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Titolo: Dubbio sui transistor

Ciao a tutti.
Immaginiamo di avere un transistor, per esempio NPN quindi
emettitore N1 - base P - collettore N2.
Bene, colleghiamo
N1 a potenziale negativo rispetto a P, P a potenziale negativo rispetto a
N2.
In tali condizioni, il transistor conduce corrente.
Invertiamo le polaritŕ, allora abbiamo
N2 a potenziale negativo ripsetto a P, P a potenziale negativo rispetto a
N1.
Perchč il transistor non conduce, visto che la situazione č apparentemente
simmetrica a prima, scambiando N2 e N1?
Non dovrebbe accadere semplicemente che N2 diventa emettitore e N1
collettore?
Grazie per le vostre risposte.
 
 

 collettore?
 
Perche' dici che non conduce? Scambiando E e C il transistor conduce con 
un guadagno di corrente basso, o molto basso, ma conduce, si chiama zona 
attiva inversa (o qualcosa del genere).
 
Il motivo per cui non ha un guadagno come in conduzione diretta e` fa 
cercarsi nei drogaggi: il livello di drogaggio dell'emettitore e` molto 
maggiore di quello di base, a sua volta molto maggiore di quello di 
collettore. Se scambi E e C hai che il drogaggio di base e` molto 
maggiore di quello dell'emettitore, e questo uccide il guadagno del 
transistore inverso.
 
Una volta i transistori polarizzati a rovescio erano usati come 
interruttori di segnale perche' hanno una VCE di saturazione piu` bassa 
che in zona diretta.

 Grazie per le vostre risposte.
 
Non sbagli affatto. A emettitore e collettore invertiti, il transistor 
conduce, esattamente come prevedi tu: solo conduce molto meno (e 
continua anche a funzionare come amplificatore, ma con curve 
caratteristiche ed efficenza molto minore).
 
La disimmetria e' dovuta alla differenza di superficie fra la giunzione 
EB e la giunzione BC: la prima e' molto piu' piccola dalla seconda, per 
cui *gran parte* delle cariche o lacune emesse dall'emettitore in 
seguito alla DDP applicata fra B ed E si diffondono attraverso la base 
fino a raggiungere il collettore anziche' venir "catturate" dal contatto 
esterno della base, mentre a ruoli invertiti l'emettitore (con il ruolo 
di collettore) viene raggiunto solo da una *piccola parte* di esse.
 
 
-- 
TRu-TS
Buon vento e cieli sereni

 bassa che in zona diretta.
 
ne conoscevo l'impiego come zener (relativamente stabili in 
temperatura se si ricava la tensione tra emettitore collegato al 
positivo - per gli NPN - e collettore)...
 
    e +
b-K
    c -
 
(la base è scollegata)
 
cosa intendi utilizzazione a rovescio come interruttori di segnale?
qualcosa tipo:
 
+in >---e  c--->out
          \/
          --
           b (controllo on/off)
 
?
 
spero si capisca dal disegno in ascii altrimenti posso provare con una 
png codificata in base 64 o simili...
-- 
bye
!(!1|1)

Ciao a tutti.
Per prima cosa, un grazie a tutti per le vostre gentilissime risposte.
Mi si consenta un grazie particolare a Tommaso che, ogni volta che pongo
qualche domanda, è sempre pronto ad aiutarmi.
Scusatemi se approfitto ancora di voi.
Per quanto riguarda i transistor ad effetto di campo (FET), trovo
chiaramente in rete le condizioni  che delimitano le tre regioni di
funzionamento:
http://it.wikipedia.org/wiki/MOSFET
 
-regione di interdizione
V_GS < V_soglia
dove V_GS è la tensione tra gate e source (con il source allo stesso
potenziale della regione del canale)
-regione lineare
V_GS > V_soglia
V_DS < (V_GS - V_soglia)
dove V_DS è la tensione tra drain e source
-regione di saturazione
V_GS > V_soglia
V_DS > (V_GS - V_soglia)
 
Bene, non riesco a trovare in rete informazioni sulle analoghe condizioni
per i transistor a giunzione bipolare (BJT)
(qui non vengono dette esplicitamente
http://it.wikipedia.org/wiki/Transistor_a_giunzione_bipolare
)
Da qui
http://www.giurob.it/sito/elettronica/digitale/transistor/tr_onoff.htm
 
si capisce che
-regione di interdizione
V_BE < V_soglia
dove V_BE è la tensione tra base ed emettitore.
Ma poi?
 
Per analogia avevo pensato
-regione lineare
V_BE > V_soglia
V_CE < (V_BE - V_soglia)
dove V_CE è la tensione tra collettore ed emettitore
-regione di saturazione
V_BE > V_soglia
V_CE > (V_BE - V_soglia)
Ma sto letteralmente inventando, anche se mi sembra ragionevole.
E' corretto?
Perdonate la mia ignoranza da autodidatta.
Saluti.
 
 
 


 
i grafici delle curve caratteristiche potrebbero dissipare i tuoi dubbi
 
-- 
bye
!(!1|1)

 solitamente minore di Vbe
 
Ti ringrazio tanto.
Scusami ancora, tornando a quanto già ho scritto prima, quali sono le
condizioni affinchè un BJT non sia in interdizione, ma non sia nemmeno in
saturazione? Oppure ciò non è possibile e le regioni di funzionamento sono
solo due?
Vedi, io sento dire che
- in interdizione, un transistor non dissipa potenza,
ovvio, la corrente è nulla
- in saturazion, quasi non dissipa potenza,
V_CE è piccola, è quasi un corto circuito (resistenza quasi nulla)
- solo in zona lineare, la dissipazione di potenza è imporatante.
Ma non riesco a capire come faccio a capire matematicamente quando ciò
accade.
Forse mi sto confondendo, per i BJT le regioni di funzionamento sono solo
due, e quanto ho appena detto vale solo per i FET?
Buona giornata.
 
 
 
 

 due, e quanto ho appena detto vale solo per i FET?
 
no i transistor sono largamente impiegati anche nella zona lineare...
(anzi direi quasi esclusivamente negli ultimi 30 anni)
prima dell'avvento dei mosfet di potenza era l'unico sistema 
disponibile per gli amplificatori audio (a parte le valvole 
termoioniche ovviamente)
 
-- 
bye
!(!1|1)
 

 potenziale della regione del canale)
 
Meglio essere piů preciso, forse avevo scritto male:
dove V_GS č la tensione tra gate e source
con il source cortocircuitato
al blocchetto di semiconduttore dove si crea il canale.