閘極介電層 閘極介電層是一種用在場效電晶體的閘道與基底上的介電質以目前的科技水平閘極介電層有許多的限制如 基底需有極少電子的平面低密度的電子量子態 高電容以增加場效電晶體的互導 足夠厚以防止因量子穿遂效應的電穿擊和外洩 電容和厚度的限制幾乎是相對的對矽基場效電晶體來說閘極介電層幾乎總是二氧化矽因為熱氧化物會有很乾淨的平面但無論如何半導體工業對尋找有高介電係數的替代物質有著很高的興趣這可以使閘極介電層在相同的厚度下能有更高的電容