Diskussion:Lawinendurchbruch

message: *"ist einer der Durchbruchsmechanismen bei Halbleiterbauelementen". Warum durchbricht da wer wen bei was
*"Diese Art des Durchbruchs ist umkehrbar", schön für ihn
*Als Leser dieses Artikels würde ich gerne auch noch wissen, was ein Durchbruchsmechanismus ist
*"Im allgemein wirken in der Praxis Zener- und Lawinen-Effekt gleichzeitig." wer oder was zum geier ist jetzt wieder zener
*nur ein paar beispiele
(nicht signierter Beitrag von Paddy (Diskussion | Beiträge) 01:09, 7. Okt. 2004 (CEST)
thread_title:  Fragen 

message: Löcher können auch durch eine Stoßionisation "herausgeschlagen" werden. Das mit den Stühlen ist etwas komplett anderes. Die Stühle wären die ionisieren Atomrümpfe (z.B. im n-Gebiet: Donatorrümpfe).
Aber von vorne: es gibt keine "Löcherteilchen". die Löcher sind lediglich eine symbolische Darstellung von Elektronen. In einem Halbleiter (HL) sind pro Kubikzentimer (=: cm^3) ca. 10^23 freie (!) Elektronen. Wenn jetzt ein Elektron durch irgendeinen nicht näher genanten Prozess aus diesem Verband entfernt wird bleibt eine leere Stelle zurück. Das kann man sich so vorstellen: Silizim (Si) hat vier Valenzelektronen, in einem Kristallgitter werden die Valenzelektronen untereinander aufgeteilt, so dass keine freien Elektronen vorhanden sind (bei T=0Kelvin(K), für T>0K stimmt das so nicht mehr, ist aber im Moment egal). Wenn ich jetzt eines wegnehme, fehlt eines... (diese Logik... ;) ), an dieser Stelle is somit Platz, der durch ein anderes Elektron (e-), dass sich nebenan befindet aufgefüllt werden kann. Aber dann fehlt dort eines. Dieser neue Platz kann dann wiederum durch ein e- aufgefüllt werden usw.... So nehmen wir mal an, wir legen jetzt links an einen Si-Block den Pluspol und rechts den Minuspol an. Weiter nehmen wir immer noch an, dass exakt ein e- fehlt (welch schöne ideale Annahme). Dann bedeutet dass, dass das e- rechts von dem freien Platz nach links in den freien Platz fliegt. Und so weiter. Wenn man sich das jetzt genauer ansieht, stellt man fest, dass die e- sich eigentlich nich bewegen, da man die nicht wirklich unterscheiden kann, aber man sieht, dass sich der freie Platz (DAS LOCH) nach links bewegt. => Löcherleitung.
So und um jetzt nicht immer sagen zu müssen, dass 10^23 - 1 Elektronen/cm^3 nach links fliegen, einigte man sich darauf, dass ein Loch nach rechts fliegt, somit weiß jeder was gemeint ist... das nächste wäre, dass sich nicht immer genau sagen lässt, wieviel e- im Kristall sind... hängt Material, der Temperatur, Defekten, etc. ab... es ist also erheblich einfach, das Loch ein Loch zu bezeichnen und sich nicht genauer darum zu kümmern, wieviel e- im Körper sind.
Weil jetzt die Löcher als eigene Teilchen definiert (!) wurden, können diese auch durch Stoßionisation erzeugt werden, die Vorstellung fällt hier zwar etwas schwerer, aber es spricht nichts dagegen. Der Prozess ist genau der selbe, das Loch (h) hat erheblich mehr Energie als es haben müsste, um direkt am Valenzband zu sein, gibt diese Energie durch Stoßionisation an ein anderes Loch ab und verliert dabei Energie. ...wie gesagt, nur die Vorstellung ist halt etwas schwieriger...
HTH
-- UntilWhen 18:07, 13. Mär. 2009 (CET)
replies: text: Mhh also die Erklärung der Löcherleitung durch eine Bewegung von Valenzelektronen im Valenzband ist zwar richtig, aber an dem Beispiel die Bewegung eines Lochs mit der Bewegung von 10^23 - 1 Elektronen/cm^3 in die Gegenrichtung ist (etwas) irreführend ohne die Aussage, dass das Loch sich (maximal) 10^23 Atome im Kristallverbud (!) weiterbewegt hat (es gibt noch andere Leitungsmechanismen für Löcher, die beispielsweise in organischen Halbleitern nicht zu vernachlässigen sind). P.S. soll das eigentlich irgendwie zur Verbesserung des Artikels beitragen? --Cepheiden 18:35, 13. Mär. 2009 (CET)
thread_title:  Auch Löcher können durch Stoßionisation erzeugt werden 

message: Da steht "Der Lawinendurchbruch, auch Avalanche-Durchbruch (von englisch avalanche, Lawine) genannt, ist eine der drei Durchbruchsarten bei Halbleiterbauelementen." 
engl. Wiki: "Avalanche breakdown is a phenomenon that can occur in both insulating and semiconducting materials. It is a form of electric current multiplication that can allow very large currents within materials which are otherwise good insulators." --91.34.241.32 15:40, 26. Dez. 2013 (CET)
replies: text: Und was genau ist nun deine Frage? --Cepheiden (Diskussion) 19:06, 29. Dez. 2013 (CET)
replies: text: Anscheinend ist die Frage, ob die Isolatoren (neben den Halbleitern) auch in der deutschen Version erwähnt werden sollten. Und ja, warum eigentlich nicht. Allerdings muss ich bei der Ausarbeitung aber passen. --PeterFrankfurt (Diskussion) 03:27, 30. Dez. 2013 (CET)
thread_title:   Geltungsbeschränkung in der deutschen WP?