2N3055-familien

2N3055-familien omfatter bipolare transistorer, som er baseret på mikrochips, der deler egenskaber. Ifølge JEDEC JESD370B fra 1982 hedder den husuafhængige 2N3055-families mikrochip 2C3055. 2N3055-familien er bipolare transistor baseret på silicium og er af polariteten NPN.

En yderst kendt repræsentant er transistoren med 2N3055-produktkoden. 
2N3055 blev introduceret i starten af 1960'erne af RCA og som anvendte en hometaxial effekttransistor proces. I midten af 1970'erne gik man over til en epitaxial base. 
2N3055 produktkode følger JEDEC JESD370B-standarden. 
2N3055 er en transistorrepræsentant, som stadig (2012) er populær, grundet god pris i forhold til ydelse.

Historie 

2N3055 var designet til middelstrømme og højeffekt kredsløb. Kommercielt blev 2N3055 anvendt i mange linære strømforsyninger, effektforstærkere og lavfrekvens vekselrettere. 2N3055 blev også lavet af mange andre producenter; Texas Instruments lister en mesa version i august 1967 databladet. 

Adskillige versioner af 2N3055 er stadig i produktion; den anvendes i audio effektforstærkere som kan yde op til 40W i 8 ohms belasninger 
i en push–pull-konfiguration (med 2N2955).

F.eks. anvendes 2N3055 og dens komplementære 2N2955 i den prisgunstige og legendariske NAD 3020.

Specifikationer 
De eksakte ydelseskarakteristikker afhænger af producenten. 2N3055 har et TO-3 lignende hus, 
men andre i 2N3055-familien kan have andre huse.

Det skal bemærkes at 2N3055A udgaven har en højere secondary breakdown-grænseknæ på Vce=60V, hvilket er højere end den normale 2N3055, som har secondary breakdown-grænseknæ på Vce=40V. 
Secondary breakdown-kurven falder hurtigere end den termiske effektgrænse. Grunden er, at der er termiske hot-spots i basis-emitter-regionen.

I forhold til at 2N3055-transistorchippen blev designet i 1960'erne, havde den en fremragende secondary breakdown-grænseknæ – og en ganske god secondary breakdown-grænseknæ sammenlignet med mange af eftertidens effekttransistorer.

I dag findes der væsentligt bedre bipolare transistorer, som har en væsentlig højere (og højere Vce(max)) eller slet ingen secondary breakdown-grænseknæ (f.eks. ring-emitter transistorer), men deres pris er væsentlig højere end 2N3055, hvilket er hovedårsagen til at 2N3055 stadig er populær.

Tabel over 2N3055-lignende transistorer med 2C3055 mikrochip

Tabel over MOSFETs, som ligger i slipstrømmen af 2N3055-succesen 
Tabel over effekt MOSFET-transistorer, som har en lignende strømgrænse og spændingsgrænse (60V) som 2N3055-familien – og med 3055 som produktkode tal. Det skal bemærkes, at effekt MOSFET-transistorer:
 ikke har en "secondary breakdown"-grænse, da resistiviteten i source-drain-kanalen stiger med temperaturen.
 er langt hurtigere end 2N3055-familien.
 2N3055 har en Vce(sat)(max)=3V ved 10A ved Ib=3,3A, hvor den "ringeste" specificerede effekt MOSFET fra tabellen (MTP3055VL) har en Rds(on)(max)=0,18 ohm og ved 10A svarer det til 1,8V. Da effekt MOSFET kun skal have gate-strøm ved spændingsændringer er Igate=0A – inkl. ved Ids=10A.
 ikke uden videre kan erstatte en 2N3055, da der skal ændres i kredsløbsdesignet for at disse effekt MOSFET kan anvendes.

Kilder/referencer

Eksterne henvisninger 

 youtube.com: Make Solar Cell Transistor Powered Calculator using 2n3055 

Kommercielle transistorer