Newsgroup: it.comp.hardware.cpu
Titolo: e infine arrivò il SUPERtransistor.

Vedere:
http://utenti.tripod.it/fraternogiovanni/transistorplus.htm
Saluti.

Saluti.
30nm circa 3 atomi... mmmhhh...
--
Elbereth Gilthoniel!
Galandil il Bardo

 --
Ecco il testo originario (fonte AP):
" The new transistors, Intel said, are 0.03
microns wide, or about three atoms thick. A pile
of 100,000 of them would equal the thickness
of a sheet of paper, the company said. "
Saluti \ Ambasciator non porta pena.

 
http://utenti.tripod.it/fraternogiovanni/transistorplus.htm
Immagino che ciň voglia dire che presto i produttori di processori saranno
in guai seri... non ci vuole un genio per capire che stiamo per raggiungere
il limite minimo della miniaturizzazione dei transistor...
Saluti
--
Wilmer Ricciotti
wi...@bigfoot.com

of a sheet of paper, the company said. "
Beh, da che mondo e mondo si sa che il raggio atomico medio di un atomo di
Silicio è di circa 120pm (cioè 0,12nm, cioè 0,00012 micron).
Quindi, in questo caso, abbiamo un reticolo cristallino con circa 83 atomi
di Silicio in 0,03 micron di materia.
A meno che non usino atomi ingrassati... :))
Ma si sa, l'Intel è sempre stata un po' "sborrona" nei suoi comunicati
stampa. A meno che non abbiano usato del GaAs, ma anche in questo caso...
Inoltre, i transistors a 0,03 micron già esistono, ma vengono usati per
altre applicazioni in altissima frequenza. E qui si parla sempre dei FET
(MOS in particolare).
Ce ne sono anche di altri tipi nettamente più performanti in alta frequenza
e con bassissimo rumore quali gli Hemt...
Giusto per precisare, insomma! :)


il limite minimo della miniaturizzazione dei transistor...
Dei FET in particolar modo...
Se si cominciassero ad usare gli HEMT, il discorso sarebbe differente. Ma
c'č da dire che il costo di integrazione degli HEMT č nettamente + elevato,
sebbene il guadagno in prestazioni č elevatissimo (una frequenza di taglio +
alta di circa 10^5 (se non sbaglio) rispetto ai + veloci MOSFET e un rumore
+ basso di circa 10^6 volte).


e infine arrivò Repubblica.it:
www.repubblica.it/online/tecnologie_internet/superchip/moore/moore.html
Saluti.

 di Silicio in 0,03 micron di materia.
Guarda che ci si riferisce a due dimensioni diverse.... "wide"=larghezza,
"thick"=spessore

 ha scritto:

Mmmhhhh... Anche considerando il triste gioco di parole dell'articolo :), il
senso dell'articolo è chiaro: vogliono spacciare un transistor a 0,03u di
grandezza (spessore) spesso quanto tre atomi...
O forse sono riusciti a usare un atomo per il Drain, uno per il Gate ed uno
per il Source... chi hanno chiamato, Geordi LaForge? :-)))


per il Source... chi hanno chiamato, Geordi LaForge? :-)))
Salve!
Credo d'aver letto, 6/12 mesi fa, che lo spessore dello strato 
isolante che divide il gate dal canale nei mos-fet fosse, nei chip
commerciali, di 20 atomi, che il limite teorico era considerato di 4,
che esistevano già prototipi realizzati con uno spessore di 5 atomi.
Forse è a questo che, impropriamente, si riferisce l'articolo di cui
discutete.
Salutoni.
-- 
Bye.
       Lem
----------------- 'CLOCK is what you make of it' -----------------
Distributed computing projects: 
www.nyx.net/~kpearson/distrib.html

 30nm circa 3 atomi... mmmhhh...
30 nm = circa 3 atomi? ma d che elementi della tavola periodica
parli?!?!?
Stefano
gifa...@tin.it
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!!sito completamente rinnovato!!