Diskussion:Dotierung

message: hallo. ich wäre für eine allgemein verständliche erklärung am ende dieses artikels. wäre sehr nett wenn sich einer die arbeit machen würde. danke :)
(Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von MarsmanRom (Diskussion • Beiträge) 19:43, 9. Dez 2007 (CET)
replies: text: erden. Irgendwie ist es immer das Gleiche bei technisch-naturwissenschaftlichen Themen: die Leute, die sich mit dem Kram wirklich auskennen, sind einfach total schlecht darin, ihr Wissen allgemeinverständlich zu vermitteln. Beziehungsweise haben kein Gespür dafür, welche Art von Informationen sich ein Laie für eine Einordnung des Phänomens in den Kontext des realen Lebens benötigt. Das ist total schade für technisch interessierte, die selbst nicht viel Ahnung von der Sache haben. Anderes Beispiel: Ich habe durchaus fortgeschrittene (Anwender/Endbenutzer-)Kenntnisse im IT Bereich, ich habe ne Vorstellung davon, wie ein Server funktioniert, ich hab früher bissl TurboPascal programmiert (Schülerniveau) und kann sogar Computer zusammenschrauben. Mich interessiert das Thema als Hobby. Aber ich habe im Internet noch KEINE Seite gefunden, die mir verständlich erklären konnte, was eine Turingmaschine ist. ;-) (nicht signierter Beitrag von 92.212.34.243 (Diskussion) 15:38, 13. Mär. 2016 (CET)
replies: text:  Anmerkungen zum Artikel Dotierung nehme ich hier gerne auf und schaue, wie man den Text verbessern kann. Ob Turingmaschine gut oder schlecht ist, kann ich  nicht sagen. Habe den Artikel nicht gelesen. --Cepheiden (Diskussion) 10:48, 2. Nov. 2019 (CET)

text: Was soll darin stehen? Was ist bei "Einbringen (Implantation) von Fremdatomen in eine Schicht oder ins Grundmaterial eines elektronischen Bauteiles" nicht allgemein verständlich? --Cepheiden 12:57, 5. Sep. 2008 (CEST)
replies: text:  "Einbringen" mit der Pinzette oder wie stellt der gemeine Atomist sich das vor? Nirgends wird erklärt, wie die Stoffe zusammengebracht werden --88.130.216.235 09:54, 2. Nov. 2019 (CET)
replies: text:  Das ist richtig, derzeit gibt es nur eine Liste von Techniken auf die verwiesen wird. Das ist natürlich ein Mangel an dem man arbeiten sollte. --Cepheiden (Diskussion) 10:48, 2. Nov. 2019 (CET)

text: Gerechtfertigte Kritik, leider sind diese Hinweise notwendig, damit die "betriebsblinden" auch bei Kurzlemma das Ziel, laientauglich zu schrieben, notwendig. Also Danke für die Anmerkungen. Ich schaue mal. --Cepheiden (Diskussion) 10:48, 2. Nov. 2019 (CET)
thread_title:  leichtere Erklärung? 

message: hi, wie sieht es mit der "Dotierung" von organischen Halbleitern aus? Sollte das hier auch erwähnt werden? --Cepheiden 10:23, 10. Jan 2006 (CET)
thread_title:  "Dotierung" von organischen Halbleitern 

message: Die einleitende Erklärung ist etwas unverständlch, da schon zu viele Einzelheiten angesprochen werden. (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von 217.87.178.19 (Diskussion • Beiträge) 22:37, 18. Mär. 2007 (CET)
thread_title:  Einleitung unverständlich 

message: Wenn die Konzentration der Fremdatome tatsächlich nur 10-10 beträgt, dann würde die heutige Elektronik wohl nicht funktionieren: Silicium hat ein kubisches Kristallgitter mit einer Gitterkonstante von 0,54309 nm. Die Struktur ist das Diamantgitter, bei dem 8 Atome in einer Elementarzelle liegen. Das ergibt ein Volumen von 0,020023 Kubiknanometern pro Atom. 1010 Atome entsprechen demnach einem Würfel mit einer Kantenlänge von 585 Nanometern. Wenn so ein Volumen tatsächlich mit nur einem Fremdatom dotiert würde, wie könnte dann moderne Elektronik mit Strukturgrößen von 65 Nanometern funktionieren? In der englischen Wikipedia ist eine Konzentration von 10-5 bei "low doping" angegeben, das entspricht einem Fremdatom in einem Würfel von 12,6 Nanometern Kantenlänge, bei "high doping" 10-4, entsprechend einem Würfel von 5,85 Nanometern Kantenlänge. Icek 06:36, 10. Jul. 2007 (CEST)
replies: text: Habe es im Artikel jetzt mal auf 10-5 geändert. Icek 06:44, 10. Jul. 2007 (CEST)
replies: text:  Danke für die Korrektur für aktuelle Mikroprozessoren mit den verwendeten kleinen Strukturgrößen liegt dieser Wert besser, allerdings stand das indirekt auch schon drin (siehe Tabelle in Abschnitt p- und n-Dotierung (am Beispiel von Silicium) ). Im englischen Artikel steht übrigens "1 every 100,000,000 atoms" und "1 in 10,000", also 10-8 und 10-5. In einem anderen Artikel wird dies nochmal bestätigt: "Doping concentration for silicon semiconductors may range anywhere from 1013 cm-3 to 1018 cm-3". Ich dneke auch man sollte sich hier nicht auf die Toptechnologie allein beziehen, sondern generelle Angaben machen, d. h., zum einen die Entwicklung der Mikroelektronik mit einbeziehen, aber auch sagen abwelchen Konzentrationen relevante Änderungen in den Materialeigenschaften erreicht werden (die niedrigen Konzentrationen werden im übrigen heute auch noch eingesetzt, wenn auch nicht für Mikroprozessoren). --Cepheiden 09:07, 10. Jul. 2007 (CEST)
replies: text: Hoppla, da hab ich mich verlesen bei 100,000,000 - ich hoffe das 10-5 ca. hinkommt bei heutigen Mikroprozessoren, "1 in 10,000" wäre 10-4. Icek 14:09, 10. Jul. 2007 (CEST)
thread_title:  Konzentration unrealistisch 

message: warum steht in der tabelle neben den verhaeltnissen der donatoren und akzeptoren zu den gitteratomen im silicium noch "Verhältnisse in GaAs", wenn dann keine angaben da drin sind? wartet jemand drauf, dass sie jemand anderes eintraegt? --MarsmanRom 18:43, 9. Dez. 2007 (CET)
replies: text: Da hat wohl niemand recht Informationen zu, müsste man mal recherchieren. Die Informationen die ich hab, wurden vorhin von mir nachgetragen. Die Bereiche und Konzentrationen sollten bei Si und GaAs fast gleich sein. interessanter wären organische Halbleiter, also metrialien mit anderen Leitungsmechanismen. --Cepheiden 14:52, 28. Nov. 2008 (CET)
thread_title:  Verhältnisse in GaAs 

message: Im Artikel heißt es, dass Elektronen und Löcher Strom leiten können. Das ist Unsinn, weil die Bewegung von Löchern oder Elektronen elektrischer Strom ist. Und diese Bewegung können sie nicht leiten, sie führen sie aus. Ich korrigiere das.
--Anjolo (Diskussion) 17:17, 11. Nov. 2015 (CET)
thread_title:  Stromleitung 

message: Dass die Kristallstruktur bei der Dotierung von Halbleitern verändert würde, erscheint mir merkwürdig. Falls das in Randfällen tatsächlich geschehen sollte, gehört das m.E. nicht in die Einleitung, sondern mit Beleg in einen dedizierten Abschnitt weiter unten.
Das einzige im ganzen Artikel, das in die Nähe einer Veränderung der Geometrie gerät, sind die organischen Halbleiter. Dabei handelt es sich um Polymere, die nur in Teilbereichen des Gesamtmaterials kristallin sind, so dass es hier schwierig ist, festzustellen, wie genau sich hier eine Kristallstruktur ändert. --Blauer elephant (Diskussion) 09:46, 28. Apr. 2017 (CEST)
replies: text: Kommt auf die Menge an. Bei sehr hohen Dotierungen können Änderungen der Gitterkonstanten beobachtet werden. Wenn die Dotierung dann in den Prozentbereich geht, es also schon als Legierung behandelt werden kann, sind auch größere Änderungen der Kristallstruktur möglich. Ansonsten könnte man auch die Kristallschädigung bei der Ionenimplantation als Strukturänderung ansehen.  Grundsätzlich hast du aber recht, es ist ein Sekundäreffekt und sollte genauer beschrieben werden. --Cepheiden (Diskussion) 11:29, 2. Nov. 2019 (CET)
thread_title:  Dotierung und Kristallstruktur 

message: Die Erklärung für p-Dotierung ist meiner Meinung nach etwas verwirrend: so wie es aktuell erklärt wird, entsteht das Loch direkt durch Einbringen des dreiwertigen Dotierelements. Aber das stimmt in der Form nicht und wird dann auch im Absatz weiter unten richtig gestellt: der Akzeptor nimmt ein zusätzliches Elektron auf (deswegen der Name) und wird damit zum negativ geladenen Atomrumpf. Die Fehlstelle entsteht dadurch sozusagen im Siliziumgitter. Aber es braucht eben den anfänglichen Prozess, dass der Akzeptor ein Elektron bindet 
--Bongoambassador (Diskussion) 10:32, 9. Sep. 2021 (CEST)
thread_title:  p-Dotierung 

message: Im ersten Satz steht, dass das Grundmaterial integrierter Schaltkreise dotiert würde. Aber auch das Halbleitermaterial einzelner Dioden und Transistoren wird dotiert. Vielleicht kann jemand vom Fach das allgemeiner und doch zutreffend formulieren. --2003:C0:721:3A00:F446:2D7E:BEC0:3F88 22:20, 19. Okt. 2023 (CEST)
thread_title:  Dotierung, integrierter Schaltkreis