多閘極電晶體 多閘極電晶體英語Mulitgate Device是指集合了多個閘極於一體的金屬氧化物半導體場效電晶體MOSFET它可以用一個電極來同時控制多个閘極亦可用多個電極單獨控制各閘極後者有時又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect TransistorMIGFET多閘極電晶體被提出為的是克服半導體工業裡摩爾定律Moores law發展至今體積的縮小已經到達物理極限的難題 相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體其中包含了超微半導體日立IBM英飞凌英特尔台积电飞思卡尔加州大学伯克利分校等等而ITRS預估多閘極電晶體將是奈米以下重要的奠基石實現上主要的障礙來自於製造技術不論是平面和非平面的設計都面臨挑戰特別是顯影以及圖案化技術其他伴隨發展的包含了通道應力矽上絕緣SOI以及高介電質金屬閘極材料 雙閘極電晶體廣泛用於超高頻混頻器VHF mixers和超高頻前端放大器英语RF front endVHF front end amplifiers製造商包含MotorolaNXP和Hitachi