金氧半電容 金氧半電容金屬氧化物半導體電容 或 MetalOxideSemiconductor Capacitor 或 MOSC是一種常見的兩端控制的半導體元件在年代已在實驗室被實做出來金氧半電容是由金屬作為閘極雖然在工藝界常用多晶矽近年來才改為金屬在金屬和半導體間以氧化物作為介電層以絕緣氧化物通常是二氧化矽SiO因為二氧化矽可以直接由常見的矽基板通過加熱生長所得的界面陷阱interface states特性也會比較好半導體的部分通常是矽也就是常說的矽晶圓目前一些三五族材料也被用於金氧半元件的基板中以改進載子的傳輸特性