質問: なぜDRAMはフラッシュメモリよりはるかに高価ですか? ローカルストアでの価格を比較すると、SSD NANDフラッシュメモリの価格は0.36 USD/GB、DRAMメモリの価格は5.41 USD/GBです。違いは15倍です。なぜそれほど大きな違いがあるのでしょうか。 どちらも半導体デバイスです。両方のタイプのメモリセルは、ほぼ同じダイ領域を占める:NANDフラッシュメモリの場合は4F 2、DRAMの場合は6F 2。 (私は良い情報源を提供することはできません。この情報はインターネット上に散在しています。)フラッシュメモリのMLCは2倍の改善をもたらします。 (ところで、DRAMでも同じ技術は可能ですか?)競争、成熟度、規模の両面でどちらの市場も私と似ているように見えるので、市場の勢力を非難することはできません。たとえば、 DRAMの収益 35.74e9 USD、
回答: IC設計者の観点からは、FLASHはDRAMよりもはるかに製造コストが高く、私はより多くのマスクを使用し、それらはより多くの面積を占めます。あなたがあなたの地域番号をどこで得たか私は知らないが、あなたがFLASHだけのプロセスを持っていたなら、私はそれを少し引き締めることができると私は信じることができる。もちろん、それは高価になります。あなたは一様な比較をする必要があります。最新のFinFETプロセスで8ビットのDRAMトレンチキャップが得られるスペースに、1ビットのFLASHが得られます。 8ビットDRAMセルのDRAMレイアウトの写真を添付しました。 フラッシュはリークしないようにする必要があり、DRAMはリークしやすいので、酸化膜の厚さや品質についてそれほど心配する必要はありません。また、あなたがFLASHをプログラムする度に、あなたは静的に酸化物損傷を引き起こすことができるホットエレクトロン注入を使います。 VDSが大きいほど、ホットエレクトロンが多いためプログラムは速くなりますが、ホットホールが中間状態になる可能性が高くなるので、厚い酸化膜が必要です。 ティッカー酸化膜の成長には成膜に時間がかかり、それゆえにお金がかかりますが、あなたの質問にお答えします。あなたが匹敵するプロセスを持っているならば、FLASHとDRAMの間のコストは面積と同じビットで8倍になるでしょう。 DRAMとFLASHの矛盾は、単なるプロセスコストだと思います。 !Trench Caps