RC circuit
Polysilizium weist bei den typischerweise verwendeten Dotierungskonzentrationen zwar einen niedrigen spezifischen Widerstand, dieser liegt aber weiterhin deutlich höher als bei vielen Metallen. Der höhere elektrische Widerstand des Gates verschlechtert die elektrischen Eigenschaften der Schaltung hinsichtlich des Ladens und Entladens der Transistor-Gate-Kapazität, was in langsamere Schaltzeiten resultiert, vgl. RC-Glied.