Gallium arsenide
波長從650nm到1300nm的典型VCSEL是以砷化鎵（GaAs）和鋁鎵砷化物（AlxGa(1-x)As）構成的DBR所組成的鎵砷晶元為基底。GaAs/AlGaAs系統由於材料的晶格常數在組成有變動時，不會有非常強烈的改變，且允許多個"晶格配對"復生層成長於砷化鎵的底層，所以非常適合用來製造VCSEL。然而，當Al分子增加時，鋁鎵砷化物的折射率就會變強，與其他系統比較起來，要組成一個有效的布拉格鏡，所用的層數就會達到最少。