雪崩二極管 雪崩二極管avalanche diode是設計在特定反向電壓下會突崩潰的二極管其材料會用矽或是其他半导体材料雪崩二極管的接合面會經特別設計避免電流集中及所產生高溫熱點因此在崩潰時不會破壞二極管突崩潰是因為少數載子加速到足以使晶格電離的程度因此產生更多的載子也造成更進一步的電離因為突崩潰是在接面上均勻發生的相較於非雪崩的二極管雪崩二極管的崩潰電壓不會隨電流而變化大致呈一定值 稽納二極體除了齊納崩潰外也會有類似的效應任何一個二極體都會有這二種效應但一般會有一個效應明顯較強雪崩二極管針對突崩潰進行最佳化因此在崩潰條件下會有很小但明顯的電壓差而稽納二極體會維持在高過崩潰電壓的一個電壓下此特性比較類似氣體放電管比稽納二極體的保護效果要好雪崩二極管的電壓有小的正溫度係數而稽納二極體則是負溫度係數