Thin film
熱処理は異なる効果のために考案されている。ウェハーを加熱する理由として、ドーパントを活性化するため、薄膜-薄膜界面または薄膜-ウェハー基板界面を変化させるため、堆積した薄膜の密度を高めるため、成長させた薄膜の状態を変化させるため、イオン注入によるダメージを回復させるため、ドーパントをある薄膜から別の薄膜へ、またはある薄膜からシリコン基板へ移動させるため、などがある。