Diskussion:Thermische Oxidation von Silizium

message: google grad ne Weile bezüglich dieses Themas... Ist die gegebene Formel so korrekt?
:\rm Si + 2\ H_2O(g) \rightarrow SiO_2 + 2\ H_{2}(g) 
habe bereits mehrere Varianten gesehen. So wie sie aber im Text steht, fehlt doch einmal O, nicht? (nicht signierter Beitrag von Foxd1983 (Diskussion | Beiträge) 18:04, 22. Nov. 2009 (CET)
replies: text: Nein die Formel ist ausgeglichen und meiner Meinung nach korrekt. --Cepheiden 19:00, 22. Nov. 2009 (CET)
thread_title:  nasse Oxidation 

message: Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium-Wafer) eine dünne Schicht aus Siliziumdioxid aufgebracht wird. Es wird unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen eingesetzt. 
Nachdem bereits im Dezember 2009 eine Review des Artikels durchgeführt und anschließend noch ein größerer  Abschnitt zur Anwendung mit historischem Hintergrund ergänzt wurde, schlage ich den Artikel nun zur Kandidatur vor. Grüße -- Cepheiden 09:40, 14. Mai 2010 (CEST)
replies: text: * Thermische Oxidation von Silizium wurde schon bei der Review vorgeschlagen. Ich habe mich bis jetzt dagegen entschieden, weil es ein fester Begriff inder Halbleitertechnik ist und kein anderes Verfahren mit diesm Namen in Konflikt steht. Einer Umbennung steh ich aber offen gegenüber. --Cepheiden 21:40, 14. Mai 2010 (CEST)

text: * Wurde in der Einleitung ergänzt. Weitere Beschreibungen werden nach der Ergänzung in schichteigenschaften stehen. --Cepheiden 21:40, 14. Mai 2010 (CEST)

text: * Ich bitte im Fall von "unbelegten" Äußerungen zunächst nachzufragen oder selbst in die ein oder andere Quelle zu schauen. Die Wasserstoffperoxid-Verbrennung wird beispielsweise in Hilleringmann2004 beschrieben. --Cepheiden 21:40, 14. Mai 2010 (CEST)

text: * Darüber weiß ich nichts, hier wäre ich über eine Quelle dankbar. --Cepheiden 21:40, 14. Mai 2010 (CEST)

text: *  Es stimmt, dass die Eigenschaften der Schichten sich nach Oxidationsart unterscheiden. Ähnliche Einflüsse können aber auch Vorreinigung der Oberfläche, Substratqualität und diverse andere Randbedingungen. Es timmt im Übrigen nicht, dass zu den Unterschiedne nichts im Artikel steht. Der Abschnitt ist nur sehr kurz. Leider ist es schwer Informationen zufinden die beide Oxidationsarten gegenüberstellen. Des Weiteren würde eine genaue Darstellung wahrscheinlich den Rahmen eine enzyklopädischen Artikels sprengen, da auch Doktroarbeiten auf diesem Gebiet sich immer nur mit einzelnen Parametern beschäftigen. Ich werde mal meine Augen offenhalten ob ich eine geeignete Quelle finden. --Cepheiden 12:50, 15. Mai 2010 (CEST)

text: Okay, nachdem nun mehrere Nutzer dieses Thema angesprochen haben, habe ich den Artikel gerade nach Thermische Oxidation von Silizium verschoben. Da das lemma ansonsten überhaupt nicht genutzt wird sollte meiner Meinung nach Thermische Oxidation aber eine Weiterleitung auf das neue Lemma bleiben. --Cepheiden 17:52, 20. Mai 2010 (CEST)
replies: text: Angesichts WP:REDIR#Wann sind Weiterleitungen sinnvoll? halte ich das für unangebracht. "Ungenutztes Lemma" ist keine Begründung für eine Weiterleitung. Grüße, Wikiroe 13:46, 21. Mai 2010 (CEST)
replies: text:  Mhh evtl unklar ausgedrückt von mir. Das Argument war nicht "ungenutzt", sondern vielmehr "übliche Bezeichnung in der Halbleitertechnik" (Alternative Bezeichnungen und Synonyme) und da es derzeit nicht in Konflikt mit einem anderen Artikel steht Weiterleitung statt BKL. --Cepheiden 13:52, 21. Mai 2010 (CEST)
replies: text:  Das ist natürlich etwas anderes. Sorry für das Missverständnis. Gibt es außerhalb der Halbleitertechnik andere Verwendungen? Google spuckt da ein paar Ergebnisse zur Umwelttechnik aus. Grüße, Wikiroe 15:03, 21. Mai 2010 (CEST)
replies: text:  Also der Begriff "Thermische Oxidation" ist sicher in der Chemie und angrenzenden Bereiche auch in anderen Zusammenhängen zu finden, andernfalls kann ich mir jedenfalls nicht die Kritik am Lemma erklären. Wo genau ist mir nicht bekannt. Die thermische Oxidation von Silizium kenn ich nur aus dem Bereich Halbleitertechnik/Mikrosystemtechnik, andere Bereiche wurden bislang werder hier noch in der Review genannt. --Cepheiden 11:02, 22. Mai 2010 (CEST)
replies: text: Wenn ich mir so die Treffer bei Google Scholar ansehe, dient TO offenbar auch der Oberflächenbehandlung (z.B.  oder ) Hab keine Ahnung, inwiefern die Verfahren vergleichbar sind, zumindest ist's aber eventuell ein Anhaltspunkt, was für das Lemma TO selbst noch ergänzt werden könnte. Viele Grüße, —mnh·∇· 16:40, 24. Mai 2010 (CEST)
replies: text:  Ja, das zeigt natürlich das "thermische Oxidation" für andere Materialien und in anderen Bereichen genutzt wird. Der Artikel ist ja mittlerweile verschoben. Das sollte also für die Kandidatur nicht relevant sein, oder? --Cepheiden 17:01, 24. Mai 2010 (CEST)
replies: text: _Vermutlich_ nicht, sofern nicht ähnliche Behandlungen auch mit Silicium durchgeführt werden – ob sowas etwa für die Solartechnik oder Ferrosilicium-Verarbeitung sinnvoll wäre, kann ich mangels Fachkenntnis nicht beurteilen. Da müsste der Fachmann weitergoogeln. ;) Viele Grüße, —mnh·∇· 20:24, 24. Mai 2010 (CEST)

text: Ja soweit schon klar nur wenn man dann auf LOCOS-Prozess klickt um zu erfahren wie man denn die Strucktur in die Nitridschicht bekommt steht da nur die wird mit gewöhnlichen ätztechniken (Photolithographie?) Strukturiert das ist für mich als Laien etwas sehr umständlich vieleicht gibt es da nen direkteren link damit man versteht wie denn die Maske zustande kommt.--Saehrimnir 22:43, 30. Mai 2010 (CEST)
replies: text:  Da gibt es zwei Möglichkeiten: additiv oder subtraktiv. Additiv wäre beispielsweise eine Fotolackschicht zu strukturieren (Fotolithografie (Halbleitertechnik)) und so eine "strukturierte" nitridschicht auf dem Silizium abzuscheiden. Subtraktiv wäre entsprechend ganzflächig ein Nitrid abzuscheiden, dann eine Fotolackschicht abscheiden und zu strukturieren (belichten, entwickeln usw) und abschließend die nicht maskierten Bereiche des Nitrids nasschmischen oder bessser mit Trockenätzen zu entfernen. In der realität kommt dann aber noch ein Pufferoxid zwischen dem nitrid und dem Silizium (wegen der Spannungen in den Schichten und der besseren Haftung) ...  Wie war nochmal die Frage? Ich glaub ich komm vom Thema ab. --Cepheiden 23:02, 30. Mai 2010 (CEST)
replies: text: Ja das glaube ich auch. Die Frage war einfach dem Leser des Artikels obige gute Erklärung zugänglich zu machen im kürzesten Falle durch. Das Silziumnitrid wird fotolithographisch strukturiert.--Saehrimnir 04:46, 31. Mai 2010 (CEST)
replies: text:  Da der LOCOS-Prozess einen eigen Artikel hat, habe ich die Kurzversion eingefügt. --Cepheiden 06:52, 31. Mai 2010 (CEST)

text: Das Problem ist wohl der Begriff Hochtemperaturprozess, bei dem zumindest mir nicht klar ist, ob es den nur im Halbleiter-Bereich gibt, oder ob der auch wo anders verwendet wird. --Orci Disk 22:11, 30. Mai 2010 (CEST)

text: Sicher nicht, aber einige hier scheinen manche Begriffe in spezialisierten Artikeln zu allgemein aufzufassen. Das ist für das Verständis (in diesem Moment) negativ, auch wenn ein entsprechender Hinweis und eine Präzisierung/Einschränkung wiederum vorteilhaft für den artikel ist. --Cepheiden 22:55, 30. Mai 2010 (CEST)

text: Ja, so meinte ich es, bei den Siliciden unten ist auch noch mal so was. --Orci Disk 22:11, 30. Mai 2010 (CEST)
thread_title:  Erfolgreiche Lesenswert-Kandidatur vom 14. Mai bis 2. Juni 2010 

message: Die Einheit des Elastizitätsmoduls ist falsch. Der Elastizitätsmodul wird in  \frac{\mathrm{N}}{\mathrm{mm}^2} oder auch \mathrm{MPa} angegeben.
Außerdem ist der Wert an sich unplausibel typische Werte für Gläser sind in der Größenordnung 70\mathrm{GPa}=7\cdot10^{4} \frac{\mathrm{N}}{\mathrm{mm}^2}. Siehe z.B hier 
--84.57.218.5 17:15, 5. Apr. 2013 (CEST)
thread_title:  Schichteigenschaften -- Elastizitätsmodul 

message: aber Beschichtungen auf das Substrat aufbringen. Jedenfalls steht unter Beschichtung der 4. Fall. Sollte der 3. in der Literatur üblich sein, wäre ein Beleg ganz nützlich. (Ist mir auf der HS aufgefallen.) --217.80.236.4 17:18, 4. Mär. 2021 (CET)
replies: text: Hallo, es ist spät und ich hab keine Ahnung was du genau willst. Kannst du dein Anliegen bitte weniger kryptisch beschreiben? Danke -- Cepheiden (Diskussion) 22:29, 4. Mär. 2021 (CET)
replies: text: Im Artikel und auf der Hauptseite steht "aufbringen" mit Dativ. Richtig scheint aber Akkusativ zu sein. --217.80.236.4 22:39, 4. Mär. 2021 (CET)
replies: text:  Danke. Der Grammatikfehler wurde mit der inhaltlichen Verbesserung bzgl. "Beschichten" entfernt. --Cepheiden (Diskussion) 23:03, 4. Mär. 2021 (CET)
thread_title:  Frachter auf dem Ozean aufbringen 

message: Woher die großen Mengen an Silizium kommen, ob der Abbau ökologisch unbedenklich ist und was mit den fertigen (Halbleiter-) Produkten passiert, wenn sie ausgedient haben und entsorgt werden müssen, wäre auch interessant gewesen! --91.8.137.97 19:15, 4. Mär. 2021 (CET)
replies: text: Als zweithäufigstes Element der Erde muss man sich, denke ich, keine Gedanken über die 'großen' Mengen an Silizium machen, das wird aus Quarzsand gewonnen. Silizium selbst ist ökologisch unbedenklich, könnte man sogar essen. Der Abbaus selbst und die Veredelung zu reinem Silizium braucht viel Energie, wie fast jede über das 18. Jahrhundert hinausgehende Technik. Die Frage nach der Ökologie wäre daher besser in einem Artikel zur Stromerzeugung aufgehoben. Was mit den Produkten passiert hängt wohl von den Produkten ab, und sollte, meiner Meinung nach, kein Bestandteil zum hier beschriebenen Ofenprozess sein (der ja selbst nur ein kleiner Teil im Herstellungsprozess der Produkte ist). --217.93.56.131 19:27, 4. Mär. 2021 (CET)

text: Siehe Silizium, bzw. fehlende Punkte dort auf der Diskussionsseite erfragen. Danke --Cepheiden (Diskussion) 22:31, 4. Mär. 2021 (CET)
thread_title:  Rohstoffquellen und Entsorgung