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Titolo: Lineare HF con transistors switching

Mi sono ritrovato con una catasta di transistors per uso switching,
ricavati da alimentatori per PC non funzionanti. I transistors,
provati con il provatransistors, funzionano. Sono del tipo MJE13007,
2SC4020 e altro.
Messi insieme, fanno un bel pò di potenza elettrica. Si potrebbe
pensare di utilizzarli per un lineare push-pull in HF?
Grazie anticipate.
Ciao.
Chogokin Z

 Chogokin Z
Potresti ad esempio mettere 4 transistor in push pull a 2 a 2 in 
parallelo, ma devono essere tutti e 4 uguali, se li scegli in base 
all'hfe e' meglio.
Push-pull o paralleli tra trans. o mosfet diversi non ne ho mai visti.

 Push-pull o paralleli tra trans. o mosfet diversi non ne ho mai visti.
Foto:
http://xoomer.virgilio.it/chogokinz/HPIM1949.JPG
I transistors sono due MJE13007, scelti non in base all'Hfe, ma alla
disponibilità. Comunque, sul case di entrambi ci sono gli stessi
numerini. Non solo quelli del tipo di transistor, ma anche tutti gli
altri. Pertanto, potrebbero derivare dallo stesso wafer.
Il trasformatore di ingresso è un 9:1 (3 spire primario, 1 spira
secondario).
Per ciascun transistor, c'è una resistenza base-emitter da 5,5 Ohms.
Il bias è fornito dal classico diodo clamping. In questa
configurazione, i transistors riscaldano tanto, in stand-by, che i
dissipatori diventano intoccabili dopo circa 30 secondi. Ho misurato
la corrente TOTALE di collettore ed è circa 5 Ampere (2,5 A per
transistor). Ho misurato la corrente di base di un singolo transistor
ed è circa 55 mA. Ho anche visto che, mentre misuravo la corrente di
base, l'altro transistor riscaldava come al solito, mentre quello
sotto misura restava freddo.
I componenti sono montati molto vicini gli uni agli altri. Pertanto è
possibile pensare ad accoppiamenti parassiti e conseguenti
autooscillazioni? Nel caso, come posso abbatterle?



Fai qualche misura all'oscilloscopio, ma anche il classico rivelatore 
fatto da diodo Schottky (1n5711) e capacita' o uno scanner possono 
aiutarti a trovare eventuali autooscillazioni.
Per abbatterle penso che la prima cosa da fare sia effettuare un 
cablaggio in regola per le frequenze in gioco.
ciao giorgio

 inserisci il milliamperometro.
Ho rifatto tutto il circuito, cercando di allentare un pò le distanze,
ed ho inserito due condensatori, un 100 nF ceramico ed un 330 uF
elettrolitico, in parallelo al diodo che fornisce il bias ai
transistors.
Ora, i transistors diventano tiepidi in stand-by. Nulla a che vedere
con le temperature di prima. Significa che le autooscillazioni sono
terminate.
Ma il circuito non amplifica in RF. Ho fatto alcune prove con un
apparato per i 27 MHz, vista la bassa potenza in gioco e la frequenza
(anche per capire fino a dove, entro le HF, l'amplificatore
amplifica): il risultato è ROS oltre 3:1 e nessuna amplificazione di
potenza.
Per il ROS, sospetto della bontà del trasformatore d'ingresso: secondo
me, serve un trasformatore che abbia un rapporto tra le impedenze non
inferiore a 25:1 (essendo transistors switching, non vengono fornite,
nel datasheet, le impedenze di ingresso e uscita a 30 MHz, ma
dovrebbero essere, comunque, MOLTO basse, viste le correnti che il
13007 può erogare).
Per l'amplificazione di potenza, temo un parametro che ho trovato nel
datasheet: il prodotto guadagno-banda passante. Non ho approfondito la
questione, ma credo si tratti del limite di frequenza oltre il quale
il transistor non guadagna (Hfe=1). Per il 13007, è 14 MHz.
Sbaglio, o ho costruito un amplificatore che non va oltre i 20 metri?
Ciao.
Chogokin Z

Sbaglio, o ho costruito un amplificatore che non va oltre i 20 metri?
Mi hai fatto venire in mente che 10 anni fa realizzai un paio di
finali con i mosfet IRF P-450 per le onde lunghe.  Era roba da
saldatrice o giu' di li',  Rendimento buono, ma al massimo si poteva
arrivare a 500 KHz dopodiche' scaldavano come stufette e rendevano
sempre meno.
Forse qualcuno ha realizzato anche un finale per i 160 metri con i
mosfet da saldatrice, magari facendo una ricerchina con Google trovi
qualcosa, comunque sono soluzioni economiche ma non prive di
svantaggi.
-- 
Good luck in the pile-up de I4EWH - N8FK
http://i4ewh.altervista.org

Sbaglio, o ho costruito un amplificatore che non va oltre i 20 metri?
Secondo me neanche quelli.
Per conto mio non c'e' speranza ad usare bipolari switching per alta 
tensione in RF, non sono abbastanza veloci.
Coi mosfet già meglio, però conviene usare taglie per tensioni medie (tipo 
100-200V) e correnti non troppo sovradimensionate, altrimenti la capacità di 
gate risulta mostruosa.
Ciao,
-- RoV - IW3IPD
http://digilander.libero.it/rvise

 Sbaglio, o ho costruito un amplificatore che non va oltre i 20 metri?
si, probabilmente sbagli perche' non dovrebbe andare molto oltre il
MHz e mezzo...
73
IZ8DWF

Su un vecchio QST c'e' un amplificatore che arriva fino in 10m con gli 
IRF510. Anche in rete puoi trovare dei progetti basati sul 510 per le HF 
basse.
Gli IRF540 invece non rendono piu' molto gia' in 40m.
PaoloC


Condivido, la frequenza di transito (G=1) e' troppo bassa per usarli in 
HF, giorgio

 tensione in RF, non sono abbastanza veloci. Coi mosfet già meglio, però
Non vorrei ricordare cavolate, ma mi sembra che in passato fossero usciti 
dei progetti che usavano finali di riga tv in HF.