热载流子注入 热载流子注入英語Hot carrier injection HCI是固态电子器件中发生一个现象当电子或空穴获得足够的动能后它们就能够突破势垒的约束这里热这个术语是指用来对载流子密度进行建模的有效温度而非器件本身的温度由于载流子被束缚在金屬氧化物半導體場效電晶體的栅极电介质层中晶体管的开关性能可以被永久地改变热载流子注入是一种可能对半导体器件可靠性产生负面影响的机制 熱載子效應的原理當 MOSFET 的通道長 L 很小時也就是 shortchannel短通道元件 此時靠近 Drain 端的橫向電場 E  VdsL 會是很大 MOSFET 的通道載子NMOS 的電子或 PMOS 的電洞從 Source 端跑向 Drain 端時受到上述橫向電場 E 的作用而獲得能量稱為熱載子 Hot carrier 熱載子所獲得能量如果夠大將產生碰撞游離 impact ionization就會生成很多的電子電洞對 electronhole pair 這些電子電洞對有些會受到Gate端電壓的吸引而跑入閘極氧化層裡變成陷井電荷 trapped charge 或固定電荷 fixed charge或是打斷氧化層矽界面上的鍵結形成界面態 interface states 有些是會跑入基板 substrate 端構成 substrate 電流 種種上面提到的結果都會對MOSFET元件的可靠度特性產生影響降低其使用的壽命