質問: 円形電流の任意点につくられる静磁場について(ビオサバールを利用) 初めての質問となりますが、御回答を宜しくお願いいたします。 タイトルに書かせて頂いた通り、円形電流の任意の観測点pに作られる静磁場において、観測点pに電流素片idsがつくる磁場の大きさをどうやって算出したらいいのかがわからず困っています。 円形電流の中心軸上に作られる静磁場において、電流素片idsのp点につくる磁場の大きさについては、円形電流半径a、電流i、観測点pとdsの距離r、としたときの静磁場は、 ds=μ*i*ds/(4*π*r^2) というように求めることができます。 ここで、観測点pが中心軸上ではなく、xyz座標上で、(x,y,z)の座標にあり、円形電流が、x^2+y^2=a^2 の位置にあるときdbは、どのように算出できるのでしょうか。 長文で申し訳ありませんが、宜しくお願いいたします。
回答: #2の続きです。もうちょっと追記します。 dsの作るdbよりも、最終解(任意位置におけるbのclosed formula)を求めておられると思ったのでsmytheの文献を紹介しました。最終解はpage 291ですが、読まれるならばその前後も見たほうが良いでしょうから、その場合page280-page301です。 ただし-------------------これもビオサバールではなくてベクトルポテンシャルでやっていて、r>>aの近似が入っています。ですから、ご要望に添うものではないということになります。m(_ _)m (この最終解を使ってr>>aではない場所の磁場分布を計算させても、私個人の必要範囲では特に実態と違う変な磁場分布でもないので、気にせず使っていました。)