質問: 半導体を発明したのは誰

中村修二




中村 修二（Shuji NAKAMURA、なかむら しゅうじ、1954年（昭和29年）5月22日[1] - ）は、日本出身のアメリカ人技術者、電子工学者[2][3][lower-alpha 1]。博士（工学）（徳島大学、1994年）[4]。日亜化学工業在籍時に、世界に先駆けて実用に供するレベルの高輝度青色発光ダイオードを発明・開発。赤崎勇・天野浩と2014年にノーベル物理学賞を受賞した[5][lower-alpha 2]。日亜化学との訴訟[lower-alpha 3]でも注目を集めた。2000年よりカリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）教授。世界初となる無極性青紫半導体レーザーを実現し、大学発ベンチャー「SORAA」も立ち上げた。また、科学技術振興機構のERATO中村不均一結晶プロジェクトの研究統括として、東京理科大学の窒化物半導体による光触媒デバイスの開発にも貢献した[6][7]。
来歴
幼少期
愛媛県西宇和郡四ツ浜村大久（後の瀬戸町、現在の伊方町）生まれ[1]。小さい頃は海や山といった自然の中で遊ぶ子供であった[1]。父親が四国電力に勤めており、仕事の関係で中村が小学2年生の時に大洲市へ転居するが[8]、ここでも山登りを楽しんだ[1]。
1967年に大洲市立喜多小学校を卒業[9]。その後は大洲市立大洲北中学校・愛媛県立大洲高等学校に進む[1]。数学・物理が好きで[10]、図画工作・美術[11]とともに得意であった。しかし、歴史や地理などの暗記物は苦手だった[12]。
中学・高校の6年間は、バレーボール部に入って活動していた[13][14]。中学はキャプテンをしていた兄に強制的に入部させられ、高校では友人から誘われて断れなかったためであり、バレーが好きなわけではなかった[15]。しかしインタビューでは「辛い時にはバレーボールのきつい練習を思い出す」と述べており[14]、著書では自分達でやり方を研究したり工夫したこと、受験勉強に専念せずに部活動を続けたことの意義や、自立精神が養われたことを振り返っている[16]。
徳島大学時代
大学進学にあたり中村は理論物理や数学を志していたが、教師の就職を考慮した助言と改めて思考し直し工学部を選択[17]。徳島大学工学部電子工学科へ進学する。下宿で専門書を読み耽るとともに、哲学の思索にも時間を割く[18][19]。学部の同期には東原敏昭日立製作所社長がいた[20]。また、3年生の時に後に妻となる教育学部の同級生の女性と出会い、交際を始めている[21]。
3年生では当時助教授であった福井萬壽夫の固体物性の授業に面白さを感じ、中村は材料物性に興味を持つ[22]。卒業研究では同分野の教授である多田修の研究室に所属し、実験装置の手作りを重視するスタイルを学ぶとともに、溶接や旋盤作業も経験する[10][23][24]。
中村はトップクラスの成績[23]で学部を卒業後、同大学大学院工学研究科修士課程に進学[25]。なお、大学院進学にあたっては大学院に博士課程のある京都大学も受験していたが、1点差で不合格になってしまっていた[25]。大学院1年生の時に結婚し、修了時には子供もいた[10][26]。
大学院修了を控えて松下電器産業の採用試験を受ける。成績は学部・修士とトップで徳大大学院の推薦枠もあり、面接もきちんと受け答えできたが、不採用となる。これについて、指導教授の多田からは卒業研究の論述で理論的なことを書きすぎたためと指摘され、中村自身は材料以外はやりたくないと答えたことも一因と分析している[27]。その後、中村は京セラを受験。この時の面接官は創業者の稲盛和夫で、中村は合格した[28]。しかし、家族の養育の関係から、地元就職を希望。指導教授の多田の斡旋により日亜化学工業を受ける[29][30][31]。採用時期を過ぎていて断られかけたものの、英語の成績が良かったことが幸いして採用された[23]。
エンジニア時代
大学院修了後、日亜化学工業に就職し、開発課に配属される[32]。現場の職人からガラスの曲げ方などを習い、自らの手で実験装置などの改造を行った。これらの経験が、CVD装置の改良に生かされ、後の発明に繋がる。
日亜化学工業時代に商品化したものとしては、ガリウム系半導体ウェハーなどがあったが、ブランド力や知名度が低く売れなかった。青色発光ダイオードおよび青色半導体レーザーに挑戦することを決意する。青色発光ダイオードの開発を社長の小川信雄に直訴し、中小企業としては破格の約3億円の開発費用の使用を許される[33]。
中村はまた社長に留学を直談判し[34]、1988年4月から1年間の予定で、アメリカ合衆国のフロリダ大学へ留学する。MOCVD を勉強するための中村の希望であったが、日亜化学としては元々、徳島大学助教授酒井士郎の勧めで、フロリダ大学へ誰か社員を派遣する計画であった[35][36]。中村は修士修了で博士号を持っていなかったため、留学先で研究者として見てもらえず悔しい思いをしており、「コンチクショー」と博士号取得や論文執筆への意欲を新たにした[37]。
1年間の留学後、日亜化学工業に戻り、2億円ほどするMOCVD装置の改造に取り掛かる。なお、2014年に中村修二へのノーベル物理学賞授与が発表されたとき、中村修二はインタビューに応えて「日亜化学の先代社長の小川信雄氏には感謝している。彼の研究支援がなかったらこのノーベル賞はなかった」と述べている[38]。
当時の応用物理学会、研究会などではセレン系に注目が集まっていた一方、ガリウム系の研究会は人数も少なかった。しかし中村は「あれだけ優秀な人たちが取り組んでもうまくいかないならば、むしろ終わったとされる分野に挑んだ方が良い」ということで、ガリウムに着目。その後、青色発光素子であるGaN（窒化ガリウム）の結晶を作製するツーフローMOCVDを発明し、窒化ガリウムによる高輝度青色発光ダイオードの開発に参加した。
スター研究者として
1994年3月、中村は徳島大学大学院工学研究科に博士論文を提出して、博士（工学）の学位を取得した[4]。中村本人は東北大学での取得を希望しており、実際そのチャンスもあったが、会社の都合で地元の徳島大学になったという[39]。
青色発光ダイオードが製品化されて以降、1994年頃から中村は国内外の学会などで多くの講演をこなすことになる[40]。しかし日亜化学工業で給料以外に発明に対して得た報奨金(約2万円)を聞いたアメリカの研究者仲間は絶句の後、低すぎる対価に甘んじているとして「スレイブ・ナカムラ」（スレイヴ＝奴隷）とあだ名した[41][42][43][44]。
また、1998年11月に東京大学客員教授の誘いが来る。相談を受けた日亜化学常務の小山稔は引き受けることを勧めたが、中村は日亜化学から重要な技術情報が漏れることを恐れ、断る方針を伝えた[45]。小山は中村の日亜化学に対する忠社精神を指摘するとともに、すでに重要な技術は研究の段階から生産現場へ移っていたことから、中村が現場における「“真の進歩”に気が付いていないのではないか」と思ったと回想している[46]。
中村は管理職として研究の現場から離れつつあり[47]、LED関係の開発に目途が立ち、研究テーマの観点からも日亜でやることがなくなりつつあった[48]。中村はアメリカの企業や大学から多くのオファーを受け、「スレイブ・ナカムラでは耐えられない」という思いもあり、娘からの「もったいない」という言葉がきっかけで転身を決意[49]。
1999年12月27日に日亜化学を退社。2000年2月に、半導体関係に強くスティーブン・デンバース教授が誘ってくれた[50]、カリフォルニア大学サンタバーバラ校 (UCSB) ・材料物性工学科[51][52]教授に就任する[53][48]。
日亜化学工業との訴訟
2000年12月にアメリカ・ノースカロライナ州東部地区連邦地方裁判所において、日亜化学工業はトレードシークレット（営業秘密）漏洩<!--とコンピューター詐欺-->の疑いで中村を提訴した[54][55]。裁判終結までの間、中村は米国訴訟におけるディスカバリー制度の対応のため、情報提供や反論の準備にかなりの時間を取られ、研究に支障が生じた[56]。
その後2001年8月23日に、中村が日亜化学工業を提訴[57][58]。中村は、日亜化学工業に対してツーフローMOCVD（通称404特許と呼ばれる）の特許権譲渡および特許の対価の増額を求めて争った（通称「中村裁判」（青色LED訴訟）、詳細は404特許を参照）[59][60]。中村は、「サンタバーバラの自宅や大学の研究室を調べられ、心身ともに疲弊した。裁判を通して続けられる日亜化学の執拗な攻撃をやめさせるために、日本で裁判を起こした」と言う[56]。
日亜化学工業が中村を訴えた米国での訴訟については、2002年10月10日に棄却となる[61]。日本での訴訟では、2004年1月30日に404特許の発明の対価の一部として、東京地裁は日亜化学工業に対して中村に200億円を支払うよう命じた。日亜化学工業側は控訴し、2005年1月11日、東京高等裁判所において、404特許を含む全関連特許などの対価などとして、日亜化学工業側が約8億4000万円を中村に支払うことで和解が成立する[62]。
なお、日亜化学工業は同訴訟中に、量産化に不可欠な技術は、若手の研究員が発見した「アニール」技術であり[63][lower-alpha 4]、すでに存在していた平滑なGaNの膜を得るためのツーフローMOCVDは無価値だと述べており、訴訟終了後には特許権を中村に譲渡することなく放棄している[64]。この控訴審において高裁から示された和解勧告に対し、中村は弁護士とは異なる記者会見を設け「日本の司法は腐っている」と述べた[65][60][lower-alpha 5]。
UCSB、SORAAなどでの活躍
2005年、東京理科大学の大川和宏研究グループとの共同研究による、窒化物半導体を用いた光触媒デバイスを発表[6]。窒化ガリウムの結晶と導線で結んだ白金を電解質水溶液に浸し、窒化ガリウムに光を当てることで電流を発生させ、水を電気分解することによって水素と酸素に分離することに成功した。光を使って水から水素を容易に取り出せることから、新たなエネルギー変換技術として期待されている[7]。
大学では固体照明・エネルギー電子工学センターのディレクター[lower-alpha 6]を務め[66]、2007年にはUCSBにおいて世界初となる無極性青紫半導体レーザーの開発に成功した[67]。
アメリカの大学教授は企業のコンサルティングやベンチャー企業立ち上げも良く行っており、中村もLED電球のベンチャーを立ち上げたり[68]、韓国企業のへの技術指導や共同研究を行ったりしていた[69][70]。また、中国の大学や企業で名誉教授やアドバイザーを務めるとともに、日本においても鳥取大学・信州大学・徳島大学・愛媛大学・東京農工大学で客員教授を務めている[71][72]。
2006年にGaN-on-GaNの技術を再度挑戦し成功した中村修二は、中村修二を含むUCSBの教授ら3人で2008年にベンチャー企業、SORAAを立ち上げた。SORAAの製品は、世界初の全可視スペクトラムを持つLEDを製造し、演色性が高く自然な白さを生み出す製品として知られている[73]。
米国籍取得とノーベル物理学賞受賞

中村は以前から「ノーベル賞に最も近い男」と言われることもあったが、青色発光ダイオードの開発から20年経っても受賞できず、2013年末には「来年取れなかったら当分無理かもしれない」と恩師の多田にこぼしていた[23]。しかし2014年に赤崎勇・天野浩と共にノーベル物理学賞を受賞することが決定する[lower-alpha 2][5][74]。
なお、アメリカで研究を続ける都合により、2005 - 2006年頃に米市民権を取得している[2]。米国では多額の研究費を自ら集める必要があったが、その大半は米軍関係のものであり、機密の多い軍の研究費を用いるには市民権が必要だったという[75]。ノーベル賞受賞者発表時には一般に知られておらず、またプレスリリースにある「American Citizen」の解釈でインターネット上の議論を巻き起こした[76]。
ちなみに受賞後のインタビューにおいて、本人は米国籍を取得したが日本国籍を捨てたわけではないと答えた[3]が、日本の国籍法は自ら他国の国籍を保持した際の二重国籍を認めていないため、本人の意思とは関係なく米国籍の取得時点で日本国籍を自動的に喪失していると考えられる[77]（「帰化#単独日本国籍保持者の他国への帰化」も参照）。
実際、平成26年11月4日『官報』では「アメリカ合衆国人 中村修二 文化勲章を贈与する」とされており、日本人として「文化勲章を授ける」とされた他の6人の文化勲章受章者とは明確に異なる取り扱いがなされている。また、中村は前述のようにノーベル賞受賞時に米国籍取得を話したところ、二重国籍が問題となり日本のパスポート更新ができなくなり取り上げられたという[78]。
履歴
略歴
1973年3月 - 愛媛県立大洲高等学校普通科卒業。
1977年3月 - 徳島大学工学部電子工学科卒業。
1979年3月 - 徳島大学大学院工学研究科修士課程修了。
1979年4月 - 日亜化学工業入社。
1988年4月 - フロリダ大学電子工学部へ留学（1989年3月まで）[29][35]。
1993年 - 高輝度青色発光ダイオードを開発。
1994年 - 徳島大学において博士（工学）の学位を取得[4]。
1995年 - InGaN/GaN青色半導体レーザーの室温パルス発振を実現。
1999年
9月 - 日亜化学工業 窒化物半導体研究所 所長[79][53]。
12月 - 日亜化学工業を退社[79][53]。
2000年2月 - カリフォルニア大学サンタバーバラ校 材料物性工学科[51][52] 教授に就任[53]。
2001年10月 - 科学技術振興機構ERATO「中村不均一結晶プロジェクト」研究統括（2006年9月まで）[53]。
2005年 - 東京理科大学との共同研究を発表し、水から容易に水素を取り出す原理の開発に成功。
2007年1月 - 世界初となる、無極性青紫半導体レーザーの開発が発表される[67]。
（客員、顧問、非常勤など）
2000年5月 - クリー・ライティング社の非常勤研究員に就任[80]。
2002年 - 信州大学客員教授に就任。
2004年頃 - （韓国企業）の技術顧問に就任[69][70]。
2006年 - 愛媛大学客員教授に就任[81]。
2010年9月 - 東京農工大学客員教授に就任[71]（ - 2014年3月まで、現在は経営協議会委員[82]）。
受賞歴
学術関係の受賞について（主に武田先端知 2006, pp.15-16やCurriculum Vitaeを参照）
1994年 - 日経BP技術賞、第16回応用物理学会賞（論文賞）[83][lower-alpha 7]
1995年 - 第10回櫻井健二郎賞[84][lower-alpha 8]
1996年 - 仁科記念賞、日経BP技術賞、Engineering Achievement 賞(IEEE/LEOS)、Society for Information Display (SID) Special Recognition 賞
1997年 - 大河内記念賞、第19回応用物理学会賞（論文賞）[85][lower-alpha 9]、Materials Research Society (MRS) Medal 賞
1998年 - Innovation in Real Materials 賞、C&C 賞、 Jack A. Morton 賞(IEEE)、Rank 賞
1999年 - Julius-Springer Prize for Applied Physics
2000年 - 高柳賞、本田賞[86]、Carl Zeiss Research 賞、 Crystal Growth and Crystal Technology 賞
2001年 - 朝日賞[87]、Nick Holonyak, Jr.賞(OSA)、 Distinguished Lecturer 賞(LEOS)
2002年 - ベンジャミン・フランクリン・メダル工学賞、Quantum Electronics 賞(IEEE/LEOS)、The Economist Innovation Award 2002 “No Boundaries”、World Technology 賞、武田賞[lower-alpha 10]
2002-2005年? - トムソン・ロイター引用栄誉賞[88]
2003年 - CompoundSemi Pioneer 賞、Blue Spectrum Pioneer 賞
2004年 - The Society for Information Display Karl Ferdinand Braun Prize
2006年 - Global Innovation Leader 賞、Optical Media Global Industry 賞、 フィンランド政府ミレニアム技術賞
2007年 - Czochralski 賞、Santa Barbara Region Chamber of Commerce Innovator of the Year 賞
2008年 - アストゥリアス皇太子賞（学術・技術研究部門)、応用物理学会最優秀論文賞
2009年 - ハーヴェイ賞
2011年 - 第63回エミー賞技術開発部門[lower-alpha 11]
2012年 - Inventor of the Year Award by Silicon Valley Intellectual Property Law Association
2013年 - LED Pioneer 賞、LUX 賞、Awards of Outstanding Achievement for Global SSL Development by ISA
2014年 - ノーベル物理学賞
2015年 - アジアゲームチェンナー賞[89]、チャールズ・スターク・ドレイパー賞[90]、NIHF(全米発明協会殿堂)入り、グローバルエネルギー賞[91]
2017年 - マウントバッタンメダル賞[92]
2018年 - ザイード・フューチャー・エネルギー賞[93][94]
栄典・受勲
2014年 - 文化勲章、文化功労者[95]
2015年2月4日 - 愛媛県県民賞[96]
2015年 - 愛媛県大洲市名誉市民[97]
著作
学位論文
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単著
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共著
Shuji Nakamura; S J Pearton; Gerhard Fasol (2000). The blue laser diode - the complete story -. Berlin ; New York: Springer. ISBN 9783540665052. (in English)
西沢潤一、中村修二『赤の発見 青の発見』白日社、2001年5月、ISBN 4-89173-102-8。
中村修二、升永英俊『真相・中村裁判』日経BP、2002年11月、ISBN 4-8222-0592-4。
中村修二、城戸淳二『「突然変異」を生み出せ!』日本実業出版社、2003年11月、ISBN 4-534-03664-7。
解説
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（初出：OplusE 2000年4月号）
 Text "和書" ignored (help); Check date values in: |date= (help)（初出：日経サイエンス1994年10月号）
脚注

注釈

出典

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参考文献

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関連項目
日亜化学工業
小川信雄
発光ダイオード
404特許
帰化#単独日本国籍保持者の他国への帰化
外部リンク
(in English)
(in English)

（インタビュー）

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中村修二.“仕事力「理系の仕事は世界の要請だ」中村修二が語る仕事”, , , , . 朝日新聞DIGITAL. 2014年10月9日閲覧。



、、、、2014年11月5日閲覧。