質問: 励起子束縛エネルギーについて 半導体のgan、znoなど励起子束縛エネルギーが大きいからいいなどとの話を聞きますが、励起子束縛エネルギーとは励起子を破壊するのに必要なエネルギーなのでしょうか。 また、このエネルギーが大きいとどういった利点、欠点があるのでしょうか。 なんとなく、束縛のエネルギーが大きいと、電子と正孔が一緒にいる確率が高くなって発光効率が上がるような気もしますがどうなのでしょうか。 調べて見ると、ledなどの発光デバイスに、gaas系が広く使われていますが、これば束縛エネルギーが前者に比べてかなり小さいみたいです。
回答: 色々な話がぐちゃぐちゃになって混乱しているようですね。 まず、束縛励起子とは何か というあたりから勉強し直すと良いと思います。 補足しておくと、 znoはエキシトン発光で gan、gaasなどのledは電子・正孔の再結合による発光です。つまり、励起子の束縛エネルギーうんぬんという話をするのはナンセンスです。