Diskussion:Bipolartransistor/Archiv

message: Im Kleinsignal-Ersatzschaltbild wird die Stromquelle am Ausgang entweder durch das Produkt der Stromverstärkung und des Basis-Stromes oder durch das Produkt der Steilheit (Vorwärtssteilheit) und der Basis-Emitter-Spannung beschrieben. In dem hier vorliegenden Artikel wird die erste Version bevorzugt und der Transistor als stromgesteuerte Stromquelle beschrieben. Ist diese Betrachtung nicht nachteilig gegenüber der Betrachtung der spannungsgesteuerten Stromquelle? 
Die Stromverstärkung ist zum einen eine Funktion der Temperatur als auch eine Funktion des Kollektorstromes und ist meines Wissens nach nicht mittels einer Formel direkt beschreibbar (ich bin bis jetzt noch auf keine derartige Beschreibung gestoßen), da diese Effekte nicht proportional oder ähnliches sind. Im Gegensatz dazu ist die Vorwärtssteilheit direkt aus der Shockley-Gleichung ableitbar und beschreibt den Transistor über einen weiten Bereich sehr genau. Lediglich die beiden extremen Randbereiche (sehr niedriger bzw. sehr hoher Kollektorstrom) weichen von der Beschreibung auf Grund von verschiedenen Effekten ab. Ist demnach nicht die Beschreibung als spannungsgestuerten Stromquelle der Anderen vorzuziehen?  
:Also, einen Bipolartransitor mit einer spannungsgesteuerte Stromquelle modellieren kann, ist mir nicht bekannt. Soweit ich weis wird für die Ersatzschaltung beim Bipolar die stromgesteuert und für FET die spannungsgesteuerte Stromquelle genommen. Die Stromverstärkung beim Bipolar ist meiner Meinung nach nur temperaturabhängig (jedenfall im normalen Betriebsbereich). --Cepheiden 22:30, 12. Okt 2005 (CEST)
replies: text: "Emitter-Kollektor" ist richtig. Das ist genau der Witz beim Transistor, dass das Bisschen Basisstrom genügt, um den mehrere hundertfach stärkeren Strom zwischen Kollektor und Emitter zu steuern. -- Lukian 17:48, 5. Apr 2004 (CEST)
replies: text: War ein Fehler in meinem Skriptum ;-) Aber danke für die schnelle Antwort! TRauMa 01:26, 6. Apr 2004 (CEST)

text: Versuch für Laien: Transistoren sind kleine Bauelemente, die als Verstärker oder Schalter praktisch in allen elektronischen Geräten enthalten sind: Im kleinen Taschenradio oder im Walkman einige wenige, im Handy -zigtausende und im Computer hunderte von Millionen. Ein einzelner Transistor ist eine kaum erbsengroße Kapsel aus Metall oder Plastik, die im Inneren eine ausgeklügelte Anordnung dreier Siliziumschichten enthält. An diesen Siliziumschichten sind drei Drähte angebracht, die aus der Kapsel herausragen. Einen Draht nennt man Basis, den zweiten Kollektor und den dritten Emitter. Was so ein Transistor gut kann, ist das Verstärken von Strom. Z.B. liefern Mikrofone sehr schwachen Strom, der im Takt der aufgenommenen Töne vibriert. Ein Lautsprecher, der Töne laut wiedergeben soll, braucht aber sehr viel stärkeren Strom, als das Mikrofon liefern kann. Und hier hilft der Transistor: durch die Anschlussdrähte, die Emitter und Kollektor heißen, kann man einen Strom schicken, der stark genug ist, um den Lautsprecher tönen zu lassen. Wenn man nun den schwachen Strom, den das Mikrofon erzeugt, gleichzeitig in den Basisdraht hineinschickt, dann schafft es der Transistor (denn genau das ist sein Job!), dass der starke Strom zwischen Emitter und Kollektor ganz genau mit gleichem Takt und gleicher Form vibriert, wie der schwache Basisstrom, der vom Mikrofon kommt: Der Transistor sorgt so durch seine Stromverstärkung dafür, dass unser Lautsprecher wirklich laut wiedergibt, was das Mikrofon gerade aufnimmt. Bleibt noch die Frage, wie Millionen von Erbsen in den Computer passen. Das kommt daher, dass die Transistoren im Computer extrem klein aufgebaut und in den Schaltkreisen ganz dicht gepackt sind: da passen Millionen in einen Fingerhut. --  Lukian 20:29, 10. Mai 2004 (CEST)
thread_title:  Betreff Steuerung des Transistors 

message: Ist diese Formulierung nicht etwas unglücklich: Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt? -- Pjacobi 00:29, 3. Okt 2004 (CEST)
thread_title:  Arbeitsbereiche 

message: folgende Vorschläge habe ich als jemand der sich als Lernender mit dem Thema beschäftigt:
:*ich finde dieses Thema hätte es verdient neu strukturiert zu werden. Es gibt zum Teil rel. detaillierte Artikel, aber viele Informationen (Text, Bild, Formeln) tauchen mehrfach auf. Dies macht es gerade für Laien schwer einen Einstieg zu finden. Ich werde mich heute Abend mal an Modelle zur Funktionsweise von Transistoren machen.
:*m.E. steht im Unterpunkt "Arbeitsbereiche" alles, was in "Verstärkungsfaktor" schon vorweggenommen wurde. gilt die genannte Formel für alle Arten von Transistoren ...?
viel angekündigt. -- Babylon_Inc 8:23, 8. Okt 2004 MESZ
:Prima! Mach! -- Stahlkocher 09:26, 8. Okt 2004 (CEST)
replies: text: Du hast vollkommen recht. Ich würde im Artikel Transistor nur allgemeines schreiben, also ne Erklärung (für Oma) der Funktion und der Anwendungen  , und die Historie. Detaillierteres (Bipolar-Transistorschaltungen, Kennlinien, detaillierter Aufbau usw) sollte dann in die Artikeln Bipolartransistor, FET usw., worauf man ja dann von hier verlinken kann.--Jdiemer 17:47, 10. Feb 2005 (CET)
replies: text:  Sollen wir dann die Änderung vornehmen? --Cepheiden 18:53, 13. Feb 2005 (CET)
replies: text:  Ja, hau rein! :-) Du hattest ja schon etwas geändert (Bipolar-Kennlinien von Transistor nach Bipolartransistor verschoben), aber das wieder rückgängig gemacht. Wieso? --Jdiemer 00:55, 16. Feb 2005 (CET)
replies: text:  Öhm, ich hab deutlich mehr kopiert. Die Kennlinien habe ich wieder zurück kopiert weil die sich auf Bipolar und FETs beziehen. --Cepheiden 15:33, 16. Feb 2005 (CET)
replies: text:  Oh ja, hab ich übersehen, sorry. Das Kapitel über Kennlinien sollte man aber aufbröseln nach Bip und FET, und für den Transistor-Artikel verallgemeinern. --Jdiemer 17:13, 16. Feb 2005 (CET)
thread_title:  Strukturierung 

message: Wieso ist der Artikel gesperrt??--Ot 18:38, 27. Feb 2005 (CET)
replies: text: - selbsterklärend denke ich.--Trexer 19:45, 27. Feb 2005 (CET)
replies: text: so langsam könnte man ihn aber mal wieder freischalten! --Trexer 19:49, 27. Feb 2005 (CET)
thread_title:  Sperrung 

message: Ist zwar schon lange her, daß ich mit FET's experimentiert und gebastelt habe, aber in dem Artikel stört mich eine Aussage: "Die Steuerung erfolgt (nahezu) stromlos."  Entweder ist die Steuerung stromlos oder nicht. Da hier kein Streit entstehen sollte, schlage ich vor mal eine Stromstärke anzugeben die gewöhnlicherweise dabei auftritt. Wenn die Stromstärke so klein ist daß diese kaum meßbar ist kann man ja auch ein "Kleinergleich-Zeichen" mit einer entsprechenden Zahl einsetzen. Das ergibt wenigstens Information mit der man was anfangen kann. --217.234.111.80 13:59, 14. Apr 2005 (CEST)
replies: text: Das Problem ist, dass der Ansteuerstrom stark frequenzabhängig ist, eine einfache Angabe ist so schwer möglich. --Jdiemer 14:49, 14. Apr 2005 (CEST)
replies: text:  Genau, der Ansteuerstrom von FETs unterscheiden sich jenach Schaltfrequenz, Transistortypen und der jeweiligen Bauform. Ein allgemeine Aussage ist da schwer zu treffen. Der Ansteuerstrom setzt sich ja bei FETs nur aus dem im Gate gespeicherten bzw. "umzuschichtenden" Ladungen zusammen. Im statischen Fall ist der Gatestrom näherungsweise null (Gateleckströme vernachlässigbar klein ca. 10^-18 A/µm²). Der Gatestrom ist auch im dynamischen Fall um einige Größenordnungen kleiner als der Drainstrom, und kann von daher auch vernachlässigt werden. Das alles gilt natürlich nicht für sehr kleine Gateoxiddicken, da spielen nachher schon Tunneleffekt u. a. mit und erhöhen den Leckstrom.. Die Formulierung "Die Steuerung erfolgt (nahezu) stromlos." ist aber wirklich mist, da sollte man etwas anderes finden. Genauer spezifiziert werden, kann das aber in den Artikeln der jeweiligen Varianten. --Cepheiden 17:33, 14. Apr 2005 (CEST)
thread_title:  FET's 

message: es gib früher die übliche bezeichnung des differentiellen widerstands im arbeitspunkt; sprich die steilheit der kennlinie im arbeitespunkt. wurde als maß für die verstärkung in kombination mit dem kollektorwiderstand unterrichtet; soll man das noch einbauen oder ist es eher veraltet?
: Nein das ist auf garkeinen Fall veraltet, es ist nachwievor ein wichtiger Parameter. Aber er sollte nicht im Artikel "Transistor" behandelt werden, sondern in den Artikeln der jeweiligen Transistorvarianten behandelt werden. Da es sich aber ein Kleinsignalparameter handelt ist es rf.--Cepheiden 11:30, 17. Apr 2005 (CEST)
replies: text: Achso, statt des differentiellen Widerstands rf wird aber meist dessen Kehrwert genutzt, die Vorwärtssteilheit g_{Tf}=\frac{dI_{T}}{dU_{BE}}. --Cepheiden 19:49, 17. Apr 2005 (CEST)

text: Strom zu verstärken ist nicht das Einzige, wofür man einen Transistor benutzen kann. Wenn man z.B. zwei Spannungspegel ("niedrig" und "hoch") als binäre Zahlenwerte auffasst ("0" und "1"), dann kann man einen Transistor auch dafür einsetzen, um den einen Wert in den anderen umzuwandeln ("Inverter"). Zwei Transistoren kann man über Widerstände so miteinander verbinden, dass die Gesamtschaltung ein Bit speichern kann. Diese Zusammenschaltung nennt man "bistabile Kippstufe" oder Flipflop. Man kann mehrere Transistoren auch so zusammenschalten, dass sie weitere Operationen mit Binärwerten leisten, z.B. als Und-Gatter das "Ausrechnen" des Ergebnisses einer logischen Konjunktion. Aus mehreren Gattern kann man weitere Rechenschaltungen zusammensetzen: Addierer, Multiplizierer, und zusammmen mit genügend bit-Speichern als Register kommt man dann bis zu ganzen Prozessoren wie auch solchen auf einer Grafikkarte. -- Lukian 11:15, 28. Aug 2005 (CEST)
thread_title:  STEILHEIT R<sub>f</sub> 

message: Transistor.png
 Diac.svg
 Triac.png
Sind bei den verwaisten Bildern aufgetaucht, falls noch benötigt. --Gruß Crux 16:27, 31. Mai 2006 (CEST)
replies: text: Ich denke die Bilder sind veraltet und können gelöscht werden. Noch dazu gehören die Abbildungen für Diac und Triac in die entsprechenden Artikel. siehe auch: Liste der Schaltsymbole. — MovGP0 13:36, 23. Jul 2006 (CEST)
thread_title: verwaiste Bilder

message: Gehört der Transistor nicht in die Kategorie "Aktives Bauelement"? Ich vermisse ihn dort. Leider kann ich das nicht selber ändern... Noch 4 Tage... --Der Burgstädter 23:14, 3. Aug 2006 (CEST)
thread_title:  Kategorie 

message: Hallo,
ich finde die Einteilungen nicht ganz richtig bzw. in diesesm Artikel nicht ganz passend:
1. Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) gehört nicht zur Gruppe bipolare Transistoren! Innerlich ist er eine Mischung aus bipolarem Transistor und MOSFET, verhält sich nach außen hin aber eher wie ein MOSFET, da das Gate nach außen geführt ist und nicht die Basis. Der IGBT ist also eher ein Feldeffekttransistor, aber besser noch eine eigene Kategorie. Unter Typen ist das IGBT ja auch als ein eigener Typ aufgeführt!
2. Der Unijunctiontransistor (UJT) ist ebenfalls kein bipolarer Transistor. Er ist ein Vierschicht-Halbleiter und daher eher mit dem Thyristor verwandt. Ich würde auch ihn als eigene Kategorie aufführen.
3. DMOSFET, LDMOSFET und VDMOSFET sind interne Aufbauweisen eines MOSFET, es sind damit aber keine neuen Bauteile. Ich würde dieses aus diesesm Artikel ganz herausnehmen und unter dem Artikel MOSFET aufführen. Auch das Fast Recovery Epitaxial Diode Field Effect Transistor (FREDFET) ist eigentlich auch kein neues Bauteil. Es ist ein MOSFET, das eine schnelle interne Body-Diode besitzt. Ich würde auch dieses hier streichen und im Artikel MOSFET aufführen. Es gibt noch viele weitere Varianten unter den MOSFETs z.B. mit internen Z-Dioden, Kurzschluß- und Überhitzungsschutz (HITFET von Infineon) usw., würde ich aber alles unter MOSFET erwähnen. 
4. Ist zwar unwichtig, ich würde aber das JFET als erstes in der Kategorie FET aufführen, denn es war der erste Feldeffekttransistor. 
--Joern M 20:34, 28. Aug 2006 (CEST)
thread_title:  Varianten von Transistoren 

message: Der Artikel war in der Tat etwas konfus. Den Abschnitt über Kennlinien hab ich mal entfernt: das gehört eindeutig in die zahlreichen Detailartikel zu speziellen Transistortypen und ist auch dort erwähnt. Statt dessen ist meiner Meinung eine grobe Übersicht über Schaltsymbole und ein wenig Rundumerklärung ohne viel Details wesentlich besser angebracht (wer hat in der Elektronik schon mal nicht, in Anlehnung an die meist eher bekannten npn-Transistoren, die Pfeilrichtung bei n-Kanal-FETs leider verkehrt herum gezeichnet.. :). --wdwd 16:16, 9. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: Ebenso wenig wie die Kennlinien hat die Beschreibung der Schaltsymbole etwas in dem Artikel zu suchen. Erstrecht da es sich um eine triviale Umschreibung der Symbole und nicht um eine Erklärung handelt. Eine Übersichtliche Darstellung der typischen Schaltsymbole mit entsprechender Beschriftung wäre hier vollkommen ausreichend. Außerdem werden mit den Bearbeitungen der letzten Tage zunehmend Sachverhalte im Artikel wiederholt. --Cepheiden 00:34, 11. Sep. 2007 (CEST)
thread_title:  Überarbeitungen 

message: Was waren das eignetlich gür schwarze kleine Boxen in den Empfängern der Soldaten im 2. Weltkrieg?
Der Aufdruck lt. Zeitzeugen soll Siemens gewesen sein.  Denk Ihr wirklich der Germaniumtransistor wurde von den Amis erfunden. Das Patent ist deutsche Kriegs-Wiedergutmachung. Zum Beweis solltet ihr mal Zeitzeugen befragen, bevor es zu spät ist. (-- Valentin2007 11:49, 19. Aug. 2007 (CEST)
replies: text: Vermutlich die damals verbreiteten Detektorempfänger und darin die als Kristall-Detektor (=Diode) genutzen Materialien Bleiglanz und Pyrit die samt der Nadel (Justage) zum Schutz in entsprechenden Gehäusen untergebracht waren. Aber, falls es Dich beruhigt: Die ersten Patente von den heute grossteils genutzten Feldeffekttransistoren gehen nachweislich auf Deutsche zurück, wie auch im Artikel beschrieben.--wdwd 16:33, 9. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: Richtig. Aufwendig gewickelte Spule, Kristall mit fummelig einstellbaren Berührungsdraht, Kopfhöher. Und schon konnte man starke Sender hören. Verstärker und Transistoren (=Doppeldiode) fehlten. Später kam die Röhre als Verstärker hinzu.--Kölscher Pitter 17:29, 9. Sep. 2007 (CEST)
thread_title:  Germanium-Transistor 

message: Das ist zweifellos der richtige Fachbegriff. Aber dieser muss erläutert werden, denn man kann die Kenntniss dieses Begriffs nicht bei jedem Leser voraussetzen. Fehlendes Elektron = Loch. So ähnlich wird die Erläuterung sein.--Kölscher Pitter 17:01, 9. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: Wikilink auf diesen speziellen Fachbegriff zum Weiterlesen ist gesetzt.--wdwd 18:06, 9. Sep. 2007 (CEST)
thread_title:  Defektelektronen 

message: Warum kommt in deutschen Fachartikeln die Geschichte immer als erstes? Für mich ist die Reihenfolge immer anders. Was ist es? Wie funktioniert es? Welche Bedeutung hat es? Wer hat's gemacht?--Kölscher Pitter 17:09, 9. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: Nun, wir schreiben hier ja kein Fachbuch. Sondern wirken mehr oder weniger an einer Enzyklopädie mit. Und da ist meiner Meinung ein geschichtlicher Abriss, so möglich und passend, schon sinnvoll. Und rein von der Abfolge macht es für mich auch Sinn in diesem Kontext, die Geschichte und deren Abfolgen zuerst zu bringen. Da passt das Bild und Zusammenhänge dann meist besser, als wenn man sich gleich in irgendwelche Details verliert. Und eine grobe Erklärung in wenigen Sätzen sollte sich in der Einleitung finden, was ja so mehr oder weniger auch der Fall ist. Details wie und was und wie es funktioniert kommen für den geneigten Leser dann später im Artikel - oder wie in diesem Fall als Art "Übersichtsthema", sind Details einzelnen Unterartikeln vorbehalten um Redundanzen möglichst zu vermeiden.--wdwd 18:05, 9. Sep. 2007 (CEST)
thread_title:  Geschichte 

message: Im Anfang war die Diode da. Dann kam die Doppeldiode. Habe ich da was überlesen?--Kölscher Pitter 17:40, 9. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: Hmm, was meinst Du genau? Geschichtliche Entwicklung? Könnte man noch einbauen. Befürchte aber, das verwirrt da diese Doppeldiode als Ersatzvorstellung öfter kommt. Oft sogar zur Erklärung der Funktionsweise eines Bipolartransistors verwendet wird, aber das ansich ein falsches (Vorstellungs)modell ist.--wdwd 17:58, 9. Sep. 2007 (CEST)
thread_title:  Doppeldioden 

message: Hallo, die Tabelle mit der Anzahl der Transistoren ist etwas Intel-lastig. Es wäre schön wenn hier noch andere Hersteller mit ihrne Spitzenprodukten (Sun, IBM, AMD usw.) zur jeweiligen Zeit auftauchen würden.--Cepheiden 00:04, 11. Sep. 2007 (CEST)
thread_title:  Anwendnungsbereiche 

message: Da ich sehr viele Formeln in den Artikel eingebracht habe und noch mehr einbringen will hat Benutzer:Cepheiden den Vorschlag geäußert den Artikel in mehrere Unterartikel aufzuteilen. Ich schlage daher die folgenden Unterartikel vor:
#Formeln:
##Bipolartransistor/Mathematische Beschreibung
##Bipolartransistor (Formelsammlung)
#Rauschen:
##Bipolartransistor/Transistorrauschen
##Transistorrauschen
#Ersatzschaltungen:
##Bipolartransistor/Ersatzschaltungen
##Bipolartransistorersatzschaltungen
##Ersatzschaltungen des Bipolartransistors
##Ersatzschaltungen (Bipolartransistor)
##etc.
siehe auch: Diode, Diskussion:Diode#Aufteilung_des_Artikels
MovGP0 10:14, 5. Mär 2006 (CET)
replies: text: Die wichtigsten Formeln würde ich zwar im Artikel lassen - aber so einfach wie möglich halten. Im ausgelagerten Teil kann man die Formeln ausführlicher behandeln. Als wichtige Formeln halte ich eigentlich auch nur die Großsignalgleichungen, da diese bei niedrigen Frequenzen den Transistor ausreichend beschreiben. MovGP0 16:15, 5. Mär 2006 (CET)

text: In dem ausgegliederten Artikel Ersatzschaltungen des Bipolartransistors gibt es Kleinsignalersatzschaltbilder (auch für den statischen Fall) --Cepheiden 16:17, 11. Jan. 2007 (CET)
thread_title:  Aufteilung des Artikels 

message: Es wäre vielleicht besser das Diodenersatzschaltbild zu entfernen, weil es das Verständnis des Transistors nicht gerade fördert sondern sogar verfälscht (ein Transistor ist nunmal nicht aus zwei Dioden zusammengesetzt). Statt dessen könnte man einfach die Schichten aneinander reihen oder das Kleinsignalersatzschaltbild zeichnen.
: Ich finde folgende Textstellen auch verwirrend, wenn nicht widersprüchlich:
::oben: Anordnung der p-n-Übergänge (Dioden) in einem npn-Bipolartransistor (keine Ersatzschaltung!)
:und
::Es handelt sich hierbei nur um Ersatzschaltbilder. Das bedeutet, dass man mit zwei Dioden keinen Transistoreffekt erzeugen kann.Murmeltier 16:25, 3. Mär. 2008 (CET)
replies: text: das finde ich auch. ein transistor hat wenig mit einer diode gemein. ich finde es unverständlich das alle halbleiterbauelemente mit HL-Dioden verglichen werden, manchmal ist es hilfreich beim BiPoTran ist es das nicht. nur weil etwas einen pn-kontakt hat ist es noch nicht wie eine diode. die funktionsweise eines BiPoTran ist nicht anhand einer diode zu erklären.--Moritzgedig 16:01, 16. Jan. 2009 (CET)
thread_title:  Diodenersatzschaltbild 

message: thumb
So wie ich das sehe, müsste da doch kein Knick rechts im Bänderdiagramm sein, weil ja auch keine Sperrschicht existiert. Ich vermute da mal einen Zeichenfehler, bin mir aber nicht ganz sicher. Könnte sich dazu jemand äußern, der da entsprechend Ahnung davon hat? 
: Also die Graphik zeigt ein leicht verfälschtes Bild der Bandverbiegungen. Diese fallen und steigen zum einen nicht liniear (also es gibt auch einen Übergangsbereich). Auch ragt die Raumladungszone auf Grund der Dotierungsverhältnisse nicht gleichermaßen in die Basis und den Kollektor, naja bei bestimmten Spannungen im Vorwärtsbetrieb evtl.). Der "Knick" am pn-Übergang zwischen Basis und Emitter ist aber richtig. Auch die Größenordungen sind ok --Cepheiden 21:48, 9. Apr. 2007 (CEST)
thread_title:  Fehler im Bänderdiagramm-Bild Nr.3? 

message: Hallo, irgendwie passt die Beschriebung weiterhin nicht. Der Bipolartransitor ist dirket Basisstrom gesteuert, wie man an der Eingangskennlinie (IC vs. UBE) sieht. Die Verhältnisse sind komplizierter. Wir müssten hier mal Klarheit schaffen. --Cepheiden 11:42, 22. Jun. 2009 (CEST)
thread_title:  Ungereimtheiten bei der Funktionsweise 

message: Oder auch p-leitend. Was ist damit gemeint?-- Kölscher Pitter 20:55, 20. Aug. 2009 (CEST)
replies: text: n-leitden bedeuted es handelt sich um ein n-Gebiet, also ein dotierterer Bereich in dem Elektronen die Majoritätsladungsträgerstellen (beispielsweise phosphordotierte gebiete). p-leitend hingegen bedeutet das Defektelektronen die Majoritätsträger sind, -> p-Gebiet -> p-dotiert (beispielsweise Bor-dotierte Bereiche). --Cepheiden 08:31, 25. Aug. 2009 (CEST)
replies: text: Danke. p-Gebiet oder p-dotiert finde ich sprachlich ok. Die sprachliche Verbindung von "positiv" oder "negativ" mit dem Verb "leiten" ist Murks.-- Kölscher Pitter 10:07, 25. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Aber nicht unüblich. eben weil Defektelektronen/Löcher positive Ladungsträger repräsentieren --Cepheiden 10:16, 25. Aug. 2009 (CEST)

text: Ja, der Unsinn entsteht durch das Weglassen des Substantivs (Defektelektronen/Löcher). Man kann Substantive nicht einfach durch Adjektive (positiv/negativ) ersetzen. Selbst wenn das "üblich" sein sollte. Es bleibt Murks. Sprachlich gesehen.-- Kölscher Pitter 11:06, 25. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Ich hab das im Artikel mal ausgetauscht, da es sich sonst dem Laien nicht erschließt. Insgesamt sehe ich aber nicht, dass es sprachlicher "Murks" ist. Es ist eben wie bei vielen fachüblichen Bezeichungen. --Cepheiden 11:29, 25. Aug. 2009 (CEST)
thread_title:  n-leitend 

message: Hallo, das nebenstehende Bild findet sich derzeit im Artikel. Meiner Meinung nach leifert es ein vollkommen ungenaues wenn nicht sogar falsches bild von der Funktionsweise eines Bipolartransistors. Das Hauptproblem was ich mit der Abbildung habe ist folgendes.
Das Bild geht offensichtlich von einem Teilchenstrom in technischer Stromrichtung aus. Es erweckt somit den Anschein, als wenn nur eine Ladungsträgerart (Löcher) die Funktion realisieren. Für die Funktion des BJT sind aber sowohl Elektronen als auch Löcher essentiell.
Meiner Meinung nach sollte das Bild entfernt werden.
--Cepheiden 14:13, 27. Okt. 2009 (CET)
replies: text: Wer das Bild überinterpretiert der interessiert sich nicht für die details. Das Bild ist nur eine sehr grobe abstraktion, das sollte jedem klar sein. Ich finde das Bild ok, es richtet sich an den absoluten einsteiger und für diesen ist es gut. Wir wollen ja nicht päpstlicher sein als der papst. --Moritzgedig 18:22, 27. Okt. 2009 (CET)
replies: text:  Wo ist der Nutzen eines Bildes, das ein Funktionsprinzip veranschaulichen soll, aber die Vorgänge falsch bzw. derart stark vereinfacht darstellt? Und vor allem was hat es neben einem Abschnit zu suchen, der sich eben nicht mit dieser sehr vereinfachten "Black-Box"-Vorstellung beschäftigt? --Cepheiden 18:38, 27. Okt. 2009 (CET)
replies: text: ja, die position ist nicht so gut. wäre besser ganz oben wo noch keine details genannt wurden und jemand zunächst ankommt wenn er wissen will was ein BJT macht. Du mußt dir jemanden vorstellen der von HL keine ahnung hat und jetzt einfach mal wissen will was ein BJT macht. Vielleicht einen 12t Klässler oder Azubi im 2. Jahr. --Moritzgedig 10:13, 28. Okt. 2009 (CET)
replies: text:  Die Abbildung sollte unabhängig vom Wissensstand bom Nutzer richtig eingeordnet werden. Da sie nicht die Funktionsweise eines BJT erklärt, muss die Abbildung besser beschrieben werden. In meinen Augen taugt die Abblidung nur zur Demonstration der Stromverstärkung, aber es ist zwingend notwendig weitere Beschreibungen beizufügen, eben dass das Wasser nicht Elektronen oder Löcher repräsentiert. Ansonsten bekommen Laien von Anfang an eine falsche Vorstellung von dem Bauelement. Ich greif das Thema ja nur wiedermal auf, weil ich darauf angesprochen wurde. --Cepheiden 11:09, 28. Okt. 2009 (CET)

text: wenn man schreibt, dass das wasser den ladungstransport repräsentiert ist es egal wie sich die elektronen bewegen. Ich finde die kritik überspitzt, es muß doch jedem klar sein, dass da kein wasser im transistor ist. --Moritzgedig 19:00, 28. Okt. 2009 (CET)
thread_title:  Alternatives Modell eines Bipolartransistors 

message: in der beschreibung des 2. bildes steht pnp-transistor, obwohl es sich um einen npn-transistoren handelt, wie auch in den beiden anderen bildern steht.
keine ahnung ob des hierhergehört, aber da stand, dass die bilddiskussion nicht genutzt wird. (nicht signierter Beitrag von 132.180.216.139 (Diskussion) 20:04, 19. Mai 2010 (CEST)
replies: text: Hallo, welches ist das zweite Bild? Ich kann auf die Schnelle keinen Fehler erkennen. --Cepheiden 20:10, 19. Mai 2010 (CEST)
replies: text:  Ahh, ich hab's mal korrigiert. Hättest du aber eigentlich auch selbst machen können (also von den Rechten her). Sei mutig ! --Cepheiden 21:39, 19. Mai 2010 (CEST)
thread_title:  2.bild des abschnitts funktionsweise 

message: Es gibt viele Firmen die BJTs herstellen oder es in der vergangenheit taten und ebensoviele namensschemata. Aber es gibt einige standard typen deren namen mit: BC, BD, BF, BS, BU (USA/europäisch ?) anfangen und nicht mit z.B. 2S, 2N, MJ (Japanisch/Sony ?). Bei diesen BJTs kann man am zweiten buchstaben den gedachten einsatzzweck erkennen. Was bedeutet dieser zweite buchstabe? Ich meine 'C' ist ein NF-Verstärker und 'D' ist ein schalter, 'F' könnte für HF sein. Ich habe keine information hierüber im internet finden können. Der erste buchstabe gibt über das material und somit über die minimale BE-Spannung auskunft. --Moritzgedig 14:55, 15. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Ich habe den Artikel mal nach Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen verschoben. Ich kann nicht erkennen, dass der Begriff "Halbleiter-Kennbuchstaben" außerhalb der Wikipedia genutzt wird und die Kennzeichnung beschreibt ja auch keine Halbleiter (Material) sondern Halbleiterbauelemente. --Cepheiden 17:17, 20. Jun. 2010 (CEST)

text: Ungenutzte Redirects bringen da garnichts, außerdem sollten sie nur angelegt werden wenn sie sinnvoll sind, gleiches gilt für die Berlinkung von anderen Artikeln aus. --Cepheiden 22:04, 21. Jun. 2010 (CEST)
thread_title:  Bauteilname und Verwendung 

message: Vielleicht sollten wir das folgende Bild aus der englsichen Wikipedia übernehmen, weil es die Funktionsweise sehr anschaulich erklärt:  --MrBurns 13:24, 16. Feb. 2008 (CET)
replies: text: Eine deutsche Übersetzung (:Datei:NPN BJT Basic Operation (Active) DE.svg) wurde mittlerweile eingefügt. --Cepheiden 20:41, 1. Sep. 2010 (CEST)
thread_title:  Bild 

message: Kann bitte jemand, der mehr Erfahrung mit Wiki hat das Bild mit der Spannungsgesteuerten Stromquelle entfernen!
Das ist schlicht weg FALSCH! Ein Bipolartransistor ist KEINE Spannungsgesteuerte Stromquelle, sondern eine stromgesteuerte Stromquelle!
Ich meine das Bild unter "Transistormodelle und Ersatzschaltbilder" das zweite Bild. "Kleinsignalmodell" (nicht signierter Beitrag von 141.24.48.189 (Diskussion) 04:07, 17. Feb. 2011 (CET)
replies: text: Ich stimme zu. ich verstehe nicht warum da i_{T} = S \cdot u_{BE} steht. Ich werde den Autor darauf aufmerksam machen. --Moritzgedig 20:08, 3. Apr. 2011 (CEST)
replies: text: Zumindest Tietze&Schenk enthält in etwa das selbe Kleinsignalmodell. Jedoch wäre das Modell stromgesteuerte Stromquelle konsequenter im Bezug auf das Großsignalmodell und die H-Parameter. Dann werd ich es bis heute Abend anpassen. -- Biezl ✉ 11:23, 4. Apr. 2011 (CEST)
replies: text:  Super, danke. Ich bin der Ansicht da müsste i_{C} = \beta \cdot i_{B} stehen. Streng genommen: i_{C} = \beta(U_{CE}) \cdot i_{B}. (nicht signierter Beitrag von Moritzgedig (Diskussion | Beiträge) 20:14, 4. Apr. 2011 (CEST)
replies: text:  Das β(U_CE) entspricht dem r_CE aber Datenblätter geben so etwas normalerweise gar nicht mehr an. Genauere Betrachtungsmöglichkeiten liefern dann sowieso die (etwas unübersichtlichen) Unterartikel. -- Biezl ✉ 20:40, 4. Apr. 2011 (CEST)

text: Die Betrachtung mittels Steilheit hat bei dynamischer Betrachtung nicht den Nachteil, das parallel Umladeströme fließen, die den wirksamen Steuerstrom herabsetzen. Spannungsbezogene Betrachtung hat dagegen mit R_E' Probleme. ~ Stündle (Kontakt) 11:22, 15. Apr. 2011 (CEST)
thread_title:  Kleinsignalersatzschaltbild 

message: sollte eigentlich.. - 194.95.142.180 11:59, 2. Okt. 2012 (CEST)
replies: text: der Artikel nutzt den Alternativbegriff Sperrschicht. Ich habe mal einen Nebensatz ergänzt. --Cepheiden (Diskussion) 12:12, 2. Okt. 2012 (CEST)
thread_title:  Raumladungszone - taucht nicht im Artikel auf?? 

message: In Diskussion Bipolartransistor Kleinsignalersatzschaltbild wurde darüber diskutiert den Bipolartransistor als "stromgesteuerte Stromquelle" zu bezeichnen.
Allerdings sehe ich das überhaupt nicht so. Denn in meinen Augen ist ein Transistor eine spannungsgesteuerte Stromquelle. Denn durchs Anlegen einer genügend großen Spannung an die Basis, im Vergleich zum Emitter, diffundieren Elektronen vom Emitter über die Basis in den Kollektor. Als Nebeneffekt ist ein Basisstrom zu beobachten. 
Warum kommte ich darauf? In meinem Studium habe ich mal eine Gleichung gelernt nach der der Kollektorstrom I_C abhängig ist von der Spannung U_\text{BE}.
 I_\text{C} = I_\text{S} \, \left( e^\frac{U_\text{BE}}{n \, U_\text{T}} - 1 \right) 
Für mich wird also der Strom am Kollektor definitiv durch die Spannungsdifferenz zwischen Basis und Emitter gesteuert. Nachdem sich hier viele direkt einig waren, habe ich mich mit einem Kollegen unterhalten, um meinen Irrtum auszuschließen. Dieser Kollege hatte mir versichtert, dass [Gilbert] dies genauso sieht, also der Transistor eine spannungsgesteuerte Stromquelle ist.
Ich hoffe einige der Hauptautoren schauen hier ab und zu noch rein und geben ihre Meinung dazu ab.
--Farigon (Diskussion) 16:19, 8. Aug. 2012 (CEST)
replies: text: Hallo, wie oben schon erkennbar ist, nutzt man "stromgesteuerte Stromquellen"  bei der Modellierung des Kleinsignalverhaltens. In grober Vereinfachung kann man in diesem Bereich auch den gesamten Bipolartransistor als "stromgesteuerte Stromquelle" auffassen. Deine Formeln beziehen sich auf das Großsignalverhalten. Hier wird der Bipolartransistor üblicherweise als spannungsabhängig Modelliert und man kann ihn als "spannungsgesteuerte Stromquelle" auffassen. Wichtig ist hier die Unterscheidung zwischen Groß- und Kleinsignalverhalten. --Cepheiden (Diskussion) 12:42, 7. Sep. 2012 (CEST)

text: Die Gleichung ist aber nicht linear. Strom und Spannung hängen offensichtlich immer zusammen (zur Not über eine Differentialgleichung), da ist unsinnig darüber zu diskutieren ob es das eine oder andere ist. Genutzt wird aber meist ein bestimmter Bereich in dem ein linearer Zusammenhang der Ströme besteht. Die Stromverstärkung ist recht konstant.(Ja, am BJ-Transistor ist nichts linear) --Moritzgedig (Diskussion) 17:11, 8. Sep. 2012 (CEST)
replies: text: Ich findes es halt unglücklich, wenn man in dem Artikel die eine Hälfte weglässt, bzw nicht erwähnt in welchem Zusammenhang die Bezeichnung als stromgesteuerte Stromquelle zutrifft. Klar geworden ist auf jeden Fall, dass nicht eine der beiden Definition alleine stehend gültig ist. Das kam mir bei der letzten Dikussion zu kurz. Da hat halt jemand so überzeugend gewirkt, dass die andere Betrachtung unter den Tisch gefallen ist. --Farigon (Diskussion) 13:07, 12. Sep. 2012 (CEST)
replies: text:  Aber es wird doch nirgends behauptet oder doch? Wenn ja wo? --Cepheiden (Diskussion) 13:16, 12. Sep. 2012 (CEST)
replies: text: Direkt im ersten Absatz: "Der BJT wird mittels eines elektrischen Stroms gesteuert [...]" und unter "Funktionsweise" erster Satz: "Beim Bipolartransistor wird durch einen elektrischen Strom IBE zwischen Basis und Emitter ein stärkerer Strom ICE zwischen Kollektor und Emitter gesteuert." 217.10.52.10 14:37, 28. Nov. 2012 (CET)

text: Abschließend würde ich das so stehen lassen. Also ich mich anfangs gefragt habe, was nun was an einem Transistor steuert, war ich der Meinung es kann nur die Spannung sein die einen Strom steuert. Deswegen habe ich die Diskussion gestartet. Am Ende ist es ja relativ egal wie es beschrieben wird solange die Beschreibung ja korrekt ist. --217.10.52.10 15:56, 30. Nov. 2012 (CET)
replies: text:  Das Funktionsprinzip "eines Transistos" gibt es eh nicht, hier muss man zumindest zwischen Feldeffekttransistoren und Bipolartransistoren unterscheiden. --Cepheiden (Diskussion) 16:03, 30. Nov. 2012 (CET)
replies: text: Ja klar, aber hier geht es ja um den Bipolartransistor. Über den FET habe ich auch nicht gesprochen. --Farigon (Diskussion) 14:24, 1. Dez. 2012 (CET)
replies: text:  Ich habe auf die IP geantwortet und wollte es nochmals klarstellen, oder stammen diese Beiträge auch von dir? --Cepheiden (Diskussion) 15:43, 1. Dez. 2012 (CET)
replies: text:  Oh ja die Beiträge mit der IP sind auch von mir. Ich war scheinbar nicht eingeloggt. Ja sicher wird man dazu unzählige Belege finden. Ich habe ja auch nur auf eine alte Diskussion verweisen wollen, in der jemand felsenfest davon überzeugt war, dass es nur die "stromgesteuerte Stromquelle" sein kann und viele gleich mit in den Chorus eingestiegen sind. Von mir aus können wir das Thema auch beenden. Ein Änderungsbedarf von meiner Seite aus gibt es schon länger nicht mehr. --Farigon (Diskussion) 10:16, 3. Dez. 2012 (CET)
replies: text:  Da ein BJT ohne Stromfluss durch die Basis nicht funktioniert, denke ich, dass die aktuelle Darstellung in Ordnung ist. Es wird ja nirgends gesagt, dass es es eine gesteuerte Stromquelle ist, auch wenn einige Leser dies mit der Wortwahl "gesteuert" verbinden. Wenn dir eine bessere Formulierung einfällt, können wir hier aber durchaus Verbesserungen vornehmen. --Cepheiden (Diskussion) 11:45, 3. Dez. 2012 (CET)
replies: text:  Gibt es überhaupt jemanden der ab und zu die Änderungen sichtet? Das wurde ja schon länger nicht mehr getan. --Farigon (Diskussion) 10:02, 4. Dez. 2012 (CET)
thread_title:  Wiederaufnahme Diskussion übers Kleinsignalersatzschaltbild 

message: Ich hatte die Seite eigentlich nur aufgesucht, um das Schaltbild eines Trandistors mit seiner realen Gestalt abzugleichen, also Basis, Kollektor und Emitter am echten Gegenstand zu identifizieren, weil ich mir sicher war, dass mir das hier bestimmt erklärt wird. Jetzt such ich halt woanders weiter. Mfg --2003:C0:1F0A:2FB5:C0B1:A84:5922:671E 00:19, 17. Feb. 2019 (CET)
replies: text: Diese Daten sind jenach Transistortyp/Gehäuse verschieden und finden sich im Datenblatt.--wdwd (Diskussion) 08:25, 17. Feb. 2019 (CET)
thread_title:  Verbesserungsvorschlag 

message: Es fehlt eine Erklärung warum der BJT nicht beliebig schnell ist.
Hier zwei Entwürfe zum Millereffekt und zum begrenzten negativen Stromgradienten:
Ein weiterer, jedoch schaltungstechnisch zu überwindender, limitierender Faktor ist der Miller-Effekt bzw. die Kapazität zwischen Kollektor und Basis. Diese beträgt bei Kleinsignaltransistoren einige wenige Pico-Farrad. Ändert sich das Kollektorpotenzial, fließt ein Umladestrom durch CCB und die Basis. Dieser Strom wird verstärkt und wirkt der Potentialänderung entgegen. Die Auskopplung des Kollektorstroms einer Emitterschaltung durch eine Basisschaltung vermeidet diesen Effekt, da der Eingangswiderstand der Basisschaltung fast Null ist. Eine Schmalbandige Lösung ist die Parallelkompensation von CCB mit einer Induktivität.
... Durch Ändern des Basisstromes kann demzufolge der Kollektoremitterstrom gesteuert werden. Es wird durch den kleinen Basisstrom, verursacht durch die Defektelektronen, ein viel größerer Kollektorstrom (Elektronenstrom) gesteuert.
Diese Steuerung ist jedoch in ihrem Verhalten asymmetrisch. Während ein Anstieg des Basisstroms schnell den Kollektoremitterstrom ermöglicht, dauert es länger bis die o.g. Vorgänge unterbleiben und das Bauteil zu einem Gleichgewicht mit weniger Strom zurück kehrt. Diese Dauer ist stark vom vorausgegangenen Verhältnis von Basisstrom zu Kollektorstrom abhängig. Stehen mehr Ladungsträger als für den Kollektorstrom nötig sind zur Verfügung (Sättigung), verzögert dies das Abschalten weiter. In Sättigung besteht keine Steuerung des Kollektoremitterstromes, da der Basisstrom nicht der begrenzende Faktor ist.
Bei schnellem Abschalten kann für kurze Zeit ein negativer Basisstrom gleichzeitig mit einem abnehmenden Kollektorstrom fließen. Dieses Verhalten gibt es auch bei der pn-Diode, die Sperrverzögerungszeit. Da es bei der pn-Diode ohne Basis nicht zu einem Überangebot an Ladungsträgern kommen kann, schaltet diese viel schneller ab als ein Bipolartransistor.
Bei schnellen Änderungen des Basisstromes oder in Sättigung gilt die Näherung der konstanten Stromverstärkung nicht. Diese Abschaltverzögerung ist der wesentliche Grund weshalb die schnellsten diskreten bipolaren NPN Siliziumepitaxialtransistoren bestenfalls eine Grenzfrequenz von 1 GHz erreichen. Eine deutliche Verbesserung ist der Heterojunction bipolar transistor.--Moritzgedig (Diskussion) 21:03, 12. Mär. 2020 (CET)
replies: text: Archivierung dieses Abschnittes wurde gewünscht von: Moritzgedig (Diskussion) 10:22, 31. Mär. 2020 (CEST)
thread_title:  dynamisches Verhalten 

message: Der von GiftBot detektierte Link wurde mittlerweile entfernt. Allerdings gibt es erneut einen toten Link. Ich habe im Aschnitt Weblinks folgenden Eintrag entfernt:
* How A Bipolar Transistor Works – Animiertes Modell eines Bipolartransistors (engl.)
Begründung: Der Link verweist auf eine ungenutzte Domain; die Ursprungsseite konnte nicht gefunden werden. Der Links ist nicht als Beleg/Quelle, sondern nur als weiterführender Weblink genannt. --The Bestseller (Diskussion) 19:00, 16. Mai 2021 (CEST)
replies: text: Danke, schau aber mal in die Anleitung zu Vorlage:Literatur, wie ein solcher archiv-link gesetzt werden soll. Ich habe es korrigiert. Grüße --Cepheiden (Diskussion) 22:14, 31. Mai 2021 (CEST)
thread_title:  Defekter Weblink