Gallium arsenide
2002年にルーセント・テクノロジーズのベル研究所のYueh-Lin Looのグループによって開発された。転写型の材料は弾性的な高分子素材からヒ化ガリウム（GaAs）のような硬質の素材まで使える。実験では線幅500nmのラインパターンや、直径130nmのドットパターンなどが試作され、有機トランジスタや相補性インバーター回路の配線などに成功した。