質問: npnトランジスタでn(x)はベースの電子密度n(0)はエミッタベース接合の空乏層端における値とし p(x)はエミッタにおけるホール濃度としp(0)をエミッタベース接合空乏層端における値とする。
回答: >Ie=q(Dn)n(0)/Wb+q(Dp)p(0)/We ではなく、 Ie=q(Dn)n(0)/Wb+q(Dp)dp(0)/dx では? ベース内での少数キャリアの流れは、B-E境界でのnの座標微分をn(0)/Wbで近似できますが、E内でのpでは微分を使わなければいけません。