Newsgroup: it.comp.hardware.overclock
Titolo: Una domanda rivolta a tutti!

Quanti di voi sanno IL PERCHE' aumentando la frequenza di lavoro di un
componente elettronico (sia CPU che ram...) aumenta la temperatura?
Oppure xchè aumentabdo la tensione di lavoro diventa più stabile?
Chiedo questo x vedere quanti di vuoi sanno cos fanno quando overcloccano
qualcosa...
-- 
questo articolo e` stato inviato via web dal servizio gratuito 
http://www.newsland.it/news
 segnala gli abusi ad 
ab...@newsland.it

 qualcosa...
IL PERCHE' non ti si dice, se lo chiedi in questo modo..
magari se richiedi in maniera UMILE e CORTESE, forse qualcuno gentile lo
incontrerai nella vita, che ti suggerira' le risposte.

comunque se su
http://groups.google.it/groups?hl=it&lr=&ie=UTF-8&group=it.comp.hardware.ove
rclock
avrai un bel po' di materiale per capirlo, o leggerlo, dal 15 sett 1998 ad
oggi.
quelli come te' i newser li chiamano troll, non so' se ti sei reso conto di
come hai posto questa domanda.


Non credo sia fondamentale sapere xchè scalda di + o xchè è + stabile.....
basta sapere come muoversi ed avere un pò di buon senso.
Comunque P=V*I , per cui la potenza dissipata è direttamente proporzionale
alla tensione applicata.
Non ricordo bene motivo per cui a tensioni maggiori (di quelle 'nominali')
le cpu sono + stabili, ma per forza centrano le giunzioni (i
transistor)(ormai sono 20anni che ho finito la scuola).
Bye!

qualcosa...
Giusto il reply di lucusta per far notare che non è il "tono" migliore
per iniziare un thread.
Ciao Mariop

 overcloccano qualcosa...
miiiii... ci hai stanato...
noi qui tutti a spostare jumpers " ad minchiam "
per vedere di nascosto l'effetto che fa... LOL  :-D  LOL
"vengo anch'io ?..."  "no... tu no..."
maurizio

E' abbastanza complicato, ma se vuoi te lo posso spiegare...
Cque in *grande* sintesi si può dimostrare che per sistemi di porte logiche
costruite in logica CMOS (come i processori attuali) la potenza dissipata
aumenta linearmente con la frequenza di lavoro e quadraticamente con la
tensione di alimentazione. Tutto questo a parità di tecnologia (0.13,
0.18...). Mos più grossi dissipano di più.
Inoltre aumentando la tensione si aumenta l'escursione dei livelli logici
delle porte; questo riporta un feedback negativo sulla stabilità dato che
abbiamo detto che aumentando la suddetta tensione aumentano quadraticamente
i "consumi" e, si può facilmente dimostrare, la temperatura a parità di
sistema di dissipazione; ciò porta ad un aumento del rumore termico, e
quindi a una diminuzione della stabilità. Tuttavia si può dimostrare che la
più ampia escursione dei livelli logici compensa abbondantemente l'aumento
di rumore, fornendo una maggiore immunità allo stesso: ecco spiegato perché,
aumentando il clock-->aumenta la temp-->aumenta il rumore-->diminuisce la
stabilità allora tu aumenti la tensione-->aumenta MOLTO la
temperatura-->aumenta l'immunità al rumore-->aumenta la stabilità a parità
di clock.
Spero di essere stato meno incasinato possibile
Cià
Pask

 ha scritto nel messaggio
news:aYJ6c.78261$Kc3.2...@twister2.libero.it...
ottimo mpsk, consiglio anche una ricerca sul "critical path", ossia il
cammino critico di un circuito integrato: quello piu' lungo per un solo
ciclo di clock.
infatti e' appunto da questo paramentro che si definisce il clock
raggiungibile da una cpu, in quanto (almeno prima della microcaches al
doppio di clock dei P4) in un circuito tutti i transistor vengono
temporizzati allo stesso modo, percio' la temporizzazione dev'essere
compatibile con il percosro piu' lungo che puo' fare un'istruzione per
essere eseguita, diversamente quell'istruzione sara' corrotta.
si sono cosi' usate scorciatoie per abbreviare il percorso piu' lungo:
dividere un'istruzione complessa (e istruita da software correttamente
compilati) in piu' microistruzioni semplici e brevi, percio' veloci, perche'
con un critical path estremamente basso..
ecco perche' il P4 clocka a 3ghz, perche' ha pipeline molto lunghe (34
stadi), che dividono le istruzioni in piccoli frammenti brevi.
inoltre le nuove tecnologie applicate:
SOI : silicon on insulation
strained silicon
low-k dielectric
transistor a multigate
metallizzazione al rame
materiali HI-K
tempi duri, visto che si prospettano 5ghz a 200w per la fine del 2005.

 qualcosa...
....a giudicare da questo *tuo* lavoro:
http://danyele.interfree.it/Frigo.jpg
ho l'idea che tu debba saperlo molto bene.
Capisco che nella vita è comprensibile avere dei dubbi, ma averli di persone
che non conosci, non ti aiuterà certo a risolvere i tuoi, di dubbi.
Meditare..... o non meditare, questo è il problema.
Saluti.
--
Toto

 Saluti.
Mi associo pienamente, trovo penoso tentare di fare il "gallo sulla
monnezza", come si dice a napoli.
pascà (mpsk)

 ha scritto nel messaggio
news:c3chpv$tus$1...@news.newsland.it...


 > qualcosa...
Aumentando la frequenza di un transistor per AF (oscillatore)aumenta anche
il calore prodotto a causa del aumento delle comutazioni al secondo e dalla
tensione di collettore e emettitore.
per la tensione di alimentazione se e' bassa  potrebbe avere difficolta' a
oscillare(polarisazione non corretta) se invecese la aumenta (aumenta la
potenza e quindi il calore) potrebbe avere una polarisazione piu' corretta
per quella frequenza e quindi piu' stabile.:)
(secondo me..)
ciao
enzo.