聯華電子

聯電，又叫做聯華電子、UMC，全名聯華電子股份有限公司（United Microelectronics Corporation），總部設喺台灣新竹，係喺1980年，由政府資助嘅工業技術研究院（ Industrial Technology Research Institute；簡稱：ITRI，工研院 ）分拆出嚟而創立嘅台灣第一間半導體晶圓代工公司。

概覽
聯電最出名嘅係佢嘅半導體晶圓代工業務，佢幫無廠半導體公司生產集成電路晶片。佢係緊次於競爭對手台積電嘅世界第二大晶圓代工公司。聯電有7間生產200毫米（8吋）晶圓嘅工廠，6間喺台灣，1間喺中國，同埋有4間生產300毫米（12吋）晶圓嘅工廠，一間喺台灣，一間喺新加坡，一間喺中國，一間喺日本。
聯電喺台灣證券交易所上市，上市編號係2303。 根據2024年嘅年報，直至2023年12月31號，聯電喺全球有12個製造設施（7間200毫米、4間300毫米、1間150毫米），員工人數係19,833人（12,336個係工程師，6,662個係技術員，835個係行政人員）。
聯電係汽車行業嘅重要供應商。

歷史
1970年代，工研院決定發展集成電路產業，邀請美國無線電公司（RCA）研究室主任潘文淵負責籌備工作。1974年7月，潘文淵完成咗「積體電路計畫草案」，經濟部長孫運璿喺8月17號批准咗個計畫。喺潘文淵嘅主導之下，從RCA公司引入咗「互補式金屬氧化物半導體」（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）技術，並且喺工研院成立電子工業研究發展中心，全力發展集成電路技術。
1977年10月，工研院建立咗台灣第一座集成電路示範工廠，開始生產7.5微米製程嘅晶圓。成立咗只有六個月嘅時間，產品良率就已經高達七成，遠高於技術轉移俾佢嘅母廠RCA（RCA嘅良率係五成），令到台灣好快就躍升成為全球第三大電子錶輸出國。為咗可以令晶圓生產技術可以產業化，工研院喺1980年5月22號同交通銀行、中華開發、光華投資公司、東元、聲寶、華泰、華新麗華等公司出資五億台幣成立集成電路工廠，首任董事長由工研院第2任院長方賢齊做。由於主要股東中華開發、光華投資、華新麗華、華泰電子嘅名都有個「華」字，所以新公司就叫做「聯華電子」，係台灣第一間半導體製造公司。聯電成立咗之後，工研院將4吋晶圓技術同埋研發團隊都移轉咗俾聯電，其中即包含後來擔任聯電董事長嘅曹興誠。而聯電亦都喺成立冇幾耐，就躍升成為東南亞最大嘅集成電路製造商。1985年7月，聯電正式喺台灣證券交易所公開上市，成為台灣第一間上市嘅半導體公司。

初期
聯電啱啱成立嘅時候，商業模式係以垂直整合嘅集成器件製造商（Integrated Device Manufacturer，IDM）為主，負責半導體生產嘅整個過程，由設計到生產都做，佢哋同時進行晶圓代工、IC 設計、儲存等三大業務。1981年，工研院電子所副所長曹興誠做聯電總經理嘅時候，曹興誠意識到台灣電子市場所受到嘅限制，開始思考晶圓代工呢種商業模式嘅可能性，因此佢喺1984年去咗美國，向當時做緊台灣科技顧問嘅張忠謀提出晶圓代工呢個諗法，但係當時張忠謀並唔太贊成呢個模式。1985年，張忠謀返番台灣，做工研院院長，並且兼任聯電嘅董事長。不過無幾耐，張忠謀就喺1987年成立咗「台灣積體電路公司」（台積電），而且率先實踐咗曹興誠曾經同佢提出嘅晶圓代工嘅商業模式，張忠謀咁做，令到當時嘅曹興誠認為自己嘅諗法俾張忠謀剽竊咗，咁亦都種落咗兩個人之間嘅心病。1991年，曹興誠以「競業迴避」做理由，聯同其他董事，要求張忠謀辭去聯電董事長呢個位，從此就揭開咗台灣晶圓雙雄爭霸嘅序幕。

轉型做晶圓代工
1995年，雖然當時晶圓代工嘅生意只佔聯電營業額嘅三分之一，曹興誠仍然決定放棄經營自家品牌，將聯電轉營為從事專業晶圓代工嘅生意。為咗籌錢起廠，聯電同美國、加拿大等地方嘅11間 IC 設計公司合資成立聯誠、 聯瑞、聯嘉，總共3間8吋晶圓代工公司。但係同台積電嘅獨立起廠嘅晶圓代工模式唔同，聯電同其他 IC 廠合資起廠嘅做法，令到啲客擔心自己嘅設計圖會唔會外流咗去競爭對手嗰度，所以當時聯電嘅主要客戶群多數係中小型嘅 IC 設計廠。於是聯電將旗下嘅 IC 設計部門分出去，成立聯發科技、聯詠科技、聯陽半導體、智原科技、聯笙電子、聯傑國際，而呢啲廠後嚟亦都成為台灣重要嘅 IC 設計廠，其中聯發科同聯詠更加成功躋身為全球前10大 IC 公司。同時曹興誠為咗縮小同台積電嘅差距，喺1999年進行「聯電五合一」嘅方案，合併集團旗下聯誠、聯嘉、聯瑞、和泰4間晶圓代工公司。合併之後嘅聯電產能達到台積電嘅85%，全球市佔率更從原先嘅10%提升到35%，接近台積電45%嘅市佔率，大幅度咁縮窄咗聯電同台積電嘅差距。不過，2000年之後，聯電同台積電嘅差距又再次拉開咗。
聯電喺竹科嘅AB廠大樓
聯電喺新竹科學園區嘅大門入口

發展簡歷
1998年：為咗擴廠需求，將合泰半導體嘅8吋晶圓廠（盛群半導體）納入聯電體系。另外，為咗擴展海外市場，取得新日鐵半導體（UMC Japan）部分股權。
1999年：喺台南科學園區起12吋晶圓廠
2000年：聯電集團重組（聯電/聯誠/聯瑞/聯嘉/合泰五合一），並且喺紐約證券交易所上市，生產出半導體業界第一批銅製程晶片同埋第一粒0.13微米製程嘅 IC。
2004年：聯電旗下嘅新加坡12吋晶圓廠進入量產階段，並且收購咗矽統半導體（SiS）。
2008年：俾道瓊斯公司納入道瓊斯永續性指數（Dow Jones Sustainability Indices, DJSI）成份股。
2009年：正式完全收購新日鐵半導體嘅股權，並且將佢納入子公司UMCJ。
2010年：聯電成立三十週年。
2013年：取得中國大陸蘇州和艦科技晶圓廠。
2014年：入股富士通嘅新晶圓代工公司。
2015年：喺廈門轉投資設立嘅聯芯集成電路製造廠正式動工。
2017年：聯電宣布唔再追逐14奈米以下嘅先進製程。
2018年：聯電宣布將會以唔超過576.3億元日圓（折合新台幣160億元）嘅金額，完全收購已經持有15.9％股權嘅日本三重富士通半導體（Mie Fujitsu Semiconductor，MIFS），2019年10月1號完成咗股權轉讓。
2020年：聯電成立四十週年。聯電同美國司法部達成認罪協議，解決2018年涉及同晋華集成電路盗竊美光科技專利嘅商業機密案。
2021年：連續14年入選道瓊斯 DJSI 嘅「世界指數（DJSI-World）」成分股，亦都同時入選新興市場（DJSI-Emerging Markets）成分股。
2021年：加入由氣候組織同埋碳揭露專案提出嘅「RE100」倡議，訂定2025年25%、2030年50%、2050年100%嘅三階段使用再生能源目標，以及喺2050年達到零淨碳排，係全球第二間加入RE100嘅半導體企業。
2021年：美光同聯電嘅專利訴訟達成全球和解協議，雙方各自撤回向對方提出嘅訴訟。

喺美國嘅官司
美國司法部喺2018年起訴聯電同埋中國公司福建晉華，指控佢哋合謀偷取美國美光公司嘅知識產權。喺2020年10月， 聯電同美國司法部達成認罪協議，聯電承認一項收受同持有被盜商業秘密嘅罪名，並同意支付6000萬美元嘅罰款。 聯電嘅認罪同認罪協議解決咗美國司法部對聯電提出嘅2018年商業秘密案。作為認罪協議嘅一部分，司法部同意駁回對聯電嘅原始起訴，包括陰謀進行經濟間諜活動同陰謀偷取美光科技公司（「美光」）幾項商業秘密嘅指控、專利相關指控，同埋指控損害同罰款由4億美元至87.5億美元。認罪同認罪協議入面有爭議嘅一個商業秘密係同舊技術有關，呢啲技術已經喺全球大量生產咗好幾年。 司法部亦都駁回咗一項針對聯電嘅相關民事案件。除咗罰款嘅金額之外，聯電對司法部無任何其他財務義務。認罪協議亦都規定咗聯電會同司法部合作，並且會受到三年嘅非監督緩刑。
喺2021年11月，聯電同美光喺知識產權（ IP ）問題上發生咗多年嘅法律糾紛之後，同意喺全球撤回對對方嘅起訴。 聯電將會向微光科技支付一筆未公開嘅一次性款項。雙方亦宣布未來有意尋求相互嘅商業合作機會。
喺2024年2月，美國三藩市嘅地方法官 Maxine M. Chesney 裁定，美國檢察官未能證明中國公司福建金華挪用咗美光科技公司嘅商業秘密，因此法院裁定福建金華無罪。