system: You are a trustworthy AI assistant. Your task is to answer the question honestly and not fabricate information.

user: Mình cần thông tin của Chùm iôn hội tụ á

assistant: Chùm iôn hội tụ (tiếng Anh: "Focused ion beam", thường được viết tắt là "FIB") là kỹ thuật sử dụng trong các ngành vật lý chất rắn, khoa học và công nghệ vật liệu, cho phép tạo các cấu kiện, các lát cắt mỏng, bay bốc, lắng đọng vật liệu bằng cách điều khiển một chùm iôn được gia tốc ở năng lượng cao và được điều khiển để hội tụ trên điểm nhỏ nhờ các hệ thấu kính điện, từ.
Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của FIB.
Trên nguyên tắc, FIB có cấu trúc gần giống một kính hiển vi điện tử quét. Các thiết bị chùm iôn hội tụ hiện nay bao gồm 2 chùm tia: một chùm iôn để thực hiện các thao tác chế tạo, và một chùm điện tử hẹp dùng để tạo ảnh, quan sát trực tiếp quá trình làm việc.
Iôn được dùng ở đây thường là iôn gali (Ga) vì Ga là chất dễ dàng bị bay hơi và iôn hóa từ Ga kim loại lỏng. Iôn Ga được đốt bay hơi và iôn hóa, sau đó được gia tốc và hội tụ thành chùm iôn hẹp nhờ hệ thấu kính từ (hoặc thấu kính tĩnh điện). Thế gia tốc được sử dụng phổ biến hiện nay là từ 10 đến 50 kV, và chùm iôn có thể được hội tụ thành chùm tia có diện tích nhỏ tới một vài nanomet. Chùm điện tử có tác dụng như chùm điện tử quét kính hiển vi điện tử quét, quét trên bề mặt chi tiết để ghi lại ảnh thông qua việc ghi lại tín hiệu từ điện tử thứ cấp.
Thiết bị FIB hoạt động dựa trên nguyên tắc một hệ phún xạ. Khi chùm iôn hẹp có năng lượng cao quét trên bề mặt, động năng của các iôn sẽ làm cho các nguyên tử chất rắn tại bề mặt bị bốc bay tức thời. Độ sâu, rộng của phần chất rắn bị bốc bay phụ thuộc vào thế gia tốc và cường độ chùm iôn. Cường độ dòng điện của chùm iôn có thể thay đổi từ vài chục pA, cho đến vài chục nA. Để tạo hình cho các chi tiết, chùm iôn được điều khiển quét (giống như việc quét chùm tia điện tử để tạo hình trong màn hình hoặc trong kỹ thuật lithography..). Để bảo vệ chi tiết chế tạo khỏi bị phá hủy bởi chùm iôn, người ta có thể phủ một lớp platin (Pt) hoặc tungsten (thường pha trộn thêm cácbon để dễ bay bốc). Các lớp này có thể tạo thành hình các chi tiết, cấu kiện cần tạo nhờ sự điều khiển của hệ thấu kính. Nói một cách đơn giản, chùm iôn có năng lượng cao hoạt động như một "lưỡi dao", có tác dụng phá hủy những phần mẫu không cần dùng để tạo ra các cấu kiện như ý muốn.
Các hệ FIB hiện nay thường có các hệ thống điều khiển cơ học chính xác để dịch chuyển, quay mẫu hỗ trợ cho quá trình thao tác. Phổ biến là thiết bị 2D FIB (FIB 2 chiều), thao tác chủ yếu từ trên bề mặt và thêm một hướng quay mẫu. Ngoài ra, còn có 3D FIB (các thiết bị rất đắt tiền), cho phép theo tác từ nhiều hướng, tạo các vật liệu theo 3 chiều.
Các ứng dụng của FIB.
Ban đầu, FIB chủ yếu được dùng trong công nghệ bán dẫn và trong phép xử lý mẫu cho TEM, nhưng dần dần, FIB được cải tiến trở thành một thiết bị rất mạnh và đa năng. 
Nhược điểm của FIB.
Mặc dù FIB cho khả năng tạo các chi tiết với tốc độ rất cao, và có khả năng cho độ phân giải chi tiết tương đương với kỹ thuật quang khắc chùm điện tử (kỹ thuật tạo chi tiết có độ phân giải tốt nhất hiện nay), nhưng FIB lại bị vướng phải những nhược điểm từ chính những điểm mạnh đó: