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Titolo: Domanda sulla crescita dell'ossido di silicio...

Salve,
altra domanda sui dispositivi elettronici.
Ho studiato i metodi utilizzati per la crescita dell'ossido su un cristallo 
di silicio, e le giustificazioni fisiche che portano a scrivere un'equazione 
che ne descriva lo spessore in funzione del tempo di ossidazione.
L'equazione in oggetto è la seguente:
x(t) =  A/2 * (sqrt (1 + ((t + t0) / (A^2 / 4B))) - 1)
Il problema è che in tutti gli esercizi su questo argomento, i dati che 
vengono forniti non sono A e B, ma B, e B/A. Sembrerebbe banale, ma 
ricavando A da quei dati, e quindi usando in singoli parametri (A e B) 
nell'equazione sopra, ricavo risultati impossibili. C'è quindi evidentemente 
un errore mio nell'utilizzo di quei dati.
Mi sapreste spiegare in cosa sbaglio?
Grazie a tutti.
Ciao 

 Mi sapreste spiegare in cosa sbaglio?
E' il modello di Deal e Grove. Prova dare una letta questo
e vedi se ti sono piu' chiari i significati di A e B.
http://www.eng.tau.ac.il/~yosish/courses/vlsi1/I-4-2-Oxidation%20.pdf
Non e' il massimo, ma non ho le Sze con me e non posso aiutarti
piu' di tanto. Poi bisognerebbe vedere in dettaglio gli esercizi.
maitre Aliboron

girellando con google ti ho trovato anche un esercizio
che forse ti puo' essere utile:
http://www.myoops.org/cocw/mit/NR/rdonlyres/Electrical-Engineering-and-Computer-Science/6-152JFall2003/1F89CFF5-2625-4476-8639-2A04662913FB/0/ps2_sol.pdf
poi anche qualche altro link...
en.wikipedia.org/wiki/Deal-Grove_model
www.iue.tuwien.ac.at/phd/radi/node22.html
gli altri li puoi trovare digitando: Deal Grove model parameters
maitre Aliboron


Grazie mille! Mi sei stato veramente prezioso. Credo di aver risolto i miei 
dubbi. Almeno quelli su questo argomento.
Non è che per caso potresti aiutarmi a risolvere anche quelli su un altro 
argomento? :D
In particolare non sono sicuro di sapere come vada svolta una classe di 
esercizi. In pratica si sfrutta, in una giunzione unilaterale, la dipendenza 
della derivata del quadrato del reciproco della capacità di giunzione in 
polarizzazione inversa, dalla derivata della tensione applicata, e quindi si 
ricava la concentrazione del drogaggio al limite della regione di 
svuotamento.
Per essere più chiaro, si calcola la concentrazione N(xn) al limite della 
regione di svuotamento della regione n dall'equazione:
N(xn) = 2 / (q*epsilon_s* [d(1/C^2) / dV])                           N.B. 
epsilon_s è la costante dielettrica del silicio
Negli esercizi però gli unici dati che vengono inseriti sono due valori 
misurati di V e 1/C^2, per cui avevo pensato che si dovessero approssimare 
le derivate con delle differenze tra i due valori dati (considerando la 
relazione come lineare).
Facendo così però i risultati sembrano poco plausibili (concentrazioni di 
10^6 - 10^7).
Pensi che stia sbagliando nello svolgimento degli esercizi, o nel ritenere 
irrealistici quei risultati di drogaggio?
Grazie ancora, e scusa se sto abusando della tua disponibilità.
Ciao 

> Grazie ancora, e scusa se sto abusando della tua disponibilità.
Purtroppo in questo momento non ho veramente tempo
per leggere il post a fondo e per rifletterci su,
Pero' un errore cosa abbastanza comune quando si
fa questo tipo di calcolo con le concentrazioni e' il fatto
che si usano unità di misure non omogenee...
le lunghezze in genere sono espresse in um, le
concentrazioni in cm-3 e spesso le costanti sono
quelle date secondo il sistema MKS (quindi le lunghezze
sono in metri).
E' errore comune, a me qualche volta capita.
Visto che anche il tuo errore sembra essere sugli
ordini di grandezza, prova a verificare che nei tuoi
calcoli usi sempre la stessa unità per le lunghezze.
Mi dispiace ma in questo momento non posso fare
di piu'.
maitre Aliboron