栅氧化层 栅氧化层英語gate oxide是用来把CMOS栅极与下方源极漏极以及源漏极间导电沟道隔离开来的氧化介质层如右图通过将沟道上方的硅氧化为二氧化硅栅氧化层得以形成其厚度大约为到纳米这层物质为绝缘体栅氧化层上方为导电的栅极材料栅氧化层充当了介质层使得栅极能够维持到毫伏每立方米的纵向电场这个电场可以用来控制下方沟道的导通和关断