隧道磁阻 隧道磁阻英語TMR Tunnel Magnetoresistance又稱穿隧磁阻是发生在磁隧道结MTJ Magnetic Tunnel Junction中的磁阻效应由一个薄绝缘体及被其隔开的两个铁磁体组成的组件绝缘层足够薄通常为几纳米的情况下电子可以从一个铁磁体隧穿过去另一边由于这个过程在古典物理学中不可能实现的所以隧道磁阻是一种严格的量子力学现象 磁性隧道结通过薄膜技术进行制造工业规模上的薄膜沉积通过磁控溅射沉积完成实验室规模通过分子束外延脉冲激光沉积以及电子束物理气相沉积制备隧道的结通过光刻法制备