質問: mos構造のゲート電圧による絶縁体と半導体界面の変化の説明をわかりやすくしもらえないでしょうか? よろしくお願いします。
回答: MOS絶縁層に加えられた電圧によって、同一極性を持つキャリア(正孔、自由電子等)が、絶縁層から遠くに押しやられます。かける電圧の極性とキャリアの極性が同じは、キャリアが絶縁層付近から電気力による反発で押しやられ、その分、電気の通れる幅(チャンネル幅)が、薄くなったのと同じことになり、電気抵抗が増加します。 大きな電圧をかければ、(絶縁層の耐電圧の範囲内で)チャンネルを遮断してしまうこともでき、この最小値をピンチオフ電圧といいます。 また、キャリアの極性が逆の電圧をかけたときは、最初は抵抗が減る(チャンネルを流れる電流が増える)特性になりますが、だんだん抵抗が大きくなります。しかし遮断することはできないようです。