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Titolo: [Elettronica] Guadagno massimo Mosfet CS

Ciao, dal libro non riesco a capire da cosa nasca il limite di Vdd per il 
guadagno di un Mosfet CS e perchè in molti esami che ho sottomano le 
specifiche di progetto chiedano di dimensionare con guadagni superiori al 
teorico Vdd*Vdd (per esempio nel caso di due Mos CS uguali). 

 Ciao,dal libro non riesco a capire da cosa nasca il limite di Vdd per il
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 sul tuo libro(nome?)sia scritto quanto tu affermi :p
E' uno dei principi base della progettazione su cui ci si basa per capire 
quanti stadi usare.
Il libro è Jaeger "Microelectronic Circuit. Design" McGraw-Hill 1996
il quale dice più volte che il guadagno (gm*Rl) del mosfet CS risulta circa 
l'alimentazione Vdd 

 Ovviamente sto parlando del valore numerico di Vdd
Continuo a non essere d'accordo per cui mi sono permesso di proporre il 
problema a it.hobby.elettronica che è frequentata da gente davvero 
competente che si "magna" a noi poveri studenti di ingegneria elettronica :D
ciao,
Alvin
P.S:indicami le pagine dove hai trovato scritto ste cose

T[N]T ha scritto:
 >> Il guadagno di tensione è una grandezza adimensionale quindi non può
 >> essere uguale ad una tensione...
 >
 > Ovviamente sto parlando del valore numerico di Vdd
Non c'entra nulla, stai comparando cmq due grandezze diverse.
[CUT]
 > E' uno dei principi base della progettazione su cui ci si basa per 
capire
 > quanti stadi usare.
Sei in ipotesi di piccolo segnale,
 > Il libro è Jaeger "Microelectronic Circuit. Design" McGraw-Hill 1996
 > il quale dice più volte che il guadagno (gm*Rl) del mosfet CS risulta 
circa
 > l'alimentazione Vdd
Potresti indicarmi le pagine dove ci sarebbe scritto ciò?
Scusami se continuo a contraddirti (conntraddire il libro?) ma proprio 
non mi trovo:p Si definisce guadagno intrinseco di uno stadio CS la 
quantità Gm*r0 che può essere moooolto più grande dell'alimentazione(se 
proprio vogliamo intenderlo come numero). Non dimenticare che stai 
lavorando a piccolo segnale, per cui devi amplificare un segnale che può 
essere di 1-2 ordini di grandezza inferiore ad esempio proprio alla Vdd...

 Potresti indicarmi le pagine dove ci sarebbe scritto ci�?
pagina 597 (13.103) mi ha chiarito tutto, � solo un approssimazione per fare 
una prima stima sul numero degli stadi, ma si pu� spingere anche di pi� 

 piï¿œ
e come ti ha chiarito? sono curioso, perche' il metodo che ci descrivevi era
abbastanza assurdo.
Non e' che avevi confuso amplificazione e dinamica?
Ciao,
Mauro.

 Non e' che avevi confuso amplificazione e dinamica?
Io pensavo fosse un limite dell'amplificazione, dovuto a qualche limitazione 
intrinseca del dispositivo, invece � solo una stima della possibile massima 
amplificazione, e dunque � anche superabile. 

 Non e' che avevi confuso amplificazione e dinamica?
No, perch� dici che � assurdo?
Se abbiamo delle specifiche e dobbiamo realizzarle con per esempio mosfet CS 
perch� ti sembra strano fare uno studio sul numero degli stadi da utilizzare 
a seconda del guadagno da realizzare, considerando la regola pratica Av= Vdd
Oppure per un BJT CE l'identica approssimazione Av= 10 * Vcc?
Il mio libro considera queste relazioni le regole base per il progetto degli 
amplificatori, mi sembra strano siano considerate cos� strambe.. 

 una prima stima sul numero degli stadi, ma si può spingere anche di più 
Bene, il libro dice che un CS "con carico resistivo" (dettaglio 
importante che hai dimenticato di scrivere) ha un amplificazione di 
tensione *circa* pari a Vdd/(Vgs-Vth) che per Vgs-Vth=1 V viene circa 
uguale al Vdd che dici te...sec me hai mal formulato la domanda, per 
questo ho insistito tanto sulla questione delle unità di misura...

 ha scritto nel messaggio 
news:4868f2a0$0$29980$5fc...@news.tiscali.it...
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