内存时序 記憶體時序英語Memory timings或RAM timings是描述同步動態隨機存取存储器SDRAM性能的四个参数CLTRCDTRP和TRAS單位為時鐘週期它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數字例如第四個參數RAS經常被省略而有時還會加入第五個參數Command rate命令速率通常為T或T也寫做NN這些參數指定了影響隨機存取存储器速度的潛伏時間延遲時間較低的數字通常意味着更快的性能決定系统性能的最终元素是實際的延遲時間通常以奈秒為單位 當將記憶體時序轉換為實際的延遲時最重要的是注意它是以時鐘週期為單位如果不知道時鐘週期的時間就不可能了解一组數字是否比另一组數字更快 舉例來說DDR記憶體的频率是 MHz其週期為 ns基於這個 ns的時鐘CL给出的絕對延遲為 ns而更快的DDR時鐘 MHz每個週期 ns則可能用更大的CL但產生的絕對延遲 ns更短 现代DIMM包括一個串行存在檢測SPDROM芯片其中包含為自動配置推薦的記憶體時序PC上的BIOS可能允許用戶調整時序以提高性能存在降低穩定性的風險或在某些情况下增加穩定性如使用建議的時序甚至用更高的時序 注意記憶體頻寬是測量記憶體的吞吐量並通常受到傳輸速率而非潛伏時間的限制通過交錯英语Interleaved memory訪問SDRAM的多個内部bank有可能以峰值速率連續傳輸可能以增加潜伏時間為代價來增加頻寬具體來說每個新一代的DDR記憶體都有著較高的傳輸速率但絕對延遲則没有顯著變化尤其是市場上首批的新一代產品通常有著較上一代更長的延遲 即便增加了記憶體延遲增加記憶體頻寬也可以改善多處理器或多個執行緒組成的電腦系統的性能更高的頻寬也可以提升沒有專用VRAM的集成顯卡的性能