Diskussion:Fotowiderstand

message: Sind Sekundärelektronenvervielfacher jetzt schneller oder langsamer als diese Dinger? Das wird durch das "jedoch" in dem Satz undeutlich. Schade.
:ich denke, es ist grammatisch eindeutig; es ist eine Aufzählung. LDR sind langsamer als SEV bzw. PM.--Ulfbastel 12:02, 2. Mär. 2007 (CET)
thread_title:  Sekundärelektronenvervielfacher 

message: Ich habe in Zeile 17 mal die µm durch nm ersetzt, da diese im optischen Bereich die gebräuchlichere Einheit darstellen. (nicht signierter Beitrag von 84.150.107.78 (Diskussion | Beiträge) 14:57, 10. Sep. 2009 (CEST)
thread_title:  nm und µm 

message: Es fehlt ein Erklärung der Funktion. Dies wäre sinnvoll, da man damit die Eigenschaften gut verstehen kann: Bei Halbleitern, die gut für LDRs geeigent sind, wird nicht der normale innere Fotoelektrische Effekt genutzt, sondern es werden Übergänge zu Störstellen genutzt. Wenn durch das Licht eine Störstelle ionisiert wird, wirkt die für eine gewisse Zeit (im ms Bereich) wie eine Dotierung und erhöht die Leitfähigkeit. Durch die relativ lange Zeit die es braucht die Störstelle wieder zu neutralisieren erhält man eine hohe Empfindllichkeit, aber auch die langsame Reaktion.
Wegen der Beteiligung der Störstellen ist die Fotoleitung auch nicht nur vom Basismaterial, sondern auch der Mikrostrucktur und Verunreinigungen abhängig.
Der Halbleiter muß nicht amorph sein. Das übliche CdS wird auch eher ein Vielkristall sein.
--91.3.86.172 22:27, 19. Sep. 2009 (CEST)
thread_title:  Erklärung der Funktion 

message: hier fehlt eine funktion für den widerstand vom Licht. Ein verweiß auf Ladungsträgerlebensdauer und generation durch Licht wäre gut. Ich Rate jetzt mal, dass es eine Funktion der art: R_{Photo}=Ae^{-(B\cdot 'Lichteinfall' \cdot 'Temperatur')} gibt. Wobei B vermutlich nur vom Material abhängig ist. --Moritzgedig 17:44, 4. Jun. 2010 (CEST)
thread_title:  verlauf der Abhängigkeit? 

message: Wenn CdS- und CdSe-Fotowiderstände nicht mehr in Produkten eingebaut werden dürfen, sollte man annehmen, der Vertrieb sei komplett eingestellt. Das scheint aber nicht der Fall zu sein, siehe Angebot eines großen Elektronik-Händlers (es werden auch im Datenblatt des Herstellers aus Kalifornien keine Angaben zum Material gemacht, es scheint sich dem Aussehen nach aber um einen CdSe-Fotowiderstand zu handeln). Dürfen solche Bauteile also noch zum „Experimentieren“, „Basteln“ usw. verkauft werden? --Phrontis (Diskussion) 10:31, 11. Mär. 2021 (CET)
replies: text: Ja. Nur nicht mehr mit kommerziellen Prudukten neu in Verkehr bringen. Man darf übrigens auch noch beinahe nach Herzenslust mit Sn35Pb löten - im privaten Bereich, bei Reparatuuren und in manchen sicherheitskritischen Bereichen. --Smial (Diskussion) 10:48, 11. Mär. 2021 (CET)
replies: text:  Danke für die Info! Ich darf also mein rund 40 Jahre altes Lötzinn weiterverwenden (wenn ich alle paar Schaltjahre zum Lötkolben greife)... --Phrontis (Diskussion) 10:13, 16. Mär. 2021 (CET)
thread_title:  RoHS-Konformität 

message: Wann, wo und von wem wurden die Dinger eigentlich erfunden/entdeckt? Man findet irgendwie nichts dazu und ich denke es wäre eine gute Erweiterung des Artikels. 
:Stichwort photoresistor history:
:The idea of Photoresistor developed when photoconductivity was discovered... usw. aber Kinder sucht selbst, da lernt ihr besser. --87.180.7.157 16:24, 27. Mär. 2022 (CEST)
thread_title:  Geschichte? 

message: Im Abschnitt Funktion steht: "Der verwendete Halbleiter muss nicht amorph sein.". Das klingt für mich ein wenig komisch, da ich standardmäßig angenommen hätte, dass er kristallin sein muss, dieser Satz aber so klingt als ob die übliche Erwartung ist, dass er amorph sein muss.  Stimmt das oder ist das eine schlechte Übersetzung des englischen "must not"? Volodiscere (Diskussion) 22:34, 29. Mai 2023 (CEST)
thread_title:  "Muss nicht" amorph sein?