斯特兰斯基-克拉斯坦诺夫生长 斯特兰斯基克拉斯坦诺夫生长簡稱SK生長是薄膜在結晶表面磊晶成長的三種主要模式之一此生長機制包含兩個過程首先在基板上吸附成薄膜並開始層狀累積達到臨界厚度時會因應力和化學能導致薄膜轉變為島狀成長模式 SK生長最早由伊万斯特兰斯基和Lyubomir Krastanov在年發現直到年SK生長模式VolmerWeber生長模式和Frankvan der Merwe生長模式才被恩斯特鮑爾Ernst Bauer在他的著作中正式歸類為薄膜成長的三大主要機制