Gallium arsenide
基板が半絶縁性を示す理由は基板中の深い準位が原因である。ヒ化ガリウムの場合、伝導帯から0.7eV付近にEL2と呼ばれる深い準位が存在し、これが高抵抗の原因となっている。この深い準位の原因は、完全に判明しているとはいえないが、一番有力な説は、構成する原子のアンチサイト欠陥である。アンチサイトは、化合物半導体で使用される構成原子の一部が、結晶中の本来の位置でなく、他の元素が入るべき位置に入ってしまう現象のことである（例：ヒ化ガリウムの場合、ガリウム原子がヒ素原子が入るべき位置に入ってしまう現象）。