Micron Technology
相比较DDR4或GDDR5而言，高頻寬記憶體以更小的体积、更少的功率达到了更高的带宽。这是由堆积至多八块DRAM裸晶（即三维集成电路）的方式达成的，此方法搭载了通过硅穿孔（TSV）及相连接的可选基底裸晶，附带内存控制器。高頻寬記憶體技术原理上与美光科技开发的接口类似，但不相兼容。