Silicon dioxide
طورت هذه التقنية من أجل عزل ترانزستورات موسفت عن بعضها؛ لأن طبقة ثنائي أكسيد السيليكون طبقة عازلة ترفع من الأداء الإلكتروني لرقاقة السيليكون. يمكن تمثيل ونمذجة عملية الأكسدة الموضعية للسيليكون باستخدام نموذج ديل-غروف .