抗輻射強化 抗輻射強化是使電子元件和電路能夠抵抗高幅度游離輻射粒子輻射和高能電磁輻射造成的損壞或故障的過程 特别適用於外太空特别是在低地球軌道以外核反應堆和粒子加速器周圍或在核事故或核戰期間的環境 大多數半導體電子元件都易受輻射損傷而抗輻射 radhard 元件是基於非抗輻射元件而製造的並進行了一些設計和製造上的改進以降低受輻射損傷的敏感性由於生產耐輻射微電子晶片設計需要大量的開發和測試抗輻射晶片的技術往往落後於最新的發展 抗輻射產品通常要經過一項或多項結果效應測試包括總電離劑量 TID增強型低劑量率效應 ELDRS中子和質子位移損傷以及單粒子效應 SEE