Diskussion:Technologieknoten

message: "Mit kleiner werdenden Strukturen wurde es notwendig, bessere Definitionen der Technologieknoten mit einer bestimmten Zielgröße für den Skalierungsfaktor zu finden."
Man fragt sich unweigerlich,warum kleiner werdende Strukturen eine bessere Definition mit bestimmter Zielgröße notwendig machten. Wirklich notwendig oder nur vorteilhaft? Wenn es jemand weiß, wäre hier eine Erläuterung sehr hilfreich. (nicht signierter Beitrag von 78.54.109.215 (Diskussion) 06:28, 16. Aug. 2011 (CEST)
replies: text: Weil die Fertigungsqualität sinken würde, wenn bei kleinere Dimension die Fertigungstoleranz gleichbleibt. Vereinfacht: Wenn bei einer alten Technolgie noch Toleranzen für die Gatelänge von +/-20 nm erlaubt waren, wären das bei halbwegsmodernen Technolgieknoten 50% oder mehr von der Zielgröße. Das würde zu kompletten Ausbeuteverlust führen, da diese Schaltungsdesigns in der Regel nicht mit solchen Variationen klar kommen und wenn, sind sie sicher nicht mehr leistungsstärker. --Cepheiden (Diskussion) 12:55, 13. Nov. 2022 (CET)
thread_title:  kleiner werdende Strukturen 

message: Es wäre auch interessant andere wichtige Prozessoren wie den  | MOS 6502 / | MOS 6510 aus dem C64 oder | 68000er aus dem Amiga / Atari ST aufzuführen. 
: Hallo, Ideen und Vorschläge sind willkommen. Die Vertreten in der aktuellen Liste sind in der Regel die ersten Prozessoren des jeweiligen Technologieknoten oder zeichnen sich bei der verwendeten Herstellungstechnik durch eine Besonderheit aus. Ist das bei den genannten Prozessoren auch der Fall? --Cepheiden (Diskussion) 22:02, 23. Apr. 2020 (CEST)
thread_title:  Andere wichtige Prozessoren 

message: In dem Abschnitt ist die Sprache mal Vergangenheit mal Gegenwart. Sehr uneinheitlich. --217.240.81.105 22:44, 27. Aug. 2021 (CEST)
thread_title:  Nähere Einzelheiten - Sprache 

message: Es ist ein alter Hut: Je kleiner ein Leiterquerschnitt ist, desto niedriger der (zerstörungsfrei) maximal mögliche Stromfluß durch diesen Leiter. Wie korrelieren nun hier die abnehmenden Strukturgrößen mit der Stromaufnahme, Spannungsfestigkeit und Wärmeentwicklung der in der jeweiligen Knotenklasse gefertigten integrierten Schaltkreisen (Microchips)? Steigt mit abnehmender Struktur die Ausfallwahrscheinlichkeit an? Und wie sieht es mit der durchschnittlichen Lebensdauer (Langzeit-Alterungsbeständigkeit) aus, ändert sie sich oder ist sie bei allen Strukturgrößen gleich? Hier nur eine Liste von über die Jahre hinweg immer kleiner werdenden Abmessungen zu präsentieren, ohne auf die jeweiligen damit verbundenen Eigenschaften einzugehen, ist ein Bißchen dürftig für eine Enzyklopädie. --92.73.161.112 02:04, 19. Feb. 2022 (CET)
thread_title:  Angaben zu grundlegenden Eigenschaften der jeweiligen Strukturgröße fehlen 

message: * Belichtung: 248 nm (FPA-5000ES4, KrF), 193 nm (FPA-5000AS3, ArF), EUV, EUV High-NA
* FET, FinFET, GAA-Fet, Ribbon-FET
* Double-Pattering, Triple-Pattering
* High-Epsilon für FETs
* Low-Epsilon für Verdrahtung
* Verdrahtung (Al, Cu, W)
--2003:C3:6701:EF00:F183:DF35:623F:864A 16:22, 12. Nov. 2022 (CET)
replies: text: Hallo, was genau möchtest du uns mitteilen? --Cepheiden (Diskussion) 11:15, 13. Nov. 2022 (CET)
thread_title:  Eigenschaften Prozesse 

message: In der Tabelle wird, aus bekannten Gründen, zunehmen vom ursprünglichen Ansatz, ITRS-Technolgieknoten zu vergleichen, abgewichen. Um diese Durchmischung wieder etwas aufzulösen, schlage ich vor zwei Spalten zu nutzen: ITRS-Node (soweit über die ITRS definiert) und Prozessname (Herstellerbezogen). Wir sollten aber aufpassen die Tabelle nicht zu überfrachten. Ziel sollte es nicht sein hier einen Prozessvergleich der jeweiligen Hersteller zu machen. Das sprengt zum einen den Rahmen zum anderen wäre dies sehr Lückenhaft für ältere Prozesse (alles größer 32nm) --Cepheiden (Diskussion) 13:01, 13. Nov. 2022 (CET)
thread_title:  Node bzw. Prozessname