能隙 帶隙band gap帶溝或稱能隙energy gap能帶隙energy band gap禁带宽度width of forbidden band在固態物理學中泛指半導體或絕緣體的價帶頂端至傳導帶底端的能量差距 對一個本質半導體而言其導電性與能隙的大小有關只有獲得足夠能量的電子才能從價帶被激發跨過能隙並躍遷至傳導帶利用費米狄拉克統計可以得到電子佔據某個能階 E  displaystyle E 的機率又假設 E   E F displaystyle EEF  E F displaystyle EF 是所謂的費米能階電子佔據 E  displaystyle E 的機率可以利用波茲曼近似簡化為 e   E g k T  displaystyle eleftfrac EgkTright 在上式中 E g displaystyle Eg 是能隙的寬度 k displaystyle k 是波茲曼常數而 T displaystyle T 則是溫度 半導體材料的能隙可以利用一些工程手法加以調整特別是在化合物半導體中例如控制砷化鎵鋁AlGaAs或砷化鎵銦InGaAs各種元素間的比例或是利用如分子束磊晶Molecular Beam Epitaxy MBE成長出多層的磊晶材料這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件如异质结双极性晶体管Heterojunction Bipolar Transistor HBT雷射二極體或是太陽能電池上已經成為主流