ナノリソグラフィ

ナノリソグラフィ (Nanolithography) はナノテクノロジーの一分野で原子から約100 nmの規模のナノメートルスケールの構造体やパターンの形成に用いられる。ナノリソグラフィは最先端の半導体集積回路（）やナノ電気機械システム (NEMS) の製造で活用される。
2015年時点においてナノリソグラフィは学術と産業分野において活動の盛んな領域である。
光学リソグラフィ.
光学リソグラフィは半導体製造で培われたパターン形成技術で100nm以下のパターン形成には短波長の紫外光(現在は193 nm)を用いる。光学リソグラフィではに液浸の使用が必須で(PSM)、(OPC)を32 nmの領域で使用する。多くの専門家は従来の光学リソグラフィ技術は採算がとれるのは費用対効果で22 nmまでという見通しである。これ以降は次世代リソグラフィ(NGL)に代替されるかもしれない。2012年のSPIE先進的リソグラフィの会合で解像度2 nmのハーフピッチ線幅の量子光学リソグラフィが発表された。ナノリソグラフィの応用分野は: 電界効果トランジスタ(FET)のようなマルチゲート素子、量子ドット、ナノワイヤ、回折格子、回折レンズとフォトマスク、ナノ電子機械システム(NEMS)或いは半導体 集積回路 () である。
ナノリソグラフィの用途