Diskussion:Halbleiter/Archiv

message: Mich würde interesieren ob es schon irgendwelche Lösungen und Anwendungen in Supraleiter Halbleitern gibt? Togo 09:55, 13. Jun 2004 (CEST)
replies: text: Wie ich ermittelt habe, geht es dabei um das Zusammenführen von Halbleiter und Supraleiter in einer Halbleiter-Struktur.  Das Thema gehört also in den Abschnitt Grenzflächen. --Zahnstein 23:41, 20. Okt 2005 (CEST)

text: Zu :Kategorie:Quantenphysik haben wir schon einiges, aber die Halbleiter-Grundlagen fehlen. Zu den Hetero-Strukturen lege ich mal ein paar Atomlagen und wohl auch den einen oder anderen neuen Artikel. Ich schaue mal wie lange ich Spaß dran habe.  --Zahnstein 10:07, 18. Okt 2005 (CEST)
thread_title:  Diverse alte Diskussionen 

message: Unter 'Geschichte' ist im letzten Absatz die Leitfähigkeit mit Ω·m angegeben, die richtige Einheit lautet allerdings S/m. Ich habe das nicht korrigiert, da ich mir nicht sicher bin, ob die Leitfähigkeit gemeint und die Einheit falsch angegeben ist, oder ob der Widerstand gemeint und die Einheit richtig angegeben ist. -- Irgendein IP-User
: Ich habe mal recherchiert, die Einheit stimmt, es ist der spez. Widerstand gemeint. Hab das gefixt, danke für den Hinweis. --Jdiemer 18:47, 30. Dez 2005 (CET)
replies: text: Dann raus damit Mr. Anderson 03:56, 17. Apr 2006 (CEST)
replies: text:  Ich habe gelesen, dass Mangan selber zwar nicht magnetisch ist, aber z.B. als Manganarsenid durchaus.  --Zahnstein 04:48, 17. Apr 2006 (CEST)
replies: text: Interessant. Verbindungen mit Mangan sind also teilweise magnetisch. Aber trotzdem ist Mangan selbst nicht (ferro-)magnetisch. So konnte man das nicht stehen lassen. Mr. Anderson 13:01, 20. Apr 2006 (CEST)
thread_title:  Widerstand/Leitfähigkeit 

message: Stimmt es wirklich, dass die Leitfähigkeit von Halbleitern nur von der Temperatur bestimmt werden kann? Laut unserem Lehrer (10. Klasse, Gymn.) kann diese auch von Druck oder Belichtung (LDR) abhängig sein. Kann natürlich sein, dass er uns (wie so oft) nur die halbe Wahrheit erzählt hat.
Also eine Druckabhängigkeit bei Halbleitern ist mir noch nicht bekannt. Eventuell in zusammenhang mit piezoelektrischen Materialien. Ansonsten ist die Ladungsträgergeneration und somit das elektrische Verhalten auch bei Halbleitern durch Licht möglich (siehe Fotoelektrischer Effekt, Solarzelle usw.). Bitte auch als unangemeldeter Nutzer nächstes mal den Beitrag mit --~~~~ unterschreiben. --Cepheiden 15:17, 28. Jun 2006 (CEST)
thread_title:  Nur Temperaturbeeinflussung? 

message: In "Geschichte" steht, dass die Diode in 1937 erfunden wurde. Was Halbleiter betrifft, mag das stimmen, aber die Diode als Vakuumröhre ist vie älter.
Aus Norwegen...
--Qdr 11:49, 9. Jan. 2007 (CET)
replies: text: Hier ist sicher die Rede von der Röhrendiode. Im Artikel habe och das geändert, in dem ich Diode gegen Halbleiterdiode ausgetauscht habe. --Cepheiden 15:31, 3. Jul 2006 (CEST)

text: Achso, die Röhrendiode wurde aber 1906 vom englischen Physiker John Flemming entwickelt. Nix mit Norwegen. --Cepheiden 15:36, 3. Jul 2006 (CEST)
replies: text:  Das ist relativ unwahrscheinlich, da die Halbleiterdiode bereits 1899 von Braun patentiert wurde.. Die Röhrendiode war schon lange vor Flemming bekannt, habe leider gerade keine Referenz--Qdr 23:18, 3. Jan. 2007 (CET)
replies: text: Ja, Karl Ferdinand Braun hatte schon 1875 den Sperrschicht-Effekts an einer Metall-Halbleiter-Kombination und somit quasi die Schottky-Diode entdeckt. Allerdings geht es hier um die Röhrendiode (Gleichrichterröhre) und die hatte Fleming 1904 entwickelt. --Cepheiden 09:51, 4. Jan. 2007 (CET)
replies: text:  Ist das keine Diode ? (Link zur en.wikipedia da der Deutsche eintrag mist ist)--Qdr 11:49, 9. Jan. 2007 (CET)
thread_title:  Diode 

message: "Die Tatsache dass ein Element 4 Außenelektronen besitzt macht ihn nicht zum Halbleiter." Was macht dann einen Halbleiter aus? Können Halbleiter auch eine andere Anzahl von Valenzelektronen haben? Welche Bedingungen muss das element noch erfüllen - außer den 4 Valenzelektronen? Sind Halbleiter immer dotiert? Welche Anwendung und Bedeutung haben nichtdotierte Halbleiter?--stefan 20:21, 24. Mai 2007 (CEST)
replies: text: 4 Valenzelektronen sind nicht das Maß. Entscheidend ist die Bandstruktur des Materials. Ein paar Beispiele: klar Germanium und Silizium gelten als  Elementare Halbleiter, ebenso gibt es aber auch Kristallmodifikationen von Bor oder Tellur die Halbleiter sind. Und das sind nur abweichende Beispiele für Elementare Halbleiter. Dazu kommen noch Verbindungshalbleiter wie Galliumasenid oder Organische Halbleiter wie Pentacen. All diese Beipiele weichen deutlich von der "4-Valenzelektronen-Definiion" ab. Noch deutlicher wird es am Beispiel Zinn. Zinn steht in der IV. Hauptgruppe und besitzt wie Germanium oder Silizium 4 Außenelektronen. Zinn gilt aber allgemeine als Metall oder nicht? Das stimmt auch für weißes Zinn (β-Sn) eine andere Kristallmodifikation (graues Zinn, α-Sn) besitzt allerdings eine Bandlücke von EG = 0,1 eV. Das ist zwar nicht viel, zeigt aber dass 4 Außenelektronen nicht das Maß sind. --Cepheiden 00:22, 25. Mai 2007 (CEST)

text: Halbleiter sind nicht immer dotiert. Natürlich ist die möglichkeit Halbleiter zu dotieren und somit gezielt seine Eigenschaften zu verändern ein wichtig Anwendung. quasi undotierte Halbleiter werden teilweise in Silizium-Dünnschicht-Solarzellen oder auch in bestimmten Zonen von einigen Diodenarten eingesetzt. Zudem gibt es noch Pentacen als organischen Halbleiter, das eigentlich auch nciht dotiert wird. Es gibt schon diverse Einsatzgebiete von undotierten Halbleitern, wenn auch häufig in Verbinndung mit dotierten Gebieten. --Cepheiden 00:29, 25. Mai 2007 (CEST)
replies: text: Wirklich sehr interessant. Wäre schön, wenn du das mit in den Artikel einarbeitest. Nicht so hochgestochen formuliert, wie die anderen Abschnitte im Artikel. Am besten so, wie du es hier formuliert hast. In dieser einfachen Sprache, sollte auch die erste Hälfte der Einleitung verfasst sein. --stefan 22:57, 25. Mai 2007 (CEST)
replies: text:  Ich hab bisher kaum was in diesem Artikel geschrieben. Ehrlich gesagt hab ich auch nicht die Zeit und Lust den Artikel umzuarbeiten. Das Problem bei den Halbleitern ist, dass die 3 Gruppen teilweise sehr unterschiedliche Leitungsmechanismen für die Ladungen aufweisen. Woher kommt eigentlich Deine Annahme mit den 4 Valenzelektronen? --Cepheiden 15:40, 26. Mai 2007 (CEST)

text: Weil es bei den typischen Halbleitern - Silizium und Germanium - 4 Valenzelektronen gibt.--stefan 17:00, 26. Mai 2007 (CEST)
replies: text:  Was ist typisch? Galliumarsenid wird genauso häufig eingesetzt wie Germanium und Blei ist trotz vier Valenzelektronen kein Halbleiter. Aber ich denke das ist dir mitlerweile klar. --Cepheiden 17:42, 28. Mai 2007 (CEST)
thread_title:  Das Wesen der Halbleiter 

message: Die Grafik im Abschnitt Eigenschaft hat an der y-Achse ein W. Wofür steht das W ?--stefan 23:00, 25. Mai 2007 (CEST)
replies: text: W ist in der Physik das übliche Symbol für Arbeit. Man kann die Arbeit mit der Energie E gleichsetzen. Sowas ist eigentlich Schulstoff --Cepheiden 15:34, 26. Mai 2007 (CEST)
replies: text: Ja, ja der liebe Schulstoff (kannst du dich noch an den Aufbau des Herzens, der Niere, die Rh-Blutgruppenunverträglichkeit bei Neugeborenen, das Hambacher Fest und die Hauptstätte der westafrikanischen Staaten erinnern?), zum Glück gibt es ja die Wiki um nochmal nachzuschauen. Das W sollte schon bei der Bildbeschreibung stehen (erledigt). Wofür steht eigendtlich das x an der Abszisse? (räumliche Ausdehnung?, Zeit?)--stefan 17:17, 26. Mai 2007 (CEST)
replies: text:  An das meiste davon, wwobei ich die Niere mal rausnehm. Aber egal. Die Symbolik für Arbeit und Energie sollte eigentlich mit der Einführung der Begriffe im Physikunterricht klar sein. Mathematische Operationen wie Addition oder Subtraktion und seine Symbole oder t für die Zeit vergisst man ja auch nicht. Aber es stimmt schon, auch bei Gleichungen sollte ja für alle verwendeten Symbole eine Definition Ersichtlich sein. Ich denke durch die Ergänzungen ist das geklärt. Das x steht für die räumliche Ausdehnung in eindimensionaler Richtung. --Cepheiden 18:28, 27. Mai 2007 (CEST)
thread_title:  Bändermodell 

message: Im Artikel steht: "Bei Raumtemperatur sind sie je nach materialspezifischem Abstand von Leitungs- und Valenzband leitend oder nichtleitend." Ist meine Formulierung korrekt: die Leitfähigkeit von Halbleitern ist bei Raumtemperatur besser als bei Isolatoren und schlechter als bei Metallen. Oder trifft das nicht uneingeschränkt für alle Halbleiter zu?--stefan 23:10, 25. Mai 2007 (CEST)
replies: text: Das stimmt schon seh aber kaum eine Verbesserung in der Formulierung --Cepheiden 15:36, 26. Mai 2007 (CEST)
replies: text: Na zumindest wird doch bei meiner Formulierung der Ursprung des Wortes Halbleiter prägnanter herausgearbeitet.--stefan 17:20, 26. Mai 2007 (CEST)
replies: text:  Demnach würde ich das eher Schlechtleiter nennen. Außerdem verwirrt die Formulierung genauso. Besser würde wohl sein: "Die Leitfähigkeit von Halbleitern liegt in dem Bereich zwischen Metallen (Leitern) und Isolatoren." Es gibt übrigens noch andere Materialien als Metalle, die Leieter sind, beispielsweise Supraleitende Keramiken oder auch hochdotierte organische Materialien (so genannte organische Metalle). Die Abhängigkeit von der Leitfähigkeit von der Temperatur sollte überigens nicht vernachläßigt werden. Denn eigentlich sind Halbleiter generell Isolatoren, nur erhöht sich durch die kleine Bandlücke die Leitfähigkeit. Und das bei Normalumgebung, also mit der Temperatur und Lichteinfall usw. Die Grenzen sind eh nirgends definiert und daher schwer zu beschreiben. --Cepheiden 18:36, 27. Mai 2007 (CEST)
replies: text: Danke für deine interessante und verständliche Antwort. Auch das sollte mit in den Artikel rein. Ich will ja gar nicht nur rumnerven, aber es ist einfach schade um den Artikel, der gewissermaßen der Einführungsartikel zum Portal:Halbleiter ist. Wegen seiner Übersichtsthematik hätte er das Potential für einen lesensweren/exzellenten Artikel, aber halt nicht in seiner jetzigen Form.--stefan 10:02, 28. Mai 2007 (CEST)
replies: text:  Ach du nervst nicht, ist doch ein recht konstruktives Arbeiten --Cepheiden 10:22, 28. Mai 2007 (CEST)
thread_title:  Leitfähigkeit bei Raumtemperatur 

message: Der erste Absatz ist war Einführung zu kompliziert, ich hab das mal versucht zu verbessern. Es wäre optisch schöner, wenn das Bild vertikal angeordnet wäre. --Jdiemer 16:59, 19. Sep 2004 (CEST)
replies: text: Die Kunst, etwas Schweres, einfach darzustellen, ist höher, als etwas einfaches schwer darzustellen.
Daher ist es doch sinnvoll, diese Kunst zu erlernen. Es gibt auch Minderbemittelte oder Faule unter uns, für welche ein Text der binnen weniger Sätze mehr Verweise hat, als schwarzgeschriebene Worte, schwer verständlich ist.
-- Sebbe xy (Der vorstehende, falsch signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von Sebbe xy (Diskussion • Beiträge) 17:22, 1. Dez. 2008 (CET)
thread_title:  kompliziert 

message: Raumtemperatur sind sie je nach materialspezifischem Abstand von Leitungs- und Valenzband leitend oder nichtleitend 
es muss "nicht leitend" heißen
(Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von 91.97.78.155 (Diskussion • Beiträge) 14:43, 15. Dez. 2008 (CET)
replies: text: Es kann "nicht leitend" geschrieben werden, muss es aber nicht! Ein blick in den Duden oder in die Regeln der Neuen deutschen Rechtschreibung zeigt dies. --Cepheiden 16:20, 15. Dez. 2008 (CET)
thread_title:  Rechtschreibung 

message: Warum kann man bei einer p-Dotierung nicht 2 "Löcher" hineinbringen? (Beispielsweise mit 2 Fremdatomen)
Andreas (nicht signierter Beitrag von 89.49.158.222 (Diskussion | Beiträge) 17:41, 1. Jan. 2007 (CET)
replies: text: Da liegt wohl ein Missverständiss vor, man bringt bei der Dotierung nicht nur eine Störstelle (z.B. p-Dotierung) ein sonderen deutlich mehr (im Bereich von 10^10 bis 10^16 auf 10^21 Siliciumatome. --Cepheiden 11:04, 2. Jan. 2007 (CET)
thread_title:  2 Löcher 

message: Ich habe mal die Siltronic AG als Hersteller von Silizium  rausgenommen. Meines Wissens nach, bekommen die ihr Silizium von Wacker und verarbeiten das nur zu Wafern. Zumindest ist es im Standort Freiberg so.--MrSpejbl (falsch signierter Beitrag von MrSpejbl (Diskussion | Beiträge) 10:33, 7. Feb. 2007 (CET)
replies: text: Siltronic ist ein Unternehmen der Wacker Chemie AG und stellt aus Rohsilizium Siliziumkristalle bzw. Wafer her. Woher das Ausgangsmaterial stammt weiß ich nicht. --Cepheiden 20:35, 7. Feb. 2007 (CET)
thread_title:  Wirtschaft 

message: "Betrachtet man nun das Bändermodell im Impulsraum, so stellt man fest, dass Leitungs- und Valenzbandkante nicht für jeden Impuls gleich ist, sondern dass beide Bandkanten mindestens ein Extremum aufweisen."
Das sind doch nicht die Kanten, sondern die Dispersionsrelationen die da aufgetragen sind? Von Kanten kann man doch erst sprechen wenn man die k-Abhängigkeit vernachlässigt und alle erlaubten Energiezustände als Band darstellt oder?
(Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von 2008 92.196.84.155 (Diskussion • Beiträge) 20:17, 19. Mai 2008 (CET)
replies: text: Hallo, ja es handelt sich bei der Bandstruktur um Elektronen-Dispersionsrelationen. Denn Begriff halte ich im Zusammenhang mit Banddiagramm (die Wellenzahlabhängigkeit ist nichtmehr erkennbar) als durch aus richtig, da damit nur noch Eleketronendichteverteilungen wichtig sind. Die einzelnen Bänder sind recht scharf und weisen daher eine "Kante" auf. Bei der Bandstruktur ist das etwas freizügiger. Im Prinzip sind es aber ebenfalls Ränder/Kanten von erlaubten Energieniveaus. wüsste auf anhieb nicht wie man das besser und vor allem noch verständlich beschreiben könnte --Cepheiden 07:25, 20. Mai 2008 (CEST)
thread_title:  Direkter/Indirekter Halbleiter 

message: Der Weblink "Flash-Animation zur Stromleitung bei Halbleitern (dwu-Unterrichtsmaterialien)" führt auf eine Übersichtsseite, nicht direkt zum geünschten Ziel. Ist das so gewünscht? Verlinkt wird ja schon auf einen deeplink. --V!s!b!l!ty 02:25, 2. Mai 2008 (CEST)
thread_title:  Fehlerhafter Weblink 

message: Im Zuge der Löschdiskussionen um Störstellenerschöpfung und Störstellenreserve wurde in diese Themenbereich gearbeitet. Meiner Meinung nach ist das thema hier unzweckmäßig positioniert. Es wäre besser die Abschnitte zur Störstellenleitung in einen seperaten Artikel auszugliedern (und entsprechend einen Artikel Eigenleitung zu erstellen). Was meint ihr? --Cepheiden 09:36, 1. Apr. 2009 (CEST)
thread_title:  Störstellenleitung 

message: Die Daten sind veraltet, die Rangfolger der Unternehmen stimmt nicht mehr. Überarbeitung nötig. (nicht signierter Beitrag von Tal231071 (Diskussion | Beiträge) 21:06, 2. Mai 2010 (CEST)
replies: text: Hallo, wenn du neuere Daten hast, aktualisiere die informationen doch bitte. Sei mutig! --Cepheiden 21:31, 2. Mai 2010 (CEST)
thread_title:  Wirtschaft 

message: Der Gunn-Effekt ist eher ein kuriose Ausnahmen als eine typische Eigenschaft von Halbleitern. So wie zur Zeit beschrieben ist das total unverständlich (selbst für ein Halbleiterphysiker) und auch eher falsch.  Selbst berichtigt und verständlich plädiere ich dafür den Teil zu löschen, bestenfalls den Verweis unter Siehe-auch anfügen. --Ulrich67 22:57, 28. Dez. 2010 (CET)
replies: text: Links im Siehe-Auch-Abschnitt sind als Ausnahmen gedacht (vgl. WP:ASV). Der Effekt selbst wird im Übrigen gar nicht versucht zu erklären, sondern es wird nur auf ein Phänomen/Effekt hingewiesen. Dieser Hinweis ist evtl. nicht ideal, aber das kann man durch eine Umformulierung verbessern, eine Löschung ist der falsche Weg. --Cepheiden 08:22, 29. Dez. 2010 (CET)
thread_title:  Abschnitt zum Gunn-Effekt 

message: Erster Satz:
 Halbleiter sind Festkörper, die abhängig von ihrem Zustand elektrische Leiter oder Nichtleiter sind. 
Was ist mit Zustand gemeint? --Cami de Son Duc (Diskussion) 13:23, 21. Aug. 2013 (CEST)
replies: text: Die Formulierung kann wahrscheinlich verbessert werden, aber erklärt wird es in den darauffolgenden Absätzen der Einleitung: Der "Zustand" ist stark abhängig von der Temperatur bzw. materialspezifischen Faktoren (Abstand von Leitungs- und Valenzband) und der Anwesenheit von Fremdatomen (Dotierung). Dann werden der Kristallzustand (kristallin, amorph), Stärke und Richtung einer anliegender Spannung und auftreffende Strahlung wie Licht genannt. All diese (und andere) Faktoren bestimmen den Zustand des Halbleiters. Die "Steuerbarkeit" der Leitfähigkeit durch derartige Größen macht diese Stoffgruppe so interessant. --Wosch21149 (Diskussion) 23:07, 21. Aug. 2013 (CEST)

text: Für mich ist hier mit Zustand "Temperatur" gemeint. Jede andere Definition führt für Fachfremde schnell zu weit. Dotierung, etc. hat erstmal nichts mit der Definition eines Halbleiters zu tun. Wichtig ist eher eine Bandlücke im Bereich des thermischen Potentials... als "Temperatur" in der oben genannten "Trivialdefinition" (nicht signierter Beitrag von WurstfabrikantHans (Diskussion | Beiträge) 12:48, 15. Jul 2014 (CEST)
replies: text:  Es ist wohl eher die unter anderem durch die Temperatur beeinflusste Kristallstruktur. Zink ist so ein Beispiel. Es ist richtig, eine mögliche Dotierung wird bei der Definition von "Halbleiter" nicht beachtet. --Cepheiden (Diskussion) 20:44, 15. Jul. 2014 (CEST)
replies: text:  Die letzte Aussage hätte ich gerne mit Literatur belegt. Zink ist kein typischer Halbleiter für eine allgemeine Definition. Phononeninteraktion ist nicht relavant hier. Kristall-Umstrukturierungen finden im typischen Anwendungsbereich nicht statt. Mott-Isolatoren gehen zu weit in diesem Kontext. (nicht signierter Beitrag von WurstfabrikantHans (Diskussion | Beiträge) 20:52, 15. Jul. 2014 (CEST)
replies: text:  Ja, mit dem Satz oben ist wohl eher der Besetzungszustand der Bänder gemeint als ein kristalliner Zustand. Auch wird alpha-Zinn eher den Halbmetallen als Halbleitern zu geordnet, es wird aber als halbleitend beschrieben (Bergmann: Lehrbuch der Experimentalphysik 6. Festkörper, S. 546). Zur Umwandlung von Zinn durch Temperaturänderung und ggf. solchen Anwendungen kann ich leider nichts sagen. :-( Die "letzte" Aussage ist, dass die Definition eines Halbleiter nicht über mögliche Dotierung definiert wird. Willst du das wirklich belegt haben? Und wenn ja, wie soll man diese Aussage, die eben nicht genutzt wird, belegen? Das Gegenteil könnte man belegen. --Cepheiden (Diskussion) 21:23, 15. Jul. 2014 (CEST)
replies: text:  Die Formulierung ist wirklich nicht glücklich. Mit Zustand ist im wesentlichen die Temperatur und im geringeren Maße die äußere Beleuchtung gemeint. Weiter ist aber auch die Grenze, ab wo man ein Material als Leiter betrachtet vom Effekt den man betrachtet und den Abmessungen abhängig. Was für elektrostatische Ladungen als Leiter gilt, kann für Wirbelströme als Nichtleiter gelten. Änderungen der Kristallstruktur durch Temperatur oder Druck werden bei der Einteilung gerade nicht berücksichtigt - die Einteilung in Isolator - Halbeiter - Leiter/Metall bezieht sich also auf eine Struktur.--Ulrich67 (Diskussion) 19:07, 18. Jul. 2014 (CEST)
thread_title:  Unklar: "Zustand" 

message: Auch Materialien, die im Durchschnitt nicht vier Valenzelektronen haben, können als Halbleiter bezeichnet werden, wenn sie einen spezifischen Widerstand im Bereich von größer 10−4 Ω·m und kleiner 106 Ω·m haben.
Höre ich zum ersten Mal, kann das einer belegen (Literatur)? Halbleiter sind definiert durch Energielücken im k-Raum, nicht durch einen spezifischen Widerstand. Auch wenn beides korreliert ist, kann man nicht sagen, dass jedes Material in einem bestimmten Widerstandsbereich ein Halbleiter ist! (nicht signierter Beitrag von 178.26.48.1 (Diskussion) 12:15, 10. Jul 2014 (CEST)
replies: text: Das steht in der Einteilung nicht Einleitung. Ansonsten hast du recht, dass dies belegt werden sollte. Das mit dem k-Raum stimmt aber auch nur für kristalline anorganische Halbleiter. --Cepheiden (Diskussion) 21:40, 10. Jul. 2014 (CEST)

text: Hm, ich würde die Bandlücke im k-Raum selbst für amorphe Halbleiter unterschreiben, auch wenn man hier, zugegebener maßen, sehr vorsichtig mit der Definition eines "Bandes" sein muss. Ist aber möglich, z.b. mit einer definierten Transportenergie (Definition über Miller-Abrahams-Gleichung oder Marcus-Theorie). (nicht signierter Beitrag von WurstfabrikantHans (Diskussion | Beiträge) 11:36, 15. Jul 2014 (CEST)
replies: text:  Ein amorpher Körper sollte in seiner "Bandstruktur" keine Unterschiede im k-Raum aufweisen. Da eine feste Struktur fehlt, ist es meiner Meinung nach nicht möglich so etwas wie einen reziprokes Gitter und somit den k-Raum überhaupt zu bestimmen. Sicher es bilden sich auch Formen von Energiebänder und es ist möglich analoge Definitionen zu finden. --Cepheiden (Diskussion) 20:49, 15. Jul. 2014 (CEST)
thread_title:  Einteilung 

message: Wie verbreitet ist den noch die Definition von Halbleiter und Isolator über die Größe der Bandlücke? Aluminiumnitrid kenne ich trotz E_g=6 eV  als Halbleiter, vgl. z.B.: . Ich kenne das eher so, dass man Halbleiter dotieren kann, Isolatoren nicht. Die Größe der Bandlücke ist dabei irrelevant (zugegeben, je größer die Bandlücke, desto unwahrscheinlicher sind Aktivierungsenergien im Bereich von 25 meV…) Viele Grüße--Amateur-Wikipedianer (Diskussion) 20:07, 4. Sep. 2019 (CEST)
replies: text: Definition Halbleiter, alt und neu: Leitfähigkeit zwischen der von Isolatoren und Metallen durch Dotierung oder Temperatur (reines Silizium ist bei 77 K ein Isolator). --Rainald62 (Diskussion) 01:35, 5. Sep. 2019 (CEST)
replies: text: Danke, dann kann ja der Hinweis auf die Größe der Bandlücke als Unterscheidungsmerkmal aus dem Artikel raus. --Amateur-Wikipedianer (Diskussion) 17:54, 5. Sep. 2019 (CEST)
replies: text:  Die Größe der Bandlücke als Unterscheidungsmerkmal wird ja nicht in einer Definition sondern später zu Orientierung angegeben. Das ist meiner Meinung nach okay. Den Hinweis selbst würde ich nicht rausnehmen. Aluminiumnitrid  als wide band gap semiconductor (Halbleiter mit breitem Bandabstand) widerspricht dem nicht. --Cepheiden (Diskussion) 22:16, 5. Sep. 2019 (CEST)
replies: text: Sollte es nicht heißen Halbleiter mit großem Bandabstand? Lücken sind breit, Abstände nicht. --Rainald62 (Diskussion) 22:33, 5. Sep. 2019 (CEST)
replies: text:  Durchaus, beides ist aber im deutschen Sprachgebrauch selten genutzt und ich hatte mich glaube ich hiernach gerichtet  --Cepheiden (Diskussion) 22:53, 5. Sep. 2019 (CEST)
replies: text:  Ich kenne da nur den englischen Fachbegriff (wide-bandgap material/semiconductor). Zurück zum Thema: ich würde sehr gerne Formulierungen wie Isolator  (E_G > 4 eV), die über verschiedene Artikel hinweg auch unterschiedlich sind, streichen.  Wenn dies auf großen Widerspruch stößt, werde ich wenigstens auf einer Formulierung der Art "Isolator  (typscherweise E_G > 4 eV)" bestehen, sodass klarer wird, dass das keine genaue Definition ist. Viele Grüße--Amateur-Wikipedianer (Diskussion) 18:24, 8. Sep. 2019 (CEST)
replies: text:  Ja, bandgap, Lücke, wie oben auch vorgeschlagen. Viel häufiger als "breite Bandlücke" heißt es aber "große Bandlücke" (Google Books behauptet 224 Treffer, im Ggs. zu 1 Treffer für "breiter Bandabstand"). --Rainald62 (Diskussion) 22:38, 14. Sep. 2019 (CEST)

text:  "Typischerweise" finde ich gut. --Cepheiden (Diskussion) 22:07, 10. Sep. 2019 (CEST)
replies: text:  Danke, dann ändere ich das, spätestens wenn ich aus dem Urlaub zurück bin. —Amateur-Wikipedianer (Diskussion) 09:10, 11. Sep. 2019 (CEST)
replies: text:  Ich habe jetzt mal das typischerweise eingefügt. Bei Gelegenheit, fasse ich vielleicht mal die Diskussion des Sachverhaltes aus dem Grossmann Marx zusammen. Der erklärt recht gut, wie die einzelnen Definitionen zustande kommen. Allerdings finde ich zumindest innerhalb der mir bekannten Festkörperliteratur keine wirkliche Einigkeit. Es gibt da (bzgl. der Grenze zwischen Isolator und Halbleiter) E_g > 2, 3 oder auch 4 eV… Und ich vermute, die Elektrotechniker haben da nochmals eine andere Sicht der Dinge… --Amateur-Wikipedianer (Diskussion) 21:36, 4. Okt. 2019 (CEST)
thread_title:  Unterschied Isolator <-> Halbleiter im Bändermodell 

message: Der mm-Wellen-Forscher Jagadish Chandra Bose war der Zeit um 60 Jahre voraus.
 
vllt. bauts einer ein, den es interessiert?
(nicht signierter Beitrag von 217.229.62.117 (Diskussion)) 05:53, 25. Aug. 2017‎
:Es geht in diesem Zusammenhang (Radio) um Galenit. Ich habe das so in den Text eingebaut und auf Bose verlinkt, ihn aber nicht einzeln erwähnt. Ein "he had anticipated" ist keine theoretischer Ansatz wie später von Schottky, Mott, usw. Bose war auch nicht der einzige Radioexperte zu seiner Zeit siehe https://ieeexplore.ieee.org/document/4055359. Das Papier https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11120-006-9084-6 erwähnt keine nennenswerte Zusammenhänge mit Halbleitern, was damit aus meiner Sicht gut mit dem Galenit-Hinweis im Artikel zusammenpasst. Trotzdem Danke für den Hinweis. Mfg 
:Archivierung dieses Abschnittes wurde gewünscht von: 17387349L8764 (Diskussion) 12:30, 4. Dez. 2022 (CET)
thread_title:  Bose wird hier trotz Patent nicht erwähnt?