磁阻式隨機存取記憶體 磁阻式隨機存取記憶體Magnetoresistive Random Access Memory縮寫為MRAM是一種非易失性記憶體技術從年代開始發展這個技術的擁護者認為這個技術速度接近SRAM具有快閃記憶體的非揮發性容量密度及使用壽命不輸DRAM平均能耗遠低於DRAM成為真正的通用型記憶體英语Universal memoryUniversal memory它目前由Everspin英语Everspin Technologies公司生产其他公司包括格羅方德和三星電子已经宣布产品计划