質問: シリコンウェハ作製法のcz法とfz法 シリコンウェハ作製法のcz法とfz法について教えてください。
回答: cz,fzともに単結晶インゴットを作成する方法です。 まずcz法ですが,czochralski法の略で,簡単に言うと石英のるつぼに多結晶シリコンを入れ,加熱融解し,そこへ作成したい方位の種結晶を入れ,同じ方位の単結晶を引き上げる方法です。名前は発明者の名前に由来します。 fz法はfloating zone法の略で,棒状多結晶シリコンの下に種結晶をつけ,誘導加熱で種と多結晶の境界あたりを融解し単結晶化する方法です。 cz法の利点は大口径結晶が作りやすいこと,欠点はシリコンの融液が石英と接触しているため不純物(主に酸素)が混入することです。fzに関してはこの逆だと お考えください。ただし,適量の酸素がシリコンウェエーハ中に入っているとウェーハのの強度が増す等の利点があるため,酸素に関しては悪いことだけではありません。 czに関しては下記urlに,fzに関してはこの段落の下にあるurlに写真が掲載されています。 http://www.komsil.co.jp/progress/progf.htm 参考url:http://www.sumcosi.com/laboratory/laboratory1.html