Gallium arsenide
磷化銦鎵（Indium gallium phosphide，簡稱InGaP)也被稱為磷化鎵銦（GaInP），是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高功率的電子元件中。