質問: イメージセンサーについて質問です。
回答: ない。理由は ・フォトダイオードとMOS-FETはプロセスが違うので作り分ける必要がある ・MOS-FETに光が当たるとリーク電流が増えて性能が悪化するので、MOS-FETを遮光する必要がある(フォトダイオードと空間的に分離する必要がある) CMOSイメージャの画素トランジスタはバイポーラじゃないからフォトトランジスタにはならないしスイッチング用にも使われている(フォトダイオードとアンプだけの単純な構造ではない)。 下のポツコンは相変わらずだな。イメージャのデータシートに、なぜフォトトランジスタになっていないかの理由とか、画素構成が書かれているのか?書いてあるのならURLを貼れよ。