質問: 半導体 空乏層 半導体工学におけるpn接合をすると再結合により空乏層ができるが、 再結合はどのような原理で構成され、また、p,nそれぞれの空乏層がどれぐらいの厚さなのですか? 詳しくお願いします。
回答: おっと、いくつかの誤記がありましたので訂正しておきます。 1ev=q[j]=1[v] ndもnaも10^15から10^18[cm-3]レベル (但しどちらも15乗レベルということはほとんどない)