Gallium arsenide
半導體材料的能隙可以利用一些工程手法加以調整，特別是在化合物半導體中，例如控制砷化鎵鋁（AlGaAs）或砷化鎵銦（InGaAs）各種元素間的比例，或是利用如分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy, MBE）成長出多層的磊晶材料。這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件，如-{zh-cn:异质结双极性晶体管;zh-tw:異質接面雙載子電晶體;}-（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、-{A|zh-hans:激光二极管;zh-hk:激光二極管;zh-tw:雷射二極體;}-，或是太陽能電池上已經成為主流。