多层单元 多层单元英語multilevel cell缩写MLC是一种存储多个位元信息的存储器元件 MLC NAND闪存是一种在每个单元cell上使用多个层次的闪存技术从而允许相同数量的晶体管存储更多位元在单层单元SLCNAND闪存技术中每个单元只能处于两种状态中的一种即每个单元存储一个位元很多MLC NAND闪存在每个单元中存储四个可能的状态因此可以用每个单元存储两个位元这减少了区分状态的余量从而增加了发生错误的可能性面向低错误率而设计的多层单元有时称之为企业级MLCeMLC 三层单元Triplelevel cells缩写TLC是MLC存储器的一种子类型并随着MLC存储器的演变而有着较混乱的命名法記憶體階層表现为如下顺序 SLC  最快極高成本 MLC  中上高成本 TLC  中等低成本 QLC  最慢極低成本