से चिंता का विषय है लेकिन यह माइक की गुणवत्ता का प्रत्यक्ष संकेत नहीं है और वस्तुतः संवेदनशीलता शब्द कुछ अनुपयुक्त नाम है, "पुनः ट्रांसडक्शन" (या केवल "आउटपुट स्तर") संभवतः अधिक अर्थपूर्ण है क्योंकि शुद्ध संवेदनशीलता सामान्यतः शोर धरातल द्वारा निर्धारित की जाती है और आउटपुट स्तर के सन्दर्भ में बहुत अधिक "संवेदनशीलता" कतरन स्तर से समझौता करती है। इसके दो आम मापन हैं। अंतर्राष्ट्रीय मानक (अधिमान्य) 1 kHz पर प्रति पास्कल मिलीवोल्ट्स में बना होता है। एक उच्च मान उच्चतर संवेदनशीलता को सूचित करता है। पुरानी अमरीकी विधि एक 1 v/Pa मानक का उल्लेख करती है और उसे सपाट डेसीबेल्स में मापा जाता है, जिसका परिणाम एक ऋणात्मक मान के रूप में मिलता है। पुनः एक उच्चतर मान उच्चतर संवेदनशीलता को सूचित करता है, अतः -60 dB की संवेदनशीलता -70 dB से अधिक होती है।
डायोड जब तक निर्वात नलिकाओं का युग था, वाल्व डायोडों का उपयोग लगभग सभी इलेक्ट्रॉनिक कार्यों (जैसे रेडियो, टेलीविजन, ध्वनि प्रणालियाँ, और इन्स्ट्रुमेन्टेशन आदि) में होता रहा। १९४० के दशक के अन्तिम काल में सेलेनियम डायोड के आ जाने से इनका बाजार कम होने लगा। इसके बाद १९६० के दशक में जब अर्धचालक डायोड की प्रौद्योगिकी बाजार में आ गयी, तब वाल्व डायोड का चलन और भी कम हो गया। आज भी वाल्व डायोड प्रयुक्त होते हैं किन्तु बहुत कम। इनका उपयोग आजकल वहाँ होता है जहाँ बहुत अधिक वोल्टेज और बहुत अधिक धारा की आवश्यकता हो।
शैक्षिक विशिष्टीकरण शिक्षा के सन्दर्भ में, विशिष्टीकरण (specialization) के मतलब किसी शिक्षण-संस्थान में उस विषय के अध्ययन से है जिसमें विस्तार बहुत कम हो किन्तु गहराई बहुत अधिक। उदाहरण के लिये वैद्युत अभियाँत्रिकी के अन्तर्गत उच्च विभव इंजीनियरी (हाई वोल्टेज इंजीनियरिंग) एक विशिष्टीकरण है।
विद्युत स्विचगीयर कम वोल्टेज (1 केवी एसी से कम)
क्रिया विभव न्यूरॉन्स, विद्युतीय रूप से उत्तेजनीय कोशिका हैं जो अक्षतंतु अधिक सामान्य, के एक या एक से अधिक डेन्ड्राईट, एक एकल सोमा, एक एकल अक्षतंतु और एक या अधिक अक्षतंतु टर्मिनलों से बना होता है। डेन्ड्राइट, दो प्रकार के सिनैप्सेस में से एक है, दूसरा प्रकार अक्षतंतु टर्मिनल बोटंस है। डेन्ड्राइट, अक्षतंतु टर्मिनल बोटंस के प्रतिक्रिया में उत्‍क्षेपण का गठन करते हैं। इन उत्‍क्षेपण, या शूल को, प्रीसिनेप्टिक न्यूरॉन द्वारा जारी न्यूरोट्रांसमीटर पर कब्जा करने के लिए डिजाइन किया गया है। उनमें लिगेंड द्वारा सक्रिय चैनल का एक उच्च संकेन्द्रण होता है। इसलिए यही वह जगह है जहां पर दो न्यूरॉन्स से सिनेप्सेस एक दूसरे के साथ संवाद करते हैं। इन शूलों में एक पतली गर्दन होती है जो एक बल्बनुमा उत्क्षेपण को मुख्य डेन्ड्राइट से जोड़ती है। इससे यह सुनिश्चित होता है कि जो परिवर्तन रीढ़ के अंदर हो रहे हैं उनके द्वारा आस-पास की रीढ़ को प्रभावित करने की कम संभावना है। इसलिए दुर्लभ अपवाद (LTP देखें) के साथ डेन्ड्राइट के समान रीढ़, एक स्वतंत्र इकाई के रूप में कार्य करती है। इसके बाद डेन्ड्राइट, सोमा से जुड़ता है। सोमा, केन्द्रक को धारण करता है, जो न्यूरॉन के लिए नियामक के रूप में काम करता है। रीढ़ के विपरीत, सोमा की सतह वोल्टेज द्वारा सक्रिय आयन चैनलों से व्याप्त है। ये चैनल, डेन्ड्राइट द्वारा उत्पन्न संकेतों को संचारित करने में मदद करते हैं। सोमा से अक्षतंतु गिरिका बाहर निकलती है। यह क्षेत्र, वोल्टेज द्वारा सक्रिय सोडियम चैनल के एक अविश्वसनीय उच्च संकेन्द्रण धारण करने से चरितार्थ होता है। सामान्य रूप में, ऐक्शन पोटेंशिअल के लिए इसे स्पाइक आरम्भ क्षेत्र माना जाता है। रीढ़ पर उत्पन्न और सोमा द्वारा संचरित एकाधिक संकेत, सभी यहां अभिसरित होते हैं। अक्षतंतु गिरिका के तुरंत बाद अक्षतंतु है। यह एक पतली बेलनाकार उत्क्षेपण है जो सोमा से दूर यात्रा करती है। यह अक्षतंतु एक मेलिन खोल द्वारा पृथक होता है। मेलिन, श्वान कोशिका से बना है जो अक्षतन्तु खंड के इर्द-गिर्द कई बार खुद को लपेटती है। इससे एक मोटी वसा की परत बनती है जो आयनों को अक्षतंतु में प्रवेश करने या भागने से रोकता है। यह अलगाव दोनों कार्य करता है, महत्वपूर्ण संकेत क्षय को रोकता है और साथ ही साथ तीव्र संकेत गति को सुनिश्चित करता है। हालांकि, इस अलगाव में यह प्रतिबंध है कि अक्षतंतु की सतह पर कोई भी चैनल उपस्थित नहीं हो सकता है। इसलिए, झिल्ली के नियमित धब्बे हैं, जिनमें कोई अलगाव नहीं है। इन रैनविअर के नोड्स को 'लघु अक्षतंतु गिरिका' माना जा सकता है क्योंकि उनका उद्देश्य अत्यधिक संकेत क्षय को रोकने के लिए संकेत को बढ़ाना है। अंतिम छोर पर, अक्षतंतु अपने रोधन को खो देता है और कई अक्षतंतु टर्मिनलों में फ़ैलने लगता है। ये अक्षतंतु टर्मिनल तब दूसरे वर्ग के सिनेप्सेस, अक्षतंतु टर्मिनल बटन के गठन के लिए समाप्त होता है। इन बटन में वोल्टेज द्वारा सक्रिय कैल्शियम चैनल होते हैं, जो अन्य न्यूरॉन्स को संकेत देने के समय भूमिका निभाते हैं।
दूरमिति टेलीमेट्री - यह क्या है और इसका सार क्या है? सबसे पहले, इसका सार पहले से परिवर्तित मात्रा की माप में संलग्न है, उदाहरण के लिए, एक वोल्टेज में, इस मामले में एक अतिरिक्त रूपांतरण एक संकेत के लिए होता है, फिर एक जुड़े चैनल के माध्यम से प्रेषित होता है। नतीजतन, मापा गया मूल्य स्वयं संचरित नहीं होता है, बल्कि एक समतुल्य संकेत होता है।
हेडफ़ोन शुरुआती बिजली से संचालित रेडियो में, हेडफोन वैक्यूम ट्यूब के प्लेट सर्किट का हिस्सा होता था और उस पर खतरनाक वोल्टेज रहता था. यह सामान्यतः उच्च वोल्टेज बैटरी के धन सिरे से सीधे जुड़ा होता था तथा बैटरी का दूसरा सिरा सुरक्षित रूप से अर्थ से जुड़ा होता था. बिजली के अनावृत संबंधों के उपयोग का मतलब है कि यदि प्रयोक्ता हैडसेट को संभालते समय हैडफोन के अनावृत संबंध को छू दे तो बिजली का शॉक लग सकता था.
भू-संपर्कन क्षरण परिपथ विच्छेदक भू-संपर्कन क्षरण परिपथ विच्छेदक (Earth-leakage circuit breaker (ELCB)) का उपयोग विद्युत धक्का बचाव के लिये किया जाता है। इसका उपयोग उन विद्युत इन्स्टालेशन्स में किया जाता है जहाँ का भू-प्रतिबाधा बहुत अधिक हो। यह युक्ति धातु के बने इन्क्लोजर्स पर पैदा हुए कम वोल्टेजों को भी भाँप (detect) लेते हैं और परिपथ को तोड़ देते हैं। पहले इसका खूब उपयोग होता था, किन्तु अब नये इन्स्टालेशन में इसके बजाय अवशिष्ट धारा परिपथ विच्छेदक का प्रयोग होने लगा है, जो सीधे लीकेज धारा को ही डिटेक्ट करते हैं।
प्रवर्धक प्रवर्धक या एम्प्लिफायर (amplifier) ऐसी युक्ति है जो किसी विद्युत संकेत का मान (अम्प्लीच्यूड) बदल दे (प्रायः संकेत का मान बड़ा करने की आवश्यकता अधिक पड़ती है।) विद्युत संकेत विभवान्तर (वोल्टेज) या धारा (करेंट) के रूप में हो सकते है।
दिष्टकारी आरएमएस वोल्टेज या प्रभावी वोल्टेज = वी मैक्सिमम / 2
उच्च-वोल्टता डीसी पारेषण ३. वे बाहरी प्रवाह पर निर्भर करते हैं | लाइन-कॉम्युटेटेड कन्वर्टर्स की समस्याओं को हल करने के लिए आजकल वोल्टेज-सोर्स कंवर्टर का आविष्कार किया गया | इन कन्वर्टरों “इन्सुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांसिस्टर” और अन्य नई तकनीकें का उपयोग करते हैं | इससे हम  कंवर्टर को स्वयं कॉम्युटेटेड बना सकते हैं , और इन कन्वर्टरों बाह्य यंत्रों पर निर्भरित नहीं हैं | वे कमजोर एसी प्रणाली के साथ काम कर सकते हैं  |परंतु, वोल्टेज-सोर्स कन्वर्टरों लाइन-कॉम्युटेटेड कन्वर्टरों से अधिक महंगे हैं |
वोल्टता नियंत्रक फेरोसोनेंट ट्रांसफॉर्मर के पुराने डिजाइन में उच्च हार्मोनिक सामग्री के साथ एक आउटपुट था, जिससे विकृत आउटपुट तरंग उत्पन्न होती थी। आधुनिक उपकरणों का उपयोग एक परिपूर्ण साइन लहर के निर्माण के लिए किया जाता है। फेरसोनेंट एक्शन वोल्टेज रेगुलेटर के बजाय फ्लक्स सीमक है, लेकिन एक निश्चित आपूर्ति आवृत्ति के साथ यह लगभग निरंतर औसत आउटपुट वोल्टेज बनाए रख सकता है, क्योंकि इनपुट वोल्टेज व्यापक रूप से भिन्न होता है।
वोल्टता नियंत्रक एसी वोल्टेज स्टेबलाइजर्स कुंडल-रोटेशन एसी वोल्टेज नियामक
अतिसंधारित्र अतिसंधारित्र (supercapacitor (SC)) वे संधारित्र हैं जिनकी धारिता अन्य प्रकार के संधारित्रों की तुलना में बहुत अधिक होती है। अपने इस गुण के कारण इनका उपयोग वहाँ होता है जिसकी ऊर्जा-आवश्यकताएँ विद्युत अपघट्य संधारित्र से अधिक किन्तु तथा पुनर्भरणीय बैटरी से कम होतीं है। अतिसंधारित्र अपेक्षाकृत बहुत कम वोल्टेज तक ही आवेशित किये जा सकते है (अथवा उनकी वोल्टता धारण की सीमा कम होती है।) विद्युत-अपघट्य संधारित्रों की तुलना में अतिसंधारित्रों की (प्रति आयतन, या प्रति किलोग्राम) ऊर्जा-संग्रह की क्षमता सामान्यतः १० से १०० गुना तक अधिक होती है। इसके अलावा वे पुनर्भरणीय बैटरी की तुलना में बहुत तेज गति से आवेशित एवं अनावेशित किये जा सकते हैं और उनकी तुलना में बहुत अधिक बार आवेशित-अनावेशित किये जा सकते हैं।
क्रिया विभव दूसरी समस्या को क्लैंप वोल्टेज के महत्वपूर्ण विकास के साथ संबोधित किया गया था, जिसने ऐक्शन पोटेंशिअल में अलग से अंतर्निहित आयनिक करेंट के अध्ययन की अनुमति दी और इलेक्ट्रॉनिक शोर के एक मुख्य स्रोत को समाप्त किया, करेंट "I" "C" जो संधारित्र के साथ जुडा है। चूंकि धरा ट्रांसमेम्ब्रेन वोल्टेज V के बदलाव के "C" समय दर के समान होती है, समाधान एक ऐसा सर्किट डिजाइन करना था जो "V" को स्थिर रखे (बदलाव का शून्य दर), चाहे झिल्ली में कोई भी धारा बह रही हो। इस प्रकार, "V" को स्थिर रखने के लिए आवश्यक धारा झिल्ली के माध्यम से बहते करेंट का मूल्य निर्धारित रखने के लिए सीधा प्रतिबिंब है। अन्य इलेक्ट्रॉनिक अग्रिम उच्च वोल्टेज इनपुट के साथ शामिल है उपयोग के उच्च प्रतिबाधा वाले इलेक्ट्रॉनिक्स और फैराडे केज, इसलिए माप वाले वोल्टेज को खुद मापन प्रभावित नहीं करता.