質問: mosfetのゲートソース間電圧をかける向きについて ディプレッション型nチャネルmosfetと エンハンス型nチャネルmosfetで ゲートソース間にかける電圧の向きを 反対にする理由を教えてください。 特に、ディプレッション型nチャネルmosfetについて、 ゲートソース間にかける電圧の向きを エンハンス型nチャネルmosfetと逆にした場合、 ゲートソース間電圧を大きくするほど nチャネルは狭くなってドレイン電流量が 小さくなるような気がしてしまいます。 でも、特性図を見ると私の考えが 間違っているようです。 初歩的な質問ですいませんが よろしくお願いいたします。
回答: 蛇足かも知れませんが・・・ エンハンスメント型はノーマリイoff(入力を与えない:vgs=0でoff) vgsにしきい値(vgsth)以上を与えるとd(ドレイン)-s(ソース)間が導通(on)します。 スイッチング動作の場合はoffさせたいときはvgs=0,onさせたいときはvgsth以上の電圧を与えます。 アンプに使用する場合はvgsは0~vgsthの間にバイアス電圧を設定します。 殆どのmosfetはこのタイプです。 デプレッションタイプはノーマリィon(vgs=0でon:d-s間導通) vgsにしきい値を越えた電圧を与えてd-s)間が非導通(off)となります。 スイッチング動作の場合,onさせたいときはg-s間を同電位とし,offさせたいときはゲート電位を大きくドレイン電位と反対方向に引きます。 アンプで使用する場合はvgsは0~vgsthの間にバイアス電圧を設定します。 殆どのjfet(ジャンクションfet)はこのタイプで,かつてはしきい値電圧vgsthをvp(ピンチオフ電圧)と云っていました。(世代が知れるかも・・) 尚,一部のfet専門メーカーでは回路図記号でもエンハンスメント/デプレッション両タイプを識別出きるように又,ドレイン/ソースの識別できるようにシンボルを定めています。(興味が有れば自分で調べてください,jisでの表記はどうなっていたか覚えていません) 参考まで