后道工序 后道工序back end of lineBEOL是IC制造的第二部分其中各个器件晶体管电容器电阻器等与晶圆上的布线金属化层互连常见的金属有铜和铝 BEOL通常在晶圆上沉积第一层金属时开始BEOL包括触点绝缘层电介质金属层以及用于芯片与封装连接的接合位点 在最后一个FEOL步骤之后就会出现一个带有隔离晶体管没有任何电线的晶圆在制造阶段的BEOL部分中形成接触焊盘互连线通孔和介电结构对于现代IC工艺可以在BEOL中添加  多个金属层 BEOL 步骤 源极和漏极区域以及多晶硅区域的硅化 添加电介质第一层下层是预金属电介质PMD  将金属与硅和多晶硅隔离对其进行CMP处理 在 PMD 上打孔并在其中建立接触点 添加金属层 添加第二个电介质称为金属间电介质IMD 通过电介质制作通孔以将较低金属与较高金属连接通过金属CVD工艺填充通孔 重复步骤  以获取所有金属层 添加最终钝化层以保护微芯片  年之前几乎所有芯片都使用铝作为金属互连层 BEOL 之后有一个後段製程该工艺不是在洁净室中完成的通常由不同的公司完成它包括晶圆测试晶圆背面研磨芯片分离芯片测试 IC封装和最终测试