William Shockley
江崎玲於奈在大學畢業後進入川西機械製作所（現富士通天）工作，起初進行由真空管的陰極放出熱電子的研究工作，因受到約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和威廉·肖克利發明電晶體的鼓舞，他轉而研究重摻雜的鍺和矽。1956年轉入東京通信工業株式会社（現Sony）擔任半導体研究室主任研究員，進行PN結二極體研究。經過一年的嘗試後得知，每當鍺的PN結寬度變薄時，穿隧效應就會影響電流 - 電壓之特性，隨著電壓增加，電流反而減小，這說明了負電阻。此一發現是物理學中首次出現的固體穿隧效應，也是電子學中的一個新型電子器件：江崎二極體（或稱隧道二極體）的誕生。由於此一突破性發明，1959年他獲得了東大博士學位。