有机金属化学气相沉积法 有機金屬化合物化學气相沉積法MOCVD Metalorganic Chemical Vapor Deposition是在基板上生长半導體薄膜的一種方法 其他類似的名稱如金属有机化合物金属有机化合物气相外延生长法MOVPEMetalorganic VaporPhase EpitaxyOMVPE Organometallic VaporPhase EpitaxyOMCVD Organometallic Chemical Vapor Deposition等其中字母 MO 或 OM指的是半導體薄膜生长過程中所採用的反應源precusor為有機金屬化合物而後面三個字母 CVD 或是 VPE用于区分形成的膜的晶体特性一般CVD 所指的是非晶体薄膜的沉积而VPE所指晶体膜的外延生长