三氟化氮 三氟化氮NF是卤化氮中最稳定的无机化合物可在铜的催化下由氨气与氟气制成 它可以用作氟化氢激光器的氧化剂半导体液晶和薄膜太阳能电池生产过程中的蚀刻剂曾被试做火箭燃料 但由于三氟化氮属于温室气体能加剧温室效应因此有人认为应该限制这种化合物的使用 三氟化氮在半導體及TFTLCD製造的薄膜製程中扮演清潔劑的角色不過這類清潔劑是氣態而非液態 在半導體中薄膜製程的主要設備是化學氣相沉積CVD機台會在晶圓片上長出薄膜薄膜的成份有可能是矽二氧化矽或其他金屬材料但這些材料不僅會附著在晶片上也附著在反應室內的牆壁上內牆上的二氧化矽累積至相當數量就會在反應室內形成微塵粒子Particle影響晶圓片的良率 因此每台CVD機台在處理過規定數量的晶圓片後就要使用含氟的氣體清洗以去除內壁上的矽化物質不過NF與CFCF等氣體都屬於多氟碳化物是造成溫室效應的來源之一半導體廠為了降低排氣對溫室效應的影響在排放含氟廢氣前會以高溫攝氏度才進行將氣體由有機轉分解為無機才不會破壞臭氧層