電子注入增強柵晶體管 電子注入增強柵晶體管Injection enhanced gate transistor簡稱IEGT是一种结合了GTO和IGBT元件優點的電子半導體器件具有功率大體積小效率高耐壓值高節能性高等特性 IEGT最先由日本東芝於年所研發並以注入式增強結構Injection Enhanced簡稱IE技術取得IEGT器件開發與生產專利也使得東芝成為IEGT器件的主要生產與供應商