Pooljuhtplaat

Pooljuhtplaat ehk pooljuhtvahvel (inglise keeles wafer) on õhuke pooljuhi, näiteks ränikristalli, viilukujuline toorik. Seda kasutatakse pooljuhttehnoloogias mikrokiipide ja teiste integraallülituste valmistamiseks. Pooljuhtplaatide sisse ja peale ehitatakse mikroelektroonikakomponente, see on nende alusmaterjaliks. Komponentide valmistamiseks on vaja palju samme: legeerimine või ioonide lisamine, söövitamine, erinevate materjalikihtide sadestamine ja fotolitograafiaga mustrite pealekandmine. Lõpuks üksikud mikroskeemid eraldatakse lõikamise teel pooljuhttükkideks ning pakendatakse pooljuhi korpustesse. Mitmeid päikeseelemendi tüüpe valmistatakse sellistest pooljuhtplaatidest. Enamasti kasutatakse päikeseelementide valmistamiseks ära terve plaat. Pooljuhtplaadid valmistatakse ülipuhtast (99,9999999% puhtad) ning peaaegu defektivabast kristallilisest materjalist. Üks viis, kuidas kristalltoorikuid valmistada, on Poola keemiku Jan Czochralski leiutatud Czochralski meetod. Selles protsessis moodustub aluskristalli sulatades silindriline kõrge puhtusega monokristall pooljuhi (näiteks räni või germaaniumi) toorik. Doonor ja aktseptorlisandid, näiteks räni korral boori või fosfori saab lisada sulanud pooljuhimaterjali täpsetes kogustes. Selle tulemusena legeeritakse pooljuht n- või p-tüübiks. Seejärel pooljuhtplaatide valmistamiseks lõigatakse toorik traatsaega viiludeks ja poleeritakse. Plaadi suurus päikeseelementide puhul on 100–200 mm ja paksus 200–300 μm. Tulevikus hakatakse standardina kasutama 160 μm paksusi plaate. Elektroonika kasutab plaate läbimõõtudega vahemikus 100–450 mm. Suurimad pooljuhtplaadid, mida valmistatakse, on 450 mm läbimõõduga, kuid need pole veel tavatootmises. Pooljuhtplaadid puhastatakse ebavajalike osakeste eemaldamiseks ja saagimisprotsessi käigus tekkinud vigade parandamiseks nõrga happega. Päikeseelementides kasutatavad paneelid karestatakse, et suurendada nende kasutegurit. Tekkiv fotosilikaadist klaas eemaldatakse plaadi servadest söövitamise käigus. Pooljuhtplaate on paljude läbimõõtudega, vahemikus 25–300 mm. Pooljuhte tootvaid tehaseid jagatakse selle järgi kui suuri plaate seal olevad masinad on võimelised tootma. Diameeter on vähehaaval suurenenud, et suurendada tootlikkust ja vähendada hinda. Praegused kaasaegseimad tehased kasutavad 300 mm läbimõõduga plaate ja järgmine standard on prognoositud olema 450 mm. Intel, TSMC ja Samsung arendavad eraldiseisvalt 450 mm prototüüptehast. Täpsed valmimisaastad sõltuvad paljuski uutest tehnoloogilistest edusammudest, sest sammuks ei saa ainult olemasolevaid tehnoloogiad laiendada. 25 mm 50 mm. Paksus 275 µm. 75 mm. Paksus 375 µm. 100 mm. Paksus 525 µm. 125 mm. Paksus 625 µm. 150 mm. Paksus 675 µm. 200 mm. Paksus 725 µm. 300 mm. Paksus 775 µm. 450 mm. Paksus 925 µm (oodatav). Pooljuhtplaadid, mis ei ole ränist kasvatatud, võivad omada sama diameetri juures testsuguseid paksusi. Plaadi paksus sõltub kasutatava materjali tugevusest; plaat peab olema piisavalt tugev, et see käsitlemise ajal oma raskuse all ei murduks. Kui on antud plaadi diameeter (d, mm) ja mikrokiibi pooljuhttüki pindala (S, mm2), saab plaadist väljalõigatavate kiipide arvu n leida valemiga: n = d π ( d 4 S − 1 2 S ) {\displaystyle n=d\pi \left({\frac {d}{4S}}-{\frac {1}{\sqrt {2S}}}\right)} Saadud kiipide arv ei võta arvesse defektidest, joondumismärkidest ja kvaliteedi testimisest tulnud kadusid. Pooljuhtplaadid kasvatatakse regulaarse kristallstruktuuriga kristallist. Näiteks räni ühikraku võre vahe on 5,430710 Å (0,5430710 nm). Plaatideks lõigates joondatakse pind võrreldes kristallvõrega kindlat pidi. Suund pannakse kirja Milleri indeksiga. Räni puhul on kõige tavalisemad suunad (100) või (111). Suund on väga tähtis, sest paljud kristalli struktuursed ja elektrilised omadused on tugevalt anisotroopsed. Ioonimplanteerimise sügavus sõltub plaadi kristallilisest suunast, kuna iga suund omab erinevaid transpordiradu. Tavaliselt toimub pooljuhi lõhenevus ainult vähestes hästi määratletud suundades. Plaati on piki lõhenemistasandeid võimalik lihtsamalt pooljuhitükkideks lõigata. Niiviisi lõigatakse keskmine pooljuhtplaat miljarditeks elektriahelateks. 200 mm väiksema läbimõõduga plaatidel on ühes või mitmes küljes sirged sisselõiked, mis märgivad kristallograafia suunda (tavaliselt {110} küljes). Varasematel pooljuhtplaadi generatsioonidel oli sirgete servade paar, mille vaheline nurk näitas legeeringu tüüpi. 200 mm ja suurema läbimõõduga plaadid kasutavad väikest sälku suuna määramiseks ning visuaalsed viisid legeerimise määramiseks puuduvad. Räniplaadid pole tavalisel 100% puhtast ränist vaid valmistatakse algsete legeeritud lisanditega. Lisandite kontsentratsioon on vahemikust 1013 kuni 1016aatomit cm3 kohta. Boor, fosfor, arseen või antimon lisatakse sulanud kristallile, et muuta see n- või p-tüüpi pooljuhiks. Ehkki kui võrrelda seda räni aatomite tihedusega 5×1022 aatomit cm3 kohta, on puhtus siiski üle 99,9999%. Pooljuhtplaatidel võib olla hapniku kontsentratsioonist tingitud kristallidefekte. Süsinikust ja metallidest tingitud saastust üritatakse võimalikult väiksena hoida. Elektroonilistel kasutusaladel peab hoidma üleminekumetallide kontsentratsiooni eriti madalal, alla ühe osa miljardi kohta. Kuigi räni on elektroonikatööstuses levinuim pooljuhtplaadi materjal, kasutatakse ka muid materjale. Näiteks galliumarseniid (GaAs), Czochralski meetodiga toodetav III–V pooljuht, on üks selliseid. Pooljuhttehnoloogia Epitaksia Pooljuhtelektroonika Veiko Tamm. "Liivaterast superajuni". Tehnikamaailm. Originaali arhiivikoopia seisuga 6. märts 2016. Vaadatud 5. märtsil 2016. Phillip A. Laplante (2005). Comprehensive dictionary of electrical engineering (2nd ed.). CRC Press. ISBN 978-0-8493-3086-5. "Semi" SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International. December 2005. Reference Section: How to Make a Chip. Adapted from Design News. Reed Electronics Group. SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International. December 2005. Reference Section: How to Make a Chip. Adapted from Design News. Reed Electronics Group. Levy, Roland Albert (1989). Microelectronic Materials and Processes. Lk 1–2. ISBN 0-7923-0154-4. Vaadatud 23.02.2008. Grovenor, C. (1989). Microelectronic Materials. CRC Press. Lk 113–123. ISBN 0-85274-270-3. Vaadatud 25.02.2008. Nishi, Yoshio (2000). Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology. CRC Press. Lk 67–71. ISBN 0-8247-8783-8. Vaadatud 25.02.2008. "Arhiivikoopia". Originaali arhiivikoopia seisuga 4. veebruar 2009. Vaadatud 5. detsembril 2013.{{netiviide}}: CS1 hooldus: arhiivikoopia kasutusel pealkirjana (link) "Arhiivikoopia". Originaali arhiivikoopia seisuga 4. veebruar 2009. Vaadatud 5. detsembril 2013.{{netiviide}}: CS1 hooldus: arhiivikoopia kasutusel pealkirjana (link) "Silicon Wafer". Originaali arhiivikoopia seisuga 20.02.2008. Vaadatud 23.02.2008. Intel, Samsung, TSMC reach agreement about 450mm tech ITRS Presentation (PDF) Industry Agrees on first 450-mm wafer standard – EETimes.com O'Mara, William C. (1990). Handbook of Semiconductor Silicon Technology. William Andrew Inc. Lk 349–352. ISBN 0-8155-1237-6. Vaadatud 24.02.2008. Nishi, Yoshio (2000). Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology. CRC Press. Lk 108–109. ISBN 0-8247-8783-8. Vaadatud 25.02.2008. "Wafer Flats". Vaadatud 23.02.2008. Widmann, Dietrich (2000). Technology of Integrated Circuits. Springer. Lk 39. ISBN 3-540-66199-9. Vaadatud 24.02.2008. Levy, Roland Albert (1989). Microelectronic Materials and Processes. Lk 6–7, 13. ISBN 0-7923-0154-4. Vaadatud 23.02.2008. Rockett, Angus (2008). The Materials Science of Semiconductors. Lk 13. ISBN 978-0-387-25653-5.