砷化鎵 砷化鎵化學式GaAs是鎵和砷兩種元素所合成的化合物也是重要的IIIA族VA族化合物半导体材料用來製作微波積體電路紅外線發光二極體半导体激光器和太陽電池等元件 GaAs化合物半导体特别适合应用于无线通信中的高频传输领域现在越来越多被应用于射频前端器件这是因为GaAs化合物半导体电子迁移率比传统的硅快且具有抗干扰低噪声与耐高电压耐高温与高频使用等特性在G与G时代有高度需求