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っかアルミニウム, aluminum nitride, AlN）は、 アルミニウム の 窒化物 であり、無色透明の セラミックス である。 アルミナイトライド ともいう。 ^ “ Aluminum Nitride ”. Accuratus. 2008年4月22日閲覧。 ^ a b Haynes, p. 4.45. ^ Fukumoto, S.; Hookabe, T.; Tsubakino, H. (2010). “Hydrolysis behavior of aluminum nitride in various solutions”. J. Mat. Science 35 (11): 2743–2748. doi : 10.1023/A:1004718329003 .   ^ Haynes, p. 12.85. ^ Feneberg, M.; Leute, R. A. R.; Neuschl, B.; Thonke, K.; Bickermann, M. (2010). “none”. Phys. Rev. B 82 (7). Bibcode :  2010PhRvB..82g5208F . doi : 10.1103/physrevb.82.075208 .   ^ Cheng, Zhe; Koh, Yee Rui; Mamun, Abdullah; Shi, Jingjing; Bai, Tingyu; Huynh, Kenny; Yates, Luke; Liu, Zeyu et al. (2020). “Experimental observation of high intrinsic thermal conductivity of AlN” . Physical Review Materials 4 (4). arXiv : 1911.01595 . Bibcode :  2020PhRvM...4d4602C . doi : 10.1103/PhysRevMaterials.4.044602 . https://journals.aps.org/prmaterials/abstract/10.1103/PhysRevMaterials.4.044602 2020年4月3日閲覧。 .   ^ Beliaev, Leonid Yu.; Shkondin, Evgeniy; Lavrinenko, Andrei V.; Takayama, Osamu (2021). “Thickness-dependent optical properties of aluminum nitride films for mid-infrared wavelengths”. Journal of Vacuum Science & Technology A 39 : 043408. doi : 10.1116/6.0000884 .   ^ Haynes, p. 12.80. ^ Haynes, p. 5.4. This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
p. 12.80. ^ Haynes, p. 5.4. This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化アンチモン 窒化アンチモン 窒化アンチモン 物質名 IUPAC名 Azanylidynestibane 別名 Antimony mononitride Antimony(III) nitride 識別情報 CAS登録番号 12333-57-2 3D model ( JSmol ) Interactive image ChemSpider 129549166 PubChem CID 72720468 CompTox Dashboard ( EPA ) DTXSID501047745 InChI InChI=1S/N.Sb Key: IBKBIJITWRZZBB-UHFFFAOYSA-N SMILES N#[Sb] 性質 化学式 SbN モル質量 135.767 g/mol 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。 窒化アンチモン （ちっかアンチモン、 英語 : Antimony nitride ）は、 化学式 Sb N で表される アンチモン と 窒素 の 無機化合物 である。 ニクトゲン間化合物 であり、窒化リンの アナログ である。 三塩化アンチモン が液体 アンモニア に溶解することで生成される。主に導電性の透明膜として研究されてきた。 ^ Audrieth, Ludwig F.; Kleinberg, Jacob (1953). Non-aqueous solvents . New York: John Wiley & Sons. p. 85. LCCN   52--12057 . https://archive.org/details/cftri.2662nonaqueoussolven0000ludw/page/85/   ^ Ettmayer, Peter; Lengauer, Walter (2000-06-15), Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, ed. (英語), Nitrides , Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, doi : 10.1002/14356007.a17_341 , ISBN  978-3-527-30673-2 , https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/14356007.a17_341 2023年8月6日閲覧。   This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化イットリウム 窒化イットリウム 窒化イットリウム 識別情報 CAS登録番号 25764-13-0 ECHA InfoCard 100.042.939 CompTox Dashboard ( EPA ) DTXSID4067143 性質 化学式 YN モル質量 102.913 g/mol 外観 black crystalline 密度 5.60 g/cm 3 水への溶解度 soluble 構造 結晶構造 cubic , cF8 空間群 Fm 3 m, No. 225 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。   verify  ( what is   N  ?) 窒化イットリウム (yttrium nitride, YN) は イットリウム の 窒化物 であり、 窒化チタン や窒化ジルコニウムと同様に硬いセラッミクスである。 ランタン 、 スカンジウム および イットリウム の窒化物は 半導体 である。YNの結晶構造は 窒化ガリウム と似ているので、GaNの結晶成長において基質とGaN層のバッファー層としてYNが使える。 This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化インジウム 窒化インジウム 窒化インジウム 物質名 別名 Indium(III) nitride 識別情報 CAS登録番号 25617-98-5   3D model ( JSmol ) Interactive image Interactive image ChemSpider 105058   ECHA InfoCard 100.042.831 PubChem CID 117560 UNII D66UAC005A   CompTox Dashboard ( EPA ) DTXSID7067112 InChI InChI=1S/In.N   Key: NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N   InChI=1/In.N/rInN/c1-2 Key: NWAIGJYBQQYSPW-QCNKTVRGAR SMILES [In+3].[N-3] [In]#N 性質 化学式 InN モル質量 128.83 g/mol 外観 黒色粉末 密度 6.81 g/cm 3 融点 1,100 °C (2,010 °F; 1,370 K) 水への溶解度 加水分解 バンドギャップ 0.65 eV (300 K) 電子移動度 3200 cm 2 /(V.s) (300 K) 熱伝導率 45 W/(m.K) (300 K) 屈折率 ( n D ) 2.9 構造 結晶構造 ウルツ鉱 （六方晶） 空間群 C 4 6v - P 6 3 mc 格子定数 a  = 354.5 pm, c  = 570.3 pm 配位構造 四面体 危険性 労働安全衛生 (OHS/OSH): 主な危険性 刺激性、アンモニアに加水分解 安全データシート (SDS) External SDS 関連する物質 その他の 陰イオン リン化インジウム ヒ化インジウム アンチモン化インジウム その他の 陽イオン 窒化ホウ素 窒化アルミニウム 窒化ガリウム 関連物質 窒化インジウムガリウム 窒化インジウムガリウムアルミニウム 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。 窒化インジウム （ちっかインジウム、indium nitride）は、 インジウム と 窒素 からなる 化学式 InNの 半導体 である。 バンドギャップ が小さく、 太陽電池 や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97 eVとされていた）。有効電子静止質量は、高磁場での測定でm * =0.055 m 0 と求められた。 窒化ガリウム との三元合金である 窒化インジウムガリウム (InGaN) は、 赤外線 (0.69 eV) から 紫外線 (3.4 eV) の範囲の直接バンドギャップを持つ。 窒化物 の半導体を用いた太陽電池の開発が進められている。InGaN合金を用いると、太陽のスペクトルに合ったものが得られる。InNのバンドギャップは、波長1900 nmまでを用いることを可能とするが、このような太陽電池が市販されるまでにはまだ多くの課題がある。p型 ドープ したInNやインジウムの多いInGaNは、最大の挑戦の1つである。InNと窒化ガリウムや 窒化アルミニウム 等の他の窒化物とのヘテロエピタキシャル成長は難しいことが知られている。 InNの薄い多結晶フィルム
範囲の直接バンドギャップを持つ。 窒化物 の半導体を用いた太陽電池の開発が進められている。InGaN合金を用いると、太陽のスペクトルに合ったものが得られる。InNのバンドギャップは、波長1900 nmまでを用いることを可能とするが、このような太陽電池が市販されるまでにはまだ多くの課題がある。p型 ドープ したInNやインジウムの多いInGaNは、最大の挑戦の1つである。InNと窒化ガリウムや 窒化アルミニウム 等の他の窒化物とのヘテロエピタキシャル成長は難しいことが知られている。 InNの薄い多結晶フィルムは高い伝導性を示し、ヘリウム温度では 超伝導 にもなる。超伝導遷移温度T c は、フィルムの構造に依存し、4 K以下となる。わずか0.03テスラで超伝導性を失う金属インジウムとは異なり、超伝導性は数テスラの高磁場中でも持続する。それにもかかわらず、この超伝導性は、 ギンツブルグ-ランダウ理論 によると金属インジウムのチェーンまたはナノクラスタが原因である。 ^ Pichugin, I. G.; Tlachala, M. (1978). “Rentgenovsky analiz nitrida indiya [X-ray analysis of indium nitride]” (Russian). Izvestiya Akademii Nauk SSSR: Neorganicheskie Materialy 14 (1): 175–176.   ^ T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff (Eds), Indium Nitride and Related Alloys (CRC Press, 2009) ^ V. Yu. Davydov et al. (2002). “Absorption and Emission of Hexagonal InN. Evidence of Narrow Fundamental Band Gap” (free download pdf). Physica Status Solidi (b) 229 : R1. Bibcode :  2002PSSBR.229....1D . doi : 10.1002/1521-3951(200202)229:3<r1::aid-pssb99991>3.0.co;2-o . https://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InN/doc/dvdv02pss229_1.pdf .   ^ Goiran, Michel,, (2010). “Electron cyclotron effective mass in indium nitride”. APPLIED PHYSICS LETTERS 96 : 052117. Bibcode :  2010ApPhL..96e2117G . doi : 10.1063/1.3304169 .   ^ Millot, Marius, (2011). “Determination of effective mass in InN by high-field oscillatory magnetoabsorption spectroscopy” . Phys. Rev. B 83 : 125204. Bibcode :  2011PhRvB..83l5204M . doi : 10.1103/PhysRevB.83.125204 . http://prb.aps.
304169 .   ^ Millot, Marius, (2011). “Determination of effective mass in InN by high-field oscillatory magnetoabsorption spectroscopy” . Phys. Rev. B 83 : 125204. Bibcode :  2011PhRvB..83l5204M . doi : 10.1103/PhysRevB.83.125204 . http://prb.aps.org/abstract/PRB/v83/i12/e125204 .   ^ a b T. Inushima (2006). “Electronic structure of superconducting InN” (free download pdf). Sci. Techn. Adv. Mater. 7 (S1): S112. Bibcode :  2006STAdM...7S.112I . doi : 10.1016/j.stam.2006.05.009 .   ^ Tiras, E.; Gunes, M.; Balkan, N.; Airey, R.; Schaff, W. J. (2009). “Superconductivity in heavily compensated Mg-doped InN”. Applied Physics Letters 94 (14): 142108. Bibcode :  2009ApPhL..94n2108T . doi : 10.1063/1.3116120 .   ^ Komissarova, T. A.; Parfeniev, R. V.; Ivanov, S. V. (2009). “Comment on "Superconductivity in heavily compensated Mg-doped InN" [Appl. Phys. Lett. 94, 142108 (2009)]”. Applied Physics Letters 95 (8): 086101. Bibcode :  2009ApPhL..95h6101K . doi : 10.1063/1.3212864 .   This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化インジウムガリウム 窒化インジウムガリウム 窒化インジウムガリウム （ちっかインジウムガリウム）は インジウム と ガリウム の 窒化物 であり、 三元化合物 で 組成式 はInGaNである。 化合物 半導体 であるため、その性質を利用して 半導体素子 の材料として多用されている。 This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化ウラン (曖昧さ回避) 窒化ウラン (曖昧さ回避) 窒化ウラン は ウラン の 窒化物 である。主に以下の3つがある。 三窒化二ウラン - U 2 N 3 一窒化ウラン - UN 二窒化ウラン - UN 2 This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化カルシウム 窒化カルシウム 窒化カルシウム 物質名 IUPAC名 Calcium nitride 識別情報 CAS登録番号 12013-82-0   ECHA InfoCard 100.031.435 EC番号 234-592-9 PubChem CID 3387080 CompTox Dashboard ( EPA ) DTXSID30892172 性質 化学式 Ca 3 N 2 モル質量 148.248  g·mol −1 外観 赤褐色結晶 密度 2.670 g/cm 3 2.63 g/cm 3 (17 °C) 融点 1,195 °C (2,183 °F; 1,468 K) 水への溶解度 加水分解 構造 結晶構造 立方 空間群 Ia-3, No. 206 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。 窒化カルシウム （ちっかカルシウム、 羅 : Calcium nitratum、Calcii nitridum ）は、 カルシウム と 窒素 からなる化合物の一種で、化学式はCa 3 N 2 で、表面が赤褐色の 結晶性 固体である。 ^ Mary Eagleson (1994). Concise Encyclopedia Chemistry . Walter de Gruyter. ISBN  3110114518 . https://books.google.com/?id=Owuv-c9L_IMC&pg=PA160&lpg=PA160&dq=%22Calcium+nitride%22   This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化ガリウム 窒化ガリウム 窒化ガリウム 物質名 IUPAC名 Gallium nitride 別名 gallium(III) nitride 識別情報 CAS登録番号 25617-97-4   3D model ( JSmol ) Interactive image Interactive image ChemSpider 105057   ECHA InfoCard 100.042.830 PubChem CID LW9640000 = LW9640000 UNII 1R9CC3P9VL   CompTox Dashboard ( EPA ) DTXSID2067111 InChI InChI=1S/Ga.N   Key: JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N   InChI=1/Ga.N/rGaN/c1-2 Key: JMASRVWKEDWRBT-MDMVGGKAAI SMILES [Ga]#N [Ga+3].[N-3] 性質 化学式 GaN モル質量 83.730 g/mol 外観 黄色の粉末 密度 6.1 g/cm 3 融点 > 1600 °C 水への溶解度 不溶 バンドギャップ 3.4 eV (300 K, direct) 電子移動度 1500 cm 2 /(V·s) (300 K) 熱伝導率 1.3 W/(cm·K) (300 K) 屈折率 ( n D ) 2.429 構造 結晶構造 ウルツ鉱 空間群 C 6v 4 - P 6 3 mc 格子定数 a  = 318.6 pm, c  = 518.6 pm 配位構造 四面体 熱化学 標準生成熱 (Δ f H ⦵ 298 ) −110.2 kJ/mol 危険性 GHS 表示 : 絵表示 重要な用語 Warning 危険性報告 H317 予防報告 P261 , P272 , P280 , P302+P352 , P321 , P333+P313 , P501 NFPA 704 （ファイア・ダイアモンド） 2 0 0 引火点 不燃性 安全データシート (SDS) Sigma-Aldrich Co. , Gallium nitride . Retrieved on 18 February 2024. 関連する物質 その他の 陰イオン リン化ガリウム ヒ化ガリウム アンチモン化ガリウム その他の 陽イオン 窒化ホウ素 窒化アルミニウム 窒化インジウム 関連物質 ヒ化アルミニウムガリウム ヒ化インジウムガリウム 窒化アルミニウムガリウム 窒化インジウムガリウム 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。   verify  ( what is   N  ?) 窒化ガリウム （ちっかガリウム、 GaN ）は ガリウム の 窒化物 であり、 青色発光ダイオード （青色LED）の材料として知られる 半導体 である。また、近年では パワー半導体 や レーダー への応用も期待されている。 ガリウムナイトライド （gallium nitride）とも呼ばれる。 ^ a b c Haynes, William M., ed (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics
bsp;( what is   N  ?) 窒化ガリウム （ちっかガリウム、 GaN ）は ガリウム の 窒化物 であり、 青色発光ダイオード （青色LED）の材料として知られる 半導体 である。また、近年では パワー半導体 や レーダー への応用も期待されている。 ガリウムナイトライド （gallium nitride）とも呼ばれる。 ^ a b c Haynes, William M., ed (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). CRC Press . p. 4.64. ISBN  1439855110   ^ Harafuji, Kenji; Tsuchiya, Taku; Kawamura, Katsuyuki (2004). “Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal”. Journal of Applied Physics 96 (5): 2501. Bibcode :  2004JAP....96.2501H . doi : 10.1063/1.1772878 .   ^ Foster, Corey M.; Collazo, Ramon; Sitar, Zlatko; Ivanisevic, Albena (2013). “abstract NCSU study: Aqueous Stability of Ga- and N-Polar Gallium Nitride”. Langmuir 29 (1): 216–220. doi : 10.1021/la304039n . PMID   23227805 .   ^ Johan Strydom; Michael de Rooij; David Reusch; Alex Lidow (2019). GaN Transistors for efficient power conversion (3 ed.). California, USA: Wiley. p. 3. ISBN  978-1-119-59442-0   ^ Mion, Christian (2005). "Investigation of the Thermal Properties of Gallium Nitride Using the Three Omega Technique" , Thesis, North Carolina State University. ^ Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe . Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30 ^ Haynes, William M., ed (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). CRC Press . p. 5.12.
uctor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe . Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30 ^ Haynes, William M., ed (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). CRC Press . p. 5.12. ISBN  1439855110   ^ “ Safety Data Sheet ”. fishersci.com . Thermo Fisher Science (2020年). 2024年2月18日閲覧。 ^ 竹田美和「青色発光ダイオードの実現とノーベル賞」『化学と教育』第67巻第8号、 日本化学会 、2019年、362-367頁、 doi : 10.20665/kakyoshi.67.8_362 。   This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化ケイ素 窒化ケイ素 窒化ケイ素 セラミックスでできたベアリング部材 Si 3 N 4 物質名 別名 シリコンナイトライド 識別情報 CAS登録番号 12033-89-5 ECHA InfoCard 100.031.620 CompTox Dashboard ( EPA ) DTXSID20892247 性質 化学式 Si 3 N 4 モル質量 140.28 g/mol 外観 灰色粉末 密度 3.44 g/cm 3 , 固体 融点 1900 °C（分解） 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。 窒化ケイ素 （ちっかケイそ、silicon nitride）は、化学式 Si 3 N 4 で表される 無機化合物 。非酸化物 セラミックス の代表。 シリコンナイトライド ともいう。 This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化ゲルマニウム 窒化ゲルマニウム 窒化ゲルマニウム β-窒化ゲルマニウム(IV) 物質名 IUPAC名 Germanium(IV) nitride 識別情報 CAS登録番号 12065-36-0 3D model ( JSmol ) Interactive image ChemSpider 17617086 ECHA InfoCard 100.031.864 PubChem CID 16684757 CompTox Dashboard ( EPA ) DTXSID00923508 InChI InChI=1S/Ge3N4/c4-1-7(2-5)3-6 Key: BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N InChI=1/Ge3N4/c4-1-7(2-5)3-6 Key: BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYAE SMILES N#[Ge]N([Ge]#N)[Ge]#N 性質 化学式 Ge 3 N 4 モル質量 273.947 g/mol 外観 淡茶色の粉末 密度 5.25 g/cm 3 沸点 900 °C (1,650 °F; 1,170 K) 分解 関連する物質 その他の 陰イオン リン化ゲルマニウム その他の 陽イオン 窒化ケイ素 窒化ガリウム 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。 窒化ゲルマニウム(IV) (ちっかゲルマニウム、 英 : Germanium(IV) nitride )とは化学式Ge 3 N 4 で表わされる 無機化合物 である。 ゲルマニウム と アンモニア の反応で得られる。 3 Ge + 4 NH 3 → Ge 3 N 4 + 6 H 2 ^ Greenwood, Norman N. [英語版] ; Earnshaw, Alan (1997). Chemistry of the Elements (英語) (2nd ed.). Butterworth-Heinemann . doi : 10.1016/C2009-0-30414-6 . ISBN   978-0-08-037941-8 . This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化タンタル 窒化タンタル 窒化タンタル 物質名 別名 Tantalum mononitride 識別情報 CAS登録番号 12033-62-4   3D model ( JSmol ) Interactive image ChemSpider 74745 Ta 3 N 5 : 10605738 ECHA InfoCard 100.031.613 EC番号 234-788-4 PubChem CID 82832 CompTox Dashboard ( EPA ) DTXSID6065183 InChI Key: MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N InChI=1S/N.Ta SMILES N#[Ta] 性質 化学式 TaN モル質量 194.955 g/mol 外観 黒色結晶 密度 14.3 g/cm 3 融点 3,090 °C (5,590 °F; 3,360 K) 水への溶解度 不溶 構造 結晶構造 六方晶, hP6 空間群 P-62m, No. 189 危険性 引火点 不燃性 関連する物質 その他の 陽イオン 窒化バナジウム(III) 窒化ニオブ 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。   verify  ( what is   N  ?) 窒化タンタル （ちっかタンタル、Tantalum nitride）は、 タンタル の 窒化物 である。 銅 やその他の導電性金属の間のバリアや「糊」の層、また熱酸化物等の誘電絶縁体フィルムの製造に使われることがある。これらのフィルムは、 集積回路 の製造の際に、 薄膜 抵抗器 等として、 シリコンウェハー の上に沈着される。 ^ Akashi, Teruhisa (2005年). “ Fabrication of a Tantalum-Nitride Thin-Film Resistor with a Low-Variability Resistance ”. 2006年9月2日閲覧。 This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化チタン 窒化チタン 窒化チタン 物質名 IUPAC名 Titanium nitride 識別情報 CAS登録番号 25583-20-4   3D model ( JSmol ) Interactive image ECHA InfoCard 100.042.819 EC番号 247-117-5 PubChem CID 93091 CompTox Dashboard ( EPA ) DTXSID8067109 InChI InChI=1S/N.Ti SMILES N#[Ti] 性質 化学式 TiN モル質量 61.874 g/mol 外観 金色の塗膜 匂い 無臭 密度 5.22 g/cm 3 融点 2,930 °C (5,310 °F; 3,200 K) 水への溶解度 不溶 磁化率 +38 × 10 −6 emu/mol 熱伝導率 19.2 W/(m·°C) 構造 結晶構造 塩化ナトリウム型構造 , cF8 空間群 Fm 3 m, No. 225 配位構造 Octahedral （八面体） 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。 N   verify  ( what is   N  ?) 窒化チタン （ちっかチタン、英語： Titanium nitride 、または tinite 、略称： TiN ）とは、非常に硬い セラミック 材料であり、基材の表面特性を改善するために、 チタン合金 、 鋼 、 炭化物 、および アルミニウム 部品のコーティングとして利用される。 薄くコーティングされたTiNは、切削や摺動面の保護、金色に見えることから装飾、医療用 インプラント の非毒性外装材として使用される。 ほとんどの用途では、5マイクロメートル（0.00020インチ）未満のコーティングが施される。 This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化ナトリウム 窒化ナトリウム 窒化ナトリウム Sodium nitride 物質名 IUPAC名 Sodium nitride 識別情報 CAS登録番号 12136-83-3 ECHA InfoCard 100.032.017 InChI InChI=1/3Na.N 関連する物質 その他の 陰イオン ナトリウムイミド ナトリウムアミド その他の 陽イオン 窒化カリウム 窒化カルシウム 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。   verify  ( what is   N  ?) 窒化ナトリウム （ちっかナトリウム、 英 : Sodium nitride ）は、化学式Na 3 Nで記される 無機化合物 。 窒化ガリウム など他の金属 窒化物 とは対照的に、非常に不安定である。 低温下で、 サファイア の基板上で ナトリウム と 窒素 に原子線を照射することにより得られる。 分解により、ナトリウムと窒素が生じる。 6Na\ + N2}}}"> 2 Na 3 N ⟶ 6 Na   + N 2 {\displaystyle {\ce {2Na3N -> 6Na\ + N2}}} アジ化ナトリウム （NaN 3 ）と混同されることがあるが、別の化合物である。 ^ Fischer, D., Jansen, M. (2002). “Synthesis and structure of Na 3 N”. Angew Chem 41 (10): 1755. doi : 10.1002/1521-3773(20020517)41:10<1755::AID-ANIE1755>3.0.CO;2-C .   Fischer, D.; Cancarevic, Z.; Schön, J. C.; Jansen, M. Z. (2004). “Synthesis and structure of K 3 N”. Z. anorg allgem Chemie 630 (1): 156. doi : 10.1002/zaac.200300280 .   . 'Elusive Binary Compound Prepared' Chemical & Engineering News 80 No. 20 (20 May 2002) This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化ニオブ 窒化ニオブ 窒化ニオブ 物質名 IUPAC名 Niobium nitride 識別情報 CAS登録番号 24621-21-4   3D model ( JSmol ) Interactive image ChemSpider 28541694 ECHA InfoCard 100.042.132 EC番号 246-362-5 PubChem CID 90560 InChI InChI=1S/N.Nb Key: CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N SMILES N#[Nb] 性質 化学式 NbN モル質量 106.91 g/mol 外観 灰色の固体 密度 8.470 g/cm 3 融点 2,573 °C (4,663 °F; 2,846 K) 水への溶解度 反応してアンモニアを形成 構造 結晶構造 立方晶系 、 cF8 空間群 Fm 3 m, No. 225 危険性 引火点 不燃性 安全データシート (SDS) External MSDS 関連する物質 その他の 陽イオン 窒化バナジウム 窒化タンタル 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。 N   verify  ( what is   N  ?) 窒化ニオブ （ちっかにおぶ、Niobium nitride）は ニオブ の 窒化物 である。 超伝導転移温度は16 K 。 量子コンピューティングの分野で、演算部分の素子は超伝導薄膜による ジョセフソン接合 を持つが、このときの薄膜材料の一つとして注目を集めている。 ^ K. S. Keskar, T. Yamashita and Y. Onodera [1] Jpn. J. Appl. Phys. 10 (1971) 370-374. This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化ニホニウム 窒化ニホニウム 窒化ニホニウム 物質名 IUPAC名 Nihonium(III) nitoride 別名 Nihonium mononitoride 識別情報 3D model ( JSmol ) Interactive image SMILES [N]#[Nh] 性質 化学式 NhN 関連する物質 その他の 陰イオン リン化ニホニウム ヒ化ニホニウム アンチモン化ニホニウム モスビウム化ニホニウム その他の 陽イオン 窒化ホウ素 窒化アルミニウム 窒化ガリウム 窒化インジウム 窒化タリウム 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。 窒化ニホニウム (Nihonium nitride)は、 ニホニウム と 窒素 からなる化学式NhNの 化合物 である。常温では半導態であると予想されている。 This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化バナジウム(III) 窒化バナジウム(III) 窒化バナジウム(III) 物質名 IUPAC名 窒化バナジウム(III) 別名 窒化バナジウム 識別情報 CAS登録番号 24646-85-3 ECHA InfoCard 100.042.151 性質 化学式 VN モル質量 64.948 g/mol 外観 黒色粉末 密度 6.13 g/cm 3 融点 2050 ℃ 関連する物質 その他の 陰イオン 塩化バナジウム(III) 酸化バナジウム(III) その他の 陽イオン フッ化バナジウム(III) 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。 窒化バナジウム(III) （ちっかバナジウム さん、vanadium(III) nitride）は、 化学式 が VN と表される バナジウム の 窒化物 である。 窒化バナジウム(III) は 耐摩耗性 を高めるために バナジウム鋼 を窒化する過程で生じる。V 2 N もその過程で副生する。VN の 結晶系 は 立方晶 で、低温では V 4 のクラスターを含む。 VN は 強結合超伝導物質 である。ナノ結晶性窒化バナジウムは スーパーキャパシタ に利用できる可能性があると言われている。 ^ Study of the wear behavior of ion nitrided steels with different vanadium contents R.M. Muñoz Riofanoa, L.C. Castelettia, and P.A.P. Nascenteb Surface and Coatings Technology 200, 20-21,(2006), 6101, doi : 10.1016/j.surfcoat.2005.09.026 ^ Thermo reactive diffusion vanadium nitride coatings on AISI 1020 steel U.Sen Key Engineering Materials vols 264-268 (2004),577 ^ Structural phase transition at 205 o K in stoichiometric vanadium nitride Kubel, F., Lengauer, W.’ Yvon, K., Knorr, K., Junod, A. Physical Review B (Condensed Matter), 38, 18, (1988), 12908, doi : 10.1103/PhysRevB.38.12908 ^ Superconducting and normal-state properties of vanadium nitride B. R. Zhao, L. Chen, and H. L. Luo M. D. Jack D. P. Mullin Phys. Rev. B 29, (1984), 6198 - 6202 doi : 10.1103/PhysRevB.29.6198 ^ Fast and Reversible Surface Redox Reaction in Nanocrystalline Vanadium Nitride Supercapacitors D. Choi, G. E. Blomgren, P. N. Kumta Advanced Materials , 18, 9 , 1178 doi : 10.1002/a
llin Phys. Rev. B 29, (1984), 6198 - 6202 doi : 10.1103/PhysRevB.29.6198 ^ Fast and Reversible Surface Redox Reaction in Nanocrystalline Vanadium Nitride Supercapacitors D. Choi, G. E. Blomgren, P. N. Kumta Advanced Materials , 18, 9 , 1178 doi : 10.1002/adma.200502471 This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化ベリリウム 窒化ベリリウム 窒化ベリリウム 識別情報 CAS登録番号 1304-54-7 ECHA InfoCard 100.013.757 性質 化学式 Be 3 N 2 モル質量 55.05 g/mol 密度 2.71 g/cm 3 融点 2200 ℃ 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。 窒化ベリリウム （ちっかベリリウム、Beryllium nitride）は、 化学式 がBe 3 N 2 の ベリリウム の 窒化物 。 密度 は2.71 g/cm 3 、 融点 は2200 ℃である。主に耐熱性 セラミック として用いられる。 This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.
窒化ホウ素 窒化ホウ素 窒化ホウ素 識別情報 CAS登録番号 10043-11-5   3D model ( JSmol ) Interactive image ChEBI CHEBI:50883   ChemSpider 59612   ECHA InfoCard 100.030.111 EC番号 233-136-6 Gmelin参照 216 MeSH Elbor PubChem CID 66227 RTECS number ED7800000 UNII 2U4T60A6YD   CompTox Dashboard ( EPA ) DTXSID5051498 InChI InChI=1S/BN/c1-2   Key: PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N   InChI=1S/B2N2/c1-3-2-4-1 Key: AMPXHBZZESCUCE-UHFFFAOYSA-N InChI=1S/B3N3/c1-4-2-6-3-5-1 Key: WHDCVGLBMWOYDC-UHFFFAOYSA-N InChI=1/BN/c1-2 Key: PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYAL SMILES B#N 性質 化学式 BN モル質量 24.818 g/mol 外観 白色粉末または半透明の結晶 密度 3.4870 g/cm 3 ( c-BN ) 融点 2700 °C, ( c-BN ) 昇華 水への溶解度 不溶 溶解度 酸 に不溶 電子移動度 200 cm 2 /(V·s) ( c-BN ) 屈折率 ( n D ) 2.17 ( c-BN ) 構造 結晶構造 六方晶 閃亜鉛鉱型構造 ウルツ鉱型構造 熱化学 標準モルエントロピー S ⦵ 14.81 J mol −1 K −1 （六方晶） 標準生成熱 (Δ f H ⦵ 298 ) −254.4 kJ mol −1 （六方晶） 熱化学 標準定圧モル比熱 , C p ⦵ 19.7 J/(K·mol) 標準モルエントロピー S ⦵ 14.8 J/K mol 標準生成熱 (Δ f H ⦵ 298 ) −254.4 kJ/mol ギブズの 自由エネルギー (Δ f G ⦵ ) −228.4 kJ/mol 危険性 GHS 表示 : 絵表示 重要な用語 Warning 危険性報告 H319 , H335 , H413 予防報告 P261 , P264 , P271 , P273 , P280 , P304+P340 , P305+P351+P338 , P312 , P337+P313 , P403+P233 , P405 , P501 NFPA 704 （ファイア・ダイアモンド） 0 0 0 関連する物質 その他の 陰イオン リン化ホウ素 ヒ化ホウ素 炭化ホウ素 三酸化ホウ素 特記無き場合、データは 標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。   verify  ( what is   N  ?) 窒化ホウ素 （ちっかホウそ、 英 : boron nitride 、BN）は 窒素 と ホウ素 からなる固体の化合物である。 周期表 で 炭素 ( IV族 ) の両隣りの元素からなる III-V族化合物 なので、性質面で炭素と似ている点が多い。 炭素には常温常圧で安定な 黒鉛 と高温高圧で安定な ダイヤモンド があるように
bsp;°C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。   verify  ( what is   N  ?) 窒化ホウ素 （ちっかホウそ、 英 : boron nitride 、BN）は 窒素 と ホウ素 からなる固体の化合物である。 周期表 で 炭素 ( IV族 ) の両隣りの元素からなる III-V族化合物 なので、性質面で炭素と似ている点が多い。 炭素には常温常圧で安定な 黒鉛 と高温高圧で安定な ダイヤモンド があるように、窒化ホウ素にも 六方晶 系 ( 英 : hexagonal ) の常圧相と、 立方晶 系 ( 英 : cubic ) の高圧相があり、 h-BN 、 c-BN と呼び分けられる。常圧相のh-BNは1842年にバルメイン (W. H. Balmain) により、高圧相のc-BNは1957年にウェンター (R. H. Wentor) によって初めて合成された。 h-BNの粉末や成形体は、固体 潤滑剤 、 ファインセラミックス などに使われる。c-BNの粒および 焼結 体は、おもに、 鉄 と 鋼 用の、 研磨材 および 切削工具 などに使われる。 ^ a b 『化学便覧 基礎編』 II、 日本化学会 編（改訂6版）、 丸善出版 、2021年。 ISBN  978-4-621-30521-8。   表10.10-1. ^ a b c d for h-BN ^ a b c d Haynes, William M., ed (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). CRC Press . p. 5.6. ISBN  1439855110   This article is issued from Wikipedia . The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.