Discussion:Transistor bipolaire à grille isolée

message: Le 26 janvier 2007, GaAs a proposé que cet article soit reconnu comme étant un « article de qualité ». Vous pouvez donner votre avis sur cette proposition.
*Voir aussi : Portail:%C3%89lectricit%C3%A9_et_%C3%A9lectronique/Articles_de_Qualit%C3%A9.
--GaAs 28 janvier 2007 à 05:04 (CET)
thread_title: AdQ

message: la commutation ON->OFF avec une charge inductive : lors de cette phase de transition on passe d'un état où un courant stable (et important) I est établi dans la charge et dans le transistor, à un état où le transistor est bloqué. Lorsque la charge est inductive, elle tend à s'opposer à la variation de courant, en imposant au transistor une tension inverse importante. Dans le cas d'un FET, une diode externe dite "de roue libre" permet d'évacuer cette énergie sans griller le transistor par une tension inverse trop importante. Dans le cas de l'IGBT, cette diode est déjà présente dans le composant : il s'agit de la jonction PN du transistor de sortie. Les risques de latching dynamique, ou de claquage par overshoot, existent donc pour ce composant.
Pour clarifier éventuellement:
*« Tension inverse » : plutôt : tension collecteur-émetteur car pour la jonction, dans le sens bloquant, c'est une tension « inverse », mais pour le praticien, une tension inverse serait une tension émetteur positive par rapport au collecteur, comme par exemple lors de la période de conduction (roue libre) de la diode anti-parallèle dans un montage en pont.
*« Dans le cas d'un FET » : dans le cas d'un MOSFET il s'agit de la diode parasite, qui n'est pas externe.
Il me semble que ce raisonnement fait référence au fonctionnement d'un montage en pont, car pour un composant isolé, comme par exemple dans un hacheur simple ou un bras de pont, la diode de roue libre externe est la plupart du temps indispensable. La phrase suivante : Dans le cas de l'IGBT...claquage par overshoot... ne me semble pas claire. Éclairage de lanterne bienvenu . --Daniel D 29 janvier 2007 à 02:31 (CET)
replies: text: je me suis embourbé cest ça ? Bon j'essaie de retailler tout ça :p --Zedh msg 29 janvier 2007 à 22:34 (CET)
replies: text: N'exagérons pas . En français on peut utiliser "aire de sécurité" je pense . --GaAs 30 janvier 2007 à 09:48 (CET)
replies: text: Absolument ! Je recherche actuellement des trucs. --Daniel D 30 janvier 2007 à 23:43 (CET)
replies: text: Bon, j'ai fait qq chose (pas trop scientifique) à vous de voir. --Daniel D 31 janvier 2007 à 03:11 (CET)

text: Les déconnexions pendant qu'on bosse en prévisualisant à outrance et les corrections des guillemets (par qui ??? et pour rien) pourtant pris dans la boiboite à outils là juste dessous font partie des trucs « réjouissants » (na), sur Wp. --Daniel D 31 janvier 2007 à 03:25 (CET)
replies: text: Il faut que tu accepte les koukiz ! --Zedh msg 31 janvier 2007 à 20:38 (CET)
replies: text: Z'aime pas bien ces bébêtes. --Daniel D 31 janvier 2007 à 21:19 (CET)
replies: text:  Eh, j'aurais juré que c'était un endroit sérieux ici. S'il peut y avoir de l'humour ici, je suis presque réconcilié avec l'humaanité. Continuez. --GaAs 31 janvier 2007 à 22:18 (CET)
thread_title: SOA 

message: Pour en ajouter une louche, il n'en est pas fait mention. Aucune incidence sur l'AdQ de toutes façons. Intérêt encyclopédique limité, trop hyperpointu, pas bien écrit, etc. --Daniel D 31 janvier 2007 à 15:43 (CET)
replies: text: Ça mériterait un article à part, comme le courant de recouvrement des diodes, car ça ne concerne pas que les IGBT. --GaAs 31 janvier 2007 à 16:12 (CET)
replies: text: Comme la SOA, etc. Ça mériterait... si on décidait de le faire, , si on avait envie, si ceux qui énoncent des critiques comment dire... limites sans se donner la peine de... enfin moi ce que j'en dis, finalement les IGBT et le reste, ça va je connais.--Daniel D 31 janvier 2007 à 21:16 (CET)
replies: text: Courant de queue, courant de recouvrement, j'avoue être un peu démotivé... --GaAs 31 janvier 2007 à 22:08 (CET)
replies: text: +1 --Daniel D 31 janvier 2007 à 22:11 (CET)
replies: text: Et pour être honnête, incompétent. --GaAs 31 janvier 2007 à 22:21 (CET)
replies: text: Bienvenue sur Wikipédia, le pays ou les articles techniques n'ont pas la vie façile. A ce sujet, je vous remercie de contribuer à mon plan de conquête de wikipédia en obligeant les lecteurs à lire des articles d'elec et augmenter ainsi leur niveaux en élec comme cela. Ainsi, on pourra bientôt présenter des articles avec du poil. Yves-Laurent 31 janvier 2007 à 22:25 (CET)
replies: text: La torture est-elle autorisée pour taper sur forcer le lecteur ? Pour les rédacteurs on a déjà la réponse . Pour le niveau en elec commençons par forcer à la lecture de Loi d'Ohm avant de venir « voter ». Et bienvenu sur Wikipédia, le pays ou les articles sur les chanteurs, musiciens, écrivains, sportifs inconnus et auto-promus, sans oublier les actrices pornos ont leur place. --Daniel D 31 janvier 2007 à 22:45 (CET)
thread_title:  Courant de queue (''Tail current'') 

message: Perso, afin de rendre l'article plus accessible, je verrai bien le troisieme paragraphe de l'historique:
"Ce composant, en combinant les avantages des technologies précédentes, c'est-à-dire la grande simplicité de commande du transistor à effet de champ MOSFET vis à vis de celle d'un transistor bipolaire, tout en conservant ses faibles pertes par conduction, a permis de nombreux progrès dans les applications de l'électronique de puissance, aussi bien en ce qui concerne la fiabilité et l'aspect économique. Mais surtout, il a permis d'envisager des développements jusqu'alors non viables en particulier dans la vitesse variable et les applications des machines électriques et des convertisseurs de puissance, qui nous accompagnent chaque jour et partout, sans que nous en soyons particulièrement conscients : automobile, trains, métros, bus, avions, bateaux, ascenseurs, électroménager, télévision, domotique, etc."
passer ou être recopier en intro.  Yves-Laurent 1 février 2007 à 11:51 (CET)
replies: text: Oui... enfin coupé en deux, pour aérer. Sinon j'ai lu récemment je ne sais plus ou une recommandation disant que les ref en intro étaient déconseillées puisque le sujet devait être repris dans le corps de l'article (c'est moi le coupable ?). --GaAs 1 février 2007 à 13:29 (CET)
replies: text: genre ici ?. Enfin bon, dans cette même page, on cite l'article Ban Ki-moon en exemple, et il y a des refs dans l'intro. De même pour les articles cités dans la page de conventions bibliographiques. Wikipédia, c'est un peu le royaume du faite ce que je dis, mais pas ce que je fais. Yves-Laurent 1 février 2007 à 14:15 (CET)

text:  J'ai tenté une modifs sur l'intro. J'ai du commenter un bout de l'ancienne car plus intégrable dans l'intro. On garde la phrase que j'ai collée dans l'intro dans la partie historique? Je n'ai vraiment pas d'avis sur la question. Yves-Laurent 1 février 2007 à 16:59 (CET)
replies: text: Ou là : Wikipédia:Résumé introductif ? --GaAs 1 février 2007 à 22:05 (CET)
thread_title: Intro

message: Il s'agit de :Image:Semitrans3_k.gif, voir sur commons. --GaAs 28 février 2007 à 08:48 (CET)
replies: text: J'ai envoyé un mail à Semikron, pas encore de réponse :( --Zedh msg 28 février 2007 à 18:59 (CET)
thread_title:  Image soupçonnée de copyvio 

message: D'après cette source , on peut associer à l'IGBT, les acronymes (désuets)(?) COMFET (Conductivity Modulated FET), GEMFET (Gain Enhanced MOSFET), IGT (Insulate Gate Transistor). Je me suis permis d'effectuer les redirections vers l'article Transistor Bipolaire à Grille isolée pour COMFET et GEMFET. IGT est utilisé pour l'intolérance au glucose actuellement. Odd 3 septembre 2008 à 17:36 (CEST)
thread_title:  Redirection 

message: Cet article n’a plus le niveau, je vais demander le retrait du BA. --GaAs (d) 11 octobre 2012 à 22:02 (CEST)
replies: text: Le plus simple serait d'éviter ces discussions et d'enlever cette « étoile » disgracieuse, en même temps cela épargnerait cet article et les contributeurs qui le suivent (ou pas). Daniel*D 11 octobre 2012 à 23:30 (CEST)
replies: text: Oui ? Ça c’est facile. --GaAs (d) 12 octobre 2012 à 03:15 (CEST)
thread_title:  Contestation du label 

message: Bonjour aux contributeurs,
Je viens de modifier 1 lien(s) externe(s) sur Transistor bipolaire à grille isolée. Prenez le temps de vérifier ma modification. Si vous avez des questions, ou que vous voulez que le bot ignore le lien ou la page complète, lisez cette FaQ pour de plus amples informations. J'ai fait les changements suivants :
*Ajout de la balise  à http://www.infineon.com/upload/Document/Datenblatt_T3101N.pdf
*L'archive https://web.archive.org/web/20140811211146/http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-AN2012_08_RC_IGBT_for_Inductive_cooking-AN-v1.0-en.pdf?folderId=db3a30433a047ba0013a69f8f64c0705&fileId=db3a30433a047ba0013a6ec9c25f6017 a été ajoutée à http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-AN2012_08_RC_IGBT_for_Inductive_cooking-AN-v1.0-en.pdf?folderId=db3a30433a047ba0013a69f8f64c0705&fileId=db3a30433a047ba0013a6ec9c25f6017
SVP, lisez la FaQ pour connaître les erreurs corrigées par le bot.
Cordialement.—InternetArchiveBot (Rapportez une erreur) 8 novembre 2018 à 16:16 (CET)
thread_title:  Liens externes modifiés