磷化銦鎵 磷化銦鎵Indium gallium phosphide簡稱InGaP也被稱為磷化鎵銦GaInP是由磷銦和鎵組成的半導體因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快常用於高速或是高功率的電子元件中 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體HEMT及异质结双极性晶体管HBT結構中但也用在太空應用的高速率太陽能電池若加入鋁AlGaInP英语Aluminium gallium indium phosphide合金可以製作高亮度的橘紅色橘色黃色及綠色發光二極體 磷化銦鎵是磷化銦及磷化鎵的合金 GaInP是一種有特別重要性的合金其晶格幾乎和砷化鎵相同因此配合AlxGaxIn可以產生晶格對應的量子阱可以作為紅色的激光二極管例如紅色光波長nm的共振腔發光二極體或是配合聚甲基丙烯酸甲酯塑膠光纖的垂直腔面發射雷射器 GaInP其能量接面是太陽能電池中砷化鎵接面的二倍到三倍近年發現磷化銦鎵及砷化鎵疊層的太陽能電池在AM條件太陽光在大氣層外的平均照度 kWm 下效率可以提升 另一個磷化銦鎵的合金其晶格匹配底層的砷化銦鎵英语Indium gallium arsenide用來製作高能量效率的磷化銦鎵砷化銦鎵鍺三接面太陽電池 磷化銦鎵的磊晶生長可以依磷化銦鎵的趨勢成長生成一般的材料而不是任意分布的合金這會改變該材料的帶隙和其電子和光學性質