金属半导体场效应管 金属半导体场效应管英語metal semiconductor field effect transistor MESFET简称金半场效应管是一种在结构上与结型场效应管类似不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极而是采用金属半导体接触结构成肖特基势垒的方式形成栅极金属半导体场效应管通常由化合物半导体构成例如砷化镓磷化铟碳化硅等它的速度比由硅制造的结型场效应管或MOSFET更快但是造价相对更高金属半导体场效应管的工作频率最高可以达到 GHz左右在微波频段的通信雷达等设备中有着广泛应用第一个金属半导体场效应管在年被发明其良好的极高频性能在随后的一年即展现出来在数字电路设计领域由于数字集成电路的集成度不断提高因此使用金属半导体场效应管并不如CMOS