氮化銦 氮化銦InN是一種小能隙的半導體材料在太陽能電池及其他高速電子學上有潛在的應用 依溫度的不同氮化銦的能階可以到約 eV以往認定的值是 eV其有效電子質量已由高磁場的測量所確認  m m氮化銦和氮化鎵的合金為三元体系的氮化銦鎵其直接能階從紅外線 eV延伸到紫外線 eV 目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池利用合金氮化銦鎵英语indium gallium nitride可以對應太陽光的頻譜氮化銦的能階其波長可以長到nm不過這類太陽電池要商品化仍有許多困難利用氮化銦及高含銦的氮化銦鎵製作p型半導體就是挑戰之一氮化銦和其他氮化物如 氮化鎵及氮化鋁的異質外延生長也已證實相當困難 氮化銦的多晶薄膜有高導電性在氦的溫度下甚至有超導性其超導轉態溫度為Tc依其薄膜結構而定會低於 K其超導性在強磁場數個特斯拉下仍然存在這和金屬在磁場為  T時超導性就會下降的特性不同其超導的特性是因為金屬銦的鍊狀結構或是奈米簇其中依照金兹堡朗道方程較小的尺寸增高了臨界磁場