Silikon nitrida
teknologi prototip canggih yang canggih untuk membuat komponen ruang bakar/nosel (pendorong) tunggal berdiameter satu inci. Pendorongnya adalah api panas yang diuji dengan propelan hidrogen/oksigen dan bertahan selama lima siklus termasuk siklus 5 menit sampai suhu material 1320 °C.
Pada tahun 2010 silikon nitrida digunakan sebagai bahan utama dalam pendorong wahana luar angkasa JAXA, Akatsuki.
Silikon nitrida memiliki banyak aplikasi ortopedi. Bahan ini juga merupakan alternatif dari PEEK (polieter eter keton) dan titanium, yang digunakan untuk perangkat fusi spinal. Permukaan mikrotekstur dan hidrofilik silikon nitrida berkontribusi pada kekuatan, daya tahan, dan ketangguhan bahan dibandingkan PEEK dan titanium.
Aplikasi besar pertama dari adalah alat abrasif dan pemotong. Silikon nitrida monolitik banyak digunakan sebagai bahan untuk alat pemotong, karena kekerasannya, stabilitas termal, dan ketahanannya terhadap keausan. Hal ini terutama direkomendasikan untuk permesinan besi tuang berkecepatan tinggi. Kekerasan saat dipanaskan, ketangguhan terhadap keretakan dan ketahanan terhadap
sengatan termal berarti bahwa silikon nitrida disinter dapat memotong besi tuang, baja keras dan paduan berbasis nikel dengan kecepatan permukaan hingga 25 kali lebih cepat daripada yang diperoleh dengan bahan konvensional seperti tungsten karbida. Penggunaan alat pemotong berdampak dramatis pada output manufaktur. Misalnya, penggilingan muka besi cor abu-abu dengan sisipan silikon nitrida menggandakan
kecepatan pemotongan, meningkatkan umur alat dari satu bagian menjadi enam bagian per tepi, dan mengurangi biaya sisipan rata-rata hingga 50%, dibandingkan dengan alat tungsten karbida tradisional.
Silikon nitrida sering digunakan sebagai isolator dan penghalang kimiawi di bidang manufaktur sirkuit terpadu, untuk mengisolasi secara elektrik struktur yang berbeda atau sebagai masker etsa dalam permesinan mikro curah. Sebagai lapisan pasivasi, silikon nitrida lebih unggul daripada silikon dioksida, karena ia lebih baik secara signifikan sebagai penghalang difusi
terhadap molekul air dan ion natrium, dua sumber utama korosi dan ketidakstabilan dalam mikroekektronika. Ia juga digunakan sebagai dielektrik antara lapisan polisilikon pada kapasitor dalam chip analog.
Silikon nitrida yang diendapkan oleh LPCVD mengandung hidrogen hingga 8%. Ia juga menunjukkan kuat tarik, yang dapat memecahkan film yang lebih tebal dari 200 nm. Namun, ia memiliki resistivitas dan kekuatan dielektrik yang lebih tinggi daripada kebanyakan isolator yang biasa digunakan dalam mikrofabrikasi (masing-masing 10 cm dan 10 MV/cm).
Tidak hanya silikon nitrida, tapi juga berbagai senyawa terner dari silikon, nitrogen dan hidrogen (SiNH) digunakan untuk lapisan isolasi. Mereka adalah plasma yang diendapkan dengan menggunakan reaksi berikut:
Film-film SiNH ini memiliki kuat tarik yang jauh lebih sedikit, namun sifat listrik yang lebih buruk (resistivitas 10 sampai 10 cm, dan kekuatan dielektrik 1 sampai 5 MV/cm).
Silikon nitrida juga digunakan dalam proses xerografi sebagai salah satu lapisan drum foto. Silikon nitrida juga digunakan sebagai sumber pengapian untuk peralatan gas rumah tangga. Karena sifat elastisnya yang baik, silikon nitrida, bersama dengan silikon dan silikon oksida, adalah bahan yang paling populer untuk kantilever- unsur penginderaan pada mikroskop gaya atom.
Preparasi silikon nitrida pertama dilaporkan pada tahun 1857 oleh Henri Etienne Sainte-Claire Deville dan Friedrich Wöhler. Dalam metode mereka, silikon dipanaskan dalam krus yang dimasukkan ke dalam krus lain yang dikemas dengan karbon untuk mengurangi permeasi oksigen ke krus bagian dalam. Mereka melaporkan produk yang mereka sebut silikon nitrida namun tanpa menentukan komposisi kimianya.
Paul Schuetzenberger pertama kali melaporkan sebuah produk dengan komposisi tetranitrida,, pada tahun 1879 yang diperoleh dengan memanaskan silikon dengan "brasque" (pasta yang dibuat dengan mencampur arang, batubara, atau kokas dengan tanah liat yang kemudian digunakan untuk mencocokkan krus lebur) pada tanur tinggi. Pada tahun 1910, Ludwig Weiss dan Theodor Engelhardt memanaskan silikon di bawah nitrogen
murni untuk menghasilkan. E. Friederich dan L. Sittig membuat pada tahun 1925 melalui reduksi karbotermal di bawah kondisi nitrogen, yaitu, dengan memanaskan silika, karbon, dan nitrogen pada suhu 1250-1300 °C.
Silikon nitrida tetap menjadi keingintahuan kimia selama beberapa dekade sebelum digunakan dalam aplikasi komersial. Dari tahun 1948 sampai 1952, Perusahaan Carborundum, Niagara Falls, New York, mengajukan beberapa paten untuk pembuatan dan aplikasi silikon nitrida. Pada tahun 1958 Haynes (Union Carbide) silikon nitrida diproduksi secara komersial untuk tabung termokopel, nozel roket,
dan kapal serta krus untuk mencairkan logam. Karya bangsa Inggris pada silikon nitrida, dimulai pada tahun 1953, menyasar pada bagian suhu tinggi turbin gas dan menghasilkan pengembangan silikon nitrida "reaction-bonded" dan silikon nitrida "hot-pressed". Pada tahun 1971, "Advanced Research Project Agency" Departemen Pertahanan AS menempatkan kontrak senilai 17 juta dolar AS dengan Ford dan Westinghouse untuk dua turbin gas keramik.
Meskipun sifat silikon nitrida dikenal dengan baik, keterjadian alaminya hanya dijumpai pada tahun 1990an, sebagai inklusi renik (ukurannya sekitar 2 m  0.5 m) dalam meteorit. Mineral itu dinamai nierite sesuai nama pelopor spektrometri massa, Alfred O. C. Nier. Mineral ini mungkin telah terdeteksi lebih awal, lagi-lagi eksklusif dalam meteorit, oleh geolog Soviet