Newsgroup: it.comp.hardware.overclock
Titolo: Scusate l'ignoranza...

cosa vuol dire - in cosa consiste e come si fa, nonché a che serve -
burnare?
Leggo ma non capisco - sono neofita! Grazie a chi vorrà illuminarmi
Norberto


Le micropiste che compongono un  circuito integrato (nel nostro caso cpu gpu
chipset) non possono essere  di dimensioni perfettamente uguali.
Questo fa si, che i punti piu' stretti, si scaldino maggiormente di quelli
piu' larghi.
Esiste pero' un fenomeno, chiamato elettromigrazione, che fa si che gli
atomi di cui e' composto il circuito, migrino verso quei punti piu' sottili
.
Cosi' facendo si ha un dimensionamento maggiore proprio nei punti
precedentemente piu' deboli.
Questo e' un fenomeno che succede sempre nella vita di un componente ma che
si puo' accelerare facendolo funzionare, nel nostro caso il processore, a
pieno carico per parecchio tempo con voltaggi elevati.
Vi sono idee contrastanti sull'effettivo funzionamento della pratica.
Sul mio C600 che avevo prima, non aveva funzionato, ma ha molti a dato
risultati ottimi.
Spero di essere stato sufficientemente chiaro e di non aver detto troppe
minchiate.
Al limite c'e' sempre Locusta che puo' correggere, vero?  :-)
--
Ciao da Marco m&m.

 ha scritto nel messaggio
news:4xg%6.5878$u%1.4...@news1.tin.it...


Ringrazio entrambi per la spiegazione, senz'altro chiara. Mi sfuggono però
gli aspetti pratici: come si fa? Voglio dire, farlo lavorare con una
corrente più alta... ma ci sono softwares specifici (e se sì quali)? Come
materialmente devo operare? Tenete conto che ho un Celeron 800 - che ancora
non ho overclockato perché devo comprare dissipatore e pasta - montato su
una Mb Abit VH6II.
Grazie ancora!
Norberto

 ha scritto nel messaggio
news:5PcwMTV...@news-02.uni.net...


 Ciao da Marco m&m.
ciao
locusta


Professionale ed esauriete come sempre Lucusta! :-)
Ciao mito!

questo e' in parte sbagliato, in quanto l'elettromigrazione,
[cutto tutta la parte sull'elettromigrazione]
Salve!
Quanto scrivi contrasta con quanto ho sempre saputo io, ovvero:
1) elettromigrazione e burn-in sono fenomeni completamente differenti, 
tanto che, teoricamente, il burn-in andrebbe fatto *solo* col calore: 
usare come fonte di calore la corrente elettrica che attraversa il 
componente (unica soluzione in campo casalingo, purtroppo una pessima 
soluzione), provoca ovviamente elettromigrazione come effetto 
collaterale, ma è un altro discorso. La maggiore elettromigrazione 
indotta è un effetto assolutamente *indesiderato* del burn-in;
2) semplicisticamente, l'elettromigrazione è quel fenomeno che 
interessa tutti i conduttori metallici (a parte i superconduttori), per 
il quale il flusso di elettroni al loro interno conferisce quantità di 
moto agli ioni del conduttore (sposta pian piano dei nuclei del 
conduttore), causando assottigliamenti da un lato, allargamenti 
dall'altro (a causa dell'irregolarità del flusso degli ioni). Vedi 
anche:
www.ing.unitn.it/~colombo/metallizzazione_su_silicio/Al_Si_Metal_Cap2_3.html
(tutto il lavoro mi pare interessante - ma gli ho dato solo una
scorsa).
Quindi il fenomeno delle 'correnti parassite' (o come si chiamerà), al 
quale ti riferisci, mi pare non sia direttamente implicato 
nell'elettromigrazione (che NON è una migrazione *di* elettroni, bensì 
una migrazione di ioni metallici, indotta *da* elettroni).
Ho capito male io quello che intendevi? Altrimenti citeresti le tue 
fonti?
Infine, come funziona il burn-in? Quanto so io si basa sul famoso
messaggio che GTREVIZE scrisse anni fa (sorry per il link lungo):
http://groups.google.com/groups?q=group:it.comp.hardware.overclock+insubject:burn-in+author:GTREVIZE&hl=it&safe=off&as_drrb=b&as_mind=11&as_minm=9&as_miny=1999&as_maxd=11&as_maxm=9&as_maxy=1999&rnum=1&ic=1&selm=KOrC3.8782%24qf3.37185%40typhoon.libero.it
-- 
Bye.
       Lem
 'CLOCK is what you make of it: partecipa ad un progetto diffuso'
Distributed computing: 
www.nyx.net/~kpearson/distrib-projects.html


[cuttone]
Ci mancherebbe, t'ho invocato apposta.:-)



http://groups.google.com/groups?q=group:it.comp.hardware.overclock+insubject
:burn-in+author:GTREVIZE&hl=it&safe=off&as_drrb=b&as_mind=11&as_minm=9&as_mi
ny=1999&as_maxd=11&as_maxm=9&as_maxy=1999&rnum=1&ic=1&selm=KOrC3.8782%24qf3.
37185%
40typhoon.libero.it
un mito quell'uomo!
ciao, e spero almeno in parte concordi con le mie idee..
lucusta

ciao, e spero almeno in parte concordi con le mie idee..
Chiarito l'equivoco circa il *dove* si verifichi l'elettromigrazione (che 
è poi la ragione per cui un processore che funzioni circa 10 gradi più 
caldo di un altro, ha una vita utile di circa la metà - legge empirica 
a parità di processori e condizioni d'utilizzo, of course) direi che ci 
sono quantomeno dei punti di contatto. :)
Note.
[1] Il punto di fusione di una lega eutettica è molto inferiore al più 
basso punto di fusione di ciascun suo componente. Quando si aggiunge il 
film d'alluminio, nei punti di contatto col substrato di silicio 
quest'ultimo (nonostante il processo avvenga parecchio al di sotto di 
questa nuova soglia di fusione, detta appunto temperatura eutettica) si 
diffonde comunque (un po') nell'alluminio. Lo spazio vuoto, lasciato 
dal silicio che si diffonde, viene riempito da 'punte' (spikes) 
d'alluminio, ch invece non si diffonde nell'alluminio. Perché le 
'punte'? Perché questa diffusione avviene soprattutto durante la 
ricottura successiva alla creazione del film d'alluminio, peraltro 
necessaria per assicurare un buon contatto alluminio-silicio, poiché 
assicura l'eliminazione del sottilissimo strato di ossido (residuo che 
altrimenti permarrebbe):
____            _____________
    \          /
     \________/   Alluminio
___              ____________
   \            /
    \          /  Biossido di Silicio
     \xxxxxxxx/
-----------------------------------
    \Silicio n/
     ---------    Silicio p
-----------------------------------
(le xxxxxxxxx indicano il sottilissimo strato di ossido, da rimuovere 
colla breve ricottura).
In breve: durante 'sto cavolo di ricottura, il sottilissimo strato cede 
prima in alcuni punti, e poi in altri. Dove cede prima, più profonda 
sarà la lacuna lasciata dal silicio della base, che si diffonde, e là 
ci sarà una punta di alluminio. Già questo è un rischio: le lacune 
possono cortocircuitare le giunzioni fra silicio p ed n. Quando la 
cottura termina, coll'abbassarsi della temperatura, il silicio che s'è 
diffuso nell'alluminio, saturando la zona limitrofa al contatto, 
precipita sul wafer. Ma ora non è più silicio di tipo n, ma di tipo p, 
perché drogato dall'alluminio! Ciò può comportare effetti indesiderati 
di varia natura, da qui la necessità di ridurre al minimo lo spiking. 
Come? Usando un film di alluminio già saturo di silicio, per esempio. 
Vi sono altri metodi (l'introduzione di barriere è il più importante, 
ma per il dettaglio rimando all'articolo già citato).


e' una figata parlare con te Lem ;))
comunque a mio parere il vero burn-in ( sulle interconnessioni) si ha solo
all'inizio; trovato il percorso preferenziale gli elettroni seguiranno
sempre quello ( e magari le temperature locali aiuteranno la migrazione
ionica?), e il fatto che alcune specifiche tecniche per la vendita
estremizzano un rodaggio di anche 1 anno, e' giustificato solo con la
garanzia al 99.99% che quel pezzo riesca a gestire il carico di lavoro senza
nessun problema per anni ed anni, visto che la vita di un processore e'
stimabile di decenni di funzionamento nei parametri proggettuali.
Percio' e' da prendere con le molle il discorso che alcuni hanno avuto
miglioramenti dopo un uso maggiore del loro processore, ci sono troppi
fattori che influenzano il funzionamento fuori specifica di un processore,
primo la temperatura.
Posso solo confermarti che piu' di una volta processori nuovi di pacco li ho
dovuti far partire a frequenze minori, e poi dopo qualche minuto di
funzionamento riuscivano ad ottenere le prestazioni da defalut; una specie
di microrodaggio.
ciao ;)
lucusta
PS. fisica e' un ricordo troooppo lontano, e poi non parlavano di cose cosi'
interessanti!
... comunque non ho capito una cosa.. dici che un'elettrone sarebbe in grado
di spostare un uncleo da un reticolo??.. mhm.. mi sa' tanto di reazione a
catena...

catena...
Così mi par di capire: il flusso di elettroni genera su uno ione una 
forza avente due componenti: una, poco rilevante, che spinge gli ioni 
in senso opposto rispetto al flusso di elettroni, ed è dovuta al fatto 
che lo ione ha carica positiva, e tende verso il polo negativo 
(maggiore è la valenza dello ione, tanto più positiva è la sua carica). 
La seconda componente è dovuta all'energia cinetica (agli 'urti' veri e 
propri'), ed è quella più importante, e spinge gli ioni nella stessa 
direzione degli elettroni. Poi c'è il fatto che, in un reticolo 
cristallino, gli ioni sono legati, appunto, in un reticolo, e quindi 
c'è una forza che tende a farli star fermi. Ebbene, alla fine dei 
conti, la forza cinetica vince. Credo però che gli spostamenti siano 
frequenti ma molto limitati: lo ione si sposta di poco, si ferma quasi 
subito, e non va a sbattere contro un altro ione (da cui, fra l'altro, 
sarebbe fortemente respinto). Ma qui, ammetto, non ho alcuna certezza.
Per quanto riguarda l'alluminio, risparmiandoci le formule, cito:
'Nel caso dell’alluminio la forza dovuto al trasferimento di quantità 
di moto risulta sperimentalmente più alta di quella ione - campo 
elettrico e per questo motivo essa domina il fenomeno 
dell’elettromigrazione. Inoltre eventuali effetti di schermo degli ioni 
circostanti minimizzano ulteriormente il contributo del campo 
elettrico.'
Salutoni, è stato un piacere!


 forza avente due componenti...
bhe'.. si, se messo sotto differenza di potenziale ( altina) sono
daccordissimo con quanto dici, anche un metallo si puo' accomunare ad una
soluzione elettrolitica, anche se le resistenze al moto sono molto piu' alte
e molto piu' influenti.
;)
ciao
lucusta