Diskussion:Flash-Speicher/Archiv

message: Der Abschnitt zur Funktionsweise benötigt noch eine Überarbeitung bzw Erweiterung: es springen keine Elektronen zum Gate über (Blitz etc), sondern es handelt sich um einen Tunneleffekt. --Kohl 19:48, 29. Jul 2005 (CEST)
replies: text: Ists so ok? --Harald Wehner 15:46, 25. Nov 2005 (CET)

text: Das, was hier steht, stimmt soweit. --Harald Wehner 15:46, 25. Nov 2005 (CET)
thread_title:  Überarbeiten 

message: Ich finde den Artikel zu speziell formuliert. Allgemeinverständlicher wäre er nützlicher. Oliver (nicht signierter Beitrag von 84.132.181.62 (Diskussion | Beiträge) 20:13, 18. Aug. 2005 (CET)
replies: text: Bin der gleichen Meinung. Als Laie wüßte ich schon mal gerne, wie dieses Ding eigentlich speichert, optisch, magnetisch oder wieder anders. Günter (nicht signierter Beitrag von 217.227.53.215 (Diskussion | Beiträge)  21:56, 3. Okt. 2006 (CET)
thread_title:  allgemeinverständlicher 

message: Wo soll diese Bezeichnung herkommen? Soweit ich die Entwicklung von FLASH mitbekommen habe, hiesen die Teile früher einfach FLASH-Speicher. Wofür das FLASH steht, weiß ich leider nicht. Aber das -EEPROM hinterher hat gefehlt. Manche Skriblifaxer in Computerzeitschriften haben dann auch noch FLASH-RAM oder FLASH-ROM daraus gemacht, je nach Einsatzzweck. Für mich war das Zeug aber immer einfach FLASH - ohne irgend einen weiteren Zusatz. --Harald Wehner 19:10, 28. Sep 2005 (CEST)
replies: text: Weder Flash-RAM oder Flash-ROM ist korrekt. Den Speicher nur mit Flash zu bezeichnen mag ja im Alltag ok sein, aber genaugenommen ist es ein EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory - elektrisch wiederbeschreibarer Speicher) in einer speziellen Bauart. --Kohl 20:17, 28. Sep 2005 (CEST)
replies: text: Hat denn eine Zelle im FLASH den gleichen Aufbau wie ein EEPROM? Wenn ja würd ich den Begriff „EEPROM“ ja akzeptieren. Ich denke aber, mich erinnern zu können, daß eine FLASH-Zelle einen anderen Aufbau wie eine EEPROM-Zelle hat. Oder irre ich? --Harald Wehner 14:32, 29. Sep 2005 (CEST)

text: Den Begriff Flash-EEPROM gibt es im Englischen nicht. Dort wird Flash Memory also Flash-Speicher geschreiben, auch in den Datenblättern dieser Bauteile wird von Flash Memory gesprochen. Der Begriff Flash-EEPROM ist somit verwirrend, auch wenn es prinzipell richtig ist, dass der Baustein elektrisch lösch- und wieder beschreibbar ist. Jedoch wird durch den Gebrauch der Bezeichung Flash-Speicher auf die unterschiedlich verwendete Technologie hingewiesen. -- Ottacher Harald 17:56, 29. Sep 2005 (CEST)
replies: text: Da hat uns die Welt gerade überholt: SST bietet Flash-EEPROMs http://www.sst.com/products.xhtml/parallel_flash/28/SST28SF040A wobei es sich offensichtlich tatsächlich um FLASH-Speicher handelt und nicht EEPROMs, da „sector-erasable“. Darüberliegend reden sie aber wieder von FLASH-Memory. Und auch die Bezeichnung mit dem F040 (kein C040 oder so was) weist eindeutig auf FLASH. --Harald Wehner 16:22, 2. Okt 2005 (CEST)
thread_title:  Bezeichnung Flash-EEPROM 

message: Hi,
und was ist nun der Grund dafür, dass der Speicher ohne Strom so bleibt?
Rovanu 09:40, 20. Jan 2006 (CET)
replies: text: Wie im Artikel erklärt, wird auf das Floating Gate eine Ladung aufgebracht - oder sie ist nicht drauf, je nach dem, welchen Zustand das Bit eben haben soll. Das Floating Gate ist isoliert gegen die anderen Elektroden des Flash-FETs. Wegen der Isolation kann die Ladung, die aufgebracht worden ist, nur durch den sog. Tunneleffekt dorthin oder von dort weg kommen. Dazu brauchts aber eine hohe Spannung. Ist die Ladung mal dort, so bleibt sie dort, auch wenn die Versorgungsspannung weg ist. Sie kann eben nur durch einen Tunneleffekt wieder weg. Und deshalb bleibt die Information auch da, wo sie hin gehört. --Harald Wehner 17:07, 24. Jan 2006 (CET)
replies: text: Und ich finde ungefähr so sollte das auch im Artikel stehen. Ich habe mir das, was du da geschrieben hast, so gedacht, aber den Abschnitt zur Funktionsweise wirklich verstanden habe ich nicht. Zumal da auch noch was über die Ansteuerung drinsteht und und und. Irgendwie konfus und mit Fachbegriffen gespickt. --mudd1 17:32, 11. Mär 2006 (CET)
replies: text: Kann mich da nur anschließen. Zweifellos ist bei einer Festplatte einfacher zu erklären, bzw. auch ein Laie kann noch verstehen, wie dort Informationen abgelegt werden (weil er Magneten aus der Erfahrung kennt, da hilft einem das Bild mit dem Zustand der Elementarmagneten, der eine "1" oder eine "0" repräsentiert), was beim Flash-Speicher sich etwas komplizierter vorzustellen ist. Aber es muss doch trotzdem irgendwie möglich sein, das Speicherprinzip genauso einfach zusammenzufassen. In etwa so, wie Harald es geschrieben hat, sollte es auch irgendwo im Artikel stehen, á la "Ladung = Zustand 1, keine Ladung = Zustand 2", am besten unter einer Extra-Überschrift. --84.184.15.123 17:12, 13. Jun 2006 (CEST)
thread_title:  Bin kein E-Techniker 

message: Wie ist die Angabe der Speicherhäufigkeit zu verstehen ? Wenn ich z.B. jedes Byte getrennt beschreiben kann, heisst das, dass mit jedem Schreibvorgang (Löschvorgang ?) die Lebensdauer nur dieser einen Zelle um 1 reduziert wird oder ist ein ganzer "Block" betroffen; sodass z.B. beim Beschreiben von 100 Bytes, die zu einem Block gehören, dieser in seiner Lebensdauer um 100 verringert wurde ? (nicht signierter Beitrag von 84.154.15.80 (Diskussion | Beiträge)  19:40, 1. Feb. 2006 (CET)
replies: text: Die Firma STMicroelectronics schreibt in einem ihrer Datenblätter: „100.000 program/erase cycles per block“. Also gehe ich davon aus, daß sich solche Angaben auf einen ganzen Block beziehen - also auf das Löschen. Habe ich 100 Byte in einen Block geschrieben und will diese 100 Byte wieder löschen, so muß ich den ganzen Block löschen und vermindere damit die Lebensdauer dieses einen Blocks um 1. --Harald Wehner 17:14, 2. Feb 2006 (CET)
thread_title:  Endurance 

message: betreffend:
Flash-Speicher sind digitale Speicher(-Chips); die genaue Bezeichnung lautet Flash-EEPROM. Im Gegensatz zu "gewöhnlichem" EEPROM-Speicher lassen sich beim Flash-EEPROM Bytes
, die kleinste adressierbare Speichereinheit, nicht einzeln löschen.
Sollte Bytes nicht durch Bit ersetzt werden?
Bin mir nicht sicher, wollte nur fragen
(nicht signierter Beitrag von 84.72.175.159 (Diskussion | Beiträge) 14:58, 18. Feb. 2006 (CET)
replies: text: Es gibt nur wenige Speicher, bei denen man Bits adressiert. Der Normalfall ist schon, daß mehr wie ein Bit adressiert wird. Bei alten RAMs gabs meines Wissens mal die Bit-Adressierung. Aber beim FLASH sinds meistens die Bytes, manchmal auch mehr, manchmal auch nur ein Halb-Byte (vier Bit). Nennt sich dann „Wort“ (bis auf das Halb-Byte) und geht über zwei oder vier Byte. Man spart sich so Adressierungs-Leitungen. --Harald Wehner 23:09, 19. Feb 2006 (CET)
thread_title:  Fehler im Text? 

message: ja, hier gibts ja reichlich nebensätze und appositionen. sind schöne erfindungen - könnte man meinen. ich wollte mir im artikel nur kurz durchlesen, wie ein flash-speicher speichert. aber bereits im ersten satz vergeht mir dermaßen die lust weiterzulesen. das ist echt heftig. hier muss so einiges entschachtelt werden: weniger klammern, weniger nebensätze, weniger kommas ^^. -- Brightster 03:06, 9. Apr 2006 (CEST)
replies: text: nachtrag... nun gut: es ist dann doch der zweite satz unter funktionsprinzip ;-). na jedenfalls fehlt unter funktionsprinzip überhaupt ein einstieg. da muss noch sowas hin wie flash-speicher beruht auf dem system von...schlagmichtot.....oder im gegensatz zu festplatten...bladingenskeks... . aber dann muss auch gleich ganz kurz kommen wie gespeichert wird. da wäre ich mit meiner kurzen informationslücke schon zufrieden gewesen. der artikel ist vollgepackt mit wissen - das ist echt gut. aber der output ist nicht so gelungen. -- Brightster 03:13, 9. Apr 2006 (CEST)
thread_title:  Nebensätze und Appositionen 

message: hallo, mal eine ganz andere Frag. wieso darf man den usb-stick nicht einfach aus dem slot ziehen: bisher habe ich zwei versionen gehört, von denen mir die eine einleuchtet, die andere nicht. die mir einleutchtende: Dadurch, dass der stick auch mit strom versorgt wird führt der "stromabriss" evt. zu überspannungen, die die daten ggf. beschädigen und damit unleserlich machen können. 
die mir nicht einleuchtende: das speichermedium selbst soll dadurch geschädigt werden, so dass entweder der ganze stick unbrauchbar wird, zumindest aber eine teilkapazität. wer weiss die antwort?? (nicht signierter Beitrag von 80.135.152.37 (Diskussion | Beiträge) 217:14, 23. Sep. 2006 (CET)
replies: text: Das mit dem "stromabriss" oder Überspannung schädigt kein Usb-Gerät, weil die Usb-Schnittstelle so ausgelegt ist, das man jederzeit ein-/ausstöpseln darf. Der Grund liegt im Dateisystem. Das ist meist Fat32 und verträgt es nicht während des Schreibens unterbrochen zu werden. Anders ein Journaling Dateisystem wie ext3, ReiserFS oder NTFS. Außerdem muss das Betriebssystem noch den Cache leeren. Alex42 19:52, 24. Okt. 2006 (CEST)
replies: text: Das sind alles richtige Gründe. Darüber hinaus gibt es noch eine eklige Eigenschaft von Flash-Speichern: Beim Schreiben kann es vorkommen, dass ein ganzer Datenbereich zwischengespeichert, dann gelöscht und dann wieder neu (verändert) geschrieben wird. Siehe Artikel, warum. Wenn nach dem Teil mit dem Löschen plötzlich der Strom weg ist, dann is Essich mit die Daten. --Mudd1 02:51, 25. Okt. 2006 (CEST)
replies: text: Ein journling-Dateisystem kann vielleicht die Beschädigung des Dateisystems selbst bei unterbrochenen Schreibvorgängen verhindern, jedoch nicht Datenkorruption. --MrBurns 01:36, 4. Apr. 2008 (CEST)
thread_title:  Usb-Stick im Betrieb abziehen 

message: ...ehrlich gesagt, ich war nach dem Lesen dieses Artikels kein bisschen schlauer. Ich bin technisch schon versiert, 
aber dieser Text ist wahrscheinlich von/für Techniker geschrieben.
Ich fände es klasse, wenn man zugunsten des Verständnisses für Laien das Prinzip des Flash-Speichers einfacher/
allgemeiner erklären könnte und dann die Details und Fremdwörter in Unterkategorien "aufdröselt".
Ich bin der Meinnung, dass der Text so wie er jetzt ist, keinem wirklich weiterhilft.
(nicht signierter Beitrag von 213.168.117.219 (Diskussion | Beiträge) 09:52, 14. Mär. 2007 (CET)
replies: text: Bitte lies dir das eben geschriebene Flash-Speicher#.C3.9Cberblick durch und sag mir, ob du immer noch nicht verstehst, was ungefaehr vor sich geht. Die quantenmechanische Voodoo-Zauberei zu erklaeren, die hinter Flashspeichern steckt, kann der Artikel natuerlich nicht leisten, da muesstest du dich entweder bei den Leute vom Tunneleffektartikel beschweren oder den Deppen, der sich ausgedacht hat, dass das Universum nur mit klassischer Mechanik nicht funktioniert. --Mudd1 11:18, 14. Mär. 2007 (CET)
thread_title:  Wer soll das verstehen? 

message: Warum ist die Zahl der Schreibzyklen begrenzt?--Uwe W. 19:10, 10. Jan. 2007 (CET)
replies: text: Aus dem Artikel: "Bei einem Löschzyklus durchtunneln die Elektronen die Oxidschicht. Dafür sind hohe Spannungen erforderlich. Dadurch wird bei jedem Löschvorgang die Oxidschicht, die das Floating-Gate umgibt ein klein wenig beschädigt (Degeneration). Irgendwann ist die Isolation durch die Oxidschicht nicht mehr gegeben und die Elektronen bleiben nicht mehr auf dem Floating-Gate gefangen und die auf der Speicherzelle gespeicherte Information geht verloren." Kannst du genauer sagen, was daran unklar ist, dann koennte ich vielleicht versuchen, die Stelle verstaendlicher zu formulieren. Momentan faellt mir aber nichts ein, was gleichzeitig weniger Vorwissen erfordert und trotzdem vom Informationsgehalt ueber "Lange benutzen macht Chip kaputt" hinaus geht ;) --Mudd1 11:22, 14. Mär. 2007 (CET)
thread_title:  Begrenzte Zahl von Schreibzyklen 

message: Was soll diese Maßzahl - welche Vergleichsgrößen in welcher Technologie soll man dazu haben? --SonniWP 09:38, 31. Mai 2007 (CEST)
replies: text: Soviel ich weiß wurde diese größe schon bei anderen Massenspeichern, z.B. bei Festplatten verwendet und zwar ebenfalls bezogen auf das gesamte Volumen im Gehäuse. Allerdings wird bei Festplatten meistens in GB/cm² gerechnet, bezogen entweder auf die gesamte auslesbare Plattenoberfläche von allen Platten zusammen, oder nur auf die Grundfläche der Platten (letzteres ist teilweise nur 1/10 von ersterem, weil bis zu 5 Platten mit je zwei Leseköpfen, einem oben und einem unten, eingesetzt werden). --MrBurns 04:13, 14. Dez. 2007 (CET)
thread_title:  GB/cm<sup>3</sup>) 

message: Im Artikel steht
::Laut einem Test der c't wurde ein USB-Stick 16 Millionen Mal beschrieben 
::(immer auf dieselbe Datei), ohne das ein Fehler auftrat. Dies bedingt jedoch ein gutes :::Defektmanagement des Sticks.
Jedoch wird dabei verschwiegen, dass der Controller eines USB-Sticks beim Schreiben einer Datei deren Daten so auf Speicherblöcke verteilt, dass die Abnutzung möglichst gleichmäßig ist. Wenn ich also 16 Millionen Mal eine 512 Byte (=1 Sektor) große Datei auf einen 1GB-Stick schreibe, wurde ein beliebiger Sekteor eben nicht 16 Mio. mal gelöscht sondern nur ~15 mal (16000000000 / (1024*1024*1024)). Desweiteren ist aus diesem Grund auch ein Defragmentieren eines Flash-Speichers nicht möglich. --Peter (nicht signierter Beitrag von 84.168.65.207 (Diskussion | Beiträge) 23:39, 14. Aug. 2007 (CET)
replies: text: Ein "Defragmentieren" eines Flash-Speichers ist auch reichlich ueberfluessig. Bei einer Festplatte ist es bloed, wenn der Kopf zum Lesen einer Datei viel umherspringen muss. Bei einem EEPROM springt aber nichts. --Mudd1 10:23, 15. Aug. 2007 (CEST)
thread_title:  Anzahl der Löschzyklen 

message: Es wäre sehr interessant wenn der Artikel auch darüber Auskunft geben koennte, wie Flash-Speicher in der Praxis bezeichnet werden d.h. wie man den Speicher (z.B. eines Mobiltelefons) von den anderen Chips unterscheiden kann. (alle sind schwarz und haben kryptische aufdrucke) - woher weiss der Fachmann (ohne interne Herstellerkenntnisse) was ist ein Flash-Speicher und was ein Mikrokontroller usw. ? Kooopik 14:23, 30. Aug. 2007 (CEST)
replies: text:  Du meinst sicher 28Fxxx, 29Fxxx, 29Cxxx, Samsung K9K* mit xxx = KBit/MBit. Ich weiß allerdings nicht, ob jeder Hersteller sich an diese Typenbezeichnungen hält. Samsung ist hier zum Beispiel schon eine Ausnahme. - Appaloosa 16:02, 30. Aug. 2007 (CEST)
thread_title:  Bezeichnung der Chips 

message: Dieses Kauderwelsch verstehe ich einfach nicht.
Vielleicht hätte ich eine Chance, wenn dieser englisch-deutsche Begriffs-Wirrwarr wenigstens vollständig ins Deutsche übertragen würde.
Doch auch daran habe ich meine erheblichen Zweifel.
Der Autor war einfach zu faul, zu arrogant oder zu unfähig, sein englisch-deutsches Kauderwelsch in verständliche Sätze zu übersetzen.
Möglicherweise versteht er selbst nicht wirklich, was er sagt. Der fehlende Link zu "Source-Drain-Strecke", einem Begriff, den er gleichwohl benutzt, weist in diese Richtung: wüsste er, wovon er redet, hätte er den Link mit Inhalt gefüllt.
Von einem Artikel zum Stichwort erwartete ich jedoch ohnehin, dass auftauchende neue Fachbegriffe zunächst INNERHALB des Artikels zunächst kurz - und deutsch - erklärt würden, bevor dann mit einem Link auf weiter führende Erläuterungen verwiesen würde.
Hier ist jedoch weder das eine noch das andere vorhanden.
Linguistisch hieße das: Mit inhaltlich nicht gefüllten Versatzstücken werden grammatisch korrekte Gebilde erzeugt, die folglich überhaupt gar nichts bedeuten. Die Sätze dieses Artikels sind von der Struktur:
Querzus sind Warias, die sich kanonam verhalten, solange sie yertzi sind. Andernfalls sind sie kwandum.
Der Artikel ist also schlicht saumäßig.
(nicht signierter Beitrag von Gceschmidt (Diskussion | Beiträge) 00:45, 11. Dez. 2007 (CET)
replies: text: Und so könnte man auch deine Kritik bezeichnen. Wie du aus der vorhergehenden Diskussion hättest ersehen können, wurde das von dir so konstruktiv angerissene Thema „fehlende Verständlichkeit” bereits besprochen. Du hättest also meine immer noch offen im Raum stehende Frage aufgreifen können, ob der Abschnitt „Überblick”, den ich zu schreiben begonnen habe, die Verständlichkeit erhöht. Dass später im Artikel Abschnitte kommen, die nicht mehr jeder versteht, ist nicht nur bei Artikeln über elektronische Bauteile nicht ungewöhnlich. Ebensowenig wie englischsprachige Fachausdrücke ungewöhnlich sind. Die von dir angesprochenen Begriffe sind darüber hinaus alle im Feldeffekttransistorartikel erklärt, auf den vorher verlinkt wird. Wenn du fehlende Links entsprechend ergänzen oder umbiegen willst, bist du natürlich herzlich willkommen. Wenn du hier nur Kritik üben willst auch, allerdings wäre der Autor des englisch-deutschen Kauderwelschs wahrscheinlich entzückt, wenn du in Zukunft davon absehen könntest Wörter wie „faul”, „arrogant”, „unfähig”, „saumäßig” und Verwandtes in deine Kritik einzuflechten. Stattdessen könntest du vier Tilden in das Ende deiner Beiträge einflechten. --Mudd1 10:55, 14. Mär. 2008 (CET)
thread_title:  Source-Drain-Strecke, Floating Gate, Steuer-Gate u.v.a. mehr: ein saumäßiger Artikel 

message: Hallo,
"Im dritten Quartal 2007 liefern mehrere Hersteller (Samsung, Toshiba und andere) NAND-Flash-Speicher mit 16 Gigabit, NOR-Flash-Speicher erreicht zur gleichen Zeit 1 Gigabit Speicherkapazität."
Irgendwie stimmt das nicht? Ich kenne schon USB Sticks mit 4 Gigabyte (Also 4 Mrd. Byte). Aber der "größte" NAND Speicher soll nur 2 Gigabyte groß sein?
Werden dann zwei Speichermodulle zusammenverbaut?
Oder verstehe ich das nur falsch?
MfG
XZise 20:04, 27. Jan. 2008 (CET)
replies: text: Okay ;) Dann hat sich das damit erledigt :) --XZise 22:36, 27. Jan. 2008 (CET)
replies: text: Daraus resultiert auch immer der rasante Preisverfall, wenn die Speicherdichte stiegt, so dass man die Zahl der Chips halbieren kann. Die Kosten pro Chip sind halbwegs gleich, egal wie viel drauf ist, da geht es nur um die Siliziumfläche. Chipgehäuse sind auch ein wesentlicher Kostenfaktor, ergo weniger Chips weniger Kosten. --TheBug 23:10, 27. Jan. 2008 (CET)
replies: text: Jupp, mehrere Module, siehe z. B. die Weblinks bei Multi-Chip-Modul. --PeterFrankfurt 00:48, 28. Jan. 2008 (CET)
thread_title:  Speicherkapazität 

message: Also um den aktuellen Editwar auf eine breitere Diskussionsbasis zu stellen: Bei (einzelnen) Speicherchips ist es tatsächlich üblich, deren Kapazität in Bits und nicht in Bytes anzugeben. Andererseits bin ich bei der Textfassung mit den 16 Gigabit auch etwas skeptisch, ob das nicht mittlerweile überholt, sprich zu wenig, ist. --PeterFrankfurt 01:10, 5. Sep. 2008 (CEST)
thread_title:  Speichergröße 

message: Bitte lasst diese Beschreibung an dieser Stelle, weil hier eindeutig der Speicher selbst beschrieben wird und nicht NUR der Speichervorgang darauf. (nicht signierter Beitrag von Jomeier  (Diskussion | Beiträge) 16:28, 13. Jan. 2005 (CET)
thread_title:  Beschreibung 

message: Dieser Artikel wird in der FAZ] zitiert.--TUBS was? 13:18, 27. Okt. 2007 (CEST)
thread_title:  Zitat 

message: Bei den Referenzen sind die beiden heise-Artikel doppelt referenziert, man sollte bei der Referenzierung nur einmal die Quelle angeben und bei der zweiten Referenz auf die erste Fußnote verweisen.PAB 17:09, 12. Dez. 2008 (CET)
replies: text: Auf welche Artikel beziehst du dich genau? Ich kann keine falsche Doppelreferenzierung entdecken, eventuell wurde es schon behoben. --Cepheiden 11:14, 2. Jun. 2009 (CEST)
thread_title:  Quellenangaben 

message: Es wird im Artikel soweit ich das Überblicke nie gesagt, warum nur blockweises Löschen möglich ist. Ist dies eine reine Konsequenz der Beschaltung oder gibt es dafür einen grundlegenden, physikalischen Grund? Auch wenn ein möglicher physikalischer Grund vermutlich über den Rahmen einer Enzyklopädie hinaus geht, sollte man doch zumindest grob sagen was Sache ist, schließlich ist dieses blockweise Löschen DAS Charakteristikum für Flash. Mest 09:13, 3. Feb. 2009 (CET)
replies: text: Soweit ich weiß ist es die Beschaltung. Die Flash-Speicher sind ja nur so und so oft beschreibbar, und damit eine möglichst gleichmäßige Abnutzung aller Speicherzellen gewährleistet wird. Werden Daten auch bei einer neuspeicherung einer Datei immer in andere Zellen/Blöcke geschrieben, so dass nicht Zellen mit häufig geänderten Daten schneller beschädigt werden. Diese Umschichtung macht der Controller. Um dabei den Überblick nicht zu verlieren, werden die Speicher in Blöcke eingeteilt. Korrigiert mich wenn ich damit falsch liege. --Cepheiden 11:18, 2. Jun. 2009 (CEST)
replies: text: Nee, da muss was anderes dahinterstecken. Am schonendsten wäre es doch, wenn man nur das eine Byte löschen müsste, das man wirklich ändern will, und nicht tausende andere immer gleich mit. (Bei herkömmlichen EEPROMs geht es ja so, oder zumindest wortweise.) Vielleicht sind die Löschspannungen so relativ immens hoch, dass die Effekte zwangsläufig auf größere Entfernungen, also immer gleich über mehrere Bitzellen hinweg, wirksam werden. Das ist jetzt aber reine Spekulation meinerseits. --PeterFrankfurt 01:14, 3. Jun. 2009 (CEST)

text: Naja, da steckt nicht viel mehr hinter. mannmuss natürlich auch beachten, dass das Löschen recht lange dauert und es dann eine Geschwindigkeitsvorteil bringt, wenn man mehrere Zellen (also Blöcke) gleichzeitig löscht. Es ist definitiv eine Ansteuerungs- und Optimierungsfrage und nicht eine zu hohe Löschspannung die sich nicht auf nur eine Zelle begrenzen lässt. --Cepheiden 08:12, 3. Jun. 2009 (CEST)
thread_title:  Warum ist nur blockweises Löschen möglich? 

message: "Mit flüchtigem Speicher wie RAM (Random-Access Memory) kann die Flash-Technologie trotz eines geringeren Preises pro Gigabyte nicht konkurrieren, da die erreichbaren Datenraten bei Flash deutlich geringer sind. Außerdem ist Zugriffszeit bei NAND-Flash für Lese- und Schreibzugriffe deutlich größer. Bei NOR-Flash trifft dies nur auf die Schreibzugriffe zu."
Vorweg zur Form: 
Besteht ein Absatz aus einer Ansammlung einzelner Punkte, dann sollte das lesende Auge auch durch eine entsprechende GLIEDERUNG unterstützt werden. Die Punkte sollten nicht zu einem amorphen Klump zusammengematscht werden, der zwangsläufig unübersichtlich ist.
[Für "Vorteile" gilt das Gleiche.]
Inhaltlich:
Mit seinem Geschwindigkeitsfetischismus - der wohl ein Milieuschaden ist im PC-Sektor - vergalloppiert sich der Autor hier; deshalb sollte hier noch mal klargestellt werden: NICHT jede Anwendung ist zeitkritisch!
So könnte ich mir eine Flash-Karte (heute für 6 € für 2 GB angeboten gesehen; wohl die NAND-Sorte) z. B. in Kombination mit einem "digitalen Bilderrahmen" (angeboten für 29 €) gut als einfaches e-Buch-Lesegerät vorstellen: mit ihrem Prozessor könnte die Karte leicht nicht nur die LTextdaten, sondern auch ein BS mitsamt Zeichensatz, Font(s) und - als RAM-Ersatz - den nötigen Arbeitsplatz beherbergen; dort wird die folgende Textseite aufgebaut, während noch auf einer Seite gelesen wird, und auf Tastendruck hin dann dem d.B. als neues "Bild" zugeschoben. Dabei wird der Preis für die d.B. in den nächsten Jahren mit Sicherheit noch erbeblich sinken. So könnte man auch in armen, ziemlich entlegenen Gegenden zumindest Literatur verfügbar machen, aber auch Sachbücher, soweit sie nicht grafisch zu befrachtet sind. So könnte z. B. ein Kind in manchem indischen Dorf sich den Inhalt auf dem nächsten verfügbaren PC (Ortsvorsteher? Schule? Bank?) per Internet herunterladen (oder sich vom Onkel in der Stadt geladen schicken lassen?): da wäre schon mal ein ganzes Stück Bildung mehr möglich als mit einem "100$-PC", der unter 150 $ nicht machbar scheint. Und wenn beim d.B. ein Touchscreen üblich wird, weitet das die Möglichkeiten noch mal kräftig aus. Und wenn e-Papier ins Spiel kommt, sinkt der Energieverbrauch auf quasi Null.
Oder auch eine technische Anwendung: z. B. eine langsam laufende Regelungs-Hardware wie eine einfache, billige Regelung für die Eigenheims-Heizung! Hier bräuchte man quasi nur die Stromversorgung (Netzteil? Batterie/Akku?) und die Periherie (aus billigen Komponenten): eine "Konsolen-Karte" mit einem kleinen LCD-Display und ein paar Tastern, und eine In/Out-Karte mit einem Analog/Digital-Konverterchip fürs Temperaturmessen  und zwei bis vier Relais (oder Schütze) für die Ansteuerung des Mischermotors. Das Programm wird auf dem PC entwickelt (oder evtl. per Download besorgt) und dann mit einem kleinen BS (und e. BASIC-Interpreter?) auf die Karte geladen: diese stellt dann quasi den Abarbeitungs-Computer dar, womit hier die historische Trennung zwischen Arbeitsspeicher und Dauerspeicher wieder aufgehoben würde.
Ähnlich sollte es mit USB-Sticks gehen: da gibt es ja bereits Sticks für Fernsehen, Funknetze und Boot-Sticks mit BS drauf. Dies mag mit ROMs realisiert sein; aber ROM ist ja im Prinzip durch Flash-Speicher ersetzbar. - Wolfram, 149.225.62.8 13:24, 21. Dez. 2009 (CET)
replies: text: Ich bin mir sicher, dass sich auch in so einem digitalen Bilderrahmen DRAM befindet. Die Datenpübertragungsrate von Flash-Speicher, den man in Speicherkarten um 3€/GB bekommt, ist mit maximal ein paar dutzend MB/s selbst für Compueter der 80er-Jahre zu langsam, um als Arbeitsspeicher eingesetzt zu werden und selbst bei sehr schnellem Flash-Speicher (das Maximum ist derzeit ca. 1400 MB/s lesen und ca. 1200 MB/s schreiben, siehe ) ist die Zugriffszeit für den Einsatz als Arbeitsspeicher mit mindestens 0,1ms beim lesen und ca. 0,4ms beim Schreiben viel zu langsam. Flash-Speicher kann man bestenfalls in sehr einfachen geräten als Arbeitsspeicher einsetzten (z.B. Digitaluhren, einfache Taschenrechner), aber sicher nicht in Geräten mit hochauflösendem graphischen Display, wie z.B. digitalen Bilderrahmen ("hochauflösend" ist ind em Fall relativ zu einfachen Geräten gemeint, in dem Sinne ist schon QVGA hochauflösend). -MrBurns 18:48, 22. Dez. 2009 (CET)
thread_title:  "Nachteile" teilweise unzutreffend: 

message: Darunter würde ich jetzt einen Arbeitsspeicher verstehen. Klärungsbedarf besteht.
--Chricho 23:24, 10. Apr. 2010 (CEST)
replies: text: ich denke da ist Festplattenersatz gemeint. Die beherbergen die meisten Daten -> Hauptspeicher. Das der begriff Hauptspeicher natürlich synonym für Arbeitsspeicher (derzeit DRAM) genutzt wird, macht die Formulierung sehr unglücklich. --Cepheiden 23:42, 10. Apr. 2010 (CEST)
replies: text: O ja. Ich habe das mal ein bisschen geändert. --PeterFrankfurt 00:18, 11. Apr. 2010 (CEST)
thread_title:  "Hauptspeichermedium" 

message: Mich interessiert vor allem, warum die Kosten von SSDs und USB-Sticks derart konstant sind. Die für die IT-Branche übliche Verbilligung von Produkten gleicher Leistung findet kaum statt. Was sind hierfür die Ursachen? -- 80.121.0.235 21:53, 13. Okt. 2010 (CEST)
replies: text: Schau einfach länger hin. Sowas bewegt sich anscheinend in Stufen, irgendwann macht es dann doch noch einen Satz nach unten. Dann aber um ein größeres Maß und nicht in vielen kleinen Schritten, da man die aktuellen Preise anscheinend nicht dauernd verändern möchte. (Reine Spekulation meinerseits.) --PeterFrankfurt 02:43, 14. Okt. 2010 (CEST)

text: Angebot und Nachfrage. Und die Nachfrage an SSDs ist meiner Ansicht nach recht hoch. --Cepheiden 08:04, 14. Okt. 2010 (CEST)
thread_title:  Mehrjährig nahezu konstante Kosten? 

message: "Bei einem Test der Computerzeitschrift c’t wurde ein USB-Stick 16 Millionen Mal beschrieben (immer auf dieselbe Datei), ..." - das sagt jetzt quantitativ wenig aus (solange man nicht mindestens weiss wie gross die datei im Verhältnis zur Stick war). --Itu 17:38, 28. Nov. 2010 (CET)
thread_title:  c't-Labortest 

message: Der Artikel nennt "0" als den Zustand eines gelöschten Bits, "1" als programmiert.
Dies steht im Widerspruch zu meiner Erfahrung: nach dem Löschvorgang wird ein Flash-Speicher (wie ein klassisches EPROM) als "1" ausgelesen.
Auch steht es im Widerspruch zu http://de.wikipedia.org/wiki/NAND-Flash, wo wir "Wie bei Flash-Speichern üblich, können die Bits in den Bytes nur von 1 nach 0 gekippt werden. Der umgekehrte Weg ist nur über einen Löschvorgang zu erreichen." lesen.
Hsemken 13:03, 6. Jun. 2011 (CEST)
replies: text: Lässt sich das überhaupt so pauschal verallgemeinern? Ich mein erstens ist es reine Definitionssache ob der Zustand bei dem der Transistor leitend ist nun gelöscht oder als programmiert angesehen wird. Zweitens ist es auch eine Definitionssache des Entwicklers oder er dem gelöschten Zustand nun eine 0 oder 1 zuordnet. --Cepheiden 17:16, 6. Jun. 2011 (CEST)
replies: text: Die Dinger haben wie die EPROMs einen exakt vorgegebenen Löschvorgang. Und nach diesem stehen die Bits anscheinend immer auf 1, da wird wohl wie bei den EPROMs keiner was ganz anderes erfunden haben, was ja auch alles andere als trivial wäre. --PeterFrankfurt 01:24, 7. Jun. 2011 (CEST)
replies: text:  Die Zuordnung eines physikalischen Wertes und der logischen Wert ist aber nicht zwingend vorgegeben, oder? --Cepheiden 02:06, 7. Jun. 2011 (CEST)
replies: text: Genau weiß ich es nur bei EPROMs, da werden die Bits durch die UV-Bestrahlung alle auf 1 gesetzt, das geht gar nicht anders. Wenn Du an eine Flash-Zelle die Löschspannung anlegst, vermute ich (weiß es aber nicht, wir sollten mal einen fragen, der Ahnung hat, oder was lesen), dass da auch physikalisch nur eine Richtung (sinnvoll) möglich ist. --PeterFrankfurt 02:14, 7. Jun. 2011 (CEST)
replies: text:  1 ist ein interpretierter Wert eines physikalischen Zustands. Beim EPROM bewirkt die UV-Bestrahlung die Entladung des Floating-Gates. Die Zuordnung von „entladenes Floating-Gate“ = 1 ist aber willkürlich festgelegt, oder nicht? Evtl. ist das ja ein internationaler Standard, aber ebenso gut könnte man es als 0 festlegen. Oder was spricht dagegen? --Cepheiden 02:23, 7. Jun. 2011 (CEST)
replies: text:  Na ja, bei den EPROMs führt eine UV-Löschung zu einem bestimmten Spannungspegel auf den Ausgangspins der Speicherzellen. Und wenn der nun mit dem High-Pegel übereinstimmt, dann nennt man das praktischerweise auch "1", denn sonst müsste man ja zusätzliche Inverter einbauen, die Zeit und Strom kosten würden, und das will keiner. Also ist diese Festlegung doch wohl naturgegeben (technologiegegeben). --PeterFrankfurt 01:04, 8. Jun. 2011 (CEST)
replies: text:  Gibt es ausschließlich EPROMs, die im gelöschten Zustand einen High-Pegel angeben? Oder gibt es auch andere. Ich würde hier erwarten, dass hier alle 4 Varianten von n- und p-Kanal bzw. selbstleitend und selbstsperrend möglich sind, und ggf. eine Variante dominant ist. Von daher erwarte ich eigentlich, das dies (wie im Artikel hier schon länger geschrieben steht) eben nicht naturgegeben auf alle Bauelemente übertragen werden kann. Und auch ist Zuordnung von des High-Pegels zum logischem Wert "1" in der "Software" mit Sicherheit nicht naturgegeben sondern eine Festlegung. Verstehst du was ich meine? In dem Zusammenhang finde ich übrigens die im Artikel angegeben Quelle als nicht gerade passend. Denn sie beschreibt eben keine allgemeine Konvention wie eine Norm oder ähnliches. --Cepheiden 10:23, 8. Jun. 2011 (CEST)
replies: text: Meines Wissens funktionieren alle EPROMs in dieser Hinsicht identisch. Ob da sinnvolle Alternativen überhaupt existieren, entzieht sich meiner Kenntnis. Bei Flash ist es komplizierter, es gibt ja NAND- und NOR-Flashs sowie Single- und Multi-Level-Cells, da weiß ich nichts über die Details. Also zumindest ich stochere vollkommen im Nebel, wir brauchen dringend jemanden vom Fach. --PeterFrankfurt 01:53, 9. Jun. 2011 (CEST)
thread_title:  Gelöschter Zustand 

message: Siehe dazu bei Solid-State-Drive mit hilfreichem Infokasten zur "Lebensdauer". --Viktor (Diskussion) 03:45, 3. Nov. 2013 (CET)
replies: text: Was willst du uns damit sagen? Es gibt doch sogar einen eigenen Artikel TLC-Speicherzelle. --Cepheiden (Diskussion) 11:06, 3. Nov. 2013 (CET)
thread_title:  TLC-Technologie fehlt 

message: Ich verlinke hier mal aus der en.wp https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#Vertical_NAND Falls das jemand einbauen könnte ... Kleiner Nachtrag: Hier gibts faszinierende Einblicke in den Aufbau von VNAND-Chips: https://www.youtube.com/watch?v=5Mh3o886qpg Wahnsinn, wie die Technologie fortschreitet ... --Agentjoerg (Diskussion) 19:08, 18. Mai 2023 (CEST)
thread_title:  VNAND