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Titolo: Chip del futuro peer Intel e AMD

"Intel ha rivelato nuovi dettagli sui propri transistor "tri-gate", ossia a
tre gate, annunciando di aver anche iniziato il passaggio dalla fase di
ricerca alla fase di sviluppo. Con questo nuovo transistor tridimensionale
(3D), l'azienda afferma che potrà continuare a confermare la validità della
legge di Moore e offrire processori dalla prestazioni più elevate e con
minor consumo di energia.
Il gate, che nei transistor tradizionali è unico, funziona essenzialmente
come un conduttore e regolatore di elettricità: raddoppiando o triplicando
il suo numero è possibile far passare attraverso un transistor più
elettricità e, in questo modo, incrementare le prestazioni di un chip.
Non è un caso che i transistor multigate siano considerati materiale di
lavoro di primo piano per i più impegnati tra i chipmaker, da IBM a AMD.
I ricercatori Intel sono riusciti a ridurre le dimensioni del transistor
tri-gate (misurate in base alla lunghezza del gate) da 60 a 30 nanometri
(nm). I transistor con un gate più piccolo si accendono e spengono più
velocemente, aumentando in questo modo le prestazioni dei microprocessori.
"Le nostre ricerche più recenti, le caratteristiche eccellenti di
scalabilità, prestazioni e facilità di produzione del transistor tri-gate,
indicano che entreremo in produzione addirittura nel 2007, ancora prima
della tecnologia di processo a 45 nm", ha affermato Sunlin Chou, senior vice
president e general manager del Technology and Manufacturing Group di Intel.
"Questi risultati pongono le strutture dei transistor 3D non planari tra le
innovazioni più promettenti della nanotecnologia, che useremo per aumentare
la scalabilità del silicio e confermare la Legge di Moore nel futuro".
Per il transistor tri-gate Intel utilizza una nuova struttura 3D del gate,
una specie di piastra sollevata con lati verticali, che consente l'invio dei
segnali elettrici lungo la superficie superiore del gate del transistor e
lungo entrambe le pareti laterali. Oltre che garantire maggiori performance,
il chipmaker di Santa Clara afferma che la struttura dei transistor tri-gate
risolve il problema della dispersione di corrente elettrica, più che mai
avvertito nel settore a causa delle dimensioni sempre più ridotte dei
dispositivi CMOS.
Intel è già passata dalla fase di ricerca a quella di sviluppo, e sono stati
prodotti con successo dei dispositivi sperimentali nell'impianto di
produzione di wafer da 300 mm situato a Hillsboro, Oregon (Fab D1C).
I ricercatori di AMD hanno invece annunciato di aver dato vita a due nuove
famiglie di transistor. La prima basata sulle tecnologie fully-depleted
Silicon-on-Insulator (FDSOI) e PMOS (P-channel metal-oxide semiconductor),
la seconda basata sulle tecnologie Strained-Silicon e Metal Gate.
In entrambi i casi, AMD afferma che i propri transistor forniscono
prestazioni da record rispetto alla precedente generazione di transistor
basata sulle stesse tecnologie: in particolare, il guadagno in termini di
performance si spingerebbe fino al 30% per i primi e fra il 20% e il 25% per
i secondi.
La tecnologia FDSOI consiste nel costruire un transistor all'interno di uno
strato sottilissimo di silicio posto su di uno strato di uno speciale
materiale isolante.
Con la tecnologia Strained Silicon, che come la SOI è stata sviluppata da
IBM, si basa su di un processo di "stiramento" della distanza fra gli atomi
di silicio, una tecnica che consente di velocizzare il passaggio del flusso
di elettroni all'interno dei transistor e incrementare così le prestazioni
dei chip diminuendo, nell'egual tempo, il consumo di energia.
I transistor metal gate, ossia con gate metallici (in nichel) al posto dei
tradizionali in polisilicio, permettono invece di aumentare in modo notevole
le prestazioni dei transistor migliorando il flusso di corrente elettrica
nel transistor stesso.
Il chipmaker di Sunnyvale afferma che queste tecnologie potranno essere
adottate in congiunzione con l'introduzione del processo produttivo a 65 nm,
previsto per il 2005."
Fonte: Punto Informatico

Molto interessante. Grazie per il post.
Saluti.

 Molto interessante. Grazie per il post.
Sottoscrivo.
Ciao,
    RIGOLO.