光登伯效应 光登伯效应英语photoDember effect半导体受飞秒激光激发后发出带电的电磁輻射这是由于极快电子空穴对在很强载流子梯度而造成的同时由于电子和空穴的迁移率不同破坏了表面的对称性半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩正极在下负极在上这种效应称为光登伯效应它是美国物理学家亨利登伯英语Harry Dember于年发现的 光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲輻射或太赫兹时间范畴谱仪大多数半导体都具有光登伯效应但在狭带隙半导体如InAs 和InSb 它们具有较高的电子迁移率而光登伯效应较强 近来已有人能做出与激化面平行的极化面光登伯效应