Gallium arsenide
MOCVD成長薄膜時，主要將載流氣體通過有機金屬反應源的容器時，將反應源的飽和蒸氣帶至反應腔中與其它反應氣體混合，然後在被加熱的基板上面發生化學反應促成薄膜的成長。一般而言，載流氣體通常是氫氣，但是也有些特殊情況下採用氮氣（例如：成長氮化銦鎵（InGaN）薄膜時）。常用的基板為砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）、矽（Si）、碳化矽（SiC）及藍寶石（Al2O3）等等。而通常所成長的薄膜材料主要為三五族化合物半導體（例如：砷化鎵（GaAs）、砷化鎵鋁（AlGaAs）、磷化鋁銦鎵（AlGaInP）、氮化銦鎵（InGaN））或是二六族化合物半導體，這些半導體薄膜則是應用在光電元件（例如：發光二極體、雷射二極體及太陽能電池）及微電子元件（例如：异质结双极性晶体管）及假晶式高電子遷移率電晶體（PHEMT））的製作。