Gallium arsenide
因為砷化鎵和砷化鋁（AlAs）的晶格常數幾乎一樣，可以利用-{zh-hant:分子束磊晶;zh-hans:分子束外延;}-（molecular beam epitaxy, MBE）或有機金屬氣相磊晶 （metal-organic vapour phase epitaxy，MOVPE，也稱做有機金屬化學氣相沉積法），在砷化鎵上輕易地形成異質的結構，生長出砷化鋁或（AlxGa1-xAs）合金；且因為生長出的合金層應力小，所以幾乎可以任意調整生長厚度。