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Titolo: Memoria ad Accesso Casuale

Quali sono le differenze e quali  sono i differenti tipi di memoria RAM
(SIMM, DIMM, DRAM, SRAM, ecc..) ?
GRAZIE IN ANTICIPO A CHI MI RISPONDERà.

 GRAZIE IN ANTICIPO A CHI MI RISPONDERà.
SRAM: Ram statica, si carica un programma e lo si tiene in RAM gestendo
l'insieme fisso delle locazioni.
DRAM: Ram dinamica, si carica un programma e lo si esegue; il computer
riordina le locazioni durante l'esecuzione(modifica la posizione e le
locazioni occupate).
SIMM: Singolo modulo di memoria; tante SIMM uguali determinano la quantita'
totale. Una SIMM contiene 72 contatti.
I nuovi DIMM introdotti per i computer basati su processori PENTIUM
contengono 168 contatti.
da: 
dca...@tin.it

 contengono 168 contatti.
SIMM e DIMM indicano invece il modo di raggruppare piu' chip di memoria su
un singolo supporto in modo da costituire "moduli" di maggior capacita'.
SIMM= Single Inline Memory Module; DIMM= Dual Inline Memory Module; sono
appunto piu' chip di memoria assemblati su una piccola scheda di circuito
stampato con un connettore a pettine su un lato. Si distinguono
essenzialmente perche' il connettore ha contatti su una sola faccia
(Single) oppure sulle due facce (Dual). Nessuno dei due tipi di
organizzazione e' legato in particolare al tipo di processore: sono
semplicemente diverse "confezioni" della memoria.
					l.f.
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 >
Le argomentazioni esposte riguardano il funzionamento delle SRAM e delle
DRAM, mentre il messagio di risposta si riferisce alla tecnica con cui si
costruiscono.
Le due tecniche prevedono una gestione diversa: bits stabili su dei
flip-flop nel primo caso, refresh per scarica del MOS nel secondo caso.
Poiche' viene usato l'algoritmo LRU per modificare i singoli bits man mano
che i MOS vengono scaricati, si trova la situazione descritta.
Stiamo analizzando il problema da punti di vista molto diversi.

 locazioni occupate).
Tu dici che il computer "riordina" le locazioni durante l'esecuzione e ne
"modifica" la posizione. Questo non e' assolutamente vero, la posizione
(suppongo tu intenda l'indirizzo) in memoria non viene affatto modificata,
La circuiteria della DRAM si limita ad effettuare un "refresh" dei singoli
bit periodicamente (fra l'altro mi pare di ricordare che il refresh sia di
tipo ciclico e quindi non con algoritmo LRU, ma su questo non sono sicuro
e non escludo che esistano DRAM in cui il refresh avviene in modo diverso)
ma l'operazione non influenza il comportamento esterno della memoria (se
non per aspetti temporali) e quindi il "computer" (credo tu intenda la
CPU) non e' coinvolto in alcun modo nell'operazione.
Se poi vogliamo scendere ancora in dettaglio e' fuorviante anche il
riferimento al "programma" caricato in memoria: il funzionamento di SRAM e
DRAM e' indipendente dal fatto che in memoria siano caricati programmi o
dati; avviene, diciamo, a livello hardware ed il software "non se ne
accorge" (sempre trascurando la diversa velocita' di accesso dei due tipi
di memoria).
Ciao,


Stiamo analizzando il problema da punti di vista molto diversi.
Sì. 
Uno giusto, e uno del tutto errato...


 
dca...@tin.it


Si e' convenuto che:
SRAM- circuiti che non cambiano il loro stato. Il sistema e' statico.
DRAM- Mos di scarica. Il sistema e' dinamico perche' i condensatori si
scaricano e variano il loro stato.
Queste argomentazioni di tipo elettronico non determinano effettivamente
comportamenti particolari per lo stesso computer o per il software in
esecuzione.
Non e' troppo definito quale algoritmo gestisce il refresh; in pratica si
possono utilizzare sia quello ciclico che quello LRU con risposte diverse.
Grazie, doverbbe essere tutto.
da  
dca...@tin.it

possono utilizzare sia quello ciclico che quello LRU con risposte diverse.
LRU per il refresh e' una novita'. Se sei capace di progettare una cella a
un MOS che non necessita di refresh fatti assumere alla Intel.
Per la cronaca: usare LRU significa che alcune celle non vengono mai
rinfrescate, altre molto di rado.
Marco