قانون مور
جعل الموسفت من الممكن بناء رقائق الدارات المتكاملة عالية الكثافة. اقترح عطا الله لأول مرة مفهوم رقاقة الدارات المتكاملة (MOS IC) في عام 1960، تلاه كانغ في عام 1961. بُنيت أول رقاقة تجريبية MOS IC جرى تصنيعها بواسطة فريد هايمان وستيفن هوفشتاين في مختبرات آر سي إيه في عام 1962. أدت تقنية موسفت إلى قانون مور، ومضاعفة الترانزستورات على رقاقة آي سي كل عامين، وهو ما به غوردون مور في عام 1965. جرى تطوير تقنية بوابة السيليكون موسفت بواسطة فيدريكو فاجين في مختبرات فيرتشايلد في عام 1968. منذ ذلك الحين، أدى الإنتاج الضخم من ترانزستور موسفت السيليكوني وشرائح الدارات المتكاملة موسفت، بالإضافة إلى تصغير حجم موسفت بوتيرة متسارعة (كما هو متوقع في قانون مور)، إلى تغييرات ثورية في التكنولوجيا والاقتصاد والثقافة والفكر.