Memristor

I elektronik er memristoren et passivt kredsløbselement. Memristoren er blevet beskrevet som det fjerde elementære passive kredsløbselement, på linje med de velkendte kondensator, modstand og spole.

Navnet memristor er en portmanteau af memory resistor – hukommelse og modstand.

En memristor gemmer i princippet information, fordi dens resistans ændrer værdi som funktion af den passerede ladning regnet med fortegn. Den typiske lineare modstand har en stabil resistans uafhængig af strømmens størrelse og også stabil i forhold til den passerede mængde ladning. En memristor kan have en høj resistans hvilken kan vælges at fortolkes som "1" i data termer – og en lav resistans kan fortolkes som "0". Som en følge af den valgte fortolkning kan data blive gemt og genskrevet ved at styre strømmen. På en måde er en memristor en variabel modstand som via dens modstand afspejler sin egen historiske passerede strøm.

Memristoren blev forudsagt og beskrevet i 1971 af Leon Chua ved UC Berkeley, i en artikel i IEEE Transactions on Circuit Theory.

I 37 år var memristoren et hypotetiskt element, uden kendte fysiske realiseringer. I april 2008 blev det rapporteret i Nature, at en fysisk implementation af en memristor var blevet lavet af et team af forskere ved HP Labs.

Fysik 

Memristoren er et element i hvilken den magnetisk flux  er en funktion af den akkumulerede elektriske ladning q (i komponenten passerede). Fluxens afledede mht. ladningen

 Memristans: 

er kendt som memristans. Dette er sammenligneligt med de andre tre fundamentale kredsløbselementer:

 Resistans: 
 Induktans: 
 Kapacitans: 

Her er:
  elektrisk ladning
  er elektrisk strøm
  er elektrisk spænding
  er magnetisk flux

Ved at anvende Faradays induktionslov og kædereglen til ligningen som definerer memristans, får man at spændingen V over en memristor er relateret til strømmen I af den øjeblikkelige værdi af memristansen:

 

Så til et hvilketsomhelst tidspunkt opfører memristoren sig som en almindelig modstand. Men, dens "resistans" M(q) er en værdi som afhænger af den passerede ladning i komponenten. En linear memristor (én for hvilken M er konstant) ville opføre sig som en linear modstand, med M = R. Memristans kan siges af afhænge af strømmen som funktion af tiden på sammen måde som kondensatorers spænding gør.

Typer

Anvendelse: Modellere elektrokemisk celle 
Memristoren blev anvendt til at karakterisere opførselen af elektrokemiske celler.

Faststof 
Interessen i memristoren blev genoplivet i 2007 da en eksperimentiel faststof version blev rapporteret

af Stanley Williams
 ved Hewlett-Packard. En faststof komponent kunne ikke realiseres indtil nanoteknologi frembragte usædvanlige opførsler. HP lavede en prototype af en crossbar latch hukommelse som kan have en tæthed på 100 gigabit per cm².

Den højeste Flashhukommelse-tæthed kan til sammenligning gemme 16 gigabit per cm². Memristorens resistans aflæses med vekselstrøm så den gemte digitale værdi ikke ændres.

Samsung har afleveret et U.S. patent anvendelse til bedømmelse, med en memristor som ligner den beskrevet af Williams. Så det er uklart om Williams gruppe er den første.

Potentielle anvendelser 
Williams faststof memristorer kan sammensættes til transistorer, men være meget mindre end transistorer. De kan også designes til at være faststof ikke-flygtig hukommelse, som kan opnå højere datatætheder end harddiske med tilgangstider potentielt som svarer til dynamisk rams.

HP har rapporteret at deres version af memristoren er omkring 10 gange langsommere end DRAM.

Nolge patenter relateret til memristoren ser ud til at omfatte anvendelser indenfor programmerbar logik,

signalbehandling,

kunstige neurale netværk,

og kontrolsystemer.

I defensetechbriefs blev det offentliggjort i 2012 at CMOS-memristorer kan anvendes indenfor: FPGA, DSP, analog elektronik og neurolignende anvendelser.

Kilder/referencer

Eksterne henvisninger 

 27. nov 2008, Ing.dk: HP bygger første memristor-chip 
 BBC News – Electronics' 'missing link' found 01 May 2008
 Nature News – Found: the missing circuit element 30 Apr 2008
 Wired.com – Scientists Create First Memristor: Missing Fourth Electronic Circuit Element 30 Apr 2008
 Aug 29 2011, Nyle Steiner K7NS: Homemade Memristor

Passive elektronikkomponenter
Fremspirende teknologi