Diskussion:Chemische Gasphasenabscheidung

message: Der Begriff CVD muss nach meiner Meinung als Chemical Vapor Deposition (sprich: Vapor - ohne das englische "u" ) definiert werden. Schließlich wurde der Begriff von US-Amerikanern erfunden, was durchaus auch Briten respektieren (Die Zeitschrift Journal of "Chemical Vapor Deposition" wurde von Michael Hitchman erstmals herausgegeben, der nach meiner Kenntnis Ur-Brite ist.) (nicht signierter Beitrag von 84.57.33.131 (Diskussion | Beiträge) 19:06, 8. Jan. 2005 (CET)
replies: text: Hi, ich bin auch dafür den Artikeln in "chemical vapor deposition" umzubennen --Cepheiden 12:08, 8. Aug 2005 (CEST)
thread_title:  Vapor 

message: ... und habe noch die SiC-Beschichtung als Beispiel hinzugefügt...
Ich denke, dass ist okay.
Leumar01 14:40, 10. Apr 2006 (CEST)
thread_title: Beispiele

message: Mir ist noch die Abkürzung PVCVD im Internet über den Weg gelaufen. Wo wäre diese Variante einzuordnen und was heißt sie? (nicht signierter Beitrag von 213.9.121.119 (Diskussion | Beiträge) 14:40, 2. Mai 2006 (CEST)
replies: text: Also entweder ist das ein schreibfehler und soll PECVD heißen (hab genau diesen Schreibfehler schon öfter gesehen) oder es ist Pure Vacuum Chemical Vapor Deposition gemeint. Hab aber keine Ahnung was daran so besonders sein soll, also Vorteile sind mir Unbekannt. Was die Einordnung angeht kann ich auch nur sagen das es eben ein CVD-Verfahren ist. Eine weitere Abstufung gibt es auch eigentlich nicht. gruß --Cepheiden 16:05, 2. Mai 2006 (CEST)

text: gut möglich, ansonten findet man noch sehr selten "pure vacuum chemical vapour deposition". Was das allerdings sein sol list mir ein Rätsel. --Cepheiden 09:31, 23. Apr. 2010 (CEST)
thread_title: PVCVD

message: Ich bin in dem Artikel über die Begriffwahl Werkstück/Wafer gestolpert. Ich weiß, was ein Wafer ist, aber man sollte den Artikel entweder allgemein auch für Werkstoffler gestalten, dann heißt es Werkstück oder aber speziell für die HLT/MST dann heißt es Wafer. Beides zusammen in einem Artikel verwirrt nur.(Vorstehender nicht signierter Beitrag stammt von 134.102.186.80 (Diskussion • Beiträge) 08:37, 15. Aug 2006)
:Dann bin ich eher für den Begriff "Substrat" das ist neutraler --Cepheiden 12:58, 15. Aug 2006 (CEST)
thread_title:  Wafer oder Werkstücke? 

message: Ich bin der Meinung das die Reaktionsenergie durch das eingekoppelte Plasma nicht veringert wird, sondern das die Energie, die für die Reaktion notwendig ist, bloß auf einem anderen Wegen in die Kammer gebracht wird... (nicht signierter Beitrag von 217.10.60.85 (Diskussion | Beiträge) 13:50, 8. Jan. 2007 (CET)
thread_title:  Reaktionsenergie durch Plasma veringern? 

message: Ich denke das Verfahrensprinzip sollte am besten anhand eines Bildes, wie es beispielsweise hier zu finden ist, erklärt werden...bei Gelegenheit werde ich mal eins erstellen. Die jetzige Form, die fast eine Liste ist aber irgendwie doch aus ganzen Sätzen besteht finde ich sehr unansehnlich und unübersichtlich (Fachlich aber völlig in Ordnung...)  --R0oland 07:58, 23. Apr. 2010 (CEST)
replies: text: Ja, hatte nur bissher keien Zeit usw. das zu erledigen. Auch eien Artikelüberarbeitung wäre schön, aber es muss sich halt jemand finden. --Cepheiden 09:31, 23. Apr. 2010 (CEST)

text: Ich habe mal eine Grafik erstellt und eingefügt. --Cepheiden 12:47, 25. Apr. 2010 (CEST)
thread_title:  Verfahrensprinzip