零电容随机存储器 零电容随机存储器英語Zerocapacitor random access memory缩写ZRAM是一种新型的动态随机存取存储器是由Innovative Silicon公司基于SOI技術的浮体效应Float body effect研发的该技术已经被超微半导体AMD许可用于未来的微处理器Innovative Silicon宣称零电容随机存储器能够提供和静态随机存取存储器SRAM常在快取中应用相似的存取速度但是只使用了单一晶体管因此能够提供更高的封装密度