Diskussion:Sputtern

message: Das Bild ist etwas unpassend bzw. teilweise irreführend, der Begriff "Sputtering Gas" macht den eindruck als würde ein Spezielles gas was geputtert (abgeschieden) wird eingeleitet. Ich würd es eher Prozessgas oder ähnlich nennen weil es ja nur "Werkzeug" ist Außerdem ist auf dem Bild das Target unten, bei allen Anlagen die ich bisher gesehen habe ist das Target oben, obwohl das für die Funktion nicht zwangsläufig notwendig ist, ist es doch einfavch eine Tatsache. Die Einkopplung der Hochfrequenz wäre auch noch interessant, die ist ja auch unterschiedlich. Der Hinweis auf Ionenätzen (auch Sputterätzen) fehlt auch (oder ich hab ihn übersehen) Cyberhofi 
Wie du siehst ist das aus der englischen Wikipedia. Ich mag das Bild auch nicht und wollte eignetlich bald mal ein passendes Bild erstellen. Die Darstellung ist eh nicht ganz richtig. Es macht fast den Eindruck als wenn das "sputteriing gas" aus Argonionen besteht und schräg auf das Target beschleunigt werden. Wie gesagt mir gefällt die Darstellung nicht --Cepheiden 20:08, 6. Feb. 2007 (CET)
replies: text: Ja, stimmt. Ich hab mal die Version kurz überarbeiten und jetzt mehr wert auf mögliche Einzelreaktionen gelegt, die dann im Text erklärt werden können (1-5). --Cepheiden 09:47, 9. Feb. 2007 (CET)

text: Nur ein kleiner, unwichtigerer Kommentar zum Target. Bei uns (Versuchsanlagen) ist die Kathode mit dem Target immer unten, das zu besputternde Substrat wird von oben genähert. Aber wie (Cyberhofi) bereits erwähnte ist das für den Prozess unerheblich.--Hbote 10:40, 6. Jan. 2011 (CET)

text: Das Bild ist ja inzwischen verbessert worden. Was noch stört, ist das Reaktionsgas, das scheinbar immer mit einströmen soll. Es ist ja für den Sputterprozess nicht zwingend erforderlich und wird nur genutzt, um chemische Reaktionen mit den Targetatomen einzugehen, um z. B. Oxyde oder Nitrit zu generieren. Man könnte es einklammern oder mit "optional" versehen. --Cabfdb 07:54, 19. Jul. 2011 (CEST)
replies: text:  Deswegen steht ja in der Bildbeschreibung der Zusatz "(reaktive HF-Sputterdeposition)". Das Bild erhebt nicht den Anspruch alle Formen oder die Grundform des Sputterprozesses zu beschreiben. --Cepheiden 15:43, 19. Jul. 2011 (CEST)
thread_title: Bild

message: Könnte mal jemand vom Fach dem Rest von uns erklären, wofür dieses Verfahren eigentlich angewandt wird? Ein separater Anwendungs-Teil wäre nett, am besten mit Verweis auf Alltagsgegenstände: "In solcher Weise beschichtete Materialien findet man zum Beispiel im Auto(?), bei Solarzellen(?), ...". Danke! 
-- mauriceKA 16:35, 27. Mär. 2009 (CET)
replies: text: Ich habe mal einen Anfang gemacht, so dass hier nach und nach aus den zahlreichen Anwendungsfeldern auch konkrete Beipiele folgen. --Cepheiden 20:36, 27. Mär. 2009 (CET)
thread_title:  Anwendungen 

message: Hallo, der Absatz hier macht für mich wenig Sinn. Meiner Meinung nach bezieht er sich auf das Reinigungs-Sputtern. Aber warum sollte man Schmutzatome wieder an die Oberfläche binden wollen? Und wenn man hier "Annealing" mit "Anschmelzen" gleichsetzt trägt, dies sicher nicht zu einer besseren Erklärung bei. Wenn keien Gegenmeinungen oder Verbesserungen kommen, lösche ich den Satz (Zumal er unkommentiert von einem IP-Nutzer eingetragen wurde []) --Cepheiden 09:04, 1. Okt. 2009 (CEST)
replies: text: Zumindest wird das Annealen dazu benutzt Kristallfehler zu beseitigen, da durch die zusätzliche thermische Energie eine Kristallfehlerumordnung geschehen kann (unabhängig von Schmutzatomen).--Hbote 10:43, 6. Jan. 2011 (CET)
replies: text:  Ja, das es genutzt wird, ist doch gar nicht strittig. Eine Nutzung zu Rekristallisation wird auch gar nicht erwähnt. Strittig ist die Nutzung zur "Schichtreinigung". --Cepheiden 11:18, 6. Jan. 2011 (CET)

text:  mit ein paar kleinen Änderungen wird der Absatz ganz oben richtig: 
   - ersten Satz streichen. Blödsinn. Einzelne Atome ins Kristallgitter pressen ;-) Redeposition zB von Oxiden aus den Wänden eines Kontaktlochs ist etwas völlig anderes und passiert eher bei zu hoher Ar+ - Energie.
   + "nicht" zwischen Schmutzatome und wieder  
   - annealing/anschmelzen einfach streichen.
Meist fängt man ja mit dem Ausheizen an, um die leicht flüchtigen Sachen an der Oberfläche (zB adsorbiertes Wasser) schon mal der Vakuumpumpe zu übergeben. (nicht signierter Beitrag von 91.2.248.62 (Diskussion) 19:40, 28. Feb. 2011 (CET)
thread_title:  Sputtern und Ausheizen 

message: Hallo,
meiner Meinung nach sollte man die Einführung etwas ändern: "...bei dem Atome aus einem Festkörper [...] herausgelöst werden". 
Durch diese Formulierung entsteht der Eindruck einzelne Atome würden durch die Ionen herausgelöst. Ein wichtiger Effekt den unsere Arbeitsgruppe durch das Sputtern nutzt, ist aber gerade der Umstand dass durch die hohe Energie der Ionen beim Sputtern auch größere Bruchstücke herausgelöst werden und so die Stöchiometrie weitestgehend erhalten bleibt (im Gegensatz z.B. zum einfachen Verdampfen). (nicht signierter Beitrag von 77.11.112.198 (Diskussion) 10:31, 6. Jan. 2011 (CET)
replies: text: Und wie sieht dein geänderter Vorschlag aus? Da die Form der herausgelösten Teilchen von der Energie abhängt, sollte man auch nicht den Eindruck erwecken, dass beim Sputtern größere Atomcluster freigesetzt werden. Und zumindest beim Reinigungssputtern ist die Vorstellung, dass nur einzelne Atome abgelöst werden, nicht falsch. --Cepheiden 11:26, 6. Jan. 2011 (CET)
thread_title:  Anfangsbeschreibung 

message: Es wird nichts darüber erklärt, warum die Technologie im Vakuum angewendet wird. Bitte anfügen.
28.11.2011 --(nicht signierter Beitrag von 62.2.204.182 (Diskussion) 08:19, 28. Nov. 2011 (CET)
replies: text: Ich glaube nicht, dass das erklärt werden muss. Wie willst Du was aufsputtern, wenn die Oberfläche binnen Bruchteilen einer Mikrosekunde mit mindestens einer Atomlage "Luft" bedeckt ist? (Hilft Dir das für die Schule?), --He3nry Disk. 08:21, 28. Nov. 2011 (CET)
replies: text:  Darum geht es weniger, wichtiger ist die mittlere freie Weglänge, damit die Teilchen nicht ständig gestreut werden oder gar mit der Luft reagieren oder sich zu größeren Partikeln zusammen lagern. Hier könnte man durchaus mal ein zwei Sätze zu sagen. --Cepheiden 08:40, 28. Nov. 2011 (CET)
replies: text:  Also Vakuum ist eigentlich nicht unbedingt noetig, sofern man in seiner Kammer nur Edelgase hat, kann der Druck auch ein wenig hoeher sein. Hab auf einer Konferenz auch mal ein Verfahren gesehen, bei dem absichtlich hoher Druck eingesetzt wurde und das Substrat nicht in Sichtline vom Target war und dann die Atome ueber das Gas transportiert wurden... solange die Technik aber nicht relevant ist kann man den Artikel so lassen. --Do ut des (Diskussion) 14:07, 18. Dez. 2012 (CET)
replies: text:  Hallo, also was ist denn ein "hoher Druck"? Hier müsste man schon Zahlenwerte angeben oder wenigstens sagen ob er sich im Bereich des Atmosphärendrucks (vgl. Grobvakuum) oder gar darüber bewegt. Bitte solche atypischen Verfahren belegen. --Cepheiden (Diskussion) 15:10, 18. Dez. 2012 (CET)
thread_title:  Nachfrage Vakuum 

message: Wie wird das i.A. im Deutschen ausgesprochen: eher "deutsch" [​ˈ​ʃpuˌtɐn] oder eher "englisch" [ˈspʌˌtɐn]? --Zinnmann d 09:58, 3. Apr. 2017 (CEST)
thread_title:  Aussprache im Deutschen 

message: Das Unternehmen hatte sehr schöne Absätze unter "Aktivitäten" aufgeführt. Ich kopiere die Inhalte hierhin, falls sie noch Verwendung finden können:
"Das Prinzip des Magnetronsputterns basiert auf einer kontinuierlichen Argon-Gasentladung, dem Plasma. Das Plasma wird bei Unterdruck durch eine Hochspannung von bis zu 1000 V gezündet. Das an dem Magnetron befestigte Targetmaterial wird durch den Beschuss mit Argon-Ionen zerstäubt und scheidet sich als dünne, gleichmäßige und kompakte Schicht auf der Glasoberfläche ab. Bei nicht reaktiven Sputterprozessen, wie bspw. von Metallschichten, setzt sich das zerstäubte Kathodenmaterial direkt auf der Glasfläche ab, während es beim reaktiven Sputtern von Oxiden oder Nitriden mit Reaktivgasen vor dem Abscheiden auf der Glasfläche reagiert." 
"Reaktive und nicht reaktive Sputterprozesse werden in einem einzigen Beschichtungsvorgang aufgebracht. Durch den Einsatz von Doppelmagnetrons lassen sich hochisolierende und hochresistente Siliziumoxidschichten als Basismaterial für optische Funktionsschichten wie bspw. Antireflexsysteme herstellen. Die damit erzielte Entspiegelung beträgt > 99 %."--Zelos2021 (Diskussion) 11:26, 24. Aug. 2022 (CEST)
thread_title:  Inhalte aus Artikel [[Flabeg]]