質問: 半導体の電気伝導度の温度依存 半導体は温度が上がると電気伝導度が大きくなるのは分かるのですが、真性半導体と不純物半導体での電気伝導度の温度依存に違いがあるのかがよく理解できません。 後者には不純物に由来するキャリアがある分、真性半導体よりも温度が上がった時に電気伝導度が大きくなるのかなと考えたりしていますが・・・ 解説よろしくおねがいします。
回答: 電気伝導度はキャリア密度と移動度の積なので、それぞれの温度依存性が合わさったものになります。不純物半導体でもドーピング濃度や不純物準位の深さによってキャリア密度の温度依存が違いますし、移動度の温度依存も、何がキャリアの散乱機構で支配的なのかによって異なります。参考urlに、真性半導体と不純物半導体の抵抗率(電気伝導度の逆数)の温度依存の一例が出ています。どの程度のレベルの回答が必要なのか分からないので、参考資料を紹介するに留めておきます。 参考url:http://akita-nct.jp/~tanaka/kougi/2006nen/3e/4-3-2resist_temp.pdf