浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管Floatinggate MOSFET简称浮栅MOSFET或FGMOS是一种场效应晶体管其结构类似传统的金属氧化物场效应晶体管MOSFET FGMOS的栅极是电绝缘的从而在直流电中产生浮动节点在浮栅floating gate上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极与浮栅绝缘这些输入与浮栅仅有电容耦合连接由于浮栅完全被高电阻材料包围因此其中包含的电荷量会长时间保持不变通常使用FowlerNordheim隧穿和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量 FGMOS的应用包括EPROM中的数字存储元件EEPROM和闪存模拟存储元件数字电位器英语Digital potentiometer单晶体管DAC以及神经网络中的神经元计算元件等