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Titolo: Tecnologia del silicio (Vapour Phase Epitaxy)

Nella tecnologia del Silicio c'è una tecnica che si chiama VPE (Vapour Phase
Epitaxy) e ad un certo punto è importante considerare la seguente reazione
chimica :
SiCl4 (gas) + 2H2 (gas) <---> Si (solido) + 4HCl (gas)
E' importante vedere quanto silicio (Si) si depone, perché si vuole
realizzare un substrato per realizzare i componenti elettronici, al variare
della concentrazione del tetracloruro di silicio (SiCl4). Allora se si
dispone di un certo reattore, in "ingresso" si ha tetracloruro di silicio
(SiCl4) ed idrogeno (H2), ed in "uscita" si ha  silicio (Si) e acido
cloridrico (HCl) che però non interessa e viene espulso dal reattore.
Si vuole ricavare la concentrazione del silicio in "uscita" ed
io avrei pensato di applicare la legge dell'azione di massa, però
non so neanche se l'ho applicata bene :
per l'ingresso pongo :
x = [SiCl4] = concentrazione del tetracloruro di silicio,
da cui segue che la concentrazione dell'idrogeno è [H] = 1 - x
per l'uscita pongo :
y = [Si] = concentrazione del silicio,
da cui la concentrazione dell'acido cloridrico è [HCl] = 1 - y
Ora applico la legge dell'azione di massa :
([SiCl4] [H2]^2)/([Si] [HCl]^4]) = k = costante
formalmente questa espressione diventa quindi f(x) = x(1 - x)^2 = y(1 -
y)^4.
Non c'è proprio nessun problema a fare lo studio di f(x), poi da questo come
deduco y(x) ? Questo per me sarebbe molto importante perché potrei ricavarmi
la concentrazione y del silicio in "uscita" in funzione della concentrazione
del tetracloruro di silicio x in "ingresso". Al limite andrebbe anche bene
potermi determinare i massimi e i minimi di y(x).
Se invece avessi proprio sbagliato ad applicare la legge dell'azione di
massa come faccio a determinare la concentrazione del silicio ?
Scusate se il quesito è banale ma ci sono dei giorni in cui mi si
confondono le idee.
Grazie, ciao a tutti

 non so neanche se l'ho applicata bene :
[cut]
Dato che il silicio e' solido la sua concentrazione e' sostanzialmente
costante, e in effetti non compare nella legge di azione di massa,
che, a patto che sia presente almeno una piccola quantita' di Si (s),
sara' espressa dall'equazione valida all'equilibrio:
[HCl]^4 / ([H2]^2 * [SiCl4]) = k = costante.
La quantita' di interesse non e' la concentrazione del silicio ma il
suo tasso di crescita (spessore depositato nell'unita' di tempo),
v. ad es. Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology,
su cui troverai risposta anche a qualche domanda che hai posto
nell'altro messaggio.
Ciao
--
Giorgio Bibbiani

 nell'altro messaggio.
Senti se per l'altro messaggio ti riferisci a quello con oggetto "Tecnologia
del silicio (piccole domande)" io non riesco a vederlo e neanche le relative
risposte. Per favore mi potresti mandare le eventuali risposte al suddetto
messaggio ed anche quelle che ho ricevute per questo oltre alla tua ?
grazie ciao
ps : nuovo nick stesso account, Dottor Jekyll = Pasqualino Sciosciammocca,
faccio come il Lagnoso :-(

 messaggio ed anche quelle che ho ricevute per questo oltre alla tua ?
Ti rispondo sia sul NG che in mail.
Attualmente sul server di TIN vedo solo i tuoi messaggi e la mia solitaria risposta...
Ciao
-- 
Giorgio Bibbiani