高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管英語High electron mobility transistor HEMT也称调制掺杂场效应管modulationdoped FET MODFET是场效应電晶體的一种它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结为载流子提供通道而不像金屬氧化物半導體場效電晶體那样直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道砷化镓砷镓铝三元化合物半导体是构成这种器件的可选材料当然根据具体的应用场合可以有其他多种组合例如含铟的器件普遍表现出更好的高频性能而近年来发展的氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性吸引了大量关注高电子迁移率晶体管可以在极高频下工作因此在移动电话卫星电视和雷达中应用广泛