Diskussion:Diode/Archiv

message: Im Artikel Bipolartransistor gibt es eine Diskussion darüber ob die Formeln im Artikel in eine getrennte Formelsammlung ausgelagert werden soll. Dies könnte ich mir auch hier vorstellen um den Artikel übersichtlicher zu gestalten. Vorschläge:
#Diode/Formeln
#Diode (Formelsammlung)
MovGP0 10:20, 5. Mär 2006 (CET)
thread_title:  Aufteilung des Artikels 

message: Es fehlen meiner Meinung nach noch Einzelheiten zum Innenaufbau und Funktion der Diode. Die Dotierung wird erwähnt, nicht aber was es ist. Es fehlen auch noch Begriffe wie Störstelleneffekt. 
Hier mein Vorschlag zur Ergänzung mit kurzer Erklärung zu Dotierung, Störstelleneffekt, n-Leitung und p-Leitung:
Innenaufbau
In einer Diode befindet sich ein Halbleitermaterial, das an einer Seite positiv und an der anderen Seite negativ dotiert ist.
Als Halbleitermaterial werden überwiegend Silizium und Germanium verwendet. Die Eigenleitfähigkeit eines Halbleiters ist sehr gering, und daher nur begrenzt technisch nutzbar. Um die Leitfähigkeit des Halbleiters zu erhöhen , wird das reine Material des Halbleiters mit Fremdatomen verunreinigt. Dieses Einpflanzen von Fremdatomen nennt man Dotieren. Beim Dotieren werden Atome mit mehr oder weniger als 4 Elektronen auf der äußeren Schale in den Gitterverband des Halbleiters eingebracht. Meistens werden Elemente aus Gruppe 3 und 5 im Periodensystem verwendet. Diese haben 3 bzw. 5 Elektronen auf ihrer äußeren Schale, man nennt sie Valenzelektronen. Bei der Dotierung nimmt eine Anzahl Fremdatome die Plätze von einigen Germanium- bzw. Siliziumatomen im Gitterverband ein. Die dadurch entstehende Leitfähigkeit nennt man Störstelleneffekt. 
Bei den Fremdatomen die zur Dotierung verwendet werden unterscheidet man zwischen Akzeptoren und Donatoren. Akzeptoren sind Elemente aus der Gruppe 3 im Periodensystem und haben 3 Valenzelektronen. Am häufigsten werden Bor, Aluminium, Gallium und Indium verwendet.
Die Donatoren sind aus der Gruppe 5 im Periodensystem und haben 5 Valenzelektronen. Hierführ werden Gewöhnlich Phosphor, Arsen und Antimon verwendet.
Wird bei der Dotierung eines Siliziumkristallgitters ein Atom verwendet, das 1 Elektron mehr auf der Außenschale hat als Silizium, so steht dieses fünfte Elektron nach der Bindung der 4 anderen Elektronen mit dem Siliziumatoms als freier  Ladungsträger für den Ladungstransport zur Verfügung. Da Elektronen negativ geladen sind, ist das Siliziumatom nun n-dotiert. 
Der Leitungsmechanismus in n-dotierten Halbleitern wird durch freie Elektronen hervorgerufen. Man spricht von Elektronenleitung oder n-Leitung.
Verwendet man bei der Dotierung ein Atom mit weniger Elektronen auf der Außenschale als bei Silizium, kommt es nicht mehr zu einer vollständigen Bindung des Fremdatoms mit den Nachbaratomen des Siliziums. Da der Akzeptor , zum Beispiel Bor nur 3 Valenzelektronen hat können sich auch nur 3 Elektronen mit den Siliziumatomen verbinden. Ein Elektron eines Siliziumatoms bleibt ohne Partner. An dieser Stelle entsteht nun ein Loch und damit ein freier positiver Ladungsträger. Das Fremdatom der Gruppe 3 (Bor) ist bestrebt , eine vollständige Bindung zu seinem Nachbaratomen zu erreichen. Dieses kann durch freie Elektronen oder mit Elektronen anderer Siliziumatome geschehen. Man spricht von der p-Leitung.
Felippo 25.05 2006 
:Ich halte es für keine gute Idee die Dotierung an dieser Stelle so ausführlich zu behandeln, sondern besser im entsprechenden Artikel. Sonst müsste man beginnen in sämtlichen Artikeln über Halbleiterbauteilen einen entsprechenden Absatz einzufügen. 
:Mein Vorschlag ist daher lieber den Artikel Dotierung zu überarbeiten. -- MovGP0 12:18, 25. Mai 2006 (CEST)
thread_title:  Innenaufbau einer Diode 

message: Hallo,
ich würde das ja selbst bearbeiten ich weiß aber nicht wie man hier Bilder hochlädt. Jedenfalls fehlt im Bild bei Kathode das "h". 
:Danke dieser Fehler ist jetzt behoben! Zum Hochladen von Bildern kann ich dir das Bildertutorial empfehlen. ---=Crownmaster=- 23:51, 28. Dez. 2007 (CET)
thread_title:  Tippfehler im Schaltzeichen-Bild 

message: Vorher stand unter 'Mechanisches Ersatzmodell' Flussssrichtung mit vier 's'. 
:@Benutzer:Simon4:
:der Eintrag hier war aber sicher mehr Änderrung als die Korrektur des Tippfehlers. — MovGP0 08:22, 20. Aug 2006 (CEST)
thread_title:  Schreibfehler behoben 

message: Die Vorwärtsspannung (bsp.: 0,7V) wird doch auch Durchbruchsspannung genannt, oder? Ich hab das mal eingefügt. Falls das nicht stimmen sollte, bitte korrigieren! Ich bin auch blos ein Mensch. Danke! Quark48 18:21, 28. Aug. 2007 (CEST)
replies: text: Ok, hab's gleich korrigiert. :) Die Begriffe sind nicht ident: Vorwärtsspannung ist jene Spannung welche an der Diode in Flussrichtung abfällt. Sollte bei einer "idealen" Diode null sein, bei klassischen np-Siliziumdioden die bekannten rund 0,7 V, was mit der Ladungsträgerdiffusion in der Raumladungszone des pn-Übergangs zusammenhängt. Die Durchbruchspannung ist jene Spannung welche in Sperrrichtung, also bei "umgekehrter Vorwärtsspannung" an der Diode anliegt und wo die Diode durchbricht: Wo die Spannung so hoch wird, das quasi "der Damm bricht". Bei der idealen Modelldiode ist diese Sperrspannung unendlich, bei realen "Hochspannungs-SI-Dioden" liegen die maximalen Sperrspannungen, je nach Typ verschieden, bei maximal einigen wenigen kV. Bei typischen Kleinsignaldioden, je nach Typ verschieden, so im Bereich von 50V bis 100V.--wdwd 19:51, 28. Aug. 2007 (CEST)
replies: text:  Alles klar. Wir haben, wenn ich mich recht entsinne, in der Arbeit immer Durchbruchsspannung dazu gesagt. Kurz nach dem Verändern des Artikels hab ich dann im Internet gesucht und dann gelesen, dass der Begriff anscheinend manchmal auch fälschlicherweise für die Vorwärtsspannung benutzt wird.
Daheim benutze ich immer die gute alte 1N4007. Sie soll ja 1000V aushalten, und erst drüber gibts den Exitus.
Lange Rede, kurzer Sinn: Dann ist das Thema geklärt ;-)
Gruß, Quark48 19:59, 28. Aug. 2007 (CEST)
thread_title:  Durchbruchsspannung 

message: Im Bild "so funktioniert die Diode" sollte doch bitte der Begriff "Glühbirne" in "Glühlampe" oder "Verbraucher" geändert werden. Es gibt kein elektrisches Obst!
Gruz, Toni 
:: Lass Dich nicht davon abhalten, das zu ändern, wenn es Dir nicht gefällt. Grüße, Timo  82.83.130.88 08:06, 19. Dez. 2007 (CET)
thread_title:  Umgangssprache im Bild 

message: Ist der Temperaturverlauf einer Diode mehr oder weniger linear? -- Köf3 22:10, 14. Okt. 2009 (CEST)
replies: text: Siehe Kapitel Diode#Temperaturabhängigkeit. Da ist die Spannung UT proportional zu T. Wenn man andere Größen betrachtet, geht sie meist mit einer Arrhenius-Gleichung. --PeterFrankfurt 02:27, 15. Okt. 2009 (CEST)
thread_title:  Linearität 

message: Nach der Formel: Wenn die Temperatur steigt, wird UT größer, also die Zahl im Exponent kleiner, also sinkt der Strom. Das ist falsch: Der Strom durch eine Diode steigt, wenn es wärmer wird.
Außerdem sollte man den Buchstaben "e" nicht im selben Zusammenhang sowohl für die Eulersche Zahl als auch für die Elementarladung benutzen.
(nicht signierter Beitrag von 77.10.111.75 (Diskussion) 11:08, 20. Nov. 2010 (CET)
replies: text: Genau der Wert des Exponentialterms wird geringer, aber der Strom nimmt zu, denn dort steht noch ein Term ( IS (T) ) den du offensichtlich übersehen hast. Siehe ein paar Abschnitte weiter unten auf der Seite. --Cepheiden 11:19, 20. Nov. 2010 (CET)
thread_title:  Formel falsch 

message: :::::Meine Änderungen an der Einleitungen haben keinen Bezug zur aktuellen Diskussion, sondern geschahen zufällig zeitgleich als ich mir vorgenommen habe den Artikel zu verbessern und Korrektur zu lesen. ~ Stündle (Kontakt) 13:07, 4. Feb. 2011 (CET)
replies: text: Laut Tietze&Schenk bestehen Dioden aus einem pn- oder Metall-n-Übergang, also beides mal ein Halbeiter dabei. In der Praxis sei mit Diode eine Silizium-pn-Diode gemeint und andere Typen werden durch Namenszusätze gekennzeichnet. ~ Stündle (Kontakt) 13:22, 4. Feb. 2011 (CET)
replies: text: Ja, mit der Formulierung kann ich mich sehr gut anfreunden. --PeterFrankfurt 02:32, 5. Feb. 2011 (CET)
replies: text: Dieses Fragment ist gut, insgesamt war die vorherige Version der Einleitung aber OmA-tauglicher. Die Beschreibung der Kennlinie gehört gekürzt oder garnicht in die Einleitung, denn Leser, die mit dem Begriff 'Kennlinie' etwas anfangen können, werden die der Diode kennen und sich auch nicht daran stören, wenn statt Gleichrichtung das Rückschlagventil erwähnt wird. – Rainald62 12:04, 5. Feb. 2011 (CET)
thread_title:  Überarbeitung der Einleitung 

message: ...von Dioden fehlen bisher und sollten noch ergänzt werden.
--212.202.83.153 09:51, 15. Mär 2006 (CET)
thread_title:  Anwendungen 

message: Schöne Formeln, aber wo kommen die her? Ich grübel gerade bzgl. der temp.abhängigkeit des Sättigungsstromes I_S(T) ... Eine Literaturquelle wäre sehr schön!  Danke. (nicht signierter Beitrag von 138.246.7.176 (Diskussion) 00:39, 29. Mai 2011 (CEST)
replies: text: Schöne Formeln, aber welche meinst du denn? Versprich dir von einer Literaturquelle nicht zu viel; die gibt höchstwahrscheinlich auch nur die Formel her. Um die Temperaturabhängigkeit zu erklären, musst du schon sehr tief in die Halbleiterphysik einsteigen. Erst da hat es Sinn zu grübeln. --Saure 12:03, 31. Mai 2011 (CEST)
thread_title:  Temperaturabhängigkeit 

message: Durchlassspannung, Schleusenspannung, Kniespannung, Schwellenspannung, "notwendige Vörwärtsspannung", engl. forward voltage drop, U_{S}
Vorwärtsspannung, Flussspannung, engl. forward voltage, U_{F}
Diffusionsspannung, U_{D}
Diese Begriffe werden im Artikel nicht klar voneinander abgeggrenzt. So wird im mechanischen Ersatzmodell zuerst von der "Überwindung des Federdrucks" gesprochen und dann mit der Flussspannung verglichen. Das is aber eher die minimale Flussspannung, oder auch Schleusenspannung = Schwellenspannung = Kniespannung etc.
Leider haben sich im Laufe der Zeit verschiedene Begriffe herausgebildet, die alle das Gleiche bedeuten.
Weiterhin ist in der Shockley-Gleichung im Artikel die Funktion abhängig von U_{D}. Allerdings wird im Kennlinienbild daneben als Spannung U_{F} an die x-Achse angetragen. Das passt nicht zusammen und außerdem wird in der Literatur die Diffusionsspannung mit U_{D} bezeichnet.
Ich habe mir jetzt mal die Mühe gemacht und habe diverse Google Books, andere Wikis (z.B. Roboter Wiki, englisches Wiki) und auch das Meyer Lexikon durchforstet und bin auf folgende gleichwertige Begriffe gestoßen:
Schleusenspannung = Schwellenspannung = Durchlassspannung = Kniespannung = "notwendige Vorwärtsspannung"(hier im Artikel) = engl. forward voltage drop = U_{S}
Vorwärtsspannung = Flussspannung = engl. forward voltage = U_{F}
Wenn keine Einwände bestehen, würde ich das gerne hier abändern.
Das ganze Problem ist wohl dadurch entstanden, dass in der Shockley-Gleichung (aus dem Buch The Transistor aus dem Jahr 1951) für die anliegende Vorwärtsspannung U_{D} verwendet wird und nicht U_{F}.
Zur Schleusenspannung habe ich gefunden: Die Schleusenspannung U_{S} ist als diejenige Spannung definiert,
bei der der Durchlassstrom I 10% des Maximalwertes I_{max} erreicht. (nicht signierter Beitrag von Cabfdb (Diskussion | Beiträge) 09:55, 15. Aug. 2009 (CEST)
replies: text: Hallo Cabfdb, ich habe aus Versehen schon einmal mit der Überarbeitung (Systematisierung) begonnen. Kannst es gerne noch weiter verbessern! Zu Schleusen-, Schwellen-, Durchlass-, Knie-, Vorwärts- und Flussspannung sollte man sich noch etwas ausdenken, vieles hängt vom Betrachterstandpunkt ab, weitere Sxstematisierung sinnvoll. Z.B. Kniespannung, weil die Kennlinie einen (makroskopischen) Knick hat, was man bei einem Bein dann "Knie" nennt. So banal sind manche Benennungen! MfG -- BenGeo 02:30, 13. Jan. 2012 (CET)
replies: text: Das mit dem "knie" kommt meiner Meinung nach vom Knickgerademodell, indem die KL den "Knick" bei der Schwellspannung hat. Ansonsten sollten die Begriffe schon bei minimalen Kenntnissen den jeweiligen Synonymen zugeordnet werden können -- 62.158.122.20 14:52, 19. Mai 2012 (CEST)
thread_title:  Widersprüchliche Bezeichnungen 

message: Gibt es für das dort beschriebene Verhalten beim Einschalten, den Anstieg der Spannung über den stationären Wert Belege ? So ganz einleuchtend ist das nicht (bei einer Kapazität erwartet man eher einen langsamen Anstieg der Spannung, keinen Überschwinger), und ich konnte dazu keine Ref. finden. Die Erklärung, die ich zu einer Anfangs höheren Spannung gefunden habe geht über die Erwärmung, nicht über die Diffusionskapazität. --Ulrich67 22:15, 8. Feb. 2012 (CET)
replies: text: Der Überschwinger bei der Spannung ist tatsächlich durch die Diffusion bedingt, nur passt das Bild einer Diffusionskapazität nicht. Eine mögliche, sogar recht ausführliche Ref. wäre: Baliga, B. J., Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 2008 Springer, Berlin. Das Problem das sich hier etwas ergibt ist die Zuordnung zur Überschrift. Die Diffusionskapazität passt mehr in ein Kleinsignal-Bild, also kleine Abweichungen um einen Arbeitspunkt - die Effekte wie vorwärts und rückwärts Recovery sind aber mehr als "Großsignal"-Effekte zu verstehen, also gerade bei einer schnellen deutlichen Änderung des Arbeitspunktes.  Eventuell müsste man hier eher extra Abschnitte zum Schaltverhalten haben. --Ulrich67 (Diskussion) 22:56, 10. Mär. 2012 (CET)
replies: text:  Es spricht wohl nichts gegen zwei getrennte Abschnitte: WP:SM.--wdwd (Diskussion) 23:11, 10. Mär. 2012 (CET)
thread_title:  Diffusionskapazität 

message: Die Abildung "Halbierte Leistungsdiode (1N4007)..." verweist auf File:Schottky Diode Section.JPG. 1N4007 ist allerdings eine PN-, keine Schottkydiode.
--92.229.124.96 03:18, 11. Feb. 2013 (CET)
replies: text: Richtig, das kann man aber von außen nicht sehen. Im Bild soll ausschließlich der technische Aufbau gezeigt werden.--Herbertweidner (Diskussion) 10:28, 11. Feb. 2013 (CET)
replies: text:  Auch wenn man es auf den ersten Blick nicht sieht, sollen Bild und Text schon zusammenpassen. Also entweder den Text an das Bild anpassen, oder ein neues richtiges Bild machen. Auf die Schnelle geht nur das Anpassen des Textes. --Ulrich67 (Diskussion) 20:38, 11. Feb. 2013 (CET)
thread_title:  1N4007 ist keine Schottkydiode 

message: Welches Schaltzeichen denn nun? Mit durchgezogenem Strich, oder nicht? Beides ist dargestellt, aber nach DIN sollte es durchgezogen werden. (nicht signierter Beitrag von 79.247.187.4 (Diskussion) 20:06, 20. Jun. 2013 (CEST)
replies: text: In der Praxis, auch gerade mit internationalen Veröffentlichungen, muss man immer mit allen Varianten rechnen, also muss man sie alle vorstellen. Welche man dann selbst verwendet, ist vor allem vom Ziel-Umfeld abhängig, ob man DIN-konform zeichnen muss oder sich irgendwelchen internationalen Gebräuchen anpassen will. --PeterFrankfurt (Diskussion) 02:51, 21. Jun. 2013 (CEST)
thread_title:  Schaltzeichen 

message: Diese Bild wurde ein der Bilderwerkstatt angefragt 
bitteschön --Tavin (Diskussion) 18:44, 6. Dez. 2012 (CET)
thread_title:  Nachgefragtes Bild 

message: !Entdeckt wurde ein derartiges Verhalten" echt so derartig? derartig seltsame Tierchen? ROFL D: erklärnix lachmichkrumm - ich Idiode" --217.251.72.54 02:02, 10. Dez. 2013 (CET)
replies: text: Hallo Idiode, wo bitte ist da der Witz versteckt?? Und wie trägt dies zur Verbesserung des Artikels bei??? --94.216.75.14 18:50, 10. Dez. 2013 (CET)
thread_title:  [[Seltsamkeit]] im [[Teilchenzoo]]  oder  [[Ethologie]] ? 

message: Die Lage der Fermienergie bei der Darstellung im Bändermodell ist falsch eingezeichnet. Die Fermi Energie liegt ZWISCHEN der Energie des Fremdatoms und dem Leiterband bei n-dotierung bzw. Valenzband bei p-dotierung. (nicht signierter Beitrag von 89.12.78.206 (Diskussion) 00:51, 11. Nov. 2013 (CET)
replies: text: Du hast recht. Ich habe das Bild ausgetauscht. --der Saure  19:44, 19. Dez. 2013 (CET)
thread_title:  Bild zum pn-Übergang 

message: Im zugehörigen Hauptartikel (nur EIN Artikel, aber von der Verlinkung hier denkt man, es erwarten einen zwei verschiedene Artikel, unsauber) steht nicht so glasklar, welche von beiden schneller ist, was hier ja als Unterscheidungsmerkmal angeführt wird. Vielleicht sollte man besser die Unterscheidung wie in jenem Artikel vornehmen, dann passt das auch alles zusammen. --PeterFrankfurt (Diskussion) 03:42, 12. Mär. 2012 (CET)
thread_title:  Schalterdiode vs. Schaltdiode 

message: Im Artikel sind Werte für die Transit Zeiten angegeben. Allerdings passen die nicht so gut zu den Werten die man in Spice Modellen findet. Die Modelle nutzen längere Zeiten, bis in den ns Bereich für Schottky-dioden und bis etwa 10 µs für langsame PN Dioden (z.B. 1N4007, ). Das passt auch zum beobachteten Verhalten. Der Bereich 1..100 ns passt zu schnellen PN Dioden. Zumindest der Bereich für die Si-Diode sollte also eher 1 ns ... 10 µs sein, bei den Schottkydiode vielleicht auch eher bis 1 ns. Es fehlt mir aber noch eine gute Referenz. --Ulrich67 (Diskussion) 21:20, 17. Okt. 2014 (CEST)
thread_title:  Werte für Transit Zeit 

message: Der Abschnitt "Mechanisches Ersatzmodell der Diode" ist irreführend, denn im Gegensatz zum mechanischen Modell gibt es bei der Diode keine Schwelle, unter welcher der Durchlassstrom Null wird. Außerdem spiegelt das mechanische Modell nicht den exponentiellen Anstieg des Durchlassstroms mit der Spannung wieder. - QuodScripsiScripsi / 26. Okt. 2014 -(falsch signierter Beitrag von QuodScripsiScripsi (Diskussion | Beiträge) 18:30, 26. Okt. 2014 (CET)
replies: text: Wenn du es so genau nimmst, dann gibt es auch bei dem mechanischen Modell keine „Schwelle“. Das Konzept/Modell (!) der Schwellenspannung bei Dioden ist übrigens in Fachkreisen anerkannt und hilf im Allgemeine Neulingen beim Verständnis. --Cepheiden (Diskussion) 18:59, 26. Okt. 2014 (CET)
replies: text:  Ersatzmodell mit dem Ventil ist schon üblich und auch für das Verständnis der echten Diode hilfreich. Natürlich ist so ein Modell nicht bis ins kleinste Detail exakt, das wird auch gar nicht verlangt. Das Konzept mit Schwellspannung ist als erste Näherung schon nicht so schlecht - auch das übliche Kleinsignalmodell ist nur Flussspannung und differentieller Widerstand (ggf. für Wechselspannung noch Kapazität dazu). Vor daher besteht kein Grund das Model zu entfernen. --Ulrich67 (Diskussion) 17:30, 29. Okt. 2014 (CET)

text:  Die Beschreibung des mechanischen Ersatzmodells ist nicht so konkret, das man wirklich sagen kann wo das Model Fehler hat. Auch bei Mechanischen Aufbau könnte es theoretisch eine ziemlich genau exponentielle Kennlinie, wie bei einer Diode (bzw. dem üblichem Rechenmodell nach Shockley) geben. Von daher ist das Modell nicht vom Wesen her fehlerhaft, sondern einfach nicht sehr konkret ausformuliert - das muss es aber auch nicht wirklich. Das mechanische Modell ist vor allem für ein sehr niedriges Niveau gedacht, etwa um ganz einfachen Funktionen wie einen Brückengleichrichter zu veranschaulichen. Selbst wenn das Modell also Fehler im Detail hätte stört das überhaupt nicht. Keiner wird auch die Idee kommen Schaltungen wie einen Ringmischer an Hand des mechanischen Modells bis ins Detail durchzurechnen. Es ist halt ein anschauliches Modell und kein mathematisches zum rechnen.--Ulrich67 (Diskussion) 17:29, 5. Nov. 2014 (CET)
thread_title:  Mechanisches Ersatzmodell 

message: 1) Denn eine Nocke hat einen (zwar steilen) Anstieg, (Otto- und Dieselmotor- Ventilsteuerung), aber nicht simpel on / off! Genauso ist es bei der gesteuerten Diode, z.B. sprich im Transistor! Gemäß dem Anstieg der Spannung Basis ..., steigt der Durchlass-Strom. Größenordnung [mA]!
*2) Aber rückwärts ist die Strömung (Wasser oder Luft, Öl) null bei einem Rückschlagventil, u. ja auch bei der Diode (fast), nämlich nur Mikro-Ampere, also 1000 mal weniger, also in der anderen Richtung. 
*3) Bei Otto u. Diesel haben wir freilich in beide Richtungen gleiche große Öffnung (= gleichgroßen Durchlass). Bsp. hinken immer etwas.
6.5.15, Eco-Ing. (nicht signierter Beitrag von 93.104.96.250 (Diskussion) 13:16, 6. Mai 2015 (CEST)
thread_title:  Diode, u. noch besser, der Transistor, ist gut mit einem Rückschlagventil vgl. bar, mit Nockenwelle gesteuert, denn  

message: "Für den Betrieb von Diodengleichrichtern am Netz sind Überspannungsableiter, z. B. Varistoren erforderlich, die die Netz-Überspannung auf ein für die Gleichrichterdioden zulässiges Maß begrenzen." 
IMHO versorgten einst Millionen Netzgleichrichter/Flächendioden wie BY 127/BY 133 noch mehr Millionen Röhren ganz frech mit Anodenspannung direkt aus dem 220V-Netz z.B. bei Fernsehgeräten und das ohne irgendwelche Ableiter/Varistoren. 
Diese Varistoren kamen erst viel später, als die Röhren durch empfindlichere Halbleiter ersetzt wurden, vor allem die ICs starben an den kurzheftigen Spannungsspitzen durch Blitzeinschlag im Umkreis. Die Netzgleichrichter starben eher selten allein --2003:CC:93C1:7801:38D9:A387:E11E:775B 22:17, 17. Jul. 2016 (CEST)
thread_title:  IMHO ein Smørrebrød med ust - (Käse ツ 

message: In der p-Zone haben die Elektronen ein geringes Energieniveau, in der n-Zone ein hohes. Kann sich das Elektron nur entfernt vom Kern aufhalten so ist Energie nötig um das Elektron vom Kern wegzuziehen. Das ist in der n-Zone der Fall, weil Kern-nahe Elektronenschalen des Atoms schon fest besetzt sind und der Platz für bewegliche Ladungsträger weiter entfernt vom Kern liegt.
Bewegt sich ein Elektron von "n" nach "p" dann fällt es im Übergang von einem hohen Energieniveau auf ein niedrigeres. Diese Energie wird bei LEDs als Licht und sonst als Wärme abgegeben. Eine Bewegung von "p" nach "n" ist oft nicht möglich weil Energie fehlt um das Elektron auf das höhere Energienieveau zu heben. Das geht nur bei echten Z-Dioden oder Fotozellen und dort erfolgt Energiezufuhr.
Für exaktes Berechnen wird sowohl das Energieniveau als auch der Impuls (Masse mal Geschwindigkeit) des Ladungsträgers berücksichtigt.
Bitte baut es in den Text ein! 80.147.240.228 09:31, 3. Jan. 2017 (CET)
thread_title:  Ventilwirkung der Diode durch Energieniveau der Elektronen 

message: Gibt es eine genormte Nummerierung für die Anschlüsse, also z.B. 1=Kathode, 2=Anode? Wenn ja, wo wird das beschrieben? Interessant ist das für die automatische Bestückung von Platinen. --Efficiency (Diskussion) 10:14, 4. Jun. 2018 (CEST)
thread_title:  Anschlussnummern 

message: Kleine Mängel: 
Zweimal "dann" 
"Verstärkung" ist hier der falsche Audruck, da es sich um eine (geometrische/ räumliche) Vergrößerung handelt.
Im Übrigen gibt es auf WP bereits den "pn-Übergang". 
Edgar Wollenweber79.204.161.195 10:05, 8. Jan. 2020 (CET)
replies: text: Ja, wenn man den Satzgegenstand weglässt, dann wird das Zitat unverständlich. Es gibt die zwei Fälle, in denen die Diffusionsspannung kompensiert oder verstärkt wird (aber nicht geometrisch/räumlich vergrößert), und zu jedem Fall gibt es eine Dann-Konsequenz. --der Saure  18:32, 8. Jan. 2020 (CET)
thread_title:  Zitat: " ....dann wird der p-n-Übergang leitfähig, oder verstärkt werden, dann bleibt er gesperrt"