相變化記憶體 相變化記憶體英語Phasechange memory英語Ovonic Unified Memory英語Chalcogenide RAM簡稱PCM PRAM PCRAM CRAM又譯為相變位記憶體是一種非易失性存储器裝置PRAM使用含一種或多種硫族化物的玻璃英语Chalcogenide glassChalcogenide glass製成目前的主流為GeSbTe系合金硫屬玻璃英语Chalcogenide glass的特性是經由加熱可以改變它的狀態成為晶體Crystalline或非晶體Amorphous這些不同狀態具有相應的電阻值因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值 它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一