質問: rπ/(rπ + (1+β)・re) となり, (rπ=β/gm,gm=ic/vt) vbe=2.5% gm ́=1/re=97.5% の割合で,電圧がかかていると言うことが言われていますが..(トランジスタの料理法より) 確かに一応,数式では出ていますが,reが無いトランジスタ単体での増幅が, ic=is・exp(vbe/vt)の式より全て導出できるのに,reが入ることで, どうもハッキリとしない「vbe=0.6v なので,vre=1.0vで..」 と言った計算をしなければなら無い理由がよく分かりません. 一般的な電流帰還増幅回路において,例えば入力電圧が2.6vでも3.6vでも,おおよそvbe=0.6になる理由がを教えてください. 宜しくお願い致します.
回答: これってシリコン半導体の電子が自由電子になる閾値の電圧だと理解してます。 ゲルマニウム半導体では0.3vですよね。 シリコン整流器に順方向に電圧を加えると、0.6v 電圧降下が生じます。 led では 2v 近辺ですよね。 それ以下の電圧では、電流が流れません。 シリコン半導体では、0.6v以下では電流は流れなくて(絶縁体)、それ以上になると、ほぼ導体になると言う事だと思いますが。