Diskussion:Bootstrapping (Elektrotechnik)

message: Ausgalagert aus Bootstrapping. Eine Liste mit früheren Autoren findet sich hier http://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Bootstrapping&action=history --Chrisqwq 22:01, 8. Nov. 2006 (CET)
thread_title:  Allgemein 

message: Alles was im Text drin steht mag sinnvoll sein, jedoch wird nirgends etwas auf den Punkt gebracht, stattdessen ein Misch-Masch aus PMOS/NMOS, Polarität und Schaltern zum Schalten. --Biezl ✉ 
: Den Misch-Masch hab ich zwar nicht geändert, aber ich hoffe die Einleitung hilft nun etwas weiter als zuvor. --Cepheiden 18:11, 2. Mai 2009 (CEST)
replies: text:  Hi, möglicherweise liegt's an meinen Parser, aber was ist bei dem Ende des Einleitungsatzes "auch schlagartig in einem wirksam wird." eigentlich gemeint? (=ist mir unverständlich). --wdwd 20:45, 20. Jul. 2009 (CEST)
thread_title:  Überarbeiten Okt. 2008 

message: Ich bezweifle, dass in diesem Zusammenhang der Begriff "bootstrapping" richtig ist. Ich tendiere eher zu "boost".
Bootstrapping bedeutet: sich selbst aus dem Sumpf ziehen (siehe Münchhausen bzw. Betriebssystem-Boot).
Boost ist die Funktion, eine Betriebsspannung über der aktuellen Versorgungsspannung zu erzeugen (in diesem Fall für die Ansteuerung des Gates eines N-MOSFETs). Bestenfalls erfüllt die Diode im allerersten Moment die Aufgabe eines Bootstraps (was hier als Precharge bezeichnet wird), aber sobald der MOSFET ausreichend schaltet, ist nur mehr eine boost-Funktion, also Überhöhung der Ansteuerspannung, erkennbar.
Entsprechend ist die Behauptung in der Einleitung auch falsch - jedenfalls ohne ausreichende "Unterstützung". Genausowenig ist der Begriff Bootstrap-Schaltungen im Zusammenhang mit der Mitkopplung bei Verstärkerschaltungen hier passend. (nicht signierter Beitrag von 212.185.178.161 (Diskussion) 16:41, 4. Feb. 2013 (CET)
replies: text: Leider muss ich ihnen widersprechen. Mit dem Hochsetzsteller bzw Boost-Converter hat Bootstrap nämlich wenig zu tun. Bei einem Boost-Converter ist die Spule für die Überhöhung der Ausgangsspannung verantwortlich! Bitte einfach mal nach "bootstrapping electronics" googeln, und staunen. Oder hier https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN/AN-6076.pdf Es ist schon genau so richtig wie es im Artikel steht.  --93.226.223.12 18:33, 10. Feb. 2017 (CET)
thread_title:  Bootstrapping vs Boost 

message: Das Bild ist das Beste am Artikel, die Erklärung windet sich leider um die Kernaussage herum und ist meiner Meinung nach am Beispiel etwas lückenhaft und leider auch falsch (studiere Elektrotechnik an einer deutschen Universität in Richtung Leistungselektronik).
Bis zu diesem Punkt ist alles noch richtig, aber dann:
" Sobald der untere FET abgeschaltet wird, fließt ein durch die induktive Last eventuell noch vorhandener Ausgangsstrom kurzzeitig durch eine im Schaltplan nicht eingezeichnete Freilaufdiode. Jedenfalls bleibt das Potential am Punkt B niedrig, bis der obere FET leitend wird."
Das ist quatsch. Wenn wir den Übergang Schalter unten leitet, Schalter oben sperrt zu beide Schalter sperren betrachten, dann fließt der Strom durch die Induktivität zunächst ungehindert weiter. Was sich nun ändert ist die Steigung des Stromes. Wir nehmen an, die Induktivität sei groß genug, so dass während dieser "Totzeit" der Strom seine Polarität nicht ändert. Der Strom fließe (positiv gezählt) auf den Punkt B zu. Was nun passiert ist ein Umladen der nichtlinearen Ausgangskapazitäten der beiden Schalter. Die Kapazität des unteren Schalters wird geladen, die des oberen entladen. Das Potential an B steigt damit gegen Ui an. Dieses Phänomen nennt man Zero Voltage Switching und erlaubt ein Einschalten des oberen Schalters mit einer Drain-Source Spannung nahe null, damit werden die Schaltverluste minimiert. Die Body Diode des oberen Schalters wird nur dann leitfähig, wenn das Potential an B auf Ui+~0.6V ansteigt. Die Energie in den beiden Kapazitäten wird nun zwischen Eingangsspannungsquelle und Konverter ausgetauscht.
"Diese sperrt, sobald das Potential bei B ansteigt."
Auch das ist quatsch. Eine Diode sperrt nicht wenn die Spannung an ihr negativ wird. Eine Diode kann genauer gesagt erst dann Sperrspannung aufnehmen, wenn der Strom durch die Diode (ideale Diode) zu null geworden ist. Nur durch eine Ladungsträgerverarmung kann eine Raumladungszone gebildet werden. Demnach sperrt auch die Bootstrapdiode erst dann, wenn der Strom durch sie zu null geworden ist. Das dürfte im idealisierten Modell dann passieren, wenn der Bootstrapkondensator aufgeladen wurde. Die richtige Aussage wäre "Die Bootstrapdiode bleibt sperrend, da die Spannung über ihr zumindest <= 0V bleibt".
--188.174.137.185 11:43, 21. Jul. 2013 (CEST)
replies: text: Zustimmung. Leider wurde der Artikel noch nicht korrigiert.--93.226.223.12 19:52, 10. Feb. 2017 (CET)
thread_title:  Richtigstellung