University at Albany, SUNY
2008年2月に、ニューヨーク州立大学オールバニ校のCollege of Nanoscale Science and Engineering (CNSE)を拠点とした、IBMとAMDを含む共同作業では、45nmのノード・テスト・チップの最初の金属層中に90nmの溝をパターニングするためにEUVリソグラフィを使用した。デバイス性能についての個別の詳細は提示されなかった。しかしながら、リソグラフィの性能詳細はそれでもなお要望されるものの多くを示した。