Обсуждение:Полевой транзистор

message: (!)надо Мультизатворный полевой транзистор  (Многозатворный полевой транзистор?) -  — Tpyvvikky (обс.) 03:46, 25 апреля 2021 (UTC)

message: ; не ПОЛЕВОЙ, а ПОЛЕВЫЙ 
Правильное название транзистора не ПОЛЕВОЙ, а ПОЛЕВЫЙ (ударение на букву "О"), от слова "поле", а не от слова "полевая кухня"! Думаю, стоит исправить... --62.231.162.81 04:03, 1 мая 2010 (UTC)Участник: Odyssey
"Полевая кухня" тоже от слова "поле" 
Борис Тахмазов 18:27, 20 июня 2010 (UTC)
У нас куча профессоров (все) говорят ПОЛЕВО'Й, думаю, стоит отбросить филологию и просто писать так, как это везде принято. --109.205.252.5 19:23, 14 марта 2011 (UTC)
; Терминология 
* МОП (металл-оксид-полупроводник)
* МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)
что вернее/официальнее? --Tpyvvikky 12:29, 17 июля 2012 (UTC)
thread_title:  именование 

message: «полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется…» — может поменять на «полупроводниковый прибор, электрическое сопротивление которого изменяется…»?--80.73.201.153 12:30, 17 февраля 2009 (UTC)
*Ток, протекающий через канал полевого транзистора пропорционален напряжению на затворе и мало зависит от напряжения на истоке (если конечно оно достаточно велико). Поэтому более корректно говорить "ток" 85.142.44.10 15:55, 22 марта 2009 (UTC)
thread_title:  Определение 

message: Заключительные победные реляции. 
Следует упомянуть и недостатки полевых транзисторов. Должны же быть принципиальные трудности, связанные с физикой их работы, а не только с дороговизной и сложностью технологий. --217.118.90.179 11:42, 15 мая 2012 (UTC)
thread_title:  преимущества/недостатки 

message: Характеристика зависимости тока стока от напряжения затвор-исток для полевого транзистора со встроенным каналом неверная. 
Для таких N-канальных транзисторов канал является проводящим при нулевом напряжении затвор-исток.
При уменьшении этого напряжения канал постепенно запирается, и при НАПРЯЖЕНИИ ОТСЕЧКИ ток через канал становится нулевым.
Характеристика должна иметь зеркальный вид относительно показанной.
Вообще эту часть статьи нужно переработать. 
Прочитал статью, так и не понял: можно ли подключать к стоку и истоку МДП-транз. с индуц. каналом плюс и минус одновременно, или только в зависимости от типа канала? 77.109.18.124 19:18, 26 июня 2008 (UTC)
*В случае, если подашь обратное напряжение, ток через канал будет равен нулю, как и при нулевом. Если же канал встроенный, можно подавать и отрицательное напряжение вплоть до запирания транзистора. 85.142.44.10 15:57, 22 марта 2009 (UTC)
Опечатка в выходных характеристиках МДП со встроенным каналом: параметр семейства ВАХ - напряжение затвор-исток, а не сток-исток. --Никита 93.175.9.127 15:06, 1 июня 2009 (UTC)
thread_title:  Неплохо бы ВАХи...

message: При работе с полевыми транзисторами надо соблюдать особые меры предосторожностями. Все работы с полевыми транзисторами следует выполнять на металлическом заземлённом листе, на котором располагаются руки монтажника (настройщика), инструмент и другое оборудование для выполнения работ. На руке монтажника должно быть заземлённое кольцо или браслет.
Выводы транзисторов паяют низковольтным паяльником мощностью не более 60 Вт; его жало должно быть заземлено. Температура паяльника не должна превышать 260 С, длительность пайки не более 3 с. Пайку производить не ближе 5 мм от корпуса транзистора. На время пайки выводы транзистора нужно соединить между собой накоротко. Изгиб выводов выполнять на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.
В каком разделе более целесообразно указать меры предосторожности? Обратить внимание на эту информацию считаю необходимым.
TechMaster 20:41, 9 мая 2009 (UTC)
replies: text: Замечу, что указанные Вами требования по температуре пайки относятся не только к полевым транзисторам, а про изгиб выводов - относятся только к части видов корпусов полупроводниковых приборов вообще. Поэтому такое добавление без корректировки и сокращения будет нелогичным. Sergej Qkowlew 08:44, 10 мая 2009 (UTC)
* Спасибо 176.59.143.131 03:43, 14 мая 2024 (UTC)
thread_title:  Меры предосторожности при работе с полевыми транзисторами 

message: :en:JFET - The junction gate (соединительный затвор?) field-effect transistor (JFET or JUGFET) - простейший вид  полевого транзистора. They are three-terminal semiconductor devices that can be used as electronically-controlled switches, amplifiers, or voltage-controlled resistors.
thread_title:  Разновидности 

message: Коэффициент усиления по мощностиу полевых смехотворно низкий по сравнению с самыми дохлыми биполярными. Поэтому они могут использоваться только как промежуточное звено. 
~~37.214.55.113 , 6 февраля 2020
replies: text: Неверно это. Легко показать, что на низких частотах КУ по мощности у ПТ может быть несколько десятков тысяч, что недостижимо для биполярных транзисторов. Д.Ильин (обс.) 22:33, 6 февраля 2020 (UTC).
replies: text: : что доказывается применение их в вых. каскадах УНЧ(?) ~~ Tpyvvikky (обс.) 08:47, 7 февраля 2020 (UTC)
replies: text: :: В вых. каскадах УНЧ на ПТ проще достичь бо́льшей линейности.

text: :: …у полевых смехотворно низкий по сравнению с самыми дохлыми биполярными. Поэтому они могут использоваться только как промежуточное звено. — совершенная безграмотность от начинающего электронщика — «смехотворно», «дохлый», «звено» — с таким на Лурку.

text: :: K_W = (\Delta I_o^2 R_o) / (\Delta U_i^2/R_i) = (\Delta I_o^2/\Delta U_i^2) R_i R_o = S^2 R_i R_o;

text: :: K_W — коэффициент усиления по мощности;

text: :: R_i \approx 1/(2\pi f C_i),

text: :: R_o — сопротивление нагрузки, Ом;

text: :: S — крутизна передаточной характеристики, А/В;

text: :: i,~o — индексы для входа и выхода соответственно;

text: :: C_i — входная ёмкость каскада с ОИ, Ф;

text: :: f — частота, Гц.

text: :: Возьмем типичные значения для каскада с ОИ: S = 0,001;~ C_i = 10^{-11};~ f = 50;~ R_o = 1000,~ тогда K_W \approx 3,2\cdot10^5.~ Для каскада ОЭ на биполярном транзисторе трудно получить K_W больше нескольких сотен на любой частоте. Это тоже можно легко показать. Д.Ильин (обс.) 14:54, 7 февраля 2020 (UTC).
thread_title:  О главном не сказано ни слова