硅穿孔 硅穿孔英語Through Silicon Via 常簡寫為TSV也稱做硅通孔是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连 TSV 是一種讓D IC封裝遵循摩爾定律Moores Law的互連技術TSV可堆疊多片晶片其設計概念來自於印刷電路板PCB 在晶片鑽出小洞製程又可分為先鑽孔及後鑽孔兩種 Via First Via Last從底部填充入金屬 矽晶圓上以蝕刻或雷射方式鑽孔via再以導電材料如銅多晶矽鎢等物質填滿此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度與效能 TSV技术在三维封装和三维集成电路中具有重要应用對於跨入D IC相當具有優勢年月韓國三星表示已成功將TSV技術應用在晶圓級堆疊封裝Wafer level process stack package WSPNAND Flash堆疊的技術堆疊八個Gb NAND Flash晶片以雷射鑽孔打造出TSV製程高度是mm年月三星公佈其以WSP技術應用在DRAM的產品共堆疊了顆Mb的DRAM晶片到目前為止晶片商採用矽穿孔技術的商業行為有限僅有CMOSCIS影像感測器MEMS等少數幾種