質問: 高周波回路のエミッタ帰還抵抗について 現在、マイクロ波の回路設計について勉強しています。 高い周波数の増幅回路では、エミッタ帰還抵抗を外して直接 gnd に接地している場合が多いようですが、これは何故でしょうか? 低周波回路のイメージで考えると、直接接地することで、バイアスが不安定になるのではないでしょうか? このメリットを失ってまで直接接地する理由を教えて頂けないでしょうか?
回答: >高い周波数の増幅回路では、エミッタ帰還抵抗を外して直接 gnd に接地している場合が多いようですが、これは何故でしょうか? 一番の理由は、抵抗が雑音源になるからでしょう。 おそらく、エミッタ抵抗をはずす場合は、rf回路でいう ところのフロントエンド(アンテナ側に近い)にある回路の場合です。 この場合は、少しでも受信感度が稼ぐために、抵抗素子は 極力使わないようにするのです。 実際は、rf-cmosを例にすると、ソース側(エミッタ端子に相当)と gndの間にインダクタを挿入します。こうすることで 反射係数の最小地点と雑音指数の最小地点を近づけることが 可能になります(その代わりに、少し利得が低下しますが)