質問: 半導体と絶縁体はバンドギャップの幅の大きさに由来しているそうですが、
回答: 半導体の電気伝導は、価電子帯から伝導帯に電子が励起されるから起こるんじゃないよ。 価電子帯から伝導帯に励起された電子を少数キャリアと言うんだけど、「少数キャリアの数<<多数キャリアの数」だから、半導体では少数キャリアは電気伝導にほとんど寄与しない(Siなど、室温の熱エネルギー<<バンドギャップエネルギーとなる場合は)。 絶縁体の伝導キャリアは少数キャリアだけど、その数が少なくてほとんど電流が流れないから絶縁体なんだよ。 多数キャリアは不純物準位から伝導帯または価電子帯に励起された電子や正孔のことで、半導体中の伝導キャリアのほとんどはこれ。その多数キャリアが電界によって移動するのが半導体の電気伝導。 絶縁破壊は電界で加速された伝導キャリアが結晶格子と衝突したときに電子・正孔対を発生し、それらがまた電界で加速されて次々にキャリアを発生させるという「電子なだれ」によって導電率が大きくなるもの。