Diskussion:Feldeffekttransistor/Archiv

message: Das Bild des JFETs im Artikel ist ein Witz - so etwas ist praktisch kaum realisierbar. 
--Qdr 01:54, 9. Aug 2004 (CEST)
replies: text: praktisch wirds so nicht gemacht, da der effekt mit halbleiterschichten erzielt wird. das bild sollte auch nur ein modell zwecks einfachen verständnisses sein, aber ich kann mir das bild ja nochmal vornehmen. --Pythagoras1 13:44, 10. Aug 2004 (CEST)
replies: text:  Also so wie es momentan ist verwirrt es eher als dass es nutzt. Ich habe es deshalb mal entfernt. --Jdiemer 19:02, 16. Feb 2005 (CET)

text: Kann mich meinen Vorrednern nur anschließen, man sollte wenigstens darstellen, dass der Kanal in der Nähe vom Drain enger ist als an der Source. --DB1BMN 22:16, 11. Okt 2005 (CEST)
thread_title:  Bild des JFETs 

message: Die Liste der Vor- und Nachteile ggü Bipolaren ist doch eher schwach und erklärt nichts. -- Smial 13:26, 26. Apr 2006 (CEST)
replies: text: Warum stimmt das mit der geringeren Verlustleistung von Feldeffekttransistoren gegenüber Bipolartransitoren nicht (spezielle Bauformen ausgenommen)? --Cepheiden  15:16, 26. Apr. 2006 (CEST)
replies: text:  weil das nur für spezielle Anwendungen gilt, z.B. Schaltbetrieb an vergleichsweise kleinen Spannungen mit hohen Strömen (Automotive, Schaltnetzteile aka Onboardregler). Bei analogen Anwendungen hängt die Verlustleistung von der Anwendung und kaum vom Transistortyp ab. Bei sehr hohen Spannungen und hohen Strömen haben bipolare bzw. insbesondere IGBTs gegenüber FETs wieder Vorteile bei den Verlusten. Folglich ist der Satz "FETS haben geringere Verlustleistungen als Bipolare" in dieser Schlichtheit einfach falsch. -- Smial 15:58, 26. Apr 2006 (CEST)

text:  Wenn alle Mischformen und verschiedenste Anwendungsformen betrachtet werden sollen, dann kann man das mit Vor- und Nachteilen gleich ganz streichen. Immerhin wurden viele (u. a. IGBTs) für spezielle Anwendungsfälle entwickelt um so bestimmte Nachteile zu kompensieren. Hier sollten aber wirklich nur die Grundtransistortypen (Bipolar, FET (MOSFET, JFET)) behandelt werden. Selbst wenn man da analog und digital betrachtet ist das schon ein ganzer Artikel. Es sollte ausreichen den statischen und den dynamischen Betriebsfall zu betrachten. --Cepheiden 16:20, 26. Apr 2006 (CEST)
replies: text: Gerade mal bei einem  Hochvolt FET nachgeschaut (IRHM7460): Rds(on) 0.32 Ohm, Id(max) 18A gibt knapp 6V Uds, entsprechende Darlingtons kommen auf etwa 3V runter, ein NTE2317, auch für 500V hat Uce(sat) typisch 1.09V bei Ic=8A. Ich halte das nicht für einen speziellen Anwendungsfall. Analoge Anwendungen (bei denen die genannten Werte irrelevant sind) sind auch nicht speziell. Entweder man schreibt es richtig auf oder man läßt es besser weg. -- Smial 16:24, 26. Apr 2006 (CEST)

text:  Das Bild "Grundtypen von Feldeffekttransistoren" ist falsch!! Die Pfeile bei allen p - Kanal FETs sind verkehrt gezeichnet
MfG
(nicht signierter Beitrag von 149.205.103.4 (Diskussion | Beiträge) 05:32, 27. Jun. 2006 (CEST)
thread_title:  Überarbeiten 

message: Hi Cepheiden. Du schriebst soeben den Abschnitt zur Funktionsweise des JFET mit einem Verweis auf Inversion. Kommt es denn beim JFET wirklich zur Inversion? Theoretisch ist das sicher möglich, kommt es denn in der Praxis dazu, so dass sich eine Erwähnung anbietet? Im Artikel zum JFET finde ich leider nix dazu. Grüße, norro 23:57, 1. Mai 2006 (CEST)
replies: text: Da war ich wohl etwas vorschnell. Es nur eine Verarmung. Inversion wird eigentlich nie erreicht. ich behab das mal. --Cepheiden 12:09, 2. Mai 2006 (CEST)
thread_title:  Inversion beim JFET 

message: :: Das Bild "Grundtypen von Feldeffekttransistoren" ist falsch!! Die Pfeile bei allen p - Kanal FETs sind verkehrt gezeichnet (nicht signierter Beitrag von 149.205.103.4 (Diskussion | Beiträge) 05:34, 27. Jun. 2006 (CEST)
replies: text: nein--Ot 06:14, 27. Jun 2006 (CEST)
replies: text:  Das liegt evtl. daran, dass es n-Kanal-MOSFETs sind und nicht p-Kanal! Allerdings wird das weder durch den Dateinamen noch im Bild deutlich. Ist aber eigentlich egal, da es nicht verwendet wird und auch weil es für die Erklärung der Schaltungsvarianten unerheblich ist ob p-Kanal oder n-Kanal. gruß --Cepheiden 11:11, 27. Jun 2006 (CEST)
replies: text: Mhh hatte mich wohl auf ein anderes Bild bezogen. Die Übersicht im Artikel ist aber trotzdem richtig (wenn auch nciht unbedingt schön) --Cepheiden 13:05, 27. Jun 2006 (CEST)
thread_title:  Bild "Grundtypen von Feldeffekttransistoren" 

message: da ich nicht weiß wie ein Bipolartransistor funktioniert hat mir die Beschreibung der Funktionsweise nicht gut gefallen. Um mal kurz zu schauen was ein FET ist, hilft dies wenig. Empfehle Überarbeitung. Danke. --Hironimus76 08:32, 7. Feb. 2007 (CET)
replies: text: Das sind zwei komplett unterschiedliche Bauelemente. Um eines davon zu verstehen, benötigt man kein Verständnis für das andere Bauelement. Aber ich geb zu besonders gelungen ist die FET-Erklärung nicht, auch wenn man für das Verständnis nochmals zwischen MISFET und JFET unterscheiden muss. --Cepheiden 20:28, 7. Feb. 2007 (CET)
thread_title:  Funktionsweise 

message: Hallo!
Vielleicht wäre das ja mal ein Modell für einen FET.
Nicht perfekt, aber man sieht wenigstens was.
Sie soll das Grundprinzip eines Feldeffekttransistors zeigen.
Die Gatespannung (Hier ein Wasserdruck) drückt auf einen Kolben, der einen
Gummiball zusammendrückt. Je mehr er zusammengedrückt ist, desto mehr Wasser
fließt an ihm vorbei.
Schreibt mir eure Kommentare und Anregungen!
Danke schonmal! :-) Quark48 22:16, 16. Mär. 2008 (CET)
thread_title:  Animation 

message: So, da hier gerade schon so viel passiert, macht es wahrscheinlich Sinn, den Artikel generell etwas aufzumöbeln. Ich habe mir dazu auch etwas Literatur verschafft. Dort finde ich die Unterteilung von FETs in IGFETs und NIGFETs, die mir Sinn zu machen scheint (habe die Artikel deswegen vorhin angelegt). Grundsätzlich würde ich das deswegen gerne auch in diesem Artikel so handhaben, wundere mich allerdings darüber, dass bisher weder in diesem Artikel noch im Artikel Transistoren derart unterschieden wird (im Artikel zu Transistoren wird zwischen bipolaren und unipolaren unterschieden und ansonsten nur aufgezählt). Spricht irgendetwas gegen diese Unterteilung? Gibt es evtl. weitere Gruppen von FETs, die sich nicht dort hineinsortieren lassen? Gruß, norro 23:40, 11. Mai 2006 (CEST)
replies: text: Das sind im Grunde nur Synonyme. IGFET wird auch als MISFET (Metal insulator semiconductor fet) bezeichnet. Und NIGFET fasst halt JFETs uns MeSFETs zusammen. Ist also maximal eine alternative Einordnung, aber halt nur Synonyme. Weitere reine FETs sind mir nicht bekannt. Meist sind das spezielle Bau- oder Mischformen, wie der VMOS oder der bipolar-IGFET. --Cepheiden 00:00, 12. Mai 2006 (CEST)

text: Achso, die Grundlegende Unterteilung wie sie jetzt in den Artikeln vorhanden ist, ist so wie es sein sollte. Sicher kann man noch die verschiedenen Varianten aufzählen (MISFET, MOSFET, MNOSFET, MASFET, VMOSFET, OFET, MESFET, JFET, TFT, CHEMFET und und und) und beschreiben, das ändert aber nichts an der grundlegenden Einteilung nach dem Funktionsprinzip. NIGFET wird meiner meinung eh selten genutzt als Begriff. --Cepheiden 00:21, 12. Mai 2006 (CEST)
replies: text: Du schreibst, die Unterteilung in IGFET und NIGFET sei eine alternative Einleitung. Aber alternativ wozu? Im Moment sind hier lediglich zwei Beispiele genannt. Gruß, norro 22:22, 12. Mai 2006 (CEST)
replies: text:  IGFET = MISFET und NIGFET = JEFT und MESFET. Ganz einfach --Cepheiden 00:49, 13. Mai 2006 (CEST)

text: Ich denke, in dem Artikel wäre folgende Unterscheidung sinnvoll: Primär unterschieden zwischen IGFET (MISFET und TFT) und NIGFET (JFET und MeSFET). Innerhalb dieser Abschnitte wäre dann evtl. je nach Umfang des Gesamtartikels noch kurz auf die dortigen Unterschiede (MISFET/TFT bzw. JFET/MeSFET) einzugehen. Das würde sich weitestgehend mit der Unterteilung in der mir vorliegenden Literatur (siehe Literaturverzeichnis dieses Artikels) decken. Da dies die deutsche Wikipedia ist, überlege ich, ob es sinnvoll sein könnte, die Abschnitte mit "Sperrschicht-FET"/SFET und "Isolierschicht-FET" zu überschreiben. Dafür spräche die Verwendung der hiesigen Sprache, dagegen spräche, dass die englischen Begriffe/Abkürzungen (vor Allem IGFET statt "Isolierschicht-FET") mir bislang deutlich häufiger begegnet sind und daher meines Erachtens die verbreiteteren sind. Was meinst Du? Die bisherige Unterscheidung in JFET und MOSFET ist jedenfalls nicht besonders sinnhaft, da es lediglich Spezialfälle (zugegebermaßen die verbreiteten) sind, und somit auch MeSFET, TFT u. Ä. eigene Abschnitte bekommen müssten (was sicherlich besser in die jeweiligen Artikel zu SFET/NIGFET und IGFET/MISFET) gehört. norro 21:14, 21. Mai 2006 (CEST)
replies: text: Ein Fehler hat diese Einteilung, die im Prinzip im Artikel ja schon besteht. Auch JFET und MeSFET können in TFT Bauweise hergestellt werden bze werden auch so hergestellt. die Abgrenzung ist also mehr als ungünstig, sie ist falsch --Cepheiden 09:31, 22. Mai 2006 (CEST)

text: Ja, das wäre nicht schlecht. Aber die Wikipedia ist nunmal kein Lehrbuch sondern eine Enzyklopädie. --Cepheiden 23:07, 2. Apr. 2009 (CEST)
thread_title:  Aufmöbeln 

message: Es fehlen die wichtigsten Anwenungsgebiete von FET in der Digtaltechnik. In Prozessoren und ICs werden ausschließlich FETs verwendet. Dort ist nicht die Verstärkung oder das Rauschverhalten, sonder das Schaltverhalten des FETs interessant und dabei vor allem, dass ein FET fast leistungslos geschalten werden kann!! (nicht signierter Beitrag von Jdanmayr (Diskussion | Beiträge) 22:02, 8. Jun. 2007 (CEST)
replies: text: Diese Anwendungen machen auch klar, dass die Aussage, FETs würden mehr Platz verbrauchen als Bipolartransitoren, nicht zutrifft. So ein Pentium oder Athlon würde - in Bipolartechnik realisiert - schwerlich auf ein ATX-Motherboard passen und natürlich eher mit 4MHz als mit 4GHz arbeiten. Über die Leistungsaufnahme und zu installierende Kühlleistung will ich gar nicht nachdenken. 217.95.132.211 23:02, 2. Apr. 2009 (CEST)
thread_title:  FET-Anwendung 

message: Hallo, der Abschnitt Dynamische Grenzdaten ist derart ohne Bezug zum Text und Elektrotechnikgrundlagen, dass ich stark dazu neige ihn komplett zu entfernen. Gibt es da irgendwelche Gegenargumente? --Cepheiden 15:50, 5. Mär. 2009 (CET)
replies: text: Nein. Der Inhalt macht zur Zeit keinen Sinn. Gruss, -- Schwijker 15:58, 5. Mär. 2009 (CET)

text: Bitte entferne ihn. Elektrotechnik steckt drin, allerdings gelten diese Gleichungen für JEDEN BELIEBIGEN Vierpol! --curryhorn 9.05, 27. Apr. 2009 (CET) (falsch signierter Beitrag von 79.207.187.60 (Diskussion | Beiträge) 09:05, 27. Apr. 2009 (CEST)
replies: text:  Hab das jetzt mal kurzerhand gelöscht. --Cepheiden 09:18, 27. Apr. 2009 (CEST)
thread_title:  Dynamische Grenzdaten 

message: Das "Kurzinfo: Mos-FET" war zwar ein ganz gutes kurzes Info, aber etwas fehl am Platz, darum habe ich es leicht überarbeitet als Einleitung für den Artikel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor benutzt, und hier gelöscht. --Supaari bla!bla! 11:39, 19. Dez 2005 (CET)
thread_title:  Kurzinfo: Mos-FET 

message: Falls noch benötigt. --Gruß Crux 14:10, 27. Mai 2006 (CEST)
thread_title:  Verwaistes Bild 

message: Hallo,
ich bin selbst nur Laie und möchte daher an dieser Stelle keine Veränderung selber vornehmen; ich würde mich aber über eine Verdeutlichung freuen:
Im Text steht:
"Neben den abgebildeten Symbolen sind auch noch weitere üblich. Insbesondere im englischen Sprachraum werden die MOSFET-Typen durch einen Pfeil auf dem Source-Anschluss gekennzeichnet.[7] Hier deutet der Pfeil die technische Stromrichtung ..."
Direkt daneben dann ein Bild, wo nicht die im englischen Sprachraum benutzten Symbole sondern die bei uns üblichen gezeigt werden, wo natürlich ganz andere Pfeile dran sind. Zumindestens mich hat das für etliche Minuten erheblich irritiert und ich mußte mich erstmal wieder über (technische) Stromrichtunge etc. informieren um dann zu bemerken, daß eben Text und Bild nicht zueinander passen.
Wenn also an dieser Stelle auch eine Erklärung für die bei uns üblichen Pfeile stehen würde, dann wäre das hilfreich, IMHO.
--Stm999999999 (Diskussion) 21:16, 10. Dez. 2012 (CET)
replies: text: Hallo, ja das sind die Symbole für FETs mit Bulk/Body-Beschaltung. --Cepheiden (Diskussion) 13:09, 14. Dez. 2012 (CET)

text: Ich habe den Abschnitt mal überarbeitet. --Cepheiden (Diskussion) 14:34, 14. Dez. 2012 (CET)
thread_title:  Verwirrung bei "Typen und Schaltsymbole" 

message: Kann jemand einen Bereich angeben (von - bis, in Hertz), um diesen Umstand zu verdeutlichen? Unter niedrigen Frequenzen kann man 10 Hz oder 1000 000 Hz verstehen, je nach Berufsfeld.
ZItat:
Der entscheidende schaltungstechnische Unterschied zum bipolaren Transistor besteht in der bei niedrigen Frequenzen praktisch leistungslosen Ansteuerung des FET, es wird lediglich eine Steuerspannung benötigt. (nicht signierter Beitrag von Suppenkasper9 (Diskussion | Beiträge) 18:55, 26. Okt. 2015 (CET)
replies: text: Ich glaube die Aussage ist sehr allgemein gehalten und lässt sich schwer mit Frequenzen eingrenzen. Gemeint sind wohl wenige Hertz, aber bis wohin das näherungsweise gilt ist und beleibt unklar. --Cepheiden (Diskussion) 21:20, 26. Okt. 2015 (CET)
thread_title:  Niedrige Frequenz