浮帶矽 浮帶矽英語Floatzone silicon是利用垂直式區域熔煉技術所得到的高純度矽先是年美國陸軍通訊兵團英语Signal Corps United States Army的科學家保羅開克Paul H Keck年月日年月日與馬塞爾儒勒埃都瓦高萊英语Marcel J E Golay以區域熔煉法製備出矽單晶 後來又有年貝爾實驗室的Henry Theuerer改良威廉加德納普凡純化鍺的程序而開發出相關技術在垂直式的區域熔煉裡熔融矽有足夠的表面張力避免爐料固液分離如此便可不用再加裝密閉容器防止矽被汙染 若欲取得高純度的矽浮帶矽製程是柴式拉晶法的替代方案以此法精煉之矽可以做到碳氧等雜質濃度極低另一種雜質氮可以控制微小的晶體缺陷而且有置換型固溶強化英语Solid solution strengthening的效果是故在晶體的成長階段常常人為刻意滲氮保留一點點氮雜質 浮帶矽受限於成長時必須控制表面張力所以製造出來的晶圓直徑通常不超過毫米一條超純電子級多晶晶棒通過一環射頻加熱線圈在該晶棒上產生一小段熔融區長晶一小顆晶種置於一端以啟始晶體成長整個製程必須在通惰性氣體或在真空腔體吹淨英语Air purge system中進行盡可能避免汙染因多數雜質在矽中的平衡分離係數小於故雜質往液態之熔融浮區移動被帶走特殊摻雜技術如核心位置摻雜小球摻雜滲氣摻雜中子轉化摻雜等等可以達成雜質濃度均勻一致