Diskussion:Eigenleitungsdichte

message: "Die so erzeugten Elektronen" verstehe ich nicht. Es werden doch gar keine Elektronen erzeugt. Sind die Elektronen gemeint, die aufgrund der Temperatur > 0Kelvin zum Transsport zur Verfügung stehen?
(Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von 85.176.162.196 (Diskussion • Beiträge) 18:52, 21. Okt. 2006 (CEST)
replies: text: Nicht mehr aktuell --Cepheiden 11:26, 15. Dez. 2008 (CET)
thread_title:  Die so erzeugten Elektronen (erl.) 

message: Auf welche Temperatur beziehen sich die Ladungsträgerdichten in der letzten tabelle??
300K ?? (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von 129.69.179.122 (Diskussion • Beiträge) 17:32, 5. Dez. 2006 (CET)
replies: text: diesbzgl. stimmt auch das Zitat Bei Raumtemperatur sind (bei Silizium) normalerweise alle Dotieratome ionisiert, und die Ladungsträgerdichte hängt nicht mehr von der Temperatur ab nicht, denn die Bandlücke beträgt 1.1 eV was etwa 11000K entspricht, womit die Eigenleitung bei 300K also noch lange nicht auf Anschlag sein kann. Und was soll in diesem Zusammenhang das Wort normalerweise bedeuten? (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von 212.147.5.100 (Diskussion • Beiträge) 14:36, 19. Jun. 2008 (CEST)
replies: text:  Die Energieniveaus der Donatoren sitzen nahe dem Leitungsband, die der Akzeptoren nahe dem Valenzband. Die Energiedifferenz ist jeweils ein paar meV (ca. 5 meV), sodass du diese Energie und nicht die Bandlückenenergie einsetzen musst und dann passt das gesagte für Raumtemperatur (kT = 25meV) schon. 'Normalerweise' soll wohl darauf hindeuteten, dass es auch Dotieratome gibt, deren Energieniveaus weiter von Leitungs- bzw. Valenzband entfernt sind und somit eine höhere Temperatur als Raumtemperatur vonnöten ist diese vollständig zu ionisieren. --Franzl aus tirol 22:30, 14. Dez. 2008 (CET)
thread_title:  Tabelle zum Schluss (erl.) 

message: Der in der Tabelle angegebene Wert für die Eigenleitungsdichte von Silizium bei 300K ist überholt und sollte aktualisiert werden. Richtig ist: 9,65x109 cm-3. 
Quelle: P. Altermatt et al., Journal of Applied Physics vol. 93 p. 1598 (2003), DOI: 10.1063/1.1529297 --Buensuceso 14:30, 27. Mai 2011 (CEST)
replies: text: Gibt es dazu einen Review-Artikel oder ein neueres Buch, das diese Zahlenwerte aufgreift? Wenn ja, wäre mir das deutlich angenehmer. Denn Primärquellen haben so ihre Tücken weswegen sie auch nicht bevorzugt werden (vgl. WP:Belege). Evtl. finden sich in der neuen Quelle auch noch Angaben zu anderen Halbleitern. ansonsten werde ich die Tage die Werte prüfen und korrigieren.  --Cepheiden 16:54, 27. Mai 2011 (CEST)
thread_title:  Eigenleitungsdichte von Si bei 300K 

message: n_i wird nicht erläutert. --194.95.142.180 13:35, 4. Sep. 2012 (CEST)
replies: text: Alles klar, Massenwirkungsgesetz sagt es ist die Eigenleitungsdichte, aber warum im Quadrat? Oder ist das einfach die übliche Beschreibungsweise. -- 194.95.142.180 15:03, 4. Sep. 2012 (CEST)
thread_title:  n_i warum quadratisch? 

message: Wie kann Eigenleitungsdichte zugleich intrinsisch und in Abhängigkeit von x [Temperatur] Sein?
Intrinsisch bedeutet in sich selbst autonom und damit substanzbehaftet, und nicht kontextuell und relational zu sein. Die Einflussnahme von Temperatur kennzeichnet hingegen den Vorgang des relationalen! Beides schließt sich gegenseitig aus.
 "Die Eigenleitungsdichte n i {\displaystyle n_{\mathrm {i} }} n_{\mathrm {i} } (auch intrinsische Ladungsträgerdichte) ist die charakteristische Ladungsträgerdichte eines Stoffes in Abhängigkeit von der Temperatur"  Grüße  79.216.131.85 13:27, 19. Feb. 2017 (CET)
thread_title:  intrinsisch vs. relational, beides schließt sich gegenseitig aus.