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Titolo: Grado affidabilità Penna USB VS HD USB portatile

Ciao,
vorrei un vostro giudizio, magari supportato da riferimenti a siti web
affidabili,
circa l'affidabilità delle penne USB e gli Hard Disk USB portatili.
Quale dei due dispositivi garantisce una migliore affidabilità,
un MTBF maggiore. Insomma, mi conviene conservare dati da portare
sempre
come me in un HD USB o in una Flash Drive USB?

 come me in un HD USB o in una Flash Drive USB?
Gli HD sono sensibili agli urti, quindi imho la scelta cade su l'utilizzo
di una Flash Drive USB ... ovviamente ogni giorno bisognerà fare un Backup
della stessa.
Guido Veloce
-- 
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 della stessa.
Ho letto da qualche parte che le flash drive USB hanno
il problema di un limitato numero di cicli scrittura/lettura.
E' proprio questo il problema che mi interessa maggiormente.

 E' proprio questo il problema che mi interessa maggiormente.
Infatti è così,.. e proprio per questo ho parlato di effettuare un backup
dei dati (il più possibile) a breve periodo.
Mi spiego meglio su qualche considerazione da tenere presente ...
Gli HD sono "molto" più affidabili nella ritenzione dei dati rispetto
alle memorie flash ma basta una banale caduta a terra per causare il
"pata-track" e poi sono soggetti a guasti meccanici, elettronici e
ne risentono della temperatura.
Una flash pen-drive anche se meno affidabile nel tempo rispetto ad un HD
con le dovute accortezze (backup periodico dei dati) e sostituzione
magari ogni anno, garantisce più sicurezza di un HD, e se cade a terra
non succede nulla,.. certo anch'essa può risentire di qualche guasto
elettronico improvviso,.. che dire, la dotiamo di cornetto rosso ;)))
.. ma qui mi fermo.


 ma qui mi fermo.
a quel punto allora meglio un lettore di SDHC + scheda, aumenti le 
possibilita' in caso di errore. :)

 come me in un HD USB o in una Flash Drive USB?
Tieni a casa al sicuro l'HD, e ti fai seconda copia sulla penna che ti porti in 
giro. Tanto costano meno del danno che ti arrecherebbe la perdita dati, 
suppongo... 
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______________________________________
Luc (35, CO) - Acer Aspire M5610 Q6600
Fujitsu Siemens Amilo Si1520 12" T2300
______________________________________

 possibilita' in caso di errore. :)
Certo, e perché no ...
ma andrebbero sempre sostituite periodicamente dato che le memorie
Flash si "degradano nel tempo" e perdono la loro affidabilità.


 si "degradano nel tempo" e perdono la loro affidabilità.
si', pero' la situazione non e' cosi' tragica ormai, con la rellocazione 
ed il wear leveling non e' facile perdere dati...a condizione di usare 
supporti di buona qualita'.
http://www.corsairmemory.com/_faq/FAQ_flash_drive_wear_leveling.pdf

 
http://www.corsairmemory.com/_faq/FAQ_flash_drive_wear_leveling.pdf
Gran bella puntualizzazione ed osservazione :)
Quindi l'ago della bilancia si sposta sempre più su un uso sicuro
ed affidabile delle memorie flash.
Questa soluzione di "wear leveling & reallocation" è veramente un'ottima
risposta.


 risposta.
Infatti, sembra che una memoria flash possa durare
per molti anni.
Una cosa non mi è chiara: facciamo per impotesi che
abbia una pen drive dell'ultima generazione e che,
per assurdo, sia giunto quasi all'esaurimento dei
cicli lettura/scrittura. Bene, i circuiti interni alla periferica
dovrebbero, penso, avvertire in tempo il sistema operativo,
quindi l'utente, che il dispositivo è arrivato al capolinea
e quindi è necessario effettuare una copia dei dati prima
di smettere di usarlo - quindi si instaura una situazione
di protezione dei dati prima che il dispositivo diventi
non più utilizzabile.
Insomma, dal mio punto di vista
il sistema operativo e la periferica stessa dovrebbero
impedire che si arrivi alla perdita dei dati, anche se
si è raggiunto il limite del numero di cicli scrittura/lettura.
Sarà così?

 Sarà così?
Che io sappia non c'è un sistema che riesca a predire il tempo di vita
di un singolo MOS e relativa locazione di memoria.
Il costruttore di memorie flash fornisce una "stima orientativa"
sul numero di cicli di RW e sul tempo di "ritenzione" dei dati,
ma in base alla mia esperienza questi valori sono validi solo sulla
carta perché per ogni lotto di produzione i parametri variano e anche
di parecchio.
In sostanza, utilizzando memorie flash con il sistema "wear leveling &
reallocation" invece di cambiare la pen-drive ogni anno magari la si
cambia ogni 3 o 4 ma sempre cambiata va, per evitare di incorrere in
problemi di affidabilità,.. ed un buon Backup periodico "toglie il
medico di torno" ;)))


 di un singolo MOS e relativa locazione di memoria.
Si e no.
Si puo` fare, ma forse non e` riportato al SO.
Le flash MLC (Multi Layer Cell) hanno un metodo
"barbaro" di scrittura.
Il microcontrollore scrive, legge, se non e` corretto
riscrive e cosi` via per un tot di tentativi, finche`
o i dati sono nelle celle oppure rinuncia con errore.
Questo e` anche il motivo per cui le prestazioni in
scrittura sono estremamente variabili, con questo tipo
di flash.
Non saprei se questo viene riportato al SO come errore
in scrittura, nel cui caso questo secondo potrebbe
prendere le dovute contromisure (reallocare il blocco).
Potrebbe anche essere che sia cosi`.
In lettura, invece, direi che per almeno 10 anni sono
sicure (anche se credo nessuno abbia provato), a meno,
naturalmente, di non prendersi qualche raggio cosmico
o portare la memoria dal dentista a farsi i raggi X.
bye,
-- 
piergiorgio


wrote:

In poche parole, non c'è modo di impedire la perdita dei dati?
L'elettronica interna non possiede una specie di registro
contatore con il numero di cicli r/w?
Se contenesse un contatore si potrebbe evitare di perdere i dati:
la stessa memoria flash informerebbe il sistema operativo con un
errore che non è possibile procedere ulteriormente alla scrittura
dei dati e, quindi, l'utente avrebbe il tempo di salvare i dati.
Gli hard disk a stato solido dovrebbero, immagino, avere un sistema
del genere.
Qualcuno ha informazioni al riguardo? E' un discorso molto
interessante.

 interessante.
Le Memory Stick hanno un EDAC, AFAIK.
bye,
-- 
piergiorgio


E' anche dovuto al fatto che si ottengono 4 stati di memorizzazione 
nelle memorie MLC (è grazie a questo strattagemma che si possono 
costruire memorie dall'elevata capienza)... e la "traduzione" di questi 
stati nel comune linguaggio binario 0-1 fa perdere un pò in prestazioni 
rispetto alle memoria SLC.

 rispetto alle memoria SLC.
Esatto, e` proprio dovuto al Multi Layer.
Il vantaggio e` il raddoppio (o 4x?) della densita`, con
pero` il problema che la scrittura diventa "analogica".
In altri termini 2 bit, valori 0, 1, 2 e 3, devono essere
memorizzati con diversi valori "elettrici" e le soglie di
rumore sono decisamente piu` contenute.
bye,
-- 
piergiorgio


Il rovescio della medaglia è che basta poco per rendere i bit di dati 
scritti nelle celle non leggibili se non si usano tecniche di 
livellamento efficaci.

 E' proprio questo il problema che mi interessa maggiormente.
Vero, ma il numero di scritture possibili è talmente alto che difficilmente 
danno problemi (a meno che tu non la usi proprio come disco in cui scrivi di 
continuo, ad esempio come chiave con un sistema operativo sopra).

 livellamento efficaci.
Esatto, anche se dipende da quanto ben fatto sia
il circuito di scrittura.
Di solito non e` facile che i valori cambino da
soli, ma se, ovviamente, sono al limite delle
soglie... unpredictable results may occur.
Tra l'altro alcune flash hanno circuiti EDAC per
evitare problemi del genere.
Ovviamente aggiungendo bit per la correzione.
bye,
-- 
piergiorgio