直接带隙和间接带隙 直接能隙英语Direct band gaps是指半导体材料的导带底的极小值和价带顶的极大值在k空间内对应同一个k值的能带结构具有这种结构的半导体称为直接跃迁型半导体或称直接带隙半导体直接带隙结构中电子由价带顶跃迁至导带底时保持k不变并吸收光子 间接能隙英语Indirect band gaps是指半导体材料的导带底的极小值和价带顶的极大值在k空间内对应不同k值的能带结构具有这种结构的半导体称为间接跃迁型半导体或称间接带隙半导体间接带隙结构中电子由价带顶跃迁至导带底时动量发生改变因此电子跃迁时除吸收光子外还要吸收或发射声子这样才能满足动量守恒的要求