Electric current
多くの半導体デバイスを記述するときに拡散電流の一部を考慮する必要がある。例えばp-n接合の空乏層近くの電流は拡散電流が主である。空乏層の内部では、拡散電流とドリフト電流の両方が存在する。p-n接合の平衡状態では、空乏層のある方向の電流はその逆向きの電流と釣り合っており、電流は実質0となる。