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Titolo: burn-in

una volta e (spero) per tutte: lasciate perdere il burn-in!!!
come avevo chiaramente spiegato nel thread di una mesata fa' (ma porca
miseria, non l'ha seguito proprio nessuno???) la procedura in se' funziona,
pero' e' estremamente complesso riprodurre le esatte condizioni.
inoltre, anche supponendo di riuscirci, i risultati sono estremamente
aleatori, nel senso che si va da un miglioramento dell'1% ad uno del 30%.
per cui non mettete i vostri processori nel forno, semplicemente usateli per
un po', magari facendoli girare un paio di gg con qualche app pesante, e poi
verificate se e' possibile diminuire il vcore: se si, allora siete stati
fortunati, e magari potete tentare un ulteriore salto di clock (non
direttamente per il burn-in, ma grazie al minor calore dissipato, come
giustamente mi fece notare Mugelli); se no, allora siete stati sfortunati,
come detto la cosa e' molto aleatoria e la procedura del burn-in in se' non
garantisce nulla di deterministico.
cmq, visto che la domanda ricorre ormai da parecchio, tento di sintetizzare
una spiegazione in poche parole, sperando di essere banale al massimo.
allora, come molti sapranno, per creare un chip si parte da una fetta
(slice, letteralmente) di Si cristallino molto puro che viene "drogato" in
alcuni suoi punti aggiungendo particolari materiali in piccolissima
quantita'. tale drogaggio nel caso di chip commerciali a basso costo avviene
in genere per diffusione, cioe' si "cuoce" la fetta di Si in una atmosfera
satura di vapori del drogante. in questo modo il drogante "diffonde" nel
cristallo, creando un profilo di drogaggio che (visto di lato) assomiglia ad
una mezza gaussiana, con il max leggermente sotto la superficie del Si (a
causa delle dislocazioni superficiali).
questa "forma" e' naturale e stabile ALLA TEMPERATURA DI DIFFUSIONE.
variando la temp del chip pero' il profilo tende moooooolto lentamente ad
assestarsi su una forma + "naturale" per la temp di esercizio, in genere
molto vicina ad una raileigh. questo, contrariamente a quasi tutti i
fenomeni fisici, tende a migliorare le prestazioni del chip, permettendo in
genere un Vcore + basso (basta pensare alla dipendenza del campo dalla
profondita' di una zona di svuotamento, oppure alla dipendenza della J dalla
profondita' della base in un BJT).
per cui il principio del burn-in e' quello di cercare di accelerare tale
processo e possibilmente stabilizzare il profilo su una curva + performante,
ma per fare questo  E' NECESSARIA UNA ATTREZZATURA MOLTO PARTICOLARE, UN
AMBIENTE PESANTEMENTE CONTROLLATO IN TEMP E UN CONTROLLO ASSOLUTO SULLA
POTENZA DISSIPATA DAL CHIP. ecco perche' in genere si fa' direttamente alla
fonderia.
in particolare la Intel ha dichiarato che tutti i suoi chip subiscono un
burn-in di 12h (o 24h, non ricordo). personalmente sono molto scettico su
questa affermazione, visto il divario di prestazioni ottenibili e
soprattutto quanto gli costerebbe farlo su tutte le cpu, per cui puo' essere
conveniente provare a vedere se per caso dopo un paio di gg di uso pesante
la cpu non regga un Vcore minore.
tanto per chiarire, il burn-in e' una specifica di tipo militare (cioe' e'
richiesta alle ditte che forniscono componenti mil) che serve
sostanzialmente a garantire la precisa funzionalita' nel tempo di apparecchi
sottoposti a sbalzi termici notevoli (si pensi ai satelliti, il lato esposto
al sole puo' facilmente superare i 150°C, mentre il lato rivolto a terra
puo' facilmente scendere sotto i -100°C). in verita' in questo caso il
processo di drogaggio avviene in genere o per Ion Implantation (i militari
pagano bene ehehehehehe ;-)) ) o con qualche altra tecnica particolare tipo
la MBE. cmq il principio di funzionamento e' lo stesso, solo che in questi
casi il burn-in e' parte integrante del processo di drogaggio.
per cui non e' una cosa magica o miracolosa, ma per farla occorre seguire
una procedura difficilmente riproducibile in maniera esatta in casa. per
questo i risultati "casalinghi" sono cosi' pesantemente aleatori.
spero con questo di aver DEFINITIVAMENTE chiuso la questione. se qlcn avesse
ancora dubbi gli consiglierei nell'ordine:
1) cercare su dejanews il vecchio thread in cui si e' discusso della cosa
(sorry, non ricordo il titolo)
2) studiarsi un buon testo di fisica dello stato solido applicata ai
semiconduttori
3) mettersi l'animo in pace e godersi le vacanze con la tipa
io personalmente sto per mettere in pratica la 3) opzione, per cui ci
risentiamo tra un paio di settimane (sigh sobh, mi ha tassativamente vietato
di portarmi appresso il mio fido portatile :_(( ).
ciao e buone vacanze a tutti!!!!!!
PS a Simo', perche' nu' lo metti tra le faq???? (specificando molto
chiaramente l'aleatorieta' della cosa)

 una volta e (spero) per tutte: lasciate perdere il burn-in!!!
grazie per la pazienza e per la replica.
ciao.

causa delle dislocazioni superficiali).
N.B.: Approposito, che vapori si usano per il "drogaggio" del SI
cristallino ? Vorrei provarne un po' via aereosol :-)))
Ciao