Diskussion:Transistor/Archiv

message: Im Kleinsignal-Ersatzschaltbild wird die Stromquelle am Ausgang entweder durch das Produkt der Stromverstärkung und des Basis-Stromes oder durch das Produkt der Steilheit (Vorwärtssteilheit) und der Basis-Emitter-Spannung beschrieben. In dem hier vorliegenden Artikel wird die erste Version bevorzugt und der Transistor als stromgesteuerte Stromquelle beschrieben. Ist diese Betrachtung nicht nachteilig gegenüber der Betrachtung der spannungsgesteuerten Stromquelle? 
Die Stromverstärkung ist zum einen eine Funktion der Temperatur als auch eine Funktion des Kollektorstromes und ist meines Wissens nach nicht mittels einer Formel direkt beschreibbar (ich bin bis jetzt noch auf keine derartige Beschreibung gestoßen), da diese Effekte nicht proportional oder ähnliches sind. Im Gegensatz dazu ist die Vorwärtssteilheit direkt aus der Shockley-Gleichung ableitbar und beschreibt den Transistor über einen weiten Bereich sehr genau. Lediglich die beiden extremen Randbereiche (sehr niedriger bzw. sehr hoher Kollektorstrom) weichen von der Beschreibung auf Grund von verschiedenen Effekten ab. Ist demnach nicht die Beschreibung als spannungsgestuerten Stromquelle der Anderen vorzuziehen?  
:Also, einen Bipolartransitor mit einer spannungsgesteuerte Stromquelle modellieren kann, ist mir nicht bekannt. Soweit ich weis wird für die Ersatzschaltung beim Bipolar die stromgesteuert und für FET die spannungsgesteuerte Stromquelle genommen. Die Stromverstärkung beim Bipolar ist meiner Meinung nach nur temperaturabhängig (jedenfall im normalen Betriebsbereich). --Cepheiden 22:30, 12. Okt 2005 (CEST)
replies: text: "Emitter-Kollektor" ist richtig. Das ist genau der Witz beim Transistor, dass das Bisschen Basisstrom genügt, um den mehrere hundertfach stärkeren Strom zwischen Kollektor und Emitter zu steuern. -- Lukian 17:48, 5. Apr 2004 (CEST)
replies: text: War ein Fehler in meinem Skriptum ;-) Aber danke für die schnelle Antwort! TRauMa 01:26, 6. Apr 2004 (CEST)

text: Versuch für Laien: Transistoren sind kleine Bauelemente, die als Verstärker oder Schalter praktisch in allen elektronischen Geräten enthalten sind: Im kleinen Taschenradio oder im Walkman einige wenige, im Handy -zigtausende und im Computer hunderte von Millionen. Ein einzelner Transistor ist eine kaum erbsengroße Kapsel aus Metall oder Plastik, die im Inneren eine ausgeklügelte Anordnung dreier Siliziumschichten enthält. An diesen Siliziumschichten sind drei Drähte angebracht, die aus der Kapsel herausragen. Einen Draht nennt man Basis, den zweiten Kollektor und den dritten Emitter. Was so ein Transistor gut kann, ist das Verstärken von Strom. Z.B. liefern Mikrofone sehr schwachen Strom, der im Takt der aufgenommenen Töne vibriert. Ein Lautsprecher, der Töne laut wiedergeben soll, braucht aber sehr viel stärkeren Strom, als das Mikrofon liefern kann. Und hier hilft der Transistor: durch die Anschlussdrähte, die Emitter und Kollektor heißen, kann man einen Strom schicken, der stark genug ist, um den Lautsprecher tönen zu lassen. Wenn man nun den schwachen Strom, den das Mikrofon erzeugt, gleichzeitig in den Basisdraht hineinschickt, dann schafft es der Transistor (denn genau das ist sein Job!), dass der starke Strom zwischen Emitter und Kollektor ganz genau mit gleichem Takt und gleicher Form vibriert, wie der schwache Basisstrom, der vom Mikrofon kommt: Der Transistor sorgt so durch seine Stromverstärkung dafür, dass unser Lautsprecher wirklich laut wiedergibt, was das Mikrofon gerade aufnimmt. Bleibt noch die Frage, wie Millionen von Erbsen in den Computer passen. Das kommt daher, dass die Transistoren im Computer extrem klein aufgebaut und in den Schaltkreisen ganz dicht gepackt sind: da passen Millionen in einen Fingerhut. --  Lukian 20:29, 10. Mai 2004 (CEST)
thread_title:  Betreff Steuerung des Transistors 

message: Ist diese Formulierung nicht etwas unglücklich: Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt? -- Pjacobi 00:29, 3. Okt 2004 (CEST)
thread_title:  Arbeitsbereiche 

message: folgende Vorschläge habe ich als jemand der sich als Lernender mit dem Thema beschäftigt:
:*ich finde dieses Thema hätte es verdient neu strukturiert zu werden. Es gibt zum Teil rel. detaillierte Artikel, aber viele Informationen (Text, Bild, Formeln) tauchen mehrfach auf. Dies macht es gerade für Laien schwer einen Einstieg zu finden. Ich werde mich heute Abend mal an Modelle zur Funktionsweise von Transistoren machen.
:*m.E. steht im Unterpunkt "Arbeitsbereiche" alles, was in "Verstärkungsfaktor" schon vorweggenommen wurde. gilt die genannte Formel für alle Arten von Transistoren ...?
viel angekündigt. -- Babylon_Inc 8:23, 8. Okt 2004 MESZ
:Prima! Mach! -- Stahlkocher 09:26, 8. Okt 2004 (CEST)
replies: text: Du hast vollkommen recht. Ich würde im Artikel Transistor nur allgemeines schreiben, also ne Erklärung (für Oma) der Funktion und der Anwendungen  , und die Historie. Detaillierteres (Bipolar-Transistorschaltungen, Kennlinien, detaillierter Aufbau usw) sollte dann in die Artikeln Bipolartransistor, FET usw., worauf man ja dann von hier verlinken kann.--Jdiemer 17:47, 10. Feb 2005 (CET)
replies: text:  Sollen wir dann die Änderung vornehmen? --Cepheiden 18:53, 13. Feb 2005 (CET)
replies: text:  Ja, hau rein! :-) Du hattest ja schon etwas geändert (Bipolar-Kennlinien von Transistor nach Bipolartransistor verschoben), aber das wieder rückgängig gemacht. Wieso? --Jdiemer 00:55, 16. Feb 2005 (CET)
replies: text:  Öhm, ich hab deutlich mehr kopiert. Die Kennlinien habe ich wieder zurück kopiert weil die sich auf Bipolar und FETs beziehen. --Cepheiden 15:33, 16. Feb 2005 (CET)
replies: text:  Oh ja, hab ich übersehen, sorry. Das Kapitel über Kennlinien sollte man aber aufbröseln nach Bip und FET, und für den Transistor-Artikel verallgemeinern. --Jdiemer 17:13, 16. Feb 2005 (CET)
thread_title:  Strukturierung 

message: Wieso ist der Artikel gesperrt??--Ot 18:38, 27. Feb 2005 (CET)
replies: text: - selbsterklärend denke ich.--Trexer 19:45, 27. Feb 2005 (CET)
replies: text: so langsam könnte man ihn aber mal wieder freischalten! --Trexer 19:49, 27. Feb 2005 (CET)
thread_title:  Sperrung 

message: Ist zwar schon lange her, daß ich mit FET's experimentiert und gebastelt habe, aber in dem Artikel stört mich eine Aussage: "Die Steuerung erfolgt (nahezu) stromlos."  Entweder ist die Steuerung stromlos oder nicht. Da hier kein Streit entstehen sollte, schlage ich vor mal eine Stromstärke anzugeben die gewöhnlicherweise dabei auftritt. Wenn die Stromstärke so klein ist daß diese kaum meßbar ist kann man ja auch ein "Kleinergleich-Zeichen" mit einer entsprechenden Zahl einsetzen. Das ergibt wenigstens Information mit der man was anfangen kann. --217.234.111.80 13:59, 14. Apr 2005 (CEST)
replies: text: Das Problem ist, dass der Ansteuerstrom stark frequenzabhängig ist, eine einfache Angabe ist so schwer möglich. --Jdiemer 14:49, 14. Apr 2005 (CEST)
replies: text:  Genau, der Ansteuerstrom von FETs unterscheiden sich jenach Schaltfrequenz, Transistortypen und der jeweiligen Bauform. Ein allgemeine Aussage ist da schwer zu treffen. Der Ansteuerstrom setzt sich ja bei FETs nur aus dem im Gate gespeicherten bzw. "umzuschichtenden" Ladungen zusammen. Im statischen Fall ist der Gatestrom näherungsweise null (Gateleckströme vernachlässigbar klein ca. 10^-18 A/µm²). Der Gatestrom ist auch im dynamischen Fall um einige Größenordnungen kleiner als der Drainstrom, und kann von daher auch vernachlässigt werden. Das alles gilt natürlich nicht für sehr kleine Gateoxiddicken, da spielen nachher schon Tunneleffekt u. a. mit und erhöhen den Leckstrom.. Die Formulierung "Die Steuerung erfolgt (nahezu) stromlos." ist aber wirklich mist, da sollte man etwas anderes finden. Genauer spezifiziert werden, kann das aber in den Artikeln der jeweiligen Varianten. --Cepheiden 17:33, 14. Apr 2005 (CEST)
thread_title:  FET's 

message: es gib früher die übliche bezeichnung des differentiellen widerstands im arbeitspunkt; sprich die steilheit der kennlinie im arbeitespunkt. wurde als maß für die verstärkung in kombination mit dem kollektorwiderstand unterrichtet; soll man das noch einbauen oder ist es eher veraltet?
: Nein das ist auf garkeinen Fall veraltet, es ist nachwievor ein wichtiger Parameter. Aber er sollte nicht im Artikel "Transistor" behandelt werden, sondern in den Artikeln der jeweiligen Transistorvarianten behandelt werden. Da es sich aber ein Kleinsignalparameter handelt ist es rf.--Cepheiden 11:30, 17. Apr 2005 (CEST)
replies: text: Achso, statt des differentiellen Widerstands rf wird aber meist dessen Kehrwert genutzt, die Vorwärtssteilheit g_{Tf}=\frac{dI_{T}}{dU_{BE}}. --Cepheiden 19:49, 17. Apr 2005 (CEST)

text: Strom zu verstärken ist nicht das Einzige, wofür man einen Transistor benutzen kann. Wenn man z.B. zwei Spannungspegel ("niedrig" und "hoch") als binäre Zahlenwerte auffasst ("0" und "1"), dann kann man einen Transistor auch dafür einsetzen, um den einen Wert in den anderen umzuwandeln ("Inverter"). Zwei Transistoren kann man über Widerstände so miteinander verbinden, dass die Gesamtschaltung ein Bit speichern kann. Diese Zusammenschaltung nennt man "bistabile Kippstufe" oder Flipflop. Man kann mehrere Transistoren auch so zusammenschalten, dass sie weitere Operationen mit Binärwerten leisten, z.B. als Und-Gatter das "Ausrechnen" des Ergebnisses einer logischen Konjunktion. Aus mehreren Gattern kann man weitere Rechenschaltungen zusammensetzen: Addierer, Multiplizierer, und zusammmen mit genügend bit-Speichern als Register kommt man dann bis zu ganzen Prozessoren wie auch solchen auf einer Grafikkarte. -- Lukian 11:15, 28. Aug 2005 (CEST)
thread_title:  STEILHEIT R<sub>f</sub> 

message: Bild:Transistor.png
Bild:Diac.svg
Bild:Triac.png
Sind bei den verwaisten Bildern aufgetaucht, falls noch benötigt. --Gruß Crux 16:27, 31. Mai 2006 (CEST)
replies: text: Ich denke die Bilder sind veraltet und können gelöscht werden. Noch dazu gehören die Abbildungen für Diac und Triac in die entsprechenden Artikel. siehe auch: Liste der Schaltsymbole. — MovGP0 13:36, 23. Jul 2006 (CEST)
thread_title: verwaiste Bilder

message: Gehört der Transistor nicht in die Kategorie "Aktives Bauelement"? Ich vermisse ihn dort. Leider kann ich das nicht selber ändern... Noch 4 Tage... --Der Burgstädter 23:14, 3. Aug 2006 (CEST)
thread_title:  Kategorie 

message: Sie liesen (ß bitte) sich mit den damaligen Kenntnisstand nicht wirtschaftlich fertigen und waren umständlich zu handhaben.
: Danke für den Hinweis. Sei mutig! --Cepheiden 07:32, 7. Dez. 2007 (CET)
replies: text: Danke, erledigt. --Jdiemer 14:06, 17. Dez. 2007 (CET)

text: danke, korrigiert. --wdwd 20:59, 23. Dez. 2007 (CET)
thread_title:  Kleiner Rechtschreibfehler 

message: Der Artikel war in der Tat etwas konfus. Den Abschnitt über Kennlinien hab ich mal entfernt: das gehört eindeutig in die zahlreichen Detailartikel zu speziellen Transistortypen und ist auch dort erwähnt. Statt dessen ist meiner Meinung eine grobe Übersicht über Schaltsymbole und ein wenig Rundumerklärung ohne viel Details wesentlich besser angebracht (wer hat in der Elektronik schon mal nicht, in Anlehnung an die meist eher bekannten npn-Transistoren, die Pfeilrichtung bei n-Kanal-FETs leider verkehrt herum gezeichnet.. :). --wdwd 16:16, 9. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: Ebenso wenig wie die Kennlinien hat die Beschreibung der Schaltsymbole etwas in dem Artikel zu suchen. Erst recht da es sich um eine triviale Umschreibung der Symbole und nicht um eine Erklärung handelt. Eine Übersichtliche Darstellung der typischen Schaltsymbole mit entsprechender Beschriftung wäre hier vollkommen ausreichend. Außerdem werden mit den Bearbeitungen der letzten Tage zunehmend Sachverhalte im Artikel wiederholt. --Cepheiden 00:34, 11. Sep. 2007 (CEST)
replies: text:  Ja, das stimmt teilweise schon. Das Problem ist halt welchen Inhalt man in einen Übersichtsartikel ohne all zuviel Details hineinnehmen sollte. Die Wahl der einzelnen Überschriften finde ich auch nicht sehr glücklich, mir sind keine besseren Inhalte eingefallen. Wenn jemand konkrete Ideen/Vorstellungen hat, die mehr passen, nur zu. --wdwd 20:29, 11. Sep. 2007 (CEST)

text:  So, kleinere Radikalkur: Das von mir etwas unglücklich, zusätzlich gewählte Kapitel über Schaltzeichen hab ich mit der Einteilung etwas systematischer zusammengefasst. Und damit die durchaus zu recht kritisierten Redundanzen aufgelöst. --wdwd 18:34, 14. Sep. 2007 (CEST)

text: Erledigt. --Jdiemer 08:49, 27. Sep. 2007 (CEST)

text: Nunja, der Transistor-Artikel ist ein Übersichtsartikel in dem nur kurz gesagt wird welche Arten es gibt usw. Hast du schonmal in den Hauptartikel vom Bipolartransistor, über den redest du offensichtlich, geschaut? --Cepheiden 18:40, 26. Feb. 2008 (CET)
thread_title:  Überarbeitungen 

message: Was waren das eigentlich für schwarze kleine Boxen in den Empfängern der Soldaten im 2. Weltkrieg?
Der Aufdruck lt. Zeitzeugen soll Siemens gewesen sein.  Denkt Ihr wirklich, der Germaniumtransistor wurde von den Amis erfunden. Das Patent ist deutsche Kriegs-Wiedergutmachung. Zum Beweis solltet Ihr mal Zeitzeugen befragen, bevor es zu spät ist. (-- Valentin2007 11:49, 19. Aug. 2007 (CEST)
replies: text: Vermutlich die damals verbreiteten Detektorempfänger und darin die als Kristall-Detektor (=Diode) genutzten Materialien Bleiglanz und Pyrit, die samt der Nadel (Justage) zum Schutz in entsprechenden Gehäusen untergebracht waren. Aber, falls es Dich beruhigt: Die ersten Patente von den heute großteils genutzten Feldeffekttransistoren gehen nachweislich auf Deutsche zurück, wie auch im Artikel beschrieben.--wdwd 16:33, 9. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: Richtig. Aufwendig gewickelte Spule, Kristall mit fummelig einstellbarem Berührungsdraht, Kopfhöher. Und schon konnte man starke Sender hören. Verstärker und Transistoren (=Doppeldiode) fehlten. Später kam die Röhre als Verstärker hinzu.--Kölscher Pitter 17:29, 9. Sep. 2007 (CEST)
thread_title:  Germanium-Transistor 

message: Das ist zweifellos der richtige Fachbegriff. Aber dieser muss erläutert werden, denn man kann die Kenntnis dieses Begriffs nicht bei jedem Leser voraussetzen. Fehlendes Elektron = Loch. So ähnlich wird die Erläuterung sein.--Kölscher Pitter 17:01, 9. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: Wikilink auf diesen speziellen Fachbegriff zum Weiterlesen ist gesetzt.--wdwd 18:06, 9. Sep. 2007 (CEST)
thread_title:  Defektelektronen 

message: Warum kommt in deutschen Fachartikeln die Geschichte immer als erstes? Für mich ist die Reihenfolge immer anders. Was ist es? Wie funktioniert es? Welche Bedeutung hat es? Wer hat's gemacht?--Kölscher Pitter 17:09, 9. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: Nun, wir schreiben hier ja kein Fachbuch. Sondern wirken mehr oder weniger an einer Enzyklopädie mit. Und da ist meiner Meinung ein geschichtlicher Abriss, so möglich und passend, schon sinnvoll. Und rein von der Abfolge macht es für mich auch Sinn in diesem Kontext, die Geschichte und deren Abfolgen zuerst zu bringen. Da passt das Bild und Zusammenhänge dann meist besser, als wenn man sich gleich in irgendwelche Details verliert. Und eine grobe Erklärung in wenigen Sätzen sollte sich in der Einleitung finden, was ja so mehr oder weniger auch der Fall ist. Details wie und was und wie es funktioniert kommen für den geneigten Leser dann später im Artikel - oder wie in diesem Fall als Art "Übersichtsthema", sind Details einzelnen Unterartikeln vorbehalten um Redundanzen möglichst zu vermeiden.--wdwd 18:05, 9. Sep. 2007 (CEST)
thread_title:  Geschichte 

message: Im Anfang war die Diode da. Dann kam die Doppeldiode. Habe ich da was überlesen?--Kölscher Pitter 17:40, 9. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: Hmm, was meinst Du genau? Geschichtliche Entwicklung? Könnte man noch einbauen. Befürchte aber, das verwirrt da diese Doppeldiode als Ersatzvorstellung öfter kommt. Oft sogar zur Erklärung der Funktionsweise eines Bipolartransistors verwendet wird, aber das ansich ein falsches (Vorstellungs)modell ist.--wdwd 17:58, 9. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: Ok. Mir wurde noch dieses Modell vorgesetzt. Dennoch sollte am Anfang was stehen über Halbleitermaterial. Wenn ich Halbleiterbauelement anklicke, dann lande ich in einer Sackgasse.--Kölscher Pitter 18:30, 14. Sep. 2007 (CEST)
thread_title:  Doppeldioden 

message: Hallo, die Tabelle mit der Anzahl der Transistoren ist etwas Intel-lastig. Es wäre schön wenn hier noch andere Hersteller mit ihren Spitzenprodukten (Sun, IBM, AMD usw.) zur jeweiligen Zeit auftauchen würden.--Cepheiden 00:04, 11. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: Hab die Tabelle um andere Hersteller erweitert. --wdwd 19:54, 14. Okt. 2007 (CEST)

text: Ok, habs mit absoluter Zeitangabe versehen, sonst muss man das alle paar Monate umeditieren. Hast Du Quellen bzw. konkrete Beispiele für 45 nm Chips welche rund Mitte 2007 in Serienfertigung waren/sind (eher nicht Prototypen)?--wdwd 18:19, 9. Dez. 2007 (CET)
thread_title:  Anwendungsbereiche 

message: Der Abschnitt Varianten ist nicht sehr glücklich. Sowas lässt sich meiner Meinung besser mit einer eigenen Kategorie Transistor realisieren. Zum einen gibt es schon eine grosse Anzahl von Artikel über spezielle Transistortypen bzw. auch das Umfeld wie mathematische Beschreibungen dazu. Zum anderen kann dann jeder einfach diese Kategorie ansehen und bekommt genau eine Liste der entsprechend einsortierten Artikel - also das und noch ein wenig mehr was jetzt der Abschnitt Varianten in schlechter Form darstellt.
Wenn kein grosses Contra kommt, werde ich demnächst den Abschnitt Varianten ersatzlos streichen und dafür eine entsprechende Kategorie zusammenstellen.--wdwd 21:49, 14. Sep. 2007 (CEST)
replies: text: done. --wdwd 13:55, 15. Sep. 2007 (CEST)
thread_title:  Abschnitt Varianten 

message: Leider ist der Artikel zum Editieren geperrt. Deshalb ein kleiner Hinweis: Das Wort Transistor ist ein Kunstwort und heisst "transfer resistor", auf Deutsch "Übertragung des Widerstands". Ich hatte das vor langer Zeit in einem Buch gelesen, dessen Titel ich heute nicht mehr weiss. Bitte den Artikel mit dieseer Information ergänzen. Reinald 79.206.224.32 14:11, 16. Dez. 2007 (CET)
replies: text: Es stehen schon zwei verschiedene (alternative?) Erklärungen zur Herkunft dieses Kofferwortes im Artikel. Beide ohne Quellenangabe. Ich kanns auch nicht nachvollzuiehen was und welche Versionen da nun passen mag. Es wäre vorbildhaft, eine weitere dritte Deutung dieses Kofferwortes mit Quellen belegen zu können. --wdwd 20:40, 17. Dez. 2007 (CET)
replies: text:  Was da bei der englischen Version steht, klingt ziemlich authentisch: http://en.wikipedia.org/wiki/Transistor#History  --  Lukian 22:13, 17. Dez. 2007 (CET)
replies: text:  Im Artikel Kofferwort wurde der Transistor sogar als Beispiel aufgeführt. Für seriöse Quellenangaben habe ich ein wenig im Google recherchiert. Die Suchmaschine gibt beim Suchbegriff transfer resistor als 2. Link den Nobelprize.org (Englisch), wo die Wortherkunft erklärt ist. Google liefert noch viele weitere Treffer zum genannten Suchbegriff. Reinald 79.206.231.221 17:09, 20. Dez. 2007 (CET)

text: Hallo Peter Bergner, danke für die Informationen; mir scheint, es könnte sich hier um sowas wie ein Missverständnis handeln. Was die etymologischen Wurzeln von "Trans..." angeht, hast Du zweifelsfrei recht, noch ist ja Latein keine Geheimwissenschaft. Mir schien aber die Frage nach "Herkunft dieses Kofferwortes" sich nicht so sehr auf die etymologische Wurzel von "Trans..." zu beziehen, sondern mehr darauf, wie die machenden Techniker damals gedacht haben, um zu einer geeigneten Bezeichnung für dieses neue Bauelement zu kommen. Als Deutscher hätte man vielleicht über Bezeichnungen wie "stromverstärkende variable Widerstandstriode" nachgedacht, die englisch sprechenden Erfinder haben in Begriffen wie "Semiconductor Triode", "Solid Triode", "Surface States Triode", "Crystal Triode" and "Iotatron", "transconductance", "transfer", "varistor" gedacht und daraus dann eben "Transistor" gemacht, ohne sich wohl vordergründig um die etymologischen Wurzeln der Wortbestandteile zu kümmern. --  Lukian 12:20, 24. Dez. 2007 (CET)
thread_title:  Namensherkunft 

message: Zwei Dinge könnte man meines Erachtens in diesem Absatz noch verbessern. Zum einen erweckt die Formulierung der Überschrift mit den Klammern den Eindruck, bei MISFET und MOSFET würde es sich um zwei Bezeichnungen für den gleichen Typ handeln. Im darauffolgenden Absatz wird aber erklärt, dass MOSFET eine Art von MISFET sind. In der "Praxis" wird man die Begriffe wohl synonym verwendet, wobei ich zugeben muss, dass mir die Bezeichnung MISFET noch nie untergekommen ist.
Zum anderen existiert der Artikel Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur, auf den weder in diesem Artikel noch in IGFET verwiesen wird. Sofern es fachlich korrekt ist, sollte der Verweis wohl noch eingefügt werden.
Achja, gibt es eigentlich eine Richtline für die Verweise auf Hauptartikel? Oder gelten diese mittlerweile als verpönt?
--Aule 19:44, 1. Jan. 2008 (CET)
replies: text: Hi, die Überschrift dieses Absatzes war ursprünglich "MOSFET", wurde dann nachdem auf die Allgemeinheit des Begriffes MISFET hingeweisen wurde, auf "MISFET" geändert. Und dann wurde die Überschrift auf "MISFET (MOSFET)" geändert, vermutlich weil der Betreffende auch mit dem eher wenig geläufigen Begriff MISFET nichts direkt anfangen konnte. Meiner Meinung wärs am Besten die Überschrift wieder nur auf MISFET zu ändern und den zusätzlichen Link den Du vorschlägst zu setzen. Randhinweis: Der Artikel IGFET verweist auf den Artikel Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur.--wdwd 12:23, 2. Jan. 2008 (CET)
thread_title:  MISFET (MOSFET) 

message: "Sie unterließen es, diese grundlegenden Lilienfeld-Patente in ihren Veröffentlichungen, späteren Forschungsberichten oder historischen Berichten zu erwähnen. [...] William B. Shockley, John Bardeen und Walter Brattain erhielten dafür 1956 den Nobelpreis für Physik."
Also ich weiß nicht ob ich da der einzige bin, aber bei der vermeintlichen Aussage des zweiten Satzes muss ich schon schmunzeln. Vielleicht sollte man das mal klarer formulieren! ;-) --Xav 22:17, 6. Apr. 2008 (CEST)
replies: text: hehe, ein Schelm der böses dabei denkt. Ich hab das mal etwas geändert--Cepheiden 07:42, 7. Apr. 2008 (CEST)
replies: text:  *kicher* -- Smial 10:08, 7. Apr. 2008 (CEST)
thread_title:  Unfreiwillig komisch 

message: Ich kann leider das Thema Transistor nicht unangemeldet bearbeiten, vieleicht macht das mal einer der das kann....
Es hat sich ein Fehler eingeschlichen. Die Isolationsschicht eines MOSFET besteht nicht aus Metaloxid sondern aus Siliziumoxid. 
1...yes, noch genauer -dioxid...
2...z. Geschichte...Oskar Heil hat nicht konstruiert, sondern am 2.3.1934 britisches Patent 439457 für ein MOSFET-Aufbau erhalten. Die ersten MOSFET wurden 1960 gefertigt.  
Quelle ist Seite 102 von
http://books.google.de/books?id=gjgmmY1S1uUC&pg=PA102&lpg=PA102&dq=oskar+heil+fet&source=bl&ots=m_fSDcbkZx&sig=0-QFM-cQnBDLEd1WYnpx60-Udz0&hl=de&sa=X&oi=book_result&resnum=13&ct=result#PPA102,M1
: Teilweise richtig. 1. ist es ein Schichtsystem aus 3 Komponenten (Leiter, Isolator, Halbleiter). Als Leiter wurde früher Aluminium genommen (dann ab den 1980ern dotiertes polysilizium, und bei Intel seit ein paar jahren wieder ein Metall). Als Isolator (um das es hier wohl geht) wurde bis vor kurzen fast ausschließlich Siliziumdioxid genommen. Intel arbeitet seit dem Umstieg auf "Metal gate" wohl mit hafniumdioxid (also einem Metalloxid). Der Umstieg auf Metalloxide mit hoher Permittivität (high-k-Materialien) wird in zukunft sicher auch von anderen Firmen vollzogen. (Dies bezieht sich allerdings alles auf die Si-Halbleitertechnik und hat mit dem Prinzip des MOSFETs nur dahin etwas zu tun, dass dies die meist eingesetze Technik ist). Noch Fragen? P.S. Signaturen nicht vergessen! --Cepheiden 13:12, 3. Nov. 2008 (CET)
replies: text: am 6.12.1935 wurde das Patent erteilt. Wie sollte es am 2.3.1934 erteilt worden sein, wenn es erst am 4.3.1935 angemeldet wurde (England)? 2.3.1934 muss auf irgendeine deutsche Anmeldung (inform einer Priorität) zurückgehen. Hab abe rnoch nichts dergleichen finden können. Mal das Patent bei gelegenheit durchschauen. --Cepheiden 13:19, 3. Nov. 2008 (CET)
thread_title:  Metaloxid 

message: Bisher war mir der FET immer unter MOSFET und nicht unter MISFET bekannt. Ist das ein anderer????
:Hi Cfischer. Deine Frage wird in den ersten Sätzen des Abschnitts „MISFET“ im Artikel beantwortet. Gruß, norro wdw 14:45, 17. Dez. 2008 (CET)
replies: text: Typisches Problem des der derzeit flasch verwendeten Bezeichnung. Denn die derzeit am meisten eingesetzten FETs sind mit nichten MOSFETs her dSOSFETs (doped Semiconductor oxide semiconductor FET), denn als Gate-Material wird seit den 1990ern Polysilicium eingesetzt. Nur Intel macht seit neustem wieder "metal gate", welches Metall verwendet wird und welches Oxid als Isolator ist aber eher unklar. Aber wie mein Vorredner schon schrieb, wird das alles erklärt. --Cepheiden 17:29, 17. Dez. 2008 (CET)
replies: text: Das ist lustig! --Pediadeep 18:28, 17. Dez. 2008 (CET)
replies: text:  wieso? --Cepheiden 13:51, 18. Dez. 2008 (CET)

text: Nunja MOSFET hat sich einfach eingebürgert, ich wette auch die Mehrzahl der Fachleute würden spontan (ohen nachzudenken) diesen Begriff wählen. Es ist aber wie gesagt nicht korrekt. (Genauso wie MISFET derzeit nicht 100% korrekt ist). Achso wenn noch was unklar hier und im Artikel sein sollte, bitte melden, Autoren selbst setzen oft viel vorraus, was evtl nihct ganz selbstverständlich ist. --Cepheiden 16:51, 20. Dez. 2008 (CET)
thread_title:  MOSFET 

message: Alternatives Modell eines Bipolartransistors.
Bipolare Transistoren ... . Je nach Dotierungsfolge im Aufbau unterscheidet man zwischen npn (negativ-positiv-negativ) und pnp-Transistoren (positiv-negativ-positiv).
Hier würde ich auf diesen internen Link PNP-Transistor wegen seiner sehr verständlichen Darstellung verweisen.--michelvoss 01:05, 10. Jan. 2009 (CET)
replies: text: Hallo, hier soll ja nur eine kurzerklärung stehen. Deswegen ja auch der Hinweis auf den Hauptartikel Bipolartransistor (PNP-Transistor ist nur ein Redirect). Ist das deiner Meinung zuviel oder nicht ausreichend? -Cepheiden 10:48, 10. Jan. 2009 (CET)

text: Ja das ist nicht korrekt. Die Ladungsträger sind ja weiterhin die Elektronen. Was ortfest ist sind künstliche Fehlstellen durch eine Dotierung. (Nachtrag) So sollte es korrekt sein.--Cepheiden 08:52, 25. Feb. 2009 (CET)
thread_title:  Bipolartransistor 

message: Sooo viel Wissen über ein altes Teil.
Aber wenn man so wie ich gerade wissen möchte wie hoch noch mal die Basis-Emitter Steuerspannung
bei Silizium oder Germanium war, gibt's dazu nichts.
Oder ?
(Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von  77.7.159.96 (Diskussion • Beiträge) 21:56, 2. Apr. 2008 (CET)
replies: text: Musst nur richtig schauen, beispielsweise unter Basis-Emitter-Spannung --Cepheiden 23:15, 2. Apr. 2008 (CEST)
thread_title:  Basis-Emitter-Spannung 

message: Was soll denn das Gefahrenzeichen da? Verzweifelter Versuch, ein Bild in den langen Text einzubinden? -- 89.15.176.44 19:44, 16. Mai 2009 (CEST)
replies: text: Scheint fast so, stört es? Besonders hilfreich ist es ja nicht. --Cepheiden 11:10, 22. Jun. 2009 (CEST)
thread_title:  MISFETs 

message: Die Verdeutlichung der Funktionsweise des npn-Transistors mit der gekoppelten Wassersperre ist ein sehr guter Einfall und didaktisch sehr wertvoll! --91.39.17.127 16:09, 6. Apr. 2008 (CEST)
replies: text: Hi, habe mir erlaubt diese Abbildung in den Hauptartikel (Bipolartransistor) zu verschieben. Weil sonst hier zu überladen. Unter Bipolartransistor finden sich mehr Details und Funktionsprinzipien betreffend Bipolartransistor während das hier nur ein kurzer Abriss/Überblick über die verschiedenen Typen von Transistor sein sollte.--wdwd 11:31, 8. Aug. 2009 (CEST)
thread_title:  Sehr schöne Abbildung 

message: Ich würde das linke Bild gerne gegen das rechte tauschen, da man im rechten den Aufbau und die Größe der in Glas eingegossenen Transistoren besser erkennen kann. Auch sieht man die  schwarze Lackierung zum Ausschalten des Einflusses von Licht auf den Transistor deutlich. --Mirko Junge 21:10, 16. Aug. 2009 (CEST)
replies: text: Das rechte Bild gefällt mir auch besser. Die Darstellung als Doppelbild ist allerdings nicht so prickelnd. Im unteren Teil kann man dank Schrägsicht die dreidimensionale Struktur besser erfassen. Ich habe das Bild entsprechend beschnitten die Skala unten reingeschrieben und das Bild wieder nach Commons hochgeladen. Der Transistor ist wahrscheinlich nicht eingegossen, sondern nur von der Glasröhre abgdeckt.---<(kmk)>- 01:42, 17. Aug. 2009 (CEST)

text: War mal so frei und hab Das Bild gegen das untere getauscht.--wdwd 08:42, 17. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Weiß jemand wie das Gehäuse bezeichnet wurde/wird? --Cepheiden 09:49, 17. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Rechts OC603: Allglas, ähnlich wie Gehäuse R-9. Die Links dargestellten (neueren) OC77 sind im Gehäuse R-9. Daten finden sich unter anderem hier.--wdwd 10:53, 17. Aug. 2009 (CEST)
replies: text: Danke :-) Könnte ja evtl. mit in die Bildunterschrift. --Cepheiden 16:45, 17. Aug. 2009 (CEST)
thread_title:  Bild vom Germanium Transistoren tauschen? 

message: * Laut New Shorter Oxford English Dictionary (NSOED) handelt es sich bei dem Kunstwort Transistor um: Blend of Transfer v. and Resistor. Als Quelle schlägt der NSOED (meines Erachtens) die Ausführungen der Nobelkommission. Ich finde der zweite Satz der Einleitung sollte entsprechend angepasst werden.
* Die Quelle 
:* J. Bardeen, W. Brattain, W. Shockley: Three-Electrode Circuit Element Utilizing Semiconductive Materials. US-Patent 2.524.035, Angemeldet am 27. Juni 1948, Veröffentlicht am 3. Okt. 1950 (Online: auf esp@cenet, Beitrag von Edwin A. Suominen, Abgerufen am 18. Juni 2009)
:ist zeitlich nach der Veröffentlichung in der Physical Review:
:* 
: in der übrigens Lilienfeld auch nicht erwähnt wird.--Mirko Junge 22:04, 17. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Mir ist nicht ganz klar was du uns mitteilen möchtest, aber es ist doch wohl klar das  Bardeen, Brattain und Shockley hier entweder wirklich keine Ahnung hatten von Lilienfeld hatten oder ihn bewust nie erwähnen. --Cepheiden 22:54, 17. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Zum einen die Kette mit den möglichen Wortentstehungen reduziert auf die Angabe aus dem NSOED und zum Anderen die Erstveröffentlichungsquelle des Bipolartransistors in den Referenzen. Es ist schon ein Unterschied ob etwas als Patent, als Fachartikel oder beides veröffentlicht wurde. Grüße, --Mirko Junge 06:30, 18. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Nunja, das mit der Bezeichnung ist ja für die eine Variante, die im Artikel bereits mit einer "Nobel-Preis-Quelle" belegt ist. Die Anderen Varianten, tja, weiß nicht ob die raus sollten. Die veröffentlichung bau ich mal ein. Grüße. --Cepheiden 09:35, 18. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Du hast ja jetzt eine wirklich gute Quelle gefunden! Ich finde die zwar sprachlich auch möglichen, nach Quellenlage jedoch nicht belegten, Varianten, sollten aus der Einleitung gestrichen werden. Grüße, --Mirko Junge 13:17, 18. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Da kam mir wohl jemadn zuvor :-). Die Entscheidung nicht belegte Worturspünge raus zunehmen ist sicher die beste Lösung. --Cepheiden 15:47, 18. Aug. 2009 (CEST)
thread_title:  Begriff Transistor und Wertschätzung von Lilienfeld 

message: Habe diese Behauptung aus der Einleitung entfernt, da nicht allgemein zutreffend. Beispielsweise sind bei machen FETs vier Anschlüsse vorhanden (Bulk und Source getrennt herausgeführt) -> Transistor mit 4 Anschlüssen. Bei manchen Phototransistoren, vorallem bei niedriger Schaltfrequenz, ist mitunter der Basisanschluss nicht herausgeführt -> Transistor mit 2 Anschlüssen. Ausserdem ergibt sich die Anzahl der Anschlüsse unmittelbar aus den Schaltsymbolen bzw. der Summe der Pinbezeichnungen.--wdwd 18:41, 19. Aug. 2009 (CEST)
replies: text: Dann sollte das doch noch irgendwo erwähnt werden, weil es ja fast etwas elementares für so ein Bauelement ist.--Thmsfrst 19:19, 19. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Hi Thmsfrst, unter "Feldeffekttransistor/MOSFET" steht schon, dass noch ein weiterer Anschluss, das so genannte Bulk (dt. Substrat) hinzu kommt. Beim Fototransistor hab ich noch einen kurzen Nebensatz zum mitunter fehlenden Basisanschluss eingefügt.--wdwd 20:08, 19. Aug. 2009 (CEST)
thread_title:  Immer drei Anschlüsse 

message: Hallo, bei den heutigen Änderungen missfällt mir, dass die Bezeichnung MOSFET zunehmend an Einfluss gewinnt. Da es sich hier nur um eine Besondere Ausführung und nicht um eine systemaische Bezeichung handelt, würde ich dem gern entgegenwirken. 
Ein MOSFET ist ja ein spezieller MISFET und diese wiederum ein spezieller IGFET. Da es sich hier um einen Übersichtsartikel handelt sollte er auch eine systematische Einordnung enthalten. Die Frage ist nun ob wir die derzeitige so lassen wollen oder entsprechend systematisch benennen. --Cepheiden 20:14, 19. Aug. 2009 (CEST)
replies: text: Das Problem ist klar. Die Bezeichnung "MISFET" wird außerhalb von Lehrbüchern kaum gebraucht. Mir ist er zum Beispiel noch nie in Katalogen und Produktübersichten begegnet. Eine Sprachregelung hier in Wikipedia, die zwar begrifflich sauberer, aber vom Gebrauch im Rest der Welst abweicht, ist gegen die Richtlinien. Eine begriffliche Einordnung ist allerdings etwas anders. Da stimme ich Dir zu, dass sie hier im Artikel gut und richtig ist. Im Sinne der Übersicht wäre es auch gut, wenn das Stichwort in einer Zwischenüberschrift auftaucht. Die bisherige Schrägstrich-Form ist allerdings nicht so toll. Sie suggeriert, dass es sich um Synomyme handelt, was nicht der Fall ist. Vorschlag: "MISFETs und MOSFETs".---<(kmk)>- 18:07, 20. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Ja, das die Wikipedia nicht Begriffe definieren soll versteh ich gut. Eine entsprechende Erklärung sollte dennoch im Artikel bleiben/vorhandensein. --Cepheiden 09:29, 25. Aug. 2009 (CEST)
thread_title:  Bezeichnungen 

message: Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Sie sind Bestandteil elektronischer Schaltungen welche beispielsweise in der Nachrichtentechnik, der Automatisierungstechnik und in Computersystemen eingesetzt werden. Besondere Bedeutung haben Transistoren in integrierten Schaltungen. Der Begriff „Transistor“ ist eine Kurzform für eine der englischen Bezeichnungen Transfer Varistor, Transformation Resistor oder Transfer Resistor, also einen durch Spannung oder Strom steuerbaren elektrischen Widerstand.
Nach einer größeren Artikelüberarbeitung, welche mit Ende 2007 schon einige Zeit zurück liegt und einem anschliessenden Review, zwischenzeitlich erfolgten diverse Ergänzungen und Verbesserung, möchte ich den Artikel zur Abstimmung vorschlagen. Anzumerken ist noch, dass der Artikel das Ziel hat eher ein allgemeiner Übersichtsartikel zu sein und Details eigenständigen Spezialartikeln vorbehalten sind. Als einer der Autoren .--wdwd 19:47, 12. Aug. 2009 (CEST)
replies: text:  Danke, wo liegen deiner Meinung nach die Mängel? (Diskussion dazu unter Diskussion:Transistor#Lesenswert Kandidatur) --Cepheiden 11:42, 15. Aug. 2009 (CEST)
replies: text: Für exzellent müßten zumindest die Anwendungen vielleicht noch ausführlicher beschrieben werden. Ich finde die sind dort fast etwas knapp beschrieben. Die Einleitung ist jetzt fast auch noch etwas kurz, man könnte sich bei der Einleitung an der englischsprachigen Version etwas orientieren. Insgesamt müßte für exzellent der Artikel wohl noch ein Stück umfangreicher und detailierter werden. --Thmsfrst 14:39, 15. Aug. 2009 (CEST)
thread_title:  [[Transistor]] 

message: Leider ist in dem Bild der geöffneten TO5 Transistoren der linke ohne Anschlüsse an den Chip, so dass ich den rechten Transistor alleinegestellt, gedreht und entrauscht habe. Also ich finde das neue Bild natürlich besser, falls ihr das auch findet, sollten wir die Bilder tauschen. --Mirko Junge 19:28, 22. Aug. 2009 (CEST)
replies: text: Ja. Meiner Meinung nach besser. Allerdings komme ich mit dem Schatten nicht klar. Woher kommt das dritte, mittlere Schattenbeinchen?-- Kölscher Pitter 21:47, 22. Aug. 2009 (CEST)
replies: text: Hi Kölscher Pitter, es sind ja drei Pins. :-) Wobei zwei Pins in dem Bild fast übereinander liegen.--wdwd 22:26, 22. Aug. 2009 (CEST)
thread_title:  Bild vom TO5 Transistor 

message: Vielleicht erklärt mir jemand, was es damit auf sich hat.-- Kölscher Pitter 10:38, 7. Okt. 2009 (CEST)
replies: text: Das ist für die Einbindung der Einleitung in das Portal:Physik/Ausgezeichnete_Artikel. Weiteres am Besten dort erfragen. --Cepheiden 11:14, 7. Okt. 2009 (CEST)
replies: text: Danke.-- Kölscher Pitter 11:40, 7. Okt. 2009 (CEST)
thread_title:  noinclude 

message: In der Beschreibund des Bipolartransistors habe ich nicht direkt gelesen, dass:
"Wenn von der Basis zum Collector ein genügend großer Strom fließt, dann wird der Widerstand Collector Emitter klein". So habe ich es jedenfalls gelernt. (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von Cfischer1995 (Diskussion • Beiträge) 16:13, 10. Jan. 2009 (CET)
replies: text: Also, zum einen ist das hier ja ein Übersichtsartikel und muss nicht alles beinhalten was in Bipolartransistor steht, zum anderen spielt der Basis-Kollektor-Strom doch garkeine Rolle, oder? --Cepheiden 12:49, 20. Dez. 2009 (CET)
thread_title:  Bipolartransistor 

message: Bipolartransistoren, der wichtigste Vertreter bipolarer Transistoren, werden durch einen elektrischen Strom angesteuert.-- Kölscher Pitter 11:06, 20. Aug. 2009 (CEST)
replies: text: erledigt? --Cepheiden 12:50, 20. Dez. 2009 (CET)
thread_title:  Nicht schön 

message: Was da steht im Übersichtsartikel halte ich für nicht OMA-gerecht. Mir fällt das Wort Kaskade ein. Oder: der Kleine steuert den Großen.-- Kölscher Pitter 11:13, 21. Aug. 2009 (CEST)
replies: text: Besteht das Problem noch? Was derzeit im Artikel steht ist doch sehr oberflächlich, wobei eigentlich nur auf den Spezialartikel verwiesen wird. --Cepheiden 12:52, 20. Dez. 2009 (CET)
replies: text: Zwei Transistoren werden zusammengeschaltet. Aha. Und was ist nun das Besondere daran? Das würde sich OMA fragen.-- Kölscher Pitter 13:30, 20. Dez. 2009 (CET)

text: Habe mal anders formuliert. Wenn du einverstanden bist, können wir das als erledigt betrachten.-- Kölscher Pitter 13:43, 20. Dez. 2009 (CET)
replies: text:  Das Besondere ist vorrangih die erhöhte Stromverstärkung, wie es auch schon im Artikel stand. Ich habe auch noch ne Kleinigkeit geändert. Ich denke dabei sollte man es an dieser Stelle belassen. --Cepheiden 13:55, 20. Dez. 2009 (CET)
replies: text: Gut so. Einverstanden.-- Kölscher Pitter 13:58, 20. Dez. 2009 (CET)
thread_title:  Darlington-Transistor 

message: Ich habe hier einen Artikel über eine experimentelle Arbeit vorliegen
R. Hilsch, R.W. Pohl,
Steuerung von Elektronenströmen mit einem Dreielektrodenkristall und ein Modell einer Sperrschicht,
Zeitschrift für Physik A - Hadrons and Nuclei,
Springer Berlin / Heidelberg,
Volume 111, Numbers 5-6, Mai 1938, pp. 399-408
http://www.springerlink.com/content/hh8885106vx4p30h/
der ein Bauelement beschreibt, das von seiner Strom-Spannungs-Charakterisitk klar als Transistor zu identifizieren ist.
Da der Artikel vor der Veröffentlichung von Shockley, Bardeen und Brattain erschien, dürfte hier wohl der erste Transistor publiziert worden sein.
Schade, dass er im Wikipedia-Artikel nicht erwähnt wird.
--Tsulima 09:32, 26. Mär. 2010 (CET)
replies: text: Sehr interessant. Leider begegnet einem das im Bereich Transistor häufig. Das betrifft aber eben nicht nur die Wikipedia sondern auch Fachbücher zum Thema (z.B. erwähnt Bo Lojek in seinem Buch "History of Semiconductor Engineering" den Namen Hilscher garnicht). Das gleiche Problem hatten auch die Arbeiten von Lilienfeld, Heil, Mataré und Welker, die in den damaligen Publikationen bewusst oder unbewusst unterschlagen wurden. PR ist halt viel wert ;-). Bei Gelegenheit muss man dem mal nachgehen. --Cepheiden 10:12, 26. Mär. 2010 (CET)
thread_title:  Hilsch und Pohl 1938 

message: Die Bilder zu diesem Transistor, die ich mal vor einiger Zeit im Netz gefunden haben deuten deutlich darauf hin, daß es kein Sperrschicht FET war, sondern vielmehr ein FET mit isoliertem Gate.
Hat jemand zu der behauptung des Sperrschicht-FETs Belege? --Schily 19:59, 7. Jul. 2010 (CEST)
replies: text: Das Patent von Heil beschreibt eindeutig einen FET mit isoliertem Gate --Schily 14:17, 8. Jul. 2010 (CEST)
thread_title:  Erster Feldeffekttransisor von Heil 

message: Von beiden Bauelementen gehen sehr wohl mechanische "Schwingungen" aus, die auf den Kühlkörper akustisch wahrnehmbar übertragen werden - allerdings betrifft das nur Leistungsbauelemente ab etlichen Ampere, die beim Schalten "Klickgeräusche" abgeben ... Rolf Mader 21:43, 18. Okt. 2010 (CEST)
replies: text: Das ist denkbar, aber damit das in den Artikel einfließen kann, sollte man klären woher die Geräusche kommen und eine gute Quelle angeben. --Cepheiden 21:49, 18. Okt. 2010 (CEST)
replies: text: Das halte ich weiterhin für ein Gerücht. Klicks können ja gut sein, aber die Halbleiter sind es bestimmt nicht, da gibt es jede Menge anderer Kandidaten, die sowas produzieren können. --PeterFrankfurt 02:25, 19. Okt. 2010 (CEST)
replies: text: Informieren ist meist besser als raten.... Leistungstransistoren im Metallgehäuse strahlen sogar sehr gut hörbar Musik ab wenn sie in Audio-Leistungsverstärkern betrieben werden. Im Plastikgehäuse wird dieser Effekt allerdings nicht so gut hörbar weil das Gehäuse stark dämpft. --Schily 10:46, 19. Okt. 2010 (CEST)
replies: text: Aha, und was bitteschön soll sich da bewegen können? Da ist nichts. Wir hatten die Diskussion vor einiger Zeit schon mal, bei Computer-Hauptplatinen und angeblich singenden Prozessoren, und da hat man sich mehr oder weniger auf Induktivitäten der umliegenden Spannungswandler geeinigt, die sind dafür bekannt und haben Spulen, die nicht 100%ig fest sind und schon mal ein bisschen Spiel haben können. --PeterFrankfurt 02:06, 20. Okt. 2010 (CEST)

text: Die andere Diskussion war genauer gesagt bei Diskussion:Solid State Drive#Keine Geräuschentwicklung%3F. --PeterFrankfurt 02:15, 20. Okt. 2010 (CEST)
replies: text: Durch nicht wahr haben wollen kann man keine Tatsachen aus der Welt schaffen......Das was da angeblich nicht ist führt immerhin bekannterweise zu Materialermüdung. Und in Hi-Fi Verstärkern gibt es keine Spulen. --Schily 09:51, 20. Okt. 2010 (CEST)
replies: text: Und die Erde ist flach. Da ermüdet nichts durch mechanische Beanspruchung. Durchaus aber möglicherweise durch permanente thermische Überlastung, wenn man einer Endstufe z. B. zu viel lang andauernde Bassleistung abverlangt. --PeterFrankfurt 01:35, 21. Okt. 2010 (CEST)
replies: text: Du kannst gerne weiterglauben, daß die Erde flach ist...erfahrene E-Techniker wissen aus eigenen Experimenten, das Hi-Fi-Verstärker erstaunlich viel Musik mit den Kühlkörpern abstrahlen wenn man sie gegen einen Lastwiderstand arbeiten läßt, so daß man das auch hören kann. --Schily 09:48, 21. Okt. 2010 (CEST)
replies: text:  Die Diskussion kann man sich sparen, wenn man das Wissen gemäß den Anforderungen von Wikipedia:Belege belegt und im gleichen Rahmen auch die Ursache beschreibt/erklärt. Alles andere führt nicht weiter. --Cepheiden 10:48, 21. Okt. 2010 (CEST)
replies: text: Was den Effekt genau auslöst weiß ich nicht. Es könnte sowohl eine thermische Verbiegung in Folge eines "Bimetalleffekts" an der Lötstelle zwischen Chip und Gehäuse sein, als auch ein Piezoeffekt an der SiO2-Passivierung. --195.37.78.149 16:47, 21. Okt. 2010 (CEST)
replies: text: Habe einen Pb-Akku-Impulsbelaster gebaut, der den Akku in kurzen Intervallen mit min. 60A belastet und ihn in den Pausen (wenn der Transistor ausgeschaltet ist) nachlädt, soll angeblich die Lebensdauer des Akkus verbessern. Vom 98A-FET (IRF 3205) im TO 220-Plastikgehäuse mit einem kleinem Al-Kühlkörper sind deutlich Klickgeräusche vernehmbar - also selbst mal ausprobieren und anhören. Meine Vermutung ist, dass die relativ großen Feldstärken (magnetisch oder auch elektrisch) auf die relativ kleinen Si-Halbleiterstrukturen Größenänderungen in der Geometrie des Chips hervorrufen, die akustisch am Kühlkörper abgestrahlt werden. Bei Trafokernen ist ein (ähnlicher) Effekt als "Netzbrummen" wohl jedem bekannt. Bei Microprozessoren auf Mainboards sind die Stromstärken und damit die Felder im allgemeinen nicht so groß und zum anderen dürften Lüftergeräusche alles andere akustisch überdecken. Rolf Mader 22:50, 27. Okt. 2010 (CEST)

text: Auf jeden stromdurchflossenen Leiter wirken Kräfte (unter anderem die Lorentzkraft), oder wie bei Trafos und deren Brummen/Pfeiffen (Schaltnetzteile) Kräfte zufolge Magnetostriktion im Kern. Was alles bei entsprechender Stärke der Krafte die verwendeten Materialien verformen bzw. bewegen kann und somit "Klickgeräusche" bzw. im perdiodischen Fall ein Summen/Pfeiffen/wasauchimmer als Geräusch abgeben kann. Aber was hat das alles mit Transistoren und deren Funktion zu tun? Ratlos. Man kann mit einen Transistor auch so in der Luft "herumwedeln", sodass es irgendwelche Geräusche gibt. Und wenn man dann den Transistor am Boden fallen lässt, werden im Regelfall auch Geräusche entstehen. Das ist aber alles ziemlich sinnbefreit.--wdwd 23:14, 27. Okt. 2010 (CEST)
thread_title:  Transistoren und auch Thyristoren 

message: Das Wort [Transistor] gibt es im Volltext der Deutschen Wikipedia 996 mal.
Das Wort [CPU] gibt es im Volltext der Deutschen Wikipedia 1803 mal.
Wenn beim Transistor und in der CPU von einem Schalttakt Gigahertz (3,33GHz und 5,2GHz) die Rede ist,  bezieht sich das auf den Strom (on/off) der in einer Sekunde durch das Halbleitermaterial des Transistors fliesst. Deshalb ist auch eine Schaltfrequenz von bis zu 999 GHz in der CPU, im Transistor, im Halbleitermaterial technisch machbar. In den Atomen des Halbleitermaterials fliesst der Strom in einer Sekunde mit einem Schalttakt im Jahr 2011 von 3,33GHz Intel und 5,2GHz IBM.
:194.83.172.121 12:13, 24. Jan. 2011 (CET)
replies: text: Und was willst du uns damit genau sagen? --Cepheiden 13:40, 24. Jan. 2011 (CET)
thread_title:  Wort Transistor und Wort CPU 

message: Ich habe gerad den Artikel besucht, um heraus zufinden, was ein Transistor grundsätzlich macht. Dabei fand ich die Seite hier nicht so hilfreich. Sowohl in dem Wiki-Artikel zu den FETs als auch zu den BJTs fand ich Skizzen und Erklärungen, die für den Laien wesentlich leichter verständlich sind und einfach erklären, wie so ein Transistor allgemein arbeitet. Das sollte man hier unbedingt reinnehmen, da dies ja der allgemeine Transistor-Artikel ist und er sowohl in der Geschichte als auch bei den Typbeschreibungen sehr ins Detail geht, ohne das solche Grundlagen ausreichend erklärt werden.
Gruß,
--Stabacs 12:26, 15. Sep. 2011 (CEST)
replies: text: Hallo, danke für die Anmerkungen, leider ist es nicht so einfach die Funktion eines Transistors im Allgemeinen zu beschreiben. Der Grund ist, dass es diverse Funktionsprinzipien (vorrangig die des BJT und des FET) gibt, die sich nur wenig ähneln. Der Artikel hier soll daher nur einen Überblick vermitteln, für alles andere sind die Unterartikel da. Was fehlt denn unter diesen Gesichtspunkten deiner Meinung nach genau in diesem Artikel? --Cepheiden 12:38, 15. Sep. 2011 (CEST)
thread_title:  Allgemeine Funktionsweise 

message: Wo genau im Artikel steht, warum man Transistoren einsetzt, was diese leisten? Warum man eine Milliarde auf einem Die hat? Immer davon ausgehen, dass ein 15 Jähriger oder eine 65 Jährige das liest und kein Physikstudent. (nicht signierter Beitrag von 78.54.143.29 (Diskussion) 03:10, 15. Jun. 2011 (CEST)
replies: text: Meiner Meinung nach in Anwendungsbereiche und entsprechend verlinkten Artikeln, aber das kann ein Laie natürlich anders sehen. Falls dir der abschnitt also nicht weiterhilft melde dich bitte nochmal, ggf. mit möglichst genauen Vorstellungen was du suchst, damit wir den Artikel entsprechend verbessern können. --Cepheiden 07:16, 15. Jun. 2011 (CEST)
replies: text: Zu der Anzahl habe ich mir erlaubt, ein paar Sätze zu ergänzen. Aber Allgemeinplätze über die Verwendung von Transistoren einzubauen, zögere ich, das müsste zu Adam und Eva zurückführen und der Elektronik insgesamt, also da käme man unweigerlich von Hölzchen aufs Stöckchen, und das würde diesen Artikel wohl sprengen. --PeterFrankfurt 02:36, 16. Sep. 2011 (CEST)

text: So, jetzt habe ich in der Einleitung doch ein paar Wörter hinzugefügt und habe mich bemüht, das im Rahmen zu halten. Ob das dem Frager reicht? --PeterFrankfurt 02:42, 16. Sep. 2011 (CEST)
thread_title:  Nutzen / Funktion 

message: Was hier steht ist so uninteressant und partiell bis zur Inadäquatheit am topic vorbei, dass man es besser löscht.--Kiu77 17:41, 14. Nov. 2011 (CET)
replies: text: Und was sollte dort eher stehen, stattdessen? Bisher ist es vielleicht langweilig, aber ziemlich umfassend. Weglassen sollte man davon eher nichts. --PeterFrankfurt 02:47, 15. Nov. 2011 (CET)
replies: text: Erst mal nichts. Das wäre besser als das, was da steht.--Kiu77 23:03, 15. Nov. 2011 (CET)
replies: text: Das fände ich unsinnig. Anwendungen gehören essentiell in solche Artikel. --PeterFrankfurt 03:28, 16. Nov. 2011 (CET)
thread_title:  Anwendungsbereiche 

message: Im Artikel steht : Transistoren haben Elektronenröhren als Signalverstärker auf fast allen technischen Gebieten abgelöst, mit Ausnahme etwa der Sendetechnik im Rundfunk. Ein weiterer wichtiger Bereich ist der Verstärkerbau, seien es Audioverstärker oder Gitarrenverstärker. Das wäre auch was für's Kapitel Anwendungen. Ich bin mit dem Thema aus der Praxis vertraut, habe aber zu wenig Hintergrundwissen, um dazu fundiert was schreiben zu können. Wäre toll, wenn sich dem jemand annehmen würde. --Hajo Keffer 09:49, 21. Feb. 2012 (CET)
replies: text: Erledigt -- Schotterebene 10:15, 21. Feb. 2012 (CET)
thread_title:  Elektroakustik 

message: "S. 317 ff.." am Ende dieser Quellenangabe hinkt doch typographisch? Mir scheint da kommen der Abkürzungspunkt von "ff." und ein Satzendepunkt aus "In: (Sammelwerkname)" zusammen. Ohne korrektweise zusammengelegt zu werden. Betrifft also die Vorlage:Literatur.
Quelltext ist (ohne die Auslassungspunkte "..."): <ref...>{...{Literatur...|Autor=Bo Lojek|Titel= The MOS Transistor|Sammelwerk=History of Semiconductor Engineering|Verlag=Springer|Ort=Berlin|ISBN=978-3540342571|Jahr=2007|Seiten=317 ff.}}</ref...> --Helium4 (Diskussion) 01:17, 2. Nov. 2014 (CET)
replies: text: . --Komischn (Diskussion) 01:29, 2. Nov. 2014 (CET)
thread_title:  Typo-Detail Doppel-Punkt 

message: Dieses Wort wurde genau einmal, nämlich von Schottky in den 1950er Jahren verwendet, allerdings nicht für Transistoren sondern für eine sehr spezielle Art von Transistor, für die ihm damals kein anderer Name einfiel. Der Satz in der Einleitung gehört gelöscht. Jede Triode ist, wie jede Elektronenröhre, ein Halbleiter. Es gibt keine "Ganzleitertrioden". --Asugar (Diskussion) 09:21, 2. Nov. 2014 (CET)
thread_title:  "Halbleitertriode" 

message: Ich habe ein Problem: Gerade habe ich das mit den Indiumpillen ergänzt, wie ich es auch früher gelernt habe. Dafür gibt es notfalls auch Web-Quellen als Beleg. Nun ist Indium als Dotiermaterial ja 5-wertig, sollte also ein Elektronendonor sein, also N-Dotierung bewirken. Solche Transistoren waren aber PNP, mit rechts und links je einer Indiumpille, und nicht NPN. Da muss ich irgendwas in den falschen Hals bekommen haben. Ich weiß auch nicht, ob das Ge-Grundmaterial irgendwie vordotiert war. Vielleicht macht das ja dann den Unterschied? --PeterFrankfurt 03:00, 4. Nov. 2011 (CET)
replies: text: Zunächst einmal ist Indium nach unserem Artikel 1- oder 3-wertig. Außerdem steht es in der III. Hauptgruppe, hat also ein Elektron weniger in der äußersten Schale als das Germanium der IV-Hauptgruppe. Damit ist es also ein p-Donator und die Reihenfolge p-n-p des "normalen" Germaniumtransistors stimmt wieder. --Wosch21149 (Diskussion) 17:12, 24. Aug. 2016 (CEST)
thread_title:  Indiumpille 

message: Im Abschnitt über den Bipolartransistor steht, dass solche Transistoren prinzipiell selbstsperrend sind. Das würde bedeuten, dass alle Bipolaren Transistoren (ganz gleich ob pnp oder npn) sperren, wenn die Basis-Emmitterspannung 0V beträgt. Stimmt das?
Nach meinem Verständnis sind npn-Transistoren selbstsperrend, und pnp-Transistoren selbstleitend. (nicht signierter Beitrag von 132.231.178.197 (Diskussion) 16:13, 8. Okt. 2016 (CEST)
replies: text: Bipolartransistoren sind stromgesteuert, d.h., wenn die Basis offen (nicht angeschlossen) ist bzw. die Spannung zwischen Basis und Emitter 0V ist, fließt (idealerweise) kein Strom durch die Basis und der Transistor hat nichts zu verstärken. Wenn du bei Systemen mit positiver Versorgungsspannung den Emitter des pnp-Transistors an die (positive) Versorgung legst und die Basis an "0V" (Masse), fließt natürlich ein Strom durch die Basis und der Transistor leitet. Um aber wirklich eine Basis-Emitter-Spannung von 0V am pnp-Transistor zu haben, müsstest du also auch die Basis an die positive Versorgung legen; dann fließt wieder kein Strom durch die Basis und der Transistor sperrt. Deshalb hatten Systeme in der Zeit der (pnp) Germanium Transistoren meist auch eine negative Versorgungsspannung, d.h. Plus war an Masse gelegt. --Wosch21149 (Diskussion) 00:41, 9. Okt. 2016 (CEST)
thread_title:  Bipolare Transistoren prinzipiell selbstsperrend? 

message: Der Link zu: "Peter Salomon: „Deutsche Halbleiter-Technik vor 1945 ?“" erscheint mir unangebracht. Der Text stellt nur die Meinung einer Einzelperson dar und entspricht nicht dem wissenschaftlichen Konsens. Man betrachte auch die anderen Texte seiner Seite, welche eher eigene Erfahrungsberichte und als politische Meinung getarnte Stammtischparolen darstellen. Der schlechte Stil und die Fülle an Fehlern runden das Bild einer nicht vertrauenswürdige Quelle ab.
(Leider kann ich z.Zt. nicht auf mein BEnutzerkonto zugreifen, da Passwort vergessen und neue Email, daher "nur" die IP:) --217.226.239.244 17:21, 17. Feb. 2009 (CET)
thread_title:  Links 

message: Bevor ich mit ellenlangen historischen Einblicken in die Entwicklungsgeschichte des Transistors (die m.E. in einen eigenen Artikel ausgegliedert werden könnten) behelligt werde, würde ich in einem Lexikon erwarten, die Funktionsweise dieses Bauelements erläutert zu bekommen. Ich habe leider keine Ahnung von Transistoren und werde hier als anonyme IP nichts ändern, im Englischen Artikel lieferte mir dieser Abschnitt aber so ziemlich genau die Information, die ich auch im Deutschen eingangs erwartet hätte:
"A transistor is a semiconductor device used to amplify or switch electronic signals and electrical power. It is composed of semiconductor material usually with at least three terminals for connection to an external circuit. A voltage or current applied to one pair of the transistor's terminals controls the current through another pair of terminals. Because the controlled (output) power can be higher than the controlling (input) power, a transistor can amplify a signal."
62.141.166.10 09:15, 5. Feb. 2018 (CET)
replies: text: Der Artikel beginnt mit der Einleitung - nicht gelesen und/oder nicht verstanden?--wdwd (Diskussion) 19:58, 6. Feb. 2018 (CET)
thread_title:  Was ist ein Transistor? 

message: So gibt's zum beispiel bei den üblichen Distributoren JFETs mit P-Base (siehe z.ß. http://www.freepatentsonline.com/7180105.html) wie auch Normally-off JFETs in SiC-Technologie. Bertram (nicht signierter Beitrag von 90.146.41.35 (Diskussion) 08:11, 24. Feb. 2012 (CET)
replies: text: Interessant. Das sind aber alles recht spezielle Varianten, die Grundform des JFET ist immer selbstleitend. Ich schau mal ob man das hier in der Kurzzusammenfassung darstellen kann ohne das Wesentliche der JFETs nicht aus den Augen zu verlieren. --Cepheiden (Diskussion) 11:26, 23. Jul. 2020 (CEST)
thread_title:  Immer leitend beim JFET ist falsch! 

message: Das abgebildete Schaltzeichen unterscheidet sich von dem aus https://de.wikipedia.org/wiki/Liste_der_Schaltzeichen_(Elektrik/Elektronik)#Transistoren 
Vermutung: das hier abgebildete Schaltzeichen ist aus EN 60617 (Teil 5?), während das andere vielleicht zu DIN 40900 gehört.
5.158.162.136 10:18, 5. Sep. 2017 (CEST)
replies: text: In beiden Artikel sind mehrere Schaltzeichen, teils das gleiche Bild. Ich vermute du beziehst dich auf die Bipolartransistoren. Der Artikel nutzt das Symbol ohne Kreis, also ohne Gehäuse, wie sie bei Schaltungszeichnungen mit diskreten Bauelementen genutzt werden. Beides ist richtig, beschreibt aber nicht genau das gleiche. --Cepheiden (Diskussion) 11:34, 23. Jul. 2020 (CEST)
thread_title:  Schaltzeichen nach welcher Norm? 

message: Pierce sollte gesagt haben, Transistor komme von 'Transresistance' and something like 'Varistor' and 'Thermistor'. Madyno (Diskussion) 19:54, 16. Nov. 2021 (CET)
thread_title:  Name