载流子散射 载流子散射是指半导体中的电荷载流子包括电子和空穴在输运过程中受到散射的现象了解外部场效应下的载流子散射过程是半导体芯片设计的核心以方便后续使用电子设计自动化EDA或电子计算机辅助设计ECAD系统进行集成电路和印刷电路板的设计 半导体中存在两种不同的电荷载流子即携带负电荷的电子和携带正电荷的空穴非超导相的半导体中电子和空穴的输运会受到半导体内部的长程无序和短程无序而发生散射从而表现出电阻热电势和电子热阻等效应 测量载流子的平均散射时间通常比较容易可以测量在不同栅极电压下的电导率再通过一级近似来拟合来获得一个散射时间的平均值  也可以通过观测快速激光辅助下的光子电子相互作用来实时获得  测量载流子散射对能量的灵敏度比较困难根据麻省理工学院唐爽和崔瑟豪斯的研究成果可以通过调节费米能级位置以测量热电势的最大值的方式来检测载流子散射的能量敏感度 此后唐崔瑟豪斯理论被广泛用于测量各种新型半导体材料中载流子的散射机制包括超晶格 纳米管 石墨烯 过渡金属二硫化物单层和黑磷