質問: 固定バイアスと自己バイアスについて npn型のバイポーラトランジスタを使って固定バイアスのエミッタ接地増幅回路と 自己バイアスのエミッタ接地増幅回路を設計して、それぞれ入力信号の電圧を 大きくしていくと固定バイアス、自己バイアスともに出力波形が歪むのですが、 歪みが発生する電圧が固定バイアスの時よりも自己バイアスの時のほうが 高いのには何か理由があるのでしょうか?
回答: あ、ちょっと追加です。前の回答は忘れてください 「ひずみが発生する電圧」の、電圧は 出力電圧ではなく、入力電圧ですね? (no.1の方の回答は、出力側で答えています) 答えは、 バイアス抵抗で負帰還が掛かるため、利得が低下して 出力が飽和しにくくなるから です。 でも、このレポートの題材は正しくありません。 こういう回路は無歪の最大出力で出力が評価されるからです。 利得が足りなければ回路を足せばよいのですが、 どうやっても出力には上限があるので こちら(無歪み出力)で回路について表現するのが普通です。 最大入力で評価する事は滅多に無いですね。 入力にアッテネーターを入れてしまえば見かけ上の性能が 上がってしまうわけですから それに、固定バイアスだからと言って、 負帰還を掛けないとも限りません。 (リニアな高周波回路の出力段は、ダイオードで電圧を安定化させた 固定バイアスを使いますが、同時に負帰還も掛けているのが普通です)