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Titolo: Tecnologia a 20nm per le Flash-Eprom  entro 2 anni ?!?!?

Nell'articolo "Infineon creates 20 nanometre flash cell"
reperibile su 
www.theinquirer.net
 si dice che Infineon
ha annunciato di aver realizzato delle celle di memoria
flash da 20nm (la dimensione "sul piano" del gate).
Per arrivare a tanto la singola cella di flash-eprom
viene implementata con un FinFET (FET "a pinna").
Usando il FinFET le celle "memorizzano correttamente"
con 1/10 della carica eletttrica necessaria
con le celle di flash-eprom realizzate con le tecnologie
costruttive attuali.
Con i FinFET a 20nm, Infineon prevede di produrre
chip da 32Gbit (8GByte per chip) di flash-eprom
entro 2 anni.
Con 20 chip si potrebbe realizzare un "flash-hd RAID"
(con quattro "quintuple"
  con 4 chip di dati ed uno con lo xor degli altri 4)
da 128GB. :-)
L. Micheletto

 Con 20 chip si potrebbe realizzare un "flash-hd RAID"
Slurp! Prestazioni da sballo!
MaxArt

 da 128GB. :-)
      ^^^^^
Ri-Oops! Sarebbero "solo" 64Gbyte.
L. Micheletto

flash da 20nm (la dimensione "sul piano" del gate).
20nm? ma il limite fisico dei derivati del silicio non doveva essere
intorno ai 30-35nm?
-- 
    (iao!!oai)                                    (ICQ: 10860566)
    //.aurizio
[WARNING!: togliete _nessuno_ per rispondere]
    Coloro che sono disposti a farsi togliere alcune liberta' 
essenziali per ottenere un piccolo, temporaneo senso di sicurezza
non meritano ne liberta' ne sicurezza. [B. Franklin]

 intorno ai 30-35nm?
Il limite fisico è un costrutto umano ... dovuto alle nostre scarse 
conoscenze, una mera proiezione statistica ... Adesso so fare bene le 
scatole di cartone e mi aspetto di arrivare a farle di tungsteno, poi 
qualcuno scopre il salkazzio, e io fra due anni farò scatole in salminkio 
dicendo che non potrò farle con nient'altro ...
Infatti la storia ci insegna che col tempo qualche stronzo che scopre 
l'america c'è sempre. :-)
Felix 

Ri-Oops! Sarebbero "solo" 64Gbyte.
Da buttare via insomma :P
-- 
ZHELGADIS THE LIGHTBRINGER (ICQ 33134824)
BAG#008,DPPSJ#000,BAT#013,TFC#012,GAM#026,ZZZZ#027,CID#027,PAN#015
"Aspettare non č mai stato un problema, per me.
Posso trascorrere piacevolmente ore e ore con l'aiuto di un buon caffč"

intorno ai 30-35nm?
L'avevo sentita anch'io questa... vorrei proprio sapere *come* hanno
fatto O_O
Ma quanti atomi sono 20nm?


 intorno ai 30-35nm?
Dai un occhiata sull'Inquirer dove c'e' un disegno di massima
di un FinFET, probabilmente la differenza sta nel fatto
che il FinFET e' maggiormente "a sviluppo verticale" rispetto
agli altri tipi di FET.
L. Micheletto

 Ma quanti atomi sono 20nm?
Un nanometro è 9 volte circa il diametro del silicio. Quindi 180 atomi
appena, strabiliante...
MaxArt

Il limite fisico è un costrutto umano ...
il limite fisico e' dato dal numero minimo di atomi di silicio
necessari per costruire un semiconduttore, che e' un po' piu'
deterministico che "un costrutto umano"...
non stiamo parlando di filosofia, stiamo parlando di fisica tutto
sommato.


 sommato.
Non stavo parlando di silicio, lol :-)
Stavo parlando di tecnologia in generale.
ad esempio:
1) Ci sono dei camicini bianchi al MIT che stanno studiando da tempo sistemi 
di calcolo che sfruttano gli stati di eccitazione degli elettroni nelle loro 
orbite per generare impulsi binari ...
2) Il primo articolo sul Blue Ray l'ho letto su Le Scienze (pubblicazione 
italiana di Science, quindi peraltro ritardataria per certi aspetti) nel 
1998 ... quando i DVD non esistevano ancora ...
Dico solo che i canali d'informazione sono settoriali, e ciň che poi diventa 
disponibile sul mercato consumer come novitŕ, spesso č nato "secoli" prima.
E che ogni volta che si incontra un problema, una barriera, poi qualcuno che 
trova il modo di aggirarla, se non proprio abbatterla, c'č.
Felix 


E' ancora piu strabiliante il layout del FinFET.
In pratica e' una "aletta" di silicio, con uno strato
di nitruro come isolante e sopra di esso il gate
(e' "molto piu in rilievo" rispetto ai classici MOSFET
  fotolitografati sui chip).
Essendo in rilevo puo contare su un maggior isolamento
(solo la base e' a contatto con il chip, tutto il resto
  "e' in aria").
Secondo quanto riportato in questo link:
http://www.ciol.com/content/news/2004/104121703.asp
L' "aletta" e' spessa 8 nm mentre il gate sopra l'aletta
e' lungo 20nm.
Per mantenere lo stato della cella basta intrappolare
"solo" 100 elettroni [contro i 1000 attualmente necessari].
Notare che anche se la carica "intrappolata" e' 1/10
di quella delle flash-eprom attuali non e' detto che
sia lo stesso per le correnti di "scrittura".
L. Micheletto

 certi aspetti) nel 1998 ... quando i DVD non esistevano ancora ...
Scientific American, non Science :-)
E ti posso assicurare che escono gli stessi articoli nello stesso mese,
hanno pure la stessa copertina, solo che la versione italiana per legge deve
contenere un certo tot di articoli da parte di autori italiani.
Di che numero si trattava?
MaxArt

 Di che numero si trattava?
Ho traslocato da bologna a verona, ed erano riviste che prendeva mia madre 
(fitopatologa), dovrei guardare negli scatoloni sotto le feste, in soffitta 
...
Felix