Diskussion:Memristor

message: http://technology.newscientist.com/article/dn13812-engineers-find-missing-link-of-electronics.html --JoBa2282 Red mit mir 10:33, 7. Nov. 2008 (CET)
thread_title:  Weblink 

message: Trotz guten Physik-Grundkurses und dreimaligen Lesens des Artikels weiss ich immer noch nicht, was das Ding _tut_. Eine Erklärung auch ohne Integrale wäre nett. --Anon --JoBa2282 Red mit mir 10:33, 7. Nov. 2008 (CET)
replies: text: Ich, als Laie, verstand Mr. Leon Chua so, dass der aktuelle Widerstand dieses Bauelements davon abhängig ist, wieviel Elektronen zuvor in welche Richtung durchgeflutscht sind (ähnlich einer Tür: wenn sie in die 'richtige' Richtung durchflutschten, ging sie weiter auf - wenn sie in die 'falsche' Richtung durchflutschten, ging sie weiter zu). -- Kyber 12:19, 14. Jul. 2008 (CEST)
replies: text: "Der aktuelle Widerstand dieses Bauelements ist davon abhängig ist, wieviele Ladungen, in welche Richtung geflossen sind." Ich habe mir mal getraut deine Satz umzubauen und gleich in den ersten Absatz zustecken. Finde die Erklärung super! Das Beispiel mit der finde ich noch nicht so ganz enzyklopädietauglich.-- 92.228.245.221 23:39, 15. Okt. 2010 (CEST)

text: @Europafan
Memristoren sind keine Halbleiter Datenspeicher.
Sie sind Halbleiter Bauteile die als Speicher verwendet werden können was jedoch sehr unwahrscheinlich ist weil sie mit Zeit ihren Zustand ändert dies könnte eben nicht in Festplatten verwendet werden aber vlt in Datenspeichern verwendet werden die nur kurzzeitige Datenspeicherung benötigen wie RAM oder Cache aber durch sowohl Preis als auch übermäßiger Komplexität würde sich mir auch bei diesen Verwendungen kein sinnvoller Anwendungsbereich einfallen.
Ich würde auch gerne die Quellen zu dieser Aussage sehen. Jer.re10542ce (Diskussion) 11:05, 11. Jan. 2022 (CET)
thread_title:  Fehlende Erklärung für Laien 

message: Im Artikel heißt es: "Diese Integration verläuft in der praktischen Realisierung allerdings nicht exakt linear, sehr wohl aber monoton steigend." Was bedeutet das? Heißt das, in der Praxis ist die Formel falsch, oder heißt das nur, dass es (bisher?) keine reinen Memristoren gibt. Ich könnte mir zum Beispiel vorstellen, dass die Vorhanden Bauteile immer Mischungen aus Widerstand, Induktion, Kapazität und Memristor sind und sich die Effekte überlagern. Oder gibt es einfach keinen exakten Zusammenhang und es gibt nur falls U_1>=U_2 für alle t<t_0, dass dann auch \Phi_1(t_0)>=\Phi_2(t_0). Oder bezieht sich das mit der Monotonie gar nicht auf das Integral als Abbildung von einem Funktionenraum nach C? Ist vielleicht eher gemeint, dass es ein positive, messbare Funktion \psi gibt, so dass \Phi(t)=\int_{-\infty }^tU(s) \psi (s)\dd s? Weiß jemand etwas mit dem Satz anzufangen? -- JanCK 15:17, 3. Mai 2008 (CEST)
replies: text: Das Problem ist, dass der Memristor in der Praxis mit endlicher Größe gebaut wird. Daher kann nicht unbegrenzt linear integriert werden. Es fehlt in der Formel eine Korrekturfunktion. Wie diese aussieht ist mir nicht klar, weshalb ich diesen Satz formuliert habe. — MovGP0 18:45, 3. Mai 2008 (CEST)
replies: text:  Ich finde die Formulierung "nicht unbegrenzt linear integrieren" verwirrend. Ich finde sie verleitet dazu anzunehmen, dass das was nicht funktioniert die lineare Abbildung ist, die durch das Integral definiert wird. Aber das ist ja gerade nicht das was Du meinst, .. oder etwa doch? Das Integral definiert ja eine lineare Abbildung von L^1 \mapsto \mathbb{R}. Dies ist aber nicht das was hier in erster Linie bezweifelt wird. Hier soll doch gesagt werden, dass bei Variation der Oberen Grenze nicht mehr unbedingt der Hauptsatz der Integralrechnung Anwendung findet, weil ggfs. die "Stammfunktion" von "U" nicht wirklich eine Stammfunktion ist, sondern nach oben beschränkt seien muss. -- JanCK 13:18, 4. Mai 2008 (CEST)
replies: text: Ja. Die Funktion muss bei realen Bauteilen gewisse Grenzen haben. Der Widerstand kann z.B. weder ∞ noch 0 sein. Und auch die Zahl der Ladungsträger ist sowohl begrenzt, als auch gequantelt. Das theoretische Modell sieht das allerdings nicht vor. Leider wird es wohl schwer sein an reale Kennlinien zu gelangen. — MovGP0 00:19, 10. Mai 2008 (CEST)
thread_title:  Frage bzgl. eine Formulierung 

message: Hallo Leute,
ich bin der Meinung, dass es in der Tabelle nicht R=\frac{dU}{dI} heißen muss, sondern R=\frac{U}{I}. Die erstere Variante ist nämlich die Definition des Kleinsignalwiderstandes, während mein Vorschlag die Definition des ohmschen Widerstandes ist. Dies gilt dann anolog auch für die anderen 3 Felder der Tabelle. 
Außerdem denke ich, dass die Überschrift des oberen linken Feldes "reziproke Kapazität" und nicht "Konduktivität" heißen muss, wobei ich mir da nicht ganz sicher bin, denn das Wort "Konduktivität" hab ich noch nie gehört. Ich kenne nur "Konduktanz", was dem Leitwert entspräche und hier völlig verkehrt wäre...
Gruß Alex
--141.30.212.155 10:15, 25. Jun. 2008 (CEST)
replies: text: Die reziproke Kapazität hat den Namen Elastanz. Siehe: Elastanz --86.59.9.45 18:56, 11. Dez. 2022 (CET)

text: Nee, das ist schon korrekt, dass man bei genauerem Hinschauen erstmal (sozusagen "vorsichtiger") die Differentiale verwendet. Das ist vor allem dann besser, wenn man eben nicht einfach eine lineare/proportionale Kennlinie vorliegen hat wie bei einem simplen Widerstand, sondern sowas exotisches wie diesen Memristor, der bestimmt nicht eine simple gerade Kennlinie hat. Ich kenne ehrlich gesagt auch keine konkrete Darstellung der Kennlinie, aber mit der Schreibweise mit den Differentialen bewegt man sich eben gerade für solche Fälle auf der sichereren Seite. --PeterFrankfurt 02:34, 14. Apr. 2010 (CEST)
thread_title:  Fehler in der Tabelle? 

message: Hallo!
Gibt es/Hat jemand entsprechende Kennlinien für einen Memristor? Das würde die Verständlichkeit des Artikels erheblich verbessern...
Gruß--JoBa2282 Red mit mir 10:26, 7. Nov. 2008 (CET)
thread_title:  Kennlinien 

message: Kann denn niemand ein Zeit-Diagramm und Lade-/-Entladekurve hochladen damit man sich darunter mehr vorstellen kann? --78.43.181.98 07:22, 8. Aug. 2009 (CEST)
thread_title:  Funktionsgraphen zeigen mehr als Tausend Worte 

message: ich habe den besagten Abschnitt auskommentiert und stelle dies hier zur Debatte.
Er enthielt 
*Aussagen von Insidern, die sich oder sich gegenseitig loben und das in Form journalistischer Prosa
*2 Zitate vom erfindenden HP-Ingenieur sind definitiv zu viel
*es war derart dick aufgetragen, wie es der Sache bisher nicht angemessen ist
Vielleicht fndet sich ja noch ein unabhängiger Kommenta(to)r von Rang...--Ulfbastel 20:21, 19. Nov. 2010 (CET)
replies: text: Habe jene Kommentare entfernt. Das Thema Memristor ist ziemlich stark durch abgehobene Visionen, "Selbstbeweihräucherung" und diverse Arten von "Lobhudelei" gekennzeichnet. Gleichzeitig sind aber die Wunderdinger offensichtlich real gar nicht vorhanden/verfügbar, was schon reichlich kurios wirkt. Aktuelle Form von Des Kaisers neue Kleider? Wenngleich es komisch ist, dass sich dieser bekannte Effekt bei solch eher nüchternen (Rand)themen ausbreitet. Ist das nur Folge der Drittmittelwerbung von einigen US-Eliteunis/Labors zum finden/halten von Kreditgebern?--wdwd 12:05, 26. Dez. 2010 (CET)
thread_title:  Abschnitt Kommentare auskommentiert 

message: Bitte darum mögliche (hypothetische) Anwendungen von realen, tatsächlichen Anwendungen zu unterscheiden bzw. klar begrifflich zu trennen. Man korrigiere mich bitte, aber offensichtlich sind Memristoren abseits einiger weniger "Prototypen" aus diversen Labors und Universitäten, die diese selbst herstellen und noch auf sehr einfachen Niveau verschiedene Grundlagenversuche damit anstellen, noch nicht am Markt verfügbar. Memristoren werden, da schlicht nicht vorhanden, auch nicht in elektronischen Geräten eingesetzt. Somit sind alle Aussagen wie "Ablöse von herkömmlichen Transistoren", "Ersatz von DRAM-Speichern", bis hin zu "neuronalen Netzen" etc pp. Wunschdenken und Glaskugelei. (vielleicht können die Memristoren der Zukunft auch guten Kaffee kochen? scnr, ;-) .--wdwd 11:36, 26. Dez. 2010 (CET)
replies: text: Das siehst Du wohl richtig. --PeterFrankfurt 18:21, 28. Dez. 2010 (CET)

text: Die Ziele ernsthaft arbeitender Forschergruppen sind kein "Wunschdenken und Glaskugelei", auch wenn der Weg noch weit und der Erfolg nicht sicher ist. Aber natürlich darf das im Text nicht so aussehen, als ob man es schon kaufen kann. Im Übrigen würden Memristor-Speicher wahrscheinlich zuerst mit Permanentspeichern wie EEPROMs konkurrieren, nicht vorrangig mit DRAMs. --141.24.214.76 15:46, 5. Jun. 2013 (CEST)

text: Das letztere glaube ich aber nicht so richtig, dass der Widerstand beim Lesen unverändert bleibt: Denn das Prinzip ist ja, dass der Widerstand sich ändert, wenn man Strom durchschickt. Und das muss man beim Lesen doch tun. Also wird der Widerstand doch in eine bestimmte Richtung gesetzt, spätestens, wenn man ihn öfters ausliest, was im Computer ja sehr oft der Fall ist. Und da das alles schon so miniaturisiert ist, kann ich mir gut vorstellen, dass man nicht einen Schwellenstrom angeben kann, ab dem das Schreiben erst losgeht und dass man nur da drunter bleiben müsste, damit nix passiert. Wie gesagt, man stelle sich das millionen Male hintereinander gelesen vor, nicht unrealistisch. --PeterFrankfurt 02:07, 23. Feb. 2012 (CET)
replies: text:  Ohne Stromfluss bleibt der Widerstandswert konstant, mit Stromfluss ändert er sich. Ohne Stromfluss kann man aber den Wert nicht erfahren, deshalb gibt es beim "Lesen" freilich eine Änderung des Wertes. Man kann aber das "Lesen" so konstruieren, dass die Änderung kompensiert wird. Zum Beispiel indem man einen Wechselstrom verwendet oder zwei gleichgroße Impulse unterschiedlicher Polarität. --141.24.214.76 13:28, 5. Jun. 2013 (CEST)
thread_title:  Anwendungen von Memristoren 

message: Im Juli 2012 wurde Kritik laut, dass das physikalische Konzept für sogenannte „memristive Systeme“
 im Widerspruch zu dem Landauer-Prinzip, einem grundsätzlichen Prinzip der Informationsverarbeitung,
 stehen könnte.[6]
Erm, kann mir das jemand mal genauer erklären? memresistoren gibt es doch soweit ich verstanden habe und sind nicht nur ein hypothetisches bauteil. wie kann dann diese kritik an den memresistoren angebracht werden, müsste nicht eher das landauer prinzip kritisiert werden? 212.90.151.90 14:56, 8. Aug. 2013 (CEST)
replies: text: Weder noch. Die Bauteile haben zunächst mal nur die Eigenschaft ihren Widerstand durch eine andere elektrische Größe wie Ladung zu verändern. Nutzbar wäre dies in Informationsspeichern. Diese resistiven Schalter wurden schon in den 1960iger Jahren vorgestellt, HP hat also nicht den Memristor "erfunden" sondern nur diese bekannten Bauteile mit einer bislang kaum beachteten Theorie verkünpft. Sehr fraglich ist, ob diese Bauteile sich durch die Memristor Theorie beschreiben lassen oder ob der Memristor Hype nur ein Marketing Gag von HP ist. Wenn man weiss wie HP zum Memristor kam wird letzteres wahrscheinlicher (vom Molekül http://dx.doi.org/10.1109/ISCAS.2000.857011 zum Memrisitor: http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl034795u). Das stellt allerdings weder die Arbeiten von L. Chua in den 1960igern in Frage noch die Forschungsergebnisse von HP und hunderten anderen Gruppen auf der Welt --Wwdf (Diskussion) 02:38, 19. Aug. 2013 (CEST)

text: erm, aber die dinger existieren doch, oder nicht? ... oder reden wir hier von mehreren verschiedenen typen von memristoren? 212.90.151.90 14:05, 25. Nov. 2014 (CET)
thread_title:  Landauer-Prinzip 

message: Der gesamte Artikel bedarf einer grundlegenden Überarbeitung. Das resistive Schalten in oxydischen Dünnschichten wird durch die Memristortheorie nur unzureichend beschrieben (vgl. P. Meuffels und R. Soni) und sollte aus diesem Grunde in einem getrennten Artikel behandelt werden (Stichwort ReRAM). 
Besonders deutlich wird das Versagen des Models in dem Paper von I. Valov "Nanobatteries in redox-based resistive switches require extension of memristor theory", erschienen in nature communications:
"Our results strongly suggest that in all bipolar ReRAM devices a nanobattery with dedicated emf voltages is present. This fact has far-reaching consequences on the application of the theory of memristive elements and on the device modelling in general. (...) In fact, any electrochemical system is active by nature, thus two-terminal nanoionic-resistive switches cannot be pure passive memristors."
Ferner gehören Titanoxid basierte ReRAM-Zellen - in der von HP gezeigten Konfiguration - zu den am unzuverlässigsten funktionierenden Zellen bezogen auf die Endurance. Viel erfolgversprechendere Materialien wie TaOx oder HfOx werden in dem Artikel nicht genannt. 
Im Bereich "Hypothetische Anwendung" wird damit geworben das HP in den 15 nm-Bereich vorgestoßen sei und die Grenze der herkömmlichen Fotolithografie mit 16 nm angegeben ist. Die Grenzen der Lithografie sind an dieser Stelle unerheblich und sollten an anderer Stelle diskutiert werden.
Vielmehr muss hier die inhärente Grenze genannt werden bis zu der ein Schalteffekt noch messbar ist. Beispielsweise wird in "Switching the electrical resistance of individual dislocations in single-crystalline SrTiO3." Nature Mater. 5, 312–320 (2006) die Grenze mit ungefähr 1 nm bis 2 nm angegeben.
Im selben Bereich wird die Speicherdichte des von HP hergestellten Speichers mit 100 Gibit/cm2 angegeben. Dabei wird die Problematik des sneak path unterschlagen der im passiven Memory-Array auftritt und zu einer Reduzierung der effektiven Speicherdichte führt. (nicht signierter Beitrag von 134.94.161.1 (Diskussion) 11:47, 9. Nov. 2014 (CET)
replies: text: Dieser Themenbereich ist (leider) PR-belastet - wieso auch immer. Wäre zu überlegen, den Abschnitt "Hypothetische Anwendung" ganz raus zu nehmen - denn entweder gibt es Memristoren in diesen Anwendungsfeldern, dann als Fakten erwähnen. Hingegen Phantasien, Vermutungen und PR-Meldungen sind wenig sinnvolle Glaskugelei. Wie auch immer, wenn Du den Artikel abseits davon verbessern willst, bitte WP:SM als Motto nehmen.--wdwd (Diskussion) 19:43, 12. Okt. 2015 (CEST)
thread_title:  Titandioxid basierte ReRAM gleich Memristor? 

message: Ich denke in der Abbildung "Einordnung des Memristors in die elektrischen Grundgrößen" sollte es nicht dΦ=L*dt sondern dΦ =L*di lauten. (nicht signierter Beitrag von 132.230.122.35 (Diskussion) 17:19, 14. Sep. 2016 (CEST)
replies: text: Ja, das ist ein Fehler. Habe Text in Bild korrigiert --Gd~dewiki (Diskussion) 22:03, 7. Nov. 2016 (CET)
thread_title:  Fehler in Abbildung "Einordnung des Memristors in die elektrischen Grundgrößen" 

message: Einleitung: Es wurde jedoch gezeigt, dass es nur drei fundamentale passive Bauelemente geben kann und der Memristor ein aktives Bauelement ist.
Abschnitt "Funktionsgleichung": "Da es sich beim Memristor um ein passives Bauelement handelt, [...]"
--83.64.20.10 14:39, 6. Okt. 2020 (CEST)
replies: text: Gibt es dazu Belege?
Meines Wissens nach ist der Memristor durch die Eigenschaftn selbständig zu tun was es tut und kein Steuersignal zu haben eigentlich sehr wohl ein Passives Bauelement. 
Außerdem sind die Eigenschaften passiver Bauteile zu als abgeschwächte Komponente in jedem Leiter zu finden und Memristivität ist glaube ich in jedem Leiter existent. 
Und warum steht da Einleitung und dann das bekannte Text hier abgekürzt Symbol und dann nichts mehr als hätte man den Text einfach irgendwo aus einer Textbox hinauskopiert.
Jer.re10542ce (Diskussion) 10:50, 11. Jan. 2022 (CET)
thread_title:  Widerspruch aktiv/passiv