Silicon dioxide
在TMAH中进行长时间蚀刻的常用遮蔽材料包括二氧化硅（LPCVD和热）和氮化硅。氮化硅在TMAH中的蚀刻速率可以忽略不计；二氧化硅在TMAH中的蚀刻速率随薄膜质量而变化，但一般在0.1纳米/分钟左右。