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Titolo: Mosfet

A che serve? Qual č il suo vantaggio? Sapete qualche sito che ne parla?
GRAZIE!!!

 E' un argomento difficile da spiegare, soprattutto perchè non so cosa sai
già tu del
   Mosfet o di altri transistori come BJT o JFET.
   In breve e nel modo più semplice posso dirti che:
   1) E' costituito da tre morsetti G(gate),S(source),D(drain), infece dei
classici due morsetti
       di un qualunque resistore o di un diodo.
   2)Dal punto di vista fisico è realizzato attraverso l'unioni e di
giunzioni p(drogate con fosforo)
       e giunzioni n(drogate con Boro) secondo uno schema:
       pnp o npn
   3)Dal punto di vista elettronico i vantaggi sono:
      a)Ricevi corrente al mosresso D, ma comandi in tensione la differenza
di potenziale
         fra G ed S, esci quindi dal classico schema del resistore in cui
applichi la legge di
         ohm V=RI
      b)Per le sue caratteristiche semiconduttrici in relazione alla
tensione che fornisci fra
         G ed S hai un comportamento resistivo in una zona di
funzionamento(cosa che non
         interessa a nessuno) e un comportamento da generatore di corrente
"quasi ideale"
         in un'altra zona di funzionamento e questo è molto importante nei
circuiti elettronici.
      c)A seconda del morsetto che consideri hai impedenze diverse, per
esempio:
         non puoi iniettare corrente passando dal Gate, perchè questo è
isolato dal resto del
         sistema dall'ossido di silicio (SiO2).
         Quindi il G ha un'impedenza infinita e può essere solo comandato in
tensione per far
         poi arrivare la corrente al Drain tramite il Source
      d)Il Drain ha un'impedenza infinita, perchè da quel lato si può solo
ricevere corrente, ma
          non imporla nel circuito.
       e)Il Source è il morsetto che fornisce corrente (elettroni o lacune)
e presenta un impedenza
          =1/gm .
          Dove gm è la transconduttanza tipica del Mosfet.
   4)L'utilizzo che si fa dei Mosfet è prevalente nei circuiti in cui è
necessaria un'amplificazione del
      segnale elettrico in corrente. E' utilizzato anche per realizzare
amplificatori differenziali, ovvero
      quegli amplificatori, che se avessero un comportamento ideale
amplificherebbero solo differenze
      di potenziale ai morsetti di ingresso senza amplificare segnali
costanti o di modo comune.
   Comunque se ne vuoi capire  qualcosa ti consiglio il libro "Circuiti
elettronici" di Lacaita,Sampietro
   ed. Clup
    Se vuoi posso darti una risposta più chiara se mi dici cosa ti serve
veramnete.
Ciao Maurzio


E' un componente elettronico che si trova in commercio anche come
componente discreto, ed e' utilizzato (in questo caso) sia per
applicazioni di segnale che per applicazione di potenza. Pero' sicuramente
l'uso piu' intensivo che se ne fa in elettronica e' come componente
fondamentale della maggior parte dei circuiti integrati commerciali
(ad esempio nelle logiche CMOS).
MOSFET e' un acronimo che sta per Metal-Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor. Esso e' quindi un transistor. Se vogliamo alcune
funzioni possono essere assimilate ad un bipolare, ma il suo meccanismo
di funzionamento e' completamente diverso, poiche' il meccanismo di
controllo della corrente in uscita e' dovuto ad un campo elettrico che
si instaura all'interfaccia Metallo-ossido-semiconduttore, e i portatori di
carica sono solamente di un solo tipo (elettroni o lacune).
Differentemente nel bipolare entrambi gli elettroni e le lacune partecipano
al meccanismo di conduzione (da qui il nome bipolare).
Comunque il MOSFET e', detto in parole semplici, un dispositivo
amplificatore, comandato in tensione. Dispone generalmente
di 4 terminali denominati: Drain, Source, Gate e Bulk.
Applicando una certa tensione tra Gate e Source, sopra una
certa soglia, si riesce a modulare una corrente tra i terminali di Drain e
Source.
Il valore della soglia, se necessario, puo' essere modificato applicando una
tensione tra Bulk e Source, anche se in genere non e' mai necessario (la
maggior
parte dei dispositivi in commercio non presentano il terminale di Bulk
poiche'
viene internamente collegato al Source).
Esistono 2 tipi di MOSFET a seconda
della polarita' del canale conduttivo che si forma all'interno.
Una altra classificazione distingue tra quelli con canale gia' formato
e quelli con canale che si forma all'aumentare della tensione di gate.
Il suo vantaggio, rispetto ad altri componenti simili (tipo BJT) sta nel
minor numero di maschere necessario per la fabbricazione di  un
dispositivo integrato utilizzante tali dispositivi. Inoltre esso permette
una maggiore integrazione rispetto ai bipolari. Attualmente i dispositivi
intregrati a densita' maggiore (i cosiddetti ULSI - Ultra Large Scale
Integration) sono tutti in tecnologia CMOS (cioe' a Mosfet
complementari). Ovviamente questo dispositivo presenta anche dei
contro che non ti sto qui ad elencare.
Purtropp non so indicarti, ora come ora, un sito in rete che possa
parlare, anche solamente a titolo informativo, dei Mosfet. Se sei
interessato a dettagli piu' tecnici e non riesci a reperire materiale in
rete puoi anche contattarmi via E-mail e cerchero' di chiarire ogni
tuo dubbio per quanto mi sara' possibile.
Andrea Francinelli
a.fran...@libero.it

 GRAZIE!!!
É un tipo di transistor che funge da amplificare di tensione e di corrente
e, dal punto di vista funzionale, è sostanzialmente un FET (Field Effect
Transistor).
I maggiori vantaggi sono (cito a braccio, potrei dimenticare qualcosa):
 - Pilotaggio in tensione
 - Guadagno elevato
 - Elevata resistenza d'interdizione
 - Capacità di sostenere correnti elevate
 - Fronti di tensione molto ripide
 - Buona linearità
 - Assenza di tensione di caduta (tipica dei transistor bipolari)
Ma ci sono anche gli svantaggi, che sono perlopiù:
 - Presenza di una certa resistenza di conduzione (Ron)
 - Predisposizione al latch-up in caso di commutazione di forti correnti
 - Gate piuttosto fragile, sicché occhio ad evitare transitori nella
   tensione di pilotaggio
 - dai precedenti due svantaggi deriva una certa instabilità con
   carichi induttivi, ma roba che spesso si tampona con un buon disegno.
 - Costo piuttosto elevato (ma forse ora non più).
Oggi trova spesso applicazione negli amplificatori lineari per HIFI e,
sopratutto, nei convertitori di tensione di tipo switching, come
alimentatori, gruppi di continuità, regolatori di velocità ecc., ecc. In
genere, dove ci sia bisogno di fronti di tensione ripidi ed alte correnti,
un mosfet (od un hexfet, ch'è pressappoco la stessa roba) potrebbe essere
indicato.
Qualche tempo fa erano anche usati negli amplificatori lineari per banda CB,
dato che erano in grado di tener basso il livello di armoniche in uscita
(con buona pace dei vicini teledipendenti) e miglioravano il guadagno.
Ne parla il sito 
http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/mosintro.htm
 .
Spero di esserti stato utile.
Ciao,
--
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Giampaolo Tomassoni Information Systems Consultant
P.za 8 Aprile 1948, 4 Tel/Fax: +39 (578) 21100
I-53044 Chiusi (SI)  e-mail: 
toma...@geocities.com
ITALY
homepage: 
http://www.geocities.com/Eureka/Park/2209/


 Vorrei completare il mio intervento in data 28/11 sulla questione
segnalandoti alcuni siti in rete, scaturiti da una mia ricerca.
Per una introduzione in rete, elementare ma ad un buon livello tecnico
puoi consultare le pagine:
http://www.pcim.com/articles/1997/art0020/art1.htm
http://www.pcim.com/articles/1997/art0020/art2.htm
http://www.pcim.com/articles/1997/art0020/art3.htm
Esse costituiscono un unico articolo e puoi passare dall'una all'altra
cliccando su 'next page' a partire dalla prima. E' il miglior articolo di
base sul MOSFET che abbia trovato in rete.
Un altro tutorial sui
MOSFET e su altri dispositivi elettronici, lo puoi trovare alla pagina:
http://www.americanmicrosemi.com/tutorials.htm
E in particolare sui MOSFET:
http://www.americanmicrosemi.com/tutorials/mosfet.htm
Se hai la possibilita' di leggere dei file in pdf
puoi provare alla pagina:
http://www.irf.com/technical-info/appnotes.htm
E' una raccolta di application notes di una delle
maggiori case costruttrici di MOSFET discreti di
potenza. Tra le tante magari trovi qualcosa che ti
interessa.
(A questo proposito, una piccola precisazione.
Ho visto che ti e' stato risposto che MOSFET ed HEXFET
sono la stessa cosa. In realta' non e' esattamente cosi'.
- Non me ne abbia a male Giampaolo Tomassoni :-) -
Il nome HEXFET e' un trademark della International
Rectifiers e si riferisce ai MOS di potenza da loro
costruiti, che presentano una struttura interna
a celle esagonali. Banalizzando la questione: i MOSFET
di potenza sono costruiti mettendo in parallelo
tantissimi piccolissimi MOSFET. La struttura a celle
esagonali, brevettata dalla International Rectifiers
parecchi anni or sono, permise a questa societa' una
maggiore densita' di dispositivi per unita' di
superficie, diminuendo la resistenza complessiva
di canale e ottenendo un dispositivo molto performante.
Quindi un HEXFET e' un MOSFET particolare - tra l'altro
di potenza -, mentre un MOSFET in generale non e'
un HEXFET).
Sempre se hai la possibilita' di leggere documenti
in formato PDF ti segnalo la seguente application
note di una altra casa costruttrice di MOSFET
(la Fairchild, che recentamente ha acquisito la
divisione di potenza della Samsung Semiconductors).
Anche questa pero' e' orientata ai MOSFET di potenza.
Essa si intitola:
"Introduction to power MOSFETs and their application"
(quindi dovrebbe rispondere esattamente alla domande
da te originariamente poste) e la trovi all'indirizzo:
http://www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-558.pdf
Per un tutorial molto semplice sui dispositivi microlettronici
in generale puoi vedere su:
http://www.irf.com/technical-info/guide/semi.html
Al seguente indirizzo puoi trovare invece una simpatica animazione
sul processo di fabbricazione dei dispositivi MOSFET integrati:
http://www.intel.co.uk/education/chips/introduction.htm
Infine, se proprio ti vuoi fare del male, dai una occhiata alla pagina:
http://www.research.ibm.com/DAMOCLES/html_files/nmos.html
Si tratta di una simulazione, condotta dal centro ricerche IBM, su una
struttura MOS con canale di 0.15um, utilizzando DAMOCLES, un
software per la visualizzazione della distribuzione dei portatori
(ed altre amenita' fisiche) all'interno della struttura fisica di un
dispositivo elettronico. Il software simula il tutto cercando di
risolvere l'equazione di Poisson per la struttura geometrica in
oggetto e le condizioni al contorno imposte come tensioni ai vari
terminali (gate, drain, source). Puoi pero' apprezzare meglio i
risultati se conosci un pochino la fisica dei dispositivi a
semiconduttore (l'articolo e' un po' tecnico, ma si capisce
abbastanza). Vi sono anche simulazioni con altri dispositivi
in oggetto (BJT, mos a canale P, coppie CMOS etc...).
Questo e' quanto di piu' interessante sono riuscito a
reperire in rete sull'argomento in questione. Per qualsiasi
altra tua richiesta o dubbio ti invito sempre a contattarmi
via E-mail e, per quanto mi sara' temporalmente possibile,
cerchero' di aiutarti.
Andrea Francinelli
a.fran...@libero.it
P.S.: visto che siamo in pieno argomento, sto sondando
un po' gli umori dei partecipanti a questo NG per vedere
se esiste l'interesse da parte di qualcuno a formare il NG
it.scienza.elettronica oppure it.scienza.fisica.elettronica
che, almeno nelle mie intenzioni, dovrebbe proprio coprire
gli argomenti di cui abbiamo appena discusso. I risultati
non sono stati decisamente incoraggianti (vedi il mio post
dal titolo: "Proposta..."), comunque mi piacerebbe conoscere
il tuo parere, come quello di chiunque altro fosse
eventualmente interessato.

GRAZIE!!!
A che serve? E' un transisto che, grazie all' "effetto di campo" e'
pilotato in tensione e non in corrente.
E' usato un po ovunque, avendo rimpiazzato i transistor bipolari
in molte applicazioni. BTW, il 99% dell'elettronica del tuo PC e'
in tecnologia CMOS, cioe' con celle logiche realizzati con coppie
di CMOS in "simmetria complementare".
Siti non saprei indicartene, ma qualunque testo di elettronica
ne parla diffusamente..
-- 
Renato Croci
Roma - Italy
home page: 
http://www.geocities.com/CapeCanaveral/Hangar/8528
Remove "ky" from the address for e-mail reply
Togliere "ky" dall'indirizzo per risposte in e-mail

 GRAZIE!!!
Mosfet significa Metal Oxyde Silicon Field Effect Transistor. Come avrai
capito e' un transistor, ed essenzialmente lo si usa nei circuiti
elettronici per una marea di funzioni: amplificazione, interrutori, ....
Per quel che riguarda il suo vantaggio, dipende rispetto a cosa lo
paragoni: rispetto alle valvole termoioniche puoi andare su dejanews e
leggere un thread abbastanza recente dove se ne e' discusso a lungo.
Rispetto a un BJT (transistor bipolare) i vantaggi sono che il Mos e'
comandato in tensione e il BJT in corrente, e l'impedenza d'entrata del
mos e' infinita. Lo svantaggio e' che il Mos e' piu' lento di un BJT in
generale.
Ciao
Scola

A che serve? Qual è il suo vantaggio? Sapete qualche sito che ne parla?
Il MOSFET e' un dispositivo a semiconduttore che si comporta
teoricamente come un generatore nonlineare di corrente pilotato in
tensione.
La sua caratteristica nonlineare e' fondamentalmente quadratica e in 
questo e' molto simile nel comportamento ad una valvola termoionica.
Un transitor bipolare a giunzione ha invece una caratteristica 
esponenziale e questo ha i suoi svantaggi, primo tra tutti una minore 
linearita, cosa che genera distorsioni armoniche nei segnali.
Alta importante caratteristica dei mosfet e' la loro altissima
impedenza di ingresso, che li rende ideali nel trattamento di deboli
segnali di tensione.

 generale.
Ciao Nicola.
In generale la tua affermazione e' vera se parliamo di MOSFET
utilizzati come dispositivi integrati di segnale (quindi logiche).
In questo caso la lentezza la si deve principalmente al fatto
che la capacita' di gate del MOSFET e' un grosso limite quando
si deve commutare il dispositivo. Infatti essa, unita ad una relativamente
"elevata" resistenza di canale, genera una costante di tempo
che rallenta il segnale e ne limita le prestazioni.
Come saprai il modo per ovviare a questi inconvenienti e' quello
di ridurre la capacita' gate (con l'integrazione spinta) oppure
fare MOS con canali piu' grandi.
Purtroppo le cose si ribaltano completamente quando si passa
nel dominio dei grandi segnali. Nelle applicazioni di potenza
di tipo switching i MOSFET vengono preferiti proprio per la
loro elevata velocita' di commutazione rispetto ai BJT. Infatti
i bipolari, quando utilizzati in forte saturazione come negli
switch di potenza, presentano un "inductive storage time" (tempo di
immagazzinamento - tsi) che puo' essere dell'ordine di svariati
microsecondi. Esso puo' essere un limite quando devono essere
commutati forti carichi induttivi, ed e' dovuto proprio alla
natura bipolare del transistor. Principalmente si tratta di dover
estrarre le cariche minoritarie dalla base (durante lo
spegnimento), per le quali generalmente si richiede,
tra l'altro, una Vbe negativa (non che sia strettamente
necessaria pero' aiuta molto). Esistono varie tecniche
per cercare di diminuire il tsi (ad esempio una classica
e' quella di utilizzare degli appositi circuiti per impedire
al BJT la profonda saturazione).
Il MOSFET, essendo un componente di tipo unipolare non
presenta questo problema e pertanto l'unica carica da rimovere
durante lo spegnimento, e' quella della capacita' di ingresso
che puo' essere anche molto elevata (a causa della capacita'
parassita di Miller tra gate e drain) ma generalmente richiede
minore tempo rispetto a quella del BJT.
Quindi in applicationi tipo Switching di potenza il MOSFET
e' generalmente piu' veloce di un bipolare. (Poi comunque
andrebbe visto ogni specifico caso).
Andrea Francinelli
a.fran...@libero.it

 loro elevata velocita' di commutazione rispetto ai BJT.
Verissimo. Per esempio gli ampli classe D hanno quasi sempre lo stadio
di uscita con due MOSFET. Non penso che con i bipolari si potrebbero
ottenere risultati simili. Ricordo comunque che in un corso di
elettronica di potenza, ci hanno mostrato che un bipolare usato in
switching e' sempre accompagnato da un circuito di aiuto allo switching,
e soprattutto il circuito e' isolato da sovratensioni durante lo switch
tramite delle bobine (transformatore).
Ciao
Scola